JP2007201077A - Substrate-treating device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板の処理を行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。 In order to perform various processes on various substrates such as a semiconductor substrate, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, and a photomask substrate, It is used.
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
In such a substrate processing apparatus, generally, a plurality of different processes are continuously performed on a single substrate. The substrate processing apparatus described in
上記の基板処理装置においては、基板はインデクサブロックから搬入され、反射防止膜用処理ブロックへと搬送される。反射防止膜用処理ブロックにおいては、所定の処理液が塗布されることにより基板上に反射防止膜が形成される。次に、基板はレジスト膜用処理ブロックへと搬送される。レジスト膜用処理ブロックにおいては、所定の処理液が塗布されることにより基板上にレジスト膜が形成される。その後、基板はインターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送され、露光装置において露光処理が施される。次に、基板は、現像処理ブロックへと搬送される。現像処理ブロックにおいては、基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成される。その後、基板はインデクサブロックへと搬送され、基板処理装置から搬出される。
ところで、上記の基板処理装置においては、反射防止膜およびレジスト膜を塗布形成した後に、加熱プレートにおいて基板の加熱処理が行われる。この加熱処理は高温で行われるため、基板上に塗布された処理液の成分の一部が昇華する場合がある。 By the way, in the above substrate processing apparatus, after the antireflection film and the resist film are applied and formed, the substrate is heat-treated in the heating plate. Since this heat treatment is performed at a high temperature, some of the components of the treatment liquid applied on the substrate may sublime.
基板の加熱後、加熱プレート周辺の空気が排気されるが、この際、加熱プレート周辺の温度が低下し、上記の昇華物が空気中に析出する。この空気中に析出した昇華物が基板に付着し、基板を汚染する。それにより、基板の処理不良が発生することがある。 After the substrate is heated, the air around the heating plate is exhausted. At this time, the temperature around the heating plate is lowered, and the sublimate is deposited in the air. The sublimate deposited in the air adheres to the substrate and contaminates the substrate. As a result, substrate processing defects may occur.
本発明の目的は、処理液の成分の昇華物による基板の汚染を防止することができる基板処理装置を提供することである。 The objective of this invention is providing the substrate processing apparatus which can prevent the contamination of the board | substrate with the sublimate of the component of a process liquid.
（１）本発明に係る基板処理装置は、露光装置による露光処理前に基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板に処理液を塗布する１または複数種の塗布ユニットと、少なくとも１種の塗布ユニットにおいて処理液が塗布された基板を加熱処理する加熱ユニットと、加熱ユニットによる加熱処理後に基板を冷却処理する冷却ユニットとを備え、冷却ユニットは、基板が載置された状態で基板を冷却する冷却プレートと、基板に不活性ガスを吹き付ける不活性ガス吐出手段とを含むものである。 (1) A substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate before an exposure process by an exposure apparatus, and includes at least one coating unit that applies a processing liquid to the substrate, and at least A heating unit that heat-treats the substrate coated with the treatment liquid in one type of coating unit, and a cooling unit that cools the substrate after the heat treatment by the heating unit, and the cooling unit is in a state where the substrate is placed. A cooling plate for cooling the substrate and an inert gas discharge means for blowing an inert gas onto the substrate are included.
本発明に係る基板処理装置においては、１または複数種の塗布ユニットにより基板に処理液が塗布される。少なくとも１種の塗布ユニットにより処理液が塗布された基板には、加熱ユニットによる加熱処理および冷却ユニットによる冷却処理が施される。 In the substrate processing apparatus according to the present invention, the processing liquid is applied to the substrate by one or a plurality of types of application units. The substrate on which the processing liquid has been applied by at least one type of application unit is subjected to heat treatment by the heating unit and cooling treatment by the cooling unit.
また、冷却ユニットは、基板を冷却するための冷却プレートと、基板に不活性ガスを吹き付けるための不活性ガス吐出手段とを有する。 The cooling unit also includes a cooling plate for cooling the substrate and an inert gas discharge means for spraying an inert gas onto the substrate.
この場合、加熱ユニットにおいて基板の加熱処理が施される際に、基板に塗布された処理液の成分の一部が加熱ユニット内で昇華し、その昇華物が基板に付着した場合でも、冷却ユニットにおいて基板に不活性ガスを吹き付けることにより、その付着物（昇華物）を取り除くことができる。それにより、基板上に塗布された処理液の成分の昇華物による基板の汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を防止することができる。 In this case, when the substrate is heat-treated in the heating unit, even if a part of the component of the processing liquid applied to the substrate is sublimated in the heating unit and the sublimate adheres to the substrate, the cooling unit By spraying an inert gas on the substrate, the deposits (sublimates) can be removed. Thereby, the contamination of the substrate due to the sublimate of the component of the processing liquid applied on the substrate can be prevented. As a result, processing defects on the substrate can be prevented.
また、基板を冷却する処理と基板上の付着物を除去する処理とを一つの冷却ユニットにおいて行うことができるので、基板処理装置のフットプリントの増加およびスループットの低下を防止しつつ基板の処理不良を防止することができる。 In addition, since the processing for cooling the substrate and the processing for removing deposits on the substrate can be performed in a single cooling unit, the substrate processing failure is prevented while preventing an increase in the footprint of the substrate processing apparatus and a decrease in throughput. Can be prevented.
（２）不活性ガス吐出手段は、基板の冷却処理の前後に不活性ガスを基板に吹き付けてもよい。この場合、１回の冷却処理に対して不活性ガスを２回吹き付けることができるので、基板上の付着物を確実に取り除くことができる。 (2) The inert gas discharge means may spray an inert gas on the substrate before and after the substrate cooling process. In this case, since the inert gas can be sprayed twice for one cooling process, the deposits on the substrate can be reliably removed.
（３）不活性ガス供給手段は、基板の表面に対向するように配置される第１の不活性ガス吐出部および基板の裏面に対向するように配置される第２の不活性ガス吐出部を有してもよい。 (3) The inert gas supply means includes a first inert gas discharge portion disposed so as to face the front surface of the substrate and a second inert gas discharge portion disposed so as to face the back surface of the substrate. You may have.
この場合、基板の表面および裏面に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板の表面および裏面の付着物を確実に取り除くことができる。 In this case, since the inert gas can be sprayed on the front surface and the back surface of the substrate, the deposits on the front surface and the back surface of the substrate can be surely removed.
（４）冷却ユニットは、基板を冷却プレートに近接した状態と冷却プレートから離間した状態とに移行させる昇降機構をさらに含み、不活性ガス供給手段は、基板が昇降機構により冷却プレートから離間した状態で保持されているときに不活性ガスを基板に吹き付けてもよい。 (4) The cooling unit further includes an elevating mechanism for shifting the substrate between a state close to the cooling plate and a state separated from the cooling plate, and the inert gas supply means is a state where the substrate is separated from the cooling plate by the elevating mechanism. An inert gas may be sprayed onto the substrate while being held by the substrate.
この場合、基板が冷却プレートから離間した状態であるときには、基板の裏面側に不活性ガスの流路となりうる十分な空間が形成される。それにより、第１および第２の不活性ガス吐出部から吐出される不活性ガスは、効率よく基板の表面側および裏面側を流れることができる。その結果、基板上の付着物をより確実に取り除くことができる。 In this case, when the substrate is in a state of being separated from the cooling plate, a sufficient space that can serve as an inert gas flow path is formed on the back surface side of the substrate. Thereby, the inert gas discharged from the first and second inert gas discharge portions can efficiently flow on the front surface side and the back surface side of the substrate. As a result, deposits on the substrate can be removed more reliably.
（５）不活性ガス供給手段は、基板の中心部から外方へ流れるように不活性ガスを吹き付けてもよい。 (5) The inert gas supply means may spray the inert gas so as to flow outward from the center of the substrate.
この場合、基板上の付着物は、不活性ガスの流れに伴い基板の中央部から外方へと移動し、飛散する。したがって、基板の中央部に付着物が残留することを防止することができる。それにより、基板の汚染を確実に防止することができる。 In this case, the deposit on the substrate moves from the center of the substrate to the outside along with the flow of the inert gas, and is scattered. Therefore, it is possible to prevent deposits from remaining in the central portion of the substrate. Thereby, contamination of the substrate can be surely prevented.
