JPH10144763A - Processor - Google Patents

Processor

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JPH10144763A
JPH10144763A JP31265896A JP31265896A JPH10144763A JP H10144763 A JPH10144763 A JP H10144763A JP 31265896 A JP31265896 A JP 31265896A JP 31265896 A JP31265896 A JP 31265896A JP H10144763 A JPH10144763 A JP H10144763A
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JP
Japan
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processing
unit
transport
units
transfer
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JP31265896A
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Masami Akumoto
正巳 飽本
Yoichi Deguchi
洋一 出口
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To considerably improve throughput and to realize the processing of high variety, by providing plural processing sets where processing parts obtained by stacking plural processing units are disposed around transportation lines, and transporting bodies to be processed between the processing sets by means of an inter-set transportation mechanism. SOLUTION: A processing station 20 has two processing sets 20a and 20b. The processing sets 20a and 20b have the transportation lines 22a and 22b at respective center parts. Then, main wafer transportation mechanisms 21a and 21b are provided for the lines along the vertical directions. All the processing units are arranged around the wafer transportation lines 22a and 22b. The plural processing units are divided into plural processing parts, and the plural processing units are arranged in multiple stages along the vertical direction in the respective processing parts.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやLCD基板等の被処理体に対して塗布・現像のよう
な処理を施す処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for performing processing such as coating and development on a processing target such as a semiconductor wafer or an LCD substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
シリコン基板に代表される半導体ウエハに対し、処理液
例えばフォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ
技術を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト
膜を露光し、これを現像処理する一連の処理を施す工程
が存在する。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process,
A processing liquid, for example, a photoresist liquid is applied to a semiconductor wafer typified by a silicon substrate, a circuit pattern is reduced by using a photolithography technique, the photoresist film is exposed, and a series of processings for developing the same are performed. There is a step of applying.

【0003】このような塗布・現像を行う処理システム
は、被処理体としての半導体ウエハをカセットから搬出
し、カセットへ搬入するカセット・ステーションと、ウ
エハを洗浄する洗浄ユニットと、ウエハの表面を疎水化
処理するアドヒージョンユニットと、ウエハを所定温度
に冷却する冷却ユニット、ウエハの表面にレジスト液を
塗布するレジスト塗布ユニットと、レジスト液塗布の前
後でウエハを加熱するプリベークまたはポストベークを
行うベーキングユニットと、ウエハの周縁部のレジスト
を除去するための周辺露光ユニットと、隣接する露光装
置との間でウエハの受渡しを行うためのウエハ受渡し台
と、露光処理済みのウエハを現像液に晒してレジストの
感光部または非感光部を選択的に現像液に溶解せしめる
現像ユニットとを一体に集約化した構成を有しており、
これにより作業の向上を図っている。
A processing system for performing such coating / developing includes a cassette station for unloading a semiconductor wafer as an object to be processed from a cassette and loading the semiconductor wafer into the cassette, a cleaning unit for cleaning the wafer, and a process for making the surface of the wafer hydrophobic. Unit for cooling, a cooling unit for cooling the wafer to a predetermined temperature, a resist coating unit for coating the surface of the wafer with a resist solution, and baking for pre-baking or post-baking for heating the wafer before and after applying the resist solution. A unit, a peripheral exposure unit for removing the resist on the peripheral portion of the wafer, a wafer delivery table for delivering the wafer between adjacent exposure apparatuses, and exposing the exposed wafer to a developing solution. A developing unit for selectively dissolving the exposed or unexposed portions of the resist in a developing solution; Has a consolidation with the structures in the body,
This is intended to improve work.

