JP7316102B2 - Wafer transfer device - Google Patents

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Description

本発明は、ウエハ搬送装置に関し、特に、局所的にクリーン化されたクリーン室内にウエハを搬送する搬送機構部が収容されたウエハ搬送装置に関する。 The present invention relates to a wafer transfer apparatus, and more particularly to a wafer transfer apparatus in which a transfer mechanism for transferring wafers is housed in a locally cleaned clean room.

特開2004-165331号公報(特許文献1)には、ウエハを搬送するハンドリングユニットを備えるウエハ搬送室と、ウエハ搬送室の天井に設けられたファンフィルタユニットと、ウエハ搬送室の床面に設けられた複数の開口と、を有し、ウエハ搬送室の室内をクリーン化する局所クリーン化搬送室が記載される。 Japanese Patent Laying-Open No. 2004-165331 (Patent Document 1) discloses a wafer transfer chamber equipped with a handling unit for transferring wafers, a fan filter unit provided on the ceiling of the wafer transfer chamber, and a fan filter unit provided on the floor of the wafer transfer chamber. A local cleaning transfer chamber having a plurality of openings formed therein for cleaning the interior of the wafer transfer chamber is described.

特開2004-165331号公報JP-A-2004-165331

ウエハ搬送装置は、ウエハの搬送作業を行う空間を局所的にクリーン化するクリーン室を備える。クリーン室は、天井部からクリーンな気体を連続的に供給し、天井部から底部に向かう気流(ダウンフローと呼ぶ)を形成する。このため、クリーン室の天井部には、ファンおよびフィルタが一体化された、ファンフィルタユニットが配置され、ファンフィルタユニットを介してクリーン室内に気体を供給する。 A wafer transfer apparatus includes a clean room for locally cleaning a space in which a wafer transfer operation is performed. The clean room continuously supplies clean gas from the ceiling to form an airflow (called downflow) from the ceiling to the bottom. For this reason, a fan filter unit, in which a fan and a filter are integrated, is arranged on the ceiling of the clean room, and gas is supplied into the clean room via the fan filter unit.

本願発明者の検討によれば、上記のように、ダウンフローを形成することにより、ウエハの搬送作業を行う空間を局所的にクリーン化するウエハ搬送装置には改善の余地があることが判った。例えば、フィルタを介してクリーン室に気体を供給する場合、フィルタを定期的に交換する必要がある。ところが、クリーン室の天井部にファンフィルタユニットが配置される構造の場合、体積が大きく、かつ、重いファンフィルタユニットを一括して交換する必要があるので、大掛かりな作業が必要になる。 According to the study of the inventors of the present application, it was found that there is room for improvement in the wafer transfer apparatus that locally cleans the space in which the wafer transfer operation is performed by forming the down flow as described above. . For example, when gas is supplied to the clean room through a filter, the filter must be replaced periodically. However, in the case of the structure in which the fan filter units are arranged on the ceiling of the clean room, it is necessary to replace the large and heavy fan filter units all at once, which requires large-scale work.

本願において開示される発明のうち、代表的な形態の概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。 A brief outline of a representative form of the invention disclosed in the present application is as follows.

すなわち、本発明の一実施の形態であるウエハ搬送装置は、ウエハを搬送する搬送機構部と、天井部、前記天井部と対向する底部、および前記天井部と前記底部との間に位置し、前記搬送機構部の周囲を囲む側壁部、を備えるクリーン室と、前記クリーン室の前記天井部側から前記底部側に向かう気流を形成するファンと、を有する。前記クリーン室の前記底部には、前記ファンを介して前記クリーン室の内部の気体を外部に排出する第1開口部が設けられる。前記クリーン室の前記天井部には、第2開口部が設けられ、かつ、前記ファンは設けられない。前記第2開口部には、フィルタが取り付けられる。 That is, a wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention includes a transfer mechanism portion for transferring a wafer, a ceiling portion, a bottom portion facing the ceiling portion, and positioned between the ceiling portion and the bottom portion, The clean room includes a side wall portion surrounding the transfer mechanism portion, and a fan that forms an air flow from the ceiling portion side to the bottom portion side of the clean room. The bottom of the clean room is provided with a first opening through which gas inside the clean room is discharged to the outside through the fan. The ceiling of the clean room is provided with a second opening and is not provided with the fan. A filter is attached to the second opening.

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。 Among the inventions disclosed in the present application, the effects obtained by representative ones are briefly described below.

すなわち、ウエハ搬送装置に設けられたフィルタの交換作業を容易に行うことができる。 That is, it is possible to easily replace the filter provided in the wafer transfer device.

上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。 Problems, configurations, and effects other than those described above will be clarified by the following description of the embodiments.

一実施の形態であるウエハ搬送装置の構成例を示す透視平面図である。1 is a perspective plan view showing a configuration example of a wafer transfer device according to an embodiment; FIG. 図1のA-A線に沿った断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1; 図1のB-B線に沿った拡大断面図である。2 is an enlarged cross-sectional view taken along line BB of FIG. 1; FIG. 図1に示すロボットの拡大平面図である。2 is an enlarged plan view of the robot shown in FIG. 1; FIG. 図2に示すウエハ搬送装置に対する検討例であるウエハ搬送装置を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a wafer transfer device that is a study example of the wafer transfer device shown in FIG. 2 ; 図2に示すウエハ搬送装置の変形例を示す断面図である。3 is a cross-sectional view showing a modification of the wafer transfer device shown in FIG. 2; FIG. 図6に示すウエハ搬送装置の変形例を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a modification of the wafer transfer device shown in FIG. 6; 図2に示すウエハ搬送装置の他の変形例を示す断面図である。3 is a cross-sectional view showing another modification of the wafer transfer device shown in FIG. 2; FIG. 図8に示すウエハ搬送装置の変形例を示す断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing a modification of the wafer transfer device shown in FIG. 8; 図6に示すウエハ搬送装置の排気構造と、図9に示すウエハ搬送装置の吸気構造とを組み合わせたウエハ搬送装置を示す拡大側面図である。10 is an enlarged side view showing a wafer transfer device in which the exhaust structure of the wafer transfer device shown in FIG. 6 and the intake structure of the wafer transfer device shown in FIG. 9 are combined; FIG.

以下の実施の形態を説明するための各図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。 In each drawing for explaining the following embodiments, the same members are basically denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof will be omitted. In order to make the drawing easier to understand, even a plan view may be hatched.

<ウエハ搬送装置の概要>
図1は、本実施の形態のウエハ搬送装置の構成例を示す透視平面図である。図2は、図1のA-A線に沿った断面図である。図3は図1のB-B線に沿った拡大断面図である。図4は、図1に示すロボットの拡大平面図である。図1では、図2および図3に示すフィルタ50を取り除いた状態で、クリーン室30の内部構造を示している。また、図1では、見易さのため、図2および図3に示すファン40の図示を省略しているが、複数の開口部32Hのそれぞれの内側に、図2および図3に示すファン40が配置されている。図1では、ロボット20の移動方向、および回転動作の方向を太い矢印を用いて模式的に示している。図2および図3では、クリーン室30内における気流の向きを、二点鎖線の矢印を用いて模式的に示している。図4では、ロボット20が備えるハンド部22の動作を矢印および二点鎖線を用いて示している。
<Overview of Wafer Transfer Device>
FIG. 1 is a perspective plan view showing a configuration example of a wafer transfer apparatus according to this embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view along line AA of FIG. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view taken along line BB of FIG. 4 is an enlarged plan view of the robot shown in FIG. 1. FIG. 1 shows the internal structure of the clean room 30 with the filter 50 shown in FIGS. 2 and 3 removed. 1, the illustration of the fan 40 shown in FIGS. 2 and 3 is omitted for clarity, but the fan 40 shown in FIGS. are placed. In FIG. 1, the direction of movement and the direction of rotational motion of the robot 20 are schematically indicated by thick arrows. In FIGS. 2 and 3, the direction of the airflow in the clean room 30 is schematically shown using two-dot chain arrows. In FIG. 4, the operation of the hand unit 22 provided in the robot 20 is indicated using arrows and chain double-dashed lines.

図1に示す本実施の形態のウエハ搬送装置10は、ウエハ1を搬送する搬送機構部としてのロボット(搬送機構部)20と、ロボット20が収容されるクリーン室30と、を有する。図2に示すように、クリーン室30は、天井部31、天井部31と対向する底部32、および天井部31と底部32との間に位置し、ロボット20の周囲を囲む側壁部33を備える。また、ウエハ搬送装置10は、クリーン室30の天井部31側から底部32側に向かう気流を形成するファン40と、クリーン室30に外部から流入する気体に含まれる塵などの粒子をフィルタリングする機能を備えるフィルタ50と、を有する。 A wafer transfer apparatus 10 of the present embodiment shown in FIG. 1 has a robot (transfer mechanism section) 20 as a transfer mechanism section for transferring the wafer 1, and a clean room 30 in which the robot 20 is accommodated. As shown in FIG. 2, the clean room 30 includes a ceiling portion 31, a bottom portion 32 facing the ceiling portion 31, and a side wall portion 33 positioned between the ceiling portion 31 and the bottom portion 32 and surrounding the robot 20. . Further, the wafer transfer apparatus 10 has a fan 40 that forms an air flow from the ceiling 31 side of the clean room 30 to the bottom 32 side, and a function of filtering particles such as dust contained in the gas that flows into the clean room 30 from the outside. and a filter 50 comprising:

