JP3342803B2 - Processing apparatus and a substrate transfer method - Google Patents

Processing apparatus and a substrate transfer method

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JP3342803B2 JP13726496A JP13726496A JP3342803B2 JP 3342803 B2 JP3342803 B2 JP 3342803B2 JP 13726496 A JP13726496 A JP 13726496A JP 13726496 A JP13726496 A JP 13726496A JP 3342803 B2 JP3342803 B2 JP 3342803B2
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【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板やLC BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention includes a semiconductor substrate and LC
D基板等の被処理基板に一連の処理を施す処理装置及び Processing apparatus and performs a series of processes on a substrate to be processed in the D board or the like
基板搬送方法に関する。 It relates to a substrate transfer method.

【0002】 [0002]

【従来の技術】図13に、半導体デバイス製造のフォトリソグラフィー工程に使用される処理ステーションの一例を示す。 BACKGROUND ART FIG. 13 shows an example of processing stations employed in the photolithography process of a semiconductor device fabrication.

【0003】この処理ステーションは、塗布現像工程の中で1枚ずつ半導体ウエハに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニット200を多段配置してなる多段ユニット201を、垂直搬送型のウエハ搬送機構202の周囲に複数組配置して構成される。 [0003] The processing station, a multi-stage unit 201 that the various processing units 200 of the single wafer for performing a predetermined process on the semiconductor wafer one by one in coating and developing process formed by multistage arrangement, the vertical transfer-type wafer transfer constituted by a plurality of sets disposed about the mechanism 202. ウエハ搬送機構202 Wafer transfer mechanism 202
は、支持体203の内側にウエハ搬送体204を上下方向(Z軸方向)に移動可能に取り付けている。 It is movably mounted to the wafer transfer body 204 to the inside of the supporting body 203 in the vertical direction (Z axis direction). 支持体2 Support 2
03は、ウエハ搬送体204と一体的に垂直軸回り(θ 03, the wafer transfer body 204 integrally with the vertical axis (theta
方向)に回転可能にされている。 And it is rotatable in a direction).

【0004】処理ユニット200には、レジスト塗布ユニットやアライメントユニット等があり、ウエハ搬送機構202は、これら各処理ユニット200に対して必要に応じてアクセスし、1枚ずつ半導体ウエハに対して塗布現像を行う。 [0004] processing unit 200, there is a resist coating unit and the alignment unit, etc., the wafer transfer mechanism 202 is accessed as needed for these respective processing units 200, a coating and developing against one by one semiconductor wafer I do.

【0005】また、この処理装置は、クリーンルーム内に設置されるが、当該装置内においても垂直層流方式によって各部の清浄度が高められている。 Further, the processing unit is being installed in a clean room, the cleanliness of the respective parts by the vertical laminar flow system within the device is enhanced. 図中にこの装置内における清浄空気の流れを示す。 In the figure shows the flow of clean air in the this device. 清浄空気は、上部のエアー供給部205から導入され、多段ユニット20 Clean air is introduced from the top of the air supply unit 205, the multi-stage unit 20
1およびウエハ搬送機構202の上部から下部に向けて流れ、排気口(図示を省略)から排出される。 1 and flows from the upper portion of the wafer transfer mechanism 202 toward the bottom, is discharged from the exhaust port (not shown).

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】従来の処理ステーションでは、支持体203内でウエハ搬送体204が昇降する際、支持体203内の上端付近203aおよび下端付近203bにおいてウエハ搬送体駆動部で発生したパーティクルを含む空気が圧縮され、行き場を失って隙間2 In conventional processing stations INVENTION SUMMARY is], at the time of elevating the wafer transfer body 204 in the support member 203, generated by the wafer transfer body driving unit at the top near 203a and a lower end near the 203b in the support member 203 air containing particles is compressed, gap nowhere to go 2
03cから漏洩していた。 Was leakage from 03c. このように漏洩した空気は、 Air leaked in this way is,
特に支持体203がθ方向に回転した際に拡散して各処理ユニット200に流れ込み、半導体デバイス製造の歩留まりを低下させていた。 It flows to the processing unit 200 diffuses, especially when the support 203 is rotated in the θ direction, which decreases the yield of the semiconductor device fabrication.

【0007】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、被処理基板を昇降する際のパーティクルの発生を抑え、半導体デバイス製造の歩留まりを向上させることができる処理装置及び基板搬送方法を提供することを目的とする。 [0007] The present invention has been made in view of the above problems, suppress the generation of particles at the time of lifting the substrate to be processed, the processing apparatus and a substrate transfer method can improve the yield of the semiconductor device manufacturing an object of the present invention is to provide.

【0008】本発明の別の目的は、被処理基板を昇降する際に発生したパーティクルが処理ユニットに流れ込まないようにし、半導体デバイス製造の歩留まりを向上させることができる処理装置及び基板搬送方法を提供することを目的とする。 Another object of the present invention, provides a processing apparatus and a substrate transfer method can be particles generated when lifting the substrate to be processed so as not to flow into the processing unit, to improve the yield of the semiconductor device manufacturing an object of the present invention is to.

【0009】本発明の他の目的は、多段配置された各処理ユニットに対して新鮮な清浄空気を送り込むことができる処理装置及び基板搬送方法を提供することを目的とする。 Another object of the present invention has an object to provide a processing apparatus and a substrate transfer method can feed the fresh clean air for each processing unit that is multi-tiered.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するため、本発明の第1の処理装置は、垂直方向に多段に配置され、被処理基板に一連の処理を施こす複数の処理ユニットと、垂直方向に移動可能で垂直軸回りに回転可能にされ、前記処理ユニット間で被処理基板を受け渡す搬送手段と、この搬送手段を収容する支持体と、前記支持体の上端または下端付近に設けられ、前記搬送手段の昇降時に前記搬送手段と前記支持体との間で圧縮される空気を排出する排出手段とを具備する構成とした。 To achieve the above object, according to an aspect of the first processing device of the present invention is arranged in multiple stages in a vertical direction, a plurality of processing units straining facilities a series of processes on a substrate to be processed , it is rotatable about a vertical axis vertically movable, and conveying means for transferring the substrate to be processed between the processing unit, a support for accommodating the conveying means, near the top or bottom of the support provided, it has a structure comprising a discharge means for discharging the air compressed between the support and the conveying means during the lifting of the transport means.

【0011】本発明では、搬送手段が昇降する際の上端および下端付近の空気が排出手段より排出されるので、 In the present invention, since the air of the upper and lower ends near the time of transport means for lifting is discharged from the discharge means,
これらの付近においてパーティクルを含む空気が圧縮されて拡散するような事態を防止することができる。 Air containing particles in the vicinity of these you are possible to prevent a situation such that diffusion is compressed.

【0012】本発明の第2の処理装置は、垂直方向に多段に配置され、被処理基板に一連の処理を施こす複数の処理ユニットと、垂直方向に移動可能で垂直軸回りに回転可能にされ、前記処理ユニット間で被処理基板を受け渡す搬送手段と、前記搬送手段を収容する支持体とを有し、前記支持体が前記搬送手段を取り囲むように収容すると共に前記処理ユニット間での被処理基板の受け渡しを可能とする開口部を有し、かつ各処理ユニットの背後から前記支持体に向けて清浄空気を流すように構成した。 [0012] The second processing apparatus of the present invention is arranged in multiple stages in a vertical direction, a plurality of processing units straining facilities a series of processes on a substrate to be processed, rotatably around a vertical axis vertically movable is a transport means for transferring the substrate to be processed between the processing unit, and a support member for accommodating the conveyor means, said support between said processing unit accommodates to surround said conveying means It has an opening portion for allowing transfer of the substrate to be processed, and is configured to flow the clean air toward the support from behind the respective processing units.

