JP3225344B2 - Processing equipment - Google Patents

Processing equipment

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JP3225344B2
JP3225344B2 JP03124996A JP3124996A JP3225344B2 JP 3225344 B2 JP3225344 B2 JP 3225344B2 JP 03124996 A JP03124996 A JP 03124996A JP 3124996 A JP3124996 A JP 3124996A JP 3225344 B2 JP3225344 B2 JP 3225344B2
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Japan
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processing
unit
wafer
processing apparatus
processed
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英民 八重樫
孝之 戸島
正己 飽本
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Tokyo Electron Ltd
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやLCD基板等の被処理体を枚葉式で処理する処理
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for processing an object to be processed, such as a semiconductor wafer or an LCD substrate, in a single wafer process.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程には、被処理
体例えばシリコン基板等の半導体ウエハ(以下にウエハ
という)に処理液例えばフォトレジスト液を塗布し、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小し
てフォトレジスト膜を露光し、これを現像処理する一連
の処理工程がある。
2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor device, a processing liquid, for example, a photoresist liquid is applied to an object to be processed, for example, a semiconductor wafer such as a silicon substrate (hereinafter, referred to as a wafer), and a circuit pattern or the like is formed by photolithography. There is a series of processing steps in which the photoresist film is exposed after being reduced and developed.

【0003】この処理工程を行う処理システムでは、被
処理体としてのウエハをカセットに対して搬出・搬入す
るカセット・ステーション、ウエハを洗浄する洗浄ユニ
ット、ウエハの表面を疎水化処理するアドヒージョンユ
ニット、ウエハを所定温度に冷却する冷却ユニット、ウ
エハの表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニッ
ト、レジスト液塗布の前後でウエハを加熱するプリベー
ク又はポストベークを行うベーキングユニット、ウエハ
の周縁部のレジストを除去するための周辺露光ユニッ
ト、隣接する露光装置とウエハの受渡しを行うためのウ
エハ受渡し台、及び露光処理済みのウエハを現像液に晒
してレジストの感光部又は非感光部を選択的に現像液に
溶解せしめる現像ユニット等を一体に集約化して作業の
向上を図っている。
In a processing system for performing this processing step, a cassette station for carrying a wafer as a workpiece to and from a cassette, a cleaning unit for cleaning the wafer, and an adhesion unit for hydrophobizing the surface of the wafer. A cooling unit that cools the wafer to a predetermined temperature, a resist coating unit that applies a resist liquid to the surface of the wafer, a baking unit that performs pre-bake or post-bake that heats the wafer before and after applying the resist liquid, and a resist at a peripheral portion of the wafer. A peripheral exposure unit for removing, a wafer delivery table for delivering a wafer to and from an adjacent exposure apparatus, and a developing solution for exposing the exposed wafer to a developing solution to selectively expose a photosensitive portion or a non-photosensitive portion of a resist. The development unit, etc., which dissolves the toner into a single unit is integrated into one unit to improve the work.

【0004】上記処理システムは、一般に、中央部には
長手方向に配設されるウエハ搬送路が設けられ、各ユニ
ットはウエハ搬送路に各々正面を向けて配設され、ウエ
ハ搬送体が各ユニットにウエハを搬送するためにウエハ
搬送路上を移動するように構成されている。したがっ
て、水平方向に延びるウエハ搬送路に沿って各種処理ユ
ニットが配列される横長のシステム構成となるため、シ
ステム全体の占有スペースが大きくなり、クリーンルー
ムコストが高くつくという問題があった。特に、この種
の処理システムに有効な垂直層流方式によってシステム
全体ないし各部の清浄度を高めようとすると、スペース
が大きいため、空調器又はフィルタ等のイニシャルコス
ト及びメンテナンスコストが非常に高くついていた。
In the above-mentioned processing system, a wafer transfer path is generally provided in a central portion in a longitudinal direction. Each unit is disposed on the wafer transfer path with its front face facing each other. It is configured to move on a wafer transfer path in order to transfer a wafer. Therefore, a horizontally long system configuration in which various processing units are arranged along a wafer transfer path extending in the horizontal direction is required, so that the space occupied by the entire system is increased and the clean room cost is increased. In particular, when trying to increase the cleanliness of the whole system or each part by a vertical laminar flow system effective for this type of processing system, the initial cost and maintenance cost of an air conditioner or a filter are very high because of the large space. .

【0005】そこで、出願人等は、上記問題を解決する
ために鋭意研究した結果、ウエハ搬送体を垂直方向に移
動可能で垂直軸の回りに回転可能にし、このウエハ搬送
体の周囲に各処理ユニットを多段に配置した処理システ
ムを開発した。
The applicants have conducted intensive studies to solve the above problems, and as a result, have made the wafer carrier movable vertically and rotatable about a vertical axis. A processing system with multiple units has been developed.

【0006】上記処理システムによれば、システムの占
有スペースを縮小して、クリーンルームコストを下げる
と共に、高速の搬送ないしアクセス速度を可能とし、ス
ループットの向上を図ることができる。
According to the processing system described above, the space occupied by the system can be reduced, the clean room cost can be reduced, the high-speed transfer or access speed can be achieved, and the throughput can be improved.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理システムにおいては、多段に配置された各
処理ユニットでウエハに所定の処理を施すため、処理シ
ステム内に供給される清浄空気の雰囲気すなわち風量、
温度、圧力等が変動する虞れがある。この処理システム
内の雰囲気の変動により、適正な処理が施せなくなり、
処理能力及び歩留まりの低下をきたすなどの問題があ
る。
However, in a conventional processing system of this type, since a predetermined processing is performed on a wafer in each of the processing units arranged in multiple stages, the atmosphere of the clean air supplied into the processing system is reduced. That is, the air volume,
Temperature, pressure, etc. may fluctuate. Due to the fluctuation of the atmosphere in this processing system, proper processing cannot be performed.
There are problems such as lowering of processing capacity and yield.

【0008】また、処理システム内に供給された空気
を、処理後にシステム外に排気すると、処理システム内
で発生したパーティクルや例えばアミン等の有機汚染物
がクリーンルーム内に流れることになり、クリーンルー
ムの清浄度が低下するばかりか寿命が低下するという問
題がある。更には、クーンルーム内にアミン等の有機汚
染物が存在すると、クリーンルーム内の他の処理装置例
えばCVD装置において、薄膜形成に支障をきたすなど
の問題もある。
Further, when the air supplied into the processing system is exhausted out of the system after the processing, particles generated in the processing system and organic contaminants such as amines, for example, flow into the clean room. There is a problem that not only the degree is lowered but also the life is shortened. Furthermore, if organic contaminants such as amines are present in the coon room, there is a problem that other processing apparatuses in the clean room, for example, a CVD apparatus may hinder the formation of a thin film.

【0009】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、処理システム内に供給される清浄空気の雰囲気をコ
ントロールして、清浄空気の有効利用、処理能力及び歩
留まりの向上を図ると共に、処理に供される空気を循環
式に供給して、装置外への流出を防止するようにした処
理装置を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and controls the atmosphere of the clean air supplied into the processing system to improve the effective use of the clean air, improve the processing capacity and the yield, and provide the processing to the processing system. It is an object of the present invention to provide a processing apparatus that supplies circulated air in a circulating manner to prevent the air from flowing out of the apparatus.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は、垂直及び水平方向に移動可
能で垂直軸の回りに回転可能な被処理体搬送手段と、
上記被処理体搬送手段の周囲に配置され、被処理体に一
連の処理を施す複数の処理部を垂直方向に多段に設けた
少なくとも1組の複数の枚葉処理ユニットと、 上記被
処理体搬送手段を収容する室の上部及び下部に設けられ
た給気口及び排気口に接続される循環管路と、 上記循
環管路に介設される送風手段と、 上記循環管路に風量
調整手段を介して設けられる外気取入口と、を具備する
ことを特徴とする。
In order to achieve the above object, an object of the present invention is to provide an object conveying means movable in vertical and horizontal directions and rotatable about a vertical axis;
At least one set of a plurality of single-wafer processing units, which are arranged around the object transporting means and provided in a vertical direction with a plurality of processing units for performing a series of processes on the object to be processed; A circulation pipe connected to an air supply port and an air discharge port provided at an upper portion and a lower portion of a chamber accommodating the means, a blower provided in the circulation pipe, and an air volume in the circulation pipe
And an outside air intake provided through an adjusting means .

【0011】請求項2記載の発明は、垂直及び水平方向
に移動可能で垂直軸の回りに回転可能な被処理体搬送手
段と、 上記被処理体搬送手段の周囲に配置され、被処
理体に一連の処理を施す複数の処理部を垂直方向に多段
に設けた少なくとも1組の複数の枚葉処理ユニットと、
上記被処理体搬送手段を収容する室の上部及び下部に
設けられた給気口及び排気口に接続される循環管路と、
上記循環管路に介設される送風手段と、 上記排気口
と循環管路の接続部に配設される排気ファンと、を具備
することを特徴とする
[0011] The invention according to claim 2 is characterized in that the vertical and horizontal directions
Object transporter that can move around and rotate around a vertical axis
And a step, which is disposed around the object transfer means,
Multiple processing units that perform a series of processes on the body
At least one set of a plurality of single wafer processing units provided in
At the top and bottom of the chamber containing the object transfer means
A circulation pipeline connected to the provided air supply and exhaust ports,
A blower provided in the circulation pipe, and the exhaust port
And an exhaust fan disposed at a connection of the circulation pipeline.
It is characterized by doing .

【0012】請求項3記載の発明は、被処理体を保持し
て搬送する複数の搬送部材を有し、垂直及び水平方向に
移動可能で垂直軸の回りに回転可能な被処理体搬送手段
と、上記被処理体搬送手段の周囲に配置され、被処理体
に一連の処理を施す複数の処理部を垂直方向に多段に設
けた少なくとも1組の複数の枚葉処理ユニットと、上記
被処理体搬送手段を収容する室の上部及び下部に設けら
れた給気口及び排気口に接続される循環管路と、 上記
循環管路に介設される送風手段と、を具備することを特
徴とする
According to a third aspect of the present invention, the object to be processed is held.
Has a plurality of transport members for transporting vertically and horizontally.
Workpiece transfer means that is movable and rotatable about a vertical axis
And the object to be processed, which is disposed around the object to be processed transfer means,
Multiple processing units that perform a series of processing
At least one set of a plurality of sheet processing units;
Provided at the top and bottom of the chamber that accommodates the object transfer means
A circulation line connected to the supply and exhaust ports provided
Air blowing means provided in the circulation pipeline.
Sign .