半導体装置の製造工程には、半導体基板としてのウエハ1上に、半導体素子を含む集積回路を形成する工程や、形成された集積回路の検査、あるいは半導体基板としてのウエハ1自身の検査など、種々の工程が含まれる。また、集積回路は、例えばフォトリソグラフィ技術を利用して微細な回路パターンとして形成されるので、集積回路を形成する工程には多数の工程が含まれる。また、ウエハ1に異物が付着すると、その大きさが微細な塵などの粒子であっても、回路パターンの欠陥の原因となる場合がある。回路パターンの欠陥が検査で発見された場合、当該箇所を製品としないことで、欠陥品の流通を防止できるが、一つのウエハ1から取得できる半導体装置の数が減少する。この結果、半導体装置の製造効率が低下する原因になる。なお、以下の説明において、ウエハ1に異物が付着することを「汚染」と記載する場合がある。 The manufacturing process of a semiconductor device includes a process of forming an integrated circuit including a semiconductor element on a wafer 1 as a semiconductor substrate, inspection of the formed integrated circuit, inspection of the wafer 1 itself as a semiconductor substrate, and the like. includes the process of In addition, since an integrated circuit is formed as a fine circuit pattern using, for example, photolithography technology, the process of forming an integrated circuit includes a large number of steps. In addition, when a foreign substance adheres to the wafer 1, even fine particles such as dust may cause defects in the circuit pattern. If a defect in the circuit pattern is found in the inspection, the defect can be prevented from being distributed by excluding the defective part as a product, but the number of semiconductor devices obtained from one wafer 1 is reduced. As a result, the manufacturing efficiency of the semiconductor device is lowered. In the following description, adhesion of foreign matter to the wafer 1 may be referred to as "contamination".

そこで、ウエハ1に異物が付着することを防止するため、ウエハ1をハンドリングする場所には、雰囲気中に含まれる粒子(パーティクル)の数が少なくなるように制御された、クリーンな環境が要求される。ただし、半導体装置の製造工程には、種々の製造装置が用いられるので、多数の製造装置を含む製造ライン全体の雰囲気を高レベルのクリーン環境にすることは難しい。そこで、本実施の形態のウエハ搬送装置10のように、局所的にクリーン化されたクリーン室30を設け、このクリーン室30内においてウエハ1のハンドリングを行う方法が有効である。このように、ウエハ1が搬送機構部としてのロボット20により搬送される空間を局所的にクリーン化する装のことを、ミニエンバイロンメント装置と呼ぶ。 Therefore, in order to prevent foreign substances from adhering to the wafer 1, a clean environment controlled to reduce the number of particles contained in the atmosphere is required in the place where the wafer 1 is handled. be. However, since various types of manufacturing equipment are used in the manufacturing process of semiconductor devices, it is difficult to create a high-level clean environment for the atmosphere of the entire manufacturing line including a large number of manufacturing equipment. Therefore, it is effective to provide a locally cleaned clean room 30 and handle the wafer 1 in the clean room 30 as in the wafer transfer apparatus 10 of the present embodiment. Such a device for locally cleaning the space in which the wafer 1 is transferred by the robot 20 as a transfer mechanism is called a mini-environment device.

ミニエンバイロンメント装置を用いた半導体装置の製造方法では、ウエハ1は、FOUP(Front Opening Unified Pod)と呼ばれる格納容器2に収容された状態で、製造装置間を搬送される。格納容器2は、複数枚のウエハ1を収容可能な容器である。ウエハ搬送装置10が備えるロボット20は、格納容器2からウエハ1を1枚ずつ取出し、取り出したウエハ1を処理室3に搬送する。処理室3は、ウエハ搬送装置10とは別に、クリーン化された空間であって、内部に例えば検査装置などの処理装置4が配置されている。 In a semiconductor device manufacturing method using a mini-environment apparatus, a wafer 1 is transported between manufacturing apparatuses in a container 2 called a FOUP (Front Opening Unified Pod). The storage container 2 is a container capable of containing a plurality of wafers 1 . A robot 20 provided in the wafer transfer apparatus 10 takes out the wafers 1 one by one from the storage container 2 and transfers the taken out wafers 1 to the processing chamber 3 . The processing chamber 3 is a clean space separate from the wafer transfer device 10, and a processing device 4 such as an inspection device is arranged therein.

また、図1に示す例では、ウエハ1は格納容器2から取り出された後、かつ、処理室3に搬送される前に、クリーン室30内に配置されるアライメントユニット(位置合わせ機構部)60において、アライメント工程に供される。アライメント工程は、ウエハ1の位置合わせを行う工程であって、例えばウエハ1が備えるオリエンタルフラットやノッチなどの図示しないマークに基づいてウエハ1の向きを調整する。アライメント工程を行うことにより、処理室3でウエハ1に対して加工や検査などの処理を行う際に、ウエハ1の所定の位置に処理を施すことができる。 In the example shown in FIG. 1, after the wafer 1 is taken out from the storage container 2 and before it is transferred to the processing chamber 3, an alignment unit (alignment mechanism) 60 is arranged in the clean chamber 30. , it is subjected to an alignment step. The alignment process is a process for aligning the wafer 1. For example, the orientation of the wafer 1 is adjusted based on marks (not shown) such as oriental flats and notches provided on the wafer 1. FIG. By performing the alignment process, when the wafer 1 is processed, inspected, or otherwise processed in the processing chamber 3, the wafer 1 can be processed at a predetermined position.

本実施の形態では、ウエハ搬送装置10には、格納容器2および処理室3は含まれない。クリーン室30の側壁部33には、格納容器2とロボット20との間、あるいは処理室3とロボット20との間でウエハ1の受け渡しを行う、開口部34および35(図3参照)が形成されている。図示は省略するが、開口部34には、開閉可能なシャッターなどの扉が設けられている。 In this embodiment, the wafer transfer apparatus 10 does not include the container 2 and the processing chamber 3 . A side wall portion 33 of the clean chamber 30 is formed with openings 34 and 35 (see FIG. 3) for transferring wafers 1 between the container 2 and the robot 20 or between the processing chamber 3 and the robot 20. It is Although not shown, the opening 34 is provided with a door such as a shutter that can be opened and closed.

図1に示す互いに直交するX-Y平面において、ロボット20は、X方向に延びる走行軸21に沿って移動可能である。図1では、ロボット20の移動可能な方向を方向20D1として太い矢印で示している。また、図1において、回転方向20D2として示すように、ロボット20は、走行軸21上において、X-Y平面に沿って回転可能である。 In the mutually orthogonal XY plane shown in FIG. 1, the robot 20 is movable along a traveling axis 21 extending in the X direction. In FIG. 1, the direction in which the robot 20 can move is indicated by a thick arrow as a direction 20D1. Further, in FIG. 1, the robot 20 is rotatable along the XY plane on the travel axis 21, as indicated by the rotation direction 20D2.

また、図4に示すように、ロボット20は、ウエハ1(図1参照)を保持するハンド部22と、ハンド部22に連結され、ハンド部22を伸縮動作させるアーム部23と、を備える。アーム部23およびハンド部22は、回転方向20D2(図1参照)に回転自在に構成されるステージ24上に取り付けられる。アーム部23は、複数の部材23mと、複数の部材23mを回転自在に連結する複数の関節部23jと、を備える。アーム部23は、関節部23jを回転軸として複数の部材23mの角度を変化させることにより、アーム部23に連結されるハンド部22を方向22D1に沿って伸縮動作させることができる。図4に示す例では、方向22D1は、Y方向と一致する。ただし、ステージ24が回転すれば、方向22D1がX-Y平面において、Y方向と交差する任意の方向と一致する場合がある。また、アーム部23およびハンド部22は、X-Y平面に対して直交する方向(図2および図3に示すZ方向)に沿って昇降動作させることが可能である。 Further, as shown in FIG. 4, the robot 20 includes a hand portion 22 that holds the wafer 1 (see FIG. 1), and an arm portion 23 that is connected to the hand portion 22 and causes the hand portion 22 to expand and contract. The arm portion 23 and the hand portion 22 are mounted on a stage 24 that is rotatable in a rotational direction 20D2 (see FIG. 1). The arm portion 23 includes a plurality of members 23m and a plurality of joint portions 23j that rotatably connect the plurality of members 23m. The arm portion 23 can extend and contract the hand portion 22 connected to the arm portion 23 along the direction 22D1 by changing the angles of the plurality of members 23m with the joint portion 23j as the rotation axis. In the example shown in FIG. 4, the direction 22D1 matches the Y direction. However, if the stage 24 rotates, the direction 22D1 may coincide with any direction crossing the Y direction on the XY plane. Also, the arm portion 23 and the hand portion 22 can be moved up and down along the direction perpendicular to the XY plane (the Z direction shown in FIGS. 2 and 3).

図1~3に示す本実施の形態のウエハ搬送装置10は、ロボット20を介して以下のようにウエハ1を搬送する。まず、ウエハ搬送装置10に格納用に2が接続される。図1ではウエハ搬送装置10に3個の格納容器2が接続された状態を示しているが、格納容器2の接続数は3個には限定されず、種々の変形例がある。格納容器2のそれぞれには複数のウエハ1が収容されている。格納容器2のそれぞれの内部は、清浄な状態に維持され、格納容器2の内部でウエハ1が汚染されることを防止できる。格納容器2は、必要に応じて開閉動作をさせることができる扉を備える。図3に示すように、格納容器2は、側壁部33に設けられた開口部34を介してクリーン室30の内部に連通する位置に接続される。 The wafer transfer apparatus 10 of this embodiment shown in FIGS. 1 to 3 transfers the wafer 1 via the robot 20 as follows. First, 2 is connected to the wafer transfer device 10 for storage. Although FIG. 1 shows a state in which three containers 2 are connected to the wafer transfer device 10, the number of connected containers 2 is not limited to three, and there are various modifications. A plurality of wafers 1 are accommodated in each storage container 2 . The inside of each storage container 2 is maintained in a clean state, and contamination of the wafers 1 inside the storage container 2 can be prevented. The containment vessel 2 has a door that can be opened and closed as needed. As shown in FIG. 3, the containment vessel 2 is connected to the inside of the clean room 30 through an opening 34 provided in the side wall 33 .

