JP3351312B2 - Method of manufacturing TAB tape for T-BGA - Google Patents

Method of manufacturing TAB tape for T-BGA

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JP3351312B2 JP26251997A JP26251997A JP3351312B2 JP 3351312 B2 JP3351312 B2 JP 3351312B2 JP 26251997 A JP26251997 A JP 26251997A JP 26251997 A JP26251997 A JP 26251997A JP 3351312 B2 JP3351312 B2 JP 3351312B2
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＡＢテープの製
造方法に関し、特に、微細な配線パターンが形成された
ポリイミド・ブラインドビア構造のＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢ
テープの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a TAB tape, and more particularly to a TAB for a T-BGA having a polyimide blind via structure on which a fine wiring pattern is formed.
The present invention relates to a tape manufacturing method.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来のＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造
方法において、ブラインドビアホールを形成する場合、
金型パンチ法とアルカリエッチング法の２つの方法が主
に用いられていた。この金型パンチ法は、主に、接着剤
層を有するポリイミドテープを用いてＴ−ＢＧＡ用ＴＡ
Ｂテープを製造する際に用いられ、アルカリエッチング
法は、主に、接着剤層を有しないポリイミドテープを用
いてＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープを製造する際に用いられ
ていた。2. Description of the Related Art In a conventional method of manufacturing a TAB tape for T-BGA, when forming a blind via hole,
Two methods, a mold punch method and an alkali etching method, have been mainly used. This mold punch method mainly uses a TA for T-BGA using a polyimide tape having an adhesive layer.
The alkaline etching method was used when manufacturing a B tape, and was mainly used when manufacturing a TAB tape for T-BGA using a polyimide tape having no adhesive layer.

【０００３】従来の金型パンチ法を用いたＴ−ＢＧＡ用
ＴＡＢテープの製造方法においては、先ず、片面に接着
層を有する厚さ７５μｍのポリイミドに、パンチで直径
３０〜５００μｍの孔（スルーホール）を開けた後、接
着層側に銅箔をラミネートしてパンチで開けた孔の片側
を塞いでブラインドビアホールを形成する。In a method of manufacturing a TAB tape for T-BGA using a conventional mold punching method, first, a 75 μm-thick polyimide having an adhesive layer on one surface is punched with a hole (through hole) having a diameter of 30 to 500 μm. ), A copper foil is laminated on the adhesive layer side, and one side of the hole formed by the punch is closed to form a blind via hole.

【０００４】次に、銅箔の表面に感光性レジストを塗布
し、銅箔の表面を露光機で露光してアルカリ現像した
後、エッチング機でエッチングして所定の配線パターン
を形成し、Ｔ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープを製造していた。[0004] Next, a photosensitive resist is applied to the surface of the copper foil, the surface of the copper foil is exposed to light by an exposing machine and alkali-developed, and then etched by an etching machine to form a predetermined wiring pattern. A TAB tape for BGA was manufactured.

【０００５】また、従来のアルカリエッチング法を用い
たＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方法においては、先
ず、銅箔の片面にポリイミドをキャスティングした接着
剤層のないテープに、アルカリエッチングで直径３０〜
５００μｍのブラインドビアホールを形成する。[0005] In a conventional method of manufacturing a TAB tape for T-BGA using an alkali etching method, first, a tape having no adhesive layer formed by casting a polyimide on one side of a copper foil and having a diameter of 30 to 30 mm by alkali etching is used.
A blind via hole of 500 μm is formed.

【０００６】次に、銅箔の表面に感光性レジストを塗布
し、銅箔の表面を露光機で露光してアルカリ現像した
後、エッチング機でエッチングして所定の配線パターン
を形成し、Ｔ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープを製造していた。[0006] Next, a photosensitive resist is applied to the surface of the copper foil, the surface of the copper foil is exposed by an exposing machine and alkali-developed, and then etched by an etching machine to form a predetermined wiring pattern. A TAB tape for BGA was manufactured.

【０００７】このようにして、従来の金型パンチ法また
はアルカリエッチング法を用いたＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテ
ープの製造方法によって、所定の配線パターンを持つＴ
−ＢＧＡ用ＴＡＢテープが製造されていた。[0007] In this manner, the T-BGA TAB tape manufacturing method using the conventional die punching method or alkali etching method is used to form a T-BGA tape having a predetermined wiring pattern.
-A TAB tape for BGA was being manufactured.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の金型パンチ法を用いたＴ−ＢＧＡ用ＴＡ
Ｂテープの製造方法によれば、パンチによって開けられ
たパンチ孔にパンチの抜きバリが生じ、また、パンチ孔
の側面が粗くなる（ガサツキが生じる）ため、この方法
で製造されたＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープのブラインドビ
アホールの濡れ性が劣化し、ブラインドビアホールに形
成されるはんだボールの生産性が悪くなるという問題が
あった。However, the TA for T-BGA using the conventional mold punch method as described above.
According to the B tape manufacturing method, punch burrs are formed in the punch holes formed by the punches, and the side surfaces of the punch holes are roughened (roughness is generated). There is a problem that the wettability of the blind via hole of the TAB tape is deteriorated, and the productivity of the solder balls formed in the blind via hole is deteriorated.