【0013】請求項4記載の発明は、垂直及び水平方向
に移動可能で垂直軸の回りに回転可能な被処理体搬送手
段と、 上記被処理体搬送手段の周囲に配置され、被処
理体に一連の処理を施す複数の処理部を垂直方向に多段
に設けた少なくとも1組の複数の枚葉処理ユニットと、
上記被処理体搬送手段を収容する室の上部及び下部に
設けられた給気口及び排気口に接続される循環管路と、
上記循環管路に介設される送風手段と、 上記室に垂
直に沿って設けられるダクトと、 上記室内の空気を上
記ダクト内に排出するファンと、を具備することを特徴
とする
[0013] The invention according to claim 4 is characterized in that the vertical and horizontal directions
Object transporter that can move around and rotate around a vertical axis
And a step, which is disposed around the object transfer means,
Multiple processing units that perform a series of processes on the body
At least one set of a plurality of single wafer processing units provided in
At the top and bottom of the chamber containing the object transfer means
A circulation pipeline connected to the provided air supply and exhaust ports,
A blowing means interposed in the circulation pipe;
A duct that runs directly along the air
And a fan exhausting into the duct.
And

【0014】請求項記載の発明は、被処理体に対して
レジスト塗布及び現像処理を含む処理を行う処理ステー
ションと、 他のシステムとの間及び上記処理ステーシ
ョンとの間で上記被処理体の受け渡しを行う搬送部と、
上記処理ステーションとの間及び露光装置との間で上
記被処理体の受け渡しを行うインター・フェース部とを
具備し、 上記処理ステーションに、垂直及び水平方向
に移動可能で垂直軸の回りに回転可能な被処理体搬送手
段と、 上記被処理体搬送手段の周囲に配置され、被処
理体に一連の処理を施す複数の処理部を垂直方向に多段
に設けた少なくとも1組の複数の枚葉処理ユニットと、
上記被処理体搬送手段を収容する室の上部及び下部に
設けられた給気口及び排気口に接続される循環管路と、
上記循環管路に介設される送風手段と、を具備するこ
とを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, the object to be processed is processed between a processing station for performing processing including resist coating and development processing on the object to be processed, and another system and between the processing stations. A transport unit for delivery;
An interface unit for transferring the object to and from the processing station and to and from the exposure apparatus, wherein the processing station is movable vertically and horizontally and rotatable around a vertical axis. And at least one set of a plurality of single-wafer processing units provided around the object-to-be-processed transfer means, and provided in multiple stages in the vertical direction for performing a series of processes on the object to be processed. Unit and
A circulation pipeline connected to an air supply port and an exhaust port provided at an upper portion and a lower portion of the chamber accommodating the object transfer means,
And a blower provided in the circulation pipeline.

【0015】請求項5記載の発明において、上記循環管
路に介設される圧力調整手段を更に具備するする方が好
ましい(請求項)。また、上記循環管路に介設される
温度調整手段を更に具備する方が好ましい(請求項
)。また、循環管路に湿度調整手段を介設する方が更
に好ましい。また、上記排気口と循環管路の接続部に、
排気ファンを配設する方が好ましい(請求項8)
[0015] In the fifth aspect of the present invention, it is preferable to further include a pressure adjusting means interposed in the circulation pipe (claim 6 ). Further, it is preferable to further include a temperature adjusting means provided in the circulation pipeline.
7 ). Further, it is more preferable to provide a humidity adjusting means in the circulation line. Also, at the connection between the exhaust port and the circulation line,
It is preferable to provide an exhaust fan (claim 8) .

【0016】また、請求項記載の発明において、上記
被処理体搬送手段は、被処理体を保持して搬送する搬送
部材を具備するものであれば搬送部材は1つであっても
差し支えないが、好ましくは複数の搬送部材を具備する
方がよい(請求項)。また、上記室に垂直に沿うダク
トを設けると共に、室内の空気をダクト内に排出するフ
ァンを設ける方が好ましい(請求項10)。
In the invention described in claim 5 , the object-to-be-processed conveying means may be a single conveying member as long as it has a conveying member for holding and conveying the object to be processed. However, it is preferable to provide a plurality of transport members (claim 9 ). Further, provided with a duct along perpendicular to the chamber, is better to provide a fan for discharging the indoor air in the duct preferably (claim 10).

【0017】また、請求項記載の発明において、上記
1組の枚葉処理ユニットを、レジスト塗布ユニット及び
レジストパターンを現像する現像ユニットを垂直方向に
重ねて設けることができる。この場合、上記塗布ユニッ
トが上記現像ユニットの下になるように配置する方が好
ましい(請求項11)。更に、上記1組の枚葉処理ユニ
ットを、被処理体のアライメントを行うアライメントユ
ニット、被処理体をベークするベーキングユニット、被
処理体を冷却するクーリングユニット、被処理体にアド
ヒージョンを行うアドヒージョンユニット及びエクステ
ンションユニットの1部又は全部を垂直方向に多段に設
けることができる。この場合、上記クーリングユニット
がベーキングユニットの下になるように配置する方が好
ましい(請求項12)。
Further, in the invention according to claim 5 , the one set of single-wafer processing units can be provided by vertically stacking a resist coating unit and a developing unit for developing a resist pattern. In this case, who the coating unit is arranged to be below said developing unit is preferably (claim 11). Further, the one set of single-wafer processing units includes an alignment unit for performing alignment of an object to be processed, a baking unit for baking the object to be processed, a cooling unit for cooling the object to be processed, and an adhesion unit for performing adhesion to the object to be processed. A part or all of the unit and the extension unit can be provided in multiple stages in the vertical direction. In this case, who arranged so that the cooling unit is under the baking unit is preferably (claim 12).

【0018】この発明によれば、被処理体搬送手段を収
容する室の上部及び下部に設けられた給気口及び排気口
に接続する循環管路に、送風手段を介設することによ
り、被処理体搬送手段を収容する空間に供給された空気
を循環供給することができる。また、循環管路に風量調
整手段を介して外気取入口を設けることにより、供給後
に処理ユニットで消費された空気の補充を外気取入口か
ら補給することができる。したがって、被処理体搬送手
段を収容する室内に供給された清浄空気を外部に排気す
ることなく有効に使用することができると共に、処理装
置内に供給される空気量を一定にすることができる。
According to the present invention, the air supply means is provided in the circulation pipes connected to the air supply and exhaust ports provided at the upper and lower portions of the chamber for accommodating the object transfer means, whereby the air supply means is provided. The air supplied to the space accommodating the processing object transport means can be circulated and supplied. Further, by providing the outside air intake through the air flow adjusting means in the circulation pipeline, it is possible to replenish the air consumed by the processing unit after the supply from the outside air intake. Therefore, the clean air supplied into the room accommodating the object transfer means can be effectively used without being exhausted to the outside, and the amount of air supplied into the processing apparatus can be made constant.

【0019】また、循環管路に圧力調整手段を介設する
ことにより、処理装置内に供給される空気量を一定にす
ることができると共に、処理装置内を外部に対して陽圧
な一定の圧力に保持することができる。
Further, by providing the pressure adjusting means in the circulation line, the amount of air supplied into the processing apparatus can be made constant, and the inside of the processing apparatus can be maintained at a constant positive pressure with respect to the outside. Can be held at pressure.

【0020】また、循環管路に温度調整手段を介設する
ことにより、処理装置内の温度を一定に保持することが
できる。
Further, the temperature in the processing apparatus can be kept constant by providing the temperature adjusting means in the circulation line.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】次に、この発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では、こ
の発明の処理装置を半導体ウエハへのレジスト液塗布・
現像処理システムに適用した場合について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this embodiment, the processing apparatus of the present invention is used to apply a resist solution to a semiconductor wafer.
A case where the present invention is applied to a development processing system will be described.

【0022】図1はレジスト液塗布・現像処理システム
の一実施形態の概略平面図、図2は図1の正面図、図3
は図2の背面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of one embodiment of a resist liquid application / development processing system, FIG. 2 is a front view of FIG. 1, and FIG.
FIG. 3 is a rear view of FIG. 2.

【0023】上記処理システムは、被処理体として半導
体ウエハW(以下にウエハという)をウエハカセット1
で複数枚例えば25枚単位で外部からシステムに搬入又
はシステムから搬出したり、ウエハカセット1に対して
ウエハWを搬出・搬入したりするためのカセットステー
ション10(搬送部)と、塗布現像工程の中で1枚ずつ
ウエハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニット
を所定位置に多段配置してなるこの発明の処理装置を具
備する処理ステーション20と、この処理ステーション
20と隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間
でウエハWを受け渡すためのインター・フェース部30
とで主要部が構成されている。
In the processing system described above, a semiconductor wafer W (hereinafter, referred to as a wafer) as an object to be processed is placed in a wafer cassette
A cassette station 10 (transfer section) for loading or unloading wafers W from / into the system from outside, or loading / unloading wafers W into / from the wafer cassette 1 in units of, for example, 25 sheets; A processing station 20 having a processing apparatus according to the present invention in which various single-wafer processing units for performing predetermined processing on wafers W one by one are arranged at predetermined positions in multiple stages, and adjacent to the processing station 20. Interface unit 30 for transferring wafer W to and from an exposure apparatus (not shown) provided
And the main part is constituted.

【0024】上記カセットステーション10は、図1に
示すように、カセット載置台2上の突起3の位置に複数
個例えば4個までのウエハカセット1がそれぞれのウエ
ハ出入口を処理ステーション20側に向けて水平のX方
向に沿って一列に載置され、カセット配列方向(X方
向)及びウエハカセット1内に垂直方向に沿って収容さ
れたウエハWのウエハ配列方向(Z方向)に移動可能な
ウエハ搬送用ピンセット4が各ウエハカセット1に選択
的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送
用ピンセット4は、θ方向に回転可能に構成されてお
り、後述する処理ステーション20側の第3の組G3の
多段ユニット部に属するアライメントユニット(ALI
M)及びエクステンションユニット(EXT)にも搬送
できるようになっている。
As shown in FIG. 1, the cassette station 10 has a plurality of, for example, up to four wafer cassettes 1 at the positions of the projections 3 on the cassette mounting table 2 with their respective wafer entrances facing the processing station 20 side. Wafer transfer mounted in a row along the horizontal X direction and movable in the wafer arrangement direction (Z direction) of wafers W accommodated in the cassette arrangement direction (X direction) and the vertical direction in the wafer cassette 1. Tweezers 4 are selectively transported to each wafer cassette 1. Further, the wafer transfer tweezers 4 is configured to be rotatable in the θ direction, and is an alignment unit (ALI) belonging to a multi-stage unit of a third set G3 on the processing station 20 side described later.
M) and the extension unit (EXT).

【0025】上記処理ステーション20は、図1に示す
ように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構21が
設けられ、この主ウエハ搬送機構21を収容する室22
の周りに全ての処理ユニットが1組又は複数の組に渡っ
て多段に配置されている。この例では、5組G1,G2,
G3,G4及びG5の多段配置構成であり、第1及び第2
の組G1,G2の多段ユニットはシステム正面(図1にお
いて手前)側に並列され、第3の組G3の多段ユニット
はカセットステーション10に隣接して配置され、第4
の組G4の多段ユニットはインター・フェース部30に
隣接して配置され、第5の組G5の多段ユニットは背部
側に配置されている。
As shown in FIG. 1, the processing station 20 has a vertical transfer type main wafer transfer mechanism 21 provided at the center thereof, and a chamber 22 for accommodating the main wafer transfer mechanism 21.
, All the processing units are arranged in multiple stages over one set or a plurality of sets. In this example, five sets G1, G2,
G3, G4 and G5 are arranged in a multi-stage arrangement, and the first and second
The multistage units of the set G1 and G2 are arranged in parallel on the front side of the system (in FIG. 1), the multistage unit of the third set G3 is arranged adjacent to the cassette station 10, and
The multistage unit of the set G4 is disposed adjacent to the interface unit 30, and the multistage unit of the fifth set G5 is disposed on the back side.