【0004】このような処理システムとしては、従来、
システムの中央部に長手方向に沿って配設されるウエハ
搬送路が設けられ、上記複数のユニットを搬送路の両側
に各々正面を向けた状態で配設され、各ユニットにウエ
ハを搬送するためのウエハ搬送体がウエハ搬送路上を移
動するように構成されたものが一般的に用いられてい
る。したがって、水平方向に延びるウエハ搬送路に沿っ
て各種処理ユニットが配列される横長のシステム構成と
なるため、システム全体の占有スペースが大きくなり、
クリーンルームコストが高くつくという問題がある。特
に、この種の処理システムに有効な垂直層流方式によっ
てシステム全体ないし各部の清浄度を高めようとする
と、スペースが大きいため、空調器またはフィルタ等の
イニシャルコストおよびメンテナンスコストが非常に高
くつ。
[0004] As such a processing system, conventionally,
A wafer transfer path is provided in the center of the system along the longitudinal direction, and the plurality of units are disposed on both sides of the transfer path with their fronts facing each other, for transferring a wafer to each unit. Is generally used so that the wafer transfer body moves on the wafer transfer path. Therefore, since a horizontally long system configuration in which various processing units are arranged along the wafer transfer path extending in the horizontal direction, the occupied space of the entire system is increased,
There is a problem that a clean room cost is high. In particular, when the cleanliness of the entire system or each part is increased by a vertical laminar flow system effective for this type of processing system, the initial cost and maintenance cost of an air conditioner or a filter are very high because the space is large.

【0005】そこで、ウエハ搬送体を垂直方向に移動可
能で垂直軸の回りに回転可能にし、このウエハ搬送体の
周囲に各処理ユニットを多段に配置した処理システムが
提案されている(特開平4−85812号公報)。この
ような処理システムによれば、システムの占有スペース
が縮小するので、クリーンルームコストが低下するとと
もに、搬送速度およびアクセス速度を高速化することが
可能となり、スループットの向上を図ることができる。
Therefore, a processing system has been proposed in which a wafer carrier is movable in a vertical direction and rotatable around a vertical axis, and each processing unit is arranged in multiple stages around the wafer carrier (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 4 (1994) -104). -85812). According to such a processing system, the space occupied by the system is reduced, so that the clean room cost is reduced, the transport speed and the access speed can be increased, and the throughput can be improved.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな処理システムにおいては、クリーンルームの高さの
制限等から積層数にも限界があり、さらなるスループッ
ト向上が要求されている現在、この処理システムではそ
の要求を十分に満足することが困難であると考えられ
る。また、処理の多様性もより一層求められている。本
発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、極め
てスループットが高く、かつ多様性の高い処理が可能な
処理装置を提供することを目的とする。
However, in such a processing system, the number of layers is limited due to the limitation of the height of the clean room and the like, and further improvement in throughput is required at present. It is considered difficult to fully satisfy the requirements. Further, a variety of processing is also required. The present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object of the present invention to provide a processing apparatus having extremely high throughput and capable of performing highly diversified processing.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、 (1)被処理体に対して複数工程からなる処理を施す処
理装置であって、鉛直方向に沿って延在する搬送路と、
この搬送路の周囲に配置され、各々被処理体に対して所
定の処理を施す複数の処理ユニットを鉛直方向に積層し
て構成される複数の処理部と、前記搬送路を移動すると
ともに、前記複数の処理部の各処理ユニットに対して前
記被処理体を搬入出する主搬送機構と、を備えた複数の
処理セットを有し、さらに、隣接する処理セット間で被
処理体を搬送するセット間搬送機構を有することを特徴
とする処理装置を提供する。このような構成の処理装置
によれば、処理ユニットを飛躍的に多くすることができ
るので、スループットが著しく向上するとともに、処理
の多様性を高めることができる。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a processing apparatus for performing a process comprising a plurality of steps on an object to be processed, the processing apparatus extending in a vertical direction. Transport path,
A plurality of processing units arranged around the transport path and configured by vertically stacking a plurality of processing units each performing a predetermined process on an object to be processed, and moving the transport path, A main transport mechanism for loading and unloading the object to and from each processing unit of a plurality of processing units, and a set for transporting the object between adjacent processing sets. Provided is a processing apparatus having an inter-conveying mechanism. According to the processing apparatus having such a configuration, the number of processing units can be dramatically increased, so that the throughput can be significantly improved and the variety of processing can be increased.

