JP5238331B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing system - Google Patents
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Description
本発明は、基板の処理を行う基板処理装置および基板処理システムに関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing system for processing a substrate.
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。 In order to perform various processes on various substrates such as a semiconductor substrate, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, and a photomask substrate, It is used.
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献1に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
In such a substrate processing apparatus, generally, a plurality of different processes are continuously performed on a single substrate. The substrate processing apparatus described in
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。 In the substrate processing apparatus described above, the substrate carried in from the indexer block is configured such that after the formation of the antireflection film and the coating process of the resist film are performed in the antireflection film processing block and the resist film processing block, the interface block is To the exposure apparatus. After the exposure process is performed on the resist film on the substrate in the exposure apparatus, the substrate is transported to the development processing block via the interface block. After a resist pattern is formed by performing development processing on the resist film on the substrate in the development processing block, the substrate is transported to the indexer block.
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法がある(例えば、特許文献2参照)。特許文献2の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。 In recent years, miniaturization of resist patterns has become an important issue as the density and integration of devices increase. Accordingly, there is a liquid immersion method as a projection exposure method that enables further miniaturization of the exposure pattern (see, for example, Patent Document 2). In the projection exposure apparatus of Patent Document 2, a liquid is filled between the projection optical system and the substrate, and the exposure light on the substrate surface can be shortened. Thereby, the exposure pattern can be further miniaturized.
しかしながら、液浸法を用いて露光処理を行う場合、基板上に供給される液体がレジスト膜に直接接触すると、レジスト膜の成分がその液体中に溶解して処理不良が発生する。そこで、レジスト膜を覆うようにレジストカバー膜を形成することが提案されている。 However, in the case where the exposure process is performed using the immersion method, when the liquid supplied onto the substrate directly contacts the resist film, the resist film components are dissolved in the liquid and a processing failure occurs. Therefore, it has been proposed to form a resist cover film so as to cover the resist film.
例えば特許文献3に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロック、レジストカバー膜用処理ブロック、レジストカバー膜除去ブロックおよびインターフェースブロックを備える。レジスト膜用処理ブロックにおいて基板上にレジスト膜が形成された後、レジストカバー膜用処理ブロックにおいてレジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。露光処理後には、レジストカバー膜除去ブロックにおいて基板上のレジストカバー膜が除去される。
上記のように、露光パターンの微細化の要求に伴い、基板の処理工程数が増加する。それにより、基板処理装置が大型化する。 As described above, the number of substrate processing steps increases with the demand for finer exposure patterns. This increases the size of the substrate processing apparatus.
また、上記のような基板処理装置では、その一部で故障が発生すると、全体の動作を停止して、復旧作業を行う必要がある。基板の処理工程数が増加することにより、故障の発生頻度が高くなり、そのたびに全ての処理を中断する必要が生じる。それにより、基板の処理効率が悪化する。 Further, in the substrate processing apparatus as described above, when a failure occurs in a part of the substrate processing apparatus, it is necessary to stop the entire operation and perform a recovery operation. As the number of substrate processing steps increases, the frequency of occurrence of failures increases, and it is necessary to interrupt all processes each time. Thereby, the processing efficiency of the substrate deteriorates.
本発明の目的は、大型化が抑制されるとともに基板の処理効率を向上させることが可能な基板処理装置および基板処理システムを提供することである。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing system capable of suppressing an increase in size and improving a substrate processing efficiency.
(1)第1の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うとともに基板を露光装置に受け渡す処理搬送部と、処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、処理搬送部は、露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を露光装置に搬送する第1の基板搬送機構と、露光処理後の基板を露光装置から熱処理ユニットに搬送する第2の基板搬送機構と、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットとを含み、洗浄処理ユニットは、基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄ブラシとを含み、基板回転保持装置は、略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材の上側に設けられ、回転部材を回転させる回転駆動機構と、回転部材の下側に設けられ、回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むものである。 (1) A substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention is a substrate processing apparatus disposed so as to be adjacent to an exposure apparatus, which performs processing on the substrate and delivers the substrate to the exposure apparatus, and processing A loading / unloading unit for loading and unloading the substrate to / from the transfer unit, and the processing transfer unit includes a heat treatment unit for performing a heat treatment on the substrate after the exposure process, and a pre-exposure process carried by the loading / unloading unit. A first substrate transport mechanism for transporting the substrate to the exposure apparatus; a second substrate transport mechanism for transporting the substrate after the exposure process from the exposure apparatus to the heat treatment unit; and a substrate after the resist film is formed and before the exposure process. look including a cleaning unit for performing cleaning process, the cleaning unit includes a substrate rotation holding device for rotating while substantially horizontally holding the substrate, for cleaning the bottom surface of the substrate held by the substrate rotating holding device The substrate rotation holding device includes a cleaning brush, a rotation member provided to be rotatable around a rotation axis substantially along the vertical direction, a rotation drive mechanism provided on the upper side of the rotation member, and configured to rotate the rotation member, A holding member that is provided on the lower side of the rotating member and holds the substrate by contacting an outer peripheral end of the substrate disposed on the lower side of the rotating member .
この基板処理装置においては、搬入搬出部により処理搬送部に基板が搬入される。その基板は洗浄処理ユニットにより洗浄処理が行われた後に第1の基板搬送機構により露光装置に搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われ、露光処理後の基板が第2の基板搬送機構により露光装置から熱処理ユニットに搬送される。熱処理ユニットにより露光処理後の基板に熱処理が行われ、熱処理後の基板が搬入搬出部により処理搬送部から搬出される。 In this substrate processing apparatus, the substrate is carried into the processing conveyance unit by the carry-in / out unit. The substrate is transported to the exposure apparatus by the first substrate transport mechanism after being cleaned by the cleaning processing unit . The exposure process is performed on the substrate in the exposure apparatus, and the substrate after the exposure process is transferred from the exposure apparatus to the heat treatment unit by the second substrate transfer mechanism. A heat treatment is performed on the substrate after the exposure processing by the heat treatment unit, and the substrate after the heat treatment is unloaded from the processing conveyance unit by the loading / unloading unit.
この場合、基板処理装置の外部において露光処理前および露光処理後の基板に種々の処理を行うことにより、基板処理装置における基板の処理工程数を抑制することができる。それにより、基板処理装置の大型化を抑制することができるとともに、基板処理装置内における故障の発生を抑制することができる。 In this case, the number of substrate processing steps in the substrate processing apparatus can be reduced by performing various processes on the substrate before and after the exposure processing outside the substrate processing apparatus. Thereby, the enlargement of the substrate processing apparatus can be suppressed, and the occurrence of failure in the substrate processing apparatus can be suppressed.
また、基板処理装置の外部で種々の処理を行う場合には、基板処理装置内で故障が発生しても、基板処理装置の外部において種々の処理を継続して行うことができる。それにより、基板処理装置の故障の発生による基板の処理効率の悪化を抑制することができる。 When various processes are performed outside the substrate processing apparatus, even if a failure occurs in the substrate processing apparatus, various processes can be continuously performed outside the substrate processing apparatus. Thereby, it is possible to suppress the deterioration of the substrate processing efficiency due to the occurrence of the failure of the substrate processing apparatus.
また、処理搬送部においては、露光処理前の基板が第1の基板搬送機構により搬送され、露光処理後の基板が第2の基板搬送機構により搬送される。すなわち、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。 In the processing transport unit, the substrate before the exposure processing is transported by the first substrate transport mechanism, and the substrate after the exposure processing is transported by the second substrate transport mechanism. That is, the substrate transport path before the exposure process and the substrate transport path after the exposure process are independently secured.
それにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが交錯する場合に比べて、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することがないので、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。 Thereby, the substrate can be efficiently transported as compared with the case where the transport route of the substrate before the exposure processing intersects with the transport route of the substrate after the exposure processing. As a result, the throughput can be improved. In addition, since the substrate before the exposure process and the substrate after the exposure process do not contact the same part, mutual contamination between the substrate before the exposure process and the substrate after the exposure process can be prevented.
また、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行うことにより、露光処理を良好に行うことができ、基板の処理不良の発生を防止することができる。
また、洗浄処理ユニットにより基板の裏面が洗浄される。それにより、基板の裏面に付着する汚染物を除去することができ、露光処理時に基板の裏面の凹凸に起因してデフォーカスが発生することを防止することができる。したがって、基板の処理不良の発生を防止することができる。
Further, by performing a cleaning process on the substrate after the formation of the resist film and before the exposure process, the exposure process can be performed satisfactorily, and the occurrence of processing defects on the substrate can be prevented.
Further, the back surface of the substrate is cleaned by the cleaning processing unit. Thereby, contaminants adhering to the back surface of the substrate can be removed, and defocusing due to unevenness on the back surface of the substrate during exposure processing can be prevented. Therefore, it is possible to prevent occurrence of processing defects on the substrate.
(2)洗浄処理ユニットは、基板の表面を洗浄してもよい。 ( 2 ) The cleaning processing unit may clean the surface of the substrate.
この場合、基板の表面に形成された膜の成分の一部が洗浄処理ユニットによる洗浄時に溶出し、洗い流される。そのため、露光処理時に基板が液体と接触しても、基板上の膜の成分が液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板に付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置内の汚染が防止される。 In this case, some of the components of the film formed on the surface of the substrate are eluted and washed away during cleaning by the cleaning processing unit. Therefore, even if the substrate comes into contact with the liquid during the exposure process, the film components on the substrate are hardly eluted in the liquid. Further, dust and the like attached to the substrate before the exposure process can be removed. As a result, contamination in the exposure apparatus is prevented.
(3)処理搬送部は、露光処理後の基板に乾燥処理を行う乾燥処理ユニットをさらに含んでもよい。 (3 ) The processing transport unit may further include a drying processing unit that performs drying processing on the substrate after the exposure processing.
この場合、露光処理時に基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することが防止される。それにより、基板処理装置の動作不良が防止される。また、基板上の膜の成分が基板上の液体中に溶出することが防止される。それにより、基板の処理不良の発生が防止される。 In this case, even if a liquid adheres to the substrate during the exposure process, the liquid is prevented from falling into the substrate processing apparatus. This prevents malfunction of the substrate processing apparatus. Further, it is possible to prevent the components of the film on the substrate from eluting into the liquid on the substrate. As a result, processing defects of the substrate are prevented.
(4)第2の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うとともに基板を露光装置に受け渡す処理搬送部と、処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、処理搬送部は、露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を露光装置に搬送する第1の基板搬送機構と、露光処理後の基板を露光装置から熱処理ユニットに搬送する第2の基板搬送機構と、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと、露光処理後の基板に乾燥処理を行う乾燥処理ユニットとを含み、搬入搬出部、処理搬送部および露光装置は第1の方向に沿ってこの順で並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、処理搬送部において第1の方向と水平面内で直交する第2の方向に沿って配置され、熱処理ユニットは、処理搬送部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第2の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されるものである。 ( 4 ) A substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention is a substrate processing apparatus disposed so as to be adjacent to an exposure apparatus, which performs processing on the substrate and delivers the substrate to the exposure apparatus, and processing A loading / unloading unit for loading and unloading the substrate to / from the transfer unit, and the processing transfer unit includes a heat treatment unit for performing a heat treatment on the substrate after the exposure process, and a pre-exposure process carried by the loading / unloading unit. A first substrate transport mechanism for transporting the substrate to the exposure apparatus; a second substrate transport mechanism for transporting the substrate after the exposure process from the exposure apparatus to the heat treatment unit; and a substrate after the resist film is formed and before the exposure process. a cleaning unit for performing cleaning process, see containing a drying processing unit to perform the drying process on the substrate after the exposure processing, indexer part, the process transport unit and the exposure apparatus parallel in this order along the first direction Installed and washed The treatment unit, the heat treatment unit, and the drying treatment unit are arranged along a second direction orthogonal to the first direction in the horizontal plane in the treatment conveyance unit, and the heat treatment unit is arranged at a substantially central portion of the treatment conveyance unit, cleaning unit and the drying process unit is shall be located on one side and the other side of the thermal processing unit along the second direction.
この基板処理装置においては、搬入搬出部により処理搬送部に基板が搬入される。その基板は洗浄処理ユニットにより洗浄処理が行われた後に第1の基板搬送機構により露光装置に搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われ、露光処理後の基板が第2の基板搬送機構により露光装置から熱処理ユニットに搬送される。熱処理ユニットにより露光処理後の基板に熱処理が行われ、熱処理後の基板が搬入搬出部により処理搬送部から搬出される。
この場合、基板処理装置の外部において露光処理前および露光処理後の基板に種々の処理を行うことにより、基板処理装置における基板の処理工程数を抑制することができる。それにより、基板処理装置の大型化を抑制することができるとともに、基板処理装置内における故障の発生を抑制することができる。
また、基板処理装置の外部で種々の処理を行う場合には、基板処理装置内で故障が発生しても、基板処理装置の外部において種々の処理を継続して行うことができる。それにより、基板処理装置の故障の発生による基板の処理効率の悪化を抑制することができる。
また、処理搬送部においては、露光処理前の基板が第1の基板搬送機構により搬送され、露光処理後の基板が第2の基板搬送機構により搬送される。すなわち、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。
それにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが交錯する場合に比べて、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することがないので、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。
また、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行うことにより、露光処理を良好に行うことができ、基板の処理不良の発生を防止することができる。
また、搬入搬出部、処理搬送部および露光装置が第1の方向に沿ってこの順で並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットが第1の方向と水平面内で直交する第2の方向に沿って配置される。この場合、熱処理ユニットが処理搬送部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットが第2の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置される。それにより、処理搬送部における基板の搬送効率を良好に維持しつつ基板処理装置の小型化および省スペース化が可能になる。
In this substrate processing apparatus, the substrate is carried into the processing conveyance unit by the carry-in / out unit. The substrate is transported to the exposure apparatus by the first substrate transport mechanism after being cleaned by the cleaning processing unit. The exposure process is performed on the substrate in the exposure apparatus, and the substrate after the exposure process is transferred from the exposure apparatus to the heat treatment unit by the second substrate transfer mechanism. A heat treatment is performed on the substrate after the exposure processing by the heat treatment unit, and the substrate after the heat treatment is unloaded from the processing conveyance unit by the loading / unloading unit.