【0026】この場合、図2に示すように、第1の組G
1では、カップ23内でウエハWをスピンチャック(図
示せず)に載置して所定の処理を行う2台のスピナ型処
理ユニット例えばレジスト塗布ユニット(COT)及び
レジストパターンを現像する現像ユニット(DEV)が
垂直方向の下から順に2段に重ねられている。第2の組
G2も同様に、2台のスピナ型処理ユニット例えばレジ
スト塗布ユニット(COT)及び現像ユニット(DE
V)が垂直方向の下から順に2段に重ねられている。こ
のようにレジスト塗布ユニット(COT)を下段側に配
置した理由は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナ
ンスの上でも面倒であるためである。しかし、必要に応
じてレジスト塗布ユニット(COT)を上段に配置する
ことも可能である。
In this case, as shown in FIG.
In 1, two spinner-type processing units, for example, a resist coating unit (COT) and a developing unit for developing a resist pattern (COT), which perform a predetermined process by mounting a wafer W on a spin chuck (not shown) in the cup 23. DEV) are stacked in two stages from the bottom in the vertical direction. Similarly, the second set G2 has two spinner type processing units, for example, a resist coating unit (COT) and a developing unit (DE).
V) are stacked in two stages from the bottom in the vertical direction. The reason for disposing the resist coating unit (COT) on the lower side is that the drainage of the resist solution is troublesome both mechanically and in terms of maintenance. However, if necessary, a resist coating unit (COT) can be arranged in the upper stage.

【0027】図3に示すように、第3の組G3では、ウ
エハWを載置台24に載置して所定の処理を行うオーブ
ン型の処理ユニット例えばウエハWを冷却するクーリン
グユニット(COL)、ウエハWにアドヒージョンを行
うアドヒージョンユニット(AD)、ウエハWのアライ
メントを行うアライメントユニット(ALIM)、エク
ステンションユニット(EXT)、ウエハWをベークす
るプリベーキングユニット(PREBAKE)及びポス
トベーキングユニット(POBAKE)が垂直方向の下
から順に例えば8段に重ねられている。第4の組G4も
同様に、オーブン型処理ユニット例えばクーリングユニ
ット(COL)、エクステンション・クーリングユニッ
ト(EXT・COL)、クーリングユニット(CO
L)、プリベーキングユニット(PREBAKE)及び
ポストベーキングユニット(POBAKE)が垂直方向
の下から順に例えば8段に重ねられている。
As shown in FIG. 3, in the third set G3, an oven-type processing unit for mounting the wafer W on the mounting table 24 and performing a predetermined process, for example, a cooling unit (COL) for cooling the wafer W, Adhesion unit (AD) for performing adhesion to wafer W, alignment unit (ALIM) for aligning wafer W, extension unit (EXT), pre-baking unit (PREBAKE) for baking wafer W, and post-baking unit (POBAKE) Are stacked, for example, in eight stages from the bottom in the vertical direction. Similarly, the fourth set G4 includes an oven type processing unit such as a cooling unit (COL), an extension cooling unit (EXT · COL), and a cooling unit (CO
L), a pre-baking unit (PREBAKE) and a post-baking unit (POBAKE) are stacked in, for example, eight stages from the bottom in the vertical direction.

【0028】上記のように処理温度の低いクーリングユ
ニット(COL)、エクステンション・クーリングユニ
ット(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高い
プリベーキングユニット(PREBAKE)、ポストベ
ーキングユニット(POBAKE)及びアドヒージョン
ユニット(AD)を上段に配置することで、ユニット間
の熱的な相互干渉を少なくすることができる。勿論、ラ
ンダムな多段配置とすることも可能である。
As described above, a cooling unit (COL) and an extension cooling unit (EXTCOL) having a low processing temperature are arranged in a lower stage, and a pre-baking unit (PREBAKE), a post-baking unit (POBAKE) and an ad-hoc unit having a high processing temperature are arranged. By arranging the John units (AD) in the upper stage, thermal mutual interference between the units can be reduced. Of course, a random multi-stage arrangement is also possible.

【0029】上記インター・フェース部30は、奥行き
方向では処理ステーション20と同じ寸法を有するが、
幅方向では小さなサイズに作られている。このインター
・フェース部30の正面部には可搬性のピックアップカ
セット31と定置型のバッファカセット32が2段に配
置され、背面部には周辺露光装置33が配設され、中央
部には、ウエハ搬送アーム34が配設されている。この
ウエハ搬送アーム34は、X,Z方向に移動して両カセ
ット31,32及び周辺露光装置33に搬送するように
構成されている。また、ウエハ搬送アーム34は、θ方
向に回転可能に構成され、処理ステーション20側の第
4の組G4の多段ユニットに属するエクステンションユ
ニット(EXT)及び隣接する露光装置側のウエハ受渡
し台(図示せず)にも搬送できるように構成されてい
る。
Although the interface section 30 has the same dimensions as the processing station 20 in the depth direction,
It is made small in the width direction. A portable pickup cassette 31 and a stationary buffer cassette 32 are arranged in two stages at a front portion of the interface portion 30, a peripheral exposure device 33 is arranged at a rear portion, and a wafer is arranged at a central portion. A transfer arm 34 is provided. The wafer transfer arm 34 is configured to move in the X and Z directions and transfer the wafer to the cassettes 31 and 32 and the peripheral exposure device 33. The wafer transfer arm 34 is configured to be rotatable in the θ direction, and includes an extension unit (EXT) belonging to the multistage unit of the fourth set G4 on the processing station 20 side and a wafer transfer table (shown in FIG. ).

【0030】上記のように構成される処理システムは、
クリーンルーム40内に設置されるが、更にシステム内
でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高め
ている。図4及び図5にシステム内における清浄空気の
流れを示す。
The processing system configured as described above includes:
Although it is installed in the clean room 40, the cleanliness of each part is further increased in the system by the efficient vertical laminar flow system. 4 and 5 show the flow of clean air in the system.

【0031】図4に示すように、カセットステーション
10、処理ステーション20及びインター・フェース部
30の上方には空気供給室10a,20a,30aが設
けられており、各空気供給室10a,20a,30aの
下面に防塵機能付きフィルタ例えばULPAフィルタ5
0が取り付けられている。このうち空気供給室10a,
30a内には、後述する送風ファン51(送風手段)を
介設する空気導入用の循環管路52に接続する分岐管路
(図示せず)を介して空気が導入され、ULPAフィル
タ50により清浄な空気がダウンフローでカセットステ
ーション10及びインター・フェース部30に供給され
るようになっている。
As shown in FIG. 4, air supply chambers 10a, 20a, and 30a are provided above the cassette station 10, the processing station 20, and the interface section 30, and the air supply chambers 10a, 20a, and 30a are provided. Filter with dust-proof function, for example, ULPA filter 5
0 is attached. The air supply chamber 10a,
Air is introduced into 30a through a branch pipe (not shown) connected to a circulation pipe 52 for air introduction provided with a blower fan 51 (blower means) to be described later. Air is supplied to the cassette station 10 and the interface unit 30 in a downflow manner.

【0032】また、図5に示すように、主ウエハ搬送機
構21を収容する室22の上部には給気口25が設けら
れ、下部には排気口26が設けられており、これら給気
口25と排気口26に循環管路52が接続されている。
また、給気口25と循環管路52との接続部には空気供
給室20aが設けられており、この空気供給室20aの
下面に上記ULPAフィルタ50が取り付けられ、その
上方位置に例えばアミン等の有機汚染物を除去する機能
を有するケミカルフィルタ53が取り付けられている。
また、排気口26と循環管路52との接続部には排気室
20bが設けられており、この排気室20bの上面に多
孔板54が取り付けられ、排気室20b内には排気ファ
ン55が配設されている。
As shown in FIG. 5, an air supply port 25 is provided at an upper portion of a chamber 22 accommodating the main wafer transfer mechanism 21, and an exhaust port 26 is provided at a lower portion thereof. A circulation pipe line 52 is connected to the discharge port 25 and the exhaust port 26.
Further, an air supply chamber 20a is provided at a connection portion between the air supply port 25 and the circulation pipe line 52, and the ULPA filter 50 is attached to a lower surface of the air supply chamber 20a. A chemical filter 53 having a function of removing organic contaminants is attached.
Further, an exhaust chamber 20b is provided at a connection portion between the exhaust port 26 and the circulation pipeline 52, and a perforated plate 54 is mounted on an upper surface of the exhaust chamber 20b, and an exhaust fan 55 is provided in the exhaust chamber 20b. Has been established.

【0033】また、排気室20bと循環管路52との接
続部には圧力調整手段例えばスリットダンパ56が配設
されている。このスリットダンパ56は、図6に示すよ
うに、多数の通気孔56aを有する固定多孔板56b
と、この固定多孔板56bの下面において水平方向に往
復移動可能に配設され、通気孔56aと合致し得る多数
の調整孔56cを有する可動多孔板56dとを有してお
り、図示しない往復駆動手段例えばシリンダ機構やタイ
ミングベルト機構等によって水平方向に往復移動される
可動多孔板56dの移動によって通気孔56aと調整孔
56cとの合致した開口面積によって通気量を調整する
ことにより、室22内の圧力を調整している。すなわ
ち、室22内の圧力P1を陽圧にすると共に、クリーン
ルーム40内の圧力P2に対して高い所定の圧力例えば
0.1mmH2Oにすることができる。なお、ここで
は、圧力調整手段がスリットダンパにて形成され場合に
ついて説明したが、圧力調整手段は必ずしもスリットダ
ンパ56にて形成する必要はなく、室22内から排気さ
れる空気の通過面積を調整することができるものであれ
ばスリットダンパ以外のものであってもよい。
A pressure adjusting means, for example, a slit damper 56 is provided at a connection between the exhaust chamber 20b and the circulation pipe 52. As shown in FIG. 6, the slit damper 56 has a fixed perforated plate 56b having a large number of ventilation holes 56a.
And a movable perforated plate 56d disposed on the lower surface of the fixed perforated plate 56b so as to be capable of reciprocating in the horizontal direction and having a large number of adjusting holes 56c capable of matching the ventilation holes 56a. Means, for example, by adjusting the ventilation amount by adjusting the opening area of the ventilation hole 56a and the adjustment hole 56c by moving the movable porous plate 56d reciprocated in the horizontal direction by a cylinder mechanism, a timing belt mechanism, or the like. Adjusting pressure. That is, the pressure P1 within the chamber 22 as well as a positive pressure may be higher predetermined pressure for example 0.1mmH 2 O with respect to the pressure P2 in the clean room 40. Here, the case where the pressure adjusting means is formed by the slit damper has been described, but the pressure adjusting means does not necessarily need to be formed by the slit damper 56, and adjusts the passage area of the air exhausted from the chamber 22. Any material other than the slit damper may be used as long as it can perform the operation.