【0008】この場合に、 前記隣接する各処理セット
は、搬送ユニットを有する処理部を少なくとも一つ有
し、これら搬送ユニットを有する処理部が隣り合うよう
に配置され、前記セット間搬送機構は、これら隣り合う
処理部の各搬送ユニットを介して基板を搬送するように
することが好ましい。これにより、各処理セット間の被
処理体の搬送が迅速になされ、スループットが一層向上
する。また、隣り合う処理部の各搬送ユニットは同じ高
さに配置されていることが好ましい。これにより、隣接
する処理セット間の被処理体の搬送が一層容易になる。
In this case, each of the adjacent processing sets has at least one processing unit having a transport unit, and the processing units having these transport units are arranged so as to be adjacent to each other. It is preferable that the substrate is transported via each transport unit of these adjacent processing units. As a result, the object to be processed is quickly transported between the processing sets, and the throughput is further improved. Further, it is preferable that the transport units of the adjacent processing units are arranged at the same height. Thus, the transfer of the object to be processed between the adjacent processing sets is further facilitated.

【0009】(2)また、本発明は、被処理体に対して
レジスト塗布・現像処理を施す処理装置であって、鉛直
方向に沿って延在する搬送路と、この搬送路の周囲に配
置され、被処理体にレジストを塗布するレジスト塗布ユ
ニットおよび/またはレジストのパターンを現像する現
像ユニットを含む処理ユニットを含む複数の処理ユニッ
トを鉛直方向に積層して構成される少なくとも一つの第
1の処理部と、被処理体を加熱する加熱ユニットと、被
処理体を冷却する冷却ユニットと、被処理体を搬送する
搬送ユニットとを含む複数の処理ユニットを鉛直方向に
積層して構成される第2の処理部と、前記搬送路を移動
するとともに、前記複数の処理部の各処理ユニットに対
して前記被処理体を搬入出する主搬送機構と、を備えた
複数の処理セットを有し、さらに、隣接する処理セット
間で被処理体を搬送するセット間搬送機構を有し、前記
隣接する各処理セットは、第2の処理部が隣り合うよう
に配置され、前記セット間搬送機構は、これら隣り合う
第2の処理部の各搬送ユニットを介して被処理体を搬送
することを特徴とする処理装置を提供する。
(2) The present invention also relates to a processing apparatus for performing resist coating and developing processing on an object to be processed, comprising a transport path extending in a vertical direction and a periphery of the transport path. At least one first unit configured by vertically stacking a plurality of processing units including a processing unit including a resist coating unit that applies a resist to a processing target and / or a developing unit that develops a pattern of the resist. A plurality of processing units including a processing unit, a heating unit for heating the object to be processed, a cooling unit for cooling the object to be processed, and a transport unit for transporting the object to be processed are vertically stacked. A plurality of processing sets, each of which includes: a first processing unit; and a main transport mechanism that moves along the transport path and loads and unloads the object to and from each processing unit of the plurality of processing units. Further comprising an inter-set transport mechanism for transporting an object to be processed between adjacent processing sets, wherein each of the adjacent processing sets is disposed such that a second processing unit is adjacent to the set, and the inter-set transport is provided. The mechanism provides a processing apparatus that transports an object to be processed via each transport unit of the adjacent second processing unit.