格納容器2からは、ウエハ1が1枚ずつ順に取り出される。ロボット20は、ハンド部22(図4参照)の先端が、格納容器2と対向する位置に移動した後、ハンド部22を伸縮動作させる。ハンド部22が方向22D1(図4参照)に沿って伸びると、ハンド部22の先端は、格納容器2内まで伸び、1枚のウエハ1を吸着保持する。ハンド部22は、ウエハ1を吸着した後、ウエハ1を保持したままステージ24(図4参照)に向かって縮むように動作する。その後、ロボット20は、ウエハ1を保持した状態で、アライメントユニット60に向かって移動する。 The wafers 1 are taken out one by one from the storage container 2 . After the tip of the hand portion 22 (see FIG. 4) moves to a position facing the container 2, the robot 20 causes the hand portion 22 to extend and contract. When the hand part 22 extends along the direction 22D1 (see FIG. 4), the tip of the hand part 22 extends into the storage container 2 and holds one wafer 1 by suction. After picking up the wafer 1 , the hand part 22 operates to contract toward the stage 24 (see FIG. 4 ) while holding the wafer 1 . After that, the robot 20 moves toward the alignment unit 60 while holding the wafer 1 .

ロボット20は、アライメントユニット60の前で図1に示す回転方向20D2に沿って回転動作し、ハンド部22(図4参照)の先端が、アライメントユニット60と対向する向きまで回転した後、回転動作を停止する。その後、ロボット20は、ハンド部22を伸縮動作させる。この時、ハンド部22の伸縮方向である方向22D1(図4参照)は、図1に示すX方向に沿っている。このため、ハンド部22の先端は、ウエハ1を保持した状態で、アライメントユニット60の上方に向かって延びる。アライメントユニット60上においてハンド部22によるウエハ1の保持は解除され、ウエハ1はアライメントユニット60上に配置される。アライメントユニット60上では、上記したように、ウエハ1が備えるオリエンタルフラットやノッチなどの図示しないマークに基づいてウエハ1の向きが調整される。向きが調整されたウエハ1は、再びロボット20のハンド部22によって保持される。アライメント工程が終わると、ロボット20はハンド部22を介してアライメント工程後のウエハ1を再び保持する。 The robot 20 rotates in front of the alignment unit 60 along the direction of rotation 20D2 shown in FIG. to stop. After that, the robot 20 causes the hand part 22 to extend and contract. At this time, the direction 22D1 (see FIG. 4), which is the extension and contraction direction of the hand portion 22, is along the X direction shown in FIG. Therefore, the tip of the hand portion 22 extends upward from the alignment unit 60 while holding the wafer 1 . The holding of the wafer 1 by the hand portion 22 on the alignment unit 60 is released, and the wafer 1 is placed on the alignment unit 60 . On the alignment unit 60, the orientation of the wafer 1 is adjusted based on marks (not shown) such as oriental flats and notches provided on the wafer 1, as described above. The wafer 1 whose orientation has been adjusted is again held by the hand section 22 of the robot 20 . After the alignment process is finished, the robot 20 again holds the wafer 1 after the alignment process via the hand part 22 .

次に、ロボット20は、アライメントユニット60の前で図1に示す回転方向20D2に沿って回転動作し、ハンド部22(図4参照)の先端が、処理室3と対向する向きまで回転した後、回転動作を停止する。その後、ロボット20は、開口部35(図3参照)とハンド部22の先端とが対向する位置まで方向20D1に沿って移動する。開口部35は、処理室3にウエハ1を受け渡す連通路である。開口部35とハンド部22の先端とが対向する位置において、ロボット20は、ハンド部22を伸縮動作させる。この時、ハンド部22の伸縮方向である方向22D1(図4参照)は、図1に示すY方向に沿っている。このため、ハンド部22の先端は、ウエハ1を保持した状態で、開口部35に向かって延びる。処理室3内に配置された処理装置4上において、ハンド部22によるウエハ1の保持は解除され、ウエハ1は処理装置4上に配置される。処理装置4では例えば検査工程などの処理工程が実施される。処理装置4による処理が終わると、ロボット20は、ハンド部22を介して処理工程後のウエハ1を再び保持する。 Next, the robot 20 rotates in front of the alignment unit 60 along the rotation direction 20D2 shown in FIG. , to stop the rotating motion. Thereafter, the robot 20 moves along the direction 20D1 to a position where the opening 35 (see FIG. 3) and the tip of the hand portion 22 face each other. The opening 35 is a communication passage for transferring the wafer 1 to the processing chamber 3 . At the position where the opening 35 and the tip of the hand portion 22 face each other, the robot 20 causes the hand portion 22 to extend and contract. At this time, the direction 22D1 (see FIG. 4), which is the extension and contraction direction of the hand portion 22, is along the Y direction shown in FIG. Therefore, the tip of the hand portion 22 extends toward the opening portion 35 while holding the wafer 1 . On the processing apparatus 4 arranged in the processing chamber 3 , the holding of the wafer 1 by the hand part 22 is released, and the wafer 1 is arranged on the processing apparatus 4 . In the processing device 4, a processing process such as an inspection process is performed. After the processing by the processing apparatus 4 is finished, the robot 20 again holds the wafer 1 after the processing step via the hand unit 22 .

次に、ロボット20は、開口部35の前で図1に示す回転方向20D2に沿って回転動作し、ハンド部22(図4参照)の先端が、格納容器2が接続された側壁部33と対向する向きまで回転した後、回転動作を停止する。その後、ロボット20は、開口部34(図3参照)とハンド部22の先端とが対向する位置まで方向20D1に沿って移動する。開口部34とハンド部22の先端とが対向する位置において、ロボット20は、ハンド部22を伸縮動作させる。この時、ハンド部22の伸縮方向である方向22D1(図4参照)は、図1に示すY方向に沿っている。このため、ハンド部22の先端は、ウエハ1を保持した状態で、開口部34を経由して格納容器2に向かって延びる。格納容器2内において、ハンド部22によるウエハ1の保持は解除され、ウエハ1は格納容器2内に配置される。 Next, the robot 20 rotates in front of the opening 35 along the rotation direction 20D2 shown in FIG. After rotating to the opposite direction, the rotating motion is stopped. After that, the robot 20 moves along the direction 20D1 to a position where the opening 34 (see FIG. 3) and the tip of the hand portion 22 face each other. At a position where the opening 34 and the tip of the hand portion 22 face each other, the robot 20 causes the hand portion 22 to extend and contract. At this time, the direction 22D1 (see FIG. 4), which is the extension and contraction direction of the hand portion 22, is along the Y direction shown in FIG. Therefore, the tip of the hand portion 22 extends toward the container 2 through the opening portion 34 while holding the wafer 1 . In the storage container 2 , the holding of the wafer 1 by the hand unit 22 is released, and the wafer 1 is placed in the storage container 2 .

以上の動作を繰り返し、格納容器2内に収容された複数枚のウエハ1のそれぞれに対して検査などの処理を施した後、格納容器2の扉は閉鎖される。また、開口部34(図3参照)は図示しないシャッターなどにより閉鎖される。その後、格納容器2は、次の処理工程に搬送される。一方、ウエハ搬送装置10は、別の格納容器2に収容された複数枚のウエハ1に対して、上記と同様の動作を行う。 After repeating the above operation and subjecting each of the plurality of wafers 1 accommodated in the storage container 2 to processing such as inspection, the door of the storage container 2 is closed. Further, the opening 34 (see FIG. 3) is closed by a shutter (not shown) or the like. The containment vessel 2 is then transported to the next processing step. On the other hand, the wafer transfer device 10 performs the same operation as above with respect to a plurality of wafers 1 accommodated in another storage container 2 .

上記した本実施の形態のウエハ搬送装置10は、クリーン室30内の環境を高度なクリーン環境に保つことで、ウエハ1が格納容器2から取り出され、処理室3に受け渡されるまでの期間(第1ウエハ搬送期間)、および処理室から取り出され、格納容器2に受け渡されるまでの期間(第2ウエハ搬送期間)に、ウエハ1に異物が付着することを抑制できる。また、第1および第2ウエハ搬送期間中に実施する作業を少なくすることにより、高度なクリーン環境が要求される空間の体積を小さくすることができる。クリーン環境が必要な空間の体積を低減すれば、クリーン化に必要な設備(ファンやフィルタ)を簡易化することができる。 The wafer transfer apparatus 10 of the present embodiment described above maintains the environment in the clean room 30 in a highly clean environment, so that the period ( It is possible to prevent foreign substances from adhering to the wafers 1 during the first wafer transfer period) and the period until the wafers are taken out of the processing chamber and transferred to the container 2 (second wafer transfer period). In addition, by reducing the number of operations performed during the first and second wafer transfer periods, the volume of the space requiring a highly clean environment can be reduced. By reducing the volume of the space that requires a clean environment, the equipment (fans and filters) required for cleanness can be simplified.