【0034】一方、上記循環管路52における送風ファ
ン51とスリットダンパ56との間には、外気取入口5
7が設けられており、この外気取入口57内には風量調
整手段例えばダンパ58が取り付けられている。なお、
このダンパ58に代えて流量調整弁等の別の風量調整手
段を用いてもよい。
On the other hand, between the blower fan 51 and the slit damper 56 in the circulation line 52, the outside air intake 5
The inside of the outside air intake 57 is provided with air volume adjusting means, for example, a damper 58. In addition,
Instead of the damper 58, another air volume adjusting means such as a flow rate adjusting valve may be used.

【0035】このように構成することにより、送風ファ
ン51を駆動し、ダンパ58が所定の開度開放すること
により、外気取入口57から外気すなわちクリーンルー
ム40内の清浄空気を循環管路52内に導入して、室2
2内に供給することができる。したがって、室22内に
供給された清浄空気(例えば0.3〜0.5m/sec
の風量)が各処理ユニットに流れて消費された量(例え
ば0.1〜0.3m/sec)の風量を外気取入口57
から補給して、常時室22内を流れる清浄空気の風量を
一定に維持することができる。
With this configuration, the blower fan 51 is driven, and the damper 58 is opened at a predetermined opening, so that the outside air, that is, the clean air in the clean room 40 is introduced into the circulation line 52 from the outside air inlet 57. Introduce room 2
2 can be supplied. Therefore, the clean air supplied into the chamber 22 (for example, 0.3 to 0.5 m / sec)
The flow rate of the air flowing through each processing unit (for example, 0.1 to 0.3 m / sec) is reduced by the outside air intake 57.
And the air volume of the clean air constantly flowing in the chamber 22 can be kept constant.

【0036】また、循環管路52における送風ファン5
1と空気供給室20aとの間には、温度制御手段として
の温度コントローラ59が介設されており、この温度コ
ントローラ59によって室22内に供給される清浄空気
の温度が所定温度例えば23℃に維持されるようになっ
ている。なお、循環管路52に湿度調整手段を介設する
ことにより、室22内の湿度を一定に維持することがで
きる。
The blower fan 5 in the circulation line 52
1 and an air supply chamber 20a, a temperature controller 59 as temperature control means is interposed, and the temperature of the clean air supplied into the chamber 22 by the temperature controller 59 becomes a predetermined temperature, for example, 23 ° C. Is to be maintained. The humidity in the chamber 22 can be kept constant by providing the humidity adjusting means in the circulation pipeline 52.

【0037】上記のように構成されるスリットダンパ5
6,ダンパ58及び温度コントローラ59は、制御手段
例えば中央演算処理装置60(CPU)からの制御信号
によって制御されるように構成されている。すなわち、
室22内の給気口25側に配置された圧力・風量センサ
61によって検知された信号をCPU60に伝達し、こ
の検知信号とCPU60において予め記憶された情報と
を比較演算して、その制御信号をスリットダンパ56及
びダンパ58に伝達することにより、室22内の圧力及
び供給される清浄空気の風量が所定の値に制御されるよ
うに構成されている。また、室22内の下部側に配置さ
れた温度センサ62によって検知された温度信号をCP
U60に伝達し、この温度信号とCPU60において予
め記憶された情報とを比較演算して、その制御信号を温
度コントローラ59に伝達することにより、循環管路5
2を流れる清浄空気が所定温度例えば23℃に設定され
て、室22内に供給されるように構成されている。
The slit damper 5 configured as described above
6, the damper 58 and the temperature controller 59 are configured to be controlled by a control signal from a control means such as a central processing unit 60 (CPU). That is,
A signal detected by the pressure / air volume sensor 61 disposed on the side of the air supply port 25 in the chamber 22 is transmitted to the CPU 60, and the detected signal is compared with information stored in advance in the CPU 60, and the control signal is transmitted. Is transmitted to the slit damper 56 and the damper 58 so that the pressure in the chamber 22 and the amount of supplied clean air are controlled to predetermined values. In addition, the temperature signal detected by the temperature sensor 62 disposed on the lower side in the
U 60, and compares the temperature signal with information stored in advance in the CPU 60, and transmits a control signal to the temperature controller 59.
The clean air flowing through 2 is set at a predetermined temperature, for example, 23 ° C., and is supplied into the chamber 22.

【0038】したがって、室22内の雰囲気すなわち圧
力、風量及び温度を常に所定の値に設定することがで
き、処理システム内の各処理を好適に行うことができ
る。また、室22内に供給される清浄空気は循環供給さ
れることで、外部すなわちクリーンルーム40へは流出
することがなく、処理システム内で発生したパーティク
ルや有機汚染物等がクリーンルーム40内へ漏洩するこ
ともない。
Therefore, the atmosphere, that is, the pressure, the air volume, and the temperature in the chamber 22 can always be set to predetermined values, and each processing in the processing system can be suitably performed. Further, since the clean air supplied into the chamber 22 is circulated and supplied, the clean air does not flow outside, that is, into the clean room 40, and particles and organic contaminants generated in the processing system leak into the clean room 40. Not even.

【0039】上記カセットステーション10において、
図4に示すように、カセット載置台2の上方空間とウエ
ハ搬送用ピンセット4の移動空間とは垂壁式の仕切板5
によって互いに仕切られており、ダウンフローの空気は
両空間で別個に流れるようになっている。
In the cassette station 10,
As shown in FIG. 4, the space above the cassette mounting table 2 and the moving space of the wafer transfer tweezers 4 are vertically separated partition plates 5.
, And the downflow air flows separately in both spaces.

【0040】また、上記処理ステーション20では、図
4及び図5に示すように、第1及び第2の組G1,G2の
多段ユニットの中で下段に配置されているレジスト塗布
ユニット(COT)の天井面にULPAフィルタ50A
が設けられており、上記循環管路52から室22内に供
給される空気がこのULPAフィルタ50Aを通ってレ
ジスト塗布ユニット(COT)内に流れるようになって
いる。なおこの場合、ULPAフィルタ50Aの吹出側
付近に温度・湿度センサ63が設けられており、そのセ
ンサ出力が上記CPU60に伝達され、フィードバック
方式で清浄空気の温度及び湿度が正確に制御されるよう
になっている。
In the processing station 20, as shown in FIG. 4 and FIG. 5, the resist coating unit (COT) of the lower stage of the multistage units of the first and second sets G1 and G2 is arranged. ULPA filter 50A on the ceiling
The air supplied from the circulation line 52 into the chamber 22 flows through the ULPA filter 50A into the resist coating unit (COT). In this case, a temperature / humidity sensor 63 is provided near the outlet side of the ULPA filter 50A, and the sensor output is transmitted to the CPU 60 so that the temperature and humidity of the clean air can be accurately controlled by a feedback method. Has become.

【0041】また、図4に示すように、各スピナ型処理
ユニット(COT),(DEV)の主ウエハ搬送機構2
1に面する側壁には、ウエハW及び搬送アームが出入り
するための開口部64が設けられている。各開口部64
には、各ユニットからパーティクル又は有機汚染物等が
主ウエハ搬送機構21側に入り込まないようにするため
のシャッタ(図示せず)が取り付けられている。
As shown in FIG. 4, the main wafer transfer mechanism 2 of each spinner type processing unit (COT), (DEV)
The side wall facing 1 is provided with an opening 64 for the wafer W and the transfer arm to enter and exit. Each opening 64
A shutter (not shown) for preventing particles or organic contaminants from each unit from entering the main wafer transfer mechanism 21 side.

【0042】なお、図1に示すように、処理ステーショ
ン20において、第1及び第2の組G1,G2の多段ユニ
ット(スピナ型処理ユニット)に隣接する第3及び第4
の組G3,G4の多段ユニット(オーブン型処理ユニッ
ト)の側壁の中には、それぞれダクト65,66が垂直
方向に縦断して設けられている。これらのダクト65,
66には、上記ダウンフローの清浄空気又は特別に温度
調整された空気が流されるようになっている。このダク
ト構造によって、第3及び第4の組G3,G4のオーブン
型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第1及び第2
の組G1,G2のスピナ型処理ユニットへは及ばないよう
になっている。
As shown in FIG. 1, in the processing station 20, the third and fourth units adjacent to the multistage units (spinner type processing units) of the first and second sets G1 and G2.
Ducts 65 and 66 are provided vertically in the side walls of the multi-stage unit (oven processing unit) of the set G3 and G4. These ducts 65,
In 66, the down-flow clean air or the air whose temperature is specially adjusted is supplied. With this duct structure, the heat generated in the oven type processing units of the third and fourth sets G3 and G4 is cut off, and the first and second sets G3 and G4 are cut off.
Are not extended to the spinner type processing units of the sets G1 and G2.

【0043】また、この処理システムでは、主ウエハ搬
送機構21の背部側にも図1に点線で示すように第5の
組G5の多段ユニットが配置できるようになっている。
この第5の組G5の多段ユニットは、案内レール67に
沿って主ウエハ搬送機構21から見て側方へ移動できる
ようになっている。したがって、第5の組G5の多段ユ
ニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすること
により空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構21
に対して背後からメンテナンス作業が容易に行うことが
できる。
Further, in this processing system, a multistage unit of a fifth set G5 can be arranged on the back side of the main wafer transfer mechanism 21 as shown by a dotted line in FIG.
The multi-stage units of the fifth set G5 can be moved sideways as viewed from the main wafer transfer mechanism 21 along the guide rails 67. Therefore, even when the fifth set G5 of multi-stage units is provided, the space is secured by sliding the units, so that the main wafer transfer mechanism 21 is provided.
Maintenance work can be easily performed from behind.

【0044】次に、図7ないし図11を参照して処理ス
テーション20における主ウエハ搬送機構21の構成及
び作用について説明する。図7は主ウエハ搬送機構21
の要部の構成を示す概略斜視図、図8は主ウエハ搬送機
構21の要部の構成を示す縦断面図、図9は図8におい
て矢印Aの向きに見た断面平面図、図10は図8におい
て矢印Bの向きに見た内側側面図、図11は図8におい
て矢印Cの向きに見た内側側面図である。
Next, the configuration and operation of the main wafer transfer mechanism 21 in the processing station 20 will be described with reference to FIGS. FIG. 7 shows the main wafer transfer mechanism 21.
8 is a schematic perspective view showing the configuration of the main part of FIG. 8, FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing the configuration of the main part of the main wafer transfer mechanism 21, FIG. 9 is a cross-sectional plan view in the direction of arrow A in FIG. 8 is an inside side view seen in the direction of arrow B, and FIG. 11 is an inside side view seen in the direction of arrow C in FIG.

