JP3424523B2 - TAB tape carrier and method of manufacturing the same - Google Patents
TAB tape carrier and method of manufacturing the sameInfo
- Publication number
- JP3424523B2 JP3424523B2 JP26316397A JP26316397A JP3424523B2 JP 3424523 B2 JP3424523 B2 JP 3424523B2 JP 26316397 A JP26316397 A JP 26316397A JP 26316397 A JP26316397 A JP 26316397A JP 3424523 B2 JP3424523 B2 JP 3424523B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- tape carrier
- slit
- solder resist
- polyimide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ＬＣＤパ
ネルへの実装等、折り曲げ実装に用いられるＴＡＢ（テ
ープオートメーテッドボンディング）用テープキャリア
及びその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tape carrier for TAB (Tape Automated Bonding) used for bending mounting such as mounting on an LCD panel and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＴＡＢ用テープキャリアは、大量生産に
優れ、可撓性があり、薄く、軽量であるため、液晶画面
の駆動用ＩＣや小型計算機の論理ＬＳＩは元より、最近
ではＣＰＵ、ＡＳＩＣ等の大型論理回路半導体チップや
メモリチップの搭載用にまで適用が拡大している。2. Description of the Related Art TAB tape carriers are excellent in mass production, have flexibility, are thin, and are light in weight. Therefore, not only drive ICs for liquid crystal screens and logic LSIs for small computers, but recently CPUs and ASICs Applications are expanding to include large-scale logic circuit semiconductor chips and memory chips.
【０００３】図５は、従来のＴＡＢ用テープキャリアの
一例を示す断面側面図である。このＴＡＢ用テープキャ
リア１０は、Ｃｕ箔１１とポリイミド等の耐熱性テープ
１２が接着剤１３を介して貼り合わされた絶縁フィルム
１４で構成されている。この絶縁フィルム１４には、折
り曲げ用のスリット１５及びデバイスホール１６が形成
されており、絶縁フィルム１４の上面には、所定の形状
の導体パターン及びエポキシ系ソルダレジストのダム１
７が形成されている。FIG. 5 is a sectional side view showing an example of a conventional TAB tape carrier. The TAB tape carrier 10 is composed of an insulating film 14 in which a Cu foil 11 and a heat resistant tape 12 such as polyimide are bonded together with an adhesive 13. A slit 15 for bending and a device hole 16 are formed in the insulating film 14, and a conductor pattern of a predetermined shape and the dam 1 of an epoxy solder resist are formed on the upper surface of the insulating film 14.
7 are formed.
【０００４】そして、デバイスホール１６には、半導体
素子１が接合され、デバイスホール１６の内部から絶縁
フィルム１４の上面にかけて半導体素子１及び導体パタ
ーンの表裏面を被覆するポッティング樹脂層１８が形成
されている。さらに、スリット１５の内部から絶縁フィ
ルム１４の下面の非スリット形成面にかけて、及びスリ
ット１５の内部から絶縁フィルム１４の上面のダム１７
にかけて導体パターンの表裏面を被覆するポリイミド系
ソルダレジストの保護膜１９が形成されている（特開平
４−１６２５４２号公報、特開平２−１３２４１８号公
報参照）。The semiconductor element 1 is bonded to the device hole 16, and a potting resin layer 18 is formed from the inside of the device hole 16 to the upper surface of the insulating film 14 to cover the semiconductor element 1 and the front and back surfaces of the conductor pattern. There is. Furthermore, from the inside of the slit 15 to the non-slit forming surface of the lower surface of the insulating film 14, and from the inside of the slit 15 to the dam 17 on the upper surface of the insulating film 14.
A protective film 19 of a polyimide-based solder resist covering the front and back surfaces of the conductor pattern is formed (see JP-A-4-162542 and JP-A-2-132418).
【０００５】このような構成のＴＡＢ用テープキャリア
１０を製造する場合には、先ず、接着剤１３が付いたポ
リイミド製の耐熱性テープ１２に、デバイスホール１６
及びパーフォレーションを打抜き形成し、Ｃｕ箔１１を
ロールラミネートで貼り合わせて絶縁フィルム１４を作
製する。そして、この絶縁フィルム１４の折り曲げ用の
スリット１５の裏面に、ポリイミド系ソルダレジストで
保護膜１９を印刷してべ一キングする。When manufacturing the TAB tape carrier 10 having such a structure, first, the device hole 16 is formed in the polyimide heat-resistant tape 12 to which the adhesive 13 is attached.