In this case, the number of substrate processing steps in the substrate processing apparatus can be reduced by performing various processes on the substrate before and after the exposure processing outside the substrate processing apparatus. Thereby, the enlargement of the substrate processing apparatus can be suppressed, and the occurrence of failure in the substrate processing apparatus can be suppressed.
When various processes are performed outside the substrate processing apparatus, even if a failure occurs in the substrate processing apparatus, various processes can be continuously performed outside the substrate processing apparatus. Thereby, it is possible to suppress the deterioration of the substrate processing efficiency due to the occurrence of the failure of the substrate processing apparatus.
In the processing transport unit, the substrate before the exposure processing is transported by the first substrate transport mechanism, and the substrate after the exposure processing is transported by the second substrate transport mechanism. That is, the substrate transport path before the exposure process and the substrate transport path after the exposure process are independently secured.
Thereby, the substrate can be efficiently transported as compared with the case where the transport route of the substrate before the exposure processing intersects with the transport route of the substrate after the exposure processing. As a result, the throughput can be improved. In addition, since the substrate before the exposure process and the substrate after the exposure process do not contact the same part, mutual contamination between the substrate before the exposure process and the substrate after the exposure process can be prevented.
Further, by performing a cleaning process on the substrate after the formation of the resist film and before the exposure process, the exposure process can be performed satisfactorily, and the occurrence of processing defects on the substrate can be prevented.
In addition, the carry-in / carry-out unit, the processing conveyance unit, and the exposure apparatus are arranged in this order along the first direction, and the cleaning processing unit, the heat treatment unit, and the drying processing unit are orthogonal to each other in the first direction in the horizontal plane. It is arranged along the direction. In this case, the heat treatment unit is disposed at a substantially central portion of the processing conveyance unit, and the cleaning processing unit and the drying processing unit are disposed on one side and the other side of the heat treatment unit along the second direction. Accordingly, it is possible to reduce the size and space of the substrate processing apparatus while maintaining good substrate transfer efficiency in the processing transfer unit.
(5)搬入搬出部は、基板を収納する収納容器が載置される容器載置部と、容器載置部に載置された収納容器と処理搬送部との間で基板を搬送する第3の基板搬送機構とを含み、処理搬送部は、第1の基板搬送機構と搬入搬出部との間に配置されかつ基板を一時的に載置するための基板載置部をさらに含み、第3の基板搬送機構は、露光装置による露光処理前の基板を収納容器から基板載置部に搬送するとともに、露光装置による露光処理後の基板を熱処理ユニットから収納容器に搬送してもよい。 ( 5 ) The carry-in / carry-out unit conveys the substrate between the container placement unit on which the storage container that accommodates the substrate is placed, and the storage container placed on the container placement unit and the processing conveyance unit. The substrate transfer mechanism further includes a substrate transfer unit disposed between the first substrate transfer mechanism and the carry-in / carry-out unit and for temporarily mounting the substrate. The substrate transport mechanism may transport the substrate before the exposure process by the exposure apparatus from the storage container to the substrate mounting unit, and may transport the substrate after the exposure process by the exposure apparatus from the heat treatment unit to the storage container.
この場合、露光処理前の基板が第3の搬送機構により収納容器から基板載置部に搬送される。そして、その基板が第1の基板搬送機構により基板載置部から露光装置に搬送される。また、露光処理後の基板が第2の搬送機構により露光装置から熱処理ユニットに搬送され、熱処理後の基板が第3の搬送機構により熱処理ユニットから収納容器に搬送される。 In this case, the substrate before the exposure processing is transported from the storage container to the substrate platform by the third transport mechanism. Then, the substrate is transported from the substrate platform to the exposure apparatus by the first substrate transport mechanism. Further, the substrate after the exposure processing is transferred from the exposure apparatus to the heat treatment unit by the second transfer mechanism, and the substrate after the heat treatment is transferred from the heat treatment unit to the storage container by the third transfer mechanism.
このように、処理搬送部に対する基板の搬入および搬出を円滑に行うことができる。また、熱処理ユニットを介して露光処理後の基板を処理搬送部から搬入搬出部へ搬送することにより、基板の搬送効率をさらに向上させることができる。 In this way, it is possible to smoothly carry in and carry out the substrate with respect to the processing conveyance unit. Further, the substrate transfer efficiency can be further improved by transferring the substrate after the exposure processing from the processing transfer unit to the carry-in / out unit via the heat treatment unit.
(6)第3の発明に係る基板処理システムは、基板に露光処理を行う露光装置と、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置とを備え、基板処理装置は、基板に処理を行うとともに基板を露光装置に受け渡す処理搬送部と、処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを含み、処理搬送部は、露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を露光装置に搬送する第1の基板搬送機構と、露光処理後の基板を露光装置から熱処理ユニットに搬送する第2の基板搬送機構と、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットとを含み、洗浄処理ユニットは、基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄ブラシとを含み、基板回転保持装置は、略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材の上側に設けられ、回転部材を回転させる回転駆動機構と、回転部材の下側に設けられ、回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むものである。 ( 6 ) A substrate processing system according to a third aspect of the present invention includes an exposure apparatus that performs exposure processing on a substrate, and a substrate processing apparatus that is disposed adjacent to the exposure apparatus. The substrate processing apparatus performs processing on a substrate. And a processing transfer unit for transferring the substrate to the exposure apparatus and a loading / unloading unit for loading and unloading the substrate with respect to the processing transfer unit, and the processing transfer unit heat-treats the substrate after the exposure processing A heat treatment unit, a first substrate transport mechanism that transports a substrate before exposure processing carried in by the carry-in / carry-out unit to the exposure apparatus, and a second substrate transport mechanism that transports the substrate after exposure processing from the exposure device to the heat treatment unit When the resist film even after the formation of the saw including a cleaning unit for performing cleaning process to the substrate before the exposure processing, the cleaning unit includes a substrate rotation holding device for rotating while substantially horizontally holding the substrate, the substrate A cleaning brush for cleaning the lower surface of the substrate held by the rolling holding device, the substrate rotation holding device comprising: a rotating member provided rotatably around a rotation axis along a substantially vertical direction; A rotation drive mechanism that is provided on the upper side and rotates the rotation member; and a holding member that is provided on the lower side of the rotation member and holds the substrate by contacting an outer peripheral end of the substrate disposed on the lower side of the rotation member. Is included .
この基板処理システムにおいては、露光装置において基板に露光処理が行われるとともに、露光処理の前後に基板処理装置において基板に所定の処理が行われる。 In this substrate processing system, exposure processing is performed on the substrate in the exposure apparatus, and predetermined processing is performed on the substrate in the substrate processing apparatus before and after the exposure processing.
基板処理装置においては、搬入搬出部により処理搬送部に基板が搬入される。その基板は洗浄処理ユニットにより洗浄処理が行われた後に第1の基板搬送機構により露光装置に搬送される。露光処理後の基板が第2の基板搬送機構により露光装置から熱処理ユニットに搬送される。熱処理ユニットにより露光処理後の基板に熱処理が行われ、熱処理後の基板が搬入搬出部により処理搬送部から搬出される。 In the substrate processing apparatus, the substrate is carried into the processing conveyance unit by the carry-in / out unit. The substrate is transported to the exposure apparatus by the first substrate transport mechanism after being cleaned by the cleaning processing unit . The substrate after the exposure processing is transferred from the exposure apparatus to the heat treatment unit by the second substrate transfer mechanism. A heat treatment is performed on the substrate after the exposure processing by the heat treatment unit, and the substrate after the heat treatment is unloaded from the processing conveyance unit by the loading / unloading unit.
この場合、基板処理装置の外部において露光処理前および露光処理後の基板に種々の処理を行うことにより、基板処理装置における基板の処理工程数を抑制することができる。それにより、基板処理装置の大型化を抑制することができるとともに、基板処理装置内における故障の発生を抑制することができる。 In this case, the number of substrate processing steps in the substrate processing apparatus can be reduced by performing various processes on the substrate before and after the exposure processing outside the substrate processing apparatus. Thereby, the enlargement of the substrate processing apparatus can be suppressed, and the occurrence of failure in the substrate processing apparatus can be suppressed.
また、基板処理装置の外部で種々の処理を行う場合には、基板処理装置内で故障が発生しても、基板処理装置の外部において種々の処理を継続して行うことができる。それにより、基板処理装置の故障の発生による基板の処理効率の悪化を抑制することができる。 When various processes are performed outside the substrate processing apparatus, even if a failure occurs in the substrate processing apparatus, various processes can be continuously performed outside the substrate processing apparatus. Thereby, it is possible to suppress the deterioration of the substrate processing efficiency due to the occurrence of the failure of the substrate processing apparatus.
また、処理搬送部においては、露光処理前の基板が第1の基板搬送機構により搬送され、露光処理後の基板が第2の基板搬送機構により搬送される。すなわち、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。 In the processing transport unit, the substrate before the exposure processing is transported by the first substrate transport mechanism, and the substrate after the exposure processing is transported by the second substrate transport mechanism. That is, the substrate transport path before the exposure process and the substrate transport path after the exposure process are independently secured.
それにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが交錯する場合に比べて、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することがないので、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。
また、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行うことにより、露光処理を良好に行うことができ、基板の処理不良の発生を防止することができる。
また、洗浄処理ユニットにより基板の裏面が洗浄される。それにより、基板の裏面に付着する汚染物を除去することができ、露光処理時に基板の裏面の凹凸に起因してデフォーカスが発生することを防止することができる。したがって、基板の処理不良の発生を防止することができる。
(8)第4の発明に係る基板処理システムは、基板に露光処理を行う露光装置と、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置とを備え、基板処理装置は、基板に処理を行うとともに基板を露光装置に受け渡す処理搬送部と、処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、処理搬送部は、露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を露光装置に搬送する第1の基板搬送機構と、露光処理後の基板を露光装置から熱処理ユニットに搬送する第2の基板搬送機構と、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと、露光処理後の基板に乾燥処理を行う乾燥処理ユニットとを含み、搬入搬出部、処理搬送部および露光装置は第1の方向に沿ってこの順で並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、処理搬送部において第1の方向と水平面内で直交する第2の方向に沿って配置され、熱処理ユニットは、処理搬送部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第2の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されるものである。
この基板処理システムにおいては、露光装置において基板に露光処理が行われるとともに、露光処理の前後に基板処理装置において基板に所定の処理が行われる。
基板処理装置においては、搬入搬出部により処理搬送部に基板が搬入される。その基板は洗浄処理ユニットにより洗浄処理が行われた後に第1の基板搬送機構により露光装置に搬送される。露光処理後の基板が第2の基板搬送機構により露光装置から熱処理ユニットに搬送される。熱処理ユニットにより露光処理後の基板に熱処理が行われ、熱処理後の基板が搬入搬出部により処理搬送部から搬出される。
この場合、基板処理装置の外部において露光処理前および露光処理後の基板に種々の処理を行うことにより、基板処理装置における基板の処理工程数を抑制することができる。それにより、基板処理装置の大型化を抑制することができるとともに、基板処理装置内における故障の発生を抑制することができる。
また、基板処理装置の外部で種々の処理を行う場合には、基板処理装置内で故障が発生しても、基板処理装置の外部において種々の処理を継続して行うことができる。それにより、基板処理装置の故障の発生による基板の処理効率の悪化を抑制することができる。
また、処理搬送部においては、露光処理前の基板が第1の基板搬送機構により搬送され、露光処理後の基板が第2の基板搬送機構により搬送される。すなわち、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。
それにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが交錯する場合に比べて、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することがないので、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。
また、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行うことにより、露光処理を良好に行うことができ、基板の処理不良の発生を防止することができる。
また、搬入搬出部、処理搬送部および露光装置が第1の方向に沿ってこの順で並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットが第1の方向と水平面内で直交する第2の方向に沿って配置される。この場合、熱処理ユニットが処理搬送部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットが第2の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置される。それにより、処理搬送部における基板の搬送効率を良好に維持しつつ基板処理装置の小型化および省スペース化が可能になる。
(8)第5の発明に係る基板処理方法は、処理搬送部と搬入搬出部とを備え、露光装置に隣接するように配置された基板処理装置において基板を処理する方法であって、レジスト膜が形成された基板を搬入搬出部により処理搬送部に搬入するステップと、搬入搬出部によって搬入された基板を処理搬送部の第1の基板搬送機構により処理搬送部の洗浄処理ユニットに搬送するステップと、第1の基板搬送機構によって搬送された基板に洗浄処理ユニットにより洗浄処理を行うステップと、洗浄処理ユニットによる洗浄処理後の基板を第1の基板搬送機構により露光装置に搬送するステップと、露光装置による露光処理後の基板を処理搬送部の第2の基板搬送機構により処理搬送部の熱処理ユニットに搬送するステップと、第2の基板搬送機構によって搬送された基板に熱処理ユニットにより熱処理を行うステップとを備え、洗浄処理ユニットにより洗浄処理を行うステップは、基板回転保持装置により基板を略水平に保持しつつ回転させるステップと、基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄ブラシにより洗浄するステップとを含み、基板を回転させるステップは、回転部材の下側に設けられた保持部材を回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接させることにより基板を保持するステップと、回転部材の上側に設けられた回転駆動機構により回転部材を略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転させるステップとを含むものである。
(9)第6の発明に係る基板処理方法は、処理搬送部と搬入搬出部とを備え、露光装置に隣接するように配置された基板処理装置において基板を処理する方法であって、レジスト膜が形成された基板を搬入搬出部により処理搬送部に搬入するステップと、搬入搬出部によって搬入された基板を処理搬送部の第1の基板搬送機構により処理搬送部の洗浄処理ユニットに搬送するステップと、第1の基板搬送機構によって搬送された基板に洗浄処理ユニットにより洗浄処理を行うステップと、洗浄処理ユニットによる洗浄処理後の基板を第1の基板搬送機構により露光装置に搬送するステップと、露光装置による露光処理後の基板を処理搬送部の第2の基板搬送機構により処理搬送部の乾燥処理ユニットに搬送するステップと、第2の基板搬送機構によって搬送された基板に乾燥処理ユニットにより基板に乾燥処理を行うステップと、乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を第2の基板搬送機構により熱処理ユニットに搬送するステップと、第2の基板搬送機構によって搬送された基板に熱処理ユニットにより熱処理を行うステップとを備え、搬入搬出部、処理搬送部および露光装置は第1の方向に沿ってこの順で並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、処理搬送部において第1の方向と水平面内で直交する第2の方向に沿って配置され、熱処理ユニットは、処理搬送部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第2の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されるものである。
Thereby, the substrate can be efficiently transported as compared with the case where the transport route of the substrate before the exposure processing intersects with the transport route of the substrate after the exposure processing. As a result, the throughput can be improved. In addition, since the substrate before the exposure process and the substrate after the exposure process do not contact the same part, mutual contamination between the substrate before the exposure process and the substrate after the exposure process can be prevented.