（６）１または複数種の塗布ユニットにより基板に塗布される処理液は、塗布ユニットの種類ごとに異なり、各塗布ユニットにおいて基板に処理液が塗布されるごとに加熱ユニットによる加熱処理および冷却処理ユニットによる冷却処理が行われてもよい。 (6) The processing liquid applied to the substrate by one or a plurality of types of coating units differs depending on the type of the coating unit, and each time the processing liquid is applied to the substrate in each coating unit, heating processing and cooling processing by the heating unit are performed. A cooling process by the unit may be performed.
この場合、基板に一の処理液が塗布された後、他の処理液が塗布される前に基板に不活性ガスを吹き付けることができる。したがって、加熱ユニットにおいて昇華した昇華物が基板に付着した場合でも、次行程において他の処理液が基板に塗布される前に、基板に付着した昇華物を確実に取り除くことができる。それにより、処理液の成分の昇華物による基板の汚染を確実に防止することができる。 In this case, after one processing liquid is applied to the substrate, an inert gas can be sprayed onto the substrate before another processing liquid is applied. Therefore, even when the sublimated material sublimated in the heating unit adheres to the substrate, the sublimated material adhered to the substrate can be surely removed before another processing liquid is applied to the substrate in the next step. Thereby, it is possible to reliably prevent the substrate from being contaminated by the sublimate of the component of the processing liquid.
（７）１または複数種の塗布ユニットのいずれかは、処理液として感光性材料を塗布することにより基板上に感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットであってもよい。 (7) Either one or a plurality of types of application units may be a photosensitive film forming unit that forms a photosensitive film on a substrate by applying a photosensitive material as a processing liquid.
この場合、感光性膜形成ユニットにより、基板上に感光性膜が形成される。また、感光性膜の成分が加熱ユニットにおいて昇華し、その昇華物が基板に付着しても、冷却ユニットにおいてその昇華物を取り除くことができるので、基板の汚染は防止される。 In this case, a photosensitive film is formed on the substrate by the photosensitive film forming unit. Further, even if the components of the photosensitive film sublimate in the heating unit and the sublimate adheres to the substrate, the sublimate can be removed in the cooling unit, so that the substrate is prevented from being contaminated.
（８）１または複数種の塗布ユニットのいずれかは、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に処理液として反射防止膜材料を塗布することにより基板上に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットであってもよい。 (8) Either one of the coating units or the plurality of types of coating units forms an antireflection film on the substrate by applying an antireflection film material as a treatment liquid before forming the photosensitive film by the photosensitive film forming unit. It may be a prevention film forming unit.
この場合、感光性膜が形成される前に基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。それにより、基板上のパターン欠陥の発生および歩留まりの低下を防止することができる。 In this case, since the antireflection film is formed on the substrate before the photosensitive film is formed, standing waves and halation generated during the exposure process can be reduced. Thereby, generation | occurrence | production of the pattern defect on a board | substrate and the fall of a yield can be prevented.
また、反射防止膜材料の成分が加熱ユニットにおいて昇華し、その昇華物が基板に付着しても、冷却ユニットにおいてその昇華物を取り除くことができるので、基板の汚染は防止される。 Further, even if the components of the antireflection film material sublimate in the heating unit and the sublimate adheres to the substrate, the sublimate can be removed in the cooling unit, so that contamination of the substrate is prevented.
（９）１または複数種の塗布ユニットのいずれかは、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後に処理液として樹脂材料を塗布することにより基板上に感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットであってもよい。 (9) Either one or a plurality of coating units forms a protective film that protects the photosensitive film on the substrate by applying a resin material as a treatment liquid after the photosensitive film is formed by the photosensitive film forming unit. It may be a protective film forming unit.
この場合、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、保護膜により、感光性材料の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、基板上のパターン欠陥の発生および歩留まりの低下を防止することができる。 In this case, even if the exposure process is performed in a state where the substrate is in contact with the liquid in the exposure apparatus, the component of the photosensitive material is prevented from being eluted into the liquid by the protective film. Thereby, generation | occurrence | production of the pattern defect on a board | substrate and the fall of a yield can be prevented.
また、樹脂材料の成分が加熱ユニットにおいて昇華し、その昇華物が基板に付着しても、冷却ユニットにおいてその昇華物を取り除くことができるので、基板の汚染は防止される。 Further, even if the component of the resin material sublimates in the heating unit and the sublimate adheres to the substrate, the sublimate can be removed in the cooling unit, so that the substrate is prevented from being contaminated.
本発明によれば、加熱ユニットにおいて基板の加熱処理が施される際に、基板に塗布された処理液の成分の一部が加熱ユニット内で昇華し、その昇華物が基板Ｗに付着した場合でも、冷却ユニットにおいて基板に不活性ガスを吹き付けることにより、その付着物（昇華物）を取り除くことができる。それにより、基板上に塗布された処理液の成分の昇華物による基板の汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を防止することができる。 According to the present invention, when the substrate is heat-treated in the heating unit, a part of the components of the processing liquid applied to the substrate is sublimated in the heating unit, and the sublimate adheres to the substrate W. However, the deposit (sublimation) can be removed by spraying an inert gas on the substrate in the cooling unit. Thereby, the contamination of the substrate due to the sublimate of the component of the processing liquid applied on the substrate can be prevented. As a result, processing defects on the substrate can be prevented.
また、基板を冷却する処理と基板上の付着物を除去する処理とを一つの冷却ユニットにおいて行うことができるので、基板処理装置のフットプリントの増加およびスループットの低下を防止しつつ基板の処理不良を防止することができる。 In addition, since the processing for cooling the substrate and the processing for removing deposits on the substrate can be performed in a single cooling unit, the substrate processing failure is prevented while preventing an increase in the footprint of the substrate processing apparatus and a decrease in throughput. Can be prevented.
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。 Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the substrate refers to a semiconductor substrate, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, a photomask glass substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, and the like. Say.
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１および後述する図２〜図６には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1 and FIGS. 2 to 6 to be described later, arrows that indicate the X direction, the Y direction, and the Z direction orthogonal to each other are attached in order to clarify the positional relationship. The X direction and the Y direction are orthogonal to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction. In each direction, the direction in which the arrow points is the + direction, and the opposite direction is the-direction. Further, the rotation direction around the Z direction is defined as the θ direction.
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法（例えば、特許文献２参照）により基板Ｗに露光処理が行われる。
As shown in FIG. 1, the
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
Hereinafter, each of the
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
The
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
The antireflection
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
A
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。 The substrate platforms PASS1, PASS2 are provided with optical sensors (not shown) that detect the presence or absence of the substrate W. Thereby, it is possible to determine whether or not the substrate W is placed on the substrate platforms PASS1 and PASS2. The substrate platforms PASS1, PASS2 are provided with a plurality of support pins fixedly installed. The optical sensor and the support pin are also provided in the same manner on the substrate platforms PASS3 to PASS13 described later.
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
The resist
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
A
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
The
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
A
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
The resist cover
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
A
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
The resist cover
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
A
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。
The
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
The sixth central robot CR6 is provided with hands CRH11 and CRH12 (see FIG. 4) for delivering the substrate W up and down, and a hand H1 for delivering the substrate W to the interface transport mechanism IFR. , H2 (see FIG. 4) are provided above and below. Details of the
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
In the
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
2 is a schematic side view of the
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の処理液を供給する供給ノズル５２を備える。
First, the configuration on the + X side of the
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の処理液を供給する供給ノズル６２を備える。
In the resist film coating processing section 60 (see FIG. 1) of the resist
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
In the development processing unit 70 of the
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の処理液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の処理液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に処理液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
In the resist cover film
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
In the resist cover film removal processing unit 90 of the resist cover
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。 The method for removing the resist cover film in the removal unit REM is not limited to the above example. For example, the resist cover film may be removed by supplying a stripping solution onto the substrate W while moving the slit nozzle above the substrate W.
第１のインターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
On the + X side in the
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。冷却ユニットＣＰの詳細については後述する。
Next, the configuration on the −X side of the
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
Two heating units HP and two cooling units CP are stacked in the resist film
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
In the development
レジストカバー膜用処理ブロック１３０，１３１のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
In the resist cover film
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
In the post-exposure baking
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
Next, the
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
FIG. 4 is a schematic side view of the
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
Below the edge exposure unit EEW, a return buffer unit RBF, two placement / cooling units P-CP, and a substrate platform PASS13 are stacked in a vertical direction at a substantially central portion in the
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
A sixth center robot CR6 and an interface transport mechanism IFR are provided in the lower part of the
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
(2) Operation of Substrate Processing Apparatus Next, the operation of the
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について説明する。
(2-1) Operation of Indexer Block to Resist Cover Film Removal Block First, the operation of the
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
On the carrier mounting table 40 of the
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。 In the present embodiment, a front opening unified pod (FOUP) is adopted as the carrier C. However, the present invention is not limited to this, and an OC (open cassette) that exposes the standard mechanical interface (SMIF) pod and the storage substrate W to the outside air. ) Etc. may be used.