The perforations are punched out, and the Cu foil 11 is bonded by roll lamination to produce the insulating film 14. Then, a protective film 19 is printed with a polyimide solder resist on the back surface of the bending slit 15 of the insulating film 14 and baked.
【０００６】次に、Ｃｕ箔１１の表面に、フォトレジス
トを塗布し、スリット１５上を通過する所定の形状の配
線パターンを露光する。そして、Ｃｕ箔１１をエッチン
グして導体パターンを形成し、スリット１５の周囲に、
エポキシ系ソルダレジストでダム１７を印刷した後、ポ
リイミド系ソルダレジストで保護膜１９を印刷してべ一
キングする。その後、Ｓｎめっき等を行ってＴＡＢ用テ
ープキャリア１０とする。Next, a photoresist is applied to the surface of the Cu foil 11, and a wiring pattern of a predetermined shape passing over the slit 15 is exposed. Then, the Cu foil 11 is etched to form a conductor pattern, and around the slit 15,
After the dam 17 is printed with an epoxy-based solder resist, the protective film 19 is printed with a polyimide-based solder resist and baked. Then, Sn plating or the like is performed to obtain the TAB tape carrier 10.
【０００７】そして、半導体素子１の電極であるアルミ
ニウムで成るパッド上に金で成るバンプと称する突起を
形成し、インナーリード１１ａとバンプとを正確にアラ
イメントして、ダイヤモンド等の硬質ツールで一括熱圧
着し、ポッティング樹脂１８を塗布してべ一キングす
る。Then, a protrusion called a bump made of gold is formed on a pad made of aluminum which is an electrode of the semiconductor element 1, the inner lead 11a and the bump are accurately aligned, and they are collectively heated by a hard tool such as diamond. Crimping, applying potting resin 18 and baking.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＴＡＢ
用テープキャリア１０によると、エポキシ系ソルダレジ
ストでダム１７を印刷した後、ポリイミド系ソルダレジ
ストで保護膜１９を印刷している。エポキシ系ソルダレ
ジストのダム１７を形成する理由は、ポリイミド系ソル
ダレジストの保護膜１９とポッティング樹脂層１８との
密着性が悪いためである。そのため２種類のソルダレジ
ストの印刷工程を経なければならず、ＴＡＢ用テープキ
ャリア１０の歩留りが悪く、生産性が低いという欠点が
あった。However, the conventional TAB
According to the tape carrier 10 for use, after the dam 17 is printed with the epoxy solder resist, the protective film 19 is printed with the polyimide solder resist. The reason for forming the dam 17 of the epoxy solder resist is that the adhesion between the protective film 19 of the polyimide solder resist and the potting resin layer 18 is poor. Therefore, the printing process of two kinds of solder resists must be performed, and the yield of the TAB tape carrier 10 is poor and the productivity is low.
【０００９】従って、本発明の目的は、歩留りが良く、
生産性の高いＴＡＢ用テープキャリア及びその製造方法
を提供することにある。Therefore, the object of the present invention is to improve the yield,
An object of the present invention is to provide a TAB tape carrier with high productivity and a method for manufacturing the same.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を実
現するため、折り曲げ用のスリットが形成された絶縁フ
ィルムの上面に、前記スリット上を通過するように所定
の形状で形成された導体パターンを有するＴＡＢ用テー
プキャリアにおいて、前記スリットの内部から前記絶縁
フィルムの下面にかけて、及び前記スリットから前記絶
縁フィルムの上面の前記導体パターンを通ってポッティ
ング樹脂層にかけて搭載される半導体チップを封止する
ポッティング樹脂層と所定の密着性を有したポリイミド
系ソルダレジストが施されていることを特徴とするＴＡ
Ｂ用テープキャリアを提供する。In order to achieve the above object, the present invention provides a conductor formed in a predetermined shape on an upper surface of an insulating film having a slit for bending formed so as to pass over the slit. In a TAB tape carrier having a pattern, a semiconductor chip to be mounted is sealed from the inside of the slit to the lower surface of the insulating film and from the slit to the potting resin layer through the conductor pattern on the upper surface of the insulating film. A TA characterized in that a polyimide-based solder resist having a predetermined adhesiveness with the potting resin layer is applied.