Further, by performing a cleaning process on the substrate after the formation of the resist film and before the exposure process, the exposure process can be performed satisfactorily, and the occurrence of processing defects on the substrate can be prevented.
Further, the back surface of the substrate is cleaned by the cleaning processing unit. Thereby, contaminants adhering to the back surface of the substrate can be removed, and defocusing due to unevenness on the back surface of the substrate during exposure processing can be prevented. Therefore, it is possible to prevent occurrence of processing defects on the substrate.
(8) A substrate processing system according to a fourth aspect of the present invention includes an exposure apparatus that performs exposure processing on a substrate, and a substrate processing apparatus that is disposed adjacent to the exposure apparatus. The substrate processing apparatus processes a substrate. A processing transfer unit for transferring the substrate to the exposure apparatus and a loading / unloading unit for loading and unloading the substrate with respect to the processing transfer unit, and the processing transfer unit heat-treats the substrate after the exposure processing A heat treatment unit, a first substrate transport mechanism that transports a substrate before exposure processing carried in by the carry-in / carry-out unit to the exposure apparatus, and a second substrate transport mechanism that transports the substrate after exposure processing from the exposure device to the heat treatment unit And a cleaning processing unit that performs a cleaning process on the substrate after the resist film is formed and before the exposure process, and a drying processing unit that performs a drying process on the substrate after the exposure process. The optical devices are arranged in this order along the first direction, and the cleaning processing unit, the heat treatment unit, and the drying processing unit are arranged along the second direction orthogonal to the first direction in the horizontal plane in the processing transport unit. The heat treatment unit is arranged at a substantially central portion of the processing conveyance unit, and the cleaning processing unit and the drying processing unit are arranged on one side and the other side of the heat treatment unit along the second direction.
In this substrate processing system, exposure processing is performed on the substrate in the exposure apparatus, and predetermined processing is performed on the substrate in the substrate processing apparatus before and after the exposure processing.
In the substrate processing apparatus, the substrate is carried into the processing conveyance unit by the carry-in / out unit. The substrate is transported to the exposure apparatus by the first substrate transport mechanism after being cleaned by the cleaning processing unit. The substrate after the exposure processing is transferred from the exposure apparatus to the heat treatment unit by the second substrate transfer mechanism. A heat treatment is performed on the substrate after the exposure processing by the heat treatment unit, and the substrate after the heat treatment is unloaded from the processing conveyance unit by the loading / unloading unit.
In this case, the number of substrate processing steps in the substrate processing apparatus can be reduced by performing various processes on the substrate before and after the exposure processing outside the substrate processing apparatus. Thereby, the enlargement of the substrate processing apparatus can be suppressed, and the occurrence of failure in the substrate processing apparatus can be suppressed.
When various processes are performed outside the substrate processing apparatus, even if a failure occurs in the substrate processing apparatus, various processes can be continuously performed outside the substrate processing apparatus. Thereby, it is possible to suppress the deterioration of the substrate processing efficiency due to the occurrence of the failure of the substrate processing apparatus.
In the processing transport unit, the substrate before the exposure processing is transported by the first substrate transport mechanism, and the substrate after the exposure processing is transported by the second substrate transport mechanism. That is, the substrate transport path before the exposure process and the substrate transport path after the exposure process are independently secured.
Thereby, the substrate can be efficiently transported as compared with the case where the transport route of the substrate before the exposure processing intersects with the transport route of the substrate after the exposure processing. As a result, the throughput can be improved. In addition, since the substrate before the exposure process and the substrate after the exposure process do not contact the same part, mutual contamination between the substrate before the exposure process and the substrate after the exposure process can be prevented.
Further, by performing a cleaning process on the substrate after the formation of the resist film and before the exposure process, the exposure process can be performed satisfactorily and the occurrence of processing defects on the substrate can be prevented.
In addition, the carry-in / carry-out unit, the processing conveyance unit, and the exposure apparatus are arranged in this order along the first direction, and the cleaning processing unit, the heat treatment unit, and the drying processing unit are orthogonal to each other in the first direction in the horizontal plane. It is arranged along the direction. In this case, the heat treatment unit is disposed at a substantially central portion of the processing conveyance unit, and the cleaning processing unit and the drying processing unit are disposed on one side and the other side of the heat treatment unit along the second direction. Accordingly, it is possible to reduce the size and space of the substrate processing apparatus while maintaining good substrate transfer efficiency in the processing transfer unit.
( 8 ) A substrate processing method according to a fifth aspect of the present invention is a method of processing a substrate in a substrate processing apparatus provided with a processing transfer section and a loading / unloading section and arranged adjacent to an exposure apparatus, wherein a resist film A step of carrying the substrate on which the substrate is formed into the processing transfer unit by the loading / unloading unit, and a step of transferring the substrate loaded by the loading / unloading unit to the cleaning processing unit of the processing transfer unit by the first substrate transfer mechanism of the processing transfer unit A step of performing a cleaning process on the substrate transported by the first substrate transport mechanism by the cleaning processing unit, a step of transporting the substrate after the cleaning process by the cleaning processing unit to the exposure apparatus by the first substrate transport mechanism, A step of transporting a substrate after exposure processing by the exposure apparatus to a heat treatment unit of the processing transport unit by a second substrate transport mechanism of the processing transport unit; and a second substrate transporting machine And a step of performing heat treatment by a heat treatment unit in a substrate which is transported by, the step of performing a cleaning process by the cleaning unit includes the steps of rotating while substantially horizontally holding the substrate by the substrate rotation holding device, the substrate rotation holding device Cleaning the lower surface of the substrate held by the cleaning brush with a cleaning brush, and the step of rotating the substrate comprises the step of rotating the holding member provided below the rotating member to the outer peripheral edge of the substrate disposed below the rotating member. A step of holding the substrate by contacting the portion, and a step of rotating the rotating member around a rotation axis along a substantially vertical direction by a rotation driving mechanism provided on the upper side of the rotating member .
(9) A substrate processing method according to a sixth aspect of the present invention is a method for processing a substrate in a substrate processing apparatus provided with a processing transfer section and a loading / unloading section and disposed adjacent to an exposure apparatus, wherein a resist film A step of carrying the substrate on which the substrate is formed into the processing transfer unit by the loading / unloading unit, and a step of transferring the substrate loaded by the loading / unloading unit to the cleaning processing unit of the processing transfer unit by the first substrate transfer mechanism of the processing transfer unit A step of performing a cleaning process on the substrate transported by the first substrate transport mechanism by the cleaning processing unit, a step of transporting the substrate after the cleaning process by the cleaning processing unit to the exposure apparatus by the first substrate transport mechanism, A step of transporting the substrate after the exposure processing by the exposure apparatus to the drying processing unit of the processing transport unit by the second substrate transport mechanism of the processing transport unit; A step of performing a drying process on the substrate transferred by the drying processing unit, a step of transporting the substrate after the drying process by the drying processing unit to the heat treatment unit by the second substrate transport mechanism, and a second substrate transport mechanism A step of performing a heat treatment on the substrate conveyed by the heat treatment unit, and the carry-in / out unit, the process conveyance unit, and the exposure apparatus are arranged in this order along the first direction, and the cleaning treatment unit, the heat treatment unit, and the drying unit The processing unit is disposed along the second direction orthogonal to the first direction in the horizontal plane in the processing transport unit, and the heat treatment unit is disposed at a substantially central portion of the processing transport unit, and the cleaning processing unit and the drying processing unit Are arranged on one side and the other side of the heat treatment unit along the second direction.
本発明によれば、基板処理装置の外部において露光処理前および露光処理後の基板に種々の処理を行うことにより、基板処理装置における基板の処理工程数を抑制することができる。それにより、基板処理装置の大型化を抑制することができるとともに、基板処理装置内における故障の発生を抑制することができる。また、基板処理装置の外部で種々の処理を行う場合には、基板処理装置内で故障が発生しても、基板処理装置の外部において種々の処理を継続して行うことができる。それにより、基板処理装置の故障の発生による基板の処理効率の悪化を抑制することができる。 According to the present invention, the number of processing steps of a substrate in the substrate processing apparatus can be suppressed by performing various processes on the substrate before and after the exposure processing outside the substrate processing apparatus. Thereby, the enlargement of the substrate processing apparatus can be suppressed, and the occurrence of failure in the substrate processing apparatus can be suppressed. When various processes are performed outside the substrate processing apparatus, even if a failure occurs in the substrate processing apparatus, various processes can be continuously performed outside the substrate processing apparatus. Thereby, it is possible to suppress the deterioration of the substrate processing efficiency due to the occurrence of the failure of the substrate processing apparatus.
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理システムについて図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。 Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing system according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the substrate refers to a semiconductor substrate, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, a photomask glass substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, and the like. Say.
(1)基板処理装置の構成
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図1ならびに後述する図2〜図5および図8には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を+方向、その反対の方向を−方向とする。また、Z方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1 and FIGS. 2 to 5 and FIG. 8 to be described later, arrows indicating the X direction, the Y direction, and the Z direction orthogonal to each other are attached in order to clarify the positional relationship. The X direction and the Y direction are orthogonal to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction. In each direction, the direction in which the arrow points is the + direction, and the opposite direction is the-direction. Further, the rotation direction around the Z direction is defined as the θ direction.
図1に示すように、基板処理装置500は、インデクサブロック9、洗浄加熱ブロック10および基板搬送ブロック11を含む。基板搬送ブロック11に隣接するように露光装置16が配置される。露光装置16においては、液浸法により基板Wに露光処理が行われる。
As shown in FIG. 1, the
インデクサブロック9は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ(制御部)30、複数のキャリア載置台40およびインデクサロボットIRを含む。インデクサロボットIRには、基板Wを受け渡すためのハンドIRHが設けられる。
The
洗浄加熱ブロック10は、洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2、基板載置部PASS1,PASS2、第1および第2のセンターロボットCR1,CR2および載置兼ベークユニットP−PEBを含む。洗浄/乾燥処理ユニットSD1は洗浄加熱ブロック10の−X側に配置され、洗浄/乾燥処理ユニットSD2は洗浄加熱ブロック10の+X側に配置される。載置兼ベークユニットP−PEBは洗浄加熱ブロック10の略中央部に配置される。
The cleaning
載置兼ベークユニットP−PEBと洗浄/乾燥処理ユニットSD1との間に第1のセンターロボットCR1および基板載置部PASS1が配置される。載置兼ベークユニットP−PEBと洗浄/乾燥処理ユニットSD2との間に第2のセンターロボットCR2および基板載置部PASS2が配置される。 A first central robot CR1 and a substrate platform PASS1 are disposed between the placement / bake unit P-PEB and the cleaning / drying processing unit SD1. A second central robot CR2 and a substrate platform PASS2 are arranged between the placement / bake unit P-PEB and the cleaning / drying processing unit SD2.
洗浄/乾燥処理ユニットSD1は、露光処理前の基板Wの洗浄処理を行うとともに乾燥処理を行い、洗浄/乾燥処理ユニットSD2は、露光処理後の基板Wの洗浄処理を行うとともに乾燥処理を行う。洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2の詳細については後述する。 The cleaning / drying processing unit SD1 performs a cleaning process and a drying process for the substrate W before the exposure process, and the cleaning / drying process unit SD2 performs a cleaning process for the substrate W after the exposure process and a drying process. Details of the cleaning / drying processing units SD1 and SD2 will be described later.