【０００９】また、上述したような従来のアルカリエッ
チング法を用いたＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方法
によれば、ブラインドビアホールの形成をアルカリエッ
チングで行うため、直径が１００μｍ以下の微細なブラ
インドビアホールの形成が困難であり、また、加工速度
も遅くなり生産性が悪く、コストがかかるという問題が
あった。Further, according to the method of manufacturing a TAB tape for T-BGA using the conventional alkali etching method as described above, since the blind via hole is formed by alkali etching, a fine blind via hole having a diameter of 100 μm or less is obtained. In addition, there is a problem that it is difficult to form the film, the processing speed is slow, the productivity is low, and the cost is high.

【００１０】従って、本発明の目的は、ブラインドビア
ホールの側面の濡れ性が高く、安価で効率よくＴ−ＢＧ
Ａ用ＴＡＢテープを製造することができるＴ−ＢＧＡ用
ＴＡＢテープの製造方法を提供することである。[0010] Accordingly, it is an object of the present invention to provide a low cost and efficient T-BG with high wettability on the side of a blind via hole.
An object of the present invention is to provide a method for producing a TAB tape for T-BGA, which can produce a TAB tape for A.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、以上に述べた
目的を実現するため、絶縁テープの片面に配線層を設け
たＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方法において、絶縁
テープの配線層が設けられる面とは反対の面に、マスク
材を接着し、マスク材に所定の穴を形成し、マスク材の
所定の穴に対応する位置に、絶縁テープのマスク材の接
着面側からレーザ加工によって絶縁テープに穴を開け、
レーザ加工後、マスク材を絶縁テープから剥離し、絶縁
テープの配線層が設けられる面に微細な配線層を形成す
ることを特徴とするＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方
法を提供する。According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a TAB tape for a T-BGA having a wiring layer provided on one side of an insulating tape. A mask material is adhered to the surface opposite to the surface to be provided, a predetermined hole is formed in the mask material, and laser processing is performed from a side of the mask material adhesive surface of the insulating tape at a position corresponding to the predetermined hole of the mask material. Pierce the insulation tape by
A method of manufacturing a TAB tape for T-BGA, characterized in that a mask material is peeled off from an insulating tape after laser processing and a fine wiring layer is formed on a surface of the insulating tape on which a wiring layer is provided.

【００１２】[0012]

【発明の実施の形態】以下本発明のＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢ
テープの製造方法を詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A TAB for T-BGA of the present invention
The method for manufacturing the tape will be described in detail.

【００１３】図１は、本発明のデバイスホールのないＴ
−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方法の実施の一形態を示
す。この方法は、先ず、１層配線ＣＣＬ(Copper Clad L
aminate)材である接着剤層のない厚さ１８μｍの銅箔５
の片面に、絶縁体である厚さ５０μｍのポリイミドフィ
ルム７をキャスティングする(101) 。ポリイミドフィル
ム７の銅箔５とは反対側の面に、厚さ１８μｍの銅箔５
の片面に接着剤１０が塗布された接着剤付き銅箔１９
を、ロールラミネータでその接着剤１０によって接着す
る(102) 。FIG. 1 shows a T-hole without a device hole according to the present invention.
1 shows an embodiment of a method of manufacturing a TAB tape for BGA. In this method, first, a single-layer wiring CCL (Copper Clad L
18μm thick copper foil 5 without adhesive layer
Is cast on one surface of a polyimide film 7 having a thickness of 50 μm as an insulator (101). On the surface of the polyimide film 7 opposite to the copper foil 5, a copper foil 5
Adhesive-coated copper foil 19 coated with adhesive 10 on one side of
Are adhered by the adhesive 10 with a roll laminator (102).

【００１４】接着剤付き銅箔１９に、インナーリード側
および入力リード側のそれぞれに直径８０μｍの６４個
の穴（ブラインドビア２１）を、フォトレジストおよび
エッチングで設ける(103) 。このブラインドビア２１が
設けられた接着剤付き銅箔１９をマスクとして使用し
て、ＣＯ2 レーザ１７でポリイミドフィルム７にブライ
ンドビアホール８を形成する(104) 。次に、マスクとし
て使用したブラインドビア２１が設けられた接着剤付き
銅箔１９をポリイミドフィルム７から剥離する(105) 。On the adhesive-coated copper foil 19, 64 holes (blind vias 21) each having a diameter of 80 μm are provided on the inner lead side and the input lead side by photoresist and etching (103). Using the copper foil 19 with the adhesive provided with the blind via 21 as a mask, the blind via hole 8 is formed in the polyimide film 7 by the CO 2 laser 17 (104). Next, the copper foil 19 with adhesive provided with the blind via 21 used as a mask is peeled from the polyimide film 7 (105).