【0010】(3)さらに本発明は、被処理体に対して
レジスト塗布・現像処理を施す処理装置であって、被処
理体に対してレジスト塗布および現像処理を含む一連の
処理を施す処理ステーションと、他の装置との間および
前記処理ステーションとの間で被処理体の受け渡しを行
う搬送ステーションと、前記処理ステーションとの間お
よび露光装置との間で被処理体体の受け渡しを行うイン
ターフェイス部と、を具備し、前記処理ステーション
は、鉛直方向に沿って延在する搬送路と、この搬送路の
周囲に配置され、被処理体にレジストを塗布するレジス
ト塗布ユニットおよび/またはレジストのパターンを現
像する現像ユニットを含む処理ユニットを含む複数の処
理ユニットを鉛直方向に積層して構成される少なくとも
一つの第1の処理部と、被処理体を加熱する加熱ユニッ
トと、被処理体を冷却する冷却ユニットと、被処理体を
搬送する搬送ユニットとを含む複数の処理ユニットを鉛
直方向に積層して構成される第2の処理部と、前記搬送
路を移動するとともに、前記複数の処理部の各処理ユニ
ットに対して前記被処理体を搬入出する主搬送機構と、
を備えた複数の処理セットを有し、さらに、隣接する処
理セット間で被処理体を搬送するセット間搬送機構を有
し、前記隣接する各処理セットは、第2の処理部が隣り
合うように配置され、前記セット間搬送機構は、これら
隣り合う第2の処理部の各搬送ユニットを介して被処理
体を搬送することを特徴とする処理装置を提供する。
(3) Further, the present invention is a processing apparatus for performing a resist coating and developing process on an object to be processed, and a processing station for performing a series of processes including a resist coating and a developing process on the object to be processed. A transfer station for transferring the object to and from another apparatus and to and from the processing station; and an interface unit for transferring the object to and from the processing station and between the processing apparatus and the exposure apparatus. The processing station comprises: a transport path extending along the vertical direction; and a resist coating unit and / or a resist pattern disposed around the transport path and configured to apply a resist to a workpiece. At least one first processing unit configured by vertically stacking a plurality of processing units including a processing unit including a developing unit for developing A second processing unit configured by vertically stacking a plurality of processing units including a heating unit that heats the object, a cooling unit that cools the object, and a transport unit that transports the object. And a main transport mechanism that moves along the transport path and loads and unloads the object to and from each processing unit of the plurality of processing units.
Has a plurality of processing sets, and further has an inter-set transport mechanism for transporting an object to be processed between adjacent processing sets, wherein each of the adjacent processing sets is such that the second processing units are adjacent to each other. , And the inter-set transport mechanism transports an object to be processed via each transport unit of the adjacent second processing unit.

【0011】これら(2)、(3)の発明に係る処理装
置は、(1)の発明に係る処理装置をレジスト塗布・現
像処理装置に適用してより具体化したものであるが、こ
れらの構成により、極めてスループットの高いレジスト
塗布・現像処理が実現される。前記(2)、(3)の発
明において、前記各処理セットの第2の処理部のうち少
なくとも一つは、加熱ユニットと、冷却ユニットと、搬
送ユニットとからなり、この場合には、搬送ユニットを
挟んで上方位置に加熱ユニットが、下方位置に冷却ユニ
ットが配置されることが好ましい。このような構成によ
り、熱的な相互干渉をより少なくすることができる。
The processing apparatus according to the inventions (2) and (3) is a more specific example of applying the processing apparatus according to the invention (1) to a resist coating / developing processing apparatus. With this configuration, a resist coating / developing process with extremely high throughput is realized. In the inventions of (2) and (3), at least one of the second processing units of each of the processing sets includes a heating unit, a cooling unit, and a transport unit. In this case, the transport unit It is preferable that a heating unit is arranged at an upper position and a cooling unit is arranged at a lower position. With such a configuration, thermal mutual interference can be further reduced.

【0012】また、同じく(2)、(3)の発明におい
て、前記各処理セットの第2の処理部のうち少なくとも
一つは、加熱ユニットと、冷却ユニットと、搬送ユニッ
トの他に、被処理体に対して疎水化処理を施すアドヒー
ジョン処理ユニットを含み、この場合には、搬送ユニッ
トを挟んで上方位置に上から加熱ユニットおよび冷却ユ
ニットが、下方位置にアドヒージョン処理ユニットが配
置され、前記搬送路にダウンフローを形成するダウンフ
ロー形成手段を具備することが好ましい。このような構
成により、熱的な相互干渉を極力抑制しつつ、アドヒー
ジョン処理ユニットのHMDSが他の処理ユニットに達
することなくダウンフローにより排出されるので、HM
DSガスによる悪影響を排除することができる。
Further, in the inventions of (2) and (3), at least one of the second processing units of each of the processing sets includes a heating unit, a cooling unit, and a transporting unit, as well as a processing target. An adhesion processing unit that performs a hydrophobic treatment on the body, in this case, a heating unit and a cooling unit are arranged from above at an upper position across the transport unit, and an adhesion processing unit is arranged at a lower position, It is preferable to provide a downflow forming means for forming a downflow. With such a configuration, the HMDS of the adhesion processing unit is discharged by the downflow without reaching another processing unit while suppressing thermal mutual interference as much as possible.
The adverse effects of DS gas can be eliminated.

【0013】(3)の発明において、前記搬送ステーシ
ョンは、前記処理ステーションの一方側に設けられ、前
記搬送ステーションに隣接する一方の処理セットから前
記セット間搬送機構によりそれに隣接する他方の処理セ
ットに搬送され、処理終了後は、前記他方の処理セット
からセット間搬送機構により前記一方の処理セットへ戻
され、さらに前記搬送ステーションに戻されることが好
ましい。このような構成により、高スループットで多様
性の高い処理を実現しつつ、従来と同じように、一つの
搬送ステーションにより被処理体の搬入出を行うことが
できる。
In the invention of (3), the transfer station is provided on one side of the processing station, and is connected from one processing set adjacent to the transfer station to another processing set adjacent thereto by the inter-set transfer mechanism. After being conveyed and after the processing is completed, it is preferable that the other processing set is returned to the one processing set by the inter-set transfer mechanism, and further returned to the transfer station. With such a configuration, the object to be processed can be loaded and unloaded by one transfer station as in the related art, while realizing high throughput and highly diversified processing.

【0014】また、これら(2)、(3)の発明におい
ても、隣り合う第2の処理部の各搬送ユニットは同じ高
さに配置されていることが好ましい。これにより各処理
セット間の被処理体の搬送が容易となる。
In the inventions of (2) and (3), it is preferable that the transport units of the adjacent second processing units are arranged at the same height. This facilitates the transfer of the object between the processing sets.

【0015】(1)、(2)、(3)の発明において、
前記搬送ユニットは、2つの搬送ポートを有し、被処理
体を搬入する場合と搬出する場合とでそれぞれ異なる搬
送ポートを用いることが好ましい。この場合には、搬入
出のタイミングに関わらず搬送することができるので、
スループットがさらに一層向上する。
In the inventions (1), (2) and (3),
It is preferable that the transport unit has two transport ports, and different transport ports are used for loading and unloading the object to be processed. In this case, it can be transported regardless of the loading / unloading timing,
Throughput is further improved.

【0016】また、前記セット間搬送機構は、一方の搬
送ユニットと他方の搬送ユニットとの間で被処理体を搬
送する搬送アームを有するものであってもよいし、前記
搬送ユニットにおける被処理体ステージを移動し、これ
により一方の搬送ユニットと他方の搬送ユニットとの間
で被処理体を搬送する移動手段を有するものであっても
よい。いずれにしても、被処理体を迅速に搬送すること
ができる。
The inter-set transport mechanism may have a transport arm for transporting the workpiece between one transport unit and the other transport unit. It may have a moving means for moving the stage and thereby transferring the object to be processed between one transfer unit and the other transfer unit. In any case, the object can be quickly conveyed.

【0017】さらに、上記(1)、(2)、(3)にお
いて、前記各処理セットは、前記搬送路にダウンフロー
を形成するダウンフロー形成手段をさらに有し、このダ
ウンフロー形成手段は、前記搬送路の上端に設けられた
気体取り入れ口と、前記搬送路の下端に設けられた排気
口と、前記気体取り入れ口に設けられ、取り入れられた
気体を清浄化するフィルタ機構とを有するものであるこ
とが好ましい。これにより、常に清浄化された気体の整
流中で処理が行われるので、パーティクルの発生および
付着のおそれが極めて少なく、極めて清浄な処理を行う
ことができる。
Further, in the above (1), (2), and (3), each of the processing sets further includes downflow forming means for forming a downflow in the transport path. A gas intake port provided at an upper end of the transport path, an exhaust port provided at a lower end of the transport path, and a filter mechanism provided at the gas intake port for purifying the introduced gas. Preferably, there is. Thus, since the processing is always performed while the purified gas is being rectified, there is very little risk of generation and adhesion of particles, and extremely clean processing can be performed.

【0018】また、(1)、(2)、(3)の発明にお
いて、前記各処理セットは、前記搬送路の雰囲気を制御
する雰囲気制御手段をさらに有することが好ましい。こ
れにより、常に所望の雰囲気で処理を行うことができ、
結果として安定した処理が実現される。この場合に、前
記雰囲気制御手段は、各処理セットの搬送路の雰囲気を
個別的に制御することが好ましい。これにより、各処理
セット毎に処理雰囲気を制御することができ、多様性の
高い処理が実現される。
Further, in the inventions of (1), (2) and (3), it is preferable that each of the processing sets further has an atmosphere control means for controlling an atmosphere of the transport path. Thereby, the processing can always be performed in a desired atmosphere,
As a result, stable processing is realized. In this case, it is preferable that the atmosphere control unit individually controls the atmosphere of the transport path of each processing set. This makes it possible to control the processing atmosphere for each processing set, thereby realizing highly diversified processing.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の処理装置を半導体
ウエハへのレジスト塗布・現像処理システムに適用した
実施形態を添付図面に基いて詳細に説明する。図1は本
実施の形態に係るレジスト塗布・現像処理システムを示
す概略平面図、図2は図1の正面図、図3は図1の背面
図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the processing apparatus of the present invention is applied to a system for applying and developing a resist on a semiconductor wafer will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic plan view showing a resist coating and developing system according to the present embodiment, FIG. 2 is a front view of FIG. 1, and FIG. 3 is a rear view of FIG.

【0020】この処理システムは、搬送ステーションで
あるカセットステーション10と、複数の処理ユニット
を有する処理ステーション20と、処理ステーション2
0と隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間で
ウエハWを受け渡すためのインター・フェース部30と
を具備している。
This processing system includes a cassette station 10 as a transfer station, a processing station 20 having a plurality of processing units, and a processing station 2.
And an interface unit 30 for transferring a wafer W between an exposure apparatus (not shown) and an exposure apparatus (not shown).

【0021】上記カセットステーション10は、被処理
体としての半導体ウエハWを複数枚例えば25枚単位で
ウエハカセット1に搭載された状態で他のシステムから
このシステムへ搬入またはこのシステムから他のシステ
ムへ搬出したり、ウエハカセット1と処理ステーション
20との間でウエハWの搬送を行うためのものである。
The cassette station 10 loads a plurality of semiconductor wafers W as objects to be processed, for example, in units of 25 wafers, into the wafer cassette 1 and loads the semiconductor wafers W from another system into this system or from this system to another system. This is for unloading and carrying the wafer W between the wafer cassette 1 and the processing station 20.

【0022】このカセットステーション10において
は、図1に示すように、カセット載置台2上に図中X方
向に沿って複数(図では4個)の突起3が形成されてお
り、この突起3の位置にウエハカセット1がそれぞれの
ウエハ出入口を処理ステーション20側に向けて一列に
載置可能となっている。ウエハカセット1においてはウ
エハWが垂直方向(Z方向)に配列されている。また、
カセットステーション10は、ウエハカセット載置台2
と処理ステーション20との間に位置するウエハ搬送機
構4を有している。このウエハ搬送機構4は、カセット
配列方向(X方向)およびその中のウエハWのウエハ配
列方向(Z方向)に移動可能なウエハ搬送用アーム4a
を有しており、このアーム4aによりいずれかのウエハ
カセット1に対して選択的にアクセス可能となってい
る。また、ウエハ搬送用アーム4aは、θ方向に回転可
能に構成されており、後述する処理ステーション20側
のグループG3に属する搬送ユニット(TR)46との
間でウエハWを搬送することができる。
In the cassette station 10, as shown in FIG. 1, a plurality of (four in the figure) projections 3 are formed on the cassette mounting table 2 along the X direction in the figure. The wafer cassettes 1 can be placed at a position in a line with the respective wafer entrances facing the processing station 20 side. In the wafer cassette 1, the wafers W are arranged in a vertical direction (Z direction). Also,
The cassette station 10 includes the wafer cassette mounting table 2
And a wafer transfer mechanism 4 located between the processing station 20. The wafer transfer mechanism 4 includes a wafer transfer arm 4a movable in a cassette arrangement direction (X direction) and a wafer arrangement direction (Z direction) of wafers W therein.
The arm 4a allows any one of the wafer cassettes 1 to be selectively accessed. The wafer transfer arm 4a is configured to be rotatable in the θ direction, and can transfer the wafer W to and from a transfer unit (TR) 46 belonging to a group G3 on the processing station 20 side described later.

【0023】上記処理ステーション20は、半導体ウエ
ハWへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハW
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション20は、
図1に示すように、2つの処理セット20a,20bを
有している。これら処理セット20a,20bは、それ
ぞれ中心部に搬送路22a,22bを有し、この中を鉛
直方向に沿って移動可能な主ウエハ搬送機構21a,2
1bが設けられ、ウエハ搬送路22a,22bの周りに
全ての処理ユニットが配置されている。これら複数の処
理ユニットは、複数の処理部に分かれており、各処理部
は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多段に配置さ
れている。この実施の形態においては、処理セット20
aは、5個の処理部G1,G2,G3,G4およびG5
がウエハ搬送路22aの周囲に配置されており、また、
処理セット20bも、5個の処理部G6,G7,G8,
G9およびG10がウエハ搬送路22bの周囲に配置さ
れていて、ウエハ搬送路22a,22bが略閉鎖された
空間となっている。
The processing station 20 is provided with a plurality of processing units for performing a series of steps for performing a coating / phenomenon on the semiconductor wafer W, and these are arranged at predetermined positions in multiple stages. The semiconductor wafer W
Are processed one by one. This processing station 20
As shown in FIG. 1, there are two processing sets 20a and 20b. The processing sets 20a and 20b have transfer paths 22a and 22b at the center, respectively, and the main wafer transfer mechanisms 21a and 2 that can move in the vertical direction in the inside.
1b is provided, and all the processing units are arranged around the wafer transfer paths 22a and 22b. The plurality of processing units are divided into a plurality of processing units, and each processing unit includes a plurality of processing units arranged in multiple stages along a vertical direction. In this embodiment, the processing set 20
a represents five processing units G1, G2, G3, G4 and G5.
Are arranged around the wafer transfer path 22a, and
The processing set 20b also includes five processing units G6, G7, G8,
G9 and G10 are arranged around the wafer transfer path 22b, and the wafer transfer paths 22a and 22b are substantially closed spaces.

【0024】これらのうち、処理部G1,G2,G6,
G7はシステム正面(図1において手前)側に並列に配
置され、処理部G3はカセットステーション10に隣接
して配置され、処理部G9はインター・フェース部30
に隣接して配置され、処理部G4,G9は処理ステーシ
ョン20の中央部に隣り合うように配置され、処理部G
5、G10は背部側に配置されている。
Of these, the processing units G1, G2, G6
G7 is arranged in parallel on the front side of the system (in FIG. 1), the processing section G3 is arranged adjacent to the cassette station 10, and the processing section G9 is arranged on the interface section 30.
, And the processing units G4 and G9 are disposed so as to be adjacent to the center of the processing station 20, and the processing units G
5, G10 is arranged on the back side.

【0025】この場合、図2に示すように、処理セット
20aの処理部G1では、カップ23内でウエハWをス
ピンチャック(図示せず)に載置して所定の処理を行う
2台のスピナ型処理ユニットが上下に配置されており、
この実施形態においては、ウエハWにレジストを塗布す
るレジスト塗布ユニット(COT)およびレジストのパ
ターンを現像する現像ユニット(DEV)が下から順に
2段に重ねられている。処理部G2も同様に、2台のス
ピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布ユニット(CO
T)及び現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重
ねられている。また、処理セット20bの処理部G6,
G7も同一の配置を有している。
In this case, as shown in FIG. 2, in the processing section G1 of the processing set 20a, two spinners for mounting a wafer W on a spin chuck (not shown) in the cup 23 and performing predetermined processing. Mold processing units are arranged vertically,
In this embodiment, a resist coating unit (COT) for coating the resist on the wafer W and a developing unit (DEV) for developing the resist pattern are stacked in two stages from the bottom. Similarly, the processing section G2 also includes a resist coating unit (CO) as two spinner-type processing units.
T) and the developing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom. Further, the processing units G6 and G6 of the processing set 20b
G7 has the same arrangement.

