JP3421521B2 - Processing equipment - Google Patents

Processing equipment

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JP3421521B2
JP3421521B2 JP31265896A JP31265896A JP3421521B2 JP 3421521 B2 JP3421521 B2 JP 3421521B2 JP 31265896 A JP31265896 A JP 31265896A JP 31265896 A JP31265896 A JP 31265896A JP 3421521 B2 JP3421521 B2 JP 3421521B2
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正巳 飽本
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやLCD基板等の被処理体に対して塗布・現像のよう
な処理を施す処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for performing processing such as coating and development on an object to be processed such as a semiconductor wafer or LCD substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
シリコン基板に代表される半導体ウエハに対し、処理液
例えばフォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ
技術を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト
膜を露光し、これを現像処理する一連の処理を施す工程
が存在する。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process,
A series of treatments, in which a treatment liquid such as a photoresist liquid is applied to a semiconductor wafer typified by a silicon substrate, a circuit pattern or the like is reduced using a photolithography technique to expose a photoresist film, and this is developed. There is a process of applying.

【0003】このような塗布・現像を行う処理システム
は、被処理体としての半導体ウエハをカセットから搬出
し、カセットへ搬入するカセット・ステーションと、ウ
エハを洗浄する洗浄ユニットと、ウエハの表面を疎水化
処理するアドヒージョンユニットと、ウエハを所定温度
に冷却する冷却ユニット、ウエハの表面にレジスト液を
塗布するレジスト塗布ユニットと、レジスト液塗布の前
後でウエハを加熱するプリベークまたはポストベークを
行うベーキングユニットと、ウエハの周縁部のレジスト
を除去するための周辺露光ユニットと、隣接する露光装
置との間でウエハの受渡しを行うためのウエハ受渡し台
と、露光処理済みのウエハを現像液に晒してレジストの
感光部または非感光部を選択的に現像液に溶解せしめる
現像ユニットとを一体に集約化した構成を有しており、
これにより作業の向上を図っている。
In such a coating / developing processing system, a semiconductor wafer as an object to be processed is unloaded from a cassette, a cassette station for loading the wafer into the cassette, a cleaning unit for cleaning the wafer, and a wafer surface having a hydrophobic surface. Adhesion unit for chemical treatment, cooling unit for cooling the wafer to a predetermined temperature, resist coating unit for coating the resist liquid on the surface of the wafer, and baking for pre-baking or post-baking for heating the wafer before and after coating the resist liquid A unit, a peripheral exposure unit for removing the resist on the peripheral portion of the wafer, a wafer transfer table for transferring the wafer between the adjacent exposure apparatuses, and exposing the exposed wafer to a developing solution. A developing unit that selectively dissolves the exposed or unexposed areas of the resist in a developing solution. Has a consolidation with the structures in the body,
This improves work.

【0004】このような処理システムとしては、従来、
システムの中央部に長手方向に沿って配設されるウエハ
搬送路が設けられ、上記複数のユニットを搬送路の両側
に各々正面を向けた状態で配設され、各ユニットにウエ
ハを搬送するためのウエハ搬送体がウエハ搬送路上を移
動するように構成されたものが一般的に用いられてい
る。したがって、水平方向に延びるウエハ搬送路に沿っ
て各種処理ユニットが配列される横長のシステム構成と
なるため、システム全体の占有スペースが大きくなり、
クリーンルームコストが高くつくという問題がある。特
に、この種の処理システムに有効な垂直層流方式によっ
てシステム全体ないし各部の清浄度を高めようとする
と、スペースが大きいため、空調器またはフィルタ等の
イニシャルコストおよびメンテナンスコストが非常に高
くつ
As such a processing system, conventionally,
A wafer transfer path is provided along the longitudinal direction in the central part of the system, and the plurality of units are installed on both sides of the transfer path with their front sides facing each other to transfer the wafer to each unit. In general, the wafer transfer body is configured to move on the wafer transfer path. Therefore, a horizontally long system configuration in which various processing units are arranged along the wafer transfer path extending in the horizontal direction, and the occupied space of the entire system increases,
There is a problem that the clean room cost is high. In particular, when trying to increase the overall through each section of the cleanliness system by effective vertical laminar flow system for this type of processing system, since the space is large, initial cost and maintenance costs, such as air conditioner or the filter rather suspended very high .

【0005】そこで、ウエハ搬送体を垂直方向に移動可
能で垂直軸の回りに回転可能にし、このウエハ搬送体の
周囲に各処理ユニットを多段に配置した処理システムが
提案されている(特開平4−85812号公報)。この
ような処理システムによれば、システムの占有スペース
が縮小するので、クリーンルームコストが低下するとと
もに、搬送速度およびアクセス速度を高速化することが
可能となり、スループットの向上を図ることができる。
Therefore, a processing system has been proposed in which the wafer transfer body is movable in the vertical direction and rotatable about a vertical axis, and the processing units are arranged in multiple stages around the wafer transfer body (see Japanese Patent Laid-Open No. 4 (1998) -26498). -85812). According to such a processing system, since the space occupied by the system is reduced, the clean room cost is reduced, and the transport speed and the access speed can be increased, so that the throughput can be improved.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな処理システムにおいては、クリーンルームの高さの
制限等から積層数にも限界があり、さらなるスループッ
ト向上が要求されている現在、この処理システムではそ
の要求を十分に満足することが困難であると考えられ
る。また、処理の多様性もより一層求められている。本
発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、極め
てスループットが高く、かつ多様性の高い処理が可能な
処理装置を提供することを目的とする。
However, in such a processing system, there is a limit to the number of layers due to the height of the clean room and the like, and there is a demand for further improvement in throughput. It may be difficult to satisfy the requirements sufficiently. In addition, there is an even greater demand for processing diversity. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a processing apparatus that can perform processing with extremely high throughput and high diversity.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、 (1)被処理体に対して複数工程からなる処理を施す処
理装置であって、鉛直方向に沿って延在する搬送路と、
この搬送路の周囲に配置され、各々被処理体に対して所
定の処理を施す複数の処理ユニットを鉛直方向に積層し
て構成される複数の処理部と、前記搬送路を移動すると
ともに、前記複数の処理部の各処理ユニットに対して被
処理体を搬入出する主搬送機構と、を備えた複数の処理
セットを有し、さらに、隣接する処理セット間で被処理
体を搬送するセット間搬送機構を有し、前記隣接する処
理セットの一方が有する処理部のうち1つと、他方が有
する処理部のうち1つとは、これら処理セットが有する
それぞれの主搬送機構に挟まれた状態で互いに隣接して
設けられ、これら隣接する2つの処理部は、いずれも
処理体が搬送される搬送ユニットをさらに有し、これら
2つの搬送ユニットは同一高さにあって互いに連通して
おり、前記隣接する各処理セットの主搬送機構は、それ
ぞれの処理セットの前記搬送ユニットに対して被処理体
を搬入出可能であり、前記セット間搬送機構は、前記
通する2つの搬送ユニット間を移動して隣接する処理セ
ット間で被処理体を搬送することを特徴とする処理装置
を提供する。このような構成の処理装置によれば、処理
ユニットを飛躍的に多くすることができるので、スルー
プットが著しく向上するとともに、処理の多様性を高め
ることができる。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides (1) a processing apparatus for performing a process including a plurality of steps on an object to be processed, the apparatus extending along a vertical direction. Transport path to
A plurality of processing units that are arranged around the transport path and that are configured by vertically stacking a plurality of processing units that respectively perform a predetermined process on an object to be processed; A plurality of processing sets each having a main transfer mechanism for loading and unloading an object to and from each processing unit of a plurality of processing units, and further between sets for transferring an object to be processed between adjacent processing sets. has a transport mechanism, wherein one of the processing units one has adjacent processing sets bracts, 1 bract, the processing sets of processing units other has a
The two processing units, which are provided adjacent to each other in a state of being sandwiched by the respective main transport mechanisms, each further have a transport unit for transporting an object to be processed.
The two transfer units are at the same height and communicate with each other , and the main transfer mechanism of each adjacent processing set is
An object to be processed with respect to the transport unit of each processing set
Is capable carried into and out, the set inter-transport mechanism, the process is characterized in that for conveying the object to be processed between processing sets the adjacent moving between two conveying units that the communication <br/> communication device I will provide a. According to the processing apparatus having such a configuration, the number of processing units can be dramatically increased, so that the throughput can be significantly improved and the variety of processing can be increased.