【００１５】接着剤付き銅箔１９を剥離した面とは反対
の面の穴のない銅箔５(106) に、感光性レジストを塗布
し、露光機で露光して、アルカリ現像した後、エッチン
グを行う。これによって、インナーリード３、引き回し
配線２２、および入力（アウター）リード６を有する配
線間ピッチ８０μｍの１層配線ＴＡＢテープを作成す
る。このＴＡＢテープの配線層のインナーリード３以外
の部分に、厚さ１５μｍのフォトソルダレジスト４を塗
布し、配線層を保護する。次に、インナーリード３とブ
ラインドビアホール８の底の露出している銅箔５に、電
気めっきで金めっき（図示せず）を施し、Ｔ−ＢＧＡ用
ＴＡＢテープ２０を製造する(107) 。A photosensitive resist is applied to the copper foil 5 (106) having no holes on the surface opposite to the surface from which the adhesive-coated copper foil 19 has been peeled off, exposed with an exposure machine, alkali-developed, and then etched. I do. As a result, a single-layer wiring TAB tape having the inner lead 3, the leading wiring 22, and the input (outer) lead 6 and having a wiring pitch of 80 μm is formed. A 15 μm-thick photo solder resist 4 is applied to portions of the wiring layer of the TAB tape other than the inner leads 3 to protect the wiring layer. Next, the inner lead 3 and the copper foil 5 exposed at the bottom of the blind via hole 8 are subjected to gold plating (not shown) by electroplating to manufacture a TAB tape 20 for T-BGA (107).

【００１６】このＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープ２０のイン
ナーリード３と半導体素子２を、バンプ１でフリップ・
チップ接続し、封止剤１５でポッチング封止して、リフ
ロー炉で、最高温度２４５℃では５秒間、合計では３０
秒間の工程で、１２８個のブラインドビアホール８の全
てにはんだボール１４を形成して、半導体装置２３を製
造した(108) 。このはんだボール１４の形成において
は、１２８個の全てが良好なはんだボール１４となっ
た。The inner lead 3 and the semiconductor element 2 of the TAB tape for T-BGA 20 are flipped by the bump 1.
Chip connection, potting sealing with sealant 15, and in a reflow furnace at a maximum temperature of 245 ° C. for 5 seconds, for a total of 30
In a second process, the solder balls 14 were formed in all of the 128 blind via holes 8 to manufacture the semiconductor device 23 (108). In the formation of the solder balls 14, all 128 solder balls were excellent.

【００１７】この様にして製造した半導体装置２３に対
して、温度０℃で３０分保持と、温度１２５℃で３０分
保持を１サイクルとした温度サイクル試験を１０００サ
イクル実施し、導通抵抗の変化を２００、５００、およ
び１０００サイクル毎に測定した。この結果、各測定に
おいて抵抗値の増加やはんだボール１４の脱落などもな
く、上述のような本発明の方法で製造されたＴ−ＢＧＡ
用ＴＡＢテープ２０を使用した半導体装置２３は、熱ス
トレスに対して高い信頼性を得ることができた。The semiconductor device 23 manufactured as described above was subjected to a temperature cycle test in which the temperature was held at 0 ° C. for 30 minutes and the temperature was held at 125 ° C. for 30 minutes as one cycle, and 1000 cycles were performed. Was measured every 200, 500, and 1000 cycles. As a result, the T-BGA manufactured by the method of the present invention as described above did not have an increase in the resistance value or the falling off of the solder ball 14 in each measurement.
The semiconductor device 23 using the TAB tape 20 has high reliability against thermal stress.

【００１８】また、半導体装置２３に対して、温度８５
℃、湿度８５％でＤＣバイアス５０Ｖのマイグレーショ
ン試験を１０００時間実施した。この結果、はんだボー
ル１４の導通部の導通破壊や、１層配線層の絶縁破壊な
どは生じなかった。The semiconductor device 23 has a temperature of 85.
A migration test was performed at a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% with a DC bias of 50 V for 1000 hours. As a result, no conductive breakdown of the conductive portion of the solder ball 14 and no dielectric breakdown of the first wiring layer occurred.

【００１９】以上のように、本発明の方法によって、高
い信頼性を有するデバイスホールのないＴ−ＢＧＡ用Ｔ
ＡＢテープ２０が製造できるようになった。As described above, according to the method of the present invention, a T-BGA T
The AB tape 20 can now be manufactured.

【００２０】図２は、本発明のワイヤボンディングタイ
プのＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方法の実施の一形
態を示す。この方法は、先ず、絶縁体である厚さ７５μ
ｍのポリイミドフィルム７の片面に厚さ７μｍの接着剤
２４を塗布する(201) 。ポリイミドフィルム７の接着剤
２４とは反対側の面に、厚さ１８μｍの銅箔５の片面に
接着剤１０が塗布された接着剤付き銅箔１９を、ロール
ラミネータでその接着剤１０によって接着する(202) 。FIG. 2 shows an embodiment of a method of manufacturing a TAB tape for T-BGA of the wire bonding type according to the present invention. In this method, first, a 75 μm thick insulator is used.
An adhesive 24 having a thickness of 7 μm is applied to one surface of the polyimide film 7 having a thickness of m (201). A copper foil 19 with an adhesive obtained by applying an adhesive 10 to one surface of a copper foil 5 having a thickness of 18 μm is bonded to the surface of the polyimide film 7 opposite to the adhesive 24 with the adhesive 10 using a roll laminator. (202).