第1のセンターロボットCR1には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH11,CRH12が上下に設けられ、第2のセンターロボットCR2には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH13,CRH14が上下に設けられる。 The first center robot CR1 is provided with hands CRH11 and CRH12 for delivering the substrate W up and down, and the second center robot CR2 is provided with hands CRH13 and CRH14 for delivering the substrate W up and down. It is done.
基板搬送ブロック11は、ベベル検査ユニットIM、載置兼冷却ユニットP−CP、送りバッファ部SBF、およびインターフェース用搬送機構IFRa,IFRbを含む。インターフェース用搬送機構IFRaには基板Wを受け渡すためのハンドH1が設けられ、インターフェース用搬送機構IFRbには基板Wを受け渡すためのハンドH2が設けられる。
The
図2は、図1の基板処理装置500を+X方向から見た概略側面図であり、図3は、図1の基板処理装置500を−X方向から見た概略側面図である。なお、図2においては、基板処理装置500の+X側に設けられるものを主に示し、図3においては、基板処理装置500の−X側に設けられるものを主に示している。
2 is a schematic side view of the
図2に示すように、洗浄加熱ブロック10の+X側には、5個の洗浄/乾燥処理ユニットSD2が上下に積層配置される。また、図3に示すように、洗浄加熱ブロック10の−X側には、5個の洗浄/乾燥処理ユニットSD1が上下に積層配置される。基板搬送ブロック11の−X側には、ベベル検査ユニットIM、4個の載置兼冷却ユニットP−CPおよび送りバッファ部SBFが上下に配置される。
As shown in FIG. 2, on the + X side of the cleaning
なお、洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2、ベベル検査ユニットIM、載置兼冷却ユニットP−CPおよび載置兼加熱ユニットP−PEBの個数は適宜変更してもよい。 The numbers of the cleaning / drying processing units SD1 and SD2, the bevel inspection unit IM, the placement / cooling unit P-CP, and the placement / heating unit P-PEB may be changed as appropriate.
(2)基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置500の動作について図1〜図3を参照しながら説明する。
(2) Operation of Substrate Processing Apparatus Next, the operation of the
インデクサブロック9のキャリア載置台40の上には、複数枚の基板Wを多段に収納するキャリアCが搬入される。インデクサロボットIRは、ハンドIRHを用いてキャリアC内に収納された基板Wを取り出す。その後、インデクサロボットIRは±X方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、基板Wを基板載置部PASS1に載置する。
On the carrier mounting table 40 of the
本実施の形態では、インデクサブロック9に搬入される基板Wに、予め他の装置によってレジスト膜が形成されている。また、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜がレジスト膜下に形成されていてもよく、レジスト膜を保護するレジストカバー膜がレジスト膜上に形成されていてもよい。
In the present embodiment, a resist film is formed in advance by another apparatus on the substrate W carried into the
また、本実施の形態では、キャリアCとしてFOUP(front opening unified pod)を採用しているが、これに限定されず、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Wを外気に曝すOC(open cassette)等を用いてもよい。 In the present embodiment, a FOUP (front opening unified pod) is adopted as the carrier C, but the present invention is not limited to this. cassette) or the like.
さらに、インデクサロボットIR、第1および第2のセンターロボットCR1,CR2およびインターフェース用搬送機構IFRa,IFRbには、それぞれ基板Wに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。 Further, the indexer robot IR, the first and second center robots CR1 and CR2, and the interface transport mechanisms IFRa and IFRb are linearly moved with respect to the substrate W so as to move the hand back and forth. Although the robot is used, the present invention is not limited to this, and an articulated transfer robot that moves the joint linearly by moving the joint linearly may be used.
基板載置部PASS1に載置された基板Wは、洗浄加熱ブロック10の第1のセンターロボットCR1により受け取られる。第1のセンターロボットCR1は、その基板Wを洗浄/乾燥処理ユニットSD1のいずれかに搬入する。洗浄/乾燥処理ユニットSD1においては、上述したように露光処理前の基板Wの洗浄および乾燥処理が行われる。
The substrate W placed on the substrate platform PASS1 is received by the first central robot CR1 of the cleaning
次に、第1のセンターロボットCR1は、洗浄/乾燥処理ユニットSD1から洗浄および乾燥処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを基板搬送ブロック11のベベル検査ユニットIMに搬入する。ベベル検査ユニットIMにおいては、基板Wのベベル部(外周端部)の検査が行われ、基板Wのベベル部に膜剥れ等の異常がないか確認される。
Next, the first central robot CR1 takes out the substrate W that has been cleaned and dried from the cleaning / drying processing unit SD1, and carries the substrate W into the bevel inspection unit IM of the
ベベル検査ユニットIMにおいてベベル部の異常が確認された場合、その基板Wは、別途所定の処置がとられる。例えばその基板Wは、第1のセンターロボットCR1によりベベル検査ユニットIMから取り出された後に、送りバッファ部SBFに搬入される。そして、ロット終了後に作業者によって回収される。 When an abnormality in the bevel portion is confirmed in the bevel inspection unit IM, the substrate W is separately subjected to a predetermined treatment. For example, the substrate W is taken out from the bevel inspection unit IM by the first central robot CR1 and then carried into the sending buffer unit SBF. Then, after the lot is finished, it is collected by the operator.
ベベル部に異常がない基板Wは、第1のセンターロボットCR1によりベベル検査ユニットIMから取り出され、送りバッファ部SBFに搬入される。そして、その基板Wは第1のセンターロボットCR1により送りバッファ部SBFから取り出される。 The substrate W having no abnormality in the bevel portion is taken out from the bevel inspection unit IM by the first central robot CR1 and carried into the sending buffer portion SBF. Then, the substrate W is taken out from the sending buffer unit SBF by the first central robot CR1.
露光装置16による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。そのため、露光装置16が後の基板Wの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Wは基板搬送ブロック11の送りバッファ部SBFに一時的に収納保管される。
The exposure processing time by the
次に、第1のセンターロボットCR1は、送りバッファ部SBFから取り出した基板Wを載置兼冷却ユニットP−CPに搬入する。載置兼冷却ユニットP−CPに搬入された基板Wは、露光装置16内と同じ温度(例えば、23℃)に維持される。
Next, the first central robot CR1 carries the substrate W taken out from the sending buffer unit SBF into the placement / cooling unit P-CP. The substrate W carried into the placement / cooling unit P-CP is maintained at the same temperature (for example, 23 ° C.) as that in the
なお、露光装置16が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部SBFに基板Wを収納保管せずに、ベベル検査ユニットIMから載置兼冷却ユニットP−CPに基板Wを搬送してもよい。
When the
続いて、載置兼冷却ユニットP−CPで上記所定温度に維持された基板Wが、基板搬送ブロック11のインターフェース用搬送機構IFRaにより受け取られ、露光装置16内の基板搬入部16aに搬入される。
Subsequently, the substrate W maintained at the predetermined temperature by the placement / cooling unit P-CP is received by the interface transport mechanism IFRa of the
露光装置16において露光処理が施された基板Wは、インターフェース用搬送機構IFRbにより基板搬出部16bから搬出される。インターフェース用搬送機構IFRbは、その基板Wを基板載置部PASS2に載置する。
The substrate W that has been subjected to the exposure processing in the
基板載置部PASS2に載置された基板Wは、洗浄加熱ブロック10の第2のセンターロボットCR2により受け取られる。第2のセンターロボットCR2は、その基板Wを洗浄/乾燥処理ユニットSD2のいずれかに搬入する。洗浄/乾燥処理ユニットSD2においては、上述したように露光処理後の基板Wの洗浄および乾燥処理が行われる。
The substrate W placed on the substrate platform PASS2 is received by the second central robot CR2 of the cleaning
次に、第2のセンターロボットCR2は、洗浄/乾燥処理ユニットSD2から洗浄および乾燥処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを載置兼加熱ユニットP−PEBに搬入する。載置兼加熱ユニットP−PEBにおいては、基板Wに対して露光後ベーク(PEB)処理が行われる。載置兼加熱ユニットP−PEBの詳細については後述する。 Next, the second central robot CR2 takes out the substrate W that has been cleaned and dried from the cleaning / drying processing unit SD2, and carries the substrate W into the placement / heating unit P-PEB. In the placement / heating unit P-PEB, a post-exposure bake (PEB) process is performed on the substrate W. Details of the mounting / heating unit P-PEB will be described later.
本実施の形態では、第1のセンターロボットCR1の動作工程が、基板載置部PASS1から洗浄/乾燥処理SD1への基板Wの搬送、洗浄/乾燥処理ユニットSD1からベベル検査ユニットIMへの基板Wの搬送、ベベル検査ユニットIMから送りバッファ部SBFへの基板Wの搬送、送りバッファ部SBFから載置兼冷却ユニットP−CPへの基板Wの搬送、および載置兼冷却ユニットP−CPから基板載置部PASS1への回転移動の5工程になる。 In the present embodiment, the operation process of the first central robot CR1 includes the transfer of the substrate W from the substrate platform PASS1 to the cleaning / drying process SD1, and the substrate W from the cleaning / drying processing unit SD1 to the bevel inspection unit IM. Transfer, transfer of the substrate W from the bevel inspection unit IM to the transfer buffer unit SBF, transfer of the substrate W from the transfer buffer unit SBF to the mounting / cooling unit P-CP, and transfer from the mounting / cooling unit P-CP to the substrate There are five steps of rotational movement to the placement part PASS1.
この場合、例えば1つの工程を3.6秒で行うことが可能な第1のセンターロボットCR1を用いると、1時間で200枚の基板Wを搬送することができる。 In this case, for example, when the first central robot CR1 capable of performing one process in 3.6 seconds is used, 200 substrates W can be transferred in one hour.
また、第2のセンターロボットCR2の動作工程が、基板載置部PASS2から洗浄/乾燥処理ユニットSD2への基板Wの搬送、洗浄/乾燥処理ユニットSD2から載置兼加熱ユニットP−PEBへの基板Wの搬送、および載置兼加熱ユニットP−PEBから基板載置部PASS2への回転移動の3工程になる。 In addition, the operation process of the second central robot CR2 includes the transfer of the substrate W from the substrate platform PASS2 to the cleaning / drying processing unit SD2, and the substrate from the cleaning / drying processing unit SD2 to the mounting / heating unit P-PEB. There are three steps of transporting W and rotational movement from the placement / heating unit P-PEB to the substrate platform PASS2.
この場合、例えば1つの工程を3.6秒で行うことが可能な第2のセンターロボットCR2を用いると、1時間で333枚の基板Wを搬送することができる。 In this case, for example, if the second central robot CR2 capable of performing one process in 3.6 seconds is used, 333 substrates W can be transferred in one hour.
露光後ベーク処理が行われた基板Wは、インデクサブロック9のインデクサロボットIRにより載置兼加熱ユニットP−PEBから受け取られる。インデクサロボットIRは、その基板WをキャリアC内に収納する。これにより、基板処理装置500における基板Wの各処理が終了する。
The substrate W on which the post-exposure baking process has been performed is received from the placement / heating unit P-PEB by the indexer robot IR of the
なお、基板処理装置500から基板Wが搬出された後、他の装置によって基板W上のレジスト膜に現像処理が行われる。また、基板W上にレジストカバー膜が形成されている場合には、現像処理が行われる前にレジストカバー膜の除去処理が行われる。
Note that after the substrate W is unloaded from the
(3)載置兼加熱ユニットの詳細
図4は、載置兼加熱ユニットP−PEBの外観斜視図であり、図5は、YZ平面における載置兼加熱ユニットP−PEBの断面図である。
(3) Details of Mounting / Heating Unit FIG. 4 is an external perspective view of the mounting / heating unit P-PEB, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the mounting / heating unit P-PEB in the YZ plane.