【0013】支持体が搬送手段を取り囲むように収容する構造であるので、搬送手段の垂直軸回りの回転により支持体の周囲の気流が乱れることはない。 [0013] Since the support is a structure housing to surround the conveying means, never airflow around the support is disturbed by the rotation of the vertical axis of the conveying means. しかも各処理ユニットの背後から支持体に向けて清浄空気を流すように構成したので、支持体内において被処理基板を昇降する際に発生したパーティクルが処理ユニットに流れ込むことはない。 Moreover since it is configured to flow the clean air toward the support from behind the respective processing units, the particles will not flow into the processing unit generated when lifting a substrate to be processed in the support body.

【0014】また、各処理ユニットの背後から支持体に向けて清浄空気を流すように構成したので、多段配置された各処理ユニットに対して新鮮な清浄空気を送り込むことができる。 Further, since it is configured to flow the clean air toward the support from behind the respective processing units, it is possible to feed the fresh clean air for each processing unit that is multi-tiered. また、請求項10の処理装置は、被処理基板を搬送するための移動空間内に配置された搬送手段と、前記移動空間の周囲に配置され、前記被処理基板を処理する複数の処理ユニットと、これら複数の処理ユニットの内の所定の処理ユニットに前記被処理基板を前記搬送手段で搬送するに際し、前記移動空間内で前記搬送 The processing apparatus of claim 10, a conveying means disposed within the movement space for transporting the target substrate, is disposed around the movement space, a plurality of processing units for processing the substrate to be processed , the transfer of the target substrate to a predetermined processing units of the plurality of processing units upon conveying in the conveying means, in the mobile space
手段が昇降する方向の空気が圧縮されるのを抑制する手段と、を具備することを特徴とする。 Wherein the direction of the air means is lifting is and means to suppress from being compressed. また、請求項11 Further, according to claim 11
の基板搬送方法は、基板を当該基板の表面に対し直角な方向に搬送する工程と、 搬送により、少なくとも前記基板を搬送する方向の空気が圧縮されるのを抑制する工程と、を含むことを特徴とする。 The method of board transport may include the step of transporting the substrate in a direction perpendicular to the surface of the substrate by the transport, the step of inhibiting that the direction of the air which conveys at least the substrate is compressed, the the features.

【0015】 [0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an embodiment of the present invention with reference to the drawings.

【0016】図1〜図3は本発明の実施の形態による塗布現像処理システムの全体構成を示す図であって、図1 [0016] FIGS. 1 to 3 are views showing the overall configuration of a coating and developing processing system according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 1
は平面図、図2は正面図および図3は背面図である。 Is a plan view, FIG. 2 is a front view and FIG. 3 is a rear view.

【0017】この処理システムは、被処理基板として半導体ウエハWをウエハカセットCRで複数枚たとえば2 [0017] The processing system, a plurality example 2 of the semiconductor wafer W in the wafer cassette CR as a substrate to be processed
5枚単位で外部からシステムに搬入しまたはシステムから搬出したり、ウエハカセットCRに対して半導体ウエハWを搬入・搬出したりするためのカセットステーション10と、塗布現像工程の中で1枚ずつ半導体ウエハW Or unloaded from and carried into the system or systems from the outside five units, a cassette station 10 to or loading and unloading a semiconductor wafer W to the wafer cassette CR, one by one in coating and developing steps semiconductor wafer W
に所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション12と、この処理ステーション12と隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間で半導体ウエハWを受け渡しするためのインタフェース部14とを一体に接続した構成を有している。 Semiconductor wafers between multi-tiered and formed by processing station 12 in a predetermined position of various processing units single wafer for performing predetermined processing, the processing station 12 and the exposure device provided adjacent to (not shown) It has a structure obtained by connecting together the interface portion 14 for transferring the W.

【0018】カセットステーション10では、図1に示すように、カセット載置台20上の突起20aの位置に複数個たとえば4個までのウエハカセットCRがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション12側に向けてX [0018] In the cassette station 10, as shown in FIG. 1, with respective wafer transfer ports facing the wafer cassette CR is a plurality example up to four to the processing station 12 side to the position of the projections 20a on a cassette mounting table 20 X
方向一列に載置され、カセット配列方向(X方向)およびウエハカセットCR内に収納されたウエハのウエハ配列方向(Z方向)に移動可能なウエハ搬送体22が各ウエハカセットCRに選択的にアクセスするようになっている。 It is placed in the direction a line, selectively accessing cassette array direction (X direction) and the wafer cassette CR housing wafers array direction of the wafer in the direction (Z direction) movable in the wafer transfer member 22 is in the wafer cassette CR It has become way. さらに、このウエハ搬送体22は、θ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーション12側の第3の組G3 の多段ユニット部に属するアライメントユニット(ALIM)およびイクステンションユニット(EXT)にもアクセスできるようになっている。 Further, the wafer transfer member 22 is configured to be rotatable in the θ direction, alignment units belonging to the multi-stage unit of the third group G3 of the processing station 12 side as described later (ALIM) and an extension unit ( It has to be able to access EXT).

【0019】処理ステーション12では、図1に示すように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構24が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが1組または複数の組に亙って多段に配置されている。 [0019] In the processing station 12, as shown in FIG. 1, the main wafer transfer mechanism 24 of the vertical transfer-type is provided in the central portion, the multi-stage all the processing units around it over a set or more sets It is located in. この例では、5 In this example, 5
組G1,G2,G3,G4,G5 の多段配置構成であり、第1および第2の組G1,G2 の多段ユニットはシステム正面(図1において手前)側に並置され、第3の組G3 の多段ユニットはカセットステーション10に隣接して配置され、第4の組G4 の多段ユニットはインタフェース部14に隣接して配置され、第5の組G5 の多段ユニットは背部側に配置されている。 Is the set G1, G2, G3, G4, G5 multistage arrangement of the first and second sets G1, G2 of the multi-stage units are juxtaposed side (front in FIG. 1) the front of the system, the third group G3 multi-stage units are arranged adjacent to the cassette station 10, the multi-stage unit of the fourth group G4 is disposed adjacent to the interface unit 14, the multi-stage units of the fifth group G5 is arranged on the back side.

【0020】図2に示すように、第1の組G1 では、カップCP内で半導体ウエハWをスピンチャックに載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニット、たとえばレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。 As shown in FIG. 2, the first set G1, 2 spinner-type processing units which put the semiconductor wafer W on the spin chuck performs predetermined processing in a cup CP, for example, of the resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV) are two-tiered from the bottom in order. 第2 The second
の組G2 でも、2台のスピンナ型処理ユニット、たとえばレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。 But set G2, two spinner-type processing units, for example, the resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV) are two-tiered from the bottom in order. レジスト塗布ユニット(COT)ではレジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。 Since of the resist coating unit (COT) the drainage of a resist solution is troublesome in terms of maintenance mechanistically preferably arranged in this manner in the lower part. しかし、必要に応じて上段に配置することも可能である。 However, it is also possible to arrange the upper stage as required. 図3に示すように、第3の組G3 では、半導体ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットたとえばクーリングユニット(COL)、アドヒージョンユニット(AD)、アライメントユニット(ALIM)、 As shown in FIG. 3, in the third group G3, oven-type processing units for example a cooling unit for performing predetermined processing put on the table SP mounting the semiconductor wafer W (COL), the adhesion unit (AD), alignment unit (ALIM),
イクステンションユニット(EXT)、プリベーキングユニット(PREBAKE)およびポストベーキングユニット(POBAKE)が下から順にたとえば8段に重ねられている。 Extension unit (EXT), pre-baking unit (PREBAKE) and post-baking units (POBAKE) are in order for example 8 stages from the bottom. 第4の組G4 でも、オーブン型の処理ユニット、たとえばクーリングユニット(COL)、イクステンション・クーリングユニット(EXTCOL)、 Even the fourth group G4, oven-type processing units, for example, a cooling unit (COL), an extension and cooling unit (EXTCOL),
イクステンションユニット(EXT)、クーリングユニット(COL)、プリベーキングユニット(PREBA Extension unit (EXT), a cooling unit (COL), pre-baking unit (PREBA
KE)およびポストベーキングユニット(POBAK KE) and the post-baking unit (POBAK
E)が下から順にたとえば8段に重ねられている。 E) are stacked in order, for example, an eight-stage from the bottom.