【0008】また、本発明は、 (2)被処理体に対してレジスト塗布・現像処理を施す
処理装置であって、鉛直方向に沿って延在する搬送路
と、この搬送路の周囲に配置され、被処理体にレジスト
を塗布するレジスト塗布ユニットおよび/またはレジス
トのパターンを現像する現像ユニットを含む処理ユニッ
トを含む複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成
される少なくとも一つの第1の処理部と、被処理体を加
熱する加熱ユニットと、被処理体を冷却する冷却ユニッ
トと、被処理体を搬送する搬送ユニットとを含む複数の
処理ユニットを鉛直方向に積層して構成され、少なくと
も前記搬送路を挟んで対向する2つを含む複数の第2の
処理部と、前記搬送路を移動するとともに、前記第1お
よび第2の処理部の各処理ユニットに対して被処理体を
搬入出する主搬送機構と、を備えた複数の処理セットを
有し、さらに、隣接する処理セット間で被処理体を搬送
するセット間搬送機構を有し、前記隣接する処理セット
のうち一方が有する、前記搬送路を挟んで対向する2つ
の第2の処理部のうち1つと、他方が有する、前記搬送
路を挟んで対向する2つの第2の処理部のうち1つと
は、これら処理セットが有するそれぞれの主搬送機構に
挟まれた状態で互いに隣接して設けられ、これら隣接す
2つの第2の処理部は、いずれも被処理体が搬送され
る搬送ユニットをさらに有し、これら2つの搬送ユニッ
トは同一高さにあって互いに連通しており、前記隣接す
る各処理セットの主搬送機構は、それぞれの処理セット
の前記搬送ユニットに対して被処理体を搬入出可能であ
り、前記セット間搬送機構は、前記連通する2つの搬送
ユニット間を移動して隣接する処理セット間で被処理体
を搬送することを特徴とする処理装置を提供する。
Further, the present invention is (2) a processing apparatus for performing resist coating / development processing on an object to be processed, which is provided with a transportation path extending in the vertical direction and arranged around the transportation path. And a plurality of processing units including a processing unit including a resist coating unit that coats a resist on the object to be processed and / or a developing unit that develops the pattern of the resist are vertically stacked. A processing unit, a heating unit that heats the object to be processed, a cooling unit that cools the object to be processed, and a plurality of processing units including a transport unit that transports the object to be processed are vertically stacked, and at least A plurality of second processing units including two facing each other across the transport path, and a plurality of second processing units that move along the transport path and are provided to the processing units of the first and second processing units. A plurality of processing sets each having a main transfer mechanism for loading and unloading an object to be processed, and an inter-set transfer mechanism for transferring an object to be processed between adjacent processing sets; One of the two second processing units that face each other across the transport path, and the other one of the two second processing units that face each other across the transport path , provided adjacent to each other in a state sandwiched between the respective main transport mechanisms the processing sets have a second processing unit of two of these adjacent further have a transport unit either workpiece is transported and, these two transport units are communicated with each other in the same height, the neighbor to
The main transport mechanism of each processing set is
The object to be processed can be carried in and out of the carrying unit of
Ri, the set inter-transfer mechanism provides a processing apparatus, characterized in that for conveying the object to be processed between processing sets the adjacent moving between two conveying units that the communication.

【0009】さらに本発明は、 (3)被処理体に対してレジスト塗布・現像処理を施す
処理装置であって、被処理体に対してレジスト塗布およ
び現像処理を含む一連の処理を施す処理ステーション
と、他の装置との間および前記処理ステーションとの間
で被処理体の受け渡しを行う搬送ステーションと、前記
処理ステーションとの間および露光装置との間で被処理
体の受け渡しを行うインターフェイス部と、を具備し、
前記処理ステーションは、鉛直方向に沿って延在する搬
送路と、この搬送路の周囲に配置され、被処理体にレジ
ストを塗布するレジスト塗布ユニットおよび/またはレ
ジストのパターンを現像する現像ユニットを含む処理ユ
ニットを含む複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して
構成される少なくとも一つの第1の処理部と、被処理体
を加熱する加熱ユニットと、被処理体を冷却する冷却ユ
ニットと、被処理体を搬送する搬送ユニットとを含む複
数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成され、少な
くとも前記搬送路を挟んで対向する2つを含む複数の第
2の処理部と、前記搬送路を移動するとともに、前記第
1および第2の処理部の各処理ユニットに対して前記被
処理体を搬入出する主搬送機構と、を備えた複数の処理
セットを有し、さらに、隣接する処理セット間で被処理
体を搬送するセット間搬送機構を有し、前記隣接する処
理セットのうち一方が有する、前記搬送路を挟んで対向
する2つの第2の処理部のうち1つと、他方が有する、
前記搬送路を挟んで対向する2つの第2の処理部のうち
1つとは、これら処理セットが有するそれぞれの主搬送
機構に挟まれた状態で互いに隣接して設けられ、これら
隣接する2つの第2の処理部は、いずれも被処理体が搬
送される搬送ユニットをさらに有し、これら2つの搬送
ユニットは同一高さにあって互いに連通しており、前記
隣接する各処理セットの主搬送機構は、それぞれの処理
セットの前記搬送ユニットに対して被処理体を搬入出可
能であり、前記セット間搬送機構は、前記連通する2つ
搬送ユニット間を移動して隣接する処理セット間で被
処理体を搬送することを特徴とする処理装置を提供す
る。
The present invention further provides (3) a processing apparatus for performing resist coating / development processing on an object to be processed, which is a processing station for performing a series of processing including resist coating and development processing on the object to be processed. And a transfer station for transferring the object to be processed to and from another apparatus and to the processing station, and an interface unit for transferring the object to be processed between the processing station and the exposure apparatus. ,,
The processing station includes a transport path extending along the vertical direction, and a resist coating unit that is disposed around the transport path and applies a resist to an object to be processed and / or a developing unit that develops a resist pattern. At least one first processing unit configured by vertically stacking a plurality of processing units including a processing unit, a heating unit for heating an object to be processed, a cooling unit for cooling the object to be processed, and an object to be processed. A plurality of processing units including a transport unit that transports a body are stacked in the vertical direction, and a plurality of second processing units including at least two facing each other across the transport path and the transport path are moved. And a plurality of processing sets each including a main transfer mechanism that loads and unloads the object to and from the processing units of the first and second processing units, To have a set inter-transport mechanism for transporting the workpiece between the adjacent processing sets, processing of the adjacent
One of the reset has, opposite one of the two second processing section for sandwiching the conveyance path has the other,
1 bracts of the two second processing unit that face each other across the conveying path, provided adjacent to each other in a state sandwiched between the respective main transport mechanisms the processing sets have, of two of these adjacent first second processing unit are both further include a conveying unit in which the processing object is transferred, the two transport units are in communication with each other in the same height, the
The main transport mechanism of each adjacent processing set
Objects to be processed can be carried in and out of the transfer unit of the set
And the inter-set transfer mechanism has two communicating parts.
And an object to be processed is conveyed between adjacent processing sets by moving between the conveyance units.

【0010】これら(2)、(3)の発明に係る処理装
置は、(1)の発明に係る処理装置をレジスト塗布・現
像処理装置に適用してより具体化したものであるが、こ
れらの構成により、極めてスループットの高いレジスト
塗布・現像処理が実現される。
The processing apparatus according to the inventions of (2) and (3) is one in which the processing apparatus according to the invention of (1) is applied to a resist coating / development processing apparatus, and is further embodied. The configuration realizes resist coating / development processing with extremely high throughput.

【0011】(1)、(2)、(3)の発明において、
前記搬送ユニットは、2つの搬送ポートを有し、被処理
体を搬入する場合と搬出する場合とでそれぞれ異なる搬
送ポートを用いることが好ましい。この場合には、搬入
出のタイミングに関わらず搬送することができるので、
スループットがさらに一層向上する。
In the inventions of (1), (2) and (3),
It is preferable that the transport unit has two transport ports and that different transport ports are used for loading and unloading an object to be processed. In this case, since it can be transported regardless of the loading / unloading timing,
Throughput is further improved.

【0012】また、前記セット間搬送機構は、一方の搬
送ユニットと他方の搬送ユニットとの間で被処理体を搬
送する搬送アームを有するものであってもよいし、前記
搬送ユニットにおける被処理体ステージを移動し、これ
により一方の搬送ユニットと他方の搬送ユニットとの間
で被処理体を搬送する移動手段を有するものであっても
よい。いずれにしても、被処理体を迅速に搬送すること
ができる。
Further, the inter-set transfer mechanism may have a transfer arm for transferring an object to be processed between one of the transfer units and the other transfer unit, or the object to be processed in the transfer unit. It may have a moving means for moving the stage and thereby carrying the object to be processed between the one carrying unit and the other carrying unit. In any case, the object to be processed can be transported quickly.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の処理装置を半導体
ウエハへのレジスト塗布・現像処理システムに適用した
実施形態を添付図面に基いて詳細に説明する。図1は本
実施の形態に係るレジスト塗布・現像処理システムを示
す概略平面図、図2は図1の正面図、図3は図1の背面
図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the processing apparatus of the present invention is applied to a semiconductor wafer resist coating / developing processing system will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. 1 is a schematic plan view showing a resist coating / developing system according to the present embodiment, FIG. 2 is a front view of FIG. 1, and FIG. 3 is a rear view of FIG.

【0014】この処理システムは、搬送ステーションで
あるカセットステーション10と、複数の処理ユニット
を有する処理ステーション20と、処理ステーション2
0と隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間で
ウエハWを受け渡すためのインター・フェース部30と
を具備している。
This processing system comprises a cassette station 10 as a transfer station, a processing station 20 having a plurality of processing units, and a processing station 2.
0 and an exposure device (not shown) provided adjacent to the wafer 0.

【0015】上記カセットステーション10は、被処理
体としての半導体ウエハWを複数枚例えば25枚単位で
ウエハカセット1に搭載された状態で他のシステムから
このシステムへ搬入またはこのシステムから他のシステ
ムへ搬出したり、ウエハカセット1と処理ステーション
20との間でウエハWの搬送を行うためのものである。
In the cassette station 10, a plurality of semiconductor wafers W to be processed are loaded in the wafer cassette 1 in units of 25, for example, and are carried into or from this system by another system. It is for carrying out and carrying the wafer W between the wafer cassette 1 and the processing station 20.