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。 Further, the indexer robot IR, the first to sixth center robots CR1 to CR6, and the interface transport mechanism IFR are each provided with a direct-acting transport robot that slides linearly with respect to the substrate W and moves the hand back and forth. Although it is used, the present invention is not limited to this, and an articulated transfer robot that linearly moves the hand forward and backward by moving the joint may be used.
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１の冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいて、基板Ｗは常温まで冷却される。
The unprocessed substrate W placed on the substrate platform PASS1 is received by the first central robot CR1 of the antireflection
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
Thereafter, the first central robot CR1 takes out the cooled substrate W from the cooling unit CP of the antireflection film
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１の加熱ユニットＨＰに搬入する。加熱ユニットＨＰにおいては、基板Ｗに加熱処理が施される。
Next, the first central robot CR1 takes out the substrate W that has been coated from the coating processing unit 50 for antireflection film, and carries the substrate W into the heating unit HP of the
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の加熱ユニットＨＰから加熱処理済み基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１の冷却ユニットＣＰに搬入する。
Thereafter, the first central robot CR1 takes out the heat-treated substrate W from the heating unit HP of the antireflection film
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
Next, the first central robot CR1 takes out the cooled substrate W from the cooling unit CP of the antireflection film
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１の冷却ユニットＣＰに搬入する。
The substrate W placed on the substrate platform PASS3 is received by the second central robot CR2 of the resist
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
Next, the second central robot CR2 takes out the cooled substrate W from the cooling unit CP of the resist film
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１の加熱ユニットＨＰに搬入する。
Next, the second central robot CR2 takes out the coated substrate W from the resist film
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の加熱ユニットＨＰから加熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１の冷却ユニットＣＰに搬入する。
Thereafter, the second central robot CR2 takes out the heat-treated substrate W from the heating unit HP of the resist film
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
Next, the second central robot CR2 takes out the cooled substrate W from the cooling unit CP of the resist film
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
The substrate W placed on the substrate platform PASS5 is received by the third central robot CR3 of the
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の冷却ユニットＣＰに搬入する。
The substrate W placed on the substrate platform PASS7 is received by the fourth central robot CR4 of the resist cover
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。
Next, the fourth central robot CR4 takes out the cooled substrate W from the cooling unit CP of the resist cover film
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の加熱ユニットＨＰに搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の加熱ユニットＨＰから加熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の冷却ユニットＣＰに搬入する。
Next, the fourth central robot CR4 takes out the coated substrate W from the resist cover film
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
Next, the fourth central robot CR4 takes out the cooled substrate W from the cooling unit CP of the resist cover film
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
The substrate W placed on the substrate platform PASS9 is received by the fifth central robot CR5 of the resist cover
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
The substrate W placed on the substrate platform PASS11 is received by the sixth central robot CR6 of the
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
In the post-exposure baking
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
In this embodiment, post-exposure bake
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
The substrate W placed on the substrate platform PASS12 is received by the fifth central robot CR5 of the resist cover
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。 Next, the fifth central robot CR5 takes out the processed substrate W from the resist cover film removal processing unit 90 and places the substrate W on the substrate platform PASS10.
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
The substrate W placed on the substrate platform PASS10 is placed on the substrate platform PASS8 by the fourth central robot CR4 of the resist cover
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１の冷却ユニットＣＰに搬入する。
The substrate W placed on the substrate platform PASS8 is received by the third central robot CR3 of the
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
Next, the third central robot CR3 takes out the cooled substrate W from the cooling unit CP of the development
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１の加熱ユニットＨＰに搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１の加熱ユニットＨＰから加熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１の冷却ユニットＣＰに搬入する。
Next, the third center robot CR3 takes out the substrate W that has been subjected to the development processing from the development processing unit 70, and carries the substrate W into the heating unit HP of the
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
Next, the third central robot CR3 takes out the cooled substrate W from the cooling unit CP of the development
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
The substrate W placed on the substrate platform PASS6 is placed on the substrate platform PASS4 by the second central robot CR2 of the resist
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
The substrate W placed on the substrate platform PASS 2 is stored in the carrier C by the indexer robot IR of the
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
(2-2) Operation of Interface Block Next, the operation of the
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
As described above, the substrate W carried into the
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
The substrate W placed on the substrate platform PASS11 is received by the sixth central robot CR6 of the
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。 Next, the sixth central robot CR6 takes out the edge-exposed substrate W from the edge exposure unit EEW and carries the substrate W into one of the first cleaning / drying processing units SD1. In the first cleaning / drying processing unit SD1, the cleaning and drying processing of the substrate W before the exposure processing is performed as described above.
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
Here, the time of the exposure process by the
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
Next, the sixth central robot CR6 takes out the substrate W stored and stored in the sending buffer unit SBF and carries the substrate W into the placement / cooling unit P-CP. The substrate W carried into the placement / cooling unit P-CP is maintained at the same temperature (for example, 23 ° C.) as that in the
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
If the
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
Subsequently, the substrate W maintained at the predetermined temperature by the placement / cooling unit P-CP is received by the upper hand H1 (FIG. 4) of the interface transport mechanism IFR, and the substrate carry-in
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
The substrate W that has been subjected to the exposure processing in the
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。 The substrate W that has been subjected to the cleaning and drying processing in the second cleaning / drying processing unit SD2 is taken out by the hand H1 (FIG. 4) of the interface transport mechanism IFR. The interface transport mechanism IFR places the substrate W on the substrate platform PASS13 with the hand H1.
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
The substrate W placed on the substrate platform PASS13 is received by the sixth central robot CR6. The sixth central robot CR6 transports the substrate W to the post-exposure bake
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
When the resist cover
ここで、本実施の形態においては、第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１１（図１）、エッジ露光部ＥＥＷ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、送りバッファ部ＳＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および露光後ベーク用熱処理部１４１の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
Here, in the present embodiment, the sixth central robot CR6 includes a substrate platform PASS11 (FIG. 1), an edge exposure unit EEW, a first cleaning / drying processing unit SD1, a feed buffer unit SBF, a platform. Although the substrate W is transported among the cum cooling unit P-CP, the substrate platform PASS13, and the post-exposure baking
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、露光装置１６、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２および基板載置部ＰＡＳＳ１３の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
The interface transport mechanism IFR transports the substrate W between the placement / cooling unit P-CP, the
これらの結果、スループットを確実に向上させることができる。 As a result, the throughput can be improved reliably.
（３）冷却ユニットＣＰ
次に、冷却ユニットＣＰについて図面を用いて詳細に説明する。
(3) Cooling unit CP
Next, the cooling unit CP will be described in detail with reference to the drawings.
（３−１）構造
まず、冷却ユニットＣＰの構造について説明する。
(3-1) Structure First, the structure of the cooling unit CP will be described.