【0021】このように処理温度の低いクーリングユニット(COL)、(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いベーキングユニット(PREBAKE)、 The low cooling unit of thus treated temperature (COL), arranged (EXTCOL) in the lower stage, high processing temperatures baking unit (PREBAKE),
ポストベーキングユニット(POBAKE)およびアドヒージョンユニット(AD)を上段に配置することで、 By arranging the post-baking unit (POBAKE) and adhesion unit with (AD) in the upper part,
ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。 It can be reduced thermal interference between units. しかし、ランダムな多段配置とすることも可能である。 However, it is also possible to randomly multistage arrangement.

【0022】インタフェース部14は、奥行方向では処理ステーション12と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズにつくられている。 The interface unit 14 has the same dimensions as the processing station 12 in the depth direction, are made in a small size in the width direction. インタフェース部14 Interface unit 14
の正面部には可搬性のピックアップカセットCRと定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、背面部には周辺露光装置28が配設され、中央部にはウエハ搬送体26が設けられている。 The front portion stationary buffer cassette BR pickup cassette CR portability are arranged in two stages, the rear portion is disposed peripheral exposure apparatus 28 and wafer carrier 26 is provided in the central portion there. このウエハ搬送体26は、 The wafer carrier 26,
X,Z方向に移動して両カセットCR,BRおよび周辺露光装置28にアクセスするようになっている。 X, is adapted to access the move in the Z-direction both cassettes CR, BR and the peripheral exposure device 28. さらに、ウエハ搬送体26は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション12側の第4の組G4 の多段ユニットに属するイクステンションユニット(EXT)にも、および隣接する露光装置側のウエハ受渡し台(図示せず)にもアクセスできるようになっている。 Further, the wafer transfer body 26 is configured to be rotatable in the θ direction, the extension unit belonging to the fourth multi-stage unit group G4 of process station 12 side (EXT) also, and the adjacent exposure device side wafer delivery has to be able to access the table (not shown).

【0023】この処理システムは、クリーンルームに設置されるが、さらにシステム内でも原則的には効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高めている。 [0023] The processing system is installed in a clean room, to enhance the cleanliness of each part by further efficient vertical laminar flow system also in principle in the system. 図4 Figure 4
および図5に、システム内における清浄空気の流れを示す。 And Figure 5 shows a flow of clean air in the system.

【0024】図4および図5において、カセットステーション10,処理ステーション12およびインタフェース部14の上方にはエア供給室12a,14a,16a [0024] In Figures 4 and 5, the cassette station 10, process station 12 and air supply chamber 12a above the interface unit 14, 14a, 16a
が設けられており、各エア供給室12a,14a,16 Are provided, each air supply chamber 12a, 14a, 16
aの下面に防塵機能付きフィルタたとえばULPAフィルタ30,32,34が取り付けられている。 Dust-proof filter eg ULPA filters 30, 32, 34 on the lower surface of a is attached. 図5に示すように、本処理システムの上部(すなわち各エア供給室12a,14a,16a自体にファンがある場合)または外部または背後に空調器36が設置されており、この空調器36より配管38を通って空気が各エア供給室12a,14a,16aに導入され、各エア供給室のU As shown in FIG. 5, the upper portion of the processing system (i.e. the air supply chambers 12a, 14a, if there is a fan 16a itself) or has air conditioner 36 is installed outside or behind, a pipe from the air conditioner 36 air each air supply chamber 12a through the 38, 14a, is introduced into 16a, U of each air supply chamber
LPAフィルタ30,32,34より清浄な空気がダウンフローで各部10,12,14に供給されるようになっている。 Clean air from LPA filter 30, 32, 34 are supplied to the respective units 10, 12, 14 in downflow. このダウンフローの空気は、システム下部の適当な箇所に多数設けられている通風孔40を通って底部の排気口42に集められ、この排気口42から配管4 This downflow of air through the ventilation holes 40 which number is provided to the appropriate parts of the system lower gathered to the exhaust port 42 at the bottom, the pipe from the exhaust port 42 4
4を通って空調器36に回収されるようになっている。 4 through adapted to be collected in the air conditioner 36.

【0025】図4に示すように、処理ステーション12 As shown in FIG. 4, the processing station 12
では、ULPAフィルタ32の下方に第3の組G3 、第4の組G4 側の空間と主ウエハ搬送機構24側の空間とを仕切る仕切り板33aが設けられている。 In the third set below the ULPA filter 32 G3, a partition plate 33a which partitions the fourth group G4 side space and the main wafer transfer mechanism 24 side space is provided. 仕切り板3 Partition plate 3
3aにより仕切られた第3の組G3 、第4の組G4 側の空間は、第3の組G3 および第4の組G4 の背後つまり第3の組G3 および第4の組G4 と処理ステーション1 The third group G3 partitioned by 3a, space of the fourth group G4 side, the third group G3 and the fourth rear clogging third group G4 group G3 and the fourth group G4 and the processing station 1
2との間に設けられたダクト33bに接続されている。 It is connected to a duct 33b provided between the two.
第3の組G3 および第4の組G4 の各ユニットのダクト33b側には、それぞれ開口部33cが設けられている。 The duct 33b side of each unit of the third group G3 and the fourth group G4, openings 33c are respectively provided. したがって、ULPAフィルタ32より供給された清浄空気は、主ウエハ搬送機構24に直接流れると共に、ダクト33bを通り、各ユニットの開口部33cを介して各ユニットの背後から主ウエハ搬送機構24に向けて流れる。 Therefore, the clean air supplied from the ULPA filter 32, together with the flow directly to the main wafer transfer mechanism 24 through the duct 33b, the back of each unit through the opening 33c of each unit toward the main wafer transfer mechanism 24 It flows. そして、これらの清浄空気は、第3の組G And these clean air, a third set G
3 および第4の組G4 と主ウエハ搬送機構24との間を通り、通風孔40を通り抜ける。 It passes between the third and fourth group G4 and main wafer transfer mechanism 24, through the ventilation holes 40.

【0026】このシステムでは、このように清浄空気を各ユニットの開口部33cを介して各ユニットの背後から主ウエハ搬送機構24に向けて流れるように構成したので、主ウエハ搬送機構24側で発生したパーティクルがユニット側に流れ込むことはない。 [0026] In this system, since it is configured in this manner the clean air to flow toward the main wafer transfer mechanism 24 from behind each unit through the opening 33c of each unit, generated by the main wafer transfer mechanism 24 side the particles do not flow into the unit side. また、多段配置された各ユニットに対して常に新鮮な清浄空気を送り込むことができる。 Further, it is possible to feed always fresh clean air for each unit that is multi-tiered.