【0045】図7及び図8に示すように、主ウエハ搬送
機構21は、上端及び下端で連結された相対向する一対
の垂直壁部71,72からなる筒状支持体70の内側
に、ウエハWを保持して搬送するウエハ搬送体73を垂
直方向(Z方向)に移動可能に取り付けられている。筒
状支持体70は、回転駆動モータ74の回転軸に連結さ
れており、モータ74の回転駆動によって回転軸を回転
中心としてウエハ搬送体73と一体に回転するようにな
っている。回転駆動モータ74は処理システムのベース
板75に固定されており、モータ74の周りには給電用
の可撓性ケーブルベア76が巻かれている。なお、筒状
支持体70は、回転駆動モータ74によって回転される
別の回転軸(図示せず)に取着するように構成してもよ
い。
As shown in FIGS. 7 and 8, the main wafer transfer mechanism 21 has a wafer inside a cylindrical support 70 comprising a pair of opposed vertical walls 71 and 72 connected at the upper and lower ends. A wafer transfer body 73 that holds and transfers W is attached movably in the vertical direction (Z direction). The cylindrical support 70 is connected to a rotation shaft of a rotation drive motor 74, and is configured to rotate integrally with the wafer carrier 73 around the rotation shaft by the rotation of the motor 74. The rotary drive motor 74 is fixed to a base plate 75 of the processing system, and a flexible cable carrier 76 for feeding power is wound around the motor 74. Note that the cylindrical support 70 may be configured to be attached to another rotating shaft (not shown) rotated by the rotation driving motor 74.

【0046】ウエハ搬送体73の垂直方向の移動範囲
は、ウエハ搬送体73がウエハWを第1〜第5組G1〜
G5の多段ユニットの全てに搬送できるように設定され
ている。また、ウエハ搬送体73は搬送基台77上に、
X方向(前後方向)に移動可能な複数本例えば3本の搬
送部材例えばピンセット78A,78B,78C(以下
に符号78で代表する)を具備している。各ピンセット
78は、筒状支持体70の両垂直壁部71,72の間の
側面開口部79を通過できるようになっている。各ピン
セット78をX方向に移動させるためのX方向駆動部
は、搬送基台77に内蔵された駆動モータ及びベルト
(図示せず)によって構成されている。なお、上記3本
のピンセットのうち最上段のピンセット78Aを冷却さ
れたウエハWの搬送専用として使用してもよい。また、
各ピンセット間に断熱板を配置して、熱の干渉を防止す
るように構成してもよい。
The vertical movement range of the wafer carrier 73 is such that the wafer carrier 73 moves the wafer W to the first to fifth sets G1 to G1.
It is set so that it can be transported to all of the multi-stage units of G5. The wafer carrier 73 is placed on the carrier base 77,
A plurality of, for example, three transport members, for example, tweezers 78A, 78B, and 78C (represented by reference numeral 78) that are movable in the X direction (front-back direction) are provided. Each tweezer 78 can pass through a side opening 79 between both vertical walls 71, 72 of the cylindrical support 70. An X-direction drive unit for moving each tweezers 78 in the X direction is configured by a drive motor and a belt (not shown) built in the transport base 77. Note that the uppermost tweezers 78A of the three tweezers may be used exclusively for transporting the cooled wafer W. Also,
A heat insulating plate may be arranged between each pair of tweezers to prevent heat interference.

【0047】また、図8ないし図10に示すように、一
方の垂直壁部71の内側のほぼ中央の上端部及び下端部
には一対のプーリ80,81が取り付けられ、これらの
プーリ80,81間に垂直駆動用の無端ベルト82が掛
け渡されている。この垂直駆動ベルト82にベルトクラ
ンプ83を介してウエハ搬送体73の搬送基台77が連
結されている。下部プーリ80は、筒状支持体70の底
面に固定配置された駆動モータ84の駆動軸84aに連
結され、駆動プーリを構成している。また、図9及び図
10に示すように、垂直壁部71の内側の左右端部に一
対のガイドレール85が垂直方向に延在して設けられ、
搬送基台77の側面に突設された一対の水平支持棒86
の先端にそれぞれ設けられたスライダ87が両ガイドレ
ール85に摺動可能に係合している。このような垂直ベ
ルト駆動機構及び垂直スライダ機構により、ウエハ搬送
体73は駆動モータ84の駆動力で垂直方向に昇降移動
できるようになっている。
As shown in FIGS. 8 to 10, a pair of pulleys 80 and 81 are attached to the upper and lower ends substantially at the center of one of the vertical walls 71. An endless belt 82 for vertical drive is stretched between them. The transfer base 77 of the wafer transfer body 73 is connected to the vertical drive belt 82 via a belt clamp 83. The lower pulley 80 is connected to a drive shaft 84a of a drive motor 84 fixedly arranged on the bottom surface of the cylindrical support 70, and forms a drive pulley. As shown in FIGS. 9 and 10, a pair of guide rails 85 are provided at right and left end portions inside the vertical wall portion 71 so as to extend in the vertical direction.
A pair of horizontal support bars 86 protruding from the side surface of the transport base 77
Sliders 87 respectively provided at the tips of the guide rails slidably engage with both guide rails 85. With such a vertical belt driving mechanism and a vertical slider mechanism, the wafer transfer body 73 can be moved up and down in the vertical direction by the driving force of the driving motor 84.

【0048】また、図9及び図10に示すように、垂直
壁部71の内側の中央部と一方のガイドレール85との
間にはロッドレスシリンダ88が垂直方向に延在して立
設されている。このロッドレスシリンダ88の外側に遊
動可能に嵌装されている円筒状の可動部88aは、水平
支持棒86を介してウエハ搬送体73の搬送基台77に
連結されている。可動部88aはシリンダ88の内部に
摺動可能に挿入されるピストン(図示せず)と磁気的に
結合しているので、可動部88aを介してウエハ搬送体
73とピストンとが同時に移動可能なように作動するこ
とができる。シリンダ88の下端ポート88bには、レ
ギュレータ89よりウエハ搬送体73の重量にほぼ等し
い力が発生するような圧力で圧縮空気が配管90を介し
て供給される。なお、シリンダ88の上端のポート88
cは大気に開放されている。
As shown in FIGS. 9 and 10, a rodless cylinder 88 extends vertically between a central portion inside the vertical wall portion 71 and one of the guide rails 85. ing. A cylindrical movable portion 88 a movably fitted outside the rodless cylinder 88 is connected to a transfer base 77 of the wafer transfer body 73 via a horizontal support bar 86. Since the movable portion 88a is magnetically coupled to a piston (not shown) slidably inserted into the cylinder 88, the wafer carrier 73 and the piston can be simultaneously moved via the movable portion 88a. Can be operated as follows. Compressed air is supplied to the lower end port 88b of the cylinder 88 from the regulator 89 through the pipe 90 at a pressure that generates a force substantially equal to the weight of the wafer transfer body 73. The port 88 at the upper end of the cylinder 88
c is open to the atmosphere.

【0049】このようにウエハ搬送体73の重量がシリ
ンダ88の揚力によってキャンセルされているため、ウ
エハ搬送体73の重力の影響を受けることなく、高速度
で上昇移動できるようになっている。更に、万一、駆動
ベルト82が切れた場合でも、ウエハ搬送体73はシリ
ンダ88の揚力によってその位置に保持され、重力で落
下する虞れはない。したがって、ウエハ搬送体73や筒
状支持体70が破損する虞れはない。
Since the weight of the wafer carrier 73 is canceled by the lift of the cylinder 88, the wafer carrier 73 can move upward at a high speed without being affected by the gravity of the wafer carrier 73. Furthermore, even if the drive belt 82 breaks, the wafer carrier 73 is held at that position by the lift of the cylinder 88, and there is no danger of falling by gravity. Therefore, there is no possibility that the wafer carrier 73 or the cylindrical support 70 is damaged.

【0050】また、図7、図9及び図11に示すよう
に、他方の垂直壁部72の内側の中央部及び両端部に
は、ウエハ搬送体73に電力及び制御信号を供給するた
めの可撓性のケーブルベア91を垂直方向に延在させて
収容するスリーブ92が設けられている。中央部の2つ
のスリーブ92の相対向する外側面は垂直ガイド93を
構成しており、この垂直ガイド93で搬送基台77の側
面に突設されたスライダ94が案内されるようになって
いる。なお、図7に示すように、筒状支持体70の上面
には回転中心軸70aの両側に一対の開口70bが設け
られ、上記したダウンフローの清浄空気がこれら開口7
0bを通って主ウエハ搬送機構21内に流入するように
なっている。このダウンフローの清浄空気によってウエ
ハ搬送体73の昇降移動空間は常時清浄に保たれる。
As shown in FIG. 7, FIG. 9 and FIG. 11, a central portion and both ends inside the other vertical wall portion 72 are provided with a power supply and a control signal for supplying the wafer carrier 73 with the power. A sleeve 92 is provided for accommodating the flexible cable carrier 91 extending in the vertical direction. Opposing outer surfaces of the two sleeves 92 at the center constitute a vertical guide 93, and the vertical guide 93 guides a slider 94 projecting from the side surface of the transport base 77. . As shown in FIG. 7, a pair of openings 70b are provided on both sides of the rotation center shaft 70a on the upper surface of the cylindrical support 70, and the above-described clean air of the downflow flows through these openings 7a.
0b, and flows into the main wafer transfer mechanism 21. The down-flow clean air keeps the vertical moving space of the wafer carrier 73 clean at all times.

【0051】また、両垂直壁部71,72の内側には、
図9に示すように、垂直仕切板71a,72aが設けら
れており、これら垂直仕切板71a,72aの裏側と垂
直壁部71,72とでダクト71b,72bが形成され
ている。これらのダクト71b,72bは、垂直仕切板
71a,72aに一定の間隔をおいて取り付けられてい
る複数のファン95を介して垂直壁部71,72の内側
空間に連通している。これにより、垂直駆動ベルト8
2、ロッドレスシリンダ88、ケーブルベア91等の可
動体より発生した塵埃はファン95によってダクト71
b,72b側へ排出されるようになっている。
Also, inside the vertical wall portions 71 and 72,
As shown in FIG. 9, vertical partition plates 71a and 72a are provided, and ducts 71b and 72b are formed by the back sides of the vertical partition plates 71a and 72a and the vertical wall portions 71 and 72. These ducts 71b, 72b communicate with the inner space of the vertical wall portions 71, 72 via a plurality of fans 95 attached to the vertical partition plates 71a, 72a at fixed intervals. Thereby, the vertical drive belt 8
2. Dust generated from a movable body such as a rodless cylinder 88, a cable bear 91, etc.
b, 72b.

【0052】また、図8及び図9に示すように、ウエハ
搬送体73においても、搬送基台77の内部空間がファ
ン96及び水平支持棒86の内部の孔を介して垂直壁部
71,72の内側空間に連通している。これにより、搬
送基台77に内蔵されているピンセット駆動モータ及び
ベルト等で発生した塵埃もダクト71b,72b側へ排
出することができる。
As shown in FIGS. 8 and 9, also in the wafer transfer body 73, the internal space of the transfer base 77 is formed by the vertical walls 71, 72 through the holes in the fan 96 and the horizontal support rod 86. Communicates with the inside space of As a result, dust generated by the tweezers driving motor and the belt and the like built in the transport base 77 can also be discharged to the ducts 71b and 72b.

