JP3423146B2 - 光学多層膜フィルタの製造方法 - Google Patents
光学多層膜フィルタの製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信において特
定の波長の光を合波または分波する光学多層膜フィルタ
の製造方法に関する。
定の波長の光を合波または分波する光学多層膜フィルタ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光学多層膜フィルタの製造方
法の一例として、特開平３−２７４５０６号公報に示さ
れたものが知られている。図６は同公報に記載された光
学多層膜フィルタの製造工程を示す説明図であり、ま
ず、図６（ａ）に示すように、可溶性基板１の表面に複
数の溝１ａを形成する。次いで、図６（ｂ）に示すよう
に、この基板１上に高屈折率の光学物質と低屈折率の光
学物質を交互に堆積し、基板の表面と各溝１ａの内部に
多層膜２を形成する。しかる後、可溶性の基板１を特定
の溶媒に浸漬して溶解すると、図６（ｃ）に示すよう
に、多層膜２が各溝１ａに沿って剥離され、細分化され
た複数のフィルタ素子チップ１０が得られる。
法の一例として、特開平３−２７４５０６号公報に示さ
れたものが知られている。図６は同公報に記載された光
学多層膜フィルタの製造工程を示す説明図であり、ま
ず、図６（ａ）に示すように、可溶性基板１の表面に複
数の溝１ａを形成する。次いで、図６（ｂ）に示すよう
に、この基板１上に高屈折率の光学物質と低屈折率の光
学物質を交互に堆積し、基板の表面と各溝１ａの内部に
多層膜２を形成する。しかる後、可溶性の基板１を特定
の溶媒に浸漬して溶解すると、図６（ｃ）に示すよう
に、多層膜２が各溝１ａに沿って剥離され、細分化され
た複数のフィルタ素子チップ１０が得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述した従
来の光学多層膜フィルタの製造方法では、多層膜２の成
膜時に、該多層膜２が基板１の表面のみならず溝１ａの
内壁にも形成されるため、多層膜２が各溝１ａ間で繋が
ってしまい、特に、この現象は多層膜２の緻密性を高め
るために成膜をプラズマ中で行うと顕著になる。その結
果、多層膜２の成膜後に基板１全体が反り、細分化され
たフィルタ素子チップ１０のうち、特に基板１の端部に
形成されたフィルタ素子チップ１０では、所望の光学特
性を得ることができなくなり、歩留りが悪化するという
問題点があった。
来の光学多層膜フィルタの製造方法では、多層膜２の成
膜時に、該多層膜２が基板１の表面のみならず溝１ａの
内壁にも形成されるため、多層膜２が各溝１ａ間で繋が
ってしまい、特に、この現象は多層膜２の緻密性を高め
るために成膜をプラズマ中で行うと顕著になる。その結
果、多層膜２の成膜後に基板１全体が反り、細分化され
たフィルタ素子チップ１０のうち、特に基板１の端部に
形成されたフィルタ素子チップ１０では、所望の光学特
性を得ることができなくなり、歩留りが悪化するという
問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板の溝内に
マスク材料を充填した状態で多層膜を形成し、しかる
後、基板を溝に沿って切断することとする。このよう
に、多層膜の成膜時に溝内にマスク材料を充填すること
により、多層膜が溝間で繋がることに起因する基板の反
りを防止し、歩留りの向上を図ることができる。
マスク材料を充填した状態で多層膜を形成し、しかる
後、基板を溝に沿って切断することとする。このよう
に、多層膜の成膜時に溝内にマスク材料を充填すること
により、多層膜が溝間で繋がることに起因する基板の反
りを防止し、歩留りの向上を図ることができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の光学多層膜フィルタの製
造方法では、基板上に複数の溝を形成する工程と、前記
溝内にマスク材料を充填する工程と、前記基板上に多層
膜を形成する工程と、前記基板を前記溝に沿って切断す
る工程とを有する。
造方法では、基板上に複数の溝を形成する工程と、前記
溝内にマスク材料を充填する工程と、前記基板上に多層
膜を形成する工程と、前記基板を前記溝に沿って切断す
る工程とを有する。
【０００６】前記マスク材料は多層膜を形成した後に必