【0027】図4および図5に示すように、処理ステーション12では、第1および第2の組G1,G2 の多段ユニットの中で下段に配置されているレジスト塗布ユニット(COT),(COT)の天井面にULPAフィルタ46が設けられており、空調器36からの空気は配管3 As shown in FIGS. 4 and 5, the processing station 12, a resist coating unit disposed in the lower in the first and second sets G1, G2 of the multi-stage unit (COT), (COT) the ULPA filter 46 is provided on the ceiling surface, the air from the air conditioning unit 36 ​​pipe 3
8より分岐した配管48を通ってフィルタ46まで送られるようになっている。 It is adapted to be fed to the filter 46 through the branched pipes 48 from 8. この配管48の途中に温度・湿度調整器(図示せず)が設けられ、レジスト塗布工程に適した所定の温度および湿度の清浄空気がレジスト塗布ユニット(COT),(COT)に供給されるようになっている。 Temperature and humidity regulator in the middle of the pipe 48 (not shown) is provided, the predetermined temperature and humidity of clean air resist coating unit suitable for resist coating step (COT), as supplied to the (COT) It has become. そして、フィルタ46の吹き出し側付近に温度・湿度センサ50が設けられており、そのセンサ出力が該温度・湿度調整器の制御部に与えられ、フィードバック方式で清浄空気の温度および湿度が正確に制御されるようになっている。 The balloon-side temperature and humidity sensor 50 in the vicinity of the filter 46 is provided with, the sensor output is applied to the control part of the temperature and humidity regulator, temperature and humidity accurately controlled clean air in a feedback manner It is adapted to be.

【0028】図5において、各スピンナ型処理ユニット(COT),(DEV)の主ウエハ搬送機構24に面する側壁には、ウエハおよび搬送アームが出入りするための開口部DRが設けられている。 [0028] In FIG. 5, the spinner-type processing units (COT), a side wall facing the main wafer transfer mechanism 24 of the (DEV), an opening DR for wafer and the transport arm and out is provided. 各開口部DRには、各ユニットからパーティクルまたはコンタミネーションが主ウエハ搬送機構24側に入り込まないようにするため、シャッタ(図示せず)が取り付けられている。 Each opening DR, since the particles or contamination from each unit is prevented from entering the main wafer transfer mechanism 24 side, and a shutter (not shown) is attached.

【0029】なお、図1に示すように、処理ステーション12において、第1および第2の組G1,G2 の多段ユニット(スピンナ型処理ユニット)に隣接する第3および第4の組G3,G4 の多段ユニット(オーブン型処理ユニット)の側壁の中にはそれぞれダクト52,54が垂直方向に縦断して設けられている。 [0029] Incidentally, as shown in FIG. 1, the processing station 12, the third and fourth adjacent the first and second sets G1, G2 of the multi-stage unit (spinner type process units) set G3, G4 of ducts 52, 54 respectively are provided with longitudinal vertically into the side wall of the multi-stage unit (oven-type processing units). これらのダクト5 These duct 5
2,54には上記のダウンフローの清浄空気または特別に温度調整された空気が流されるようになっている。 So that the air with temperature thereof adjusted clean air or specially the downflow is flowed to 2,54. このダクト構造によって、第3および第4の組G3,G4 のオーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第1 This duct structure, heat generated in the oven-type processing units of the third and the fourth group G3, G4 is interrupted, the first
および第2の組G1,G2 のスピンナ型処理ユニットへは及ばないようになっている。 And so as not reach the to the second set G1, G2 of the spinner-type processing units.

【0030】また、この処理システムでは、主ウエハ搬送機構24の背部側にも点線で示すように第5の組G5 Further, in this processing system, the main wafer transfer mechanism, as shown in dotted lines in the back side of the 24 fifth group G5
の多段ユニット配置できるようになっている。 So that the possible placement of the multi-stage unit. この第5 The fifth
の組G5 の多段ユニットは、案内レール56に沿って主ウエハ搬送機構24から見て側方へシフトできるようになっている。 Multistage unit group G5 is arranged to be shifted laterally relative to the main wafer transfer mechanism 24 along the guide rail 56. したがって、第5の組G5 の多段ユニットを設けた場合でも、スライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構24に対して背後からメンテナンス作業が容易に行えるようになっている。 Therefore, even in the case where the multi-stage unit of the fifth group G5, the space portion can be secured by sliding, so that can be easily for maintenance from the back to the main wafer transfer mechanism 24.

【0031】次に、図6〜図10を参照して処理ステーション12における主ウエハ搬送機構24の構成および作用について説明する。 [0031] Next, the configuration and operation of the main wafer transfer mechanism 24 in reference to the processing station 12 to Figures 6-10. 図6は主ウエハ搬送機構24の要部の構成を示す略斜視図、図7は主ウエハ搬送機構2 Figure 6 is schematic perspective view showing a main part of the main wafer transfer mechanism 24, FIG. 7 is the main wafer transfer mechanism 2
4の要部の構成を示す縦断面図、図8は図7において矢印Aの向きに見た断面平面図、図9は図7において矢印Bの向きに見た内側側面図および図10は図7において矢印Cの向きに見た内側側面図である。 Longitudinal sectional view showing a structure of a main portion of 4, 8 is a sectional plan view taken in the direction of arrow A in FIG. 7, FIG. 9 is an inner side view and FIG. 10 as viewed in the direction of arrow B in FIG. 7 Fig it is an inner side view in the direction of arrow C in 7.

【0032】図6および図7に示すように、主ウエハ搬送機構24は、支持体としての円筒状支持体94の内側に搬送手段としてのウエハ搬送体96を上下方向(Z方向)に移動可能に取り付けている。 As shown in FIGS. 6 and 7, the main wafer transfer mechanism 24 can move the wafer transfer member 96 serving as conveying means inside the cylindrical support 94 as a support in the vertical direction (Z-direction) It is attached to. 円筒状支持体94 Cylindrical support 94
は、回転駆動モータ98の回転軸に接続されており、モータ98の回転駆動力によって回転軸を回転中心としてウエハ搬送体96と一体に回転するようになっている。 It is connected to a rotary shaft of the rotary drive motor 98, and rotates integrally with the wafer transfer member 96 as a rotation about an axis of rotation by a rotational driving force of the motor 98.
回転駆動モータ98は本システムのベース板100に固定されており、モータ98の周りには給電用の可撓性ケーブルベア102が巻かれている。 Rotary drive motor 98 is fixed to the base plate 100 of the present system, the flexible cable carrier 102 for power feeding is wound on around the motor 98. なお、円筒状支持体94は、回転駆動モータ98によって回転される別の回転軸(図示せず)に取着するように構成してもよい。 Incidentally, cylindrical support 94 may be configured to attach to another rotary shaft which is rotated (not shown) by a rotation drive motor 98.

【0033】円筒状支持体94は、ウエハ搬送体96を取り囲むように収容すると共に、第1〜第5組G1 〜G The cylindrical support 94 is configured to accommodate so as to surround the wafer transfer member 96, first to fifth set G1 ~G
5 の多段ユニット間でのウエハWの受け渡しを可能とする複数の開口部94aが設けられている。 A plurality of openings 94a is provided which allows to transfer wafers W between 5 multistage unit. そして、ウエハ搬送体96の上下方向の移動範囲は、ウエハ搬送体9 Then, the moving range in the vertical direction of the wafer transfer body 96, the wafer transfer body 9
6が第1〜第5組G1 〜G5 の多段ユニットの全てにアクセスできるように設定されている。 6 is set to allow access to all of the multi-stage units of the first to fifth set G1 ~G5.

【0034】ウエハ搬送体96は、搬送基台104上に、X方向(前後方向)に移動可能な複数本たとえば3 The wafer transfer body 96, on the transfer base 104, a plurality of example 3 movable in X direction (longitudinal direction)
本のピンセット106A,106B,106Cを備えている。 Book of tweezers 106A, 106B, is equipped with a 106C. 各ピンセット106は、円筒状支持体94の開口部94aを通り抜けできるようになっている。 Each tweezer 106 is enabled to pass through the opening 94a of the cylindrical support 94. 各ピンセット106をX方向に移動させるためのX方向駆動部は、搬送基台104に内蔵された駆動モータおよびベルト(図示せず)によって構成されている。 X-direction drive unit for moving the tweezers 106 in the X direction is constituted by a drive motor and belt built in the transfer base 104 (not shown).