A tape carrier for B is provided.
【００１１】また、本発明は、上記目的を実現するた
め、絶縁フィルム上に折り曲げ用のスリットを形成し、
前記スリットが形成された絶縁フィルム上にＣｕ箔等の
金属層を貼付し、前記スリットの内部から前記絶縁フィ
ルムの下面にかけて搭載される半導体チップを封止する
ポッティング樹脂層と所定の密着性を有したポリイミド
系ソルダレジストを塗布し、前記金属層をエッチング等
して、前記絶縁フィルムの上面に導体パターンを形成
し、前記スリットから前記絶縁フィルムの上面の前記導
体パターンを通って前記ポッティング樹脂層にかけて搭
載される半導体チップを封止するポッティング樹脂層と
所定の密着性を有したポリイミド系ソルダレジストを塗
布することを特徴とするＴＡＢ用テープキャリアの製造
方法を提供する。In order to achieve the above object, the present invention has a slit for bending formed on an insulating film,
A metal layer such as Cu foil is attached on the insulating film having the slits, and has a predetermined adhesiveness with a potting resin layer that seals the semiconductor chip mounted from the inside of the slit to the lower surface of the insulating film. Applied polyimide-based solder resist, etching the metal layer, etc., to form a conductor pattern on the upper surface of the insulating film, from the slit through the conductor pattern on the upper surface of the insulating film to the potting resin layer Provided is a method for manufacturing a TAB tape carrier, which comprises applying a polyimide solder resist having a predetermined adhesion to a potting resin layer for sealing a semiconductor chip to be mounted.
【００１２】上記構成によれば、１種類のポリイミド系
ソルダレジストで保護膜を形成しているので、従来必要
であったエポキシ系ソルダレジストのダムの形成を省略
することができ、歩留りや生産性を向上させることがで
きる。According to the above structure, since the protective film is formed of one type of polyimide solder resist, the dam formation of the epoxy solder resist, which is conventionally required, can be omitted, and the yield and the productivity can be reduced. Can be improved.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】図１は、本発明のＴＡＢ用テープ
キャリアの実施形態を示す断面側面図である。このＴＡ
Ｂ用テープキャリア２０は、Ｃｕ箔２１とポリイミド等
の耐熱性テープ２２が接着剤２３を介して貼り合わされ
た絶縁フィルム２４で構成されている。1 is a cross-sectional side view showing an embodiment of a tape carrier for TAB of the present invention. This TA
The B tape carrier 20 is composed of an insulating film 24 in which a Cu foil 21 and a heat-resistant tape 22 such as polyimide are bonded together with an adhesive 23.
【００１４】この絶縁フィルム２４には、折り曲げ用の
スリット２５及びデバイスホール２６が形成されてお
り、絶縁フィルム２４の上面には、所定の形状の導体パ
ターンが形成されている。そして、デバイスホール２６
には、半導体素子１が接合され、デバイスホール２６の
内部から絶縁フィルム２４の上面にかけて半導体素子１
及び導体パターンの表裏面を被覆するポッティング樹脂
層２８が形成されている。A slit 25 for bending and a device hole 26 are formed in the insulating film 24, and a conductor pattern having a predetermined shape is formed on the upper surface of the insulating film 24. And the device hole 26
The semiconductor element 1 is bonded to the semiconductor element 1 and the semiconductor element 1 is connected from the inside of the device hole 26 to the upper surface of the insulating film 24.
Also, a potting resin layer 28 that covers the front and back surfaces of the conductor pattern is formed.