図５は、冷却ユニットＣＰの構造の一例を示す模式的断面図である。図５に示すように、冷却ユニットＣＰは筐体５３０を備える。筐体５３０内には、温度調整プレートＰＬが設けられている。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of the structure of the cooling unit CP. As shown in FIG. 5, the cooling unit CP includes a
温度調整プレートＰＬの上面には３つの球状スペーサ３１が略正三角形状に配置されるとともに、温度センサ５３２が埋設されている。この温度センサ５３２の出力は、図１のメインコントローラ５３０に入力される。
Three spherical spacers 31 are arranged in a substantially equilateral triangle shape on the upper surface of the temperature adjustment plate PL, and a
また、温度調整プレートＰＬの上面の中央部には、不活性ガス吐出口５４０が形成され、温度調整プレートＰＬの上面において、不活性ガス吐出口５４０を中心とする円周上には、環状の不活性ガス吐出部５４１が形成されている。
In addition, an inert
温度調整プレートＰＬの下面には温度調整装置５３３が設けられている。この温度調整装置５３３は、例えばペルチェ素子から構成される。ぺルチェ素子は、電流が供給されることにより一面側で吸熱し、他面側で放熱する。これにより、熱を移動させることができる。熱の移動方向は、ペルチェ素子に供給する電流の方向を切り替えることにより、切り替えることができる。このペルチェ素子を用いた温度調整装置５３３は、温度調整プレートＰＬの温度を短時間で調整することができる。
A
温度調整装置５３３の下面には、水冷ジャケット５３４が設けられている。水冷ジャケット５３４は、伝熱性の高い板状部材の内部に冷却水を循環させるための冷却水通路５３５が形成されている。冷却水通路５３５は、循環配管５３６を介して外部、例えば基板処理装置５００が配置される工場の冷却水供給源５３７に接続されている。
A
温度調整装置５３３は、温度調整プレートＰＬの温度を上昇させるときには、水冷ジャケット５３４の熱を温度調整プレートＰＬ側へ移動させ、温度調整プレートＰＬの温度を低下させるときには、温度調整プレートＰＬの熱を水冷ジャケット５３４に移動させる。
When the
温度調整プレートＰＬ、温度調整装置５３３および水冷ジャケット５３４には、複数の貫通孔５３９が形成されている。複数の貫通孔５３９の内部には、基板Ｗの裏面を支持する昇降ピン５３８がそれぞれ設けられる。
A plurality of through
水冷ジャケット５３２の下面には、昇降装置５９９が設けられている。昇降装置５９９は、昇降ピン５３８を上下方向に移動させる。
An elevating
なお、図５においては、２つの昇降ピン５３８および２つの貫通孔５３９が示されているが、実際には、３つ以上の昇降ピン５３８および貫通孔５３９がそれぞれ設けられる。
In FIG. 5, two
温度調整プレートＰＬ、温度調整装置５３３、水冷ジャケット５３４および昇降装置５９９の中央部を貫通するように不活性ガス流通孔５４２が形成されている。不活性ガス流通孔５４２の上端は、上述した不活性ガス吐出口５４０を形成している。また、温度調整プレートＰＬの上部には、不活性ガス流通孔５４２と上述した環状の不活性ガス吐出部５４１とを連通する連通部５４５が形成されている。
An inert gas circulation hole 542 is formed so as to penetrate through the temperature adjustment plate PL, the
筐体５３０の下面には、不活性ガス導入部５４３が設けられている。不活性ガス導入部５４３の内部には、不活性ガス導入孔５４４が形成されている。不活性ガス流通孔５４２の下端は、不活性ガス導入孔５４４に連通している。
An inert
不活性ガス導入部５４３には、窒素ガス等の不活性ガスを導く給気管路５４６が接続されている。給気管路５４６は、流量調整弁Ｖ１を介して窒素ガス等の不活性ガスを供給するガス供給源（図示せず）に接続されている。
The inert
流量調整弁Ｖ１が開放されることにより、窒素ガス等の不活性ガスが、不活性ガス導入孔５４４、不活性ガス流通孔５４２および連通部５４５を介して不活性ガス吐出口５４０および不活性ガス吐出部５４１から基板Ｗの裏面に向けて吐出される。
When the flow regulating valve V1 is opened, an inert gas such as nitrogen gas passes through the inert
筐体５３０内の上部には、不活性ガス供給チャンバ５５０が配設されている。不活性ガス供給チャンバ５５０は、円盤状の不活性ガス供給盤５５１および不活性ガス供給盤５５１の上面の中央部から上方に延びる円筒状の不活性ガス導入部５５２を有する。
An inert
不活性ガス供給盤５５１の下面の中央部には、不活性ガス吐出口５５３が形成され、不活性ガス供給盤５５１の下面において、不活性ガス吐出口５５３を中心とする円周上には、環状の不活性ガス吐出部５５４が形成されている。
An inert
不活性ガス供給チャンバ５５０内には、不活性ガス供給盤５５１および不活性ガス導入部５５２を貫通するように不活性ガス流通孔５５５が形成されている。不活性ガス流通孔５５５の下端は、上述した不活性ガス吐出口５５３を形成し、上端は、不活性ガス導入口５５６を形成している。また、不活性ガス供給盤５５１の下部には、不活性ガス流通孔５５５と上述した環状の不活性ガス吐出部５５４とを連通する連通部５５７が形成されている。
An inert
不活性ガス導入口５５６には、窒素ガス等の不活性ガスを導く給気管路５５８が接続されている。給気管路５５８は、流量調整弁Ｖ２を介して窒素ガス等の不活性ガスを供給するガス供給源（図示せず）に接続されている。
Connected to the
流量調整弁Ｖ２が開放されることにより、窒素ガス等の不活性ガスが、不活性ガス流通孔５５５および連通部５５７を介して不活性ガス吐出口５５３および不活性ガス吐出部５５４から基板Ｗの表面に向けて吐出される。
By opening the flow rate adjusting valve V2, an inert gas such as nitrogen gas flows from the inert
温度調整プレートＰＬの周囲を取り囲むように、環状の排気口５６０が設けられている。排気口５６０には、排気ガスを排出する排気管路５６１が接続されている。排気管路５６１は工場の排気設備（図示せず）に接続されている。
An
不活性ガス吐出口５４０，５５３、および不活性ガス吐出部５４１，５５４から基板Ｗに吐出された不活性ガスは、排気口５６０および排気管路５６１より排気される。
The inert gas discharged from the inert
なお、環状の排気口５６０の代わりに、温度調整プレートＰＬの周囲を取り囲むように複数の排気口が設けられてもよい。
Instead of the
（３−２）動作
次に、冷却ユニットＣＰの動作について簡単に説明する。
(3-2) Operation Next, the operation of the cooling unit CP will be briefly described.
図５の冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗが筐体５３０内に搬入される際には、昇降ピン５３８は、上昇した位置（図５に示す位置）で基板Ｗを支持する。このとき、流量調整弁Ｖ１，Ｖ２が開放され、不活性ガス吐出口５４０，５５３、および不活性ガス吐出部５４１，５５４から基板Ｗの表面および裏面に不活性ガスが吐出される。
In the cooling unit CP of FIG. 5, when the substrate W is carried into the
不活性ガス吐出口５４０，５５３、および不活性ガス吐出部５４１，５５４から吐出される不活性ガスは、基板Ｗと不活性ガス供給盤５５１との間の空間および基板Ｗと温度調整プレートＰＬとの間の空間を流路として、図５に矢印で示すように、基板Ｗの中心部から周縁部へと流れる。この中心部から周縁部へと流れる不活性ガスにより、基板Ｗ上の付着物は、基板Ｗの周縁部から飛散する。それにより、基板Ｗの付着物を除去することができる。
The inert gas discharged from the inert
所定時間不活性ガスが吐出された後、流量調整弁Ｖ１，Ｖ２が閉じられ、不活性ガスの供給が停止される。不活性ガスの供給が停止されると、昇降ピン５３８が下降し、基板Ｗは、温度調整プレートＰＬの球状スペーサ３１によって支持される。 After the inert gas is discharged for a predetermined time, the flow rate adjusting valves V1 and V2 are closed, and the supply of the inert gas is stopped. When the supply of the inert gas is stopped, the lifting pins 538 are lowered, and the substrate W is supported by the spherical spacer 31 of the temperature adjustment plate PL.
温度調整プレートＰＬの表面は、温度調整装置（図示せず）により所定の温度に制御されている。それにより、温度調整プレートＰＬの上方にわずかな隙間をもって支持された基板Ｗの温度が所定の温度に調整される。 The surface of the temperature adjustment plate PL is controlled to a predetermined temperature by a temperature adjustment device (not shown). As a result, the temperature of the substrate W supported with a slight gap above the temperature adjustment plate PL is adjusted to a predetermined temperature.
なお、本実施の形態においては、温度調整プレートＰＬに温度センサ３２が埋設されているが、これに限定されず、他の温度計測機器、例えば放射温度計を用いて基板Ｗの温度を計測してもよい。 In the present embodiment, the temperature sensor 32 is embedded in the temperature adjustment plate PL. However, the present invention is not limited to this, and the temperature of the substrate W is measured using another temperature measurement device, for example, a radiation thermometer. May be.