クリーン室30内の環境を高度なクリーン環境に保つ方法として、クリーン室30の天井部31から底部32に向かってクリーンな気体を流す気流(ダウンフローと呼ぶ)を形成する方法がある。図2および図3において、二点鎖線の矢印を用いて模式的に示すように、本実施の形態のウエハ搬送装置10も、天井部31から底部32に向かうダウンフローを形成している。詳しくは、クリーン室30の底部32には、ファン40を介してクリーン室30の内部の気体を外部に排出する開口部32Hが設けられる。クリーン室30の天井部31には、開口部31Hが設けられ、開口部31Hは、フィルタ50に覆われている。この場合、クリーン室30の外側の気体(例えば空気)は、フィルタ50を介してクリーン室30内に吸気され、ダウンフローとして底部32に向かい、底部32に設けられた開口部32Hを介して外部に排出される。 As a method of keeping the environment in the clean room 30 in a highly clean environment, there is a method of forming an air current (called down flow) that causes clean gas to flow from the ceiling 31 toward the bottom 32 of the clean room 30 . 2 and 3, the wafer transfer apparatus 10 of the present embodiment also forms a downward flow from the ceiling portion 31 to the bottom portion 32, as schematically shown by the double-dot chain arrows. Specifically, the bottom 32 of the clean room 30 is provided with an opening 32H for discharging the gas inside the clean room 30 to the outside via the fan 40 . An opening 31H is provided in the ceiling 31 of the clean room 30 and the opening 31H is covered with a filter 50 . In this case, the gas (for example, air) outside the clean room 30 is sucked into the clean room 30 through the filter 50, flows downward toward the bottom 32, and passes through the opening 32H provided in the bottom 32 to the outside. discharged to

上記方法によれば、ウエハ1が露出するクリーン室30において、ウエハ1に向かう気流は、常にフィルタ50を介してフィルタリングされるので、クリーンな気体である。また、仮にクリーン室30内で、例えばロボット20の動作に起因して塵などの粒子が発生した場合には、粒子はダウンフローに搬送され、開口部32Hから外部に排出される。したがって、クリーン室30の内部で発生した粒子が巻き上がってウエハ1に付着することを防止できる。 According to the above method, in the clean chamber 30 where the wafer 1 is exposed, the airflow directed toward the wafer 1 is always filtered through the filter 50, so the gas is clean. Also, if particles such as dust are generated in the clean room 30 due to the operation of the robot 20, the particles are conveyed downward and discharged to the outside from the opening 32H. Therefore, it is possible to prevent the particles generated inside the clean chamber 30 from rolling up and adhering to the wafer 1 .

ところで、図2に示す方法の場合、底部32に設けられた複数のファン40の排気力により、ダウンフローが形成される。この場合、クリーン室30は、クリーン室30の周囲の環境に対して陰圧(圧力が低い状態、負圧と呼ぶ場合もある)になる。したがってウエハ搬送装置10のクリーン室30には、高い気密性が要求される。クリーン室30の気密性が低い場合、開口部31H以外の隙間からフィルタ50を介さずに吸気されることが懸念される。この場合、クリーン室30内に予期しない異物が侵入する原因になる。ただし、開口部31H以外の隙間からの気体の侵入を防止する程度の気密性を維持することは可能である。 By the way, in the case of the method shown in FIG. 2, a down flow is formed by the exhaust force of the plurality of fans 40 provided on the bottom portion 32 . In this case, the clean room 30 has a negative pressure (low pressure state, sometimes referred to as negative pressure) with respect to the surrounding environment of the clean room 30 . Therefore, the clean room 30 of the wafer transfer apparatus 10 is required to have a high degree of airtightness. If the airtightness of the clean room 30 is low, there is a concern that air will be sucked in through gaps other than the opening 31H without passing through the filter 50 . In this case, foreign matter may enter the clean room 30 unexpectedly. However, it is possible to maintain airtightness to the extent that gas is prevented from entering through gaps other than the opening 31H.

また、本実施の形態のウエハ搬送装置10は、クリーン室30内が陰圧にはなるが、以下の点で優れた特性を有する。図5は、図2に示すウエハ搬送装置に対する検討例であるウエハ搬送装置を示す断面図である。図5に示すウエハ搬送装置11は、天井部31に複数のファン41が配置されている点、および底部32に、図2に示す複数のファン40が配置されていない点で、図2に示すウエハ搬送装置10と相違する。 Moreover, the wafer transfer apparatus 10 of the present embodiment has the following excellent characteristics, although the inside of the clean room 30 is kept at a negative pressure. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a wafer transfer apparatus which is a study example of the wafer transfer apparatus shown in FIG. The wafer transfer apparatus 11 shown in FIG. 5 is similar to that shown in FIG. It differs from the wafer transfer device 10 .

図2に示すクリーン室30内を陽圧にしようとする場合、図5に示すウエハ搬送装置11のように、天井部31に1個または複数個のファン41を設け、ファン41およびフィルタ50を介して開口部31H側からクリーンな気体を送り込む方法が考えられる。この場合、複数のファン41により供給される気体の流量を調整することにより、クリーン室30の内部を陽圧にすることができる。 2, one or more fans 41 are provided on the ceiling 31, and the fan 41 and the filter 50 are installed as in the wafer transfer apparatus 11 shown in FIG. A conceivable method is to feed clean gas from the opening 31H side through the opening 31H. In this case, by adjusting the flow rate of the gas supplied by the plurality of fans 41, the pressure inside the clean room 30 can be made positive.

ところが、ウエハ搬送装置11の場合、以下の課題がある。すなわち、フィルタ50を介してクリーン室30に気体を供給する場合、フィルタ50を定期的に交換する必要がある。ところが、クリーン室30の天井部31にファン41が配置される場合、フィルタ50に加え、ファン41を取り外す必要がある。天井部31にファン41を設ける場合、ファン41とフィルタ50とが一体化されたファンフィルタユニットが配置され、このファンフィルタユニットは、重量が重く、かつ体積が大きい。図5に対する変形例として、ファン41を複数台にせず、1台にする場合も考えられるが、この場合、1台のファン41が大型化するため、結果的にファンフィルタユニットの重量が重くなる。このように大型のファンフィルタユニットを交換するためには、大掛かりな作業が必要になる。つまり、ウエハ搬送装置11の場合、メンテナンス性が低いという課題がある。 However, the wafer transfer device 11 has the following problems. That is, when gas is supplied to the clean room 30 through the filter 50, the filter 50 needs to be replaced periodically. However, when the fan 41 is arranged in the ceiling portion 31 of the clean room 30 , the fan 41 must be removed in addition to the filter 50 . When the fan 41 is provided in the ceiling portion 31, a fan filter unit in which the fan 41 and the filter 50 are integrated is arranged, and this fan filter unit is heavy and bulky. As a modification to FIG. 5, it is conceivable to use only one fan 41 instead of a plurality of fans. . Large-scale work is required to replace such a large fan filter unit. In other words, the wafer transfer device 11 has a problem of low maintainability.

一方、図2に示すウエハ搬送装置10の場合、底部32に設けられたファン40により排気することでダウンフローを形成する構造なので、天井部31には、ファン41(図5参照)が設けられていない。言い換えれば、ウエハ搬送装置10の場合、ファン41などの強制送風機構を介さずに、開口部31Hから気体が供給される。さらに言い換えれば、開口部31Hからは、フィルタ50を介して自然吸気で気体が供給される。このため、フィルタ50を交換する場合、フィルタ50のみを交換すればファン40は交換する必要がないので、メンテナンス作業が容易である。また、ファン40の交換が必要な場合もあるが、ファン40の場合、底部32に配置されている。底部32に取り付けられた部材の交換作業は、天井部31に取り付けられた部材の交換作業と比較して容易である。したがって、ファン40を交換する場合でも、図5に示す複数のファン41およびフィルタ50を一括して交換する場合と比較すれば、作業は容易である。 On the other hand, in the case of the wafer transfer apparatus 10 shown in FIG. 2, since it is structured to form a downflow by exhausting air with a fan 40 provided in the bottom portion 32, the ceiling portion 31 is provided with a fan 41 (see FIG. 5). not In other words, in the case of the wafer transfer apparatus 10, gas is supplied from the opening 31H without using a forced air blowing mechanism such as the fan 41. FIG. In other words, the gas is naturally aspirated through the filter 50 from the opening 31H. Therefore, when replacing the filter 50, the fan 40 does not need to be replaced if only the filter 50 is replaced, which facilitates maintenance work. Also, the fan 40 may need to be replaced, but the fan 40 is located on the bottom 32 . Replacing the members attached to the bottom portion 32 is easier than replacing the members attached to the ceiling portion 31 . Therefore, even when the fan 40 is replaced, the work is easier than when the plurality of fans 41 and the filters 50 shown in FIG. 5 are replaced collectively.

また、ウエハ搬送装置10は、天井部31と対向する位置に配置される複数のファン40を有する。天井部31と対向する位置に複数のファン40を設けることで、ダウンフローの流れを制御し易い。また、ダウンフローの総流量は、複数のファン40によって排気される気体の流量の合計値として規定される。したがって、1台のファン40で、クリーン室30内全体の排気を行う場合と比較して複数のファン40のそれぞれを小型化できる。この結果、ファン40の重量を低減できる。また、底部32にファン40を設ける構造は、ファン40の排気側における静圧を低減することが好ましい。本実施の形態では、図2に示すように、ウエハ搬送装置10は、グレーチング(メッシュ形状)の床面FLの上に配置されている。図2に示すように、ウエハ搬送装置10が配置される床面FLに気体を排出する複数の開口部が設けられている場合、ファン40の排気側における静圧を低減することができるので、底部32に取り付けられた複数のファン40の送風特性の低下を抑制できる。 The wafer transfer device 10 also has a plurality of fans 40 arranged at positions facing the ceiling portion 31 . By providing a plurality of fans 40 at positions facing the ceiling portion 31, it is easy to control the flow of downflow. Also, the total flow rate of the downflow is defined as the sum of the flow rates of gases exhausted by the plurality of fans 40 . Therefore, each of the plurality of fans 40 can be miniaturized compared to the case where one fan 40 evacuates the entire inside of the clean room 30 . As a result, the weight of the fan 40 can be reduced. Moreover, the structure in which the fan 40 is provided on the bottom portion 32 preferably reduces the static pressure on the exhaust side of the fan 40 . In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the wafer transfer device 10 is arranged on a grating (mesh-shaped) floor surface FL. As shown in FIG. 2, when a plurality of openings for discharging gas are provided on the floor FL on which the wafer transfer device 10 is arranged, the static pressure on the exhaust side of the fan 40 can be reduced. It is possible to suppress deterioration in the blowing characteristics of the plurality of fans 40 attached to the bottom portion 32 .