【００１５】さらに、スリット２５の内部から絶縁フィ
ルム２４の下面の非スリット形成面にかけて、及びスリ
ット２５の内部から絶縁フィルム２４の上面の非スリッ
ト形成面を通ってポッティング樹脂層２８にかけて導体
パターンの表裏面を被覆するポリイミド系ソルダレジス
トの保護膜２９が形成されている。Further, the surface of the conductor pattern extends from the inside of the slit 25 to the non-slit forming surface of the lower surface of the insulating film 24, and from the inside of the slit 25 to the non-slit forming surface of the upper surface of the insulating film 24 to the potting resin layer 28. A protective film 29 of polyimide solder resist is formed to cover the back surface.
【００１６】このＴＡＢ用テープキャリア２０の保護膜
２９に用いられるポリイミド系ソルダレジストとして
は、以下の特性を有するものが用いられる。１．べ一ク
後の初期弾性係数が、耐熱性テープ２２の初期弾性係数
の１／１０以下であること。この理由は、曲げひずみが
同一であれば、初期弾性係数が低いと発生する応力が小
さくなるため、保護膜２９形成後の耐熱性テープ２２の
反りの発生を抑制できるからである。The polyimide solder resist used for the protective film 29 of the TAB tape carrier 20 has the following characteristics. 1. The initial elastic modulus after baking should be 1/10 or less of the initial elastic modulus of the heat resistant tape 22. The reason for this is that if the bending strain is the same, the stress that occurs when the initial elastic modulus is low becomes small, so that the occurrence of warpage of the heat resistant tape 22 after forming the protective film 29 can be suppressed.
【００１７】２．べ一ク後の引張り強さが２．０×１０
7 Ｐａ以下であって、引張り伸びが２００％以上である
こと。この理由は、ＴＡＢ用テープキャリア２０の９０
度曲げの屈曲性を向上させるためである。３．接着剤２
３及びポッティング樹脂層２８との密着性が良好である
こと。この理由は、保護膜２９が従来のエポキシ系ソル
ダレジストのダム１７の効果を兼ね備えることができ、
ダム１７の形成を省略することができるので、１種類の
ソルダレジストの印刷工程で済み、ＴＡＢ用テープキャ
リア２０の歩留りと生産性を向上させることができるか
らである。2. Tensile strength after baking is 2.0 × 10
7 Pa or less and a tensile elongation of 200% or more. This is because the TAB tape carrier 20 has 90
This is for improving the bending flexibility. 3. Adhesive 2
3 and good adhesion to the potting resin layer 28. The reason is that the protective film 29 can also have the effect of the dam 17 of the conventional epoxy-based solder resist,
This is because the formation of the dam 17 can be omitted, and only one type of solder resist printing step is required, and the yield and productivity of the TAB tape carrier 20 can be improved.
【００１８】図２（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明のＴＡＢ用
テープキャリアの製造方法の実施形態を示す断面側面図
である。上述した構成のＴＡＢ用テープキャリア２０を
製造する場合には、先ず、接着剤２３が付いたポリイミ
ド製の耐熱性テープ（初期弾性係数：７４５×１０7 Ｐ
ａ、厚さ：７５μｍ）２２に、デバイスホール２６及び
パーフォレーションを打抜き形成し（同図（Ａ））、Ｃ
ｕ箔（厚さ：１８μｍ）２１をロールラミネートで貼り
合わせて絶縁フィルム２４を作製する。2 (A) to 2 (E) are cross-sectional side views showing an embodiment of a method for manufacturing a TAB tape carrier of the present invention. In the case of manufacturing the TAB tape carrier 20 having the above-described structure, first, a heat resistant tape made of polyimide with an adhesive 23 (initial elastic modulus: 745 × 10 7 P
a, thickness: 75 μm), a device hole 26 and a perforation are punched and formed in (22 in FIG.
The u foil (thickness: 18 μm) 21 is attached by roll lamination to produce an insulating film 24.
【００１９】そして、この絶縁フィルム２４の折り曲げ
用のスリット２５の裏面に、ポリイミド系ソルダレジス
ト（初期弾性係数：１１．８×１０7 Ｐａ、引張り強
さ：０．７６×１０7 Ｐａ、引張り伸ぴ：３３０％）で
保護膜２９を印刷してべ一キングする（同図（Ｂ））。On the back surface of the slit 25 for bending the insulating film 24, a polyimide solder resist (initial elastic modulus: 11.8 × 10 7 Pa, tensile strength: 0.76 × 10 7 Pa, tensile elongation) (Pi: 330%), and the protective film 29 is printed and baked (FIG. 2B).