図4および図5に示すように、載置兼加熱ユニットP−PEBは、搬出用載置部200、搬入用載置部210、加熱部220および搬送機構230を備える。搬出用載置部200、搬入用載置部210および加熱部220は、Y方向に沿って並べて配置されている。
As shown in FIGS. 4 and 5, the placement / heating unit P-PEB includes a carry-out
搬出用載置部200は、冷却プレート201を含む。冷却プレートの内部には、冷却配管WPが設けられている。冷却配管WPを通して冷却媒体(例えば冷却水)を循環させることにより、冷却プレート201を冷却することができる。冷却プレート201から上方に突出するように、複数(本例では3本)の昇降ピン202が設けられている。
The
搬入用載置部210は、載置プレート211を含む。載置プレート211から上方に突出するように、複数(本例では3本)の昇降ピン212が設けられている。
The
加熱部220は、加熱プレート221を含む。加熱プレート221から上方に突出するように、複数(本例では3本)の昇降ピン222が設けられている。加熱プレート221の上方には、上蓋224が設けられている。上蓋224は上蓋昇降駆動部225に取り付けられている。上蓋昇降駆動部225により、上蓋224が昇降駆動される。
The
図5に示すように、複数の昇降ピン202はピン支持板203に取り付けられ、複数の昇降ピン212はピン支持板213に取り付けられている。複数の昇降ピン222はピン支持板223に取り付けられている。ピン支持板203,213,223は、昇降ピン駆動機構240によりそれぞれ独立に昇降駆動される。
As shown in FIG. 5, the plurality of lifting
図4に示すように、搬出用載置部200、搬入用載置部210および加熱部220の側方には、Y方向に沿うようにガイドレール231が敷設されている。搬送機構230は、ガイドレール231に沿って移動可能に設けられている。
As shown in FIG. 4,
搬送機構230は、搬送ハンド232およびハンド駆動部233を有する。搬送ハンド232は、ハンド駆動部233により昇降されるとともに、ハンド駆動部233と一体的にY方向に沿って移動する。搬送ハンド232は、基板Wを保持した状態で、搬出用載置部200、搬入用載置部210および加熱部220の間を移動する。搬送ハンド232には、昇降ピン202,212,222と干渉しないように切り込みが形成されている。
The
次に、載置兼加熱ユニットP−PEBの動作について説明する。まず、図1の第2のセンターロボットCR2が、ハンドCRH13またはハンドCRH14によりX方向に沿って載置兼加熱ユニットP−PEBに基板Wを搬入し、搬入載置部210の昇降ピン212上に載置する。
Next, the operation of the placement / heating unit P-PEB will be described. First, the second central robot CR2 in FIG. 1 carries the substrate W into the placement / heating unit P-PEB along the X direction by the hand CRH13 or the hand CRH14, and is placed on the lifting pins 212 of the
第2のセンターロボットCR2のハンドCRH13またはハンドCRH14が退出した後、搬送ハンド232が基板Wと載置プレート211との間に移動し、支持ピン212上の基板Wを受け取る。
After the hand CRH13 or hand CRH14 of the second center robot CR2 has left, the
続いて、上蓋224が加熱プレート221から離間した状態で、搬送ハンド232が加熱プレート221上に移動し、支持ピン222上に基板Wを載置する。
Subsequently, in a state where the
続いて、搬送ハンド232が加熱部220から退避するとともに、上蓋224が下降して加熱プレート221上の空間を閉塞する。そして、昇降ピン222が下降して基板Wを加熱プレート221上に載置する。その状態で、加熱プレート221により基板Wが加熱される。
Subsequently, the
所定時間経過後、基板Wの加熱が停止され、上蓋224が上昇する。続いて、昇降ピン222が上昇して基板Wを加熱プレート221から離間させる。そして、加熱プレート221と基板Wとの間に搬送ハンド232が移動し、昇降ピン222上の基板Wを受け取る。
After a predetermined time has elapsed, the heating of the substrate W is stopped, and the
続いて、加熱後の基板Wを保持した状態で搬送ハンド232が搬出用載置部200の冷却プレート201上に移動し、支持ピン202上に基板Wを載置する。続いて、支持ピン202が下降して基板Wを冷却プレート201上に載置する。その状態で、冷却プレート201が冷却されることにより、基板Wが冷却される。
Subsequently, the
所定時間経過後、基板Wの冷却が停止され、支持ピン202が上昇して基板Wを冷却プレート201から離間させる。そして、図1のインデクサロボットIRが、ハンドIRHにより、支持ピン202上から基板Wを受け取り、Y方向に沿って載置兼加熱ユニットP−PEBから基板Wを搬出する。
After a predetermined time elapses, the cooling of the substrate W is stopped, and the support pins 202 are raised to separate the substrate W from the
載置兼加熱ユニットP−PEBにおいては、第2のセンターロボットCR2に近接する位置に搬入用載置部210が設けられ、インデクサロボットIR(インデクサボロック9)に近接する位置に搬出用載置部200が設けられている。それにより、第2のセンターロボットCR2による搬入用載置部210への基板Wの搬入およびインデクサロボットIRによる搬出用載置部200からの基板Wの搬出が容易になる。その結果、載置兼加熱ユニットP−PEBに対する基板Wの搬入および搬出を迅速に行うことが可能になる。
In the placement / heating unit P-PEB, a
なお、本実施の形態では、冷却プレート201によって基板Wが冷却されるが、基板Wの冷却方法はこれに限らず、搬送ハンド232に基板Wを冷却するための冷却機能を付与してもよい。
In the present embodiment, the
(4)洗浄/乾燥処理ユニット
次に、洗浄/乾燥処理ユニットSD1について図面を用いて詳細に説明する。図6は、洗浄/乾燥処理ユニットSD1の構成を示す側面図である。なお、洗浄/乾燥処理ユニットSD2は、洗浄/乾燥処理ユニットSD1と同様の構成を有する。
(4) Cleaning / Drying Processing Unit Next, the cleaning / drying processing unit SD1 will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 6 is a side view showing the configuration of the cleaning / drying processing unit SD1. The cleaning / drying processing unit SD2 has the same configuration as the cleaning / drying processing unit SD1.
図6に示すように、洗浄/乾燥処理ユニットSD1は、基板Wを水平に保持するとともに、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Wを回転させるためのスピンチャック621を備える。
As shown in FIG. 6, the cleaning / drying processing unit SD1 includes a
スピンチャック621は、チャック回転駆動機構636によって回転される回転軸625の上端に固定されている。また、スピンチャック621には吸気路(図示せず)が形成されており、スピンチャック621上に基板Wを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Wの下面をスピンチャック621に真空吸着し、基板Wを水平姿勢で保持することができる。
The
スピンチャック621の外方には、モータ660が設けられている。モータ660には、回動軸661が接続されている。また、回動軸661には、アーム662が水平方向に延びるように連結され、アーム662の先端に洗浄処理用ノズル650が設けられている。
A
モータ660により回動軸661が回転するとともにアーム662が回動し、洗浄処理用ノズル650がスピンチャック621により保持された基板Wの上方に移動する。
The
モータ660、回動軸661およびアーム662の内部を通るように洗浄処理用供給管663が設けられている。洗浄処理用供給管663は、バルブVaおよびバルブVbを介して洗浄液供給源R1およびリンス液供給源R2に接続されている。
A cleaning
このバルブVa,Vbの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管663に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図6の構成においては、バルブVaを開くことにより、洗浄処理用供給管663に洗浄液を供給することができ、バルブVbを開くことにより、洗浄処理用供給管663にリンス液を供給することができる。
By controlling the opening and closing of the valves Va and Vb, the processing liquid supplied to the cleaning
洗浄処理用ノズル650には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管663を通して洗浄液供給源R1またはリンス液供給源R2から供給される。それにより、基板Wの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体(イオン化したもの)を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水HFE(ハイドロフルオロエーテル)のいずれかが用いられる。
The cleaning liquid or the rinse liquid is supplied to the
スピンチャック621の外方には、モータ671が設けられている。モータ671には、回動軸672が接続されている。また、回動軸672には、アーム673が水平方向に延びるように連結され、アーム673の先端に乾燥処理用ノズル670が設けられている。
A
モータ671により回動軸672が回転するとともに、アーム673が回動し、乾燥処理用ノズル670がスピンチャック621により保持された基板Wの上方に移動する。
The
モータ671、回動軸672およびアーム673の内部を通るように乾燥処理用供給管674が設けられている。乾燥処理用供給管674は、バルブVcを介して不活性ガス供給源R3に接続されている。このバルブVcの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管674に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。
A drying
乾燥処理用ノズル670には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管674を通して不活性ガス供給源R3から供給される。それにより、基板Wの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。
The inert gas is supplied to the drying
基板Wの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル650は基板の上方に位置し、基板Wの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル650は所定の位置に退避される。
When supplying the cleaning liquid or the rinsing liquid to the surface of the substrate W, the cleaning
また、基板Wの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル670は所定の位置に退避され、基板Wの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル670は基板Wの上方に位置する。
Further, when supplying the cleaning liquid or the rinsing liquid to the surface of the substrate W, the drying
スピンチャック621に保持された基板Wは、処理カップ623内に収容される。処理カップ623の内側には、筒状の仕切壁633が設けられている。また、スピンチャック621の周囲を取り囲むように、基板Wの処理に用いられた処理液(洗浄液またはリンス液)を排液するための排液空間631が形成されている。さらに、排液空間631を取り囲むように、処理カップ623と仕切壁633との間に、基板Wの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間632が形成されている。
The substrate W held on the
排液空間631には、排液処理装置(図示せず)へ処理液を導くための排液管634が接続され、回収液空間632には、回収処理装置(図示せず)へ処理液を導くための回収管635が接続されている。
The
処理カップ623の上方には、基板Wからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード624が設けられている。このガード624は、回転軸625に対して回転対称な形状からなっている。ガード624の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝641が環状に形成されている。
A
また、ガード624の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部642が形成されている。回収液案内部642の上端付近には、処理カップ623の仕切壁633を受け入れるための仕切壁収納溝643が形成されている。
In addition, a recovery
このガード624には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構(図示せず)が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード624を、回収液案内部642がスピンチャック621に保持された基板Wの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝641がスピンチャック621に保持された基板Wの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード624が回収位置(図6に示すガードの位置)にある場合には、基板Wから外方へ飛散した処理液が回収液案内部642により回収液空間632に導かれ、回収管635を通して回収される。一方、ガード624が排液位置にある場合には、基板Wから外方へ飛散した処理液が排液案内溝641により排液空間631に導かれ、排液管634を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
The
次に、上記構成を有する洗浄/乾燥処理ユニットSD1の処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄/乾燥処理ユニットSD1の各構成要素の動作は、図1のメインコントロ−ラ(制御部)30により制御される。洗浄/乾燥処理ユニットSD2の処理動作は、洗浄/乾燥処理ユニットSD1の処理動作と同様である。 Next, the processing operation of the cleaning / drying processing unit SD1 having the above configuration will be described. The operation of each component of the cleaning / drying processing unit SD1 described below is controlled by the main controller (control unit) 30 in FIG. The processing operation of the cleaning / drying processing unit SD2 is the same as the processing operation of the cleaning / drying processing unit SD1.
まず、基板Wの搬入時には、ガード624が下降するとともに、図1の第1のセンターロボットCR1が基板Wをスピンチャック621上に載置する。スピンチャック621上に載置された基板Wは、スピンチャック621により吸着保持される。
First, when the substrate W is carried in, the
次に、ガード624が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル650が基板Wの中心部上方に移動する。その後、回転軸625が回転し、この回転に伴ってスピンチャック621に保持されている基板Wが回転する。その後、洗浄処理用ノズル650から洗浄液が基板Wの上面に吐出される。これにより、基板Wの洗浄が行われる。
Next, the
なお、洗浄/乾燥処理ユニットSD1においては、この洗浄時に基板W上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Wの洗浄においては、基板Wを回転させつつ基板W上に洗浄液を供給している。この場合、基板W上の洗浄液は遠心力により常に基板Wの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板W上に残留することを防止することができる。 In the cleaning / drying processing unit SD1, the components of the resist cover film on the substrate W are eluted in the cleaning liquid during this cleaning. In cleaning the substrate W, the cleaning liquid is supplied onto the substrate W while rotating the substrate W. In this case, the cleaning liquid on the substrate W always moves to the periphery of the substrate W due to centrifugal force and scatters. Therefore, it is possible to prevent the components of the resist cover film eluted in the cleaning liquid from remaining on the substrate W.
なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板W上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板W上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。 The components of the resist cover film may be eluted by, for example, depositing pure water on the substrate W and holding it for a certain time. The supply of the cleaning liquid onto the substrate W may be performed by a soft spray method using a two-fluid nozzle.
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル650からリンス液が吐出される。これにより、基板W上の洗浄液が洗い流される。
After a predetermined time has elapsed, the supply of the cleaning liquid is stopped, and the rinsing liquid is discharged from the cleaning
さらに所定時間経過後、回転軸625の回転速度が低下する。これにより、基板Wの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図7(a)に示すように、基板Wの表面全体にリンス液の液層Lが形成される。なお、回転軸625の回転を停止させて基板Wの表面全体に液層Lを形成してもよい。
Further, after a predetermined time has elapsed, the rotational speed of the
次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル650が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル670が基板Wの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル670から不活性ガスが吐出される。これにより、図7(b)に示すように、基板Wの中心部のリンス液が基板Wの周縁部に移動し、基板Wの周縁部のみに液層Lが存在する状態になる。
Next, the supply of the rinsing liquid is stopped, the cleaning
次に、回転軸625(図6参照)の回転数が上昇するとともに、図7(c)に示すように乾燥処理用ノズル670が基板Wの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板W上の液層Lに大きな遠心力が作用するとともに、基板Wの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板W上の液層Lを確実に取り除くことができる。その結果、基板Wを確実に乾燥させることができる。
Next, as the number of rotations of the rotation shaft 625 (see FIG. 6) increases, the drying
次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル670が所定の位置に退避するとともに回転軸625の回転が停止する。その後、ガード624が下降するとともに図1の第1のセンターロボットCR1が基板Wを搬出する。これにより、洗浄/乾燥処理ユニットSD1における処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード624の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
Next, the supply of the inert gas is stopped, the drying
なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル650から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル650を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。
In the above embodiment, the cleaning
また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Wの裏面に回り込まないように、基板Wの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。 Further, when supplying the rinsing liquid, pure water may be supplied from a back rinsing nozzle (not shown) to the back surface of the substrate W so that the rinsing liquid does not flow around the back surface of the substrate W.
また、基板Wを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。 In addition, when pure water is used as a cleaning liquid for cleaning the substrate W, it is not necessary to supply a rinse liquid.
また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Wに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Wに乾燥処理を施してもよい。 In the above embodiment, the substrate W is dried by the spin drying method. However, the substrate W may be dried by other drying methods such as a reduced pressure drying method and an air knife drying method.