【0035】なお、上記3本のピンセットのうち最上段のピンセット106Aを冷却されたウエハの搬送専用として使用してもよい。 [0035] It is also possible to use the top of tweezers 106A among the three tweezers as conveying dedicated cooling wafers. また、各ピンセット間に断熱板を配置して、熱の相互干渉を防止するように構成してもよい。 Further, by placing a heat insulating plate between the tweezers may be configured to prevent mutual interference of heat.

【0036】図7、図8および図9に示すように、円筒状支持体94の一方の壁部の内側のほぼ中央の上端部および下端部に一対のプーリ108,110が取り付けられ、これらのプーリ108,110間に垂直駆動用の無端ベルト112が掛け渡されている。 [0036] As shown in FIGS. 7, 8 and 9, a pair of pulleys 108, 110 substantially at the center of the upper and lower ends one of the inner wall of the cylindrical support 94 is attached, these the endless belt 112 of the vertical driving is stretched between the pulleys 108 and 110. この垂直駆動ベルト112にベルトクランプ114を介してウエハ搬送体96の搬送基台104が接続されている。 The transfer base 104 of the wafer transfer body 96 via the belt clamp 114 to the vertical drive belt 112 is connected. 下部プーリ1 Lower pulley 1
10は、円筒状支持体94の底面に固定配置された駆動モータ116の回転軸116aに接続され、駆動プーリを構成している。 10 is connected to the rotary shaft 116a of the driving motor 116 which is fixedly disposed on the bottom surface of the cylindrical support 94, it constitutes a driving pulley.

【0037】また、図8および図9に明示するように、 Further, as best shown in FIGS. 8 and 9,
円筒状支持体94の一方の内側の左右端部に一対のガイドレール117,118が垂直方向に延在して設けられ、搬送基台104の側面に突設された一対の水平支持棹120,122の先端にそれぞれ設けられたスライダ124,126が両ガイドレール116,118に摺動可能に係合している。 Cylindrical support one of the pair of guide rails 117 and 118 on the left and right ends of the inner 94 is provided to extend in a vertical direction, a horizontal support rod 120 a pair of projecting from the side surface of the transfer base 104, slider 124, 126 respectively provided at the tip of 122 is slidably engaged with the guide rails 116 and 118. このような垂直ベルト駆動機構および垂直スライダ機構により、ウエハ搬送体96は駆動モータ116の駆動力で垂直方向に昇降移動できるようになっている。 Such vertical belt drive mechanism and vertical slider mechanism, the wafer transfer body 96 is adapted to be moved up and down in the vertical direction by the driving force of the driving motor 116.

【0038】図8および図9に明示するように、円筒状支持体94の一方の内側の中央部と一方のガイドレール117との間にはロッドレスシリンダ130が垂直方向に延在して立設されている。 [0038] As best shown in FIGS. 8 and 9, a cylindrical rod-less cylinder 130 between the central portion and one of the guide rails 117 while the inner support member 94 standing vertically extending It has been set. このロッドレスシリンダ1 The rodless cylinder 1
30の外側に遊動可能に外嵌されている円筒状の可動部130aは、水平支持棹120を介してウエハ搬送体9 Movably cylindrical movable portion 130a that is fitted on the outside of the 30, the wafer transfer body 9 via the horizontal support rod 120
6の搬送基台104に接続されている。 6 is connected to the transfer base 104. 可動部130a The movable portion 130a
はシリンダ130の内部に可動に挿入されているピストン(図示せず)と磁気的に結合しているので、可動部1 Since magnetically coupled to a piston (not shown) which is inserted movably in the cylinder 130, the movable portion 1
30aを介してウエハ搬送体96とピストンとが同時に移動可能なように作動接続されている。 And a piston wafer transfer body 96 through 30a are operated connected so as to be movable simultaneously. シリンダ130 Cylinder 130
の下端のポート130bには、レギュレータ132よりウエハ搬送体96の重量にほぼ等しい力がピストンに発生するような圧力で圧縮空気が配管134を介して供給される。 The lower end of the port 130b, the compressed air is supplied through the pipe 134 at a pressure such that substantially equal force to the weight of the wafer transfer member 96 from the regulator 132 is generated in the piston. シリンダ130の上端のポート130cは大気に開放されている。 Port 130c of the upper end of the cylinder 130 is open to the atmosphere.

【0039】このようにウエハ搬送体96の重量がシリンダ130の揚力によってキャンセルされているため、 [0039] Since the weight of the thus wafer carrier 96 has been canceled by the lift cylinders 130,
ウエハ搬送体96は重力の影響を受けることなく高速度で上昇移動できるようになっている。 Wafer transfer body 96 is adapted to be moved upward at a high speed without being affected by gravity. さらに、万一駆動ベルト112が切れた場合でも、ウエハ搬送体96はシリンダ130の揚力によってその位置に保持され、重力で落下するおそれはない。 Furthermore, even when broken by any chance the drive belt 112, the wafer transfer body 96 is held in its position by the lift cylinder 130, may fall by gravity is not. したがって、ウエハ搬送体9 Therefore, wafer carrier 9
6ないし円筒状支持体94が損壊するおそれはない。 6 to cylindrical support 94 there is no possibility of damage.

【0040】図6、図8および図10に示すように、円筒状支持体94の他方の壁部の内側の中央部および両端部には、ウエハ搬送体96に電力および制御信号を供給するための可撓性のケーブルベア134を垂直方向に延在させて収容するスリーブ136が設けられている。 [0040] As shown in FIGS. 6, 8 and 10, the center portion and both end portions of the inner of the other wall portion of the cylindrical support 94, for supplying power and control signals to the wafer transfer member 96 sleeve 136 of flexible cable carrier 134 accommodated by extending in the vertical direction are provided. 中央部の2つのスリーブ136,136の相対向する外側面は垂直ガイド138を構成しており、このガイド13 Outer surface facing each of the two sleeves 136, 136 of the central portion constitutes a vertical guide 138, the guide 13
8で搬送基台104の側面に突設されたスライダ104 8 slider 104 projecting from the side surface of the transfer base 104
aが案内されるようになっている。 a is adapted to be guided.

【0041】図6に示すように、円筒状支持体94の上面には回転中心軸94aの両側に当該円筒状支持体94 As shown in FIG. 6, a cylindrical shape on the upper surface of the support member 94 on both sides on the cylindrical support of the rotation axis 94a 94
内に清浄空気を導入するための一対の導入口94bが設けられ、上記した天井面の方向からの清浄空気がこれらの導入口94bを通って主ウエハ搬送機構24内に流入するようになっている。 A pair of inlet 94b for introducing cleaning air is provided within, so clean air from a direction of the ceiling surface as described above flows into the main wafer transfer mechanism 24 through these inlets 94b there. このダウンフローの清浄空気によってウエハ搬送体96の昇降移動空間は常時清浄に保たれる。 Lifting moving space of the wafer transfer member 96 by the clean air of the down flow is kept always clean.

【0042】各導入口94bには、導入する空気量を調節するための調節手段としての可動式のスリット窓94 The movable slit windows 94 as adjusting means for each inlet 94b, to adjust the amount of air introduced
cが複数設けられている。 c is provided with a plurality. 可動式のスリット窓94c Movable slit windows 94c
は、例えば図11に示すように、複数のスリット94d As is shown in FIG. 11, for example, a plurality of slits 94d
が設けられた板状部材94eを2枚重ね、例えば上部の板状部材94eの位置をX方向にずらすことにより窓を開閉できるようにされている。 Are to be open and close the window by shifting two stacked plate-like member 94e which is provided, for example, the position of the upper plate member 94e in the X direction. したがって、主ウエハ搬送機構24内外の環境に応じてスリット窓94cを所定幅開いて導入する空気量を調節することができ、これにより主ウエハ搬送機構24内の清浄作用を最適化することが可能である。 Therefore, according to the main wafer transfer mechanism 24 and out of the environment can adjust the amount of air introducing slit window 94c open a predetermined width, thereby it is possible to optimize the cleaning action of the main wafer transfer mechanism 24 it is. 円筒状支持体94の内壁の両側には、 On both sides of the inner wall of the cylindrical support 94,
図7および図8に示すように、それぞれ垂直仕切り板9 As shown in FIGS. 7 and 8, respectively vertical partition plate 9
1a,92aが設けられており、これらの仕切り板91 1a, and 92a are provided, these partition plates 91
a,92aの裏側と円筒状支持体94の壁部とでダクト91b,92bが形成されている。 a, the duct 91b in the wall of the back side and the cylindrical support 94 of the 92a, 92b are formed. 仕切り板91a,9 The partition plate 91a, 9
2aの上端および下端付近には、排出手段として空気排出口93、95が設けられており、そこには排気ファン93a,95aが配置されている。 2a to an upper end and a lower end near, and air outlet 93, 95 is provided, the exhaust there is a fan 93a, 95a are arranged as a discharge means. 排気ファン93a, Exhaust fan 93a,
95aにより排出された空気は、ダクト91b,92b The air discharged by 95a, the duct 91b, 92b
を通り、主ウエハ搬送機構24内の下部から外部に排出される。 Through, and is discharged to the outside from the bottom of the main wafer transfer mechanism 24.

【0043】排気ファン93a,95aは、駆動モータ116の駆動に連動して出力が制御されるようになっている。 The exhaust fan 93a, 95a is output in conjunction with the driving of the driving motor 116 are controlled. すなわち、駆動モータ116の駆動によりウエハ搬送体96が上昇するときには、上端付近の空気排出口93の排気ファン93aの出力が大きく、駆動モータ1 That is, when the wafer transfer member 96 by the drive motor 116 is increased, the larger the output of the exhaust fans 93a of the air discharge opening 93 near the upper end, the drive motor 1
16の駆動によりウエハ搬送体96が下降するときには、下端付近の空気排出口95の排気ファン95aの出力が大きくなるように制御されている。 When 16 wafer transfer body 96 by the driving of is lowered, the output of the exhaust fans 95a of the air discharge opening 95 near the lower end is controlled to increase.

【0044】したがって、円筒状支持体94内でウエハ搬送体96が昇降する際に円筒状支持体94の上端付近および下端付近において圧縮されようとする空気は、空気排出口93,95を介して主ウエハ搬送機構24の外部に排出される。 [0044] Thus, the air about to be compressed in the vicinity of the upper end and near the lower end of the cylindrical support 94 when the wafer transfer member 96 by the cylindrical support 94. to lift through the air outlet 93, 95 It is discharged to the outside of the main wafer transfer mechanism 24. よって、円筒状支持体94の上端付近および下端付近における空気の圧縮漏洩によってパーティクルが円筒状支持体94より拡散することはなくなる。 Thus, particles by compression leakage of air near the top and near the bottom end of the cylindrical support 94 is no longer able to diffuse from the cylindrical support 94.

【0045】なお、上記の如く空気排出口93、95に排気ファン93a,95aを設けることや排気ファン9 [0045] It should be noted that the exhaust to the air outlet 93 and 95 as of the fan 93a, the provision of the 95a and the exhaust fan 9
3a,95aの出力を制御することで、より効果的に空気の圧縮漏洩によるパーティクルの拡散を防止できる。 3a, by controlling the output of 95a, may more effectively prevent the diffusion of particles due to the compressed leakage air.
しかし、排気ファン93a,95aがなく空気排出口9 However, the exhaust fan 93a, the air outlet without 95a 9
3、95を設けただけでもパーティクルの拡散を防止できる。 The diffusion of the particles can be prevented just provided 3,95.

【0046】また、排気ファン93a,95aの取り付け位置は、空気排出口93、95付近(ダクト91b, [0046] The exhaust fan 93a, the mounting position of 95a is near the air outlet 93, 95 (the duct 91b,
92bの入り口)ばかりでなく、ダクト91b,92b 92b not entrance) just, duct 91b, 92b
の途中やダクト91b,92bの出口に設けるものであってもよい。 The middle and the duct 91b, or it may be provided at the exit of 92b.

【0047】また、図12に示すように、ダクト91 Further, as shown in FIG. 12, the duct 91
b,92bにさらに外側に別のダクト91c,92cを設け、筒状支持体94の上端付近にダクト91c,92 b, another duct 91c further outwardly 92b, the provided 92c, the duct near the upper end of the cylindrical support member 94 91c, 92
cに連通する空気排出口97をさらに設けるようにしてもよい。 It may be further provided an air outlet 97 which communicates to c. この例では、排気ファン93a,97aはそれぞれダクト91b,92b、91c,92cの出口に設けられている。 In this example, an exhaust fan 93a, respectively 97a ducts 91b, 92b, 91c, are provided at the outlet of 92c. すなわち、システム全体ではダウンフローで空気を流す傾向にあるので、ウエハ搬送体96の上昇時の方がつまり筒状支持体94の上端付近の方が空気が圧縮されやすいので、このように筒状支持体94の上端付近の空気排出口を2段構成とすることにより、より効果的に空気の圧縮漏洩によるパーティクルの拡散を防止できる。 That is, since the entire system tends to flow air down flow, since towards the upper end vicinity of the rise time of it is that is cylindrical supporter 94 of the wafer transfer body 96 is easily air is compressed, thus tubular by the air outlet near the upper end of the support member 94 and the two-stage configuration, it is possible to more effectively prevent the diffusion of particles with compressed leakage air.

【0048】また、排気ファン93a,95aを設けたことにより円筒状支持体94内を陰圧に設定することができる。 [0048] The exhaust fan 93a, a cylindrical support 94 by providing the 95a can be set to negative pressure. しかし、このような排気ファン93a,95a However, such an exhaust fan 93a, 95a
ではなく、例えば専用の排気ファンを円筒状支持体94 Rather, for example, cylindrical support a dedicated exhaust fan 94
の下部に設けることにより円筒状支持体94内を陰圧に設定することもできる。 The cylindrical support 94 may be set to negative pressure by providing the bottom of the. このように円筒状支持体94内を陰圧に設定することにより、円筒状支持体94内から各ユニットにパーティクルが拡散するのを防止することができる。 By thus setting the cylindrical support 94 to negative pressure, the particles to each unit from the cylindrical support 94. can be prevented from diffusing.

【0049】さらに、この実施の形態においては、円筒状支持体94をウエハ搬送体96を取り囲むように円筒形状としたので、主ウエハ搬送機構24のθ方向の回転による気流の乱れを防止することができる。 [0049] Further, in this embodiment, since the cylindrical support 94 has a cylindrical shape so as to surround the wafer transfer member 96, preventing turbulence due to rotation of the θ direction of the main wafer transfer mechanism 24 can. したがって、図4で説明したように清浄空気を各ユニットの開口部33cを介して各ユニットの背後から主ウエハ搬送機構24に向けて流れるように構成したことと相俟って、 Therefore, it coupled with the fact that the clean air is configured to flow toward the main wafer transfer mechanism 24 from behind each unit through the opening 33c of each unit as described with reference to FIG. 4,
主ウエハ搬送機構24側で発生したパーティクルがユニット側に拡散することをより効果的に防止することができる。 It is possible to prevent particles generated by the main wafer transfer mechanism 24 side is diffused in the unit side more effectively.

【0050】上記した実施の形態における処理システム内の各部の配置構成は一例であり、種々の変形が可能である。 The arrangement of each part of the processing system in the embodiment described above is an example, and various modifications are possible.

【0051】たとえば、上記した例では、処理ステーション12内の多段ユニット構成において、第1および第2の組G1,G2 はスピンナ型処理ユニットをそれぞれ2 [0051] For example, in the example described above, in the multi-stage unit configuration in the processing station 12, the first and second sets G1, G2 are the spinner-type processing units each 2
段に多段配置し、第3および第4の組G3,G4 はオーブン型処理ユニットおよびウエハ受渡しユニットをそれぞれ8段に多段配置したが、これ以外の任意の段数が可能であり、1つの組の中にスピンナ型処理ユニットとオーブン型処理ユニットまたはウエハ受渡しユニットとを混在させることも可能である。 Multistage placed stage, the third and the fourth group G3, G4 has been multi-tiered oven type processing units and wafer transfer units in eight stages, respectively, are possible any number other than this, the one set it is also possible to mix the spinner-type processing unit and the oven-type process unit or a wafer transfer unit in. また、スクラバユニット等の他の処理ユニットを加えることも可能である。 It is also possible to add other processing units such as a scrubber unit. そして、円筒状支持体94に設けられた開口部94aをそれらのユニットに応じて設けるようにすればよい。 Then, an opening 94a provided in the cylindrical support 94 may be as provided in accordance with those units.

【0052】上記した例は半導体デバイス製造のフォトリソグラフィー工程に使用されるレジスト塗布現像処理システムに係るものであったが、本発明は他の処理システムにも適用可能であり、被処理基板も半導体ウエハに限るものでなく、LCD基板、ガラス基板、CD基板、 [0052] Examples described above but were those according to the resist coating and developing system to be used in the photolithography process of a semiconductor device manufacturing, the present invention is also applicable to other processing systems, the target substrate also semiconductor not limited to a wafer, LCD substrates, glass substrates, CD substrates,
フォトマスク、プリント基板、セラミック基板等でも可能である。 Photomask, printed circuit board, it is possible in a ceramic substrate, or the like.

【0053】 [0053]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第1の処理装置によれば、垂直方向に多段に配置され、被処理基板に一連の処理を施こす複数の処理ユニットと、垂直方向に移動可能で垂直軸回りに回転可能にされ、前記処理ユニット間で被処理基板を受け渡す搬送手段と、この搬送手段を収容する支持体と、前記支持体の上端または下端付近に設けられ、前記搬送手段の昇降時に前記搬送手段と前記支持体との間で圧縮される空気を排出する排出手段とを具備する構成としたので、被処理基板を昇降する際のパーティクルの発生を抑え、半導体デバイス製造の歩留まりを向上させることができる。 As described in the foregoing, according to the first processing device of the present invention, are arranged in multiple stages in a vertical direction, a plurality of processing units straining facilities a series of processes on a substrate to be processed, in the vertical direction is rotatable about a vertical axis movable, and conveying means for transferring the substrate to be processed between the processing unit, a support for accommodating the conveying means, provided on the top or near the lower end of the support, wherein since a structure comprising a discharge means for discharging the air compressed between said transfer means during the lifting of the transport means and the support, suppressing the generation of particles at the time of lifting the substrate to be processed, a semiconductor device thereby improving the yield of production.

【0054】また、本発明の第2の処理装置によれば、 [0054] Further, according to the second processing apparatus of the present invention,
垂直方向に多段に配置され、被処理基板に一連の処理を施こす複数の処理ユニットと、垂直方向に移動可能で垂直軸回りに回転可能にされ、前記処理ユニット間で被処理基板を受け渡す搬送手段と、前記搬送手段を収容する支持体とを有し、前記支持体が前記搬送手段を取り囲むように収容すると共に前記処理ユニット間での被処理基板の受け渡しを可能とする開口部を有し、かつ各処理ユニットの背後から前記支持体に向けて清浄空気を流すように構成したので、被処理基板を昇降する際に発生したパーティクルが処理ユニットに流れ込まないようにし、 Arranged in multiple stages in a vertical direction, a plurality of processing units straining facilities a series of processes on a substrate to be processed, is rotatable about a vertical axis vertically movable, and passes the processed substrate between the processing unit Yes conveying means, and a support member for accommodating the conveying means, the opening portion for allowing transfer of the substrate between the processing unit together with the support is accommodated so as to surround said conveying means and, and since it is configured to flow the clean air toward the support from behind the respective processing units, as particles generated when lifting a substrate to be processed does not flow to the processing unit,
半導体デバイス製造の歩留まりを向上させることができ、しかも多段配置された各処理ユニットに対して新鮮な清浄空気を送り込むことができる。 It is possible to improve the yield of the semiconductor device fabrication, yet can be fed fresh clean air for each processing unit that is multi-tiered.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施の形態によるレジスト塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。 1 is a plan view showing the overall configuration of the resist coating and developing processing system according to an embodiment of the present invention.

【図2】実施の形態によるレジスト塗布現像処理システムの全体構成を示す側面図である。 2 is a side view showing the overall configuration of the resist coating and developing processing system according to an exemplary embodiment.

【図3】実施の形態によるレジスト塗布現像処理システムの全体構成を示す背面図である。 3 is a rear view showing the overall configuration of the resist coating and developing processing system according to an exemplary embodiment.

【図4】実施の形態の処理システムにおける清浄空気の流れを示す略背面図である。 Figure 4 is a schematic rear view showing the flow of clean air in the processing system of the embodiment.

【図5】実施の形態の処理システムにおける清浄空気の流れを示す略側面図である。 5 is a schematic side view showing a flow of clean air in the processing system of the embodiment.

【図6】実施の形態の処理システムの処理ステーションにおける主ウエハ搬送機構の要部の構成を示す略斜視図である。 6 is a schematic perspective view showing a main part of the main wafer transfer mechanism in the processing stations of the processing system of the embodiment.

【図7】実施の形態における主ウエハ搬送機構の要部の構成を示す縦断面図である。 7 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a main part of the main wafer transfer mechanism in the embodiment.

【図8】図7において矢印Aの向きに見た断面平面図である。 8 is a sectional plan view taken in the direction of arrow A in FIG.

【図9】図7において矢印Bの向きに見た内側側面図である。 9 is an inner side view in the direction of arrow B in FIG.

【図10】図7において矢印Cの向きに見た内側側面図である。 10 is a inner side view in the direction of arrow C in FIG. 7.

【図11】実施の形態における主ウエハ搬送機構の平面に設けられた導入口の構成を示す一部縦断面図である。 11 is a longitudinal sectional view of a portion showing the inlet configuration provided in the plane of the main wafer transfer mechanism in the embodiment.

【図12】他の実施の形態における主ウエハ搬送機構の要部の構成を示す縦断面図である。 12 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a main part of the main wafer transfer mechanism according to another embodiment.