【００２１】接着剤付き銅箔１９に、直径８０μｍの１
２８個の穴（ブラインドビア２１）を、フォトレジスト
およびエッチングで設ける(202) 。このブラインドビア
２１が設けられた接着剤付き銅箔１９をマスクとして使
用して、ＣＯ2 レーザ１７でポリイミドフィルム７にス
ルーホール９を形成する(204) 。次に、マスクとして使
用したブラインドビア２１が設けられた接着剤付き銅箔
１９をポリイミドフィルム７から剥離する(205) 。The copper foil 19 with the adhesive has a thickness of 80 μm.
28 holes (blind vias 21) are provided by photoresist and etching (202). Using the copper foil 19 with the adhesive provided with the blind via 21 as a mask, a through hole 9 is formed in the polyimide film 7 with a CO 2 laser 17 (204). Next, the adhesive-added copper foil 19 provided with the blind via 21 used as a mask is peeled from the polyimide film 7 (205).

【００２２】次に、厚さ１８μｍの銅箔５を、ポリイミ
ドフィルム７の接着剤２４に接着し、スルーホール９の
片側をこの銅箔５で塞いでブラインドビアホール８を形
成する(206) 。更に、この銅箔５に、感光性レジストを
塗布し、露光機で露光して、アルカリ現像した後、エッ
チングを行う。これによって、配線間ピッチ８０μｍの
所定の配線パターンを有するＴＡＢテープを作成する(2
07) 。このＴＡＢテープの配線層に電気めっきで金めっ
き１３を施し、配線パターンのワイヤボンディング領域
２５以外の部分に、配線層を保護するフォトソルダレジ
スト４を塗布し、Ｔ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープ２６を製造
する(208) 。Next, the copper foil 5 having a thickness of 18 μm is bonded to the adhesive 24 of the polyimide film 7, and one side of the through hole 9 is closed with the copper foil 5 to form a blind via hole 8 (206). Further, a photosensitive resist is applied to the copper foil 5, exposed by an exposure device, alkali-developed, and then etched. Thus, a TAB tape having a predetermined wiring pattern with a wiring pitch of 80 μm is prepared (2.
07). A gold plating 13 is applied to the wiring layer of this TAB tape by electroplating, and a photo solder resist 4 for protecting the wiring layer is applied to a portion other than the wire bonding region 25 of the wiring pattern to manufacture a TAB tape 26 for T-BGA. Yes (208).

【００２３】このＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープ２６のワイ
ヤボンディング領域２５と半導体素子２を、ワイヤボン
ディング１６し、封止剤１５でポッチング封止して、リ
フロー炉で、最高温度２４５℃では５秒間、合計では３
０秒間の工程で、１２８個のブラインドビアホール８の
全てにはんだボール１４を形成して、半導体装置２７を
製造した(209) 。このはんだボール１４の形成において
は、１２８個の全てが良好なはんだボール１４となっ
た。The wire bonding area 25 of the TAB tape 26 for T-BGA and the semiconductor element 2 are wire-bonded 16 and sealed by potting with a sealing agent 15, and the reflow furnace is used for 5 seconds at a maximum temperature of 245 ° C. 3 in total
In a process of 0 second, the solder balls 14 were formed in all of the 128 blind via holes 8 to manufacture the semiconductor device 27 (209). In the formation of the solder balls 14, all 128 solder balls were excellent.

【００２４】この様にして製造した半導体装置２７に対
して、温度０℃で３０分保持と、温度１２５℃で３０分
保持を１サイクルとした温度サイクル試験を１０００サ
イクル実施し、導通抵抗の変化を２００、５００、およ
び１０００サイクル毎に測定した。この結果、各測定に
おいて抵抗値の増加やはんだボール１４の脱落などもな
く、図２で示した方法で製造されたＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢ
テープ２６を使用した半導体装置２７は、熱ストレスに
対して高い信頼性を得ることができた。The semiconductor device 27 manufactured in this manner was subjected to a temperature cycle test in which the temperature was kept at 0 ° C. for 30 minutes and the temperature was kept at 125 ° C. for 30 minutes as one cycle, and 1000 cycles were performed. Was measured every 200, 500, and 1000 cycles. As a result, in each measurement, there was no increase in the resistance value or the falling of the solder ball 14, and the TAB for T-BGA manufactured by the method shown in FIG.
The semiconductor device 27 using the tape 26 was able to obtain high reliability against thermal stress.