また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Lが形成された状態で、乾燥処理用ノズル670から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Lを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Wを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル670から不活性ガスを供給して基板Wを完全に乾燥させるようにしてもよい。
In the above embodiment, the inert gas is supplied from the drying
(5)本実施の形態の効果
本実施の形態に係る基板処理装置500においては、露光処理前の基板Wの洗浄処理および乾燥処理、ならびに露光処理後の基板Wの洗浄処理、乾燥処理および加熱処理が行われる。レジスト膜の形成および現像等の他の処理は、基板処理装置500の外部において別途行われる。
(5) Effects of this Embodiment In the
このように、基板処理装置500の外部で種々の処理を行うことにより、基板処理装置500の大型化が抑制されるとともに、基板処理装置500内における故障の発生を抑制することができる。そのため、基板処理装置500の復旧作業に要する労力および時間を削減することができる。
As described above, by performing various processes outside the
また、基板処理装置500内で故障が発生しても、レジスト膜の形成等の他の処理を継続して行うことができる。それにより、故障の発生による基板Wの処理効率の悪化を抑制することができる。
Even if a failure occurs in the
また、洗浄加熱ブロック10および基板搬送ブロック11においては、露光処理前の基板Wが第1のセンターロボットCR1およびインターフェース用搬送機構IFRaにより搬送され、露光処理後の基板Wが第2のセンターロボットCR2およびインターフェース用搬送機構IFRbにより搬送される。すなわち、洗浄加熱ブロック10および基板搬送ブロック11において、露光処理前の基板Wの搬送経路と露光処理後の基板Wの搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。この場合、露光処理前の基板Wの搬送経路と露光処理後の基板Wの搬送経路とが交錯する場合に比べて、第1および第2のセンターロボットCR1,CR2およびインターフェース用搬送機構IFRa,IFRbの動作が簡略化される。それにより、基板Wの搬送効率が向上し、スループットを向上させることが可能になる。
In the cleaning
また、洗浄加熱ブロック10および基板搬送ブロック11において、露光処理前の基板Wと露光処理後の基板Wとが同一の部位に接触することがない。したがって、露光処理前の基板Wと露光処理後の基板Wとの間のクロスコンタミネーション(相互汚染)を防止することができる。
Further, in the cleaning
また、露光処理前の基板Wの搬送経路と露光処理後の基板Wの搬送経路とがそれぞれ独立していることにより、露光処理後の基板Wを迅速にかつ円滑に載置兼加熱ユニットP−PEBに搬送することができる。そのため、複数の基板Wを連続的に処理する場合に、露光処理からPEB処理までの時間を短くかつほぼ一定にすることができる。その結果、露光パターンの精度のばらつきを防止することができる。 Further, since the transport path of the substrate W before the exposure process and the transport path of the substrate W after the exposure process are independent from each other, the substrate W after the exposure process can be quickly and smoothly placed and heated. Can be transported to PEB. Therefore, when processing a plurality of substrates W continuously, the time from the exposure process to the PEB process can be made short and substantially constant. As a result, variations in exposure pattern accuracy can be prevented.
また、載置兼加熱ユニットP−PEBは、第2のセンターロボットCR2からインデクサロボットIRへの基板Wの受け渡しのための載置部の役割を担っている。この場合、洗浄加熱ブロック10からインデクサブロック9への基板Wの搬送経路を簡略化することができる。それにより、スループットをさらに向上させることができる。
Further, the placement / heating unit P-PEB plays a role of a placement unit for delivering the substrate W from the second center robot CR2 to the indexer robot IR. In this case, the transport path of the substrate W from the cleaning
また、本実施の形態では、露光装置16において基板Wの露光処理が行われる前に、洗浄/乾燥処理ユニットSD1において基板Wの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板W上のレジスト膜またはレジストカバー膜のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置16において基板Wが液体と接触しても、基板W上のレジスト膜またはレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Wに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置16内の汚染が防止される。
Further, in the present embodiment, before the exposure processing of the substrate W is performed in the
また、洗浄/乾燥処理ユニットSD1においては、基板Wの洗浄処理後に基板Wの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Wに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Wに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置16内の汚染を確実に防止することができる。
In the cleaning / drying processing unit SD1, the substrate W is subjected to a drying process after the substrate W is cleaned. As a result, the cleaning liquid or the rinse liquid adhering to the substrate W during the cleaning process is removed, so that the dust in the atmosphere or the like is prevented from adhering again to the substrate W after the cleaning process. As a result, contamination within the
また、洗浄/乾燥処理ユニットSD1においては、基板Wを回転させつつ不活性ガスを基板Wの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Wの乾燥処理を行っている。この場合、基板W上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Wの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Wの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。 Further, in the cleaning / drying processing unit SD1, the substrate W is dried by blowing an inert gas from the central portion to the peripheral portion of the substrate W while rotating the substrate W. In this case, the cleaning liquid and the rinsing liquid on the substrate W can be reliably removed, so that it is possible to reliably prevent dust and the like in the atmosphere from adhering to the cleaned substrate W. Thereby, the contamination of the substrate W can be surely prevented, and the occurrence of dry spots on the surface of the substrate W can be prevented.
また、洗浄/乾燥処理ユニットSD2においては、露光処理後の基板Wの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Wに付着した液体が、基板処理装置500内に落下することが防止される。また、露光処理後の基板Wの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Wの汚染を防止することができる。
Further, in the cleaning / drying processing unit SD2, the substrate W after the exposure processing is dried. This prevents the liquid adhering to the substrate W during the exposure process from falling into the
また、基板処理装置500内を液体が付着した基板Wが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Wに付着した液体が基板処理装置500内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置500内の温湿度調整が容易になる。
In addition, since it is possible to prevent the substrate W to which the liquid is attached from being transported through the
また、露光処理時に基板Wに付着した液体がインデクサロボットIRおよび第1および第2のセンターロボットCR1,CR2に付着することが防止される。そのため、露光処理前の基板Wに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Wの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置16内の汚染を防止することができる。
Further, the liquid adhering to the substrate W during the exposure process is prevented from adhering to the indexer robot IR and the first and second center robots CR1 and CR2. Therefore, it is possible to prevent the liquid from adhering to the substrate W before the exposure process. This prevents dust and the like in the atmosphere from adhering to the substrate W before the exposure process, so that contamination of the substrate W is prevented. As a result, it is possible to prevent the resolution performance from being deteriorated during the exposure process and to prevent contamination in the
また、洗浄/乾燥処理ユニットSD2から基板Wを搬送した後に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板W上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。 In addition, it is possible to reliably prevent the resist component or the resist cover film component from being eluted into the cleaning liquid and the rinsing liquid remaining on the substrate W after the substrate W is transported from the cleaning / drying processing unit SD2. Thereby, deformation of the exposure pattern formed on the resist film can be prevented. As a result, it is possible to reliably prevent a reduction in line width accuracy during the development process.
これらの結果、基板処理装置500の電気系統の異常等の動作不良を防止することができるとともに、基板Wの処理不良を確実に防止することができる。
As a result, it is possible to prevent malfunctions such as abnormalities in the electrical system of the
また、洗浄/乾燥処理ユニットSD2においては、基板Wを回転させつつ不活性ガスを基板Wの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Wの乾燥処理を行っている。この場合、基板W上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Wの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Wの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。 Further, in the cleaning / drying processing unit SD2, the substrate W is dried by blowing an inert gas from the central portion to the peripheral portion of the substrate W while rotating the substrate W. In this case, the cleaning liquid and the rinsing liquid on the substrate W can be reliably removed, so that it is possible to reliably prevent dust and the like in the atmosphere from adhering to the cleaned substrate W. Thereby, the contamination of the substrate W can be surely prevented, and the occurrence of dry spots on the surface of the substrate W can be prevented.
また、洗浄/乾燥処理ユニットSD2においては、乾燥処理前に基板Wの洗浄処理が行われるので、露光処理時に液体が付着した基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Wの汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。 In the cleaning / drying processing unit SD2, the substrate W is subjected to a cleaning process before the drying process. Therefore, even if dust or the like in the atmosphere adheres to the substrate W to which the liquid has adhered during the exposure process, the adhered matter is removed. Can be removed. Thereby, contamination of the substrate W can be prevented. As a result, it is possible to reliably prevent substrate processing defects.
(6)他の実施の形態
図8は、本発明の他の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図8に示す基板処理装置500aについて、上記実施の形態の基板処理装置500と異なる点を説明する。
(6) Other Embodiments FIG. 8 is a plan view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. A difference between the
基板処理装置500aにおいては、基板搬送ブロック11に、インターフェース用搬送機構IFRa,IFRbの代わりにインターフェース用搬送機構IFRcが±X方向に移動可能に設けられる。インターフェース用搬送機構IFRcには、基板Wを受け渡すためのハンドH3,H4が上下に設けられる。ハンドH3,H4は、それぞれ独立に駆動される。
In the
インターフェース用搬送機構IFRcは、ハンドH3により載置兼冷却ユニットP−CPに載置された基板Wを受け取り、その基板Wを露光装置16の基板搬入部16aに搬入する。また、インターフェース用搬送機構IFRcは、ハンドH4により露光装置16の基板搬出部16bから露光処理後の基板Wを搬出し、その基板Wを洗浄加熱ブロック10の基板載置部PASS2に載置する。
The interface transport mechanism IFRc receives the substrate W placed on the placement / cooling unit P-CP by the hand H3, and carries the substrate W into the substrate carry-in
このように、基板処理装置500aでは、基板搬送ブロック11において、インターフェース用搬送機構IFRcのハンドH3,H4がそれぞれ独立に駆動され、露光処理前の基板WがハンドH3により搬送され、露光処理後の基板WがハンドH4により搬送される。それにより、洗浄加熱ブロック10および基板搬送ブロック11において、露光処理前の基板Wの搬送経路と露光処理後の基板Wの搬送経路とがそれぞれ独立に確保される。したがって、効率良く基板Wを搬送することができる。
As described above, in the
また、洗浄加熱ブロック10および基板搬送ブロック11において、露光処理前の基板Wと露光処理後の基板Wとの間のクロスコンタミネーションが防止される。
Further, in the cleaning
(7)さらに他の実施の形態
上記実施の形態では、液浸法により基板Wの露光処理を行う露光装置16を基板処理装置500の外部装置として設ける場合について説明したが、これに限定されず、液体を用いずに基板Wの露光処理を行う従来の露光装置を外部装置として設けてもよい。この場合、洗浄加熱ブロック10に洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2を設けなくてもよい。また、洗浄/乾燥処理ユニットSD1の代わりに以下に示す裏面洗浄処理ユニットBCを設けてもよい。なお、以下の説明において、基板Wの表面とは、種々の膜が形成される面をいい、基板Wの裏面とは、その反対側の面をいう。
(7) Still another embodiment In the above embodiment, the description has been given of the case where the
(7−1)裏面洗浄処理ユニット
図9および図10は、裏面洗浄処理ユニットBCの構成を示す側面図および概略平面図である。なお、図10には、裏面洗浄処理ユニットBCの一部の構成要素が模式的に示される。
(7-1) Backside Cleaning Processing Unit FIGS. 9 and 10 are a side view and a schematic plan view showing the configuration of the backside cleaning processing unit BC. FIG. 10 schematically shows some components of the back surface cleaning unit BC.