基板Ｗが所定の温度に調整され、冷却ユニットＣＰから搬出される際には、昇降ピン５３８が再び上昇し、基板Ｗが搬入される際と同じ位置（図５に示す）で基板を支持する。このとき、流量調整弁Ｖ１，Ｖ２が再び開放され、不活性ガス吐出口５４０，５５３、および不活性ガス吐出部５４１，５５４から基板Ｗの表面および裏面に不活性ガスが吐出される。それにより、基板Ｗ上の付着物が確実に除去される。
When the substrate W is adjusted to a predetermined temperature and unloaded from the cooling unit CP, the elevating
所定時間不活性ガスが吐出された後、流量調整弁Ｖ１，Ｖ２が閉じられ、不活性ガスの供給が停止される。不活性ガスの供給が停止されると、基板Ｗは、筐体５３０から搬出される。
After the inert gas is discharged for a predetermined time, the flow rate adjusting valves V1 and V2 are closed, and the supply of the inert gas is stopped. When the supply of the inert gas is stopped, the substrate W is unloaded from the
（４）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２について図面を用いて詳細に説明する。なお、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は同様の構成のものを用いることができる。
(4) Cleaning / Drying Processing Unit Next, the first and second cleaning / drying processing units SD1, SD2 will be described in detail with reference to the drawings. The first and second cleaning / drying processing units SD1 and SD2 may have the same configuration.
（４−１）構成
図６は、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の構成を説明するための図である。図６に示すように、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。
(4-1) Configuration FIG. 6 is a diagram for explaining the configuration of the first and second cleaning / drying processing units SD1 and SD2. As shown in FIG. 6, the first and second cleaning / drying processing units SD1 and SD2 hold the substrate W horizontally and rotate the substrate W around a vertical rotation axis passing through the center of the substrate W. A
スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
The
スピンチャック６２１の外方には、第１の回動モータ６６０が設けられている。第１の回動モータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。
A
第１の回動モータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
The
第１の回動モータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。
A cleaning
このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図６の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。
By controlling the opening and closing of the valves Va and Vb, the processing liquid supplied to the cleaning
洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。
The cleaning liquid or the rinse liquid is supplied to the
スピンチャック６２１の外方には、第２の回動モータ６７１が設けられている。第２の回動モータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。
A
第２の回動モータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに、第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
The
第２の回動モータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。
A drying
乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。
The inert gas is supplied to the drying
基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。
When supplying the cleaning liquid or the rinsing liquid to the surface of the substrate W, the cleaning
また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。
Further, when supplying the cleaning liquid or the rinsing liquid to the surface of the substrate W, the drying
スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３との間に、基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。
The substrate W held on the
排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。
The
処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。
A
また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。
In addition, a recovery
このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図６に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
The
（４−２）動作
次に、上記構成を有する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の処理動作について説明する。なお、以下に説明する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）３０により制御される。
(4-2) Operation Next, processing operations of the first and second cleaning / drying processing units SD1 and SD2 having the above-described configuration will be described. The operations of the constituent elements of the first and second cleaning / drying processing units SD1 and SD2 described below are controlled by the main controller (control unit) 30 shown in FIG.
まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。
First, when the substrate W is loaded, the
次に、ガード６２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転に伴ってスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。
Next, the
なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。 In the first cleaning / drying processing unit SD1, the components of the resist cover film on the substrate W are eluted in the cleaning liquid during the cleaning. In cleaning the substrate W, the cleaning liquid is supplied onto the substrate W while rotating the substrate W. In this case, the cleaning liquid on the substrate W always moves to the periphery of the substrate W due to centrifugal force and scatters. Therefore, it is possible to prevent the components of the resist cover film eluted in the cleaning liquid from remaining on the substrate W.
なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。 The components of the resist cover film may be eluted by, for example, depositing pure water on the substrate W and holding it for a certain time. The supply of the cleaning liquid onto the substrate W may be performed by a soft spray method using a two-fluid nozzle.
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。
After a predetermined time has elapsed, the supply of the cleaning liquid is stopped, and the rinsing liquid is discharged from the cleaning
さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図７（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。
Further, after a predetermined time has elapsed, the rotational speed of the
次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図７（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。
Next, the supply of the rinsing liquid is stopped, the cleaning
次に、回転軸６２５（図６参照）の回転数が上昇するとともに、図７（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。
Next, as the number of rotations of the rotation shaft 625 (see FIG. 6) increases, the drying
次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを搬出する。これにより、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
Next, the supply of the inert gas is stopped, the drying
なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。
In the above embodiment, the cleaning
また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。 Further, when supplying the rinsing liquid, pure water may be supplied from a back rinsing nozzle (not shown) to the back surface of the substrate W so that the rinsing liquid does not flow around the back surface of the substrate W.
また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。 In addition, when pure water is used as a cleaning liquid for cleaning the substrate W, it is not necessary to supply a rinse liquid.
また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。 In the above embodiment, the substrate W is dried by the spin drying method. However, the substrate W may be dried by other drying methods such as a reduced pressure drying method and an air knife drying method.
また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。
In the above embodiment, the inert gas is supplied from the drying
（５）本実施の形態における効果
（５−１）冷却ユニットの効果
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、冷却ユニットＣＰにおいて、基板Ｗの搬入時および搬出時に、基板Ｗに不活性ガスを吹き付けている。この場合、加熱ユニットＨＰにおいて基板Ｗの加熱処理が施される際に、反射防止膜、レジスト膜、またはレジストカバー膜の溶剤等が加熱ユニットＨＰ内で昇華し、その昇華物が基板Ｗに付着した場合でも、冷却ユニットＣＰにおいて、その付着物（昇華物）を取り除くことができる。
(5) Effects in the present embodiment (5-1) Effects of the cooling unit As described above, in the
また、それぞれの膜が形成される処理ブロックごとに冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗに不活性ガスが吹き付けられるので、上記の昇華物を各処理ブロックにおいて確実に取り除くことができる。 In addition, since the inert gas is sprayed onto the substrate W in the cooling unit CP for each processing block on which each film is formed, the above-described sublimated material can be reliably removed in each processing block.
また、冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの中心部から周縁部へと流れるように不活性ガスが吹き付けられているので、基板Ｗの付着物を効率よく取り除くことができるとともに、基板Ｗの中心部に付着物が残留することを防止することができる。 Further, in the cooling unit CP, since the inert gas is blown so as to flow from the central portion of the substrate W to the peripheral portion, the deposits on the substrate W can be efficiently removed and the central portion of the substrate W can be removed. It is possible to prevent deposits from remaining on the surface.
以上の結果、基板上に塗布された処理液（基板上に形成された膜）の成分の昇華物による基板の汚染を防止することができる。それにより、基板Ｗの処理不良を防止することができる。 As a result of the above, it is possible to prevent the substrate from being contaminated by the sublimate of the component of the processing liquid (film formed on the substrate) applied on the substrate. Thereby, processing defects of the substrate W can be prevented.
また、基板処理装置５００における各処理工程において、基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、冷却ユニットＣＰにおいて、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。その結果、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。
Further, even if dust or the like in the atmosphere adheres to the substrate W in each processing step in the
また、基板Ｗを冷却する処理と基板Ｗの付着物を除去する処理とを一つの冷却ユニットＣＰにおいて行うことができるので、基板処理装置５００のフットプリントの増加を防止することができるとともに、スループットの低下を防止することができる。
In addition, since the process for cooling the substrate W and the process for removing the deposits on the substrate W can be performed in one cooling unit CP, an increase in the footprint of the
（５−２）露光処理後の基板の乾燥処理による効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、インターフェースブロック１５の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。
(5-2) Effect of Drying Process on Substrate after Exposure Processing In the
また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。 In addition, by performing a drying process on the substrate W after the exposure process, it is possible to prevent dust and the like in the atmosphere from adhering to the substrate W after the exposure process, thereby preventing contamination of the substrate W.
また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。
In addition, since it is possible to prevent the substrate W to which the liquid is attached from being transported through the
また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１６内の汚染を防止することができる。
Further, since the liquid adhering to the substrate W during the exposure processing is prevented from adhering to the indexer robot IR and the first to sixth center robots CR1 to CR6, the liquid may adhere to the substrate W before the exposure processing. Is prevented. This prevents dust and the like in the atmosphere from adhering to the substrate W before the exposure process, so that contamination of the substrate W is prevented. As a result, it is possible to prevent the resolution performance from being deteriorated during the exposure process and to prevent contamination in the
また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から現像処理部７０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。 Further, while the substrate W is transported from the second cleaning / drying processing unit SD2 to the development processing unit 70, the resist component or the resist cover film component is eluted in the cleaning liquid and the rinsing liquid remaining on the substrate W. Can be reliably prevented. Thereby, deformation of the exposure pattern formed on the resist film can be prevented. As a result, it is possible to reliably prevent a reduction in line width accuracy during the development process.