【0016】このカセットステーション10において
は、図1に示すように、カセット載置台2上に図中X方
向に沿って複数(図では4個)の突起3が形成されてお
り、この突起3の位置にウエハカセット1がそれぞれの
ウエハ出入口を処理ステーション20側に向けて一列に
載置可能となっている。ウエハカセット1においてはウ
エハWが垂直方向(Z方向)に配列されている。また、
カセットステーション10は、ウエハカセット載置台2
と処理ステーション20との間に位置するウエハ搬送機
構4を有している。このウエハ搬送機構4は、カセット
配列方向(X方向)およびその中のウエハWのウエハ配
列方向(Z方向)に移動可能なウエハ搬送用アーム4a
を有しており、このアーム4aによりいずれかのウエハ
カセット1に対して選択的にアクセス可能となってい
る。また、ウエハ搬送用アーム4aは、θ方向に回転可
能に構成されており、後述する処理ステーション20側
のグループG3に属する搬送ユニット(TR)46との
間でウエハWを搬送することができる。
In this cassette station 10, as shown in FIG. 1, a plurality of (four in the figure) protrusions 3 are formed on the cassette mounting table 2 along the X direction in the figure. At each position, the wafer cassettes 1 can be placed in a line with the respective wafer entrances and exits facing the processing station 20 side. In the wafer cassette 1, the wafers W are arranged in the vertical direction (Z direction). Also,
The cassette station 10 includes the wafer cassette mounting table 2
The wafer transfer mechanism 4 is located between the processing station 20 and the processing station 20. The wafer transfer mechanism 4 has a wafer transfer arm 4a that is movable in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction of the wafers W therein (Z direction).
And one of the wafer cassettes 1 can be selectively accessed by the arm 4a. The wafer transfer arm 4a is configured to be rotatable in the θ direction, and can transfer the wafer W to and from a transfer unit (TR) 46 belonging to the group G3 on the processing station 20 side described later.

【0017】上記処理ステーション20は、半導体ウエ
ハWへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハW
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション20は、
図1に示すように、2つの処理セット20a,20bを
有している。これら処理セット20a,20bは、それ
ぞれ中心部に搬送路22a,22bを有し、この中を鉛
直方向に沿って移動可能な主ウエハ搬送機構21a,2
1bが設けられ、ウエハ搬送路22a,22bの周りに
全ての処理ユニットが配置されている。これら複数の処
理ユニットは、複数の処理部に分かれており、各処理部
は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多段に配置さ
れている。この実施の形態においては、処理セット20
aは、5個の処理部G1,G2,G3,G4およびG5
がウエハ搬送路22aの周囲に配置されており、また、
処理セット20bも、5個の処理部G6,G7,G8,
G9およびG10がウエハ搬送路22bの周囲に配置さ
れていて、ウエハ搬送路22a,22bが略閉鎖された
空間となっている。
The processing station 20 is provided with a plurality of processing units for performing a series of steps for applying / phenomenon to the semiconductor wafer W, and these processing units are arranged at predetermined positions in multiple stages. By semiconductor wafer W
Are processed one by one. This processing station 20
As shown in FIG. 1, it has two processing sets 20a and 20b. These processing sets 20a and 20b have transfer paths 22a and 22b at their central portions, respectively, and main wafer transfer mechanisms 21a and 2b that can move in the transfer paths 22a and 22b in the vertical direction.
1b is provided, and all the processing units are arranged around the wafer transfer paths 22a and 22b. The plurality of processing units are divided into a plurality of processing units, and each processing unit has a plurality of processing units arranged in multiple stages along the vertical direction. In this embodiment, the processing set 20
a is five processing units G1, G2, G3, G4 and G5
Are arranged around the wafer transfer path 22a, and
The processing set 20b also includes five processing units G6, G7, G8,
G9 and G10 are arranged around the wafer transfer path 22b, and the wafer transfer paths 22a and 22b are substantially closed spaces.

【0018】これらのうち、処理部G1,G2,G6,
G7はシステム正面(図1において手前)側に並列に配
置され、処理部G3はカセットステーション10に隣接
して配置され、処理部G9はインター・フェース部30
に隣接して配置され、処理部G4,Gは処理ステーシ
ョン20の中央部に隣り合うように配置され、処理部G
5、G10は背部側に配置されている。
Of these, the processing units G1, G2, G6
G7 is arranged in parallel on the front side (front side in FIG. 1) of the system, the processing section G3 is arranged adjacent to the cassette station 10, and the processing section G9 is arranged in the interface section 30.
To be disposed adjacent the processing unit G4, G 8 is arranged so as to be adjacent to the central portion of the processing station 20, the processing section G
5 and G10 are arranged on the back side.

【0019】この場合、図2に示すように、処理セット
20aの処理部G1では、カップ23内でウエハWをス
ピンチャック(図示せず)に載置して所定の処理を行う
2台のスピナ型処理ユニットが上下に配置されており、
この実施形態においては、ウエハWにレジストを塗布す
るレジスト塗布ユニット(COT)およびレジストのパ
ターンを現像する現像ユニット(DEV)が下から順に
2段に重ねられている。処理部G2も同様に、2台のス
ピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布ユニット(CO
T)及び現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重
ねられている。また、処理セット20bの処理部G6,
G7も同一の配置を有している。
In this case, as shown in FIG. 2, in the processing section G1 of the processing set 20a, two spinners for carrying out predetermined processing by placing the wafer W on the spin chuck (not shown) in the cup 23 are provided. The mold processing units are arranged one above the other,
In this embodiment, a resist coating unit (COT) for coating a resist on the wafer W and a developing unit (DEV) for developing a resist pattern are stacked in two stages from the bottom. Similarly, the processing section G2 also includes a resist coating unit (CO) as two spinner type processing units.
T) and the developing unit (DEV) are stacked in two stages in order from the bottom. Further, the processing unit G6 of the processing set 20b is
G7 also has the same arrangement.

【0020】このようにレジスト塗布ユニット(CO
T)を下段側に配置する理由は、レジスト液の廃液が機
構的にもメンテナンスの上でも現像液の廃液よりも本質
的に複雑であり、このように塗布ユニット(COT)を
下段に配置することによりその複雑さが緩和されるから
である。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニット
(COT)を上段に配置することも可能である。
In this way, the resist coating unit (CO
The reason for disposing T) on the lower side is that the waste liquid of the resist liquid is essentially more complicated than the waste liquid of the developer in terms of mechanism and maintenance, and thus the coating unit (COT) is arranged in the lower stage. This will reduce the complexity. However, it is also possible to arrange the resist coating unit (COT) on the upper stage if necessary.

【0021】処理セット20aの処理部G3において
は、図3に示すように、ウエハWを載置台24(図1参
照)に載置して所定の処理を行うオーブン型の処理ユニ
ットおよび搬送ユニットが7段積層配置されている。具
体的には、下から順にアドヒージョン処理ユニット(A
D)47a、搬送ユニット(TR)46a、2つのチル
プレートユニット(CP)44a,45a、および3つ
のホットプレートユニット(HP)43a,42a,4
1aが配置されている。
In the processing section G3 of the processing set 20a, as shown in FIG. 3, an oven type processing unit and a transfer unit for mounting the wafer W on the mounting table 24 (see FIG. 1) and performing a predetermined processing are provided. 7 layers are stacked. Specifically, the adhesion processing unit (A
D) 47a, transport unit (TR) 46a, two chill plate units (CP) 44a, 45a, and three hot plate units (HP) 43a, 42a, 4
1a is arranged.

【0022】これらのうち、ホットプレートユニット
(HP)41a,42a,43aは、半導体ウエハWに
対してプリベーク処理またはポストベーク処理のような
加熱処理を施すものであり、チルプレートユニット(C
P)44a,45aは、処理により昇温した半導体ウエ
ハWを冷却するものであり、搬送ユニット(TR)46
aはカセットステーションと処理セット20aとの間で
半導体ウエハWを搬送するためのものである。また、ア
ドヒージョン処理ユニット(AD)47aは、半導体ウ
エハWに対して疎水化処理を施すものである。
Of these, the hot plate units (HP) 41a, 42a, 43a are for subjecting the semiconductor wafer W to a heating process such as a pre-baking process or a post-baking process, and a chill plate unit (C).
P) 44a and 45a are for cooling the semiconductor wafer W whose temperature has been raised by the processing, and the transfer unit (TR) 46
Reference numeral a is for transferring the semiconductor wafer W between the cassette station and the processing set 20a. Further, the adhesion processing unit (AD) 47a performs a hydrophobic treatment on the semiconductor wafer W.

【0023】処理部G4も同様に、図3に示すように、
オーブン型の処理ユニットおよび搬送ユニットが7段配
置されている。具体的には、下から順に、チルプレート
ユニット(CP)54a、搬送ユニット(TR)53
a、および5つのホットプレートユニット(HP)52
a,51a,50a,49a,48aが配置されてい
る。
Similarly, the processing section G4, as shown in FIG.
Seven stages of oven-type processing units and transfer units are arranged. Specifically, the chill plate unit (CP) 54a and the transport unit (TR) 53 are arranged in order from the bottom.
a, and five hot plate units (HP) 52
a, 51a, 50a, 49a, 48a are arranged.

【0024】処理セット20bの処理部G8は、処理部
G3と同様の構成を有しており、下から順にアドヒージ
ョン処理ユニット(AD)47b、搬送ユニット(T
R)46b、2つのチルプレートユニット(CP)44
b,45b、および3つのホットプレートユニット(H
P)43b,42b,41bが配置されている。
The processing section G8 of the processing set 20b has the same structure as the processing section G3, and the adhesion processing unit (AD) 47b and the transport unit (T) are arranged in this order from the bottom.
R) 46b, two chill plate units (CP) 44
b, 45b, and 3 hot plate units (H
P) 43b, 42b, 41b are arranged.