【００２０】次に、Ｃｕ箔２１の表面に、フォトレジス
トを塗布し、スリット２５上を通過する所定の形状の配
線パターン（６０μｍピッチ）を露光する。そして、Ｃ
ｕ箔２１をエッチングして導体パターンを形成し（同図
（Ｃ））、スリット２５とインナリード２１ａの周囲
に、ポリイミド系ソルダレジストで保護膜２９を厚さが
１５μｍとなるように印刷して１６０°Ｃでべ一キング
（硬化後の厚さ：１３μｍ）する。その後、Ｎｉ、Ａｕ
あるいはＳｎめっき等を行ってＴＡＢ用テープキャリア
２０とする（同図（Ｄ））。Next, a photoresist is applied to the surface of the Cu foil 21, and a wiring pattern (60 μm pitch) of a predetermined shape passing over the slit 25 is exposed. And C
The u foil 21 is etched to form a conductor pattern (FIG. 7C), and a protective film 29 is printed around the slit 25 and the inner lead 21a with a polyimide solder resist so as to have a thickness of 15 μm. Baking (thickness after curing: 13 μm) at 160 ° C. After that, Ni, Au
Alternatively, Sn plating or the like is performed to obtain the TAB tape carrier 20 ((D) in the figure).
【００２１】そして、半導体素子１の電極であるアルミ
ニウムで成るパッド上に金で成るバンプと称する突起を
形成し、インナーリード２１ａとバンプとを正確にアラ
イメントして、ダイヤモンド等の硬質ツールで一括熱圧
着し、ポッティング樹脂２８を塗布してべ一キングする
（同図（Ｅ））。Then, a protrusion called a bump made of gold is formed on a pad made of aluminum which is an electrode of the semiconductor element 1, the inner lead 21a and the bump are accurately aligned, and they are collectively heated by a hard tool such as diamond. Crimping is performed, potting resin 28 is applied, and baking is performed ((E) in the figure).
【００２２】以上のようにして製造されたＴＡＢ用テー
プキャリア２０における硬化したポリイミド系ソルダレ
ジストの保護膜２９の厚さは、１回の印刷で必要とする
１３μｍになっており、生産性を向上させることができ
る。また、Ｓｎめっきを実施してもポリイミド系ソルダ
レジストの保護膜２９に剥がれやめくれは発生せず、良
好な密着性を得ることができる。さらに、ポリイミド系
ソルダレジストの印刷の流れ出しやかすれて薄くなるこ
とも少なく、良好な被覆を安定してできるようになる。The thickness of the protective film 29 of the cured polyimide solder resist in the TAB tape carrier 20 manufactured as described above is 13 μm, which is required for one printing, thus improving the productivity. Can be made. Further, even if Sn plating is performed, peeling or swelling does not occur on the protective film 29 of the polyimide-based solder resist, and good adhesion can be obtained. Further, the polyimide solder resist is less likely to flow out of printing or become thin due to fading, so that good coating can be stably performed.
【００２３】図３は、本実施形態のＴＡＢ用テープキャ
リア２０と従来のＴＡＢ用テープキャリア１０における
９０度屈曲回数（回）とライン／スペース（μｍ／μ
ｍ）との関係の対比特性を示す図である。同図からも明
らかなように、本実施形態のＴＡＢ用テープキャリア２
０におけるポリイミド系ソルダレジストの保護膜２９の
クラック発生が屈曲数１５０回以上となり、従来のＴＡ
Ｂ用テープキャリア１０に比べ９０度曲げの屈曲性を大
幅に向上させることができる。FIG. 3 shows the number of 90-degree bendings (times) and line / space (μm / μ) in the TAB tape carrier 20 of this embodiment and the conventional TAB tape carrier 10.
It is a figure which shows the contrast characteristic of the relationship with m). As is clear from the figure, the TAB tape carrier 2 of the present embodiment
No. 0 cracks were generated in the protective film 29 of the polyimide-based solder resist at a bending number of 150 or more.
Flexibility of 90-degree bending can be significantly improved as compared with the B tape carrier 10.