これらの結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができるとともに、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。
As a result, it is possible to prevent malfunctions such as abnormalities in the electrical system of the
また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。 Further, in the second cleaning / drying processing unit SD2, the substrate W is dried by blowing an inert gas from the central portion to the peripheral portion while rotating the substrate W. In this case, the cleaning liquid and the rinsing liquid on the substrate W can be reliably removed, so that it is possible to reliably prevent dust and the like in the atmosphere from adhering to the cleaned substrate W. Thereby, the contamination of the substrate W can be surely prevented, and the occurrence of dry spots on the surface of the substrate W can be prevented.
（５−３）露光処理後の基板の洗浄処理による効果
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、乾燥処理前に基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。
(5-3) Effect of Cleaning Process on Substrate After Exposure Process In the second cleaning / drying processing unit SD2, the cleaning process on the substrate W is performed before the drying process. In this case, even if dust or the like in the atmosphere adheres to the substrate W to which the liquid has adhered during the exposure process, the adhered matter can be removed. Thereby, contamination of the substrate W can be prevented. As a result, it is possible to reliably prevent substrate processing defects.
（５−４）レジストカバー膜の塗布処理の効果
露光装置１６において基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１３において、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。
(5-4) Effect of Resist Cover Film Application Process Before the exposure process is performed on the substrate W in the
（５−５）レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。
(5-5) Effect of Removal Process of Resist Cover Film Before the development process is performed on the substrate W in the
（５−６）露光処理前の基板の洗浄および乾燥処理による効果
露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１６内の汚染が防止される。
(5-6) Effect of Cleaning and Drying of Substrate Before Exposure Processing Before the exposure processing of the substrate W is performed in the
また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。
In the first cleaning / drying processing unit SD1, the substrate W is subjected to a drying process after the substrate W is cleaned. As a result, the cleaning liquid or the rinse liquid adhering to the substrate W during the cleaning process is removed, so that the dust in the atmosphere or the like is prevented from adhering again to the substrate W after the cleaning process. As a result, contamination within the
また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。 Further, in the first cleaning / drying processing unit SD1, the substrate W is dried by blowing an inert gas from the central portion to the peripheral portion while rotating the substrate W. In this case, the cleaning liquid and the rinsing liquid on the substrate W can be reliably removed, so that it is possible to reliably prevent dust and the like in the atmosphere from adhering to the cleaned substrate W. Thereby, the contamination of the substrate W can be surely prevented, and the occurrence of dry spots on the surface of the substrate W can be prevented.
（５−７）インターフェースブロックの効果
インターフェースブロック１５においては、第６のセンターロボットＣＲ６がエッジ露光部ＥＥＷへの基板Ｗの搬入出、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１への基板Ｗの搬入出、送りバッファ部ＳＢＦへの基板Ｗの搬入出、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰへの基板の搬入、および基板載置部ＰＡＳＳ１３からの基板Ｗの搬出を行い、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰからの基板Ｗの搬出、露光装置１６への基板Ｗの搬入出、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２への基板Ｗの搬入出、および基板載置部ＰＡＳＳ１３への基板Ｗの搬入を行っている。このように、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって効率よく基板Ｗの搬送が行われるので、スループットを向上させることができる。
(5-7) Effect of Interface Block In the
また、インターフェースブロック１５において、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、Ｘ方向の側面の近傍にそれぞれ設けられている。この場合、インターフェースブロック１５を取り外すことなく、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２のメインテナンスを基板処理装置５００の側面から容易に行うことができる。
In the
また、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２により、１つの処理ブロック内で、露光処理前および露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥を行うことができる。したがって、基板処理装置５００のフットプリントの増加を防止することができる。
Further, the first and second cleaning / drying processing units SD1 and SD2 can clean and dry the substrate W before and after the exposure processing in one processing block. Therefore, an increase in the footprint of the
（５−８）インターフェース用搬送機構の効果
インターフェースブロック１５においては、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰから露光装置１６に基板Ｗを搬送する際、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から基板載置部ＰＡＳＳ１３へ基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光装置１６から第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２へ基板を搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。
(5-8) Effects of Interface Transport Mechanism In the
すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。 That is, the hand H1 is used for transporting the substrate W to which no liquid is attached, and the hand H2 is used for transporting the substrate W to which the liquid is attached.
この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。 In this case, since the liquid adhering to the substrate W during the exposure process is prevented from adhering to the hand H1, the liquid is prevented from adhering to the substrate W before the exposure process. Further, since the hand H2 is provided below the hand H1, even if the liquid falls from the hand H2 and the substrate W held by the hand H2, the liquid is prevented from adhering to the hand H1 and the substrate W held by the hand H2. Can do. Thereby, it is possible to reliably prevent the liquid from adhering to the substrate W before the exposure processing. As a result, contamination of the substrate W before the exposure process can be reliably prevented.
（５−９）載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを配設したことによる効果
インターフェースブロック１５において、露光装置１６による露光処理前の基板Ｗを載置する機能と、基板Ｗの温度を露光装置１６内の温度に合わせるための冷却機能とを兼ね備えた載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けることにより、搬送工程を削減することができる。基板の厳密な温度管理が要求される液浸法による露光処理を行う上では、搬送工程を削減することは重要となる。
(5-9) Effect of Placing the Placement / Cooling Unit P-CP In the
上記により、スループットを向上することが可能となるとともに、搬送のアクセス位置を削減することができるので信頼性を向上することが可能となる。 As a result, the throughput can be improved and the transport access position can be reduced, so that the reliability can be improved.
特に、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けていることにより、さらにスループットを向上することができる。 In particular, the throughput can be further improved by providing two mounting / cooling units P-CP.
（６）洗浄／乾燥処理ユニットの他の例
図６に示した洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とが別個に設けられているが、図８に示すように、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。
(6) Another Example of Cleaning / Drying Processing Unit In the cleaning / drying processing unit shown in FIG. 6, the cleaning
また、図６に示す乾燥処理用ノズル６７０の代わりに、図９に示すような乾燥処理用ノズル７７０を用いてもよい。
Further, instead of the drying
図９の乾燥処理用ノズル７７０は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管７７１，７７２を有する。乾燥処理用ノズル７７０の下端および分岐管７７１，７７２の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが形成されている。
The drying
各吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃからは、それぞれ図９の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル７７０においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。
From each
ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。
Here, when the drying
図１０は、乾燥処理用ノズル７７０を用いた場合の基板Ｗの乾燥処理方法を説明するための図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining a method for drying the substrate W when the drying
まず、図７（ａ）で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図１０（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。
First, after the liquid layer L is formed on the surface of the substrate W by the method described with reference to FIG. 7A, the drying
その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１０（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。
Thereafter, an inert gas is discharged from the drying
次に、回転軸６２５（図６参照）の回転数が上昇するとともに、図１０（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル７７０が上方へ移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗ上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル７７０は、図６の第２の回動軸６７２に設けられた回動軸昇降機構（図示せず）により第２の回動軸６７２を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。
Next, the rotational speed of the rotary shaft 625 (see FIG. 6) increases, and the drying
また、乾燥処理用ノズル７７０の代わりに、図１１に示すような乾燥処理用ノズル８７０を用いてもよい。図１１の乾燥処理用ノズル８７０は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口８７０ａを有する。
Further, instead of the drying
この吐出口８７０ａからは、図１１の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル８７０においても、図１０の乾燥処理用ノズル７７０と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル８７０を用いる場合も、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合と同様の方法により基板Ｗの乾燥処理を行うことができる。
From the
また、図６に示す洗浄／乾燥処理ユニットの代わりに、図１２に示すような洗浄／乾燥処理ユニットを用いてもよい。 Further, instead of the cleaning / drying processing unit shown in FIG. 6, a cleaning / drying processing unit as shown in FIG. 12 may be used.
図１２に示す洗浄／乾燥処理ユニットが図６に示す洗浄／乾燥処理ユニットと異なるのは以下の点である。 The cleaning / drying processing unit shown in FIG. 12 is different from the cleaning / drying processing unit shown in FIG. 6 in the following points.