ファン40が収容される開口部32Hのそれぞれは、図1に示すように、底部32(図2参照)において、行列状に配置される。図1に示す例では、X方向に沿って4列の開口部32Hが配列され、Y方向に沿って2行の開口部32Hが配列される。ロボット20の走行軸21は、Y方向において、互いに隣り合う開口部32Hの間の領域上に配置される。また、走行軸21は、Y方向において、互いに隣り合う開口部32Hのそれぞれの一部分に重なっている。この場合、ロボット20と格納容器2との間、あるいはロボット20と処理室3との間において、ウエハ1の受け渡しを行う際に、ウエハ1の直下の領域にファン40が配置される。また、複数の開口部32Hのうちの一部は、アライメントユニット60の一部と重なっている。この場合、ロボット20とアライメントユニット60との間において、ウエハ1の受け渡しを行う際に、ウエハ1の直下の領域にファン40が配置される。このように、ロボット20が他の装置との間でウエハ1の受け渡しを行う際に、ウエハ1の直下にファン40が配置される場合、ウエハ1の直下にダウンフローが形成されるので、ウエハ1の裏面側への異物の付着を防止し易い。 Each of the openings 32H in which the fan 40 is accommodated is arranged in a matrix on the bottom portion 32 (see FIG. 2), as shown in FIG. In the example shown in FIG. 1, four columns of openings 32H are arranged along the X direction, and two rows of openings 32H are arranged along the Y direction. The travel axis 21 of the robot 20 is arranged on the region between the openings 32H adjacent to each other in the Y direction. In addition, the traveling shaft 21 overlaps a part of each of the adjacent openings 32H in the Y direction. In this case, the fan 40 is arranged in the area directly below the wafer 1 when the wafer 1 is transferred between the robot 20 and the container 2 or between the robot 20 and the processing chamber 3 . A part of the plurality of openings 32H overlaps a part of the alignment unit 60. As shown in FIG. In this case, the fan 40 is arranged in a region directly below the wafer 1 when the wafer 1 is transferred between the robot 20 and the alignment unit 60 . In this way, when the robot 20 transfers the wafer 1 to and from another device, if the fan 40 is arranged directly below the wafer 1, a downflow is formed directly below the wafer 1, so that the wafer It is easy to prevent foreign matter from adhering to the back side of 1.

なお、ウエハ搬送装置10の場合、8個の開口部32Hを備え、その8個の開口部32Hのそれぞれにファン40が取り付けられている。ただし、開口部32Hの数および開口面積は、図1~図3の例には限定されない。開口部32Hの開口面積が大きい場合、大型のファン40を取り付けることができる。この場合、開口部32Hの数は、8個より少なくできる。また例えば、開口部32Hの開口面積を図1に示す例よりもさらに小さくした場合、開口部32Hの数が8個より多い場合がある。ウエハ搬送装置10の変形例には、開口部32Hおよびファン40の数が1個の装置も含まれる。ただし、クリーン室30内の気流をバランスよく制御する観点からは、開口部32Hおよびファン40が複数個配置されることが好ましい。 The wafer transfer apparatus 10 has eight openings 32H, and a fan 40 is attached to each of the eight openings 32H. However, the number and opening area of the openings 32H are not limited to the examples in FIGS. If the opening area of the opening 32H is large, a large fan 40 can be attached. In this case, the number of openings 32H can be less than eight. Further, for example, when the opening area of the openings 32H is made smaller than the example shown in FIG. 1, the number of openings 32H may be more than eight. Modifications of the wafer transfer device 10 also include a device having one opening 32H and one fan 40 . However, from the viewpoint of controlling the airflow in the clean room 30 in a well-balanced manner, it is preferable that a plurality of the openings 32H and the fans 40 are arranged.

<変形例1>
以下、図1~図4を用いて説明したウエハ搬送装置10の複数種類の変形例について説明する。図6は、図2に示すウエハ搬送装置の変形例を示す断面図である。図6に示すウエハ搬送装置10Aは、クリーン室30の天井部31側から底部32側に向かう気流を形成するファン40の取り付け位置が、図2に示すウエハ搬送装置10と相違する。
<Modification 1>
A plurality of variations of the wafer transfer apparatus 10 described with reference to FIGS. 1 to 4 will be described below. FIG. 6 is a sectional view showing a modification of the wafer transfer device shown in FIG. A wafer transfer apparatus 10A shown in FIG. 6 differs from the wafer transfer apparatus 10 shown in FIG. 2 in the mounting position of a fan 40 that forms an air flow from the ceiling 31 side to the bottom 32 side of the clean room 30 .

詳しくは、ウエハ搬送装置10Aの場合、底部32に設けられた開口部32Hには、複数の排気経路42が接続される。複数の排気経路42のそれぞれには、ファン40が接続される。複数のファン40のそれぞれは、クリーン室30(詳しくは、クリーン室30の側壁部33)から離れた位置に配置される。 Specifically, in the case of the wafer transfer apparatus 10A, a plurality of exhaust paths 42 are connected to the opening 32H provided in the bottom 32. As shown in FIG. A fan 40 is connected to each of the plurality of exhaust paths 42 . Each of the plurality of fans 40 is arranged at a position away from the clean room 30 (specifically, the side wall portion 33 of the clean room 30).

本変形例の場合、ファン40はクリーン室30から離れた位置に配置され、クリーン室30には、ファン40は取り付けられていない。このため、ファン40の回転動作に伴う振動が、クリーン室30に伝達され難いので、クリーン室30内での塵など粒子の発生を抑制できる。また、クリーン室30の外部にファン40が設けられている場合、ファン40の交換作業を容易に行うことができる。 In the case of this modified example, the fan 40 is arranged at a position away from the clean room 30 and the clean room 30 is not attached with the fan 40 . As a result, the vibration caused by the rotating operation of the fan 40 is less likely to be transmitted to the clean room 30, so that the generation of particles such as dust in the clean room 30 can be suppressed. Further, when the fan 40 is provided outside the clean room 30, the fan 40 can be easily replaced.

また、本変形例の場合、床面FLとクリーン室30の底部32との間の空間が排気経路42に接続される。このため、図2を用いて説明した例のように、床面FLがグレーチングになっているよりも、図6に示す床面FLのように、一様な平面になっていることが好ましい。 Further, in the case of this modification, the space between the floor surface FL and the bottom portion 32 of the clean room 30 is connected to the exhaust path 42 . Therefore, it is preferable that the floor surface FL is a uniform plane like the floor surface FL shown in FIG. 6 rather than the floor surface FL being grating as in the example described using FIG.

ウエハ搬送装置10Aの場合、クリーン室30の外部に配置されたファン40の排気力を利用してダウンフローを形成する。この場合、排気経路42に近い位置に配置される開口部32Hでは、排気経路42から遠い位置に配置される開口部32Hと比較して流量が多く成り易い。したがって、各開口部32Hの流量のバラつきを抑制する観点からは、排気経路42の数が多い方が良い。なお、各開口部32Hの流量のバラつきを抑制する観点からは、図2に示すウエハ搬送装置10のように、天井部31と対向する位置に複数のファン40が配置されていることが特に好ましい。図6に示すウエハ搬送装置10Aは、上記した相違点を除き、図2に示すウエハ搬送装置10と同様である。したがって、重複する説明は省略する。 In the case of the wafer transfer apparatus 10A, the exhaust force of the fan 40 arranged outside the clean room 30 is used to form a down flow. In this case, the opening 32</b>H located closer to the exhaust path 42 tends to have a larger flow rate than the opening 32</b>H located farther from the exhaust path 42 . Therefore, from the viewpoint of suppressing variation in the flow rate of each opening 32H, it is preferable that the number of exhaust paths 42 is large. From the viewpoint of suppressing variation in the flow rate of each opening 32H, it is particularly preferable to arrange a plurality of fans 40 at positions facing the ceiling 31, as in the wafer transfer apparatus 10 shown in FIG. . A wafer transfer apparatus 10A shown in FIG. 6 is the same as the wafer transfer apparatus 10 shown in FIG. 2 except for the differences described above. Therefore, overlapping explanations are omitted.

<変形例2>
図7は、図6に示すウエハ搬送装置の変形例を示す断面図である。図7に示すウエハ搬送装置10Bは、クリーン室30の天井部31側から底部32側に向かう気流を形成するファン40の取り付け位置が、図2に示すウエハ搬送装置10および図6に示すウエハ搬送装置10Aを組み合わせた構造になっている。
<Modification 2>
FIG. 7 is a sectional view showing a modification of the wafer transfer device shown in FIG. In the wafer transfer apparatus 10B shown in FIG. 7, the attachment position of the fan 40 that forms an air flow from the ceiling portion 31 side to the bottom portion 32 side of the clean room 30 is the wafer transfer apparatus 10 shown in FIG. 2 and the wafer transfer apparatus shown in FIG. It has a structure in which the device 10A is combined.

詳しくは、ウエハ搬送装置10Bの場合、ウエハ搬送装置10Bは、クリーン室30の底部32において、天井部31と対向する位置に配置される複数のファン40Aと、複数の排気経路42のそれぞれに接続され、クリーン室30から離れた位置に配置される複数のファン40Bと、を有する。ファン40Aの回転速度は、ファン40Bの回転速度より遅い。 Specifically, in the case of the wafer transfer device 10B, the wafer transfer device 10B is connected to a plurality of fans 40A arranged at a position facing the ceiling portion 31 in the bottom portion 32 of the clean room 30, and to a plurality of exhaust paths 42, respectively. and a plurality of fans 40</b>B arranged at a position distant from the clean room 30 . The rotation speed of the fan 40A is slower than the rotation speed of the fan 40B.

ウエハ搬送装置10Bの場合、主に、クリーン室30の外部に配置されたファン40Bの排気力を利用してダウンフローを形成する。また、天井部31と対向する開口部32H内に取り付けられた複数のファン40Aのそれぞれは、クリーン室30内の気流のバランスを調整する補助的なファンとして動作する。 In the case of the wafer transfer apparatus 10B, the exhaust force of the fan 40B arranged outside the clean room 30 is mainly used to form the downflow. Also, each of the plurality of fans 40</b>A installed in the opening 32</b>H facing the ceiling 31 operates as an auxiliary fan for adjusting the balance of the airflow inside the clean room 30 .

上記したように、図6に示すウエハ搬送装置10Aの場合、排気経路42に近い位置に配置される開口部32Hでは、排気経路42から遠い位置に配置される開口部32Hと比較して流量が多く成り易い。図7に示すウエハ搬送装置10Bは、複数の開口部32Hのそれぞれに補助的に動作するファン40Aを取り付けることにより、各開口部32Hの流量のバラつきを抑制することができる。 As described above, in the case of the wafer transfer apparatus 10A shown in FIG. It is easy to make many. The wafer transfer apparatus 10B shown in FIG. 7 can suppress variation in the flow rate of each opening 32H by attaching fans 40A that operate auxiliary to each of the plurality of openings 32H.

また、複数のファン40Aのそれぞれは、回転数を低く設定することができるので、ファン40Aが回転することにより生じる振動の影響を低減できる。したがって、ウエハ搬送装置10Bは、図2に示すウエハ搬送装置10と比較して、ファン40Aの回転に伴う振動の影響を低減できる。図7に示すウエハ搬送装置10Bは、上記した相違点を除き、図6に示すウエハ搬送装置10Aと同様である。したがって、重複する説明は省略する。 Further, since the number of revolutions of each of the plurality of fans 40A can be set low, the influence of vibration caused by the rotation of the fans 40A can be reduced. Therefore, the wafer transfer device 10B can reduce the influence of vibration caused by the rotation of the fan 40A compared to the wafer transfer device 10 shown in FIG. A wafer transfer apparatus 10B shown in FIG. 7 is the same as the wafer transfer apparatus 10A shown in FIG. 6 except for the differences described above. Therefore, overlapping explanations are omitted.

<変形例3>
図8は、図2に示すウエハ搬送装置の他の変形例を示す断面図である。図8に示すウエハ搬送装置10Cは、クリーン室30の天井部31側から底部32側に向かう気流を形成するファン40に加え、クリーン室30の側壁部33に取り付けられた側壁ファン43を備えている点で、図2に示すウエハ搬送装置10と相違する。
<Modification 3>
FIG. 8 is a sectional view showing another modification of the wafer transfer device shown in FIG. The wafer transfer apparatus 10C shown in FIG. 8 includes a side wall fan 43 attached to the side wall portion 33 of the clean room 30 in addition to the fan 40 that forms an air flow from the ceiling portion 31 side to the bottom portion 32 side of the clean room 30. It differs from the wafer transfer apparatus 10 shown in FIG.

詳しくは、ウエハ搬送装置10Cは、クリーン室30の側壁部33に設けられた開口部33Hに取り付けられた側壁ファン43および側壁フィルタ51を有する。クリーン室30内には、側壁ファン43および側壁フィルタ51を介して外部から気体が供給される。図8に示す例では、側壁フィルタ51は、開口部33Hを覆うように取り付けられる。ただし、開口部33Hから流入する気体を側壁フィルタ51によりフィルタリングすることができれば、側壁ファン43および側壁フィルタ51を取り付ける方法は、図8に示す例の他種々の変形例が適用可能である。例えば、開口部33H内に側壁フィルタ51および側壁ファン43のうち、いずれか一方、あるいは両方が埋め込まれていてもよい。 Specifically, the wafer transfer apparatus 10</b>C has a side wall fan 43 and a side wall filter 51 attached to an opening 33</b>H provided in the side wall 33 of the clean room 30 . Gas is supplied from the outside into the clean room 30 via a side wall fan 43 and a side wall filter 51 . In the example shown in FIG. 8, the sidewall filter 51 is attached so as to cover the opening 33H. However, as long as the side wall filter 51 can filter the gas flowing from the opening 33H, various modifications other than the example shown in FIG. For example, one or both of the side wall filter 51 and the side wall fan 43 may be embedded in the opening 33H.

図8に示す複数のファン40は、クリーン室30内の気体を外部に排出する、所謂排気ファンである。一方、側壁部33に取り付けられた側壁ファン43は、外部からクリーン室30内に向かって気体を供給する吸気ファンである。図2に示すウエハ搬送装置10のように、排気ファンのみを備えるウエハ搬送装置10の場合、クリーン室30内への吸気経路が自然吸気となるので、予期しない位置からフィルタ50を介さずに気体が侵入することを防止するため、クリーン室30には高い気密性が要求される。 A plurality of fans 40 shown in FIG. 8 are so-called exhaust fans for discharging the gas inside the clean room 30 to the outside. On the other hand, a side wall fan 43 attached to the side wall portion 33 is an intake fan that supplies gas from the outside into the clean room 30 . In the case of the wafer transfer apparatus 10 having only an exhaust fan, such as the wafer transfer apparatus 10 shown in FIG. The clean room 30 is required to be highly airtight in order to prevent the intrusion of dust.

一方、図8に示すウエハ搬送装置10Cの場合、吸気ファンである側壁ファン43を介してクリーン室30内に気体が供給されるので、クリーン室30の内部と外部の気圧差を小さくすることができる。クリーン室30の内部と外部の気圧差が小さくなれば、クリーン室30に要求される気密性能の下限値を引き下げることができる。 On the other hand, in the case of the wafer transfer apparatus 10C shown in FIG. 8, gas is supplied into the clean room 30 via the side wall fan 43, which is an intake fan, so that the pressure difference between the inside and outside of the clean room 30 can be reduced. can. If the air pressure difference between the inside and outside of the clean room 30 is reduced, the lower limit of airtightness required for the clean room 30 can be lowered.

また、ウエハ搬送装置10Cが備える側壁ファン43および側壁フィルタ51は、クリーン室30の側壁部33に取り付けられる。このため、側壁フィルタ51を定期的に交換する場合、側壁ファン43および側壁フィルタ51を一括して交換する必要がある。しかし、側壁部33に取り付けられた側壁ファン43および側壁フィルタ51を交換する作業は、図5に検討例として示したウエハ搬送装置11のファン41およびフィルタ50を一括して交換する作業と比較して、簡単に行うことができる。 Also, the side wall fan 43 and the side wall filter 51 provided in the wafer transfer device 10C are attached to the side wall portion 33 of the clean room 30 . Therefore, when replacing the sidewall filter 51 periodically, it is necessary to replace the sidewall fan 43 and the sidewall filter 51 together. However, the work of replacing the side wall fan 43 and the side wall filter 51 attached to the side wall portion 33 is compared with the work of collectively replacing the fan 41 and the filter 50 of the wafer transfer apparatus 11 shown in FIG. and can be done easily.

ところで、クリーン室30の内部と外部の気圧差を小さくすることに着目した場合、側壁ファン43および側壁フィルタ51は、側壁部33の任意の位置に取り付けることができる。ただし、図8に示すウエハ搬送装置10Cの場合、以下の位置に側壁ファン43および側壁フィルタ51が取り付けられる。すなわち、ウエハ搬送装置10Cは、クリーン室30内に配置され、ウエハ1(図1参照)の位置合わせを行う位置合わせ機構部であるアライメントユニット60を有する。開口部33Hは、側壁部33のうちアライメントユニット60に最も近接する部分の上方に設けられる。 By the way, when focusing on reducing the pressure difference between the inside and outside of the clean room 30 , the side wall fan 43 and the side wall filter 51 can be attached to any position on the side wall portion 33 . However, in the case of the wafer transfer apparatus 10C shown in FIG. 8, the side wall fan 43 and the side wall filter 51 are attached at the following positions. That is, the wafer transfer apparatus 10C has an alignment unit 60 which is arranged in the clean room 30 and which is an alignment mechanism for aligning the wafer 1 (see FIG. 1). The opening 33</b>H is provided above the portion of the side wall 33 that is closest to the alignment unit 60 .

クリーン室30の底部32の面積を小さくして、クリーン室30の体積を低減させる観点からは、アライメントユニット60は側壁部33の近くに配置することが好ましい。アライメントユニット60はその側面が側壁部33と対向するように配置される。アライメントユニット60の側面は、側壁部33と接していることが好ましく、接していない場合でも、実質的に接しているのと同様に見做せる程度に近接していることが好ましい。 From the viewpoint of reducing the volume of the clean room 30 by reducing the area of the bottom 32 of the clean room 30 , it is preferable to dispose the alignment unit 60 near the side wall 33 . The alignment unit 60 is arranged so that its side surface faces the side wall portion 33 . It is preferable that the side surface of the alignment unit 60 is in contact with the side wall portion 33, and even if it is not in contact, it is preferably close enough to be regarded as being in substantial contact.

この時、アライメントユニット60の直下には、開口部32Hが配置されない領域が存在する。このため、アライメントユニット60の上方に、ダウンフローが形成され難い場合がある。図8に示すように、開口部33Hは、側壁部33のうちアライメントユニット60に最も近接する部分の上方に設けられる。この場合、アライメントユニット60の上方の空間において、ダウンフローを形成することができる。この結果、アライメントユニット60上に粒子が堆積することを防止できる。 At this time, there is an area directly below the alignment unit 60 where the opening 32H is not arranged. Therefore, it may be difficult to form a down flow above the alignment unit 60 . As shown in FIG. 8, the opening 33H is provided above a portion of the side wall 33 that is closest to the alignment unit 60. As shown in FIG. In this case, a down flow can be formed in the space above the alignment unit 60 . As a result, particles can be prevented from accumulating on the alignment unit 60 .

なお、図8では、側壁ファン43および側壁フィルタ51が、底部32と平行な水平方向を向くように配置された例を示している。図示は省略するが、変形例として、ダウンフローを形成し易いように側壁ファン43および側壁フィルタ51を取り付ける場合もある。例えば、側壁ファン43および側壁フィルタ51が底部32の方向を向くように側壁部33に対して傾斜して取り付ける方法がある。また例えば、側壁フィルタ51の内側に整流板を設け、気体を整流板に向かって送ることで、ダウンフローを形成する方法がある。 Note that FIG. 8 shows an example in which the side wall fan 43 and the side wall filter 51 are arranged so as to face the horizontal direction parallel to the bottom portion 32 . Although illustration is omitted, as a modification, the side wall fan 43 and the side wall filter 51 may be attached so as to facilitate formation of the down flow. For example, there is a method in which the side wall fan 43 and the side wall filter 51 are attached at an angle to the side wall portion 33 so as to face the bottom portion 32 . Further, for example, there is a method of forming a down flow by providing a straightening plate inside the side wall filter 51 and sending the gas toward the straightening plate.

<変形例4>
図9は、図8に示すウエハ搬送装置の変形例を示す断面図である。図9に示すウエハ搬送装置10Dは、クリーン室30の側壁部33に、複数の側壁ファン43を備えている点で、図8に示すウエハ搬送装置10Cと相違する。
<Modification 4>
FIG. 9 is a sectional view showing a modification of the wafer transfer device shown in FIG. A wafer transfer apparatus 10D shown in FIG. 9 differs from the wafer transfer apparatus 10C shown in FIG.

ウエハ搬送装置10Dは、クリーン室30の側壁部33に設けられた複数の開口部33Hに取り付けられた複数の側壁ファン43および複数の側壁フィルタ51を有する。クリーン室30内には、複数の側壁ファン43および複数の側壁フィルタ51を介して外部から気体が供給される。図9に示す例では、側壁フィルタ51は、開口部33Hを覆うように取り付けられる。ただし、開口部33Hから流入する気体を側壁フィルタ51によりフィルタリングすることができれば、側壁ファン43および側壁フィルタ51を取り付ける方法は、図9に示す例の他種々の変形例が適用可能である。例えば、開口部33H内に側壁フィルタ51および側壁ファン43のうち、いずれか一方、あるいは両方が埋め込まれていてもよい。 The wafer transfer apparatus 10</b>D has a plurality of side wall fans 43 and a plurality of side wall filters 51 attached to a plurality of openings 33</b>H provided in the side wall 33 of the clean room 30 . Gas is supplied from the outside into the clean room 30 via a plurality of side wall fans 43 and a plurality of side wall filters 51 . In the example shown in FIG. 9, the sidewall filter 51 is attached so as to cover the opening 33H. However, as long as the side wall filter 51 can filter the gas flowing from the opening 33H, various modifications other than the example shown in FIG. For example, one or both of the side wall filter 51 and the side wall fan 43 may be embedded in the opening 33H.

ウエハ搬送装置10Dのように、複数の側壁ファン43を取り付けることにより、クリーン室30に気体を供給する経路を分散させることができるので、クリーン室30には、バランスよく気体が供給される。また、複数の吸気ファンを用いて気体を供給する場合、複数の吸気ファンのそれぞれは小さいサイズのものを用いることができる。このため、ウエハ搬送装置10Dの場合、図8に示すウエハ搬送装置10Cと比較して、側壁ファン43のサイズが小さい。この場合、複数の側壁ファン43および側壁フィルタ51のそれぞれを交換する際の作業は、簡単になる。ただし、図8に示すウエハ搬送装置10Cと比較して、側壁フィルタ51の交換箇所は増加するので、作業時間自体は長くなる場合もある。 By attaching a plurality of side wall fans 43 as in the wafer transfer device 10D, the paths for supplying the gas to the clean room 30 can be dispersed, so that the gas is supplied to the clean room 30 in a well-balanced manner. Also, when gas is supplied using a plurality of intake fans, each of the plurality of intake fans can be of a small size. Therefore, in the case of the wafer transfer device 10D, the size of the side wall fan 43 is smaller than that of the wafer transfer device 10C shown in FIG. In this case, the work for replacing each of the plurality of side wall fans 43 and side wall filters 51 is simplified. However, compared to the wafer transfer apparatus 10C shown in FIG. 8, the number of replacement locations of the side wall filter 51 is increased, so the work time itself may be longer.

また、ウエハ搬送装置10Dは、図8を用いて説明したウエハ搬送装置10Cと同様に、クリーン室30内に配置され、ウエハ1(図1参照)の位置合わせを行うアライメントユニット60を有する。複数の開口部33Hのうちの一つは、側壁部33のうちアライメントユニット60に最も近接する部分の上方に設けられる。これにより、上記したように、アライメントユニット60の上方の空間において、ダウンフローを形成することができる。なお、図9に示す例の変形例として、図8を用いて説明したように、ダウンフローを形成し易いように側壁ファン43および側壁フィルタ51を取り付ける構造を適用することもできる。 The wafer transfer device 10D also has an alignment unit 60 arranged in the clean room 30 for alignment of the wafer 1 (see FIG. 1), similarly to the wafer transfer device 10C described with reference to FIG. One of the plurality of openings 33</b>H is provided above a portion of the side wall 33 that is closest to the alignment unit 60 . Thereby, a down flow can be formed in the space above the alignment unit 60 as described above. As a modification of the example shown in FIG. 9, a structure for attaching the side wall fan 43 and the side wall filter 51 so as to easily form the downflow can be applied as described with reference to FIG.

また、上記では、種々の変形例を説明したが、各変形例を適宜組み合わせて適用することができる。例えば、図10に示すウエハ搬送装置10Eは、図6を用いて説明したウエハ搬送装置10Aの排気構造と、図9を用いて説明したウエハ搬送装置10Dの吸気構造とを組み合わせた実施態様である。ウエハ搬送装置10Eの場合、開口部32H内にファン40(図7参照)が配置されないが、複数の側壁ファン43を側壁部33に取り付けることで、各開口部32Hから排気される気体の流量のバランスをある程度制御することができる。 Moreover, although various modified examples have been described above, each modified example can be appropriately combined and applied. For example, a wafer transfer device 10E shown in FIG. 10 is an embodiment in which the exhaust structure of the wafer transfer device 10A described with reference to FIG. 6 and the intake structure of the wafer transfer device 10D described with reference to FIG. 9 are combined. . In the case of the wafer transfer apparatus 10E, the fan 40 (see FIG. 7) is not arranged in the opening 32H, but by attaching a plurality of side wall fans 43 to the side wall 33, the flow rate of the gas exhausted from each opening 32H can be reduced. You can control the balance to some extent.

以上、本実施の形態の代表的な変形例について説明したが、本発明は、上記した実施例や代表的な変形例に限定されず、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形例が適用できる。 As described above, representative modifications of the present embodiment have been described, but the present invention is not limited to the above-described embodiments and representative modifications, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. Applicable.

本発明は、ウエハ搬送装置に利用可能である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used for a wafer transfer device.

1 ウエハ
2 格納容器
3 処理室
4 処理装置
10,10A,10B,10C,10D,10E,11 ウエハ搬送装置
20 ロボット(搬送機構部,搬送ロボット)
20D1,22D1 方向
20D2 回転方向
21 走行軸
22 ハンド部
23 アーム部
23j 関節部
23m 部材
24 ステージ
30 クリーン室(クリーンルーム)
31 天井部
31H,32H,33H,34,35 開口部
32 底部
33 側壁部
40,40A,40B,41 ファン
42 排気経路
43 側壁ファン
50 フィルタ
51 側壁フィルタ
60 アライメントユニット(位置合わせ機構部)
FL 床面
1 Wafer 2 Storage Container 3 Processing Chamber 4 Processing Equipment 10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 11 Wafer Transfer Device 20 Robot (transfer mechanism, transfer robot)
20D1, 22D1 direction 20D2 rotation direction 21 traveling shaft 22 hand part 23 arm part 23j joint part 23m member 24 stage 30 clean room
31 Ceiling parts 31H, 32H, 33H, 34, 35 Opening part 32 Bottom part 33 Side wall parts 40, 40A, 40B, 41 Fan 42 Exhaust path 43 Side wall fan 50 Filter 51 Side wall filter 60 Alignment unit (positioning mechanism)
Floor surface

Claims (11)

ウエハを搬送する搬送機構部と、
天井部、前記天井部と対向する底部、および前記天井部と前記底部との間に位置し、前記搬送機構部の周囲を囲む側壁部、を備えるクリーン室と、
前記クリーン室の前記天井部側から前記底部側に向かう気流を形成する複数のファンと、
を有し、
前記クリーン室の前記底部には、前記ファンを介して前記クリーン室の内部の気体を外部に排出する第1開口部が設けられ、
前記クリーン室の前記天井部には、第2開口部が設けられ、かつ、前記複数のファンは設けられず、
前記第2開口部には、フィルタが取り付けられ
前記底部に設けられた前記第1開口部には、複数の排気経路が接続され、
前記複数の排気経路のそれぞれには、前記複数のファンのいずれかが接続され、
前記複数のファンのそれぞれは、前記クリーン室から離れた位置に配置され、
前記複数のファンは、
前記クリーン室の前記底部において、前記天井部と対向する位置に配置される複数の第1ファンと、
前記複数の排気経路のそれぞれに接続され、前記クリーン室から離れた位置に配置される複数の第2ファンと、
を含み、
前記第1ファンの回転速度は、前記第2ファンの回転速度より遅い、ウエハ搬送装置。
a transfer mechanism that transfers the wafer;
a clean room comprising a ceiling, a bottom facing the ceiling, and a side wall positioned between the ceiling and the bottom and surrounding the transfer mechanism;
a plurality of fans for forming an airflow directed from the ceiling side to the bottom side of the clean room;
has
The bottom of the clean room is provided with a first opening through which gas inside the clean room is discharged to the outside via the fan,
The ceiling of the clean room is provided with a second opening and the plurality of fans are not provided,
A filter is attached to the second opening ,
A plurality of exhaust paths are connected to the first opening provided in the bottom,
One of the plurality of fans is connected to each of the plurality of exhaust paths,
Each of the plurality of fans is arranged at a position away from the clean room,
The plurality of fans are
a plurality of first fans arranged at positions facing the ceiling in the bottom of the clean room;
a plurality of second fans connected to each of the plurality of exhaust paths and arranged at a position away from the clean room;
including
The wafer transfer device , wherein the rotation speed of the first fan is slower than the rotation speed of the second fan .
ウエハを搬送する搬送機構部と、
天井部、前記天井部と対向する底部、および前記天井部と前記底部との間に位置し、前記搬送機構部の周囲を囲む側壁部、を備えるクリーン室と、
前記クリーン室の前記天井部側から前記底部側に向かう気流を形成するファンと、
記クリーン室の前記側壁部に設けられた第3開口部に取り付けられた側壁ファンおよび側壁フィルタと、
有し、
前記クリーン室の前記底部には、前記ファンを介して前記クリーン室の内部の気体を外部に排出する第1開口部が設けられ、
前記クリーン室の前記天井部には、第2開口部が設けられ、かつ、前記ファンは設けられず、
前記第2開口部には、フィルタが取り付けられ、
前記クリーン室内には、前記側壁ファンおよび前記側壁フィルタを介して外部から気体が供給される、ウエハ搬送装置。
a transfer mechanism that transfers the wafer;
a clean room comprising a ceiling, a bottom facing the ceiling, and a side wall positioned between the ceiling and the bottom and surrounding the transfer mechanism;
a fan for forming an airflow from the ceiling side to the bottom side of the clean room;
a side wall fan and a side wall filter attached to a third opening provided in the side wall of the clean room ;
has
The bottom of the clean room is provided with a first opening through which gas inside the clean room is discharged to the outside via the fan,
The ceiling of the clean room is provided with a second opening and the fan is not provided,
A filter is attached to the second opening,
A wafer transfer apparatus, wherein gas is supplied from the outside into the clean chamber through the side wall fan and the side wall filter.
請求項に記載のウエハ搬送装置において、
前記ウエハ搬送装置は、前記クリーン室内に配置され、前記ウエハの位置合わせを行う位置合わせ機構部を有し、
前記第3開口部は、前記側壁部のうち前記位置合わせ機構部に最も近接する部分の上方に設けられる、ウエハ搬送装置。
In the wafer transfer apparatus according to claim 2 ,
The wafer transfer device is arranged in the clean room and has an alignment mechanism for aligning the wafer,
The wafer transfer device, wherein the third opening is provided above a portion of the side wall that is closest to the alignment mechanism.
請求項2または3に記載のウエハ搬送装置において、The wafer transfer apparatus according to claim 2 or 3,
前記ウエハ搬送装置は、前記クリーン室の前記底部において、前記天井部と対向する位置に配置される複数の前記ファンを有する、ウエハ搬送装置。The wafer transfer device has a plurality of fans arranged at positions facing the ceiling portion in the bottom portion of the clean room.
請求項2または3に記載のウエハ搬送装置において、The wafer transfer apparatus according to claim 2 or 3,
前記底部に設けられた前記第1開口部には、複数の排気経路が接続され、A plurality of exhaust paths are connected to the first opening provided in the bottom,
前記複数の排気経路のそれぞれには、前記ファンが接続され、The fan is connected to each of the plurality of exhaust paths,
複数の前記ファンのそれぞれは、前記クリーン室から離れた位置に配置される、ウエハ搬送装置。The wafer transfer device, wherein each of the plurality of fans is arranged at a position away from the clean room.
請求項5に記載のウエハ搬送装置において、In the wafer transfer apparatus according to claim 5,
前記ウエハ搬送装置は、前記クリーン室の前記底部において、前記天井部と対向する位置に配置される複数の第1ファンと、The wafer transfer device includes a plurality of first fans arranged at a position facing the ceiling in the bottom of the clean room;
前記複数の排気経路のそれぞれに接続され、前記クリーン室から離れた位置に配置される複数の第2ファンと、a plurality of second fans connected to each of the plurality of exhaust paths and arranged at a position away from the clean room;
を有し、has
前記第1ファンの回転速度は、前記第2ファンの回転速度より遅い、ウエハ搬送装置。The wafer transfer device, wherein the rotation speed of the first fan is slower than the rotation speed of the second fan.
ウエハを搬送する搬送機構部と、
天井部、前記天井部と対向する底部、および前記天井部と前記底部との間に位置し、前記搬送機構部の周囲を囲む側壁部、を備えるクリーン室と、
前記クリーン室の前記天井部側から前記底部側に向かう気流を形成するファンと、
記クリーン室の前記側壁部に設けられた複数の第3開口部に取り付けられた複数の側壁ファンおよび複数の側壁フィルタと、
有し、
前記クリーン室の前記底部には、前記ファンを介して前記クリーン室の内部の気体を外部に排出する第1開口部が設けられ、
前記クリーン室の前記天井部には、第2開口部が設けられ、かつ、前記ファンは設けられず、
前記第2開口部には、フィルタが取り付けられ、
前記クリーン室内には、前記複数の側壁ファンおよび前記複数の側壁フィルタを介して外部から気体が供給される、ウエハ搬送装置。
a transfer mechanism that transfers the wafer;
a clean room comprising a ceiling, a bottom facing the ceiling, and a side wall positioned between the ceiling and the bottom and surrounding the transfer mechanism;
a fan for forming an airflow from the ceiling side to the bottom side of the clean room;
a plurality of side wall fans and a plurality of side wall filters attached to a plurality of third openings provided in the side wall of the clean room ;
has
The bottom of the clean room is provided with a first opening through which gas inside the clean room is discharged to the outside via the fan,
The ceiling of the clean room is provided with a second opening and the fan is not provided,
A filter is attached to the second opening,
A wafer transfer apparatus, wherein gas is supplied from the outside into the clean chamber via the plurality of side wall fans and the plurality of side wall filters.
請求項7に記載のウエハ搬送装置において、
前記ウエハ搬送装置は、前記クリーン室内に配置され、前記ウエハの位置合わせを行う位置合わせ機構部を有し、
前記複数の第3開口部のうちの1つは、前記側壁部のうち前記位置合わせ機構部に最も近接する部分の上方に設けられる、ウエハ搬送装置。
In the wafer transfer apparatus according to claim 7,
The wafer transfer device is arranged in the clean room and has an alignment mechanism for aligning the wafer,
The wafer transfer device, wherein one of the plurality of third openings is provided above a portion of the side wall that is closest to the alignment mechanism.
請求項7または8に記載のウエハ搬送装置において、The wafer transfer apparatus according to claim 7 or 8,
前記ウエハ搬送装置は、前記クリーン室の前記底部において、前記天井部と対向する位置に配置される複数の前記ファンを有する、ウエハ搬送装置。The wafer transfer device has a plurality of fans arranged at positions facing the ceiling portion in the bottom portion of the clean room.
請求項7または8に記載のウエハ搬送装置において、The wafer transfer apparatus according to claim 7 or 8,
前記底部に設けられた前記第1開口部には、複数の排気経路が接続され、A plurality of exhaust paths are connected to the first opening provided in the bottom,
前記複数の排気経路のそれぞれには、前記ファンが接続され、The fan is connected to each of the plurality of exhaust paths,
複数の前記ファンのそれぞれは、前記クリーン室から離れた位置に配置される、ウエハ搬送装置。The wafer transfer device, wherein each of the plurality of fans is arranged at a position away from the clean room.
請求項10に記載のウエハ搬送装置において、In the wafer transfer apparatus according to claim 10,
前記ウエハ搬送装置は、前記クリーン室の前記底部において、前記天井部と対向する位置に配置される複数の第1ファンと、The wafer transfer device includes a plurality of first fans arranged at a position facing the ceiling in the bottom of the clean room;
前記複数の排気経路のそれぞれに接続され、前記クリーン室から離れた位置に配置される複数の第2ファンと、a plurality of second fans connected to each of the plurality of exhaust paths and arranged at a position away from the clean room;
を有し、has
前記第1ファンの回転速度は、前記第2ファンの回転速度より遅い、ウエハ搬送装置。The wafer transfer device, wherein the rotation speed of the first fan is slower than the rotation speed of the second fan.
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