【００２５】また、半導体装置２７に対して、温度８５
℃、湿度８５％でＤＣバイアス５０Ｖのマイグレーショ
ン試験を１０００時間実施した。この結果、はんだボー
ル１４の導通部の導通破壊や、１層配線層の絶縁破壊な
どは生じなかった。The semiconductor device 27 has a temperature of 85.
A migration test was performed at a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% with a DC bias of 50 V for 1000 hours. As a result, no conductive breakdown of the conductive portion of the solder ball 14 and no dielectric breakdown of the first wiring layer occurred.

【００２６】以上のように、本発明の方法によって、高
い信頼性を有するワイヤボンディングタイプのＴ−ＢＧ
Ａ用ＴＡＢテープ２６が製造できるようになった。As described above, according to the method of the present invention, a highly reliable wire bonding type T-BG
The TAB tape 26 for A can be manufactured.

【００２７】図３は、本発明のデバイスホール有りのＴ
−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方法の実施の一形態を示
す。この方法は、先ず、１層配線ＣＣＬ（Copper Clad
Laminate）材である接着剤層のない厚さ１８μｍの銅箔
５の片面に、絶縁体である厚さ５０μｍのポリイミドフ
ィルム７をキャスティングする(301) 。ポリイミドフィ
ルム７の銅箔５とは反対側の面に、厚さ１８μｍの銅箔
５の片面に接着剤１０が塗布された接着剤付き銅箔１９
を、ロールラミネータでその接着剤１０によって接着す
る(302) 。FIG. 3 is a graph showing T with a device hole according to the present invention.
1 shows an embodiment of a method of manufacturing a TAB tape for BGA. In this method, first, a single-layer wiring CCL (Copper Clad) is used.
A polyimide film 7 having a thickness of 50 μm, which is an insulator, is cast on one side of a copper foil 5 having a thickness of 18 μm without an adhesive layer, which is a laminate material (301). A copper foil 19 with an adhesive in which an adhesive 10 is applied to one side of a copper foil 5 having a thickness of 18 μm on a surface of the polyimide film 7 opposite to the copper foil 5.
Are bonded by the adhesive 10 with a roll laminator (302).

【００２８】接着剤付き銅箔１９に、インナーリード側
および入力リード側のそれぞれに直径８０μｍの６４個
の穴（ブラインドビア２１）とデバイスホール用穴２８
を、フォトレジストおよびエッチングで設ける(303) 。
このブラインドビア２１とデバイスホール用穴２８が設
けられた接着剤付き銅箔１９をマスクとして使用して、
ＣＯ2 レーザ１７でポリイミドフィルム７にブラインド
ビアホール８とデバイスホール１２を形成する(304) 。
次に、マスクとして使用したブラインドビア２１とデバ
イスホール用穴２８が設けられた接着剤付き銅箔１９を
ポリイミドフィルム７から剥離する(305) 。In the copper foil 19 with adhesive, 64 holes (blind via 21) having a diameter of 80 μm and device hole holes 28 are formed on the inner lead side and the input lead side, respectively.
Is provided by photoresist and etching (303).
Using the copper foil 19 with the adhesive provided with the blind via 21 and the hole 28 for the device hole as a mask,
A blind via hole 8 and a device hole 12 are formed in the polyimide film 7 by the CO 2 laser 17 (304).
Next, the copper foil 19 with adhesive provided with the blind via 21 used as a mask and the device hole 28 is peeled from the polyimide film 7 (305).

【００２９】接着剤付き銅箔１９を剥離した面とは反対
の面の穴のない銅箔５に、感光性レジストを塗布し、露
光機で露光して、アルカリ現像した後、エッチングを行
う。これによって、インナーリード３、引き回し配線２
２、および入力（アウター）リード６を有する配線間ピ
ッチ８０μｍの１層配線ＴＡＢテープを作成する(306)
。このＴＡＢテープの配線層のインナーリード３以外
の部分に、厚さ１５μｍのフォトソルダレジスト４を塗
布し、配線層を保護する。次に、インナーリード３とブ
ラインドビアホール８の底の露出している銅箔５に、電
気めっきで金めっき（図示せず）を施し、Ｔ−ＢＧＡ用
ＴＡＢテープ３０を製造する(307) 。A photosensitive resist is applied to the copper foil 5 having no holes on the surface opposite to the surface from which the copper foil 19 with the adhesive has been peeled off, exposed by an exposure machine, alkali-developed, and then etched. As a result, the inner leads 3 and the leading wiring 2
2. A one-layer wiring TAB tape having an input (outer) lead 6 and a wiring pitch of 80 μm having an input (outer) lead 6 is prepared (306).
. A 15 μm-thick photo solder resist 4 is applied to portions of the wiring layer of the TAB tape other than the inner leads 3 to protect the wiring layer. Next, the inner lead 3 and the exposed copper foil 5 at the bottom of the blind via hole 8 are subjected to gold plating (not shown) by electroplating, thereby manufacturing the TAB tape 30 for T-BGA (307).