【0053】次に、上記処理システムにおいてウエハW
が一連の処理を受けるときのウエハ搬送動作について説
明する。まず、カセットステーション10において、ウ
エハ搬送用ピンセット4がカセット載置台2上の未処理
のウエハWを収容しているカセット1にアクセスして、
そのカセット1から1枚のウエハWを取り出す。ウエハ
搬送用ピンセット4は、カセット1よりウエハWを取り
出すと、処理ステーション20側の第3の組G3の多段
ユニット内に配置されているアライメントユニット(A
LIM)まで移動し、ユニット(ALIM)内のウエハ
載置台24上にウエハWを載せる。ウエハWは、ウエハ
載置台24上でオリフラ合せ及びセンタリングを受け
る。その後、主ウエハ搬送機構21のウエハ搬送体73
がアライメントユニット(ALIM)に反対側からアク
セスし、ウエハ載置台24からウエハWを受け取る。
Next, in the above processing system, the wafer W
A wafer transfer operation when the device receives a series of processes will be described. First, in the cassette station 10, the wafer transfer tweezers 4 accesses the cassette 1 containing unprocessed wafers W on the cassette mounting table 2,
One wafer W is taken out of the cassette 1. When the wafer W is taken out of the cassette 1, the wafer transfer tweezers 4 aligns the alignment unit (A) disposed in the multistage unit of the third set G 3 on the processing station 20 side.
LIM), and places the wafer W on the wafer mounting table 24 in the unit (ALIM). The wafer W undergoes orientation flat alignment and centering on the wafer mounting table 24. Thereafter, the wafer transfer body 73 of the main wafer transfer mechanism 21
Accesses the alignment unit (ALIM) from the opposite side, and receives the wafer W from the wafer mounting table 24.

【0054】処理ステーション20において、主ウエハ
搬送機構21はウエハWを最初に第3の組G3の多段ユ
ニットに属するアドヒージョンユニット(AD)に搬入
する。このアドヒージョンユニット(AD)内でウエハ
Wはアドヒージョン処理を受ける。アドヒージョン処理
が終了すると、主ウエハ搬送機構21は、ウエハWをア
ドヒージョンユニット(AD)から搬出して、次に第3
の組G3又は第4の組G4の多段ユニットに属するクーリ
ングユニット(COL)へ搬入する。このクーリングユ
ニット(COL)内でウエハWはレジスト塗布処理前の
設定温度例えば23℃まで冷却される。冷却処理が終了
すると、主ウエハ搬送機構21は、ピンセット78Aに
よりウエハWをクーリングユニット(COL)から搬出
し、次に第1の組G1又は第2の組G2の多段ユニットに
属するレジスト塗布ユニット(COT)へ搬入する。こ
のレジスト塗布ユニット(COT)内でウエハWはスピ
ンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを
塗布する。
In the processing station 20, the main wafer transfer mechanism 21 first loads the wafer W into the adhesion unit (AD) belonging to the multistage unit of the third set G3. The wafer W undergoes an adhesion process in the adhesion unit (AD). When the adhesion processing is completed, the main wafer transfer mechanism 21 unloads the wafer W from the adhesion unit (AD), and then performs the third
And the cooling unit (COL) belonging to the multi-stage unit of the set G3 or the fourth set G4. In the cooling unit (COL), the wafer W is cooled to a set temperature before the resist coating processing, for example, 23 ° C. When the cooling process is completed, the main wafer transfer mechanism 21 unloads the wafer W from the cooling unit (COL) by the tweezers 78A, and then moves the resist coating unit (a multi-stage unit of the first set G1 or the second set G2). (COT). In the resist coating unit (COT), the wafer W is coated with a resist having a uniform thickness on the wafer surface by a spin coating method.

【0055】レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ
搬送機構21は、ウエハWをレジスト塗布ユニット(C
OT)から搬出し、次にプリベーキングユニット(PR
EBAKE)内へ搬入する。プリベーキングユニット
(PREBAKE)内でウエハWは熱板(図示せず)上
に載置され、所定温度例えば100℃で所定時間加熱さ
れる。これによって、ウエハW上の塗布膜から残存溶剤
が蒸発除去される。プリベークが終了すると、主ウエハ
搬送機構21は、ウエハWをプリベーキングユニット
(PREBAKE)から搬出し、次に第4の組G4の多
段ユニットに属するエクステンション・クーリングユニ
ット(EXTCOL)へ搬送する。このユニット(CO
L)内でウエハWは次工程すなわち周辺露光装置33に
おける周辺露光処理に適した温度例えば24℃まで冷却
される。この冷却後、主ウエハ搬送機構21は、ウエハ
Wを直ぐ上のエクステンションユニット(EXT)へ搬
送し、このユニット(EXT)内の載置台(図示せず)
の上にウエハを載置する。このエクステンションユニッ
ト(EXT)の載置台上にウエハWが載置されると、イ
ンター・フェース部30のウエハ搬送アーム34が反対
側からアクセスして、ウエハWを受け取る。そして、ウ
エハ搬送アーム34はウエハWをインター・フェース部
30内の周辺露光装置33へ搬入する。ここで、ウエハ
Wはエッジ部に露光を受ける。
When the resist coating process is completed, the main wafer transfer mechanism 21 transfers the wafer W to the resist coating unit (C).
OT) and then pre-baking unit (PR
EBAKE). The wafer W is placed on a hot plate (not shown) in the prebaking unit (PREBAKE) and heated at a predetermined temperature, for example, 100 ° C. for a predetermined time. As a result, the remaining solvent is evaporated and removed from the coating film on the wafer W. When the pre-bake is completed, the main wafer transfer mechanism 21 unloads the wafer W from the pre-baking unit (PREBAKE), and then transfers the wafer W to the extension cooling unit (EXTCOL) belonging to the multi-stage unit of the fourth group G4. This unit (CO
In L), the wafer W is cooled to a temperature suitable for the next step, ie, a peripheral exposure process in the peripheral exposure device 33, for example, 24 ° C. After this cooling, the main wafer transfer mechanism 21 transfers the wafer W to the extension unit (EXT) immediately above, and a mounting table (not shown) in this unit (EXT).
Place the wafer on the top. When the wafer W is mounted on the mounting table of the extension unit (EXT), the wafer transfer arm 34 of the interface unit 30 accesses from the opposite side and receives the wafer W. Then, the wafer transfer arm 34 carries the wafer W into the peripheral exposure device 33 in the interface unit 30. Here, the wafer W is exposed at the edge.

【0056】周辺露光が終了すると、ウエハ搬送アーム
34は、ウエハWを周辺露光装置33から搬出し、隣接
する露光装置側のウエハ受取り台(図示せず)へ移送す
る。この場合、ウエハWは、露光装置へ渡される前に、
バッファカセット32に一時的に収納されることもあ
る。
When the peripheral exposure is completed, the wafer transfer arm 34 unloads the wafer W from the peripheral exposure device 33 and transfers it to the adjacent wafer receiving table (not shown) on the exposure device side. In this case, before the wafer W is transferred to the exposure apparatus,
It may be temporarily stored in the buffer cassette 32.

【0057】露光装置で全面露光が済んで、ウエハWが
露光装置側のウエハ受取り台に戻されると、インター・
フェース部30のウエハ搬送アーム34はそのウエハ受
取り台へアクセスしてウエハWを受け取り、受け取った
ウエハWを処理ステーション20側の第4の組G4の多
段ユニットに属するエクステンションユニット(EX
T)へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。この場合
にも、ウエハWは、処理ステーション20側へ渡される
前にインター・フェース部30内のバッファカセット3
2に一時的に収納されることもある。
When the wafer W is returned to the wafer receiving table on the side of the exposure device after the entire surface exposure by the exposure device is completed,
The wafer transfer arm 34 of the face section 30 accesses the wafer receiving table to receive the wafer W, and transfers the received wafer W to an extension unit (EX) belonging to the multistage unit of the fourth set G4 on the processing station 20 side.
T) and placed on a wafer receiving table. Also in this case, the wafer W is transferred to the buffer cassette 3 in the interface section 30 before being transferred to the processing station 20 side.
2 may be temporarily stored.

【0058】上記エクステンションユニット(EXT)
にウエハWが搬入されると、反対側から主ウエハ搬送機
構21がアクセスしてウエハWを受け取り、第1の組G
1又は第2の組G2の多段ユニットに属する現像ユニット
(DEV)に搬入する。この現像ユニット(DEV)内
では、ウエハWはスピンチャッの上に載せられ、例えば
スプレー方式により、ウエハ表面のレジストに現像液が
満遍なくかけられる。現像が終了すると、ウエハ表面に
リンス液がかけられて現像液が洗い落とされる。
The above extension unit (EXT)
When the wafer W is carried into the first set G, the main wafer transfer mechanism 21 accesses from the opposite side to receive the wafer W, and
The developing unit (DEV) belonging to the multistage unit of the first or second set G2 is carried in. In the developing unit (DEV), the wafer W is placed on a spin chuck, and the developing solution is evenly applied to the resist on the wafer surface by, for example, a spray method. When the development is completed, a rinsing liquid is applied to the wafer surface to wash away the developing liquid.

【0059】現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構
21は、ウエハWを現像ユニット(DEV)から搬出し
て、次に第3の組G3又は第4の組G4の多段ユニットに
属するポストベーキングユニット(POBAKE)へ搬
入する。このユニット(POBAKE)内でウエハWは
例えば100℃で所定時間加熱される。これによって、
現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上す
る。
When the developing process is completed, the main wafer transfer mechanism 21 unloads the wafer W from the developing unit (DEV), and then moves the post-baking unit belonging to the third set G3 or the fourth set G4 of the multistage unit. (POBAKE). In this unit (POBAKE), the wafer W is heated at, for example, 100 ° C. for a predetermined time. by this,
The resist swollen by development is hardened, and the chemical resistance is improved.

【0060】ポストベーキングが終了すると、主ウエハ
搬送機構21は、ウエハWをポストベーキングユニット
(POBAKE)から搬出し、次にいずれかのクーリン
グユニット(COL)へ搬入する。ここでウエハWが常
温に戻った後、主ウエハ搬送機構21は、次にウエハW
を第3の組G3に属するエクステンションユニット(E
XT)へ移送する。このエクステンションユニット(E
XT)の載置台(図示せず)上にウエハWが載置される
と、カセットステーション10側のウエハ搬送体73が
反対側からアクセスして、ウエハWを受け取る。そし
て、ウエハ搬送体73は、受け取ったウエハWをカセッ
ト載置台上の処理済みウエハ収容用のカセット1の所定
のウエハ収容溝に入れて処理が完了する。
When the post baking is completed, the main wafer transfer mechanism 21 unloads the wafer W from the post baking unit (POBAKE), and then loads the wafer W into any one of the cooling units (COL). Here, after the wafer W has returned to the normal temperature, the main wafer transfer mechanism 21
To the extension unit (E
XT). This extension unit (E
When the wafer W is mounted on a mounting table (not shown) of the XT), the wafer carrier 73 on the cassette station 10 accesses from the opposite side and receives the wafer W. Then, the wafer carrier 73 puts the received wafer W into a predetermined wafer accommodating groove of the processed wafer accommodating cassette 1 on the cassette mounting table, and the processing is completed.