ずしも除去する必要はないが、前記基板を前記溝に沿っ
て切断する工程の前に、マスク材料を溝から除去する工
程を付加するのが好ましい。
ずしも除去する必要はないが、前記基板を前記溝に沿っ
て切断する工程の前に、マスク材料を溝から除去する工
程を付加するのが好ましい。
【０００７】また、上記の工程に加え、前記マスク材料
を前記溝から除去する工程と、前記基板を前記溝に沿っ
て切断する工程との間に、多層膜上に保護膜を形成する
工程を付加すると、溝の側壁に沿って形成される多層膜
の部分が保護膜により保護されるので、多層膜の耐候性
を向上することができる。
を前記溝から除去する工程と、前記基板を前記溝に沿っ
て切断する工程との間に、多層膜上に保護膜を形成する
工程を付加すると、溝の側壁に沿って形成される多層膜
の部分が保護膜により保護されるので、多層膜の耐候性
を向上することができる。
【０００８】前記マスク材料は多層膜の成膜時に溝に充
填されていればどのようなものでも良いが、マトリクス
状に形成されたマスク材料を同じくマトリクス状に形成
された溝内に嵌め込むようにすると、マスク材料が多少
変形しても溝から外れることがなくなる。
填されていればどのようなものでも良いが、マトリクス
状に形成されたマスク材料を同じくマトリクス状に形成
された溝内に嵌め込むようにすると、マスク材料が多少
変形しても溝から外れることがなくなる。
【０００９】また、前記マスク材料を溝の大きさより微
小な粒状物で形成すると、溝の大きさが微細になっても
マスク材料を充填することができ、特に、マスク材料と
して磁性粉を用いると、マスク材料を磁石の吸引力によ
って簡単に溝内に充填することができる。
小な粒状物で形成すると、溝の大きさが微細になっても
マスク材料を充填することができ、特に、マスク材料と
して磁性粉を用いると、マスク材料を磁石の吸引力によ
って簡単に溝内に充填することができる。
【００１０】
【実施例】実施例について図面を参照して説明すると、
図１は本発明の第１実施例に係る光学多層膜フィルタの
製造工程を示す説明図、図２は図１の製造工程で用いら
れる溝とマスク材料を示す平面図である。
図１は本発明の第１実施例に係る光学多層膜フィルタの
製造工程を示す説明図、図２は図１の製造工程で用いら
れる溝とマスク材料を示す平面図である。
【００１１】図１（ａ）に示す基板１はガラス等からな
り、図１（ｂ）に示すように、この基板１の表面には複
数の溝１ａが形成される。この溝１ａは公知のフォトリ
ソグラフィやダイシングカッタ等により形成することが
でき、図２（ａ）に示すように、本実施例の場合、溝１
ａはマトリクス状に形成されている。
り、図１（ｂ）に示すように、この基板１の表面には複
数の溝１ａが形成される。この溝１ａは公知のフォトリ
ソグラフィやダイシングカッタ等により形成することが
でき、図２（ａ）に示すように、本実施例の場合、溝１
ａはマトリクス状に形成されている。
【００１２】次いで、図１（ｃ）に示すように、各溝１
ａ内にマスク材料としてのワイヤ３を嵌め込む。図２
（ｂ）に示すように、このワイヤ３は複数本を重ねたも
のからなり、溝１ａの形状に対応してマトリクス状に形
成されている。
ａ内にマスク材料としてのワイヤ３を嵌め込む。図２
（ｂ）に示すように、このワイヤ３は複数本を重ねたも
のからなり、溝１ａの形状に対応してマトリクス状に形
成されている。
【００１３】次いで、図１（ｄ）に示すように、基板１
上に高屈折率の光学物質と低屈折率の光学物質を交互に
堆積することにより、多層膜２を形成する。高屈折率の
光学物質としては例えばＴｉＯ2、低屈折率の光学物質
としては例えばＳｉＯ2が用いられ、これらはスパッタ
リングや蒸着あるいはイオンプレーティング等によって
成膜することができる。この場合、溝１ａ内にはワイヤ
３が嵌め込まれているので、溝１ａ内に成膜されない部
分が生じ、多層膜２はワイヤ３によって溝１ａ毎に分離
される。
上に高屈折率の光学物質と低屈折率の光学物質を交互に
堆積することにより、多層膜２を形成する。高屈折率の
光学物質としては例えばＴｉＯ2、低屈折率の光学物質
としては例えばＳｉＯ2が用いられ、これらはスパッタ
リングや蒸着あるいはイオンプレーティング等によって
成膜することができる。この場合、溝１ａ内にはワイヤ
３が嵌め込まれているので、溝１ａ内に成膜されない部
分が生じ、多層膜２はワイヤ３によって溝１ａ毎に分離