【0025】処理部G9は、処理部G4と同様の構成を
有しており、下から順に、チルプレートユニット(C
P)54b、搬送ユニット(TR)53b、および5つ
のホットプレートユニット(HP)52b,51b,5
0b,49b,48bが配置されている。なお、処理部
G4の搬送ユニット53aおよび処理部G9の搬送ユニ
ット53bはチルプレートを備えており、半導体ウエハ
Wを冷却することが可能となっている。
The processing section G9 has the same structure as the processing section G4, and the chill plate unit (C
P) 54b, transport unit (TR) 53b, and five hot plate units (HP) 52b, 51b, 5
0b, 49b, 48b are arranged. The transport unit 53a of the processing section G4 and the transport unit 53b of the processing section G9 are equipped with a chill plate and can cool the semiconductor wafer W.

【0026】上述したように、処理セット20aの処理
部G4と処理セット20bの処理部G8とは隣り合って
おり、処理部G4の搬送ユニット53aおよび処理部G
8の搬送ユニット46bを介して、後述するセット間搬
送機構により、処理セット20と処理セット20bとの
間で半導体ウエハWを搬送することができるようになっ
ている。この場合に、両搬送ユニット53aおよび46
bは同一の高さに配置されており、したがってこれら処
理セット間の半導体ウエハWの搬送が極めて容易にかつ
スムースに行われる。
As described above, the processing section G4 of the processing set 20a and the processing section G8 of the processing set 20b are adjacent to each other, and the transfer unit 53a and the processing section G of the processing section G4 are adjacent to each other.
The semiconductor wafer W can be transferred between the processing set 20 and the processing set 20b by the inter-set transfer mechanism described later via the eight transfer units 46b. In this case, both transport units 53a and 46
b are arranged at the same height, so that the semiconductor wafer W can be transferred between these processing sets very easily and smoothly.

【0027】主ウエハ搬送機構21の背部側に位置する
処理部G5,G10も基本的には処理部G3,G4,G
8,G9と同様、オープン型の処理ユニットが多段に積
層された構造を有している。この処理部G5,G10
は、案内レール25に沿って主ウエハ搬送機構21から
見て側方へ移動できるようになっている。したがって、
処理部G5,G10をスライドすることにより空間部が
確保されるので、主ウエハ搬送機構21a,21bに対
して背後からメンテナンス作業が容易に行うことができ
る。
The processing units G5, G10 located on the back side of the main wafer transfer mechanism 21 are basically processing units G3, G4, G.
Similar to No. 8 and G9, it has a structure in which open type processing units are stacked in multiple stages. This processing unit G5, G10
Can be moved laterally along the guide rail 25 when viewed from the main wafer transfer mechanism 21. Therefore,
Since the space is secured by sliding the processing units G5 and G10, the maintenance work can be easily performed from behind with respect to the main wafer transfer mechanisms 21a and 21b.

【0028】上記インター・フェース部30は、X方向
の長さは処理ステーション20と同じ長さを有してい
る。図1、図2に示すように、このインター・フェース
部30の正面部には、可搬性のピックアップカセット3
1と定置型のバッファカセット32が2段に配置され、
背面部には周辺露光装置33が配設され、中央部には、
ウエハ搬送アーム34が配設されている。このウエハ搬
送アーム34は、X、Z方向に移動して両カセット3
1,32および周辺露光装置33にウエハを搬送可能と
なっている。また、このウエハ搬送アーム34は、θ方
向に回転可能であり、処理ステーション20の処理セッ
ト20bの処理部G9に属する搬送ユニット53bおよ
び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台(図示せず)に
もウエハWを搬送可能となっている。
The interface portion 30 has the same length in the X direction as the processing station 20. As shown in FIGS. 1 and 2, a portable pickup cassette 3 is provided on the front surface of the interface portion 30.
1 and the fixed type buffer cassette 32 are arranged in two stages,
A peripheral exposure device 33 is arranged on the back surface, and
A wafer transfer arm 34 is provided. The wafer transfer arm 34 moves in the X and Z directions to move both cassettes 3
The wafer can be transferred to the peripheral exposure apparatus 1, 32 and the peripheral exposure apparatus 33. The wafer transfer arm 34 is rotatable in the θ direction, and is also attached to the transfer unit 53b belonging to the processing section G9 of the processing set 20b of the processing station 20 and the wafer transfer table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side. The wafer W can be transferred.

【0029】上述したように、処理セット20aと処理
セット20bとの間の搬送は、処理部G4の搬送ユニッ
ト53aおよび処理部G8の搬送ユニット46bを介し
て行われるが、その際に用いられるセット間搬送機構に
ついて説明する。図4に示すように、処理部G4の搬送
ユニット53aは2つの搬送ポートを有しており、それ
に対応して2つのステージ61,62を有している。ま
た、処理部G8の搬送ユニット46bも2つの搬送ポー
トを有しており、それに対応して2つのステージ63,
64を有している。なお、図中符号Pは、半導体ウエハ
搬送用のピンである。
As described above, the transfer between the processing set 20a and the processing set 20b is performed via the transfer unit 53a of the processing section G4 and the transfer unit 46b of the processing section G8, and the set used at that time. The inter-transport mechanism will be described. As shown in FIG. 4, the transfer unit 53a of the processing section G4 has two transfer ports, and two stages 61 and 62 correspondingly. The transport unit 46b of the processing section G8 also has two transport ports, and the two stages 63,
64. In the figure, reference symbol P is a pin for carrying a semiconductor wafer.

【0030】セット間搬送機構は、2つの搬送アーム6
5,66を有しており、搬送アーム65は、搬送ユニッ
ト53aのステージ62から搬送ユニット46bのステ
ージ64へ半導体ウエハWを搬送し、搬送アーム66
は、搬送ユニット46bのステージ63から搬送ユニッ
ト53aのステージ61へ半導体ウエハを搬送する。
The inter-set transfer mechanism comprises two transfer arms 6
The transfer arm 65 transfers the semiconductor wafer W from the stage 62 of the transfer unit 53a to the stage 64 of the transfer unit 46b.
Transfers the semiconductor wafer from the stage 63 of the transfer unit 46b to the stage 61 of the transfer unit 53a.

【0031】このように、各搬送ユニットが2つの搬送
ポートを有し、それに対応したステージを有することに
より、搬入出で搬送ルートを分けることができ、搬入出
のタイミングに関わらず搬送することができるので、迅
速に搬送することができ、スループットを一層向上させ
ることができる。なお、例えばステージ62にチルプレ
ートを採用すれば、同時に半導体ウエハWの冷却も行う
ことができる。
As described above, each transport unit has two transport ports and the corresponding stages, so that the transport route can be divided for loading and unloading, and the transport can be performed regardless of the timing of loading and unloading. Since it can be carried, it can be transported quickly and the throughput can be further improved. If a chill plate is used for the stage 62, for example, the semiconductor wafer W can be cooled at the same time.

【0032】なお、図4の構成に限らず、図5に示した
構成を採用することもできる。ここでは、搬送ユニット
53a,46bが2つの搬送ポートを有していることは
図4の構成と同じであるが、これら搬送ユニットで共通
のステージ67,68を有している点が異なる。
The configuration shown in FIG. 5 can be adopted instead of the configuration shown in FIG. Here, the transport units 53a and 46b have two transport ports, which is the same as the configuration shown in FIG. 4, but the transport units have common stages 67 and 68.

【0033】この場合には、セット間搬送機構は、ステ
ージ67,68を独立して移動させる移動機構(図示せ
ず)と、これらステージをガイドするレール69とを備
えている。そして、搬送ユニット53aに搬入された半
導体ウエハWは、ステージ68に載せられ、ステージ6
8ごとレール69にガイドされて搬送ユニット46bへ
搬送される。また、搬送ユニット46bに搬入された半
導体ウエハWは、ステージ67に載せられ、ステージ6
7ごとレール69にガイドされて搬送ユニット53aに
搬送される。
In this case, the inter-set transfer mechanism includes a moving mechanism (not shown) for independently moving the stages 67 and 68, and a rail 69 for guiding these stages. Then, the semiconductor wafer W loaded into the transport unit 53a is placed on the stage 68 and the stage 6
The whole 8 is guided by the rail 69 and conveyed to the conveying unit 46b. Further, the semiconductor wafer W carried into the carrying unit 46b is placed on the stage 67 and the stage 6
The whole 7 is guided by the rail 69 and conveyed to the conveying unit 53a.

【0034】上記のように構成される処理システムは、
クリーンルーム内に設置され、これによって清浄度を高
めているが、さらにシステム内でも効率的に垂直層流を
供給することによって各部の清浄度を一層高めている。
図6および図7にシステム内における清浄空気の流れ、
および雰囲気制御機構を示す。
The processing system configured as described above is
It is installed in a clean room to improve the cleanliness, but the vertical laminar flow is efficiently supplied in the system to further enhance the cleanliness of each part.
6 and 7 show the flow of clean air in the system,
And the atmosphere control mechanism.