【0061】上記のように主ウエハ搬送機構21を収容
する室22の周りに処理ユニットが多段配置され、主ウ
エハ搬送機構21は、各ユニットに対して筒状支持体7
0をθ方向に回転移動させると同時に、ウエハ搬送体7
3を垂直方向に移動させ、ピンセット78を水平のX方
向に前進・後退移動させて、ウエハWの受け取りを行う
ため、アクセス時間が短縮され。これにより、全行程の
処理時間が著しく短縮され、スループットが大幅に向上
する。また、システム全体の占有スペースを少なくする
ことができるので、クリーンルームコストを低廉にする
ことができる。
As described above, the processing units are arranged in multiple stages around the chamber 22 accommodating the main wafer transfer mechanism 21, and the main wafer transfer mechanism 21 is provided with a cylindrical support 7 for each unit.
0 is rotated in the θ direction, and
3 is moved in the vertical direction, and the tweezers 78 are moved forward and backward in the horizontal X direction to receive the wafer W, so that the access time is reduced. As a result, the processing time of the entire process is significantly reduced, and the throughput is greatly improved. Further, the space occupied by the entire system can be reduced, so that the cost of the clean room can be reduced.

【0062】また、主ウエハ搬送機構21を収容する室
22の上部から室22内に供給される清浄空気を、室2
2の下部から再び循環させる循環方式を採用するため、
主ウエハ搬送機構21から発生するパーティクルや、例
えばレジスト塗布ユニット(COT)等から発生する有
機汚染物等を処理システムの外部のクリーンルーム40
内に流出させることがないので、クリーンルーム40の
清浄度を高めることができると共に、クリーンルームの
寿命の増大を図ることができる。
The clean air supplied into the chamber 22 from the upper part of the chamber 22 accommodating the main wafer transfer mechanism 21 is supplied to the chamber 2.
In order to adopt a circulation system that circulates again from the lower part of 2,
Particles generated from the main wafer transfer mechanism 21 and organic contaminants generated from, for example, a resist coating unit (COT) are removed from a clean room 40 outside the processing system.
Since it does not flow into the inside, the cleanliness of the clean room 40 can be increased, and the life of the clean room can be extended.

【0063】しかも、室22内に供給される清浄空気が
各ユニットで消費した量を外気取入口57のダンパ58
を調節することによって補給し、室22内に常時一定量
の清浄空気を供給することができる。また、循環管路5
2に介設されるスリットダンパ56を調節して通気量を
調整することにより、室22内を外部のクリーンルーム
40に対して陽圧にすると共に、所定の圧力に維持する
ことができる。更には、循環管路52に介設される温度
コントローラ59によって室22内に供給される清浄空
気の温度を所定温度例えば23℃に維持することができ
る。したがって、室22内の雰囲気すなわち圧力、風量
及び温度を常に所定の値に設定することができ、処理シ
ステム内の各処理を好適に行うことができる。
Furthermore, the amount of clean air supplied into the chamber 22 consumed by each unit is determined by the damper 58 of the outside air inlet 57.
Is adjusted to supply a constant amount of clean air into the chamber 22 at all times. In addition, circulation line 5
By adjusting the amount of ventilation by adjusting the slit damper 56 interposed in the chamber 2, the inside of the chamber 22 can be maintained at a predetermined pressure while maintaining a positive pressure with respect to the external clean room 40. Further, the temperature of the clean air supplied into the chamber 22 by the temperature controller 59 provided in the circulation pipeline 52 can be maintained at a predetermined temperature, for example, 23 ° C. Therefore, the atmosphere, that is, the pressure, the air volume, and the temperature in the chamber 22 can always be set to predetermined values, and each processing in the processing system can be suitably performed.

【0064】なお、上記した実施形態における処理シス
テム内の各部の配置構成は一例であり、種々の変形が可
能である。例えば、上記した実施形態では、処理ステー
ション20内の多段ユニット構成において、第1及び第
2の組G1,G2はスピナ型処理ユニットをそれぞれ2段
に多段配置し、第3及び第4の組G3,G4はオーブン型
処理ユニット及びウエハ受渡しユニットをそれぞれ8段
に多段配置したが、これ以外の任意の段数が可能であ
り、1つの組の中にスピナ型処理ユニットとオーブン型
処理ユニット又はウエハ受渡しユニットとを混在させる
ことも可能である。また、スクラバユニット等の他の処
理ユニットを加えることも可能である。
The arrangement of each unit in the processing system in the above-described embodiment is merely an example, and various modifications are possible. For example, in the above-described embodiment, in the multi-stage unit configuration in the processing station 20, the first and second sets G1 and G2 each include multi-stage spinner type processing units arranged in two stages, and the third and fourth sets G3 and G3. , G4 have the oven type processing unit and the wafer transfer unit arranged in eight stages, respectively, but any other number of stages are possible, and the spinner type processing unit and the oven type processing unit or the wafer transfer unit are included in one set. It is also possible to mix units. It is also possible to add another processing unit such as a scrubber unit.

【0065】また、図1及び図2に示すように、処理ス
テーション20の両側に配置されるカセットステーショ
ン10とインター・フェース部30との相対位置関係を
左右逆に構成することも可能である。この場合、処理ス
テーション20に対してカセットステーション10とイ
ンター・フェース部30はそれぞれボルト等の結合手段
97によって着脱可能に連結されている。また、カセッ
トステーション10の正面部に取り付けられる制御パネ
ル100も着脱可能となっている。これにより、レイア
ウトの変更に対して容易に対応可能となる。例えば、露
光装置を左右どちら側に配置する場合でも対応できる。
また、新規の設計・製作も不要で、コストダウン化も図
れる。
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the relative positional relationship between the cassette station 10 and the interface unit 30 disposed on both sides of the processing station 20 can be reversed. In this case, the cassette station 10 and the interface 30 are detachably connected to the processing station 20 by connecting means 97 such as bolts. The control panel 100 attached to the front of the cassette station 10 is also detachable. Thereby, it is possible to easily cope with a change in the layout. For example, it is possible to cope with a case where the exposure apparatus is arranged on either the left or right side.
Also, no new design / production is required, and cost reduction can be achieved.

【0066】また、上記実施形態では、この発明に係る
処理装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに適
用した場合について説明したが、この発明の処理装置は
他の処理システムにも適用可能であり、被処理体も半導
体ウエハに限定されるものではなく、例えばLCD基
板、ガラス基板、CD基板、フォトマスク、プリント基
板、セラミック基板等の被処理体でも可能である。
In the above embodiment, the case where the processing apparatus according to the present invention is applied to a semiconductor wafer coating / developing processing system has been described. However, the processing apparatus according to the present invention can be applied to other processing systems. The object to be processed is not limited to a semiconductor wafer, but may be an object to be processed such as an LCD substrate, a glass substrate, a CD substrate, a photomask, a printed substrate, a ceramic substrate, or the like.

【0067】[0067]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained because of the configuration described above.

【0068】1)被処理体搬送手段を収容する室の上部
及び下部に設けられた給気口及び排気口に接続する循環
管路に、送風手段を介設することにより、被処理体搬送
手段を収容する空間に供給された空気を循環供給するこ
とができる。また、循環管路に風量調整手段を介して外
気取入口を設けることにより、供給後に処理ユニットで
消費された空気の補充を外気取入口から補給することに
より、被処理体搬送手段を収容する室内に供給された清
浄空気を外部に排気することなく有効に使用することが
できると共に、処理装置内に供給される空気量を一定に
することができる。したがって、清浄空気の有効利用が
図れると共に、処理装置の外部のクリーンルームの寿命
を増大することができる。
1) By providing an air blower in a circulation pipe connected to an air supply port and an exhaust port provided at an upper portion and a lower portion of a chamber accommodating the object transfer means, the object transfer means is provided. The air supplied to the space accommodating the air can be circulated and supplied. Further, by providing an outside air intake through the air flow adjusting means in the circulation pipeline, replenishment of the air consumed by the processing unit after the supply is supplied from the outside air intake, so that the room accommodating the object transfer means is provided. It is possible to effectively use the clean air supplied to the processing device without exhausting it to the outside, and to make the amount of air supplied into the processing apparatus constant. Therefore, the effective use of the clean air can be achieved, and the life of the clean room outside the processing apparatus can be increased.

【0069】2)循環管路に圧力調整手段を介設するこ
とにより、処理装置内に供給される空気量を一定にする
ことができると共に、処理装置内を外部に対して陽圧な
一定の圧力に保持することができるので、上記1)に加
えて室内の雰囲気を更に安定させることができ、処理能
力の向上を図ることができると共に、歩留まりの向上が
図れる。
2) By providing a pressure adjusting means in the circulation line, the amount of air supplied into the processing apparatus can be made constant, and the processing apparatus can be maintained at a constant positive pressure with respect to the outside. Since the pressure can be maintained, the atmosphere in the room can be further stabilized in addition to the above 1), so that the processing capacity can be improved and the yield can be improved.

【0070】3)循環管路に温度調整手段を介設するこ
とにより、処理装置内の温度を一定に保持することがで
きるので、上記1)、2)に加えて更に室内の雰囲気を
更に安定させることができ、更に処理能力の向上を図る
ことができると共に、歩留まりの向上が図れる。
3) Since the temperature in the processing apparatus can be kept constant by providing the temperature adjusting means in the circulation line, the indoor atmosphere can be further stabilized in addition to the above 1) and 2). The processing capacity can be further improved, and the yield can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の処理装置を具備する半導体ウエハの
レジスト液塗布・現像処理システムの一例の概略平面図
である。
FIG. 1 is a schematic plan view of an example of a system for applying and developing a resist solution for a semiconductor wafer provided with a processing apparatus of the present invention.

【図2】レジスト液塗布・現像処理システムの正面図で
ある。
FIG. 2 is a front view of a resist liquid application / development processing system.

【図3】レジスト液塗布・現像処理システムの背面図で
ある。
FIG. 3 is a rear view of the resist liquid application / development processing system.

【図4】上記処理システムにおける清浄空気の流れを示
す概略正面図である。
FIG. 4 is a schematic front view showing a flow of clean air in the processing system.

【図5】この発明の処理装置の要部を示し、その一部を
拡大して示す縦断面図である。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a main part of the processing apparatus of the present invention and showing a part thereof in an enlarged manner.

【図6】この発明における圧力調整手段の一例を示す要
部の断面図(a)及びその平面図(b)である。
FIGS. 6A and 6B are a cross-sectional view and a plan view of a main part showing an example of a pressure adjusting unit according to the present invention.

【図7】この発明における被処理体搬送手段の要部の構
成を示す概略斜視図である。
FIG. 7 is a schematic perspective view showing a configuration of a main part of the object transfer means in the present invention.

【図8】上記被処理体搬送手段の要部の構成を示す縦断
面図である。
FIG. 8 is a vertical sectional view showing a configuration of a main part of the object transfer means.

【図9】図8において矢印Aの向きに見た断面平面図で
ある。
FIG. 9 is a cross-sectional plan view in the direction of arrow A in FIG.