される。
【００１４】次いで、図１（ｅ）に示すように、ワイヤ
３を溝１ａから除去した後、基板１を各溝１ａに沿って
切断することにより、図１（ｆ）に示すように、細分化
された複数のフィルタ素子チップ１１が得られる。この
切断加工はレーザカッタやダイシングカッタ等により行
なうことができ、例えば図１（ｅ）のＡ位置で切断する
ことにより、図１（ｆ）の左側に示す形状のフィルタ素
子チップ１１が得られ、図１（ｅ）のＢ位置で切断する
ことにより、図１（ｆ）の右側に示す形状のフィルタ素
子チップ１１が得られる。
３を溝１ａから除去した後、基板１を各溝１ａに沿って
切断することにより、図１（ｆ）に示すように、細分化
された複数のフィルタ素子チップ１１が得られる。この
切断加工はレーザカッタやダイシングカッタ等により行
なうことができ、例えば図１（ｅ）のＡ位置で切断する
ことにより、図１（ｆ）の左側に示す形状のフィルタ素
子チップ１１が得られ、図１（ｅ）のＢ位置で切断する
ことにより、図１（ｆ）の右側に示す形状のフィルタ素
子チップ１１が得られる。
【００１５】図３に示す第２実施例は、マスク材料とし
て磁性粉からなる微小な粒状物４を用いたものである。
図３（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図１（ｃ）〜（ｅ）に対
応しており、まず、図１（ａ），（ｂ）に示すように、
基板１上に複数の溝１ａを形成した後、図３（ａ）に示
すように、この溝１ａ内に粒状物４を充填する。その
際、基板１の裏側に図示せぬ磁石を配置しておくと、磁
石の吸引力を利用して粒状物４を溝１ａ内に簡単かつ確
実に充填することができる。
て磁性粉からなる微小な粒状物４を用いたものである。
図３（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図１（ｃ）〜（ｅ）に対
応しており、まず、図１（ａ），（ｂ）に示すように、
基板１上に複数の溝１ａを形成した後、図３（ａ）に示
すように、この溝１ａ内に粒状物４を充填する。その
際、基板１の裏側に図示せぬ磁石を配置しておくと、磁
石の吸引力を利用して粒状物４を溝１ａ内に簡単かつ確
実に充填することができる。
【００１６】次いで、図３（ｂ）に示すように、基板１
上に高屈折率の光学物質と低屈折率の光学物質を交互に
堆積し、多層膜２を形成する。この場合、溝１ａ内には
粒状物４が充填されているので、溝１ａ内に成膜されな
い部分が生じ、多層膜２は粒状物４によって溝１ａ毎に
分離される。
上に高屈折率の光学物質と低屈折率の光学物質を交互に
堆積し、多層膜２を形成する。この場合、溝１ａ内には
粒状物４が充填されているので、溝１ａ内に成膜されな
い部分が生じ、多層膜２は粒状物４によって溝１ａ毎に
分離される。
【００１７】次いで、図３（ｃ）に示すように、粒状物
４を溝１ａから除去し、最後に、基板１を各溝１ａに沿
って切断することにより、図１（ｆ）に示すように、フ
ィルタ素子チップ１１の製造が完了する。
４を溝１ａから除去し、最後に、基板１を各溝１ａに沿
って切断することにより、図１（ｆ）に示すように、フ
ィルタ素子チップ１１の製造が完了する。
【００１８】図４と図５に示す第３実施例は、多層膜２
の最上層に保護膜５を形成して耐候性を向上させてあ
る。すなわち、図１（ｅ）と図３（ｃ）に示すように、
基板１上に多層膜２を形成し、溝１ａからマスク材料と
してのワイヤ３または粒状物４を除去した後、図４に示
すように、多層膜２上と溝１ａ内に保護膜５を形成す
る。この保護膜５としては例えば多層膜２と同材料のＴ
ｉＯ2またはＳｉＯ2が用いられ、公知のＣＶＤ法やイオ
ンプレティーング法を用いて成膜することができる。次
いで、基板１を各溝１ａに沿って切断することにより、
図５に示すように、細分化された複数のフィルタ素子チ
ップ１１が得られる。
の最上層に保護膜５を形成して耐候性を向上させてあ
る。すなわち、図１（ｅ）と図３（ｃ）に示すように、
基板１上に多層膜２を形成し、溝１ａからマスク材料と
してのワイヤ３または粒状物４を除去した後、図４に示
すように、多層膜２上と溝１ａ内に保護膜５を形成す
る。この保護膜５としては例えば多層膜２と同材料のＴ
ｉＯ2またはＳｉＯ2が用いられ、公知のＣＶＤ法やイオ
ンプレティーング法を用いて成膜することができる。次
いで、基板１を各溝１ａに沿って切断することにより、