図１２の洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、スピンチャック６２１の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板６８２が設けられている。アーム６８８の先端付近から鉛直下方向に支持軸６８９が設けられ、その支持軸６８９の下端に、遮断板６８２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。
In the cleaning / drying processing unit of FIG. 12, a disc-shaped
支持軸６８９の内部には、遮断板６８２の開口に連通したガス供給路６９０が挿通されている。ガス供給路６９０には、例えば、窒素ガスが供給される。
A
アーム６８８には、遮断板昇降駆動機構６９７および遮断板回転駆動機構６９８が接続されている。遮断板昇降駆動機構６９７は、遮断板６８２をスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック６２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。
The
図１２の洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、基板Ｗの乾燥処理時に、図１３に示すように、遮断板６８２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板６８２との間の隙間に対してガス供給路６９０から不活性ガスを供給する。この場合、基板Ｗの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。
In the cleaning / drying processing unit of FIG. 12, during the drying processing of the substrate W, the gap between the substrate W and the blocking
（７）２流体ノズルを用いた洗浄／乾燥処理ユニットの例
（７−１）２流体ノズルを用いた場合の構成および動作
上記実施の形態においては、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２おいて、図６に示すような洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０を用いた場合について説明したが、洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０の一方または両方の代わりに図１４に示すような２流体ノズルを用いてもよい。
(7) Example of cleaning / drying processing unit using two-fluid nozzle (7-1) Configuration and operation when two-fluid nozzle is used In the above embodiment, the first and second cleaning / drying processing units In SD1 and SD2, the case where the
図１４は、洗浄および乾燥処理に用いられる２流体ノズル９５０の内部構造の一例を示す縦断面図である。２流体ノズル９５０からは、気体、液体、および気体と液体との混合流体を選択的に吐出することができる。
FIG. 14 is a longitudinal sectional view showing an example of the internal structure of the two-
本実施の形態の２流体ノズル９５０は外部混合型と呼ばれる。図１４に示す外部混合型の２流体ノズル９５０は、内部本体部３１１および外部本体部３１２により構成される。内部本体部３１１は、例えば石英等からなり、外部本体部３１２は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂からなる。
The two-
内部本体部３１１の中心軸に沿って円筒状の液体導入部３１１ｂが形成されている。液体導入部３１１ｂには図６の洗浄処理用供給管６６３が取り付けられる。これにより、洗浄処理用供給管６６３から供給される洗浄液またはリンス液が液体導入部３１１ｂに導入される。
A cylindrical
内部本体部３１１の下端には、液体導入部３１１ｂに連通する液体吐出口３１１ａが形成されている。内部本体部３１１は、外部本体部３１２内に挿入されている。なお、内部本体部３１１および外部本体部３１２の上端部は互いに接合されており、下端は接合されていない。
A liquid discharge port 311 a communicating with the
内部本体部３１１と外部本体部３１２との間には、円筒状の気体通過部３１２ｂが形成されている。外部本体部３１２の下端には、気体通過部３１２ｂに連通する気体吐出口３１２ａが形成されている。外部本体部３１２の周壁には、気体通過部３１２ｂに連通するように図６の乾燥処理用供給管６７４が取り付けられている。これにより、乾燥処理用供給管６７４から供給される不活性ガスが気体通過部３１２ｂに導入される。
A cylindrical
気体通過部３１２ｂは、気体吐出口３１２ａ近傍において、下方に向かうにつれて径小となっている。その結果、不活性ガスの流速が加速され、気体吐出口３１２ａより吐出される。
The
液体吐出口３１１ａから吐出された洗浄液と気体吐出口３１２ａから吐出された不活性ガスとが２流体ノズル９５０の下端付近の外部で混合され、洗浄液の微細な液滴を含む霧状の混合流体が生成される。
The cleaning liquid discharged from the liquid discharge port 311a and the inert gas discharged from the
図１５は、図１４の２流体ノズル９５０を用いた場合の基板Ｗの洗浄および乾燥処理方法を説明するための図である。
FIG. 15 is a diagram for explaining a method for cleaning and drying the substrate W when the two-
まず、図６で示したように、基板Ｗはスピンチャック６２１により吸着保持され、回転軸６２５の回転に伴い回転する。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約５００ｒｐｍである。
First, as shown in FIG. 6, the substrate W is sucked and held by the
この状態で、図１５（ａ）に示すように、２流体ノズル９５０から洗浄液および不活性ガスからなる霧状の混合流体が基板Ｗの上面に吐出されるとともに、２流体ノズル９５０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、２流体ノズル９５０から混合流体が基板Ｗの表面全体に吹き付けられ、基板Ｗの洗浄が行われる。
In this state, as shown in FIG. 15A, a mist-like mixed fluid composed of a cleaning liquid and an inert gas is discharged from the two-
次いで、図１５（ｂ）に示すように、混合流体の供給が停止され、回転軸６２５の回転速度が低下するとともに、基板Ｗ上に２流体ノズル９５０からリンス液が吐出される。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約１０ｒｐｍである。これにより、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。また、基板Ｗを洗浄する混合流体中の洗浄液として純水を用いる場合には、リンス液の供給を行わなくてもよい。
Next, as shown in FIG. 15B, the supply of the mixed fluid is stopped, the rotation speed of the
液層Ｌが形成された後、リンス液の供給が停止される。次に、図１５（ｃ）に示すように、基板Ｗ上に２流体ノズル９５０から不活性ガスが吐出される。これにより、基板Ｗの中心部の洗浄液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。
After the liquid layer L is formed, the supply of the rinsing liquid is stopped. Next, as shown in FIG. 15C, the inert gas is discharged from the two-
その後、回転軸６２５の回転速度が上昇する。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約１００ｒｐｍである。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するので、基板Ｗ上の液層Ｌを取り除くことができる。その結果、基板Ｗが乾燥される。
Thereafter, the rotation speed of the
なお、基板Ｗ上の液層Ｌを取り除く際には、２流体ノズル９５０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動してもよい。これにより、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。
When removing the liquid layer L on the substrate W, the two-
（７−２）２流体ノズルを用いた場合の効果
図１４の２流体ノズルにおいては、２流体ノズル９５０から吐出される混合流体は洗浄液の微細な液滴を含むので、基板Ｗ表面に凹凸がある場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板Ｗに付着した汚れが剥ぎ取られる。それにより、基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。また、基板Ｗ上の膜の濡れ性が低い場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板Ｗ表面の汚れが剥ぎ取られるので、基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。
(7-2) Effect of Using Two-Fluid Nozzle In the two-fluid nozzle shown in FIG. 14, the mixed fluid discharged from the two-
したがって、特に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１に２流体ノズルを用いた場合には、露光処理前に加熱ユニットＨＰによって基板Ｗに熱処理が施される際に、レジスト膜またはレジストカバー膜の溶剤等が加熱ユニットＨＰ内で昇華し、その昇華物が基板Ｗに再付着した場合でも、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において、その付着物を確実に取り除くことができる。それにより、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。
Therefore, in particular, when a two-fluid nozzle is used in the first cleaning / drying processing unit SD1, when the substrate W is heat-treated by the heating unit HP before the exposure processing, the resist film or the resist cover film Even when the solvent or the like is sublimated in the heating unit HP and the sublimated product is reattached to the substrate W, the attached matter can be surely removed in the first cleaning / drying processing unit SD1. Thereby, contamination in the
また、不活性ガスの流量を調節することにより、基板Ｗを洗浄する際の洗浄力を容易に調節することができる。これにより、基板Ｗ上の有機膜（レジスト膜またはレジストカバー膜）が破損しやすい性質を有する場合には洗浄力を弱くすることで基板Ｗ上の有機膜の破損を防止することができる。また、基板Ｗ表面の汚れが強固な場合には洗浄力を強くすることで基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。このように、基板Ｗ上の有機膜の性質および汚れの程度に合わせて洗浄力を調節することにより、基板Ｗ上の有機膜の破損を防止しつつ、基板Ｗを確実に洗浄することができる。 Further, the cleaning power when cleaning the substrate W can be easily adjusted by adjusting the flow rate of the inert gas. Thereby, when the organic film (resist film or resist cover film) on the substrate W has a property of being easily damaged, the organic film on the substrate W can be prevented from being damaged by weakening the cleaning power. Further, when the dirt on the surface of the substrate W is strong, the dirt on the surface of the substrate W can be surely removed by increasing the cleaning power. Thus, by adjusting the cleaning power according to the nature of the organic film on the substrate W and the degree of contamination, the substrate W can be reliably cleaned while preventing the organic film on the substrate W from being damaged. .