【００３０】このＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープ３０のイン
ナーリード３と半導体素子２を、バンプ１でフリップ・
チップ接続し、半導体素子２、インナーリード３、およ
びデバイスホール１２を封止剤１５でポッチング封止し
て、リフロー炉で、最高温度２４５℃では５秒間、合計
では３０秒間の工程で、１２８個のブラインドビアホー
ル８の全てにはんだボール１４を形成して、半導体装置
３１を製造した(308)。このはんだボール１４の形成に
おいては、１２８個の全てが良好なはんだボール１４と
なった。The inner leads 3 and the semiconductor element 2 of the TAB tape 30 for T-BGA are flipped by bumps 1.
After chip connection, the semiconductor element 2, the inner lead 3, and the device hole 12 are potted and sealed with the sealing agent 15, and 128 pieces are formed in a reflow furnace at a maximum temperature of 245 ° C. for 5 seconds, for a total of 30 seconds. The semiconductor device 31 was manufactured by forming the solder balls 14 in all of the blind via holes 8 (308). In the formation of the solder balls 14, all 128 solder balls were excellent.

【００３１】この様にして製造した半導体装置３１に対
して、温度０℃で３０分保持と、温度１２５℃で３０分
保持を１サイクルとした温度サイクル試験を１０００サ
イクル実施し、導通抵抗の変化を２００、５００、およ
び１０００サイクル毎に測定した。この結果、各測定に
おいて抵抗値の増加やはんだボール１４の脱落などもな
く、図３で示した方法で製造されたＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢ
テープ３０を使用した半導体装置３１は、熱ストレスに
対して高い信頼性を得ることができた。The semiconductor device 31 manufactured as described above was subjected to a temperature cycle test in which the temperature was held at 0 ° C. for 30 minutes and the temperature was held at 125 ° C. for 30 minutes as one cycle, and the semiconductor device 31 thus manufactured was subjected to 1000 cycles. Was measured every 200, 500, and 1000 cycles. As a result, in each measurement, there was no increase in the resistance value or the falling off of the solder ball 14, and the TAB for T-BGA manufactured by the method shown in FIG.
The semiconductor device 31 using the tape 30 was able to obtain high reliability against thermal stress.

【００３２】また、半導体装置３１に対して、温度８５
℃、湿度８５％でＤＣバイアス５０Ｖのマイグレーショ
ン試験を１０００時間実施した。この結果、はんだボー
ル１４の導通部の導通破壊や、１層配線層の絶縁破壊な
どは生じなかった。The semiconductor device 31 has a temperature of 85.
A migration test was performed at a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% with a DC bias of 50 V for 1000 hours. As a result, no conductive breakdown of the conductive portion of the solder ball 14 and no dielectric breakdown of the first wiring layer occurred.

【００３３】以上のように、本発明の方法によって、高
い信頼性を有するデバイスホール有りのＴ−ＢＧＡ用Ｔ
ＡＢテープ３０が製造できるようになった。As described above, according to the method of the present invention, a T-BGA T
AB tape 30 can now be manufactured.

【００３４】以上、図１から図３において、本発明のＴ
−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方法の実施の形態を示し
たが、以下に本発明の製造方法における最適な条件につ
いていくつか述べる。As described above, in FIGS. 1 to 3, the T
Although the embodiment of the method for producing the TAB tape for BGA has been described, some optimum conditions in the production method of the present invention will be described below.

【００３５】レーザ加工のマスク用として使用する接着
剤付き銅箔１９の銅箔５の厚さは、２μｍ以上であれば
よい。また、接着剤付き銅箔１９をポリイミドフィルム
７から容易に剥離するには、接着剤付き銅箔１９の銅箔
５の厚さは、１８μｍ以下が望ましい。The thickness of the copper foil 5 of the copper foil with adhesive 19 used for a mask for laser processing may be 2 μm or more. In order to easily peel off the copper foil 19 with the adhesive from the polyimide film 7, the thickness of the copper foil 5 of the copper foil 19 with the adhesive is desirably 18 μm or less.

【００３６】また、接着剤付き銅箔１９の接着剤１０
は、温度８０℃以下で貼り合わせが可能で、接着強度が
０．５ｋｇｆ／ｃｍ程度のものが望ましい。これは、接
着剤付き銅箔１９をポリイミドフィルム７にロールラミ
ネータで容易に接着できるように、接着温度は８０℃以
下が望ましく、また、接着剤の強さは、レーザ加工に耐
えるだけの強度があればよいからである。The adhesive 10 of the copper foil 19 with adhesive
Is desirably capable of bonding at a temperature of 80 ° C. or lower and having an adhesive strength of about 0.5 kgf / cm. This is because the bonding temperature is desirably 80 ° C. or less so that the copper foil 19 with the adhesive can be easily bonded to the polyimide film 7 with a roll laminator, and the adhesive has a strength enough to withstand laser processing. It is enough.