図9および図10に示すように、裏面洗浄処理ユニットBCは、基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック700を備える。スピンチャック700は、スピンモータ701、回転軸702、円板状のスピンプレート703、プレート支持部材704、円板状の遮断板705、マグネットプレート706a,706bおよび複数のチャックピン707を含む。
As shown in FIGS. 9 and 10, the back surface cleaning processing unit BC includes a
裏面洗浄処理ユニットBCの上部にスピンモータ701が設けられている。スピンモータ701は、モータ支持部材701sによって支持されている。モータ支持部材701sは、鉛直方向に延びる貫通孔701hを有し、モータ固定部290に取り付けられている。
A
スピンモータ701の内部から下方に延びるように円筒形状を有する回転軸702が設けられている。回転軸702はスピンモータ701の出力軸として機能する。
A
回転軸702の下端部にはプレート支持部材704が取り付けられている。後述するように、プレート支持部材704は円筒形状を有する。プレート支持部材704によりスピンプレート703が水平に支持されている。スピンプレート703の下方で遮断板705が固定部材705a,705bによってプレート支持部材704およびスピンプレート703に水平に固定されている。遮断板705の中心部には、貫通孔705hが形成されている。スピンモータ701によって回転軸702が回転することにより、プレート支持部材704、スピンプレート703および遮断板705が鉛直軸の周りで一体的に回転する。
A
モータ支持部材701sの貫通孔701h、スピンモータ701の回転軸702の内部、およびプレート支持部材704の内部には、流体供給管710が挿通されている。流体供給管710は、ガイド管711の内部に気体供給管712が収容された構造を有する。気体供給管712には気体(本例ではN2ガス)が供給される。
A
気体供給管712は、その先端部が遮断板705の貫通孔705hから僅かに下方に突出するように設けられる。これにより、遮断板705と基板Wとの間にN2ガスを確実に供給することができる。なお、気体供給管712の先端部を遮断板705に固定してもよい。
The
スピンプレート703の周縁部には、複数(図6においては5つ)のチャックピン707が回転軸702に関して等角度間隔で設けられている。チャックピン707の個数は、5つ以上であることが望ましい。その理由については後述する。
A plurality (five in FIG. 6) of chuck pins 707 are provided at equiangular intervals with respect to the
各チャックピン707は、軸部707a、ピン支持部707b、保持部707cおよびマグネット720を含む。スピンプレート703を貫通するように軸部707aが設けられ、軸部707aの下端部に水平方向に延びるピン支持部707bが接続されている。ピン支持部707bの先端部から下方に突出するように保持部707cが設けられている。また、スピンプレート703の上面側において、軸部707aの上端部にマグネット720が取り付けられている。
Each
各チャックピン707は、軸部707aを中心に鉛直軸の周りで回転可能であり、保持部707cが基板Wの外周端部に当接する閉状態と、保持部707cが基板Wの外周端部から離間する開状態とに切替可能である。なお、本例では、マグネット720のN極が内側にある場合に各チャックピン707が閉状態となり、マグネット720のS極が内側にある場合に各チャックピン707が開状態となる。
Each
スピンプレート703の上方には、回転軸702を中心とする周方向に沿ってマグネットプレート706a,706bが配置される。マグネットプレート706a,706bは、外側にS極を有し、内側にN極を有する。マグネットプレート706a,706bは、マグネット昇降機構713a,713bによってそれぞれ独立に昇降し、チャックピン707のマグネット720よりも高い上方位置とチャックピン707のマグネット720とほぼ等しい高さの下方位置との間で移動する。
マグネットプレート706a,706bの昇降により、各チャックピン707が開状態と閉状態とに切り替えられる。マグネットプレート706a,706bおよびチャックピン707の動作の詳細については後述する。
Each
スピンチャック700の外方には、基板Wから飛散する洗浄液を受け止めるためのガード714が設けられている。ガード714は、スピンチャック700の回転軸702に関して回転対称な形状を有する。また、ガード714は、ガード昇降機構714aにより昇降する。ガード714により受け止められた洗浄液は、図示しない排液装置または回収装置により排液または回収される。
A
ガード714の外方には、3つ以上(本例では3つ)の基板受け渡し機構730がスピンチャック700の回転軸702を中心として等角度間隔で配置されている。各基板受け渡し機構730は、昇降回転駆動部731、回転軸732、アーム733および保持ピン734を含む。昇降回転駆動部731から上方に延びるように回転軸732が設けられ、回転軸732の上端部から水平方向に延びるようにアーム733が連結されている。アーム733の先端部に、基板Wの外周端部を保持するための保持ピン734が設けられている。
Outside the
昇降回転駆動部731により、回転軸732が昇降動作および回転動作を行う。それにより、保持ピン734が水平方向および上下方向に移動する。
The
また、裏面洗浄処理ユニットBCの下部には、略円柱形状の裏面洗浄ブラシ735が配置されている。裏面洗浄ブラシ735はモータ736の回転軸に取り付けられており、鉛直軸の周りで回転駆動される。モータ736はブラシ保持部材737により保持されている。ブラシ保持部材737は、ブラシ移動機構738によって駆動される。それにより、洗浄ブラシ735が水平方向および上下方向に移動する。
Further, a substantially cylindrical back
洗浄ブラシ735の近傍におけるブラシ保持部材737の部分には洗浄ノズル739が取り付けられている。洗浄ノズル739には洗浄液が供給される液供給管(図示せず)が接続されている。洗浄ノズル739の吐出口は洗浄ブラシ735周辺に向けられており、吐出口から洗浄ブラシ735周辺に向けて洗浄液が吐出される。なお、本例では洗浄水として純水が用いられる。
A cleaning
スピンチャック700による基板Wの保持動作について説明する。図11および図12は、スピンチャック700による基板Wの保持動作を説明するための図である。
The holding operation of the substrate W by the
まず、図11(a)に示すように、ガード714がチャックピン707よりも低い位置に移動する。そして、複数の基板受け渡し機構730(図9)の保持ピン734がガード714の上方を通ってスピンプレート703の下方に移動する。複数の保持ピン734上に第1のセンターロボットCR1(図1)により基板Wが載置される。
First, as shown in FIG. 11A, the
このとき、マグネットプレート706a,706bは上方位置にある。この場合、マグネットプレート706a,706bの磁力線Bは、チャックピン707のマグネット720の高さにおいて内側から外側に向かう。それにより、各チャックピン707のマグネット720のS極が内側に吸引される。したがって、各チャックピン707は開状態となる。
At this time, the
続いて、図11(b)に示すように、複数の保持ピン734が基板Wを保持した状態で上昇する。これにより、基板Wが複数のチャックピン707の保持部707cの間に移動する。
Subsequently, as shown in FIG. 11 (b), the plurality of holding
続いて、図12(c)に示すように、マグネットプレート706a,706bが下方位置に移動する。この場合、各チャックピン707のマグネット720のN極が内側に吸引される。それにより、各チャックピン707が閉状態となり、各チャックピン707の保持部707cによって基板Wの外周端部が保持される。なお、各チャックピン707は、隣接する保持ピン734間で基板Wの外周端部を保持する。そのため、チャックピン707と保持ピン734とは互いに干渉しない。その後、複数の保持ピン734がガード714の外方に移動する。
Subsequently, as shown in FIG. 12C, the
続いて、図12(d)に示すように、ガード714がチャックピン707により保持される基板Wを取り囲む高さに移動する。そして、基板Wの裏面洗浄処理が行われる。
Subsequently, as shown in FIG. 12D, the
(7−2)裏面洗浄処理
図13および図14は、基板Wの裏面洗浄処理について説明するための側面図である。
(7-2) Backside Cleaning Processing FIGS. 13 and 14 are side views for explaining the backside cleaning processing of the substrate W. FIG.
図13に示すように、基板Wの裏面洗浄処理時には、スピンチャック700により基板Wが回転するとともに、気体供給管712を通して遮断板705と基板Wとの間にN2ガスが供給される。これにより、遮断板705と基板Wとの間で、基板Wの中心部上から外側に向かうN2ガスの気流が形成される。したがって、基板Wの表面のレジスト膜に液体が付着することが防止される。
As shown in FIG. 13, during the back surface cleaning process of the substrate W, the substrate W is rotated by the
その状態で、洗浄ブラシ735がモータ736によって回転しながら基板Wの裏面に接触する。そして、洗浄ブラシ735が基板Wの中心部下方と周縁部下方との間で移動し、基板Wの裏面の全域に接触する。基板Wと洗浄ブラシ735との接触部分には、洗浄ノズル739から純水が供給される。これにより、基板Wの裏面の全体が洗浄ブラシ735により洗浄され、基板Wの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。
In this state, the cleaning
続いて、図14(a)に示すように、マグネットプレート706aが下方位置に配置され、マグネットプレート706bが上方位置に配置される。この場合、図14(a)および図14(b)に示すように、マグネットプレート706aの外方領域J1(図14(b)参照)においては各チャックピン707が閉状態となり、マグネットプレート706bの外方領域J2(図14(b)参照)においては各チャックピン707が開状態となる。すなわち、各チャックピン707の保持部707cは、マグネットプレート706aの外方領域J1を通過する際に基板Wの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート706bの外方領域J2を通過する際に基板Wの外周端部から離間する。
Subsequently, as shown in FIG. 14A, the
したがって、マグネットプレート706bの外方領域J2において、基板Wの外周端部の下面側の部分を洗浄ブラシ735により洗浄することができる。
Therefore, in the outer region J2 of the
なお、本例では、5つのチャックピン707のうちの少なくとも4つのチャックピン707がマグネットプレート706aの外方領域J1に位置する。この場合、各チャックピン707の保持部707cがマグネットプレート706bの外方領域J2を通過する際に基板Wの外周端部から離間しても、少なくとも4つのチャックピン707により基板Wが保持される。それにより、基板Wの安定性が確保される。
In this example, at least four of the five
裏面洗浄処理の終了後、マグネットプレート706a,706bが下方位置に配置され、全てのチャックピン707により基板Wが保持される。その状態で、スピンチャック700により基板Wが高速で回転する。それにより、基板Wに付着する純水が振り切られ、基板Wが乾燥する。
After the back surface cleaning process is completed, the
このように、裏面洗浄処理ユニットBCでは、基板Wの表面のレジスト膜に洗浄液が付着することを防止しつつ基板Wの裏面を洗浄することができる。それにより、レジスト膜の状態を正常に維持することができるとともに、基板Wの裏面に付着する汚染物を除去することができ、露光処理時に基板Wの裏面の凹凸に起因してデフォーカスが発生することを防止することができる。したがって、基板Wの処理不良の発生を確実に防止することができる。 Thus, in the back surface cleaning processing unit BC, the back surface of the substrate W can be cleaned while preventing the cleaning liquid from adhering to the resist film on the surface of the substrate W. As a result, the state of the resist film can be maintained normally, contaminants attached to the back surface of the substrate W can be removed, and defocusing occurs due to irregularities on the back surface of the substrate W during the exposure process. Can be prevented. Therefore, it is possible to reliably prevent the processing failure of the substrate W from occurring.
なお、液体を用いずに基板Wの露光処理を行う露光装置を外部装置として設ける場合において、洗浄/乾燥処理ユニットSD2を設けない場合には、洗浄加熱ブロック10に第2のセンターロボットCR2を設けなくてもよい。この場合、基板搬送ブロック11のインターフェース用搬送機構IFRbが、露光処理16から搬出した基板を洗浄加熱ブロック10の載置兼冷却ユニットP−CPに直接搬送する。
In the case where an exposure apparatus that performs exposure processing of the substrate W without using a liquid is provided as an external apparatus, when the cleaning / drying processing unit SD2 is not provided, the second center robot CR2 is provided in the cleaning
また、液浸法により基板Wの露光処理を行う露光装置16を外部装置として設ける場合においても、洗浄加熱ブロック10に裏面洗浄処理ユニットBCを設けてもよい。その場合、基板の表面に洗浄液またはリンス液を供給する液供給手段を裏面洗浄処理ユニットBCにさらに設けてもよい。
Even when the
(8)請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
(8) Correspondence between each constituent element of claim and each element of the embodiment Hereinafter, an example of correspondence between each constituent element of the claim and each element of the embodiment will be described. It is not limited to.
上記実施の形態では、洗浄加熱ブロック10および基板搬送ブロック11が処理搬送部の例であり、インデクサブロック9が搬入搬出部の例であり、載置兼ベークユニットP−PEBが熱処理ユニットの例であり、第1のセンターロボットCR1およびインターフェース用搬送機構IFRaが第1の基板搬送機構の例であり、第2のセンターロボットCR2およびインターフェース用搬送機構IFRbが第2の基板搬送機構の例である。
In the above embodiment, the cleaning
また、洗浄/乾燥処理ユニットSD1が洗浄処理ユニットの例であり、洗浄/乾燥処理ユニットSD2が乾燥処理ユニットの例であり、キャリアCが収納容器の例であり、キャリア載置台40が容器載置部の例であり、インデクサロボットIRが第3の基板搬送機構の例であり、基板載置部PASS1が基板載置部の例である。
また、スピンチャック700が基板回転保持装置の例であり、裏面洗浄ブラシ735が洗浄ブラシの例であり、スピンプレート703が回転部材の例であり、スピンモータ701が回転駆動機構の例であり、チャックピン707が保持部材の例である。
The cleaning / drying processing unit SD1 is an example of a cleaning processing unit, the cleaning / drying processing unit SD2 is an example of a drying processing unit, the carrier C is an example of a storage container, and the carrier mounting table 40 is a container mounting. The indexer robot IR is an example of a third substrate transport mechanism, and the substrate platform PASS1 is an example of a substrate platform.
Further, the
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。 As each constituent element in the claims, various other elements having configurations or functions described in the claims can be used.
本発明は、種々の基板の処理に利用することができる。 The present invention can be used for processing various substrates.
9 インデクサブロック
10 洗浄加熱ブロック
11 基板搬送ブロック
16 露光装置
40 キャリア載置台
500,500a 基板処理装置
P−PEB 載置兼ベークユニット
C キャリア
CR1,CR2 第1および第2のセンターロボット
IFRa,IFRb,IFRc インターフェース用搬送機構
IR インデクサロボット
SD1,SD2 洗浄/乾燥処理ユニット
W 基板
DESCRIPTION OF
Claims (9)
基板に処理を行うとともに基板を前記露光装置に受け渡す処理搬送部と、
前記処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、
前記処理搬送部は、
前記露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
前記搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を前記露光装置に搬送する第1の基板搬送機構と、
露光処理後の基板を前記露光装置から前記熱処理ユニットに搬送する第2の基板搬送機構と、
レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットとを含み、
前記洗浄処理ユニットは、
基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄ブラシとを含み、
前記基板回転保持装置は、
略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材の上側に設けられ、前記回転部材を回転させる回転駆動機構と、
前記回転部材の下側に設けられ、前記回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus disposed adjacent to an exposure apparatus,
A processing transport unit that performs processing on the substrate and delivers the substrate to the exposure apparatus;
A loading / unloading section for loading and unloading the substrate with respect to the processing conveyance section;
The processing transport unit is
A heat treatment unit for heat-treating the substrate after the exposure treatment;
A first substrate transport mechanism for transporting the substrate before exposure processing carried in by the carry-in / carry-out unit to the exposure apparatus;
A second substrate transport mechanism for transporting the substrate after exposure processing from the exposure apparatus to the heat treatment unit;
A cleaning unit which resist film even after the formation of performing the cleaning process on the substrate before the exposure processing see free,
The cleaning unit is
A substrate rotation holding device that rotates while holding the substrate substantially horizontal;
A cleaning brush for cleaning the lower surface of the substrate held by the substrate rotation holding device,
The substrate rotation holding device is
A rotating member provided to be rotatable around a rotation axis along a substantially vertical direction;
A rotation drive mechanism that is provided on the upper side of the rotating member and rotates the rotating member;
A substrate processing apparatus comprising: a holding member that is provided below the rotating member and holds the substrate by contacting an outer peripheral end portion of the substrate disposed on the lower side of the rotating member .