図５に示すように、細分化された複数のフィルタ素子チ
ップ１１が得られる。
【００１９】このようにして製造されたフィルタ素子チ
ップ１１によれば、多層膜２の特に溝１ａの側壁に沿っ
て形成された部分が保護膜５によって覆われるため、耐
候性を向上することができる。
ップ１１によれば、多層膜２の特に溝１ａの側壁に沿っ
て形成された部分が保護膜５によって覆われるため、耐
候性を向上することができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明は以上説明したような形態で実施
され、以下に記載されるような効果を奏する。
され、以下に記載されるような効果を奏する。
【００２１】基板上に複数の溝を形成する工程と、前記
溝内にマスク材料を充填する工程と、前記基板上に多層
膜を形成する工程と、前記基板を前記溝に沿って切断す
る工程とを有する光学多層膜フィルタの製造方法によれ
ば、多層膜が溝間で繋がることに起因する基板の反りが
防止されるため、歩留りの向上を図ることができる。
溝内にマスク材料を充填する工程と、前記基板上に多層
膜を形成する工程と、前記基板を前記溝に沿って切断す
る工程とを有する光学多層膜フィルタの製造方法によれ
ば、多層膜が溝間で繋がることに起因する基板の反りが
防止されるため、歩留りの向上を図ることができる。
【００２２】また、上記の工程に加え、基板上に多層膜
を形成した後にマスク材料を溝から除去する工程と、基
板を溝に沿って切断する前に多層膜上に保護膜を形成す
る工程とを付加すると、溝の側壁に沿って形成される多
層膜の部分が保護膜により保護されるので、多層膜の耐
候性を向上することができる。
を形成した後にマスク材料を溝から除去する工程と、基
板を溝に沿って切断する前に多層膜上に保護膜を形成す
る工程とを付加すると、溝の側壁に沿って形成される多
層膜の部分が保護膜により保護されるので、多層膜の耐
候性を向上することができる。
【００２３】また、前記マスク材料をマトリクス状に形
成し、このマスク材料を同じくマトリクス状に形成され
た溝内に嵌め込むようにすると、マスク材料が多少変形
しても溝から外れることがなくなる。
成し、このマスク材料を同じくマトリクス状に形成され
た溝内に嵌め込むようにすると、マスク材料が多少変形
しても溝から外れることがなくなる。
【００２４】また、前記マスク材料を溝の大きさより微
小な粒状物で形成すると、溝の大きさが微細になっても
マスク材料を充填することができ、特に、マスク材料と
して磁性粉を用いると、マスク材料を磁石の吸引力によ
って簡単に溝内に充填することができる。
小な粒状物で形成すると、溝の大きさが微細になっても
マスク材料を充填することができ、特に、マスク材料と
して磁性粉を用いると、マスク材料を磁石の吸引力によ
って簡単に溝内に充填することができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る光学多層膜フィルタ
の製造工程を示す説明図である。
の製造工程を示す説明図である。
【図２】図１の製造工程で用いられる溝とマスク材料を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】本発明の第２実施例に係る光学多層膜フィルタ
の製造工程を示す説明図である。
の製造工程を示す説明図である。
【図４】本発明の第３実施例に係る光学多層膜フィルタ
の製造工程を示す説明図である。
の製造工程を示す説明図である。
【図５】該実施例で製造されたフィルタ素子チップを示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図６】従来の光学多層膜フィルタの製造工程を示す説
明図である。
明図である。
１ 基板
１ａ 溝
２ 多層膜
３ ワイヤ（マスク材料）
４ 粒状物（マスク材料）
５ 保護膜
１１ フィルタ素子チップ
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平３−274506（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−60401（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−262102（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−115004（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−20313（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−310899（ＪＰ，Ａ)