【００３７】配線層を形成する銅箔５の厚さは、２μｍ
〜３５μｍが望ましい。銅箔５による配線パターンの配
線間ピッチを、フォトレジスト・パターンエッチングで
８０μｍ以下にする場合、銅箔５の厚さが３５μｍを越
えるとその形成が困難になるからである。The thickness of the copper foil 5 forming the wiring layer is 2 μm
~ 35 µm is desirable. This is because when the pitch between wirings of the wiring pattern of the copper foil 5 is set to 80 μm or less by photoresist pattern etching, if the thickness of the copper foil 5 exceeds 35 μm, it becomes difficult to form it.

【００３８】ポリイミドフィルム７の厚さは、２０μｍ
〜７５μｍが望ましい。図１や図３の様に、ポリイミド
フィルム７を銅箔５にキャスティングする場合、ポリイ
ミドフィルム７の厚さは７５μｍ以下が望ましい。ま
た、ポリイミドフィルム７の電気絶縁性やテープの搬送
強さを考慮して、ポリイミドフィルム７の厚さは、２０
μｍ以上が望ましい。尚、ポリイミドフィルム７の厚さ
は、最終的に製造されるＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの平
坦性を考慮して、７５μｍ以下であれば、できるだけ厚
くしたほうがよい。The thickness of the polyimide film 7 is 20 μm
７５75 μm is desirable. When the polyimide film 7 is cast on the copper foil 5 as shown in FIGS. 1 and 3, the thickness of the polyimide film 7 is desirably 75 μm or less. Further, in consideration of the electrical insulation property of the polyimide film 7 and the transport strength of the tape, the thickness of the polyimide film 7 is 20 μm.
μm or more is desirable. The thickness of the polyimide film 7 should be as thick as possible if it is 75 μm or less in consideration of the flatness of the finally manufactured TAB tape for T-BGA.

【００３９】また、ブラインドビアホール８の直径は、
３０μｍ〜５００μｍが望ましい。直径３０μｍのブラ
インドビアホール８は、微細な配線の接続のために必要
であり、この直径を大きくすればブラインドビアホール
８の加工が容易になるが、直径が５００μｍを越える
と、微細な配線ができなくなるからである。The diameter of the blind via hole 8 is
30 μm to 500 μm is desirable. The blind via hole 8 having a diameter of 30 μm is necessary for connection of fine wiring. If the diameter is increased, the processing of the blind via hole 8 becomes easy. However, if the diameter exceeds 500 μm, fine wiring cannot be performed. Because.

【００４０】図２に示したようなワイヤボンディングの
Ｔ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの場合、配線層となる銅箔５
とポリイミドフィルム７を接着する接着剤１０の厚さ
は、７〜５０μｍが望ましい。ワイヤボンディングの場
合、通常のインナーリードボンディングと異なり、半導
体素子２を約２００℃の高温で高速に接続するために、
薄く、高温時には高い弾性係数を有する接着剤１０が必
要であるからである。また、図２に示したようなＴ−Ｂ
ＧＡ用ＴＡＢテープ２６にデバイスホールを設けて、半
導体素子２とインナーリードボンディングする場合に
は、接着剤１０は、５０μｍ程度の厚さでも構わない。In the case of a TAB tape for wire bonding T-BGA as shown in FIG.
The thickness of the adhesive 10 for bonding the polyimide film 7 with the adhesive 7 is preferably 7 to 50 μm. In the case of wire bonding, unlike ordinary inner lead bonding, in order to connect the semiconductor element 2 at a high temperature of about 200 ° C. at high speed,
This is because the adhesive 10 which is thin and has a high elastic coefficient at a high temperature is required. In addition, TB as shown in FIG.
When a device hole is provided in the GA TAB tape 26 and inner lead bonding is performed with the semiconductor element 2, the adhesive 10 may have a thickness of about 50 μm.

【００４１】以上本発明によって、４００ピンの信号層
とのグランドまたは電源層を有し、温度８５℃、湿度８
５％で１０００時間経過の絶縁抵抗が１０９Ω以上の高
い絶縁抵抗を有する信頼性の高い、配線間ピッチが１０
０μｍ以下の微細配線のＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープを製
造することができた。As described above, the present invention has a ground or power supply layer with a signal layer of 400 pins, a temperature of 85 ° C., a humidity of 8
5%, 1000 hours passed, high insulation resistance of 109 Ω or more, high reliability, wiring pitch of 10%
A TAB tape for T-BGA with fine wiring of 0 μm or less could be manufactured.

【００４２】[0042]

【発明の効果】以上述べた通り、本発明のＴ−ＢＧＡ用
ＴＡＢテープの製造方法によれば、ブラインドビアホー
ルを簡易なＣＯ2 レーザで形成できるため、ブラインド
ビアホールの側面が滑らかで濡れ性が高くなり、はんだ
接続の信頼性が高く、高い絶縁抵抗で、耐マイグレーシ
ョン性に優れ、微細な配線を有する平坦なＴ−ＢＧＡ用
ＴＡＢテープを、安価に大量に製造することができるよ
うになった。As described above, according to the method of manufacturing a TAB tape for T-BGA of the present invention, a blind via hole can be formed by a simple CO 2 laser, so that the side surface of the blind via hole is smooth and has high wettability. Thus, a flat TAB tape for T-BGA having high reliability of solder connection, high insulation resistance, excellent migration resistance, and fine wiring can be mass-produced at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明のＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方法
の実施の一形態を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing one embodiment of a method for producing a TAB tape for T-BGA of the present invention.