【００２４】図４は、本発明のＴＡＢ用テープキャリア
の参考例を示す断面側面図であり、図１のＴＡＢ用テー
プキャリアの実施形態と同一部材は同符号を付す。この
ＴＡＢ用テープキャリア３０は、Ｃｕ箔２１とポリイミ
ド等の耐熱性テープ２２が接着剤２３を介して貼り合わ
された絶縁フィルム２４で構成されている。FIG. 4 is a cross-sectional side view showing a reference example of the TAB tape carrier of the present invention, and the same members as those of the embodiment of the TAB tape carrier of FIG. The TAB tape carrier 30 is composed of an insulating film 24 in which a Cu foil 21 and a heat-resistant tape 22 such as polyimide are bonded together with an adhesive 23.
【００２５】この絶縁フィルム２４には、折り曲げ用の
スリット２５及びデバイスホール２６が形成されてお
り、絶縁フィルム２４の上面には、所定の形状の導体パ
ターンが形成されている。そして、デバイスホール２６
には、半導体素子１が接合され、デバイスホール２６の
内部から絶縁フィルム２４の上面にかけて半導体素子１
及び導体パターンの表裏面を被覆するポッティング樹脂
層２８が形成されている。A slit 25 for bending and a device hole 26 are formed in the insulating film 24, and a conductor pattern having a predetermined shape is formed on the upper surface of the insulating film 24. And the device hole 26
The semiconductor element 1 is bonded to the semiconductor element 1 and the semiconductor element 1 is connected from the inside of the device hole 26 to the upper surface of the insulating film 24.
Also, a potting resin layer 28 that covers the front and back surfaces of the conductor pattern is formed.
【００２６】以上の構成は図１のＴＡＢ用テープキャリ
ア２０と同一であるが、以下の点で図１のＴＡＢ用テー
プキャリア２０と異なる構成となっている。即ち、スリ
ット２５の部分（表面及び裏面共）を除く絶縁フィルム
２４の上面の非スリット形成面からポッティング樹脂層
２８にかけて導体パターンの表面を被覆するポリイミド
系ソルダレジストの保護膜２９が形成されている。The above construction is the same as that of the TAB tape carrier 20 of FIG. 1, but differs from the TAB tape carrier 20 of FIG. 1 in the following points. That is, a protective film 29 of a polyimide-based solder resist that covers the surface of the conductor pattern is formed from the non-slit forming surface of the upper surface of the insulating film 24 excluding the slit 25 portion (both the front surface and the back surface) to the potting resin layer 28. .
【００２７】尚、このＴＡＢ用テープキャリア３０の保
護膜２９にも、上述したポリイミド系ソルダレジストと
同一のものが用いられる。尚、上述した参考例では、両
面スリットのＴＡＢ用テープキャリアの場合について説
明したが、これに限定されるものではなく、例えば片面
スリットのＴＡＢ用テープキャリアやスリットのないＴ
ＡＢ用テープキャリアにも適用可能である。For the protective film 29 of the TAB tape carrier 30, the same polyimide solder resist as described above is used. In the above-mentioned reference example , the case of the TAB tape carrier having a double-sided slit has been described, but the present invention is not limited to this.
It is also applicable to AB tape carriers.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、歩
留りを良好にし、生産性を高めることができる。As described above, according to the present invention, the yield can be improved and the productivity can be increased.
【図１】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの実施形態を
示す断面側面図である。FIG. 1 is a cross-sectional side view showing an embodiment of a TAB tape carrier of the present invention.
【図２】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の
実施形態を示す断面側面図である。FIG. 2 is a cross-sectional side view showing an embodiment of a method for manufacturing a TAB tape carrier of the present invention.
【図３】本発明と従来のＴＡＢ用テープキャリア折り曲
げ特性を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing bending characteristics of a tape carrier for TAB of the present invention and a conventional one.
【図４】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの参考例を示
す断面側面図である。FIG. 4 is a sectional side view showing a reference example of the TAB tape carrier of the present invention.
【図５】従来のＴＡＢ用テープキャリアの一例を示す断
面側面図である。FIG. 5 is a sectional side view showing an example of a conventional TAB tape carrier.