基板に処理を行うとともに基板を前記露光装置に受け渡す処理搬送部と、
前記処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、
前記処理搬送部は、
前記露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
前記搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を前記露光装置に搬送する第1の基板搬送機構と、
露光処理後の基板を前記露光装置から前記熱処理ユニットに搬送する第2の基板搬送機構と、
レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと、
露光処理後の基板に乾燥処理を行う乾燥処理ユニットとを含み、
前記搬入搬出部、前記処理搬送部および前記露光装置は第1の方向に沿ってこの順で並設され、
前記洗浄処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記処理搬送部において前記第1の方向と水平面内で直交する第2の方向に沿って配置され、
前記熱処理ユニットは、前記処理搬送部の略中央部に配置され、
前記洗浄処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記第2の方向に沿った前記熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus disposed adjacent to an exposure apparatus,
A processing transport unit that performs processing on the substrate and delivers the substrate to the exposure apparatus;
A loading / unloading section for loading and unloading the substrate with respect to the processing conveyance section;
The processing transport unit is
A heat treatment unit for heat-treating the substrate after the exposure treatment;
A first substrate transport mechanism for transporting the substrate before exposure processing carried in by the carry-in / carry-out unit to the exposure apparatus;
A second substrate transport mechanism for transporting the substrate after exposure processing from the exposure apparatus to the heat treatment unit;
A cleaning unit that performs a cleaning process on the substrate after the formation of the resist film and before the exposure process ;
And a drying process unit for performing a drying process on the substrate after the exposure processing,
The carry-in / carry-out unit, the processing conveyance unit, and the exposure apparatus are arranged in this order along the first direction,
The cleaning processing unit, the heat treatment unit, and the drying processing unit are arranged along a second direction orthogonal to the first direction in a horizontal plane in the processing transport unit,
The heat treatment unit is disposed at a substantially central portion of the processing conveyance unit,
The cleaning unit and the drying process unit, the one side and the other board it is characterized disposed side processing apparatus of the second of the heat treatment unit along the direction.
基板を収納する収納容器が載置される容器載置部と、
前記容器載置部に載置された前記収納容器と前記処理搬送部との間で基板を搬送する第3の基板搬送機構とを含み、
前記処理搬送部は、前記第1の基板搬送機構と前記搬入搬出部との間に配置されかつ基板を一時的に載置するための基板載置部をさらに含み、
前記第3の基板搬送機構は、前記露光装置による露光処理前の基板を前記収納容器から前記基板載置部に搬送するとともに、前記露光装置による露光処理後の基板を前記熱処理ユニットから前記収納容器に搬送することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。 The loading / unloading section is
A container mounting portion on which a storage container for storing a substrate is mounted;
A third substrate transport mechanism for transporting a substrate between the storage container placed on the container placement unit and the processing transport unit;
The processing transport unit further includes a substrate placement unit that is disposed between the first substrate transport mechanism and the carry-in / carry-out unit and temporarily places a substrate thereon,
The third substrate transport mechanism transports the substrate before the exposure process by the exposure apparatus from the storage container to the substrate mounting unit, and transfers the substrate after the exposure process by the exposure apparatus from the heat treatment unit to the storage container. the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, characterized in that for conveying the.
前記露光装置に隣接するように配置される基板処理装置とを備え、
前記基板処理装置は、
基板に処理を行うとともに基板を前記露光装置に受け渡す処理搬送部と、
前記処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを含み、
前記処理搬送部は、
前記露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
前記搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を前記露光装置に搬送する第1の基板搬送機構と、
露光処理後の基板を前記露光装置から前記熱処理ユニットに搬送する第2の基板搬送機構と、
レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットとを含み、
前記洗浄処理ユニットは、
基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄ブラシとを含み、
前記基板回転保持装置は、
略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材の上側に設けられ、前記回転部材を回転させる回転駆動機構と、
前記回転部材の下側に設けられ、前記回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むことを特徴とする基板処理システム。 An exposure apparatus for performing an exposure process on the substrate;
A substrate processing apparatus disposed adjacent to the exposure apparatus,
The substrate processing apparatus includes:
A processing transport unit that performs processing on the substrate and delivers the substrate to the exposure apparatus;
A loading / unloading unit for loading and unloading the substrate with respect to the processing conveyance unit,
The processing transport unit is
A heat treatment unit for heat-treating the substrate after the exposure treatment;
A first substrate transport mechanism for transporting the substrate before exposure processing carried in by the carry-in / carry-out unit to the exposure apparatus;
A second substrate transport mechanism for transporting the substrate after exposure processing from the exposure apparatus to the heat treatment unit;
A cleaning unit which resist film even after the formation of performing the cleaning process on the substrate before the exposure processing see free,
The cleaning unit is
A substrate rotation holding device that rotates while holding the substrate substantially horizontal;
A cleaning brush for cleaning the lower surface of the substrate held by the substrate rotation holding device,
The substrate rotation holding device is
A rotating member provided to be rotatable around a rotation axis along a substantially vertical direction;
A rotation drive mechanism that is provided on the upper side of the rotating member and rotates the rotating member;
A substrate processing system comprising: a holding member that is provided on a lower side of the rotating member and holds the substrate by contacting an outer peripheral end portion of the substrate disposed on the lower side of the rotating member .
前記露光装置に隣接するように配置される基板処理装置とを備え、 A substrate processing apparatus disposed adjacent to the exposure apparatus,
前記基板処理装置は、 The substrate processing apparatus includes:
基板に処理を行うとともに基板を前記露光装置に受け渡す処理搬送部と、 A processing transport unit that performs processing on the substrate and delivers the substrate to the exposure apparatus;
前記処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、 A loading / unloading section for loading and unloading the substrate with respect to the processing conveyance section;
前記処理搬送部は、 The processing transport unit is
前記露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、 A heat treatment unit for heat-treating the substrate after the exposure treatment;
前記搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を前記露光装置に搬送する第1の基板搬送機構と、 A first substrate transport mechanism for transporting the substrate before exposure processing carried in by the carry-in / carry-out unit to the exposure apparatus;
露光処理後の基板を前記露光装置から前記熱処理ユニットに搬送する第2の基板搬送機構と、 A second substrate transport mechanism for transporting the substrate after exposure processing from the exposure apparatus to the heat treatment unit;
レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと、 A cleaning unit that performs a cleaning process on the substrate after the formation of the resist film and before the exposure process;
露光処理後の基板に乾燥処理を行う乾燥処理ユニットとを含み、 A drying processing unit that performs drying processing on the substrate after the exposure processing,
前記搬入搬出部、前記処理搬送部および前記露光装置は第1の方向に沿ってこの順で並設され、 The carry-in / carry-out unit, the processing conveyance unit, and the exposure apparatus are arranged in this order along the first direction,
前記洗浄処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記処理搬送部において前記第1の方向と水平面内で直交する第2の方向に沿って配置され、 The cleaning processing unit, the heat treatment unit, and the drying processing unit are arranged along a second direction orthogonal to the first direction in a horizontal plane in the processing transport unit,
前記熱処理ユニットは、前記処理搬送部の略中央部に配置され、 The heat treatment unit is disposed at a substantially central portion of the processing conveyance unit,
前記洗浄処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記第2の方向に沿った前記熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されることを特徴とする基板処理システム。 The substrate processing system, wherein the cleaning processing unit and the drying processing unit are arranged on one side and the other side of the heat treatment unit along the second direction.
レジスト膜が形成された基板を前記搬入搬出部により前記処理搬送部に搬入するステップと、
前記搬入搬出部によって搬入された基板を前記処理搬送部の第1の基板搬送機構により前記処理搬送部の洗浄処理ユニットに搬送するステップと、
前記第1の基板搬送機構によって搬送された基板に前記洗浄処理ユニットにより洗浄処理を行うステップと、
前記洗浄処理ユニットによる洗浄処理後の基板を前記第1の基板搬送機構により前記露光装置に搬送するステップと、
前記露光装置による露光処理後の基板を前記処理搬送部の第2の基板搬送機構により前記処理搬送部の熱処理ユニットに搬送するステップと、
前記第2の基板搬送機構によって搬送された基板に前記熱処理ユニットにより熱処理を行うステップとを備え、
前記洗浄処理ユニットにより洗浄処理を行うステップは、
基板回転保持装置により基板を略水平に保持しつつ回転させるステップと、
前記基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄ブラシにより洗浄するステップとを含み、
前記基板を回転させるステップは、
回転部材の下側に設けられた保持部材を前記回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接させることにより基板を保持するステップと、
前記回転部材の上側に設けられた回転駆動機構により前記回転部材を略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転させるステップとを含むことを特徴とする基板処理方法。 A method of processing a substrate in a substrate processing apparatus provided with a processing transport unit and a loading / unloading unit and disposed adjacent to an exposure apparatus,
Carrying the substrate on which a resist film is formed into the processing and conveying unit by the carrying-in and carrying-out unit;
Transporting the substrate carried in by the carry-in / carry-out unit to the cleaning processing unit of the processing transport unit by the first substrate transport mechanism of the processing transport unit;
Performing a cleaning process on the substrate transported by the first substrate transport mechanism by the cleaning processing unit;
Transporting the substrate after the cleaning processing by the cleaning processing unit to the exposure apparatus by the first substrate transport mechanism;
Transporting the substrate after the exposure processing by the exposure apparatus to a heat treatment unit of the processing transport unit by a second substrate transport mechanism of the processing transport unit;
And performing a heat treatment on the substrate transported by the second substrate transport mechanism by the heat treatment unit ,
The step of performing the cleaning process by the cleaning processing unit includes:
Rotating while holding the substrate substantially horizontally by the substrate rotation holding device;
Cleaning the lower surface of the substrate held by the substrate rotation holding device with a cleaning brush,
The step of rotating the substrate comprises:
Holding the substrate by bringing a holding member provided on the lower side of the rotating member into contact with an outer peripheral end of the substrate disposed on the lower side of the rotating member;
And a step of rotating the rotating member around a rotation axis along a substantially vertical direction by a rotation driving mechanism provided on the upper side of the rotating member .
レジスト膜が形成された基板を前記搬入搬出部により前記処理搬送部に搬入するステップと、 Carrying the substrate on which a resist film is formed into the processing and conveying unit by the carrying-in and carrying-out unit;
前記搬入搬出部によって搬入された基板を前記処理搬送部の第1の基板搬送機構により前記処理搬送部の洗浄処理ユニットに搬送するステップと、 Transporting the substrate carried in by the carry-in / carry-out unit to the cleaning processing unit of the processing transport unit by the first substrate transport mechanism of the processing transport unit;
前記第1の基板搬送機構によって搬送された基板に前記洗浄処理ユニットにより洗浄処理を行うステップと、 Performing a cleaning process on the substrate transported by the first substrate transport mechanism by the cleaning processing unit;
前記洗浄処理ユニットによる洗浄処理後の基板を前記第1の基板搬送機構により前記露光装置に搬送するステップと、 Transporting the substrate after the cleaning processing by the cleaning processing unit to the exposure apparatus by the first substrate transport mechanism;
前記露光装置による露光処理後の基板を前記処理搬送部の第2の基板搬送機構により前記処理搬送部の乾燥処理ユニットに搬送するステップと、 Transporting the substrate after the exposure processing by the exposure apparatus to a drying processing unit of the processing transport unit by a second substrate transport mechanism of the processing transport unit;
前記第2の基板搬送機構によって搬送された基板に前記乾燥処理ユニットにより基板に乾燥処理を行うステップと、 Performing a drying process on the substrate by the drying processing unit on the substrate transported by the second substrate transport mechanism;
前記乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を前記第2の基板搬送機構により熱処理ユニットに搬送するステップと、 Transporting the substrate after the drying processing by the drying processing unit to the heat treatment unit by the second substrate transport mechanism;
前記第2の基板搬送機構によって搬送された基板に前記熱処理ユニットにより熱処理を行うステップとを備え、 And performing a heat treatment on the substrate transported by the second substrate transport mechanism by the heat treatment unit,
前記搬入搬出部、前記処理搬送部および前記露光装置は第1の方向に沿ってこの順で並設され、 The carry-in / carry-out unit, the processing conveyance unit, and the exposure apparatus are arranged in this order along the first direction,
前記洗浄処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記処理搬送部において前記第1の方向と水平面内で直交する第2の方向に沿って配置され、 The cleaning processing unit, the heat treatment unit, and the drying processing unit are arranged along a second direction orthogonal to the first direction in a horizontal plane in the processing transport unit,
前記熱処理ユニットは、前記処理搬送部の略中央部に配置され、 The heat treatment unit is disposed at a substantially central portion of the processing conveyance unit,
前記洗浄処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記第2の方向に沿った前記熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されることを特徴とする基板処理方法。 The substrate processing method, wherein the cleaning processing unit and the drying processing unit are arranged on one side and the other side of the heat treatment unit along the second direction.
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