【図２】本発明のＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方法
の実施の一形態を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing one embodiment of a method for producing a TAB tape for T-BGA of the present invention.

【図３】本発明のＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方法
の実施の一形態を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic view showing one embodiment of a method for producing a TAB tape for T-BGA of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ バンプ ２ 半導体素子 ３ インナーリード ４ フォトソルダレジスト ５ 銅箔 ６ 入力リード ７ ポリイミドフィルム ８ ブラインドビアホール ９ スルーホール １０、２４ 接着剤 １２ デバイスホール １３ 金めっき １４ はんだボール １５ 封止剤 １６ ワイヤボンディング １７ ＣＯ2 レーザ １９ 接着剤付き銅箔 ２０、 ２６、３０ Ｔ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープ ２１ ブラインドビア ２２ 引き回し配線 ２３、２７、３１ 半導体装置 ２５ ワイヤボンディング領域 ２８ デバイスホール用穴DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Bump 2 Semiconductor element 3 Inner lead 4 Photo solder resist 5 Copper foil 6 Input lead 7 Polyimide film 8 Blind via hole 9 Through hole 10, 24 Adhesive 12 Device hole 13 Gold plating 14 Solder ball 15 Sealant 16 Wire bonding 17 CO 2 Laser 19 Copper foil with adhesive 20, 26, 30 TAB tape for T-BGA 21 Blind via 22 Wire routing 23, 27, 31 Semiconductor device 25 Wire bonding area 28 Hole for device hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−66954（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−235569（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−264581（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−36275（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−70211（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−321751（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−16957（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 23/12 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-2-66954 (JP, A) JP-A-7-235569 (JP, A) JP-A-8-264581 (JP, A) JP-A-9-96 36275 (JP, A) JP-A-10-70211 (JP, A) JP-A-10-321751 (JP, A) JP-A-11-16957 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/60 H01L 23/12

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 絶縁テープの片面に配線層を設けたＴ−
ＢＧＡ（Tape-BallGrid Array）用ＴＡＢ（Tape Automa
ted Bonding）テープの製造方法において、前記絶縁テ
ープの前記配線層が設けられる面とは反対の面に、マス
ク材を接着し、 前記マスク材に所定の穴を形成し、 前記マスク材の前記所定の穴に対応する位置に、前記絶
縁テープの前記マスク材の接着面側からレーザ加工によ
って前記絶縁テープに穴を開け、 前記レーザ加工後、前記マスク材を前記絶縁テープから
剥離し、 前記絶縁テープの前記配線層が設けられる面に微細な配
線層を形成することを特徴とするＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテ
ープの製造方法。1. An insulating tape having a wiring layer provided on one surface thereof.
TAB (Tape Automa) for BGA (Tape-BallGrid Array)
In a method of manufacturing a ted bonding tape, a mask material is bonded to a surface of the insulating tape opposite to a surface on which the wiring layer is provided, and a predetermined hole is formed in the mask material. A hole is formed in the insulating tape by laser processing from a side of the insulating tape on which the mask material is bonded, at a position corresponding to the hole of the insulating tape; after the laser processing, the mask material is peeled off from the insulating tape; Forming a fine wiring layer on the surface on which the wiring layer is provided. 【請求項２】 前記微細な配線層は、配線ピッチが１０
０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のＴ−
ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方法。2. The fine wiring layer has a wiring pitch of 10
2. The T- according to claim 1, wherein the thickness is not more than 0 μm.
Manufacturing method of TAB tape for BGA. 【請求項３】 前記絶縁テープに開けられた前記穴は、
直径が２０μｍ〜５００μｍであることを特徴とする請
求項１記載のＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方法。3. The hole formed in the insulating tape,
The method for producing a TAB tape for T-BGA according to claim 1, wherein the diameter is 20 μm to 500 μm. 【請求項４】 前記マスク材は、接着剤付き銅箔である
ことを特徴とする請求項１記載のＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテ
ープの製造方法。4. The method for producing a TAB tape for T-BGA according to claim 1, wherein the mask material is a copper foil with an adhesive. 【請求項５】 前記絶縁テープは、厚さが２０μｍ〜７
５μｍのポリイミドであることを特徴とする請求項１記
載のＴ−ＢＧＡ用ＴＡＢテープの製造方法。5. The insulating tape has a thickness of 20 μm to 7 μm.
2. The method for producing a TAB tape for T-BGA according to claim 1, wherein the TAB tape is 5 [mu] m polyimide.
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