JP2719018B2 - 多層膜素子 - Google Patents
多層膜素子Info
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- JP2719018B2 JP2719018B2 JP1340742A JP34074289A JP2719018B2 JP 2719018 B2 JP2719018 B2 JP 2719018B2 JP 1340742 A JP1340742 A JP 1340742A JP 34074289 A JP34074289 A JP 34074289A JP 2719018 B2 JP2719018 B2 JP 2719018B2
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- multilayer film
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はＸ線用光学素子等に用いられるタングステン
と炭素を交互に積層した多層膜素子に関するものであ
る。
と炭素を交互に積層した多層膜素子に関するものであ
る。
従来の技術 タングステンＷと炭素Ｃを交互に積層した多層膜（以
下W/C多層膜と記す）はＸ線用光学素子等として利用さ
れてる。従来、このような多層膜素子はスパッタ法、イ
オンビーム法、光CVD法等を用いられて製作されてい
る。この多層膜素子として例えば、ジャパニーズ・ジャ
ーナル・オブ・アプライド・フィジックス，第28巻,920
頁,1989年（Japanese Journal of Applied Physics 28,
920（1989））に記載された製造方法がある。以下、第
３図を参照してこの製造方法について説明する。
下W/C多層膜と記す）はＸ線用光学素子等として利用さ
れてる。従来、このような多層膜素子はスパッタ法、イ
オンビーム法、光CVD法等を用いられて製作されてい
る。この多層膜素子として例えば、ジャパニーズ・ジャ
ーナル・オブ・アプライド・フィジックス，第28巻,920
頁,1989年（Japanese Journal of Applied Physics 28,
920（1989））に記載された製造方法がある。以下、第
３図を参照してこの製造方法について説明する。
第３図（ａ）〜（ｃ）はW/C多層膜の工程順断面図で
ある。第３図（ａ）〜（ｃ）において、１はシリコン
（以下Siと記す）基板、２は炭素（以下Ｃと記す）膜、
３はタングステン（以下Ｗと記す）膜である。以上のよ
うな構成において、まずSi基板１上に、アセチレンガス
を低圧水銀灯で光分解しＣ膜２を形成する（第３図
（ａ））。その上に、六ふっ化タングステンガスをArF
エキシマレーザで光分解しＷ膜３を形成する（第３図
（ｂ））。以上の操作を繰り返し、所望の層数の多層膜
を形成する（第３図（ｃ））。
ある。第３図（ａ）〜（ｃ）において、１はシリコン
（以下Siと記す）基板、２は炭素（以下Ｃと記す）膜、
３はタングステン（以下Ｗと記す）膜である。以上のよ
うな構成において、まずSi基板１上に、アセチレンガス
を低圧水銀灯で光分解しＣ膜２を形成する（第３図
（ａ））。その上に、六ふっ化タングステンガスをArF
エキシマレーザで光分解しＷ膜３を形成する（第３図
（ｂ））。以上の操作を繰り返し、所望の層数の多層膜
を形成する（第３図（ｃ））。
以上の製造方法で形成したW/C多層膜の反射率は、波
長1.54ÅのＸ線に対して40％であり、理論値の半分の値
となっている。この理由の一つとして、界面急峻性が不
十分であることが云われている。
長1.54ÅのＸ線に対して40％であり、理論値の半分の値
となっている。この理由の一つとして、界面急峻性が不
十分であることが云われている。
発明が解決しようとする課題 しかし、以上のような構成では、特にＸ線光学素子と
して多層膜を用いる場合には界面急峻性がその性能を左
右する要因の一つとなり、W/C多層膜において、Ｗ膜と
Ｃ膜の界面でＷとＣの相互拡散が起こり、急峻な界面が
得られないという課題を有していた。
して多層膜を用いる場合には界面急峻性がその性能を左
右する要因の一つとなり、W/C多層膜において、Ｗ膜と
Ｃ膜の界面でＷとＣの相互拡散が起こり、急峻な界面が
得られないという課題を有していた。
本発明は上記課題に鑑み、急峻な界面を有するW/C多
層膜素子を提供するものである。
層膜素子を提供するものである。
課題を解決するための手段 本発明は、請求項１記載のように、基板上にＷ膜とＣ
膜を交互に積層し、このＷ膜とＣ膜との間にＷの酸化層
を形成した多層膜を具備したことを特徴とする多層膜素
子である。
膜を交互に積層し、このＷ膜とＣ膜との間にＷの酸化層
を形成した多層膜を具備したことを特徴とする多層膜素
子である。
ここで、この多層膜は、請求項２記載のように、光CV
D法で形成された多層膜であることが好適である。
D法で形成された多層膜であることが好適である。
作用 本発明は上記構成により、Ｗ膜とＣ膜との間にＷの酸
化層を形成することで、Ｗの酸化層が界面でＷとＣの相
互拡散を抑制することにより、急峻な界面を有するW/C
多層膜素子を得ることができる。
化層を形成することで、Ｗの酸化層が界面でＷとＣの相
互拡散を抑制することにより、急峻な界面を有するW/C
多層膜素子を得ることができる。
実 施 例 以下、本発明の一実施例について説明する。第１図
（ａ）〜（ｄ）はレーザCVD法で形成したW/C多層膜素子
の工程順断面図である。第１図（ａ）〜（ｄ）におい
て、１はSi基板、２はＣ膜、３はＷ膜、４はＷの酸化層
である。以上のような第１図の構成において、まずSi基
板１上に、ベンゼンをArFエキシマレーザで光分解しＣ
膜２を形成する（第１図（ａ））。その上に、六ふっ化
タングステンArFエキシマレーザで光分解しＷ膜３を形
成する（第１図（ｂ））。さらにその上のＷの酸化層４
を形成する（第１図（ｃ））。以上の工程を繰り返し、
合計10層のW/C多層膜を形成した（第１図（ｄ））。
（ａ）〜（ｄ）はレーザCVD法で形成したW/C多層膜素子