１０、２０・・・ＴＡＢ用テープキャリア １１、２１・・・Ｃｕ箔 １１ａ、２１ａ・・・インナーリード １２、２２・・・耐熱性テープ １３、２３・・・接着剤 １４、２４・・・絶縁フィルム １５、２５・・・折り曲げ用のスリット １６、２６・・・デバイスホール １７・・・ダム １８、２８・・・ポッティング樹脂層 １９、２９・・・ポリイミド系ソルダレジストの保護膜 10, 20 ... TAB tape carrier 11, 21 ... Cu foil 11a, 21a ... Inner lead 12, 22 ... Heat resistant tape 13, 23 ... Adhesive 14, 24 ... Insulating film 15, 25 ... Slits for bending 16, 26 ... Device hole 17 ... Dam 18, 28 ... Potting resin layer 19, 29 ... Protective film of polyimide solder resist
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−168985（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−106887（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−297192（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−226424（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−5662（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−112278（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−31869（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−1230（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−130438（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 G02F 1/1345 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) Reference JP-A-6-168985 (JP, A) JP-A-58-106887 (JP, A) JP-A-3-297192 (JP, A) JP-A-5- 226424 (JP, A) JP-A-6-5662 (JP, A) JP-A-6-112278 (JP, A) JP-A-8-31869 (JP, A) Actual Kaihei 5-1230 (JP, U) Furukaihei 4-130438 (JP, U) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/60 G02F 1/1345
Claims (4)
フィルムの上面に、前記スリット上を通過するように所
定の形状で形成された導体パターンを有するＴＡＢ用テ
ープキャリアにおいて、 前記スリットの内部から前記絶縁フィルムの下面にかけ
て、及び前記スリットから前記絶縁フィルムの上面の前
記導体パターンを通ってポッティング樹脂層にかけて搭
載される半導体チップを封止するポッティング樹脂層と
所定の密着性を有したポリイミド系ソルダレジストが施
されていることを特徴とするＴＡＢ用テープキャリア。1. A TAB tape carrier having a conductor pattern formed in a predetermined shape so as to pass over the slit, on an upper surface of an insulating film having a bending slit formed therein, A polyimide solder resist having a predetermined adhesion with a potting resin layer that seals a semiconductor chip to be mounted on the lower surface of an insulating film and from the slit to the potting resin layer through the conductor pattern on the upper surface of the insulating film. A tape carrier for TAB, which is characterized by being subjected to.
張強さが２．０×１０7 Ｐａ以下、引張り伸びが２００
％以上、初期弾性係数が前記絶縁フィルムの初期弾性係
数の１／１０以下のもので構成されている請求項１に記
載のＴＡＢ用テープキャリア。2. The polyimide-based solder resist has a tensile strength of 2.0 × 10 7 Pa or less and a tensile elongation of 200.
The tape carrier for TAB according to claim 1, wherein the TAB tape carrier has an initial elastic modulus of 1% or more and an initial elastic modulus of 1/10 or less of the insulating film.
を形成し、 前記スリットが形成された絶縁フィルム上にＣｕ箔等の
金属層を貼付し、 前記スリットの内部から前記絶縁フィルムの下面にかけ
て搭載される半導体チップを封止するポッティング樹脂
層と所定の密着性を有したポリイミド系ソルダレジスト
を塗布し、 前記金属層をエッチング等して、前記絶縁フィルムの上
面に導体パターンを形成し、 前記スリットから前記絶縁フィルムの上面の前記導体パ
ターンを通って前記ポッティング樹脂層にかけて搭載さ
れる半導体チップを封止するポッティング樹脂層と所定
の密着性を有したポリイミド系ソルダレジストを塗布す
ることを特徴とするＴＡＢ用テープキャリアの製造方
法。 3. A slit for bending on an insulating film
Of Cu foil or the like on the insulating film on which the slit is formed.
Attach a metal layer and hang it from the inside of the slit to the bottom surface of the insulating film.
Potting resin that seals semiconductor chips that are mounted
Polyimide solder resist with a certain adhesion to the layer
On the insulating film by etching the metal layer, etc.
Forming a conductor pattern on the surface, and through the slit , the conductor pattern on the upper surface of the insulating film.
It is mounted on the potting resin layer through the turn.