【図10】図8において矢印Bの向きに見た内側側面図
である。
10 is an inside side view as viewed in the direction of arrow B in FIG.

【図11】図8において矢印Cの向きに見た内側側面図
である。
11 is an inside side view seen in the direction of arrow C in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W 半導体ウエハ(被処理体) 10 カセットステーション 20 処理ステーション 30 インター・フェース部 21 主ウエハ搬送機構 22 室 25 給気口 26 排気口 40 クリーンルーム 51 送風ファン(送風手段) 52 循環管路 55 排気ファン 56 スリットダンパ(圧力調整手段) 57 外気取入口 58 ダンパ(風量調整手段) 59 温度コントローラ(温度調整手段) 60 CPU(制御手段) 61 圧力・風量センサ 62 温度センサ 71b,72b ダクト 78A〜78C ピンセット(搬送部材) 95 ファン W Semiconductor wafer (object to be processed) 10 Cassette station 20 Processing station 30 Interface unit 21 Main wafer transfer mechanism 22 Room 25 Air supply port 26 Exhaust port 40 Clean room 51 Blow fan (blower means) 52 Circulation line 55 Exhaust fan 56 Slit damper (pressure adjusting means) 57 Outside air intake 58 Damper (air flow adjusting means) 59 Temperature controller (temperature adjusting means) 60 CPU (control means) 61 Pressure / air flow sensor 62 Temperature sensor 71b, 72b Duct 78A-78C Tweezers (transportation) Members) 95 fans

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飽本 正己 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 菊陽事業 所内 (56)参考文献 特開 平7−180871(JP,A) 特開 平7−226382(JP,A) 特開 平3−97216(JP,A) 特開 昭64−738(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/02 H01L 21/30 H01L 21/68 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Masaki Atsumoto 2655 Tsukure, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Kikuyo Office (56) References JP-A-7-180871 (JP, A) JP-A-7-226382 (JP, A) JP-A-3-97216 (JP, A) JP-A-64-738 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/02 H01L 21/30 H01L 21/68

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 垂直及び水平方向に移動可能で垂直軸の
回りに回転可能な被処理体搬送手段と、 上記被処理体搬送手段の周囲に配置され、被処理体に一
連の処理を施す複数の処理部を垂直方向に多段に設けた
少なくとも1組の複数の枚葉処理ユニットと、 上記被処理体搬送手段を収容する室の上部及び下部に設
けられた給気口及び排気口に接続される循環管路と、 上記循環管路に介設される送風手段と、上記循環管路に風量調整手段を介して設けられる外気取
入口と、 を具備することを特徴とする処理装置。
An object transfer means movable in a vertical and horizontal direction and rotatable around a vertical axis, and a plurality of objects arranged around the object transfer means for performing a series of processes on the object to be processed. And a plurality of single-wafer processing units provided in multiple stages in the vertical direction, and connected to an air supply port and an exhaust port provided at an upper portion and a lower portion of a chamber accommodating the object transfer means. A circulation pipe, an air blowing means provided in the circulation pipe , and an outside air intake provided in the circulation pipe via an air flow adjusting means.
A processing apparatus, comprising: an inlet ;
【請求項2】 垂直及び水平方向に移動可能で垂直軸の
回りに回転可能な被処理体搬送手段と、 上記被処理体搬送手段の周囲に配置され、被処理体に一
連の処理を施す複数の処理部を垂直方向に多段に設けた
少なくとも1組の複数の枚葉処理ユニットと、 上記被処理体搬送手段を収容する室の上部及び下部に設
けられた給気口及び排気口に接続される循環管路と、 上記循環管路に介設される送風手段と、 上記排気口と循環管路の接続部に配設される排気ファン
と、 を具備することを特徴とする処理装置。
2. The apparatus according to claim 1 , wherein said movable means is movable in vertical and horizontal directions.
An object transporting means rotatable around, and an object disposed around the object transporting means;
Multiple processing units that perform consecutive processing are provided in multiple stages in the vertical direction
At least one pair of the plurality of sheet processing units, the upper and set at the bottom of the chamber for accommodating the workpiece conveying means
A circulation line connected to the supplied air supply port and the exhaust port, a blower provided in the circulation line, and an exhaust fan disposed in a connection portion between the exhaust port and the circulation line.
Processing apparatus characterized by the, the equipped.
【請求項3】 被処理体を保持して搬送する複数の搬送
部材を有し、垂直及び水平方向に移動可能で垂直軸の回
りに回転可能な被処理体搬送手段と、 上記被処理体搬送手段の周囲に配置され、被処理体に一
連の処理を施す複数の処理部を垂直方向に多段に設けた
少なくとも1組の複数の枚葉処理ユニットと、 上記被処理体搬送手段を収容する室の上部及び下部に設
けられた給気口及び排気口に接続される循環管路と、 上記循環管路に介設される送風手段と、 を具備することを特徴とする処理装置。
3. A plurality of conveyances for holding and conveying an object to be processed.
It has a member, it can move vertically and horizontally,
An object transporting means rotatable in parallel with the object to be processed;
Multiple processing units that perform consecutive processing are provided in multiple stages in the vertical direction
At least one pair of the plurality of sheet processing units, the upper and set at the bottom of the chamber for accommodating the workpiece conveying means
A processing apparatus comprising: a circulation pipe connected to the supplied air supply port and the exhaust port; and a blower provided in the circulation pipe .
【請求項4】 垂直及び水平方向に移動可能で垂直軸の
回りに回転可能な被処理体搬送手段と、 上記被処理体搬送手段の周囲に配置され、被処理体に一
連の処理を施す複数の処理部を垂直方向に多段に設けた
少なくとも1組の複数の枚葉処理ユニットと、 上記被処理体搬送手段を収容する室の上部及び下部に設
けられた給気口及び排気口に接続される循環管路と、 上記循環管路に介設される送風手段と、 上記室に垂直に沿って設けられるダクトと、 上記室内の空気を上記ダクト内に排出するファンと、 を具備することを特徴とする処理装置。
4. The apparatus according to claim 1, which is movable vertically and horizontally and has a vertical axis.
An object transporting means rotatable around, and an object disposed around the object transporting means;
Multiple processing units that perform consecutive processing are provided in multiple stages in the vertical direction
At least one pair of the plurality of sheet processing units, the upper and set at the bottom of the chamber for accommodating the workpiece conveying means
A circulation pipe connected to the supplied air supply port and the exhaust port, ventilation means interposed in the circulation pipe, a duct provided vertically along the chamber, And a fan that discharges the inside of the processing device.
【請求項5】 被処理体に対してレジスト塗布及び現像
処理を含む処理を行う処理ステーションと、 他のシステムとの間及び上記処理ステーションとの間で
上記被処理体の受け渡しを行う搬送部と、 上記処理ステーションとの間及び露光装置との間で上記
被処理体の受け渡しを行うインター・フェース部とを具
備し、 上記処理ステーションに、 垂直及び水平方向に移動可能で垂直軸の回りに回転可能
な被処理体搬送手段と、 上記被処理体搬送手段の周囲に配置され、被処理体に一
連の処理を施す複数の処理部を垂直方向に多段に設けた
少なくとも1組の複数の枚葉処理ユニットと、 上記被処理体搬送手段を収容する室の上部及び下部に設
けられた給気口及び排気口に接続される循環管路と、 上記循環管路に介設される送風手段と、 を具備することを特徴とする処理装置。
5. A processing station for performing processing including resist coating and development processing on an object to be processed, and a transport unit for transferring the object to and from another system and between the processing stations. An interface for transferring the object between the processing station and the exposure apparatus, wherein the processing station is movable in vertical and horizontal directions and rotated around a vertical axis. At least one set of a plurality of sheets provided with a plurality of processing units arranged around the object to be processed and provided in multiple stages in the vertical direction and arranged around the object to be processed and performing a series of processes on the object to be processed. A processing unit, a circulation pipe connected to an air supply port and an air exhaust port provided at an upper portion and a lower portion of the chamber accommodating the object transfer means, and a blower provided in the circulation pipe, Equipped with Processing apparatus according to claim Rukoto.
【請求項6】 請求項1ないしのいずれかに記載の処
理装置において、 上記循環管路に介設される圧力調整手段を更に具備する
ことを特徴とする処理装置。
In the processing apparatus according to any one of claims 6] claims 1 to 5, the processing apparatus characterized by further comprising a pressure regulating means is interposed the circulation line.
【請求項7】 請求項1ないしのいずれかに記載の処
理装置において、 上記循環管路に介設される温度調整手段を更に具備する
ことを特徴とする処理装置。
In the processing apparatus according to any one of claims 7] claims 1 to 6, processing device characterized by further comprising temperature adjusting means is interposed the circulation line.
【請求項8】 請求項記載の処理装置において、 上記排気口と循環管路の接続部に、排気ファンを配設し
たことを特徴とする処理装置。
8. The processing apparatus according to claim 5 , wherein an exhaust fan is provided at a connection between the exhaust port and the circulation pipe.
【請求項9】 請求項記載の処理装置において、 上記被処理体搬送手段は、被処理体を保持して搬送する
複数の搬送部材を具備することを特徴とする処理装置。
9. The processing apparatus according to claim 5, wherein the object transporting means includes a plurality of transport members that hold and transport the object to be processed.
【請求項10】 請求項記載の処理装置において、 上記室に垂直に沿うダクトを設けると共に、室内の空気
をダクト内に排出するファンを設けることを特徴とする
処理装置。
10. The processing apparatus according to claim 5, wherein a duct is provided along the chamber in a vertical direction, and a fan for exhausting room air into the duct is provided.
【請求項11】 請求項記載の処理装置において、 上記1組の枚葉処理ユニットを、レジスト塗布ユニット
及びレジストパターンを現像する現像ユニットを垂直方
向に重ねて設け、かつ、上記塗布ユニットが上記現像ユ
ニットの下になるように配置してなることを特徴とする
処理装置。
11. The processing apparatus according to claim 5 , wherein said one set of single-wafer processing units is provided with a resist coating unit and a developing unit for developing a resist pattern superposed in a vertical direction, and wherein said coating unit is A processing apparatus characterized by being arranged below a developing unit.
【請求項12】 請求項記載の処理装置において、 上記1組の枚葉処理ユニットを、被処理体のアライメン
トを行うアライメントユニット、被処理体をベークする
ベーキングユニット、被処理体を冷却するクーリングユ
ニット、被処理体にアドヒージョンを行うアドヒージョ
ンユニット及びエクステンションユニットの1部又は全
部を垂直方向に多段に設け、かつ、上記クーリングユニ
ットがベーキングユニットの下になるように配置してな
ることを特徴とする処理装置。
12. The processing apparatus according to claim 5, wherein the one set of single-wafer processing units includes: an alignment unit for performing alignment of a processing target; a baking unit for baking the processing target; and cooling for cooling the processing target. A unit, part or all of an adhesion unit and an extension unit for performing adhesion to an object to be processed are provided in multiple stages in the vertical direction, and the cooling unit is arranged below the baking unit. Processing equipment.
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