の工程順断面図である。第１図（ａ）〜（ｄ）におい
て、１はSi基板、２はＣ膜、３はＷ膜、４はＷの酸化層
である。以上のような第１図の構成において、まずSi基
板１上に、ベンゼンをArFエキシマレーザで光分解しＣ
膜２を形成する（第１図（ａ））。その上に、六ふっ化
タングステンArFエキシマレーザで光分解しＷ膜３を形
成する（第１図（ｂ））。さらにその上のＷの酸化層４
を形成する（第１図（ｃ））。以上の工程を繰り返し、
合計10層のW/C多層膜を形成した（第１図（ｄ））。
次に、第２図は第１図に示した構成で形成したW/C多
層膜のオージェ分析（AES）測定の結果である。横軸は
表面からの深さをnm単位で表しており、縦軸はオージェ
強度を任意目盛で表している。第２図において、従来と
同様にＣ膜の上に直接Ｗ膜を形成した場合の界面（Ｃの
ピークの左側およびＷのピークの右側）ではＷとＣの相
互拡散が見られる。これに対し、Ｗ膜の上にＷの酸化層
を形成した後にＣ膜を形成した場合の界面（Ｃのピーク
の右側およびＷのピークの左側）ではＷとＣの相互拡散
が押さえられ、急峻な界面となっている。ここで、多層
膜を形成する方法としてレーザCVD法で実施例を説明し
たが、紫外線励起CVD法等の光CVD法であれば良い。
層膜のオージェ分析（AES）測定の結果である。横軸は
表面からの深さをnm単位で表しており、縦軸はオージェ
強度を任意目盛で表している。第２図において、従来と
同様にＣ膜の上に直接Ｗ膜を形成した場合の界面（Ｃの
ピークの左側およびＷのピークの右側）ではＷとＣの相
互拡散が見られる。これに対し、Ｗ膜の上にＷの酸化層
を形成した後にＣ膜を形成した場合の界面（Ｃのピーク
の右側およびＷのピークの左側）ではＷとＣの相互拡散
が押さえられ、急峻な界面となっている。ここで、多層
膜を形成する方法としてレーザCVD法で実施例を説明し
たが、紫外線励起CVD法等の光CVD法であれば良い。
以上本実施例によれば、Ｗ膜とＣ膜との間にＷの酸化
層を形成することにより、急峻な界面を得ることができ
る。
層を形成することにより、急峻な界面を得ることができ
る。
発明の効果 以上のように本発明は、Ｗ膜とＣ膜との間にＷの酸化
層を形成することにより、急峻な界面を得ることがで
き、Ｘ線多層膜反射鏡における反射率の向上等Ｘ線光学
素子等の特性向上に多大なる効果を与える。
層を形成することにより、急峻な界面を得ることがで
き、Ｘ線多層膜反射鏡における反射率の向上等Ｘ線光学
素子等の特性向上に多大なる効果を与える。
第１図（ａ）から（ｄ）は本発明の一実施例におけるレ
ーザCVD法により形成したW/C多層膜素子の工程順断面
図、第２図は第１図の構成で形成したW/C多層膜素子のA
ES測定結果を示すデータ図、第３図（ａ）から（ｃ）は
従来のW/C多層膜素子の工程順断面図である。 １……Si基板、２……炭素膜、３……タングステン膜、
４……タングステンの酸化層。
ーザCVD法により形成したW/C多層膜素子の工程順断面
図、第２図は第１図の構成で形成したW/C多層膜素子のA
ES測定結果を示すデータ図、第３図（ａ）から（ｃ）は
従来のW/C多層膜素子の工程順断面図である。 １……Si基板、２……炭素膜、３……タングステン膜、
４……タングステンの酸化層。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上にタングステン膜と炭素膜を交互に
積層し、前記タングステン膜と前記炭素膜との間にタン
グステンの酸化層を形成した多層膜を具備したことを特
徴とする多層膜素子。 - 【請求項２】多層膜は、光CVD法で形成された多層膜で
ある請求項１記載の多層膜素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340742A JP2719018B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 多層膜素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340742A JP2719018B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 多層膜素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03202470A JPH03202470A (ja) | 1991-09-04 |
| JP2719018B2 true JP2719018B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=18339868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1340742A Expired - Fee Related JP2719018B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 多層膜素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2719018B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002277589A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Japan Atom Energy Res Inst | Ｍｏ／Ｓｉ多層膜及びその耐熱性を向上させる方法 |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1340742A patent/JP2719018B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03202470A (ja) | 1991-09-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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