実開 昭61−2450（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02B 5/28
G02B 1/11
C23C 14/00 - 14/02
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に複数の溝を形成する工程と、前
記溝内にマスク材料を充填する工程と、前記基板上に多
層膜を形成する工程と、前記基板を前記溝に沿って切断
する工程とを有する光学多層膜フィルタの製造方法。 - 【請求項２】 基板上に複数の溝を形成する工程と、前
記溝内にマスク材料を嵌め込む工程と、前記基板上に多
層膜を形成する工程と、前記マスク材料を前記溝から除
去する工程と、前記多層膜上に保護膜を形成する工程
と、前記基板を前記溝に沿って切断する工程とを有する
光学多層膜フィルタの製造方法。 - 【請求項３】 前記溝と前記マスク材料はマトリクス状
に形成されていることを特徴とする請求項１または２に
記載の光学多層膜フィルタの製造方法。 - 【請求項４】 前記マスク材料は前記溝の大きさより微
小な粒状物で形成されていることを特徴とする請求項１
または２に記載の光学多層膜フィルタの製造方法。 - 【請求項５】 前記粒状物は磁性粉であることを特徴と
する請求項４に記載の光学多層膜フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09249396A JP3423146B2 (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 光学多層膜フィルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09249396A JP3423146B2 (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 光学多層膜フィルタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09277395A JPH09277395A (ja) | 1997-10-28 |
| JP3423146B2 true JP3423146B2 (ja) | 2003-07-07 |
Family
ID=14055832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09249396A Expired - Fee Related JP3423146B2 (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 光学多層膜フィルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3423146B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008216644A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Asahi Glass Co Ltd | 複屈折板および光ヘッド装置 |
| KR101084185B1 (ko) * | 2010-01-12 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법 |
| JP6105849B2 (ja) * | 2011-05-16 | 2017-03-29 | デクセリアルズ株式会社 | 位相差素子 |
-
1996
- 1996-04-15 JP JP09249396A patent/JP3423146B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09277395A (ja) | 1997-10-28 |
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