【0035】図6に示すように、カセットステーション
10、処理ステーション20の処理セット20a,20
bおよびインター・フェース部30の上方には空気供給
室18,28a,28b,38が設けられており、これ
ら空気供給室18,28a,28b,38の下面に防塵
機能付きフィルタ例えばULPAフィルタ70が取り付
けられている。このうち空気供給室18,38内には後
述する配管を介して空気が導入され、ULPAフィルタ
70により清浄な空気がダウンフローでカセットステー
ション10およびインター・フェース部30に供給され
る。また、後述するように、空気供給室28a,28b
にも同様に空気が導入され、フィルタにより清浄空気が
ダウンフローで処理部20に供給される。
As shown in FIG. 6, the processing sets 20a and 20 of the cassette station 10 and the processing station 20 are shown.
Air supply chambers 18, 28a, 28b, 38 are provided above b and the interface portion 30, and a filter having a dustproof function, for example, ULPA filter 70 is provided on the lower surface of these air supply chambers 18, 28a, 28b, 38. It is installed. Of these, air is introduced into the air supply chambers 18 and 38 through a pipe to be described later, and clean air is downflowed to the cassette station 10 and the interface unit 30 by the ULPA filter 70. Further, as described later, the air supply chambers 28a and 28b
Similarly, air is also introduced into the processing unit 20 in a downflow manner by the filter.

【0036】図7に示すように、各処理セット20a,
20bのウエハ搬送路22a,22bの上方には、それ
ぞれそこに空気を供給するための給気口71a,71b
が設けられ、その下方にはウエハ搬送路22a,22b
に供給された空気を排気するための排気口72a,72
bが設けられている。前述の空気供給室28a,28b
は、それぞれ給気口71aと給気用配管73aとの接続
部、および給気口71bと給気用配管73bとの接続部
に設けられており、これらの下面に上記ULPAフィル
タ70が取り付けられ、それらの上方位置に例えばアミ
ン等の有機汚染物を除去する機能を有するケミカルフィ
ルタ74が取り付けられている。
As shown in FIG. 7, each processing set 20a,
Above the wafer transfer paths 22a and 22b of 20b, air supply ports 71a and 71b for supplying air thereto, respectively.
Is provided below the wafer transfer paths 22a and 22b.
Exhaust ports 72a, 72 for exhausting the air supplied to the
b is provided. The aforementioned air supply chambers 28a, 28b
Are provided at the connection between the air supply port 71a and the air supply pipe 73a and at the connection between the air supply port 71b and the air supply pipe 73b, respectively, and the ULPA filter 70 is attached to the lower surface of these. A chemical filter 74 having a function of removing organic contaminants such as amine is attached above them.

【0037】排気口72a,72bと排気用配管73
a,73bとの接続部には、それぞれ排気室75a,7
5bが設けられており、この排気室75a,75bの上
面に排気口72a,72bが形成された多孔板76a,
76bが取り付けられ、排気室75a,75b内には排
気ファン77a,77bが配設されている。また、排気
室75a,75bと排気配管73a,73bとの接続部
には圧力調整手段例えばスリットダンパ78a,78b
が配設されている。
Exhaust ports 72a and 72b and exhaust pipe 73
Exhaust chambers 75a and 7a are provided at the connecting portions with a and 73b, respectively.
5b is provided, and perforated plates 76a having exhaust ports 72a, 72b formed on the upper surfaces of the exhaust chambers 75a, 75b,
76b is attached, and exhaust fans 77a, 77b are arranged in the exhaust chambers 75a, 75b. In addition, pressure adjusting means such as slit dampers 78a and 78b are provided at the connection between the exhaust chambers 75a and 75b and the exhaust pipes 73a and 73b.
Is provided.

【0038】このスリットダンパ78a,78bは、多
数の通気孔有する固定多孔板と、この固定多孔板の下面
において水平方向に往復移動可能に配設され、通気孔と
合致し得る多数の調整孔を有する可動多孔板とを有して
おり、適宜の往復駆動手段例えばシリンダ機構やタイミ
ングベルト機構等により可動多孔板が水平方向に往復移
動することによって、開口面積を調節して通気量を調整
し、もってウエハ搬送空間22a,22b内の圧力を調
整する。例えば、ウエハ搬送空間内の圧力をクリーンル
ーム内の圧力に対して陽圧に設定することができる。な
お、ここでは、圧力調整手段としてスリットダンパを用
いた場合について説明したが、圧力調整手段は必ずしも
スリットダンパである必要はなく、搬送路22a,22
b内から排気される空気の通過面積を調製することがで
きるものであればスリットダンパ以外のものであっても
よい。
The slit dampers 78a and 78b are provided with a fixed porous plate having a large number of ventilation holes and a large number of adjusting holes which can be reciprocally moved in the horizontal direction on the lower surface of the fixed porous plate so as to match the ventilation holes. Having a movable perforated plate having, by moving the movable perforated plate in the horizontal direction by an appropriate reciprocating driving means such as a cylinder mechanism or a timing belt mechanism, the opening area is adjusted to adjust the ventilation amount. Accordingly, the pressure in the wafer transfer spaces 22a and 22b is adjusted. For example, the pressure in the wafer transfer space can be set to a positive pressure with respect to the pressure in the clean room. Here, the case where the slit damper is used as the pressure adjusting means has been described, but the pressure adjusting means does not necessarily have to be the slit damper, and the transport paths 22a, 22 may be used.
Other than the slit damper, any other material can be used as long as the passage area of the air exhausted from inside b can be adjusted.

【0039】配管73a,73bは循環路をなし、その
途中にそれぞれ送風ファン81a,81bが設けられて
おり、これにより搬送路22a,22bにダウンフロー
が形成される。これら配管73a,73bにおいて、送
風ファン81aとスリットダンパ78aとの間、および
送風ファン81bとスリットダンパ78bとの間には、
それぞれ外気を導入するための外気導入管79a,79
bが設けられており、これら外気導入管79a,79b
には、それぞれ風量調整機構としてダンパ80aおよび
80bが取り付けられている。そして、送風ファン81
a,81bが駆動され、ダンパ80a,80bが所定の
開度で開放されることにより、外気導入管79a,79
bから外気すなわちクリーンルーム内の清浄空気が、配
管73a,73bを介して、それぞれ搬送路22a,2
2b内に供給される。したがって、搬送路22a,22
b内に供給された清浄空気が各処理ユニットに流れて損
失しても、その風量を外気導入口79a,79bから補
給して、常時搬送路空間22a,22b内を流れる清浄
空気の風量を一定に維持することができる。なお、風量
調節機構としては、ダンパに代えて流量調整弁等の他の
ものを用いてもよい。
The pipes 73a and 73b form a circulation path, and blower fans 81a and 81b are provided in the middle of the circulation paths, whereby a downflow is formed in the conveyance paths 22a and 22b. In these pipes 73a and 73b, between the blower fan 81a and the slit damper 78a, and between the blower fan 81b and the slit damper 78b,
Outside air introducing pipes 79a, 79 for introducing outside air, respectively
b are provided, and these outside air introduction pipes 79a and 79b are provided.
The dampers 80a and 80b are attached to each of them as an air volume adjusting mechanism. And the blower fan 81
a, 81b are driven and the dampers 80a, 80b are opened at a predetermined opening degree, whereby the outside air introduction pipes 79a, 79b are opened.
The outside air, that is, the clean air in the clean room, flows from b to the transfer paths 22a and 2b via the pipes 73a and 73b, respectively.
2b is supplied. Therefore, the transport paths 22a, 22
Even if the clean air supplied to the inside b flows to each processing unit and is lost, the air amount is replenished from the outside air inlets 79a and 79b so that the air amount of the clean air constantly flowing in the transport path spaces 22a and 22b is constant. Can be maintained at. As the air flow rate adjusting mechanism, another device such as a flow rate adjusting valve may be used instead of the damper.

【0040】循環管路73a,73bにおける送風ファ
ン81a,81bと空気供給室20aとの間には、それ
ぞれ搬送路22a,22b内に供給された清浄空気の温
度を制御するための温度コントローラ82a,82bが
介設されている。なお、図示はしていないが配管73
a,73bに適宜の湿度調整手段を介設することによ
り、搬送路22a,22b内の湿度も制御することがで
きる。
A temperature controller 82a for controlling the temperature of the clean air supplied into the transfer paths 22a and 22b is provided between the blower fans 81a and 81b and the air supply chamber 20a in the circulation conduits 73a and 73b, respectively. 82b is interposed. Although not shown, the piping 73
The humidity in the transport paths 22a and 22b can also be controlled by providing an appropriate humidity adjusting means in the a and 73b.

【0041】上記のように構成されるスリットダンパ7
8a,78b、ダンパ80a,80bおよび温度コント
ローラ82a,82bは、制御手段としての中央演算処
理装置(CPU)90からの制御信号によって制御され
る。すなわち、搬送路22a,22bの給気口側にそれ
ぞれ配置された圧力・風量センサ(図示せず)によって
検知された信号をCPU90に伝達し、この検知信号と
CPU90において予め記憶された情報とを比較演算し
て、その制御信号をスリットダンパ78a,78b、お
よびダンパ80a,80bに伝達することにより、搬送
路22a,22b内の圧力および供給される清浄空気の
風量が所定の値に制御される。
The slit damper 7 constructed as described above
8a, 78b, dampers 80a, 80b and temperature controllers 82a, 82b are controlled by control signals from a central processing unit (CPU) 90 as a control means. That is, the signals detected by the pressure / air volume sensors (not shown) arranged on the air supply port sides of the transport paths 22a and 22b are transmitted to the CPU 90, and the detection signal and the information stored in advance in the CPU 90 are transmitted. By performing a comparison operation and transmitting the control signal to the slit dampers 78a, 78b and the dampers 80a, 80b, the pressure in the transport paths 22a, 22b and the supplied clean air volume are controlled to predetermined values. .