And a potting resin layer that seals the semiconductor chip
Apply a polyimide-based solder resist with good adhesion
TAB tape carrier manufacturing method characterized by
Law.
張強さが２．０×１０ 7 Ｐａ以下、引張り伸びが２００
％以上、初期弾性係数が前記絶縁フィルムの初期弾性係
数の１／１０以下のもので構成されている請求項４に記
載のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法。 4. The polyimide-based solder resist is
Tensile strength is 2.0 × 10 7 Pa or less, tensile elongation is 200
% Or more, the initial elastic coefficient is the initial elastic coefficient of the insulating film.
The device according to claim 4, which is composed of 1/10 or less of the number.
A method for manufacturing the TAB tape carrier described above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26316397A JP3424523B2 (en) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | TAB tape carrier and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26316397A JP3424523B2 (en) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | TAB tape carrier and method of manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11102938A JPH11102938A (en) | 1999-04-13 |
| JP3424523B2 true JP3424523B2 (en) | 2003-07-07 |
Family
ID=17385663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26316397A Expired - Fee Related JP3424523B2 (en) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | TAB tape carrier and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3424523B2 (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001237280A (en) | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Nec Corp | Tape carrier type semiconductor device and flexible film connection board |
| JP4686860B2 (en) * | 2000-12-28 | 2011-05-25 | パナソニック株式会社 | Manufacturing method of flexible printed wiring board |
| JP2002246511A (en) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Hitachi Chem Co Ltd | Substrate and semiconductor package using the same |
| JP2003077959A (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Shindo Denshi Kogyo Kk | Method of preventing tab tape carrier from warping, and tab tape carrier |
| JP4663183B2 (en) * | 2001-09-07 | 2011-03-30 | 新藤電子工業株式会社 | Method for preventing warpage of TAB tape carrier and TAB tape carrier |
| JP2006073966A (en) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Printed circuit board and semiconductor device |
| JP4701914B2 (en) * | 2004-10-29 | 2011-06-15 | 宇部興産株式会社 | Flexible wiring board for tape carrier package with improved flame resistance |
-
1997
- 1997-09-29 JP JP26316397A patent/JP3424523B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11102938A (en) | 1999-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3377001B2 (en) | Semiconductor device and its manufacturing method, circuit board, and electronic equipment | |
| JP2779133B2 (en) | Semiconductor structure with bumps | |
| JP3424523B2 (en) | TAB tape carrier and method of manufacturing the same | |
| JP3998878B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and package manufacturing method | |
| JP3555502B2 (en) | Method of manufacturing TAB tape carrier for COF | |
| JPH11204560A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| KR20020065705A (en) | Tape circuit substrate and manufacturing method thereof and semiconductor chip package using thereof | |
| JP2937111B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPH06177315A (en) | Multi-layered lead frame | |
| JP3061767B2 (en) | Tape carrier and manufacturing method thereof | |
| JP3351312B2 (en) | Method of manufacturing TAB tape for T-BGA | |
| JPH08139126A (en) | Semiconductor device | |
| JP3444787B2 (en) | Film carrier tape for mounting electronic components and method of manufacturing film carrier tape for mounting electronic components | |
| JP2850579B2 (en) | Film carrier for semiconductor device | |
| JP3417325B2 (en) | Semiconductor package | |
| WO1999034435A1 (en) | Circuit board, manufacture thereof, and electronic device using circuit board | |
| JP2002299387A (en) | Tape carrier for semiconductor device and its manufacturing method | |
| JP2001127117A (en) | Method for manufacturing tab tape | |
| JP3225163B2 (en) | Tape carrier manufacturing method | |
| JP2953939B2 (en) | Tape carrier type package for semiconductor device | |
| JP3565142B2 (en) | Wiring board and method of manufacturing the same, semiconductor device, circuit board, and electronic equipment | |
| JP3028413B1 (en) | Electronic circuit device | |
| JP3275792B2 (en) | TAB tape for mounting semiconductor element and semiconductor device using the same | |
| JP3879259B2 (en) | TAB film carrier tape | |
| JPH10303254A (en) | Tape carrier for mounting semiconductor component and semiconductor device using the tape carrier |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090502 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100502 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |