JP2001044119A - Resist coating, developing, and processing apparatus - Google Patents
Resist coating, developing, and processing apparatusInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、露光
装置による露光後、基板上のレジスト膜に現像処理を施
すレジスト塗布現像処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist coating / developing apparatus for applying a resist solution to a substrate such as a semiconductor wafer to form a resist film, and exposing the resist film on the substrate after exposure by an exposure device. About.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスのフォトリソグラフィー
工程においては、半導体ウエハにレジストを塗布し、こ
れにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに
応じて露光し、この露光パターンを現像処理することに
よりレジスト膜に回路パターンが形成される。2. Description of the Related Art In a photolithography process of a semiconductor device, a resist is applied to a semiconductor wafer, a resist film formed by the resist is exposed according to a predetermined circuit pattern, and the exposed pattern is developed to develop a resist. A circuit pattern is formed on the film.
【０００３】従来から、このような一連の工程を実施す
るために、レジスト塗布現像処理システムが用いられて
いる。このようなレジスト塗布現像処理システムは、半
導体ウエハに塗布現像のための各種処理を施すための各
種処理ユニットが多段配置された処理ステーションと、
複数の半導体ウエハを収納するカセットが載置され、半
導体ウエハを一枚ずつ処理ステーションに搬入し、処理
後の半導体ウエハを処理ステーションから搬出しカセッ
トに収納するカセットステーションと、このシステムに
隣接して設けられ、レジスト膜を所定のパターンに露光
する露光装置との間で半導体ウエハを受け渡しするため
のインターフェイス部とを一体的に設けて構成されてい
る。Conventionally, a resist coating and developing system has been used to carry out such a series of steps. Such a resist coating and developing processing system includes a processing station in which various processing units for performing various processing for coating and developing on a semiconductor wafer are arranged in multiple stages,
A cassette station for storing a plurality of semiconductor wafers is mounted, a semiconductor station for loading semiconductor wafers one by one into a processing station, unloading processed semiconductor wafers from the processing station and storing them in a cassette, and a cassette station adjacent to this system. And an interface unit for transferring a semiconductor wafer to and from an exposure apparatus for exposing a resist film to a predetermined pattern.
【０００４】このようなレジスト塗布現像処理システム
では、カセットステーションに載置されたカセットから
半導体ウエハが一枚ずつ取り出されて処理ステーション
に搬送され、まずアドヒージョン処理ユニットにて疎水
化処理が施され、冷却処理ユニットにて冷却された後、
レジスト塗布ユニットにてフォトレジスト膜が塗布さ
れ、加熱処理ユニットにてベーキング処理が施される。In such a resist coating and developing system, semiconductor wafers are taken out one by one from a cassette mounted on a cassette station and transported to a processing station, where they are first subjected to a hydrophobic treatment by an adhesion processing unit. After being cooled by the cooling processing unit,
A photoresist film is applied in a resist coating unit, and baking processing is performed in a heat treatment unit.
【０００５】その後、半導体ウエハは、処理ステーショ
ンからインターフェイス部を介して露光装置に搬送され
て、露光装置にてレジスト膜に所定のパターンが露光さ
れる。露光後、半導体ウエハは、インターフェイス部を
介して、再度処理ステーションに搬送され、露光された
半導体ウエハに対し、まず、加熱処理ユニットにてポス
トエクスポージャーベーク処理が施され、冷却後、現像
処理ユニットにて現像液が塗布されて露光パターンが現
像される。その後、加熱処理ユニットにてポストベーク
処理が施され、冷却されて一連の処理が終了する。一連
の処理が終了した後、半導体ウエハは、カセットステー
ションに搬送されて、ウエハカセットに収容される。[0005] Thereafter, the semiconductor wafer is transferred from the processing station to the exposure apparatus via the interface section, and the resist film is exposed to a predetermined pattern by the exposure apparatus. After the exposure, the semiconductor wafer is transported again to the processing station via the interface unit, and the exposed semiconductor wafer is first subjected to post-exposure bake processing in the heating processing unit, and after cooling, to the developing processing unit. Then, a developer is applied to develop the exposure pattern. Thereafter, a post-baking process is performed in the heat processing unit, and the post-baking process is performed to complete the series of processes. After a series of processes is completed, the semiconductor wafer is transferred to a cassette station and stored in a wafer cassette.
【０００６】このようなレジスト塗布現像処理システム
および露光装置においては、これらの内部の圧力を、こ
れらが設置されたクリーンルームの圧力よりも高く設定
して、外部からのパーティクル等の浸入を防止してい
る。In such a resist coating / development processing system and exposure apparatus, the pressure inside them is set higher than the pressure in the clean room in which they are installed to prevent intrusion of particles and the like from the outside. I have.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、半導
体デバイスの高集積化に伴い、より微細なパターン形成
が要求されており、このような微細なパターンを形成可
能なレジストとして化学増幅型レジストが用いられてい
る。In recent years, as semiconductor devices have become more highly integrated, finer pattern formation has been required. As a resist capable of forming such a fine pattern, a chemically amplified resist is known. Used.
【０００８】しかしながら、化学増幅型レジストは環境
依存性が高く、パーティクルのみならず、アンモニア等
のアルカリ成分が存在すると解像度不良を生じるおそれ
があるし、温度や湿度の変動による線幅のばらつきが大
きい。However, a chemically amplified resist is highly environmentally dependent. If not only particles but also an alkaline component such as ammonia is present, there is a risk of poor resolution, and variations in line width due to fluctuations in temperature and humidity are large. .
【０００９】このため、レジスト塗布処理、現像処理、
露光処理において、特にパーティクルやアンモニア等の
アルカリ成分を厳密に排除する必要があり、また温度・
湿度等の変動を極力排除する必要もあるため、上述のよ
うにレジスト塗布現像処理システムおよび露光装置の内
部の圧力をクリーンルームの圧力よりも高く設定するだ
けでは不十分である。Therefore, a resist coating process, a developing process,
In the exposure process, it is particularly necessary to strictly eliminate particles and alkali components such as ammonia,
Since it is necessary to eliminate fluctuations in humidity and the like as much as possible, it is not sufficient to set the pressure inside the resist coating and developing system and the exposure apparatus higher than the pressure in the clean room as described above.
【００１０】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、パーティクルやアルカリ成分等の不純物成分
や温度・湿度等の雰囲気変動の処理への影響を効果的に
排除することができるレジスト塗布現像処理装置を提供
することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has been made in consideration of the above circumstances, and has been made in consideration of the above problems, and has been made in view of the above. It is an object to provide a development processing device.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、基板にレジスト塗布および現像処
理のための各種処理を施す複数の処理ユニットが配置さ
れた処理部と、複数枚の基板を収納する基板収納容器を
載置可能な載置部を有し、基板収納容器から前記処理部
へ基板を搬入するとともに、前記処理部から搬出した基
板を基板収納容器に収納する搬入出部と、前記処理部か
ら基板を受け取って露光装置に受け渡し、露光後の基板
を露光装置から受け取って前記処理部に受け渡すための
インターフェイス部と、前記搬入出部、処理部、および
インターフェイス部の上方から下方に向けて空気の流れ
を形成する気流形成手段と、前記気流形成手段を制御す
る制御手段とを具備し、前記処理部は、前記搬入出部に
連通する第１の通風開口と、前記インターフェイス部に
連通する第２の通風開口とを有し、前記制御手段は、前
記処理部内の圧力が前記搬入出部内およびインターフェ
イス部内の圧力よりも高くなるように前記気流形成手段
を制御し、前記処理部から前記搬入出部および前記イン
ターフェイス部への空気の流れを形成することを特徴と
するレジスト塗布現像処理装置が提供される。According to the present invention, there is provided, in accordance with the present invention, a processing unit having a plurality of processing units for performing various processes for resist coating and developing on a substrate; A loading unit for loading a substrate storage container for storing a plurality of substrates into and from the substrate storage container to the processing unit; and loading the substrate unloaded from the processing unit into the substrate storage container. An output unit, an interface unit for receiving a substrate from the processing unit and transferring the substrate to an exposure apparatus, receiving an exposed substrate from the exposure apparatus and transferring the substrate to the processing unit, the loading / unloading unit, a processing unit, and an interface unit Airflow forming means for forming a flow of air from above to below, and control means for controlling the airflow forming means, wherein the processing unit is configured to communicate with the carry-in / out unit by a first communication unit. An opening and a second ventilation opening communicating with the interface unit, wherein the control unit controls the airflow forming unit such that a pressure in the processing unit is higher than a pressure in the loading / unloading unit and a pressure in the interface unit. A resist coating / developing apparatus is provided which controls and forms an air flow from the processing section to the carry-in / out section and the interface section.
【００１２】このような構成によれば、気流形成手段に
より、搬入出部、処理部、およびインターフェイス部の
上方から下方に向けて気流を形成するとともに、制御手
段により、処理部内の圧力が前記搬入出部内およびイン
ターフェイス部内の圧力よりも高くなるように前記気流
形成手段を制御し、処理部から搬入出部およびインター
フェイス部への空気の流れを形成するので、搬入出部お
よびインターフェイス部から処理部への空気の侵入を防
止することができ、不純物や雰囲気変動を嫌うレジスト
塗布・現像処理を行う処理部への不純物の侵入および処
理部の雰囲気変動を確実に防止することができる。According to such a configuration, the airflow forming means forms an airflow from above to below the loading / unloading section, the processing section, and the interface section, and the control means reduces the pressure in the processing section to the loading / unloading section. The airflow forming means is controlled so as to be higher than the pressure in the outlet section and the interface section, and the flow of air from the processing section to the carry-in / out section and the interface section is formed. Infiltration of air can be prevented, and intrusion of impurities into the processing section for performing resist coating / developing processing which dislikes impurities and changes in atmosphere and change in atmosphere of the processing section can be reliably prevented.
【００１３】また、上記レジスト塗布現像処理装置にお
いて、前記インターフェイス部は、露光装置に連通した
第３の通風開口を有し、前記制御手段は、前記インター
フェイス部内の圧力が前記露光装置内の圧力よりも低く
なるように前記気流形成手段を制御し、前記露光装置か
ら前記インターフェイス部への空気の流れを形成するよ
うにすることにより、高精度のパターンを得るために温
度の影響を排除する必要がある露光装置への空気の侵入
を防止することができる。In the above resist coating and developing apparatus, the interface section has a third ventilation opening communicating with the exposure apparatus, and the control means determines that the pressure in the interface section is lower than the pressure in the exposure apparatus. It is necessary to eliminate the influence of temperature in order to obtain a high-precision pattern by controlling the airflow forming means so that the airflow from the exposure apparatus to the interface unit is also controlled so as to reduce the airflow. It is possible to prevent air from entering a certain exposure apparatus.
【００１４】この場合に、前記制御手段は、前記処理部
内の圧力が前記露光装置内の圧力よりも低くなるように
前記気流形成手段を制御することが好ましい。これによ
り、より外部雰囲気の侵入を嫌う露光装置へ処理部から
の空気が侵入することを確実に防止することができる。
このような構成において、前記処理部のインターフェイ
ス部に連通する第２の通風開口を、前記インターフェイ
ス部の露光装置に連通する第３の通風開口よりも高い位
置に設けることが好ましい。これにより気流制御をより
行いやすくすることができる。In this case, it is preferable that the control means controls the airflow forming means so that the pressure in the processing unit is lower than the pressure in the exposure apparatus. Accordingly, it is possible to reliably prevent air from the processing unit from entering the exposure apparatus which is more reluctant to enter the external atmosphere.
In such a configuration, it is preferable that the second ventilation opening communicating with the interface unit of the processing unit is provided at a position higher than the third ventilation opening communicating with the exposure device of the interface unit. This makes it easier to perform airflow control.
【００１５】前記気流形成手段の具体的な構成として
は、前記搬入出部、処理部、およびインターフェイス部
のそれぞれの上方から空気を供給する空気供給機構と、
これらそれぞれの底部から排気する排気機構とを有する
ものを挙げることができ、この場合に前記制御手段は、
空気供給機構および／または排気機構を制御して前記搬
入出部内、処理部内、およびインターフェイス部内の圧
力を制御することができる。As a specific configuration of the airflow forming means, an air supply mechanism for supplying air from above each of the carry-in / out section, the processing section, and the interface section;
And an exhaust mechanism for exhausting from each of these bottoms. In this case, the control means may include:
The air supply mechanism and / or the exhaust mechanism can be controlled to control the pressure in the loading / unloading section, the processing section, and the interface section.
【００１６】また、前記空気供給機構は、前記搬入出
部、処理部、およびインターフェイス部のそれぞれの上
部の空気導入口に設けられたダンパーを有する構造とす
ることができ、この場合に、前記制御手段はこのダンパ
ーの開度を制御して前記搬入出部内、処理部内、および
インターフェイス部内の圧力を制御することができる。Further, the air supply mechanism may have a structure having a damper provided at an upper air inlet of each of the carry-in / out section, the processing section, and the interface section. The means can control the pressure in the loading / unloading section, the processing section, and the interface section by controlling the opening degree of the damper.
【００１７】前記排気機構は、前記搬入出部、処理部、
およびインターフェイス部のそれぞれの底部に設けられ
たスリットダンパーと、スリットダンパーの下方に設け
られた排気ファンとを有する構造とすることができ、こ
の場合に、前記制御手段はスリットダンパーの開度およ
び／または排気ファンの回転数を制御して前記搬入出部
内、処理部内、およびインターフェイス部内の圧力を制
御することができる。The exhaust mechanism includes the loading / unloading section, the processing section,
And a slit damper provided at the bottom of each of the interface portions, and an exhaust fan provided below the slit damper. In this case, the control means controls the opening degree and / or the slit damper of the slit damper. Alternatively, the pressure in the loading / unloading section, the processing section, and the interface section can be controlled by controlling the rotation speed of the exhaust fan.
【００１８】前記処理部は、搬送路と、この搬送路中を
走行し、前記複数の処理ユニットに基板を搬送するため
の搬送装置とをさらに有する構成とすることができ、こ
の場合に、前記排気機構は、搬送路の底部から下方へ排
気することができる。The processing section may further include a transport path and a transport device that travels in the transport path and transports the substrate to the plurality of processing units. The exhaust mechanism can exhaust air from the bottom of the transport path downward.
【００１９】前記処理部は、基板に対して熱的な処理を
施す複数の熱系処理ユニットを積層してなる熱系処理ユ
ニット群と、基板を回転しながら処理を施す塗布処理ユ
ニットおよび／または現像処理ユニットを積層してなる
回転系処理ユニット群とを有する構成とすることがで
き、この場合に、前記空気供給機構は、前記回転系処理
ユニット群と、前記熱系処理ユニット群および前記搬送
路とで、別個に空気を供給し、前記制御手段は、前記回
転系処理ユニット群内の圧力が、前記搬送路内および前
記熱系処理ユニット群内の圧力よりも高くなるように前
記空気供給機構を制御することが好ましい。これによ
り、搬送路および熱系処理ユニット群から処理部の中で
最も厳密に管理が必要な回転系処理ユニット群内へ、空
気が侵入することを防止することができ、レジスト塗布
・現像処理を行う回転系処理ユニットへの不純物の侵入
およびその雰囲気変動を一層確実に防止することができ
る。The processing section includes a thermal processing unit group formed by stacking a plurality of thermal processing units for performing thermal processing on a substrate, a coating processing unit for performing processing while rotating the substrate, and / or The air supply mechanism may include a rotary processing unit group, a thermal processing unit group, and the transporting unit. And the path, and the control means controls the air supply so that the pressure in the rotary processing unit group is higher than the pressure in the transport path and the thermal processing unit group. It is preferable to control the mechanism. As a result, air can be prevented from entering the rotary processing unit group, which needs to be strictly controlled in the processing unit, from the transport path and the thermal processing unit group, and the resist coating and developing processing can be performed. Impurity intrusion into the rotating processing unit and fluctuation in the atmosphere can be more reliably prevented.
【００２０】前記制御手段は、前記搬入出部内、処理部
内、およびインターフェイス部内のそれぞれの圧力を検
出する圧力センサーの検出値に基づいて、前記搬入出部
内、処理部内、およびインターフェイス部内の圧力を制
御するようにすることができる。The control means controls the pressure in the carry-in / out section, the processing section, and the interface section based on the detection values of the pressure sensors for detecting the respective pressures in the carry-in / out section, the processing section, and the interface section. You can make it.
【００２１】前記搬入出部、処理部、およびインターフ
ェイス部の空気導入部にそれぞれ設けられ、空気を清浄
化するフィルターをさらに具備することが好ましい。こ
れにより、処理雰囲気を一層高清浄化することができ
る。It is preferable that the apparatus further comprises a filter provided at each of the carry-in / out section, the processing section, and the air introduction section of the interface section for purifying air. This makes it possible to further purify the processing atmosphere.
【００２２】また、前記処理部内の空気の温度、または
温度および湿度を管理すること、前記搬入出部内、処理
部内、およびインターフェイス部内の空気のコンタミネ
ーション濃度を管理すること、および前記処理部内およ
びインターフェイス部内の空気のアンモニア濃度を管理
することのいずれか１つ以上を行うことが好ましい。In addition, managing the temperature of the air in the processing section, or the temperature and humidity, managing the contamination concentration of the air in the loading / unloading section, the processing section, and the interface section, and controlling the inside of the processing section and the interface. It is preferable to perform any one or more of controlling the ammonia concentration of the air in the section.
【００２３】また、本発明によれば、基板にレジスト塗
布および現像処理のための各種処理を施す複数の処理ユ
ニットが配置された処理部と、複数枚の基板を収納する
基板収納容器を載置可能な載置部を有し、基板収納容器
から前記処理部へ基板を搬入するとともに、前記処理部
から搬出した基板を基板収納容器に収納する搬入出部
と、前記処理部から基板を受け取って露光装置に受け渡
し、露光後の基板を露光装置から受け取って前記処理部
に受け渡すためのインターフェイス部と、前記搬入出
部、処理部、およびインターフェイス部の上方から下方
に向けて空気の流れを形成する気流形成手段と、前記気
流形成手段を制御する制御手段とを具備し、前記処理部
は、前記搬入出部に連通する第１の通風開口と、前記イ
ンターフェイス部に連通する第２の通風開口とを有し、
前記制御手段は、基板を処理している間は、前記搬入出
部、前記処理部および前記インターフェイス部の上方か
ら下方に向けて第１の強さの空気の流れを形成するよう
に前記気流形成手段を制御し、所定の場合には前記搬入
出部および前記処理部の上方から下方に向けて前記第１
の強さを超える第２の強さの空気の流れを形成するよう
に前記気流形成手段を制御することを特徴とするレジス
ト塗布現像処理装置が提供される。Further, according to the present invention, a processing section in which a plurality of processing units for performing various processes for resist coating and development processing on a substrate is disposed, and a substrate storage container for storing a plurality of substrates are mounted. A loading / unloading unit that has a possible mounting unit, loads the substrate from the substrate storage container into the processing unit, stores the substrate unloaded from the processing unit in the substrate storage container, and receives the substrate from the processing unit. An interface unit for transferring the substrate to the exposure apparatus, receiving the exposed substrate from the exposure apparatus and transferring the substrate to the processing unit, and forming an air flow from above to below the loading / unloading unit, the processing unit, and the interface unit. And a control unit that controls the airflow forming unit, wherein the processing unit is connected to a first ventilation opening that communicates with the loading / unloading unit, and the interface unit. And a second ventilation openings,
While processing the substrate, the control means is configured to form the airflow so as to form a flow of air having a first strength from above to below the loading / unloading section, the processing section, and the interface section. Means for controlling the first means from above to below in the loading / unloading section and the processing section in a predetermined case.
A resist coating / developing apparatus, characterized in that the airflow forming means is controlled so as to form a flow of air having a second strength exceeding the strength of the resist.
【００２４】このような構成によれば、前述したように
基板処理中に処理部への不純物の侵入および処理部の雰
囲気変動を確実に防止することができることに加えて、
例えば搬入出部で基板収納容器のメンテナンスを行うと
きのような所定の場合に、前記搬入出部および前記処理
部の上方から下方に向けて、基板処理中に形成される空
気の流れの強さを超える強さの空気の流れが形成される
ので、このような場合に生じるパーティクル等が処理部
側に回り込むことを防止することができる。According to such a structure, as described above, intrusion of impurities into the processing section and fluctuation in the atmosphere of the processing section during substrate processing can be reliably prevented.
For example, in a predetermined case such as when performing maintenance of the substrate storage container in the loading / unloading section, the strength of the flow of air formed during substrate processing from above the loading / unloading section and the processing section to below. Therefore, it is possible to prevent particles and the like generated in such a case from going around to the processing unit side.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明
の一実施形態に係るレジスト塗布現像処理システムを示
す概略平面図、図２はその正面図、図３はその背面図で
ある。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic plan view showing a resist coating and developing system according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a front view thereof, and FIG. 3 is a rear view thereof.
【００２６】このレジスト塗布現像処理システム１は、
搬送ステーションであるカセットステーション１０と、
複数の処理ユニットを有する処理ステーション１１と、
処理ステーション１１と隣接して設けられる露光装置５
０との間で半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）Ｗ
を受け渡すためのインターフェイス部１２とを具備して
いる。This resist coating and developing processing system 1
A cassette station 10 which is a transfer station;
A processing station 11 having a plurality of processing units;
Exposure device 5 provided adjacent to processing station 11
0 and a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) W
And an interface unit 12 for delivering the information.
【００２７】上記カセットステーション１０は、被処理
体としてのウエハＷを複数枚例えば２５枚単位でウエハ
カセットＣＲに搭載された状態で他のシステムからこの
システムへ搬入またはこのシステムから他のシステムへ
搬出したり、ウエハカセットＣＲと処理ステーション１
１との間でウエハＷの搬送を行うためのものである。The cassette station 10 carries a plurality of wafers W as objects to be processed, for example, in units of 25 wafers W, into a wafer cassette CR, and loads the wafer W from another system or unloads the wafer W from this system to another system. Or the wafer cassette CR and the processing station 1
This is for transferring the wafer W to and from the wafer W.
【００２８】このカセットステーション１０において
は、図１に示すように、ウエハカセットＣＲを載置する
載置台２０上に図中Ｘ方向に沿って複数（図では４個）
の位置決め突起２０ａが形成されており、この突起２０
ａの位置にウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入
口を処理ステーション１１側に向けて一列に載置可能と
なっている。ウエハカセットＣＲにおいてはウエハＷが
垂直方向（Ｚ方向）に配列されている。また、カセット
ステーション１０は、載置台２０と処理ステーション１
１との間に位置するウエハ搬送機構２１を有している。
このウエハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方
向）およびその中のウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方
向）に移動可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有してお
り、このウエハ搬送用アーム２１ａによりいずれかのウ
エハカセットＣＲに対して選択的にアクセス可能となっ
ている。また、ウエハ搬送用アーム２１ａは、θ方向に
回転可能に構成されており、後述する処理ステーション
１１側の第３の処理ユニット群Ｇ ３に属するアライメン
トユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。In the cassette station 10,
Puts the wafer cassette CR as shown in FIG.
Plural (four in the figure) on the mounting table 20 along the X direction in the figure
The positioning projections 20a are formed.
The wafer cassette CR moves in and out of each wafer at the position a.
Can be placed in a line with the mouth facing the processing station 11
Has become. In the wafer cassette CR, the wafer W
They are arranged in the vertical direction (Z direction). Also, cassette
The station 10 includes the mounting table 20 and the processing station 1.
1 is provided between the wafer transfer mechanism 21 and the wafer transfer mechanism 21.
The wafer transfer mechanism 21 is moved in the cassette arrangement direction (X direction).
Direction) and the wafer arrangement direction of the wafer W therein (Z direction).
The wafer transfer arm 21a
Any one of the wafers by the wafer transfer arm 21a.
Selective access to Eha cassette CR
ing. Further, the wafer transfer arm 21a moves in the θ direction.
The processing station is configured to be rotatable and will be described later.
Third processing unit group G on the eleventh side 3Alignment belonging to
Unit (ALIM) and extension unit
(EXT) can also be accessed.
【００２９】上記処理ステーション１１は、ウエハＷに
対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するため
の複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段
に配置されており、これらによりウエハＷが一枚ずつ処
理される。この処理ステーション１１は、図１に示すよ
うに、中心部に搬送路２２ａを有し、この中に主ウエハ
搬送機構２２が設けられ、搬送路２２ａの周りに全ての
処理ユニットが配置されている。これら複数の処理ユニ
ットは、複数の処理ユニット群に分かれており、各処理
ユニット群は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多
段に配置されている。The processing station 11 is provided with a plurality of processing units for performing a series of steps for performing coating and development on the wafer W, and these are arranged at predetermined positions in multiple stages. The wafers W are processed one by one. As shown in FIG. 1, the processing station 11 has a transfer path 22a at the center, in which a main wafer transfer mechanism 22 is provided, and all the processing units are arranged around the transfer path 22a. . The plurality of processing units are divided into a plurality of processing unit groups, and in each processing unit group, a plurality of processing units are arranged in multiple stages along the vertical direction.
【００３０】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置４
６も一体的に回転可能となっている。As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism 22 is provided with a wafer transfer device 46 inside a tubular support 49 so as to be able to move up and down in the vertical direction (Z direction). The cylindrical support 49 is rotatable by the rotational driving force of a motor (not shown), and accordingly, the wafer transfer device 4
6 is also rotatable integrally.
【００３１】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。The wafer transfer device 46 includes a plurality of holding members 48 that are movable in the front-rear direction of the transfer base 47, and the transfer of the wafer W between the processing units is realized by these holding members 48. .
【００３２】また、図１に示すように、この実施の形態
においては、４個の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，
Ｇ４が搬送路２２ａの周囲に実際に配置されており、処
理ユニット群Ｇ５は必要に応じて配置可能となってい
る。As shown in FIG. 1, in this embodiment, four processing unit groups G 1 , G 2 , G 3 ,
G 4 are actually arranged around the conveying path 22a, the processing unit group G 5 is adapted to be positioned as required.
【００３３】これらのうち、第１および第２の処理ユニ
ット群Ｇ１，Ｇ２はシステム正面（図１において手前）
側に並列に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセ
ットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理
ユニット群Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接して配
置されている。また、第５の処理ユニット群Ｇ５は背面
部に配置可能となっている。Of these, the first and second processing unit groups G 1 and G 2 are located at the front of the system (in FIG. 1).
The third processing unit group G 3 is disposed adjacent to the cassette station 10, and the fourth processing unit group G 4 is disposed adjacent to the interface unit 12. The processing unit group G 5 of the fifth is adapted to be disposed on the rear portion.
【００３４】第１の処理ユニット群Ｇ１では、カップＣ
Ｐ内でウエハＷをスピンチャック（図示せず）に載置し
てウエハＷにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）および同様にカップＣＰ内でレジストの
パターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順
に２段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２も
同様に、２台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）が下から順に２段に重ねられている。[0034] In the first processing unit group G 1, the cup C
A resist coating unit (COT) for applying a resist to the wafer W by mounting the wafer W on a spin chuck (not shown) in the P and a developing unit (DEV) for similarly developing a resist pattern in the cup CP Are stacked in two layers in order from the bottom. Similarly, the second processing unit group G2 has two spinner-type processing units, ie, a resist coating processing unit (COT) and a developing unit (DE).
V) are stacked in two stages from the bottom.
【００３５】第３の処理ユニット群Ｇ３においては、図
３に示すように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の
処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられ
ている。すなわち、レジストの定着性を高めるためのい
わゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、冷却処理を行うクーリングユニット（Ｃ
ＯＬ）、露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後
にウエハＷに対して加熱処理を行う４つのホットプレー
トユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられてい
る。なお、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わり
にクーリングユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユ
ニット（ＣＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよ
い。[0035] In the third processing unit group G 3, as shown in FIG. 3, the oven-type processing units of the wafer W is placed on a mounting table SP performs predetermined processing are multi-tiered. That is, an adhesion unit (A) for performing a so-called hydrophobic treatment for improving the fixability of the resist.
D) Alignment unit (ALI) for positioning
M), an extension unit (EXT) for loading and unloading the wafer W, and a cooling unit (C) for performing a cooling process.
OL), four hot plate units (HP) for performing a heating process on the wafer W before the exposure process, after the exposure process, and after the development process are stacked in eight stages from the bottom. Note that a cooling unit (COL) may be provided instead of the alignment unit (ALIM), and the cooling unit (COL) may have an alignment function.
【００３６】第４の処理ユニット群Ｇ４も、オーブン型
の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備
えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリン
グユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および
４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８
段に重ねられている。The fourth processing unit group G 4 may, oven-type processing units are multi-tiered. That is, a cooling unit (COL), an extension / cooling unit (EXTCOL), an extension unit (EXT), a cooling unit (COL), and four hot plate units (HP), which are wafer loading / unloading units provided with a cooling plate, are located below. From 8
It is piled up on the steps.
【００３７】主ウエハ搬送機構２２の背部側に第５の処
理ユニット群Ｇ５を設ける場合には、案内レール２５に
沿って主ウエハ搬送機構２２から見て側方へ移動できる
ようになっている。したがって、第５の処理ユニット群
Ｇ５を設けた場合でも、これを案内レール２５に沿って
スライドすることにより空間部が確保されるので、主ウ
エハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業を
容易に行うことができる。[0037] the rear side of the main wafer transfer mechanism 22 when the fifth processing unit group G 5 to provide is adapted to be movable laterally relative to the main wafer transfer mechanism 22 along the guide rails 25 . Therefore, even in the case where the processing unit group G 5 of the fifth, the space portion is secured by sliding along the guide rail 25 to this maintenance work from behind the main wafer transfer mechanism 22 easily Can be done.
【００３８】上記インターフェイス部１２は、奥行方向
（Ｘ方向）については、処理ステーション１１と同じ長
さを有している。図１、図２に示すように、このインタ
ーフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に
配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中
央部には、ウエハ搬送機構２４が配設されている。この
ウエハ搬送機構２４は、ウエハ搬送用アーム２４ａを有
しており、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、
Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光
装置２３にアクセス可能となっている。また、このウエ
ハ搬送用アーム２４ａは、θ方向に回転可能であり、処
理ステーション１１の第４の処理ユニット群Ｇ４に属す
るエクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣
接する露光装置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にも
アクセス可能となっている。The interface section 12 has the same length as the processing station 11 in the depth direction (X direction). As shown in FIGS. 1 and 2, a portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages at the front of the interface section 12, and a peripheral exposure device 23 is arranged at the rear. The wafer transfer mechanism 24 is provided at the center. The wafer transfer mechanism 24 has a wafer transfer arm 24a, and the wafer transfer arm 24a
By moving in the Z direction, both cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 23 can be accessed. Further, the wafer transfer arm 24a is rotatable in θ direction, the fourth processing unit group G 4 belonging extension unit and (EXT), more wafer delivery of the adjacent exposure device side stand of the process station 11 (Not shown) can also be accessed.
【００３９】このようなレジスト塗布現像処理システム
においては、まず、カセットステーション１０におい
て、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａが
載置台２０上の未処理のウエハＷを収容しているウエハ
カセットＣＲにアクセスして、そのウエハカセットＣＲ
から一枚のウエハＷを取り出し、第３の処理ユニット群
Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送す
る。In such a resist coating and developing processing system, first, in the cassette station 10, the wafer transfer arm 21a of the wafer transfer mechanism 21 is mounted on the wafer cassette CR containing the unprocessed wafer W on the mounting table 20. To access the wafer cassette CR
It removed one wafer W from and transported to the third processing unit group G 3 of the extension unit (EXT).
【００４０】ウエハＷは、このエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送
装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。
そして、第３の処理ユニット群Ｇ３のアライメントユニ
ット（ＡＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒ
ージョン処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジ
ストの定着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処
理）が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウ
エハＷは、ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニ
ット（ＣＯＬ）に搬送されて冷却される。The wafer W is loaded from the extension unit (EXT) into the processing station 11 by the wafer transfer device 46 of the main wafer transfer mechanism 22.
Then, after being aligned by the third processing unit group G 3 of the alignment unit (ALIM), it is conveyed to the adhesion process unit (AD), where the resist hydrophobic treatment for enhancing adhesion of (HMDS treatment) facilities Is done. Since this process involves heating, the wafer W is then transferred to a cooling unit (COL) by the wafer transfer device 46 and cooled.
【００４１】アドヒージョン処理が終了し、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）で所定の温度に冷却さたウエハＷ
は、引き続き、ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、そこで塗布膜が形
成される。塗布処理終了後、ウエハＷは処理ユニット群
Ｇ３，Ｇ４のいずれかのホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）内でプリベーク処理され、その後いずれかのクーリ
ングユニット（ＣＯＬ）にて所定の温度に冷却される。After the adhesion process is completed, the wafer W cooled to a predetermined temperature by the cooling unit (COL)
Is subsequently transferred to a resist coating unit (COT) by the wafer transfer device 46, where a coating film is formed. After completion of the coating process, the wafer W is placed in one of the hot plate units (H) of the processing unit groups G 3 and G 4.
Pre-baking is performed in P), and then cooled to a predetermined temperature in one of the cooling units (COL).
【００４２】冷却されたウエハＷは、第３の処理ユニッ
ト群Ｇ３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送さ
れ、そこでアライメントされた後、第４の処理ユニット
群Ｇ ４のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介して
インターフェイス部１２に搬送される。The cooled wafer W is supplied to the third processing unit.
Group G3Transported to the alignment unit (ALIM)
And after alignment there, the fourth processing unit
Group G 4Via the extension unit (EXT)
It is transported to the interface unit 12.
【００４３】インターフェイス部１２では、余分なレジ
ストを除去するために周辺露光装置２３によりウエハの
周縁例えば１ｍｍを露光し、インターフェイス部１２に
隣接して設けられた露光装置（図示せず）により所定の
パターンに従ってウエハＷのレジスト膜に露光処理が施
される。In the interface section 12, the periphery of the wafer, for example, 1 mm is exposed by a peripheral exposure apparatus 23 in order to remove an excess resist, and a predetermined amount is exposed by an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the interface section 12. An exposure process is performed on the resist film of the wafer W according to the pattern.
【００４４】露光後のウエハＷは、再びインターフェイ
ス部１２に戻され、ウエハ搬送機構２４により、第４の
処理ユニット群Ｇ４に属するエクステンションユニット
（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ
搬送装置４６により、いずれかのホットプレートユニッ
ト（ＨＰ）に搬送されてポストエクスポージャーベーク
処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）
により所定の温度に冷却される。The wafer W after exposure is returned again to the interface section 12 by the wafer transfer mechanism 24, it is carried to the extension unit (EXT) belonging to the fourth processing unit group G 4. Then, the wafer W is transferred to one of the hot plate units (HP) by the wafer transfer device 46 and subjected to post-exposure bake processing, and then the cooling unit (COL)
Is cooled to a predetermined temperature.
【００４５】その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像処理終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレ
ートユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が
施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により
所定温度に冷却される。このような一連の処理が終了し
た後、第３処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニ
ット（ＥＸＴ）を介してカセットステーション１０に戻
され、いずれかのウエハカセットＣＲに収容される。Thereafter, the wafer W is transferred to the developing unit (DE).
V), where the exposure pattern is developed. After the development processing, the wafer W is transferred to any one of the hot plate units (HP) and subjected to post-baking processing, and then cooled to a predetermined temperature by the cooling unit (COL). After such a series of processing is completed, and returned to the cassette station 10 through the third processing unit group G 3 of the extension unit (EXT), is inserted into one of the wafer cassettes CR.
【００４６】次に、本実施の形態に係るレジスト塗布現
像処理システムにおける気流形成機構について図４ない
し図６を参照して説明する。図４は本実施形態に係るレ
ジスト塗布現像処理システム１の正面側の気流状態を説
明するための図であり、図５は本実施形態に係るレジス
ト塗布現像処理システム１の背面側の気流状態を説明す
るための図であり、図６は処理ステーション１１内にお
ける回転系処理ユニットおよび熱系処理ユニットの気流
状態を説明するための図である。Next, an airflow forming mechanism in the resist coating and developing system according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a diagram for explaining an airflow state on the front side of the resist coating and developing system 1 according to the present embodiment. FIG. 5 is a diagram showing an airflow state on the back side of the resist coating and developing system 1 according to the present embodiment. FIG. 6 is a diagram for explaining an airflow state of the rotary processing unit and the thermal processing unit in the processing station 11.
【００４７】図４、図５に示すように、気流形成機構
は、レジスト塗布現像処理システム１の上部に設けられ
た空気供給機構６０と、システム１の底部に設けられた
排気機構８０とを備えている。As shown in FIGS. 4 and 5, the airflow forming mechanism includes an air supply mechanism 60 provided at the top of the resist coating and developing system 1 and an exhaust mechanism 80 provided at the bottom of the system 1. ing.
【００４８】空気供給機構６０は、図示しない供給源か
ら清浄な空気をシステム１に導くダクト６１を有してお
り、ダクト６１からカセットステーション１０へは供給
配管６２、空気供給室６８およびフィルター７１を介し
て、処理ステーション１１へは供給配管６３ａ，６３
ｂ、空気供給室６９ａ，６９ｂおよびフィルター７２
ａ，７２ｂを介して、インターフェイス部１２へは供給
配管６４、空気供給室７０およびフィルター７３を介し
て、それぞれ清浄な空気がダウンフロー状態で導かれる
ようになっている。供給配管６２，６３ａ，６３ｂ，６
４には、それぞれ、導入する空気の流量を調節するため
のダンパー６５，６６ａ，６６ｂ，６７が設けられてい
る。The air supply mechanism 60 has a duct 61 for guiding clean air from a supply source (not shown) to the system 1. A supply pipe 62, an air supply chamber 68 and a filter 71 are provided from the duct 61 to the cassette station 10. Supply pipes 63a, 63
b, air supply chambers 69a, 69b and filter 72
Through the supply pipe 64, the air supply chamber 70, and the filter 73, clean air is guided in a downflow state to the interface unit 12 via the ports a and 72 b. Supply piping 62, 63a, 63b, 6
4 are provided with dampers 65, 66a, 66b, 67 for adjusting the flow rate of the introduced air, respectively.
【００４９】処理ステーション１１において、ダクト６
１からの清浄空気は、スピナ型ユニットを積層してなる
処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２へは供給配管６３ａ、空気供
給室６９ａおよびフィルター７２ａを介して供給され、
搬送路２２ａおよびオーブン型の処理ユニットを積層し
てなる処理ユニット群Ｇ３，Ｇ４へはダクト６１からの
清浄空気は、供給配管６３ｂ、空気供給室６９ｂおよび
フィルター７２ｂを介して供給される。また、処理ユニ
ット群Ｇ１，Ｇ２の下段のレジスト塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）の上部にはフィルター７４が設けられてお
り、その上の現像処理ユニット（ＤＥＶ）からのダウン
フローがこのフィルター７４を通ってレジスト塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）に供給される。At the processing station 11, the duct 6
The clean air from 1 is supplied to the processing unit groups G 1 and G 2 formed by stacking spinner-type units via the supply pipe 63a, the air supply chamber 69a, and the filter 72a,
The clean air from the duct 61 is supplied to the processing unit groups G 3 and G 4 formed by stacking the transport path 22a and the oven-type processing units via the supply pipe 63b, the air supply chamber 69b, and the filter 72b. Further, a filter 74 is provided above the resist coating processing unit (COT) at the lower stage of the processing unit groups G 1 and G 2 , and a down flow from the developing processing unit (DEV) above the filter 74 causes this filter 74 to flow. Then, it is supplied to a resist coating unit (COT).
【００５０】排気機構８０は、カセットステーション１
０の底部に設けられた排気ユニット８１と、インターフ
ェイス部１２の底部に設けられた排気ユニット８２と、
処理ステーション１１の搬送路２２ａの底部に設けられ
た排気ユニット８３とを備えている。排気ユニット８１
は排気ファン８４とその上に設けられたスリットダンパ
ー８５とを有しており、排気ユニット８２は排気ファン
８６とその上に設けられたスリットダンパー８７とを有
しており、排気ユニット８３は排気ファン８８とスリッ
トダンパー８９とを有している。なお、このような全体
的な排気機構とは別に、各処理ユニットには図示しない
ユニット排気機構が設けられている。また、排気機構８
０から排気された空気は、レジスト塗布現像処理システ
ム１が配置されているクリーンルームの床に設けられた
排気口からクリーンルーム外に排出される。The exhaust mechanism 80 is connected to the cassette station 1
0, an exhaust unit 81 provided at the bottom of the interface unit 12, an exhaust unit 82 provided at the bottom of the interface unit 12,
An exhaust unit 83 is provided at the bottom of the transfer path 22a of the processing station 11. Exhaust unit 81
Has an exhaust fan 84 and a slit damper 85 provided thereon, the exhaust unit 82 has an exhaust fan 86 and a slit damper 87 provided thereon, and the exhaust unit 83 has an exhaust It has a fan 88 and a slit damper 89. In addition, apart from such an overall exhaust mechanism, each processing unit is provided with a unit exhaust mechanism (not shown). Also, the exhaust mechanism 8
The air exhausted from 0 is exhausted out of the clean room from an exhaust port provided on the floor of the clean room where the resist coating and developing system 1 is disposed.
【００５１】また、処理ステーション１１の側壁には、
カセットステーション１０に連通した第１の通風開口５
６と、インターフェイス部１２に連通した第２の通風開
口５７とが設けられている。また、露光装置５０には、
ウエハＷを受け渡しするための開口部５８が設けられて
いる。Further, on the side wall of the processing station 11,
First ventilation opening 5 communicating with cassette station 10
6 and a second ventilation opening 57 communicating with the interface section 12. Further, the exposure apparatus 50 includes:
An opening 58 for delivering the wafer W is provided.
【００５２】さらに、レジスト塗布現像処理システム１
は、カセットステーション１０内の圧力と、処理ステー
ション１１内の圧力と、インターフェイス部１２内の圧
力とをそれぞれ個別的に制御するためのコントローラ９
０を有している。このコントローラ９０には、カセット
ステーション１０に設けられた圧力センサー９１、処理
ステーション１１に設けられた圧力センサー９２，９
３、インターフェイス部１２に設けられた圧力センサー
９４、および露光装置５０内に設けられた圧力センサー
９５が接続されており、コントローラ９０は、これら圧
力センサー９１〜９５の検出値に基づいて、カセットス
テーション１０内、処理ステーション１１内、およびイ
ンターフェイス部１２内の圧力を個別的に制御する。Further, a resist coating and developing processing system 1
Is a controller 9 for individually controlling the pressure in the cassette station 10, the pressure in the processing station 11, and the pressure in the interface unit 12, respectively.
It has 0. The controller 90 includes a pressure sensor 91 provided in the cassette station 10 and pressure sensors 92, 9 provided in the processing station 11.
3. A pressure sensor 94 provided in the interface unit 12 and a pressure sensor 95 provided in the exposure apparatus 50 are connected. The controller 90 controls the cassette station based on the detection values of these pressure sensors 91 to 95. 10, the processing station 11, and the pressure in the interface unit 12 are individually controlled.
【００５３】カセットステーション１０内の圧力は、圧
力センサー９１の値に基づいて、ダンパー６５の開度を
制御して空気供給量を調節するか、またはスリットダン
パー８５の開度もしくはファン８４の回転数を制御して
排気量を調節することにより制御される。処理ステーシ
ョン１１内の圧力は圧力センサー９２，９３の値に基づ
いて、ダンパー６６ａ，６６ｂの開度を制御して空気供
給量を調節するか、またはスリットダンパー８９の開度
もしくはファン８８の回転数を制御して排気量を調節す
ることにより制御される。具体的には、処理ステーショ
ン１１では、処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２と、搬送路２２
ａおよび処理ユニット群Ｇ３，Ｇ４とは上述したように
別個に空気が供給されるようになっており、レジスト塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）に設けられた圧力センサー９
２の検出値と、搬送路２２ａに設けられた圧力センサー
９３の検出値に基づいて、処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２の
圧力と、搬送路２２ａおよび処理ユニット群Ｇ３，Ｇ４
の圧力とがコントローラ９０によって別個に制御され
る。なお、上記圧力制御は、ダンパーの開度、スリット
ダンパーの開度、ファンの回転数のうち２つ以上を制御
して行ってもよい。The pressure in the cassette station 10 is controlled by controlling the opening of the damper 65 based on the value of the pressure sensor 91 to adjust the air supply amount, or by controlling the opening of the slit damper 85 or the rotation speed of the fan 84. Is controlled by adjusting the displacement. The pressure in the processing station 11 is controlled by controlling the opening of the dampers 66a and 66b based on the values of the pressure sensors 92 and 93 to adjust the air supply amount, or by controlling the opening of the slit damper 89 or the rotation speed of the fan 88. Is controlled by adjusting the displacement. Specifically, in the processing station 11, the processing unit groups G 1 and G 2 and the transport path 22
a and the processing unit groups G 3 and G 4 are supplied with air separately as described above, and the pressure sensor 9 provided in the resist coating processing unit (COT)
2 and the pressures of the processing unit groups G 1 and G 2 , the transport path 22 a and the processing unit groups G 3 and G 4 based on the detection value of the pressure sensor 93 provided in the transport path 22 a.
Are separately controlled by the controller 90. The pressure control may be performed by controlling two or more of the opening degree of the damper, the opening degree of the slit damper, and the rotation speed of the fan.
【００５４】以上のように構成された気流形成機構にお
いては、空気供給機構６０の図示しない供給源からダク
ト６１を介して、上述したようにして、カセットステー
ション１０、処理ステーション１１、およびインターフ
ェイス部１２に清浄な空気を供給するとともに、排気機
構８０により排気することにより、これらの中に上方か
ら下方へ向かう清浄空気のダウンフローを形成する。In the air flow forming mechanism configured as described above, the cassette station 10, the processing station 11, and the interface section 12 are supplied from the supply source (not shown) of the air supply mechanism 60 via the duct 61 as described above. By supplying clean air to the air and exhausting the air by the exhaust mechanism 80, a downflow of the clean air from above to below is formed in these.
【００５５】この場合に、コントローラ９０により、圧
力センサー９１〜９４の値に基づいて、空気供給機構６
０のダンパー６５〜６７の開度、排気機構８０のスリッ
トダンパー８５，８７，８９の開度、排気ファン８４，
８６，８８の回転数を制御して、処理ステーション１１
内の圧力がカセットステーション１０およびインターフ
ェイス部１２内の圧力よりも所定の範囲で高くなるよう
に制御し、処理ステーション１１から第１の通風開口５
６を介してカセットステーション１０への空気の流れ、
および、処理ステーション１１から第２の通風開口５７
を介してインターフェイス部１２への空気の流れを形成
する。これによりカセットステーション１０およびイン
ターフェイス部１２から処理ステーション１１への空気
の侵入を防止することができ、不純物や雰囲気変動を嫌
うレジスト塗布・現像処理を行う処理ステーション１１
へのパーティクルやアルカリ成分等の不純物の侵入およ
び処理ステーション１１の雰囲気変動を確実に防止する
ことができ、高精度のパターンを得ることができる。ま
た、フィルター７１〜７３が設けられているため、レジ
スト塗布現像処理システム１内への不純物の侵入をさら
に確実に防止することができる。In this case, the controller 90 controls the air supply mechanism 6 based on the values of the pressure sensors 91 to 94.
0, the opening degree of the dampers 65 to 67, the opening degree of the slit dampers 85, 87, 89 of the exhaust mechanism 80, the exhaust fan 84,
86, 88 by controlling the rotation speed of the processing station 11.
The pressure inside the cassette station 10 and the interface unit 12 is controlled to be higher than the pressure inside the cassette unit 10 within a predetermined range.
6, the flow of air to the cassette station 10 via
And a second ventilation opening 57 from the processing station 11.
To form an air flow to the interface section 12 through the interface. Thereby, air can be prevented from entering the processing station 11 from the cassette station 10 and the interface section 12 and the processing station 11 performing the resist coating and developing processing which is unaffected by impurities and changes in atmosphere.
Infiltration of impurities such as particles and alkali components into the atmosphere and fluctuation in the atmosphere of the processing station 11 can be reliably prevented, and a highly accurate pattern can be obtained. In addition, since the filters 71 to 73 are provided, intrusion of impurities into the resist coating and developing processing system 1 can be more reliably prevented.
【００５６】また、露光装置５０に設置した圧力センサ
ー９５の値も加味して、コントローラ９０によりインタ
ーフェイス部１２内の圧力が露光装置５０内の圧力より
も低くなるように制御して、露光装置５０から開口部５
８を介してインターフェイス部１２への空気の流れを形
成することにより、高精度のパターンを得るために温度
の影響を排除する必要がある露光装置５０への空気の侵
入を防止することができ、高精度のパターンを得ること
ができる。そして、コントローラ９０により、処理ステ
ーション１１内の圧力が露光装置５０内の圧力よりも低
くなるように圧力を制御することにより、より外部雰囲
気の侵入を嫌う露光装置５０へ処理ステーション１１か
らの空気が侵入することを確実に防止することができ
る。そして、気流制御をより行いやすくする観点から、
図４，５に示すように、処理ステーション１１からイン
ターフェイス部１２への第２の通風開口５７を露光装置
５０の開口部５８よりも高い位置に設けることが有利で
ある。The controller 90 controls the pressure in the interface section 12 to be lower than the pressure in the exposure apparatus 50 by taking into account the value of the pressure sensor 95 installed in the exposure apparatus 50. Opening 5 from
By forming a flow of air to the interface section 12 through 8, it is possible to prevent air from entering the exposure apparatus 50 which needs to eliminate the influence of temperature in order to obtain a highly accurate pattern. A highly accurate pattern can be obtained. Then, by controlling the pressure by the controller 90 so that the pressure in the processing station 11 is lower than the pressure in the exposure apparatus 50, the air from the processing station 11 flows into the exposure apparatus 50 that is more reluctant to invade the outside atmosphere. Intrusion can be reliably prevented. And from the viewpoint of easier airflow control,
As shown in FIGS. 4 and 5, it is advantageous to provide the second ventilation opening 57 from the processing station 11 to the interface unit 12 at a position higher than the opening 58 of the exposure apparatus 50.
【００５７】なお、インターフェイス部１２において
は、処理ステーション１１から第２の通風開口５７を介
して空気が斜流として流出し、露光装置５０からも開口
部５８を介して空気が斜流として流出しているが、ウエ
ハＷを収納したバッファカセットＢＲは、これら斜流を
避けて配置されている。In the interface section 12, air flows out of the processing station 11 through the second ventilation opening 57 as a diagonal flow, and air also flows out of the exposure device 50 through the opening 58 as a diagonal flow. However, the buffer cassette BR containing the wafers W is arranged to avoid these diagonal flows.
【００５８】さらに、処理ステーション１１内において
は、図６に示すように、コントローラ９０（図５）によ
り、第１および第２の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２（スピ
ナ型の処理ユニット群）内の圧力が、第３および第４の
処理ユニット群Ｇ３，Ｇ４（オーブン型の処理ユニット
群）内および搬送路２２ａ内の圧力よりも高くなるよう
に制御されている。そして、スピナ型の処理ユニット群
Ｇ１，Ｇ２からの気流およびオーブン型の処理ユニット
群Ｇ３，Ｇ４からの気流は、搬送路２２ａの底部の排気
ユニット８３により排気される。これにより、搬送路２
２ａおよびオーブン型の処理ユニット群Ｇ３，Ｇ４から
処理ステーション１１の中で最も厳密に管理が必要なレ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニ
ット（ＤＥＶ）内へ、空気が侵入することを防止するこ
とができ、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および
現像処理ユニット（ＤＥＶ）への不純物の侵入および雰
囲気変動を一層確実に防止することができる。In the processing station 11, as shown in FIG. 6, the controller 90 (FIG. 5) controls the first and second processing unit groups G 1 and G 2 (spinner type processing unit group). Is controlled to be higher than the pressures in the third and fourth processing unit groups G 3 and G 4 (oven-type processing unit groups) and in the transfer path 22a. The air currents from the spinner-type processing unit groups G 1 and G 2 and the air currents from the oven-type processing unit groups G 3 and G 4 are exhausted by the exhaust unit 83 at the bottom of the transport path 22a. Thereby, the conveyance path 2
2a and the oven-type processing unit groups G 3 , G 4 prevent air from entering the resist coating processing unit (COT) and the developing processing unit (DEV) in the processing station 11 which require the most strict management. Thus, the intrusion of impurities into the resist coating unit (COT) and the developing unit (DEV) and the change in atmosphere can be more reliably prevented.
【００５９】以上のようにして圧力を制御することによ
り、不純物および雰囲気変動を嫌うレジスト塗布処理ユ
ニット（ＣＯＴ）、現像処理ユニット（ＤＥＶ）、露光
装置５０への不純物の侵入およびこれらの中の雰囲気変
動をある程度防止することができるが、これらを一層確
実に防止する観点からは、各ステーション内の温度、湿
度、コンタミネーション濃度、およびアルカリ成分の濃
度のうち少なくとも１種を管理して、これらが所定値を
超えた場合にアラームを出す等の対策を講じることが好
ましい。By controlling the pressure as described above, the intrusion of impurities into the resist coating unit (COT), the development unit (DEV), and the exposure apparatus 50, which is unfavorable to impurities and changes in atmosphere, and the atmosphere in these units. Fluctuations can be prevented to some extent, but from the standpoint of more reliably preventing them, at least one of the temperature, humidity, contamination concentration, and alkali component concentration in each station is managed and these are controlled. It is preferable to take measures such as issuing an alarm when a predetermined value is exceeded.
【００６０】ただし、システム内には、上述の項目を厳
密に管理する必要がある部分と、さほど管理が必要がな
い部分とがあり、このことを考慮して必要な部分のみを
管理することが効率的である。例えば、以下の表１に示
すように管理する。However, there are parts in the system where the above items need to be strictly managed, and parts which do not need to be managed so much. In consideration of this, it is necessary to manage only the necessary parts. It is efficient. For example, management is performed as shown in Table 1 below.
【００６１】[0061]
【表１】 [Table 1]
【００６２】すなわち、この表１に示すように、不純物
および雰囲気変動を嫌う処理ステーション１２内のレジ
スト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）からなるスピナ型の処理ユニット群Ｇ１，
Ｇ２内の温度および湿度を適宜の制御手段により所定値
に制御する。また、露光装置５０も雰囲気変動の影響が
大きいので、その中の温度および湿度も適宜の制御手段
によりも所定値に制御する。処理ステーション１１の処
理ユニット群Ｇ１，Ｇ２以外の部分、すなわち背面側の
搬送路２２ａおよびオーブン型の処理ユニット群Ｇ３，
Ｇ４は、温度および湿度の影響が少ないため、温度およ
び湿度の管理を行っておらず、クリーンルーム内の温度
・湿度となっているが、必要に応じて管理するようにし
てもよい。カセットステーション１０およびインターフ
ェイス部１２も温度および湿度の影響が小さいため、ク
リーンルーム内の温度・湿度となっているが必要に応じ
て管理するようにしてもよい。That is, as shown in Table 1, a spinner-type processing unit group G 1 , comprising a resist coating processing unit (COT) and a developing processing unit (DEV) in the processing station 12 which does not like impurities and changes in atmosphere.
Controlled to a predetermined value by a suitable control means the temperature and humidity in G 2. Also, since the exposure apparatus 50 is greatly affected by the change in atmosphere, the temperature and humidity therein are also controlled to predetermined values by appropriate control means. Parts other than the processing unit groups G 1 and G 2 of the processing station 11, that is, the back side transport path 22 a and the oven-type processing unit group G 3 ,
G 4 are for a small influence of temperature and humidity, not performing the temperature and humidity management, although a temperature and humidity in the clean room, may be managed as needed. The cassette station 10 and the interface unit 12 also have a small temperature and humidity influence on the temperature and humidity in the clean room, but may be managed as needed.
【００６３】また、コンタミネーションはレジスト塗布
現像処理システム１および露光装置５０のあらゆる部分
で少なくする必要があり、全ての部分で所定値以下にな
るように管理する。具体的にはパーティクルカウンター
等により所定のタイミングでコンタミネーションの値を
測定し、その値が所定値を超えた場合に個別的に対処す
るようにする。It is necessary to reduce the contamination in all parts of the resist coating and developing system 1 and the exposure apparatus 50, and the contamination is managed so as to be equal to or less than a predetermined value in all parts. Specifically, the value of the contamination is measured at a predetermined timing by a particle counter or the like, and when the value exceeds the predetermined value, it is individually dealt with.
【００６４】さらに、代表的なアルカリ成分であるアン
モニアは処理に悪影響を与えるため、処理ステーション
１１内、インターフェイス部１２内、露光装置５０内に
おいてその濃度が例えば１ｐｐｂ以下になるように管理
する。具体的には、所定のタイミングで分析装置により
アンモニア濃度を分析し、１ｐｐｂを超えた場合にフィ
ルターを交換する等の対策を講じる。カセットステーシ
ョン１０はアンモニアの悪影響が小さいため管理してい
ない。Further, ammonia, which is a typical alkali component, adversely affects the processing. Therefore, the concentration is controlled to be, for example, 1 ppb or less in the processing station 11, the interface unit 12, and the exposure apparatus 50. Specifically, the analyzer analyzes the ammonia concentration at a predetermined timing, and takes measures such as replacing the filter when the ammonia concentration exceeds 1 ppb. The cassette station 10 is not managed because the adverse effect of ammonia is small.
【００６５】次に、本発明の気流形成機構の他の例につ
いて図７を参照して説明する。図７に示すように、本実
施形態においては、上記の実施形態と同様の構成に加え
て、さらに、インターフェイス部１０と処理ステーショ
ン１１とを連通する第２の通風開口５７を開閉可能なシ
ャッター機構１０１を有している。このシャッター機構
１０１による第２の通風開口５７の開閉は、コントロー
ラ９０によって制御されるようになっている。Next, another example of the airflow forming mechanism of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 7, in the present embodiment, in addition to the same configuration as the above-described embodiment, a shutter mechanism that can open and close a second ventilation opening 57 that connects the interface unit 10 and the processing station 11 is further provided. 101. The opening and closing of the second ventilation opening 57 by the shutter mechanism 101 is controlled by the controller 90.
【００６６】本実施形態においては、カセットステーシ
ョン１０のメンテナンスを行う場合に、カセットステー
ション１０および処理ステーション１１内に、ウエハＷ
を処理する際に形成する空気の流れよりも強い空気の流
れを形成するように、気流形成機構を動作させる。以
下、本実施形態における気流形成機構の動作を、図８を
参照して説明する。In this embodiment, when the maintenance of the cassette station 10 is performed, the wafer W is stored in the cassette station 10 and the processing station 11.
The airflow formation mechanism is operated so as to form a flow of air that is stronger than the flow of air that is formed when processing is performed. Hereinafter, the operation of the airflow forming mechanism in the present embodiment will be described with reference to FIG.
【００６７】まず、コントローラ９０が、レジスト塗布
現像処理システムがメンテナンスを行う状態に設定され
ているかどうかを判断する（ＳＴ８０１）。メンテナン
スを行う状態に設定されていないと判断された場合に
は、シャッター機構１０１が第２の通風開口５７を開い
た状態にされ（ＳＴ８０２）、前述した実施形態と同様
に、空気供給機構６０および排気機構８０が制御され、
カセットステーション１０、処理ステーション１１およ
びインターフェイス部１２内の圧力がそれぞれ制御さ
れ、レジスト塗布現像処理システム内に所定の空気の流
れが形成される（ＳＴ８０３）。First, controller 90 determines whether or not the resist coating / developing processing system is set for maintenance (ST801). If it is determined that the state is not set to perform maintenance, the shutter mechanism 101 opens the second ventilation opening 57 (ST802), and the air supply mechanism 60 and the air supply mechanism 60 as in the above-described embodiment. The exhaust mechanism 80 is controlled,
The pressures in the cassette station 10, the processing station 11, and the interface unit 12 are controlled, and a predetermined air flow is formed in the resist coating and developing system (ST803).
【００６８】一方、上記ＳＴ８０１において、メンテナ
ンスを行う状態に設定されていると判断された場合に
は、カセットステーション１０および処理ステーション
１１に、上記ＳＴ８０３において形成される気流よりも
強い流れの気流が形成されるように（図８にはこのこと
を強制送風と示す）、空気供給機構６０および排気機構
８０が制御される（ＳＴ８０４）。それとともに、シャ
ッター機構１０１が第２の通風開口５７を閉じた状態と
される（ＳＴ８０５）On the other hand, if it is determined in step ST801 that maintenance has been set, an airflow stronger than the airflow formed in step ST803 is formed in the cassette station 10 and the processing station 11. As shown in FIG. 8, this is referred to as forced air blowing, the air supply mechanism 60 and the exhaust mechanism 80 are controlled (ST804). At the same time, the shutter mechanism 101 closes the second ventilation opening 57 (ST805).
【００６９】このように、この実施形態では、メンテナ
ンスを行う時にカセットステーション１０および処理ス
テーション１１に、ウエハＷを処理している通常の状態
で形成される気流よりも強い流れの気流を形成すること
により、例えばカセットステーション１０のメンテナン
ス時にカセットステーション１０内で発生したパーティ
クル等はそのほとんどが塗布現像処理システム外に強制
的に排出されるので、前記パーティクル等が処理ステー
ション１１側に、さらにインターフェイス部１２を介し
て露光装置５０側に回り込むことを防止することができ
る。さらに、本実施形態においては、メンテナンス時に
はシャッター機構１０１により通風開口５７を閉じた状
態としているので、インターフェイス部１２まで回り込
んだパーティクル等があったとしても、それが露光装置
５０にまで侵入することはない。As described above, in this embodiment, when maintenance is performed, the cassette station 10 and the processing station 11 form an airflow that is stronger than the airflow that is formed in a normal state in which the wafer W is being processed. Thus, for example, most of the particles and the like generated in the cassette station 10 during maintenance of the cassette station 10 are forcibly discharged to the outside of the coating and developing processing system. Through the exposure apparatus 50 can be prevented. Furthermore, in this embodiment, the ventilation mechanism 57 is closed by the shutter mechanism 101 at the time of maintenance. Therefore, even if there is a particle or the like that has reached the interface unit 12, it may enter the exposure apparatus 50. There is no.
【００７０】なお、レジスト塗布現像処理システムがメ
ンテナンスを行う状態に設定されているかどうかの判断
は、例えばコントローラー９０側に作業者からそのこと
が入力された場合に、メンテナンスを行う状態に設定さ
れているものと判断させることができるが、例えば、カ
セットステーション１０に設けられたメンテナンス用の
ドアー（図示略）の開閉状態に基づいて判断させるよう
にしてもよい。Whether the resist coating / developing processing system is set to perform maintenance is determined, for example, when the operator inputs the information to the controller 90 side. However, for example, the determination may be made based on the open / closed state of a maintenance door (not shown) provided in the cassette station 10.
【００７１】また、ここではメンテナンス時に通常より
も強い流れの気流が形成されるようにしたが、メンテナ
ンス時だけでなく、例えば、単にレジスト塗布現像処理
システムが停止したような場合等にも同様に強い流れの
気流が形成されるように制御を行うようにしてもよい。In this case, an airflow having a stronger flow than usual is formed at the time of maintenance. However, not only at the time of maintenance but also, for example, when the resist coating / developing processing system is stopped. The control may be performed such that a strong airflow is formed.
【００７２】さらに、シャッター機構１０１に代えて、
図７に点線で示すように、インターフェイス部１０と露
光装置５０とを連通する開口部５８を開閉可能なシャッ
ター機構１０２を設け、メンテナンスを行う時にはこの
シャッター機構１０２を閉じるように制御してもよい。
また、シャッター機構１０１およびシャッター機構１０
２の両方を設けてもよい。Further, instead of the shutter mechanism 101,
As shown by a dotted line in FIG. 7, a shutter mechanism 102 capable of opening and closing an opening 58 communicating the interface section 10 and the exposure apparatus 50 may be provided, and the shutter mechanism 102 may be controlled to be closed when maintenance is performed. .
Further, the shutter mechanism 101 and the shutter mechanism 10
2 may be provided.
【００７３】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システムに
ついて説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基
板、例えばＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理システム
にも本発明を適用することができる。Note that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, in the above embodiment, a resist coating and developing system for a semiconductor wafer has been described. However, the present invention can be applied to a resist coating and developing system for a substrate other than the semiconductor wafer, for example, an LCD substrate. .
【００７４】[0074]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
気流形成手段により、搬入出部、処理部、およびインタ
ーフェイス部の上方から下方に向けて気流を形成すると
ともに、制御手段により、処理部内の圧力が前記搬入出
部内およびインターフェイス部内の圧力よりも高くなる
ように前記気流形成手段を制御し、処理部から搬入出部
およびインターフェイス部への空気の流れを形成するの
で、搬入出部およびインターフェイス部から処理部への
空気の侵入を防止することができ、不純物や雰囲気変動
を嫌うレジスト塗布・現像処理を行う処理部への不純物
の侵入および処理部の雰囲気変動を確実に防止すること
ができる。As described above, according to the present invention,
The airflow forming means forms an airflow downward from above the loading / unloading section, the processing section, and the interface section, and the control section makes the pressure in the processing section higher than the pressure in the loading / unloading section and the interface section. As described above, the airflow forming means is controlled to form a flow of air from the processing section to the loading / unloading section and the interface section, so that air can be prevented from entering the processing section from the loading / unloading section and the interface section, It is possible to reliably prevent the intrusion of impurities into the processing section for performing resist coating / developing processing and the fluctuation of the atmosphere of the processing section, which are unfavorable to impurities and changes in atmosphere.
【００７５】また、インターフェイス部は、露光装置に
連通した通風開口を有し、前記制御手段は、前記インタ
ーフェイス部内の圧力が前記露光装置内の圧力よりも低
くなるように前記気流形成手段を制御し、前記露光装置
から前記インターフェイス部への空気の流れを形成する
ようにすることにより、高精度のパターンを得るために
温度の影響を排除する必要がある露光装置への空気の侵
入を防止することができる。Further, the interface section has a ventilation opening communicating with the exposure apparatus, and the control section controls the airflow forming section so that the pressure in the interface section becomes lower than the pressure in the exposure apparatus. By forming a flow of air from the exposure apparatus to the interface section, it is possible to prevent air from entering the exposure apparatus which needs to eliminate the influence of temperature in order to obtain a highly accurate pattern. Can be.
【００７６】処理部が、基板に対して熱的な処理を施す
複数の熱系処理ユニットを積層してなる熱系処理ユニッ
ト群と、基板を回転しながら処理を施す塗布処理ユニッ
トおよび／または現像処理ユニットを積層してなる回転
系処理ユニット群とを有する構成とした場合に、空気供
給機構が、回転系処理ユニット群と、熱系処理ユニット
群および前記搬送路とで、別個に空気を供給し、前記制
御手段は、前記回転系処理ユニット群内の圧力が、搬送
路内および熱系処理ユニット群内の圧力よりも高くなる
ように空気供給機構を制御することにより、搬送路およ
び熱系処理ユニット群から処理部の中で最も厳密に管理
が必要な回転系処理ユニット群内へ空気が侵入すること
を防止することができ、レジスト塗布・現像処理を行う
回転系処理ユニットへの不純物の侵入およびその雰囲気
変動を一層確実に防止することができる。A thermal processing unit group in which a plurality of thermal processing units for performing thermal processing on a substrate are stacked in a processing unit; a coating processing unit for performing processing while rotating the substrate; In the case where the air supply mechanism is configured to include a rotation processing unit group formed by stacking processing units, the air supply mechanism supplies air separately to the rotation processing unit group, the heat processing unit group, and the transport path. The control means controls the air supply mechanism so that the pressure in the rotary processing unit group is higher than the pressure in the transfer path and the pressure in the heat processing unit group, thereby controlling the transfer path and the heat system. It is possible to prevent air from entering from the processing unit group into the rotation system processing unit group that requires the most strict control in the processing unit, and to perform the resist coating and development processing. Invasion and its atmosphere fluctuation of impurities to be able to more reliably prevented.
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システ
ムの全体構成を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a coating and developing system according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図。FIG. 2 is a front view of the coating and developing system shown in FIG.
【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図。FIG. 3 is a rear view of the coating and developing system shown in FIG. 1;
【図４】本実施の形態に係る塗布現像処理システムの正
面側の気流状態を説明するための図。FIG. 4 is a view for explaining an airflow state on the front side of the coating and developing system according to the embodiment.
【図５】本実施の形態に係る塗布現像処理システムの背
面側の気流状態を説明するための図。FIG. 5 is a view for explaining an airflow state on the back side of the coating and developing processing system according to the embodiment.
【図６】処理ステーション内における回転系処理ユニッ
トおよび熱系処理ユニットの気流状態を説明するための
図。FIG. 6 is a view for explaining an airflow state of a rotary processing unit and a thermal processing unit in the processing station.
【図７】他の実施の形態に係る塗布現像処理システムの
正面側の気流状態を説明するための図。FIG. 7 is a diagram illustrating an airflow state on the front side of a coating and developing system according to another embodiment.
【図８】図７に示す塗布現像処理システムにおける制御
の流れを概略的に示すフローチャート。8 is a flowchart schematically showing a control flow in the coating and developing system shown in FIG.
１０；カセットステーション（搬入出部） １１；処理ステーション（処理部） １２；インターフェイス部 ２２；ウエハ搬送機構 ２２ａ；搬送路 ４６；ウエハ搬送装置 ５０；露光装置 ５６；第１の通風開口 ５７；第２の通風開口 ５８；開口部（第３の通風開口） ６０；空気供給機構 ８０；排気機構 ９０；コントローラ ＨＰ；加熱処理ユニット（熱系処理ユニット） ＣＯＬ；冷却処理ユニット（熱系処理ユニット） ＣＯＴ；レジスト塗布処理ユニット（回転系処理ユニッ
ト） ＤＥＶ；現像処理ユニット（回転系処理ユニット） Ｗ……半導体ウエハ（基板）Reference Signs List 10; cassette station (loading / unloading section) 11; processing station (processing section) 12; interface section 22; wafer transfer mechanism 22a; transfer path 46; wafer transfer apparatus 50; exposure apparatus 56; first ventilation opening 57; Ventilation opening 58; opening (third ventilation opening) 60; air supply mechanism 80; exhaust mechanism 90; controller HP; heating processing unit (thermal processing unit) COL; cooling processing unit (thermal processing unit) COT; Resist coating processing unit (rotating processing unit) DEV; developing processing unit (rotating processing unit) W: Semiconductor wafer (substrate)
Claims (20)
めの各種処理を施す複数の処理ユニットが配置された処
理部と、 複数枚の基板を収納する基板収納容器を載置可能な載置
部を有し、基板収納容器から前記処理部へ基板を搬入す
るとともに、前記処理部から搬出した基板を基板収納容
器に収納する搬入出部と、 前記処理部から基板を受け取って露光装置に受け渡し、
露光後の基板を露光装置から受け取って前記処理部に受
け渡すためのインターフェイス部と、 前記搬入出部、処理部、およびインターフェイス部の上
方から下方に向けて空気の流れを形成する気流形成手段
と、 前記気流形成手段を制御する制御手段とを具備し、 前記処理部は、前記搬入出部に連通する第１の通風開口
と、前記インターフェイス部に連通する第２の通風開口
とを有し、 前記制御手段は、前記処理部内の圧力が前記搬入出部内
およびインターフェイス部内の圧力よりも高くなるよう
に前記気流形成手段を制御し、前記処理部から前記搬入
出部および前記インターフェイス部への空気の流れを形
成することを特徴とするレジスト塗布現像処理装置。1. A processing section in which a plurality of processing units for performing various processes for resist coating and development processing on a substrate are arranged, and a mounting section on which a substrate storage container for storing a plurality of substrates is mounted. Having, while carrying in the substrate from the substrate storage container to the processing unit, a loading and unloading unit for storing the substrate unloaded from the processing unit in the substrate storage container, receiving the substrate from the processing unit and delivering it to the exposure apparatus,
An interface unit for receiving the exposed substrate from the exposure apparatus and transferring the substrate to the processing unit; and an airflow forming unit configured to form a flow of air from above to below the loading / unloading unit, the processing unit, and the interface unit. And a control unit for controlling the airflow forming unit, wherein the processing unit has a first ventilation opening communicating with the loading / unloading unit, and a second ventilation opening communicating with the interface unit. The control unit controls the airflow forming unit so that the pressure in the processing unit is higher than the pressure in the loading / unloading unit and the interface unit, and controls the flow of air from the processing unit to the loading / unloading unit and the interface unit. A resist coating / developing apparatus for forming a flow.
連通する第３の通風開口を有し、前記制御手段は、前記
インターフェイス部内の圧力が前記露光装置内の圧力よ
りも低くなるように前記気流形成手段を制御し、前記露
光装置から前記インターフェイス部への空気の流れを形
成することを特徴とする請求項１に記載のレジスト塗布
現像処理装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the interface has a third ventilation opening communicating with the exposure apparatus, and the control means controls the air flow forming so that a pressure in the interface is lower than a pressure in the exposure apparatus. 2. A resist coating and developing apparatus according to claim 1, wherein said means controls the means to form a flow of air from said exposure apparatus to said interface section.
前記露光装置内の圧力よりも低くなるように前記気流形
成手段を制御することを特徴とする請求項２に記載のレ
ジスト塗布現像処理装置。3. The resist coating and developing process according to claim 2, wherein the control unit controls the airflow forming unit so that a pressure in the processing unit is lower than a pressure in the exposure apparatus. apparatus.
開口よりも高い位置に設けられていることを特徴とする
請求項２または請求項３に記載のレジスト塗布現像処理
装置。4. The resist coating and developing apparatus according to claim 2, wherein the second ventilation opening is provided at a position higher than the third ventilation opening.
理部、およびインターフェイス部のそれぞれの上方から
空気を供給する空気供給機構と、これらそれぞれの底部
から排気する排気機構とを有し、前記制御手段は、空気
供給機構および／または排気機構を制御して前記搬入出
部内、処理部内、およびインターフェイス部内の圧力を
制御することを特徴とする請求項１から請求項４のいず
れか１項に記載のレジスト塗布現像処理装置。5. The air flow forming means has an air supply mechanism for supplying air from above each of the loading / unloading section, the processing section, and the interface section, and an exhaust mechanism for exhausting air from the bottom of each of them. 5. The control device according to claim 1, wherein the control unit controls an air supply mechanism and / or an exhaust mechanism to control pressures in the loading / unloading unit, the processing unit, and the interface unit. 6. 3. The resist coating and developing apparatus according to 1.