【0042】また、搬送路22a,22bの下部側にそ
れぞれ配置された温度センサ(図示せず)によって検知
された温度信号をCPU90に伝達し、この温度信号と
CPU90において予め記憶された情報とを比較演算し
て、その制御信号を温度コントローラ82a,82bに
伝達することにより、配管73a,73bを流れる清浄
空気が所定温度例えば23℃に制御され、その温度の清
浄空気が搬送路22a,22b内に供給される。したが
って、搬送路22a,22b内の雰囲気、すなわち圧
力、風量および温度を常に所定の値に制御することがで
き、処理システム内の各処理を好適に行うことができ
る。
Further, a temperature signal detected by a temperature sensor (not shown) arranged on the lower side of each of the transport paths 22a and 22b is transmitted to the CPU 90, and the temperature signal and the information stored in advance in the CPU 90 are transmitted. By performing a comparison calculation and transmitting the control signal to the temperature controllers 82a and 82b, the clean air flowing through the pipes 73a and 73b is controlled to a predetermined temperature, for example, 23 ° C., and the clean air at that temperature is transferred in the transport paths 22a and 22b. Is supplied to. Therefore, the atmosphere in the transport paths 22a and 22b, that is, the pressure, the air flow rate, and the temperature can always be controlled to predetermined values, and each processing in the processing system can be suitably performed.

【0043】また、このような雰囲気制御系において
は、搬送路22aおよび22bの雰囲気を個別的に制御
することができる。したがって、搬送路22aと22b
とで雰囲気を異ならせることができ、極めて多様性の高
い処理が実現される。例えば、搬送路22aと22bと
で圧力を異ならせ、圧力の高い処理セット側に、より清
浄度の要求される処理ユニットを配置することができる
し、また、設定温度を異ならせ、それに対応して処理ユ
ニットを配置することもできる。さらに、一方の処理セ
ット側に塗布ユニットを配置し、他方の処理セット側に
現像ユニットを配置して、それぞれに適した雰囲気設定
をすることもできる。この場合には、ULPAフィルタ
ーの他に、現像ユニット側のみにケミカルフィルターを
設けるようにしてもよい。
Further, in such an atmosphere control system, the atmospheres of the transport paths 22a and 22b can be individually controlled. Therefore, the transport paths 22a and 22b
The atmosphere can be made different by and, and extremely highly diverse processing is realized. For example, the conveying paths 22a and 22b may have different pressures, and a processing unit requiring a higher degree of cleanliness may be arranged on the side of the processing set having a higher pressure. It is also possible to arrange a processing unit. Further, the coating unit may be arranged on the side of one processing set and the developing unit may be arranged on the side of the other processing set to set an atmosphere suitable for each. In this case, in addition to the ULPA filter, a chemical filter may be provided only on the developing unit side.

【0044】さらに、搬送路22a,22b内に清浄空
気が循環供給されることで、処理システムの外部すなわ
ちクリーンルームへ内部の空気が流出することがなく、
処理システム内で発生したパーティクルや有機汚染物等
がクリーンルームへ漏洩することもない。
Furthermore, since the clean air is circulated and supplied into the transfer paths 22a and 22b, the internal air does not flow out to the outside of the processing system, that is, the clean room.
No particles or organic contaminants generated in the processing system will leak to the clean room.

【0045】上記カセットステーション10において
は、図6に示すように、カセット載置台2の上方空間と
ウエハ搬送用アーム4aの移動空間とは垂壁式の仕切板
5によって互いに仕切られており、ダウンフローの空間
は両空間で別個に流れるようになっている。
In the cassette station 10, as shown in FIG. 6, the space above the cassette mounting table 2 and the moving space of the wafer transfer arm 4a are partitioned from each other by a partition wall type partition plate 5, and the down space is lowered. The flow space is designed to flow separately in both spaces.

【0046】また、上記処理ステーション20では、図
6に示すように、処理部G1,G2,G6,G7の中で
下段に配置されているレジスト塗布ユニット(COT)
の天井面にULPAフィルタ85が設けられており、上
記循環管路73a,73bから搬送路22a,22b内
に供給される空気がこのULPAフィルタ85を通って
レジスト塗布ユニット(COT)内に流れる。
Further, in the processing station 20, as shown in FIG. 6, a resist coating unit (COT) arranged in the lower part of the processing sections G1, G2, G6 and G7.
The ULPA filter 85 is provided on the ceiling surface of, and the air supplied from the circulation pipelines 73a and 73b into the transport paths 22a and 22b flows into the resist coating unit (COT) through the ULPA filter 85.

【0047】また、図6に示すように、各スピナ型処理
ユニット(COT)、(DEV)の主ウエハ搬送機構2
1a,21bに面する側壁には、ウエハWおよび搬送ア
ームが出入りするための開口部29が設けられている。
各開口部29には、各ユニットからパーティクルまたは
有機汚染物等が主ウエハ搬送機構側に入り込まないよう
にするためのシャッタ(図示せず)が取り付けられてい
る。
Further, as shown in FIG. 6, the main wafer transfer mechanism 2 of each spinner type processing unit (COT), (DEV).
The side wall facing 1a and 21b is provided with an opening 29 through which the wafer W and the transfer arm enter and leave.
A shutter (not shown) is attached to each opening 29 to prevent particles or organic contaminants from entering the main wafer transfer mechanism side from each unit.

【0048】ところで、処理セット20aの処理部G3
および処理セット20bの処理部G8には、半導体ウエ
ハWに疎水化処理を施すためのアドヒージョン処理ユニ
ット47a,47bが設けられている。これらアドヒー
ジョン処理ユニット47a,47bはHMDSガスを用
いるが、この処理は完全密閉ではなく半オープンのユニ
ットで行われるため、ユニット外にHMDSガスが漏出
する場合がある。このようなガスが他のオープン型の処
理ユニットに侵入すると被処理体である半導体ウエハW
に悪影響を及ぼす。
By the way, the processing section G3 of the processing set 20a
Also, the processing section G8 of the processing set 20b is provided with adhesion processing units 47a and 47b for performing the hydrophobic treatment on the semiconductor wafer W. These adhesion processing units 47a and 47b use HMDS gas, but since this processing is performed in a semi-open unit rather than a completely sealed unit, the HMDS gas may leak outside the unit. When such a gas enters another open type processing unit, the semiconductor wafer W which is the object to be processed
Adversely affect.

【0049】しかし、図3に示すように、アドヒージョ
ン処理ユニット47a,47bを加熱ユニット、冷却ユ
ニット、搬送ユニットの下方位置に設け、しかも、搬送
路22a,22bには清浄化された空気のダウンフロー
が形成されているので、アドヒージョン処理ユニット4
7a,47bから漏出したHMDSガスは、ダウンフロ
ーにより下方に流れて速かに排出され、他の処理ユニッ
トに侵入するおそれはほとんどない。したがって、HM
DSガスが他の処理ユニットの半導体ウエハWに悪影響
を与えることを回避することができる。また、冷却ユニ
ット45a,45bとアドヒージョン処理ユニット47
a,47bとの間に搬送ユニット46a,46bが介在
しているため、熱的な相互干渉も抑制することができ
る。
However, as shown in FIG. 3, the adhesion processing units 47a and 47b are provided below the heating unit, the cooling unit, and the transfer unit, and the downflow of purified air is performed in the transfer paths 22a and 22b. Is formed, the adhesion processing unit 4
The HMDS gas leaked from 7a and 47b flows downward due to the downflow and is quickly discharged, and there is almost no possibility of entering the other processing units. Therefore, HM
It is possible to prevent the DS gas from adversely affecting the semiconductor wafer W of another processing unit. In addition, the cooling units 45a and 45b and the adhesion processing unit 47
Since the transport units 46a and 46b are interposed between the a and 47b, thermal mutual interference can be suppressed.

【0050】また、処理部G4,G9では、搬送ユニッ
ト53a,53bを挟んで、上方に加熱ユニットである
ホットプレートユニット、、下方に冷却ユニットである
チルプレートユニットが配置されているので、この場合
にも熱的な相互干渉を抑制することができる。
Further, in the processing sections G4 and G9, the hot plate unit, which is a heating unit, and the chill plate unit, which is a cooling unit, are arranged below the transport units 53a and 53b, so that in this case. Moreover, thermal mutual interference can be suppressed.

【0051】次に、本システム全体の処理動作について
説明する。まず、カセットステーション10において、
ウエハ搬送機構4のウエハ搬送用アーム4aがカセット
載置台2上の未処理のウエハWを収容しているカセット
1にアクセスして、そのカセット1から1枚のウエハW
を取り出す。ウエハWのアライメントを行った後、処理
部20における処理セット20aの主ウエハ搬送機構2
1aのアームは処理部G3に属するアドヒージョン処理
ユニット47aに半導体ウエハWを搬入する。
Next, the processing operation of the entire system will be described. First, in the cassette station 10,
The wafer transfer arm 4a of the wafer transfer mechanism 4 accesses the cassette 1 containing the unprocessed wafer W on the cassette mounting table 2, and one wafer W from the cassette 1 is accessed.
Take out. After the alignment of the wafer W, the main wafer transfer mechanism 2 of the processing set 20a in the processing unit 20.
The arm 1a carries the semiconductor wafer W into the adhesion processing unit 47a belonging to the processing section G3.