また、外部混合型の２流体ノズル９５０では、混合流体は２流体ノズル９５０の外部において洗浄液と不活性ガスとが混合されることにより生成される。２流体ノズル９５０の内部においては不活性ガスと洗浄液とがそれぞれ別の流路に区分されて流通する。それにより、気体通過部３１２ｂ内に洗浄液が残留することはなく、不活性ガスを単独で２流体ノズル９５０から吐出することができる。さらに、洗浄処理用供給管６６３からリンス液を供給することにより、リンス液を２流体ノズル９５０から単独で吐出することができる。したがって、混合流体、不活性ガスおよびリンス液を２流体ノズル９５０から選択的に吐出することが可能となる。
In the external mixing type two-
また、２流体ノズル９５０を用いた場合においては、基板Ｗに洗浄液またはリンス液を供給するためのノズルと、基板Ｗに不活性ガスを供給するためのノズルとをそれぞれ別個に設ける必要がない。それにより、簡単な構造で基板Ｗの洗浄および乾燥を確実に行うことができる。
When the two-
なお、上記の説明においては、２流体ノズル９５０により基板Ｗにリンス液を供給しているが、別個のノズルを用いて基板Ｗにリンス液を供給してもよい。
In the above description, the rinsing liquid is supplied to the substrate W by the two-
また、上記の説明においては、２流体ノズル９５０により基板Ｗに不活性ガスを供給しているが、別個のノズルを用いて基板Ｗに不活性ガスを供給してもよい。
In the above description, the inert gas is supplied to the substrate W by the two-
（８）他の実施の形態
レジストカバー膜用処理ブロック１３は設けなくてもよい。この場合、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における洗浄処理時に、レジスト膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１６においてレジスト膜が液体と接触しても、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を防止することができる。
(8) Other Embodiments The resist cover
また、レジストカバー膜用処理ブロック１３を設けない場合には、レジストカバー膜除去ブロック１４を設けなくてよい。それにより、基板処理装置５００のフットプリントを低減することができる。なお、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４を設けない場合には、基板Ｗの露光後ベークは、現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２１で行われる。
If the resist cover
なお、露光装置１６において液体を用いない方法で基板Ｗの露光処理を行う場合にも、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４を設ける必要はない。
Even when the exposure processing of the substrate W is performed by the
また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。例えば、エッジ露光部ＥＥＷを２個設ける場合は、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２の個数を２個にしてもよい。 In addition, the first cleaning / drying processing unit SD1, the second cleaning / drying processing unit SD2, the coating units BARC, RES, COV, the development processing unit DEV, the removal unit REM, the heating unit HP, the cooling unit CP, and the mounting unit The number of cooling units P-CP may be changed as appropriate according to the processing speed of each processing block. For example, when two edge exposure units EEW are provided, the number of second cleaning / drying processing units SD2 may be two.
また、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰにおいても、冷却ユニットＣＰと同様に、基板Ｗに不活性ガスを吹き付けてもよい。この場合、基板Ｗの汚染をさらに確実に防止することができる。 Further, in the placement / cooling unit P-CP, similarly to the cooling unit CP, an inert gas may be sprayed onto the substrate W. In this case, contamination of the substrate W can be further reliably prevented.
また、冷却ユニットＣＰにおける不活性ガスの吹き付け方法は、上記実施の形態の例に限定されない。例えば、ファンを用いて基板Ｗに不活性ガスを吹き付けてもよく、基板Ｗ上で不活性ガスの吐出口を走査させることにより基板Ｗに不活性ガスを吹き付けてもよい。 Further, the method of spraying the inert gas in the cooling unit CP is not limited to the example of the above embodiment. For example, an inert gas may be blown onto the substrate W using a fan, or the inert gas may be blown onto the substrate W by scanning an inert gas discharge port on the substrate W.
（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
(9) Correspondence between each constituent element of claims and each part of the embodiment Hereinafter, examples of correspondence between each constituent element of the claims and each part of the embodiment will be described, but the present invention is limited to the following examples. Not.
上記実施の形態においては、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶが１または複数種の塗布ユニットに相当し、温度調整プレートＰＬが冷却プレートに相当し、不活性ガス吐出口５４０，５５３および不活性ガス吐出部５４１，５５４が不活性ガス吐出手段に相当し、不活性ガス吐出口５５３および不活性ガス吐出部５５４が第１の不活性ガス吐出部に相当し、不活性ガス吐出口５４０および不活性ガス吐出部５４１が第２の不活性ガス吐出部に相当し、昇降ピン５３８および昇降装置５９９が昇降機構に相当し、レジスト膜が感光性膜に相当し、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットに相当し、塗布ユニットＢＡＲＣが反射防止膜形成ユニットに相当し、レジストカバー膜が保護膜に相当し、塗布ユニットＣＯＶが保護膜形成ユニットに相当する。
In the above embodiment, the coating units BARC, RES, and COV correspond to one or a plurality of types of coating units, the temperature adjustment plate PL corresponds to the cooling plate, the inert
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。 The present invention can be used for processing various substrates.
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
１６ 露光装置
５０ 反射防止膜用塗布処理部
６０ レジスト膜用塗布処理部
７０ 現像処理部
８０ レジストカバー膜用塗布処理部
９０ レジストカバー膜除去用処理部
１００，１０１ 反射防止膜用熱処理部
１１０，１１１ レジスト膜用熱処理部
１２０，１２１ 現像用熱処理部
１３０，１３１ レジストカバー膜用熱処理部
１４０，１４１ 露光後ベーク用熱処理部
５００ 基板処理装置
５４０，５５３ 不活性ガス吐出口
５４１，５５４ 不活性ガス吐出部
５４２，５５５ 不活性ガス流通孔
６５０ 洗浄処理用ノズル
６７０，７７０，８７０ 乾燥処理用ノズル
６８２ 遮断板
９５０ ２流体ノズル
ＥＥＷ エッジ露光部
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ 塗布ユニット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＲＥＭ 除去ユニット
ＳＤ１ 第１の洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＤ２ 第２の洗浄／乾燥処理ユニット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却ユニット
Ｗ 基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１３ 基板載置部
DESCRIPTION OF
Claims (9)
基板に処理液を塗布する１または複数種の塗布ユニットと、
少なくとも１種の塗布ユニットにおいて前記処理液が塗布された基板を加熱処理する加熱ユニットと、
前記加熱ユニットによる加熱処理後に基板を冷却処理する冷却ユニットとを備え、
前記冷却ユニットは、基板が載置された状態で基板を冷却する冷却プレートと、基板に不活性ガスを吹き付ける不活性ガス吐出手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate before exposure processing by an exposure apparatus,
One or a plurality of coating units for coating the substrate with the processing liquid;
A heating unit that heat-treats the substrate coated with the treatment liquid in at least one type of coating unit;
A cooling unit for cooling the substrate after the heat treatment by the heating unit;
The substrate processing apparatus, wherein the cooling unit includes a cooling plate that cools the substrate in a state where the substrate is placed, and an inert gas discharge unit that blows an inert gas onto the substrate.
前記不活性ガス供給手段は、基板が前記昇降機構により前記冷却プレートから離間した状態で保持されているときに前記不活性ガスを基板に吹き付けることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。 The cooling unit further includes an elevating mechanism that shifts the substrate between a state close to the cooling plate and a state separated from the cooling plate,
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the inert gas supply unit sprays the inert gas onto the substrate when the substrate is held in a state of being separated from the cooling plate by the lifting mechanism.
各塗布ユニットにおいて基板に処理液が塗布されるごとに前記加熱ユニットによる加熱処理および前記冷却処理ユニットによる冷却処理が行われることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。 The treatment liquid applied to the substrate by the one or more types of application units differs depending on the type of application unit,
6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a heating process by the heating unit and a cooling process by the cooling processing unit are performed each time a processing liquid is applied to the substrate in each coating unit. .
Priority Applications (1)
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| JP2006016463A JP2007201077A (en) | 2006-01-25 | 2006-01-25 | Substrate-treating device |
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| JP2006016463A JP2007201077A (en) | 2006-01-25 | 2006-01-25 | Substrate-treating device |
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-
2006
- 2006-01-25 JP JP2006016463A patent/JP2007201077A/en active Pending
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