理部、およびインターフェイス部のそれぞれの上部の空
気導入口に設けられたダンパーを有し、前記制御手段は
このダンパーの開度を制御して前記搬入出部内、処理部
内、およびインターフェイス部内の圧力を制御すること
を特徴とする請求項５に記載のレジスト塗布現像処理装
置。6. The air supply mechanism has a damper provided at an upper air inlet of each of the carry-in / out unit, the processing unit, and the interface unit, and the control unit controls an opening degree of the damper. 6. The resist coating and developing apparatus according to claim 5, wherein the pressure in the loading / unloading section, the processing section, and the interface section is controlled.
部、およびインターフェイス部のそれぞれの底部に設け
られたスリットダンパーと、スリットダンパーの下方に
設けられた排気ファンとを有し、前記制御手段はスリッ
トダンパーの開度および／または排気ファンの回転数を
制御して前記搬入出部内、処理部内、およびインターフ
ェイス部内の圧力を制御することを特徴とする請求項５
または請求項６に記載のレジスト塗布現像処理装置。7. The exhaust mechanism includes a slit damper provided at a bottom of each of the loading / unloading section, the processing section, and the interface section, and an exhaust fan provided below the slit damper. The means controls the pressure in the loading / unloading section, the processing section, and the interface section by controlling the opening degree of the slit damper and / or the number of revolutions of the exhaust fan.
Or a resist coating and developing apparatus according to claim 6.
を走行し、前記複数の処理ユニットに基板を搬送するた
めの搬送装置とをさらに有し、前記排気機構は、搬送路
の底部から下方へ排気することを特徴とする請求項５か
ら請求項７のいずれか１項に記載のレジスト塗布現像処
理装置。8. The processing unit further includes a transport path, and a transport device that travels in the transport path and transports the substrate to the plurality of processing units. The resist coating and developing apparatus according to any one of claims 5 to 7, wherein the gas is exhausted downward from the bottom.
を施す複数の熱系処理ユニットを積層してなる熱系処理
ユニット群と、基板を回転しながら処理を施す塗布処理
ユニットおよび／または現像処理ユニットを積層してな
る回転系処理ユニット群とを有し、 前記空気供給機構は、前記回転系処理ユニット群と、前
記熱系処理ユニット群および前記搬送路とで、別個に空
気を供給し、 前記制御手段は、前記回転系処理ユニット群内の圧力
が、前記搬送路および前記熱系処理ユニット群内の圧力
よりも高くなるように前記空気供給機構を制御すること
を特徴とする請求項８に記載のレジスト塗布現像処理装
置。9. A thermal processing unit group comprising a stack of a plurality of thermal processing units for performing thermal processing on a substrate; a coating processing unit for performing processing while rotating the substrate; And / or a rotation processing unit group formed by stacking development processing units. The air supply mechanism separates air from the rotation processing unit group, the thermal processing unit group, and the transport path. The control means controls the air supply mechanism so that the pressure in the rotary processing unit group is higher than the pressure in the transport path and the thermal processing unit group. The resist coating and developing apparatus according to claim 8, wherein
ンターフェイス部内のそれぞれの圧力を検出するための
圧力センサーをさらに具備し、前記制御手段は、この圧
力センサーの検出値に基づいて、前記搬入出部内、処理
部内、およびインターフェイス部内の圧力を制御するこ
とを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に
記載のレジスト塗布現像処理装置。10. A pressure sensor for detecting a pressure in each of the loading / unloading section, the processing section, and the interface section, wherein the control means controls the loading / unloading based on a detection value of the pressure sensor. The resist coating and developing apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein the pressure in the section, the processing section, and the interface section is controlled.
ーフェイス部の空気導入部にそれぞれ設けられ、空気を
清浄化するフィルターをさらに具備することを特徴とす
る請求項１から請求項１０に記載のレジスト塗布現像処
理装置。11. The apparatus according to claim 1, further comprising a filter provided in each of the carry-in / out section, the processing section, and the air introduction section of the interface section for purifying air. Resist coating and developing equipment.
度および湿度を管理することを特徴とする請求項１から
請求項１１のいずれか１項に記載のレジスト塗布現像処
理装置。12. The resist coating and developing apparatus according to claim 1, wherein the temperature of the air in the processing section or the temperature and the humidity are managed.
ンターフェイス部内の空気のコンタミネーション濃度を
管理することを特徴とする請求項１から請求項１２のい
ずれか１項に記載のレジスト塗布現像処理装置。13. The resist coating and developing apparatus according to claim 1, wherein the contamination concentration of air in the carry-in / out section, the processing section, and the interface section is managed. .
部内の空気のアンモニア濃度を管理することを特徴とす
る請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載のレジ
スト塗布現像処理装置。14. The resist coating and developing apparatus according to claim 1, wherein the ammonia concentration of the air in the processing section and the interface section is controlled.
ための各種処理を施す複数の処理ユニットが配置された
処理部と、 複数枚の基板を収納する基板収納容器を載置可能な載置
部を有し、基板収納容器から前記処理部へ基板を搬入す
るとともに、前記処理部から搬出した基板を基板収納容
器に収納する搬入出部と、 前記処理部から基板を受け取って露光装置に受け渡し、
露光後の基板を露光装置から受け取って前記処理部に受
け渡すためのインターフェイス部と、 前記搬入出部、処理部、およびインターフェイス部の上
方から下方に向けて空気の流れを形成する気流形成手段
と、 前記気流形成手段を制御する制御手段とを具備し、 前記処理部は、前記搬入出部に連通する第１の通風開口
と、前記インターフェイス部に連通する第２の通風開口
とを有し、 前記制御手段は、基板を処理している間は、前記搬入出
部、前記処理部および前記インターフェイス部の上方か
ら下方に向けて第１の強さの空気の流れを形成するよう
に前記気流形成手段を制御し、所定の場合には前記搬入
出部および前記処理部の上方から下方に向けて前記第１
の強さを超える第２の強さの空気の流れを形成するよう
に前記気流形成手段を制御することを特徴とするレジス
ト塗布現像処理装置。15. A processing section in which a plurality of processing units for performing various processes for resist coating and development processing on a substrate are arranged, and a mounting section on which a substrate storage container for storing a plurality of substrates is mounted. Having, while carrying in the substrate from the substrate storage container to the processing unit, a loading and unloading unit for storing the substrate unloaded from the processing unit in the substrate storage container, receiving the substrate from the processing unit and delivering it to the exposure apparatus,
An interface unit for receiving the exposed substrate from the exposure apparatus and transferring the substrate to the processing unit; and an airflow forming unit configured to form a flow of air from above to below the loading / unloading unit, the processing unit, and the interface unit. And a control unit for controlling the airflow forming unit, wherein the processing unit has a first ventilation opening communicating with the loading / unloading unit, and a second ventilation opening communicating with the interface unit. While processing the substrate, the control means is configured to form the airflow so as to form a flow of air having a first strength from above to below the loading / unloading section, the processing section, and the interface section. Means for controlling the first means from above to below in the loading / unloading section and the processing section in a predetermined case.
A resist coating and developing apparatus for controlling the airflow forming means so as to form a flow of air having a second strength exceeding the strength of the airflow.
器のメンテナンスを行う場合であることを特徴とする請
求項１５に記載のレジスト塗布現像処理装置。16. The resist coating and developing apparatus according to claim 15, wherein the predetermined case is a case where maintenance of the substrate storage container is performed.
開口を開閉可能な第１の開閉機構を有し、 前記制御手段は、基板を処理している間は前記第１の通
風開口が開くように前記第１の開閉機構を制御し、前記
所定の場合には前記通風開口が閉じるように前記第１の
開閉機構を制御することを特徴とする請求項１５または
請求項１６に記載のレジスト塗布現像処理装置。17. The processing unit has a first opening / closing mechanism that can open and close the first ventilation opening, and the control unit controls the first ventilation opening while processing the substrate. 17. The method according to claim 15, wherein the first opening / closing mechanism is controlled to open, and the first opening / closing mechanism is controlled so as to close the ventilation opening in the predetermined case. Resist coating and developing equipment.
前記露光装置に連通する第３の通風開口と、前記第３の
通風開口を開閉可能な第２の開閉機構を有し、 前記制御手段は、基板を処理している間は前記第３の通
風開口が開くように前記第２の開閉機構を制御し、前記
所定の場合には前記第３の通風開口が閉じるように前記
第２の開閉機構を制御することを特徴とする請求項１５
から請求項１７のいずれか１項に記載のレジスト塗布現
像処理装置。18. The device according to claim 18, wherein the interface unit comprises:
A third ventilation opening that communicates with the exposure apparatus; and a second opening / closing mechanism that can open and close the third ventilation opening. The control unit is configured to perform the third ventilation while processing the substrate. 16. The control device according to claim 15, wherein the second opening / closing mechanism is controlled so that an opening is opened, and the second opening / closing mechanism is controlled such that the third ventilation opening is closed in the predetermined case.
The resist coating and developing apparatus according to any one of claims 1 to 17.
間には、前記インターフェイス部内の圧力が前記露光装
置内の圧力よりも低くなるように前記気流形成手段を制
御することを特徴とする請求項１５から請求項１８のい
ずれか１項に記載のレジスト塗布現像処理装置。19. The apparatus according to claim 19, wherein the control unit controls the airflow forming unit such that a pressure in the interface unit is lower than a pressure in the exposure apparatus during processing of the substrate. The resist coating and developing apparatus according to claim 15.
間には、前記処理部内の圧力が前記搬入出部内および前
記インターフェイス部内の圧力よりも高くなるように前
記気流形成手段を制御することを特徴とする請求項１５
から請求項１９のいずれか１項に記載のレジスト塗布現
像処理装置。20. The apparatus according to claim 19, wherein the control unit controls the airflow forming unit such that a pressure in the processing unit is higher than a pressure in the loading / unloading unit and a pressure in the interface unit while processing the substrate. 16. The method according to claim 15, wherein
A resist coating and developing apparatus according to any one of claims 1 to 19.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000150418A JP3888836B2 (en) | 1999-05-25 | 2000-05-22 | Resist coating and developing equipment |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14466199 | 1999-05-25 | ||
| JP11-144661 | 1999-05-25 | ||
| JP2000150418A JP3888836B2 (en) | 1999-05-25 | 2000-05-22 | Resist coating and developing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001044119A true JP2001044119A (en) | 2001-02-16 |
| JP3888836B2 JP3888836B2 (en) | 2007-03-07 |
Family
ID=26476016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000150418A Expired - Fee Related JP3888836B2 (en) | 1999-05-25 | 2000-05-22 | Resist coating and developing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3888836B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009043829A (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coater and coating method |
| JP2009249053A (en) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Murata Mach Ltd | Automated warehouse |
| US8033244B2 (en) | 2007-12-18 | 2011-10-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system |
| KR20180014587A (en) * | 2016-08-01 | 2018-02-09 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus |
| CN111868883A (en) * | 2018-03-26 | 2020-10-30 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing apparatus, air conditioning method, and storage medium |
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| CN111868883A (en) * | 2018-03-26 | 2020-10-30 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing apparatus, air conditioning method, and storage medium |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3888836B2 (en) | 2007-03-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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