【0052】アドヒージョン処理が終了した半導体ウエ
ハは、いずれかのチルプレートユニット(CP)内で冷
却された後、塗布ユニット(COT)にて、スピンコー
トによりレジスト塗布される。その後、いずれかのホッ
トプレートユニット(HP)内でプリベークが実施さ
れ、クーリングユニットで冷却される。
The semiconductor wafer after the adhesion process is cooled in one of the chill plate units (CP), and then is coated with a resist by spin coating in a coating unit (COT). After that, pre-baking is performed in one of the hot plate units (HP) and cooled by the cooling unit.

【0053】この場合に、いずれかのタイミングで処理
セット20aから処理セット20bに、前述したセット
間搬送機構により、搬送ユニット53aおよび46bを
介して半導体ウエハWが搬送され、所定の処理終了後、
半導体ウエハWはその主搬送機構21bのアームにより
インターフェイス部30に搬送される。インターフェイ
ス部30ででは、周辺露光装置による周辺露光が実施さ
れ、その後、半導体ウエハWは隣接する露光装置に搬送
され、全面露光が実施される。
In this case, the semiconductor wafer W is transferred from the processing set 20a to the processing set 20b at any time by the above-described inter-set transfer mechanism via the transfer units 53a and 46b, and after the predetermined processing is completed,
The semiconductor wafer W is transferred to the interface section 30 by the arm of the main transfer mechanism 21b. In the interface unit 30, the peripheral exposure is performed by the peripheral exposure apparatus, and then the semiconductor wafer W is transferred to the adjacent exposure apparatus and the entire surface exposure is performed.

【0054】露光処理が終了すると、インター・フェー
ス部30のウエハ搬送アーム34がウエハWを受け取
り、受け取ったウエハWを処理ステーション20におけ
る処理セット20bの処理部G9に属する搬送ユニット
54bへ搬入し、その中の冷却プレートでウエハWを冷
却する。そして、主ウエハ搬送機構21bがウエハWを
受け取り、いずれかの現像ユニット(DEV)に搬入し
現像処理を行う。現像工程が終了すると、いずれかのホ
ットプレートユニット(HP)によりポストベークが実
施される。その後いずれかのチルプテートユニット(C
P)により冷却される。
When the exposure process is completed, the wafer transfer arm 34 of the interface section 30 receives the wafer W and carries the received wafer W into the transfer unit 54b belonging to the processing section G9 of the processing set 20b in the processing station 20, The wafer W is cooled by the cooling plate therein. Then, the main wafer transfer mechanism 21b receives the wafer W, carries the wafer W into one of the developing units (DEV), and performs the developing process. When the developing process is completed, post baking is performed by one of the hot plate units (HP). After that, one of the chirpate units (C
It is cooled by P).

【0055】これらのうち、いずれかのタイミングで処
理セット20bから処理セット20aに、前述したセッ
ト間搬送機構により、搬送ユニット46bおよび53a
を介して半導体ウエハWが搬送され、所定の処理終了
後、半導体ウエハWはその主搬送機構21aのアームに
より搬送ユニット46aの載置台に載置される。そして
カセットステーション10のアーム4aがウエハWを受
け取り、カセット載置台2上の処理済みウエハ収容用の
カセット1の所定のウエハ収容溝に入れる。これにより
一連の処理が完了する。
At any one of these timings, the transfer units 46b and 53a are transferred from the processing set 20b to the processing set 20a by the inter-set transfer mechanism described above.
The semiconductor wafer W is transferred via the above, and after a predetermined process is completed, the semiconductor wafer W is mounted on the mounting table of the transfer unit 46a by the arm of the main transfer mechanism 21a. Then, the arm 4a of the cassette station 10 receives the wafer W and puts it into a predetermined wafer accommodation groove of the cassette 1 for accommodating the processed wafer on the cassette mounting table 2. This completes a series of processes.

【0056】このように、処理セットを2つ設け、セッ
ト間搬送機構により、隣り合う処理部G4,G8の搬送
ユニットを介して半導体ウエハを搬送するようにしたの
で、処理ユニットを極めて多くすることができ、スルー
プットが著しく向上するとともに、多様性の高い処理を
行うことができる。また、このように高スループットで
多様性の高い処理を実現しつつ、従来と同じように、一
つの搬送ステーションにより被処理体搬出入を行うこと
ができる。
As described above, since two processing sets are provided and the semiconductor wafer is transferred by the inter-set transfer mechanism via the transfer units of the adjacent processing sections G4 and G8, the number of processing units should be extremely increased. Therefore, throughput can be remarkably improved, and highly diverse processing can be performed. Further, while achieving high throughput and high variety of processing in this way, it is possible to carry in and out the object to be processed by one transfer station, as in the conventional case.

【0057】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形が可能である。例えば、上記実施の
形態では、処理セットを2つ設けた場合について説明し
たが、2つに限るものではない。また、被処理体も半導
体ウエハに限らず、LCD基板、ガラス基板、CD基
板、フォトマスク、プリント基板等種々のもの適用可能
である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified. For example, in the above embodiment, the case where two processing sets are provided has been described, but the number of processing sets is not limited to two. Further, the object to be processed is not limited to the semiconductor wafer, and various types such as an LCD substrate, a glass substrate, a CD substrate, a photomask, and a printed substrate can be applied.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の処理ユニットを積層してなる処理部を搬送路の周
囲に配置した処理セットを複数設け、セット間搬送機構
によりこれら処理セット間で被処理体を搬送するように
したので、極めてスループットを高くすることができ、
また多様性の高い処理を実現することができる。
As described above, according to the present invention,
Since a plurality of processing sets are provided in which a processing unit formed by stacking a plurality of processing units is arranged around the transfer path, and the object to be processed is transferred between the processing sets by the inter-set transfer mechanism, the throughput is extremely high. You can
Further, it is possible to realize highly diverse processing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の処理装置の一実施形態に係るレジスト
液塗布・現像処理システムを示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing a resist solution coating / developing processing system according to an embodiment of a processing apparatus of the present invention.

【図2】図1のレジスト液塗布・現像処理システムを示
す側面図。
FIG. 2 is a side view showing the resist solution coating / developing system of FIG.

【図3】図1のレジスト液塗布・現像処理システムを示
す背面図。
FIG. 3 is a rear view showing the resist solution coating / developing system of FIG.

【図4】図1の装置に用いられる、処理セット間で被処
理体を搬送するための機構の一例を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a mechanism used for the apparatus of FIG. 1 for transporting an object to be processed between processing sets.

【図5】図1の装置に用いられる、処理セット間で被処
理体を搬送するための機構の他の例を示す図。
FIG. 5 is a diagram showing another example of a mechanism used for the apparatus of FIG. 1 for transporting an object to be processed between processing sets.

【図6】図1のレジスト液塗布・現像処理システムにお
ける清浄空気の流れを示す概略図。
6 is a schematic diagram showing the flow of clean air in the resist solution coating / developing system of FIG.

【図7】図1のレジスト液塗布・現像処理システムにお
ける雰囲気制御系を示す概略図。
FIG. 7 is a schematic diagram showing an atmosphere control system in the resist solution coating / developing system of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10……カセットステーション 20……処理ステーション 20a,20b……処理セット 21a,21b……主基板搬送機構 22a,22b……搬送路 46a,53b……搬送ユニット G1,G2,G3,G4,G57,G6,G7、G8,
G9,G10……処理部
10 ... Cassette station 20 ... Processing station 20a, 20b ... Processing set 21a, 21b ... Main substrate transfer mechanism 22a, 22b ... Transfer path 46a, 53b ... Transfer unit G1, G2, G3, G4, G57, G6, G7, G8,
G9, G10 ... Processing unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−162514(JP,A) 特開 平3−95039(JP,A) 特開 平7−183352(JP,A) 特開 平8−46010(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 H01L 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) Reference JP-A-8-162514 (JP, A) JP-A-3-95039 (JP, A) JP-A-7-183352 (JP, A) JP-A-8- 46010 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/68 H01L 21/027