【図13】従来のレジスト塗布現像処理システムにおける処理ステーションの一例を示す図である。 13 is a diagram showing an example of a processing station in the conventional resist coating and developing processing system.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

W 半導体ウエハ G1 〜G5 多段ユニット 10 カセットステーション 12 処理ステーション 14 インタフエース部 24 主ウエハ搬送機構 93 上端付近の空気排出口 93a 上端付近の空気排出口の排気ファン 94 円筒状支持体 94a 開口部 94b 導入口 95 下端付近の空気排出口 95a 下端付近の空気排出口の排気ファン 96 主ウエハ搬送機構のウエハ搬送体 97 上端付近の別の空気排出口 W semiconductor wafer G1 ~G5 multistage unit 10 cassette station 12 processing station 14 in tough ace 24 main exhaust wafer transfer mechanism 93 air outlet 93a upper air outlet in the vicinity of the vicinity of the upper end fan 94 cylindrical support 94a opening 94b introduced mouth 95 lower air outlet 95a lower end near another air outlet of the wafer transfer body 97 near the upper end of the exhaust fan 96 main wafer transfer mechanism of the air outlet in the vicinity

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI H01L 21/30 567 569D (72)発明者 新屋 浩 東京都港区赤坂5丁目3番6号 東京エ レクトロン株式会社内 (72)発明者 飽本 正巳 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 飯田 成昭 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) H01L 21/02 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI H01L 21/30 567 569D (72) inventor Hiroshi Xinwu Akasaka, Minato-ku, Tokyo 5-chome No. 3 No. 6 Tokyo et Rekutoron within Co., Ltd. (72 ) inventor 飽本 Masami Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun, Kikuyo-machi make 2655 address Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Kumamoto workplace (72) inventor Shigeaki Iida Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun, Kikuyo-machi make 2655 address Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Kumamoto house (58) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) H01L 21/02

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 垂直方向に多段に配置され、被処理基板に一連の処理を施こす複数の処理ユニットと、 垂直方向に移動可能で垂直軸回りに回転可能にされ、前記処理ユニット間で被処理基板を受け渡す搬送手段と、 この搬送手段を収容する支持体と、 前記支持体の上端または下端付近に設けられ、前記搬送手段の昇降時に前記搬送手段と前記支持体との間で圧縮される空気を排出する排出手段とを具備することを特徴とする処理装置。 1. A are arranged in multiple stages in a vertical direction, a plurality of processing units straining facilities a series of processes on a substrate to be processed, is rotatable possible to the vertical axis moves in the vertical direction, the between the processing unit a conveying means for transferring the processed substrate, a support for accommodating the conveying means, the provided on the upper or near the lower end of the support, is compressed between the conveying means and the support when the lifting of the transport means processing apparatus characterized by comprising a discharge means for discharging air that.
  2. 【請求項2】 請求項1記載の処理装置において、 前記排出手段には、排気ファンが接続されていることを特徴とする処理装置。 2. A process according to claim 1, wherein, in the said discharge means, processing device, wherein the exhaust fan is connected.
  3. 【請求項3】 請求項2記載の処理装置において、 前記搬送手段の上昇時には、前記上端付近の排出手段の排気ファンの出力を大きくし、前記搬送手段の下降時には、前記下端付近の排出手段の排気ファンの出力を大きくすることを特徴とする処理装置。 3. A process according to claim 2, wherein at the time of rise of the conveying means, the larger the output of the exhaust fan discharge means in the vicinity of the upper end, the at the time of descent of the carrying means, the discharge means in the vicinity of the lower end processing apparatus characterized by increasing the output of the exhaust fans.
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3記載の処理装置において、 前記上端付近の排出手段の近くには、さらに別の排出手段が設けられていることを特徴とする処理装置。 4. A process according to claim 1 to 3, wherein the processing device close to the discharge means in the vicinity of the upper end, characterized in that it is provided a further discharge means.
  5. 【請求項5】 垂直方向に多段に配置され、被処理基板に一連の処理を施こす複数の処理ユニットと、 垂直方向に移動可能で垂直軸回りに回転可能にされ、前記処理ユニット間で被処理基板を受け渡す搬送手段と、 前記搬送手段を収容する支持体とを有し、 前記支持体が前記搬送手段を取り囲むように収容すると共に前記処理ユニット間での被処理基板の受け渡しを可能とする開口部を有し、かつ各処理ユニットの背後から前記支持体に向けて清浄空気を流すようにしたことを特徴とする処理装置。 Disposed 5. multistage vertically, a plurality of processing units straining facilities a series of processes on a substrate to be processed, is rotatable possible to the vertical axis moves in the vertical direction, the between the processing unit a conveying means for transferring the processed substrate, and a support member for accommodating the conveying means, capable to transfer the target substrate between the processing unit together with the support is accommodated so as to surround said conveying means and processing apparatus according to claim having an opening, and from the back of the processing units that have to flow clean air toward the support that.
  6. 【請求項6】 請求項5記載の処理装置において、 前記支持体を円筒形状にしたことを特徴とする処理装置。 In the processing apparatus 6. The method of claim 5, wherein the processing unit, characterized in that the said support into a cylindrical shape.
  7. 【請求項7】 請求項5または6記載の処理装置において、 前記支持体内を陰圧に設定したことを特徴とする処理装置。 7. The apparatus according to claim 5 or 6, wherein the processing unit, characterized in that the support body is set to negative pressure.
  8. 【請求項8】 請求項7記載の処理装置において、 前記支持体の上部には、当該支持体内に清浄空気を導入するための導入口が設けられていることを特徴とする処理装置。 8. The apparatus according to claim 7, in the upper part of the support, the processing device characterized by inlet for introducing the clean air into the supporting body is provided.
  9. 【請求項9】 請求項8記載の処理装置において、 前記導入口には、導入する空気量を調節するための調節手段が設けられていることを特徴とする処理装置。 9. The processor according to claim 8, wherein the inlet port, the processing apparatus, wherein a regulating means for regulating the amount of air introduced is provided.
  10. 【請求項10】 被処理基板を搬送するための移動空間内に配置された搬送手段と、 前記移動空間の周囲に配置され、前記被処理基板を処理する複数の処理ユニットと、 これら複数の処理ユニットの内の所定の処理ユニットに前記被処理基板を前記搬送手段で搬送するに際し、前記移動空間内で前記搬送手段が昇降する方向の空気が圧縮 A conveying means 10. A disposed in the movement space for conveying a substrate to be processed, are disposed around the movement space, a plurality of processing units for processing the substrate to be processed, the plurality of processing upon transporting the target substrate to a predetermined processing units of the unit in the transport means, the direction of the air lift is the conveying means in the mobile space is compressed
    されるのを抑制する手段と、 を具備することを特徴とする処理装置。 Processing apparatus characterized by and means suppresses being.
  11. 【請求項11】 基板を当該基板の表面に対し直角な方向に搬送する工程と、 搬送により、少なくとも前記基板を搬送する方向の空気 11. A process for transferring a substrate in a direction perpendicular to the surface of the substrate, by the transfer, in the direction of conveying at least the substrate air
    が圧縮されるのを抑制する工程と、 を含むことを特徴とする基板搬送方法。 Substrate transfer method but which comprises a a step of inhibiting from being compressed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6676757B2 (en) * 1999-12-17 2004-01-13 Tokyo Electron Limited Coating film forming apparatus and coating unit
US6794664B1 (en) * 2003-12-04 2004-09-21 Axcelis Technologies, Inc. Umbilical cord facilities connection for an ion beam implanter
JP5185853B2 (en) * 2009-02-16 2013-04-17 アテル株式会社 Substrate transfer device
KR101356208B1 (en) * 2012-03-27 2014-01-29 주식회사 테라세미콘 Apparatus for processing substrate
JP6374775B2 (en) * 2014-11-25 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 Substrate transfer system and heat treatment apparatus using the same
JP6553388B2 (en) * 2015-03-31 2019-07-31 株式会社Screenホールディングス Substrate transfer apparatus, substrate processing apparatus, and substrate transfer method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100878163B1 (en) * 2001-03-30 2009-01-12 램 리써치 코포레이션 Transport passage interface structure for transport of a wafer and method for creating a reduced particle environment in a vicinity of a mechanically active transport passage interface

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