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 被処理体に対して複数工程からなる処理
を施す処理装置であって、 鉛直方向に沿って延在する搬送路と、 この搬送路の周囲に配置され、各々被処理体に対して所
定の処理を施す複数の処理ユニットを鉛直方向に積層し
て構成される複数の処理部と、 前記搬送路を移動するとともに、前記複数の処理部の各
処理ユニットに対して被処理体を搬入出する主搬送機構
と、 を備えた複数の処理セットを有し、 さらに、隣接する処理セット間で被処理体を搬送するセ
ット間搬送機構を有し、 前記隣接する処理セットの一方が有する処理部のうち1
つと、他方が有する処理部のうち1つとは、これら処理
セットが有するそれぞれの主搬送機構に挟まれた状態で
互いに隣接して設けられ、 これら隣接する2つの処理部は、いずれも被処理体が搬
送される搬送ユニットをさらに有し、これら2つの搬送
ユニットは同一高さにあって互いに連通しており、前記隣接する各処理セットの主搬送機構は、それぞれの
処理セットの前記搬送ユニットに対して被処理体を搬入
出可能であり、 前記セット間搬送機構は、前記連通する2つの搬送ユニ
ット間を移動して隣接する処理セット間で被処理体を搬
送することを特徴とする処理装置。
1. A process comprising a plurality of steps for an object to be processed
A processing device for applying, A transport path extending along the vertical direction, It is arranged around this transport path and is located in relation to the object to be processed.
Vertically stack multiple processing units that perform regular processing
A plurality of processing units configured as While moving the transport path, each of the plurality of processing units
Main transport mechanism for loading and unloading objects to be processed
When, Having a plurality of processing sets, Furthermore, the process for transferring the object to be processed between the adjacent processing sets is performed.
It has a transfer mechanism between One of the processing units included in one of the adjacent processing sets
And one of the processing units of the other, these processing
setEach hasWhile being sandwiched between the main transport mechanisms of
Provided adjacent to each other, These are adjacentTwoThe processing sectionBothTo be processed
The transport unit to be sentfurtherHave theseTwoTransport
The unit isAt the same heightThey are in communication,The main transport mechanism of each adjacent processing set is
Bring the object to be processed into the transfer unit of the processing set
Is available, The inter-set transfer mechanism,The aboveCommunicateTwoTransport Uni
Between the processing sets to carry the object to be processed between the adjacent processing sets.
A processing device characterized by sending.
【請求項2】 被処理体に対してレジスト塗布・現像処
理を施す処理装置であって、 鉛直方向に沿って延在する搬送路と、 この搬送路の周囲に配置され、被処理体にレジストを塗
布するレジスト塗布ユニットおよび/またはレジストの
パターンを現像する現像ユニットを含む処理ユニットを
含む複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成され
る少なくとも一つの第1の処理部と、 被処理体を加熱する加熱ユニットと、被処理体を冷却す
る冷却ユニットと、被処理体を搬送する搬送ユニットと
を含む複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成さ
れ、少なくとも前記搬送路を挟んで対向する2つを含む
複数の第2の処理部と、 前記搬送路を移動するとともに、前記第1および第2の
処理部の各処理ユニットに対して被処理体を搬入出する
主搬送機構と、 を備えた複数の処理セットを有し、 さらに、隣接する処理セット間で被処理体を搬送するセ
ット間搬送機構を有し、 前記隣接する処理セットのうち一方が有する、前記搬送
路を挟んで対向する2つの第2の処理部のうち1つと、
他方が有する、前記搬送路を挟んで対向する2つの第2
の処理部のうち1つとは、これら処理セットが有するそ
れぞれの主搬送機構に挟まれた状態で互いに隣接して設
けられ、 これら隣接する2つの第2の処理部は、いずれも被処理
体が搬送される搬送ユニットをさらに有し、これら2つ
搬送ユニットは同一高さにあって互いに連通してお
り、前記隣接する各処理セットの主搬送機構は、それぞれの
処理セットの前記搬送ユニットに対して被処理体を搬入
出可能であり、 前記セット間搬送機構は、前記連通する2つの搬送ユニ
ット間を移動して隣接する処理セット間で被処理体を搬
送することを特徴とする処理装置。
2. A resist coating / developing process for an object to be processed.
A processing device for applying A transport path extending along the vertical direction, It is placed around this transport path and the resist is applied to the object to be processed.
Of resist coating unit and / or resist
A processing unit including a developing unit for developing the pattern
It is composed by vertically stacking multiple processing units, including
At least one first processing unit, A heating unit that heats the object to be processed and a unit that cools the object to be processed.
Cooling unit and a transport unit for transporting the object to be processed
It is configured by vertically stacking multiple processing units including
And includes at least two facing each other with the transport path interposed therebetween.
A plurality of second processing units, While moving along the transport path, the first and second
Loading and unloading objects to be processed from each processing unit of the processing section
The main transport mechanism, Having a plurality of processing sets, Furthermore, the process for transferring the object to be processed between the adjacent processing sets is performed.
It has a transfer mechanism between The transfer carried by one of the adjacent processing sets
One of the two second processing units facing each other across the road;
The other two second ones that face each other across the transport path
One of the processing units ofHas
EachInstalled adjacent to each other while being sandwiched by the main transport mechanism.
Kicked These are adjacentTwoThe second processing unit isBothTo be processed
A transport unit where the body is transportedfurtherHave theseTwo
ofThe transport unit isAt the same heightIn communication
,The main transport mechanism of each adjacent processing set is
Bring the object to be processed into the transfer unit of the processing set
Is available, The inter-set transfer mechanism,The aboveCommunicateTwoTransport Uni
Between the processing sets to carry the object to be processed between the adjacent processing sets.
A processing device characterized by sending.
【請求項3】 被処理体に対してレジスト塗布・現像処
理を施す処理装置であって、 被処理体に対してレジスト塗布および現像処理を含む一
連の処理を施す処理ステーションと、 他の装置との間および前記処理ステーションとの間で被
処理体の受け渡しを行う搬送ステーションと、 前記処理ステーションとの間および露光装置との間で被
処理体の受け渡しを行うインターフェイス部と、 を具備し、 前記処理ステーションは、 鉛直方向に沿って延在する搬送路と、 この搬送路の周囲に配置され、被処理体にレジストを塗
布するレジスト塗布ユニットおよび/またはレジストの
パターンを現像する現像ユニットを含む処理ユニットを
含む複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成され
る少なくとも一つの第1の処理部と、 被処理体を加熱する加熱ユニットと、被処理体を冷却す
る冷却ユニットと、被処理体を搬送する搬送ユニットと
を含む複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成さ
れ、少なくとも前記搬送路を挟んで対向する2つを含む
複数の第2の処理部と、 前記搬送路を移動するとともに、前記第1および第2の
処理部の各処理ユニットに対して前記被処理体を搬入出
する主搬送機構と、 を備えた複数の処理セットを有し、 さらに、隣接する処理セット間で被処理体を搬送するセ
ット間搬送機構を有し、 前記隣接する処理セットのうち一方が有する、前記搬送
路を挟んで対向する2つの第2の処理部のうち1つと、
他方が有する、前記搬送路を挟んで対向する2つの第2
の処理部のうち1つとは、これら処理セットが有するそ
れぞれの主搬送機構に挟まれた状態で互いに隣接して設
けられ、 これら隣接する2つの第2の処理部は、いずれも被処理
体が搬送される搬送ユニットをさらに有し、これら2つ
搬送ユニットは同一高さにあって互いに連通してお
り、前記隣接する各処理セットの主搬送機構は、それぞれの
処理セットの前記搬送ユニットに対して被処理体を搬入
出可能であり、 前記セット間搬送機構は、前記連通する2つの搬送ユニ
ット間を移動して隣接する処理セット間で被処理体を搬
送することを特徴とする処理装置。
3. A resist coating / developing process for an object to be processed.
A processing device for applying One that includes resist coating and development processing for the object to be processed
A processing station for performing a series of processes, Between other equipment and the processing station.
A transfer station for delivering and receiving processing objects, Coverage between the processing station and the exposure equipment.
An interface part that delivers the processing body, Equipped with, The processing station is A transport path extending along the vertical direction, It is placed around this transport path and the resist is applied to the object to be processed.
Of resist coating unit and / or resist
A processing unit including a developing unit for developing the pattern
It is composed by vertically stacking multiple processing units, including
At least one first processing unit, A heating unit that heats the object to be processed and a unit that cools the object to be processed.
Cooling unit and a transport unit for transporting the object to be processed
It is configured by vertically stacking multiple processing units including
And includes at least two facing each other with the transport path interposed therebetween.
A plurality of second processing units, While moving along the transport path, the first and second
Carrying in and out the object to be processed from each processing unit of the processing section
A main transport mechanism that Having a plurality of processing sets, Furthermore, the process for transferring the object to be processed between the adjacent processing sets is performed.
It has a transfer mechanism between The transfer carried by one of the adjacent processing sets
One of the two second processing units facing each other across the road;
The other two second ones that face each other across the transport path
One of the processing units ofHas
EachInstalled adjacent to each other while being sandwiched by the main transport mechanism.
Kicked These are adjacentTwoThe second processing unit isBothTo be processed
A transport unit where the body is transportedfurtherHave theseTwo
ofThe transport unit isAt the same heightIn communication
,The main transport mechanism of each adjacent processing set is
Bring the object to be processed into the transfer unit of the processing set
Is available, The inter-set transfer mechanism communicates with each other.TwoTransport Uni
Between the processing sets to carry the object to be processed between the adjacent processing sets.
A processing device characterized by sending.
【請求項4】 前記搬送ユニットは、2つの搬送ポート
を有し、被処理体を搬入する場合と搬出する場合とでそ
れぞれ異なる搬送ポートを用いることを特徴とする請求
項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の処理装置。
4. The transport unit according to claim 1, wherein the transport unit has two transport ports, and different transport ports are used for loading and unloading an object to be processed. The processing device according to claim 1.
【請求項5】 前記セット間搬送機構は、一方の搬送ユ
ニットと他方の搬送ユニットとの間で被処理体を搬送す
る搬送アームを有することを特徴とする請求項1ないし
請求項4のいずれか1項に記載の処理装置。
5. The inter-set carrying mechanism has a carrying arm for carrying an object to be processed between one carrying unit and the other carrying unit. The processing device according to item 1.
【請求項6】 前記セット間搬送機構は、前記搬送ユニ
ットにおける被処理体ステージを移動し、これにより一
方の搬送ユニットと他方の搬送ユニットとの間で被処理
体を搬送する移動手段を有することを特徴とする請求項
1ないし請求項4のいずれか1項に記載の処理装置。
6. The inter-set transfer mechanism includes a moving unit that moves a target object stage in the transfer unit and thereby transfers the target object between one transfer unit and the other transfer unit. The processing device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that:
JP31265896A 1996-11-08 1996-11-11 Processing equipment Expired - Fee Related JP3421521B2 (en)

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