【0026】このようにレジスト塗布ユニット(CO
T)を下段側に配置する理由は、レジスト液の廃液が機
構的にもメンテナンスの上でも現像液の廃液よりも本質
的に複雑であり、このように塗布ユニット(COT)を
下段に配置することによりその複雑さが緩和されるから
である。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニット
(COT)を上段に配置することも可能である。
As described above, the resist coating unit (CO
The reason for disposing T) on the lower side is that the waste liquid of the resist solution is inherently more complicated than the waste liquid of the developer both mechanically and in terms of maintenance, and thus the coating unit (COT) is disposed on the lower stage. This reduces the complexity. However, if necessary, a resist coating unit (COT) can be arranged in the upper stage.

【0027】処理セット20aの処理部G3において
は、図3に示すように、ウエハWを載置台24(図1参
照)に載置して所定の処理を行うオーブン型の処理ユニ
ットおよび搬送ユニットが7段積層配置されている。具
体的には、下から順にアドヒージョン処理ユニット(A
D)47a、搬送ユニット(TR)46a、2つのチル
プレートユニット(CP)44a,45a、および3つ
のホットプレートユニット(HP)43a,42a,4
1aが配置されている。
In the processing section G3 of the processing set 20a, as shown in FIG. 3, an oven-type processing unit and a transfer unit for mounting the wafer W on the mounting table 24 (see FIG. 1) and performing predetermined processing are provided. It is arranged in seven layers. Specifically, the adhesion processing units (A
D) 47a, transport unit (TR) 46a, two chill plate units (CP) 44a, 45a, and three hot plate units (HP) 43a, 42a, 4
1a is arranged.

【0028】これらのうち、ホットプレートユニット
(HP)41a,42a,43aは、半導体ウエハWに
対してプリベーク処理またはポストベーク処理のような
加熱処理を施すものであり、チルプレートユニット(C
P)44a,45aは、処理により昇温した半導体ウエ
ハWを冷却するものであり、搬送ユニット(TR)46
aはカセットステーションと処理セット20aとの間で
半導体ウエハWを搬送するためのものである。また、ア
ドヒージョン処理ユニット(AD)47aは、半導体ウ
エハWに対して疎水化処理を施すものである。
Of these, the hot plate units (HP) 41a, 42a and 43a are for subjecting the semiconductor wafer W to a heating process such as a pre-bake process or a post-bake process.
P) 44a and 45a are for cooling the semiconductor wafer W heated by the processing, and include a transfer unit (TR) 46.
a is for transferring the semiconductor wafer W between the cassette station and the processing set 20a. The adhesion processing unit (AD) 47a performs a hydrophobic treatment on the semiconductor wafer W.

【0029】処理部G4も同様に、図3に示すように、
オーブン型の処理ユニットおよび搬送ユニットが7段配
置されている。具体的には、下から順に、チルプレート
ユニット(CP)54a、搬送ユニット(TR)53
a、および5つのホットプレートユニット(HP)52
a,51a,50a,49a,48aが配置されてい
る。
Similarly, the processing unit G4, as shown in FIG.
An oven type processing unit and a transport unit are arranged in seven stages. Specifically, in order from the bottom, a chill plate unit (CP) 54a and a transport unit (TR) 53
a and five hot plate units (HP) 52
a, 51a, 50a, 49a, and 48a are arranged.

【0030】処理セット20bの処理部G8は、処理部
G3と同様の構成を有しており、下から順にアドヒージ
ョン処理ユニット(AD)47b、搬送ユニット(T
R)46b、2つのチルプレートユニット(CP)44
b,45b、および3つのホットプレートユニット(H
P)43b,42b,41bが配置されている。
The processing section G8 of the processing set 20b has the same configuration as the processing section G3, and includes an adhesion processing unit (AD) 47b and a transport unit (T
R) 46b, two chill plate units (CP) 44
b, 45b, and three hot plate units (H
P) 43b, 42b, 41b are arranged.

【0031】処理部G9は、処理部G4と同様の構成を
有しており、下から順に、チルプレートユニット(C
P)54b、搬送ユニット(TR)53b、および5つ
のホットプレートユニット(HP)52b,51b,5
0b,49b,48bが配置されている。なお、処理部
G4の搬送ユニット53aおよび処理部G9の搬送ユニ
ット53bはチルプレートを備えており、半導体ウエハ
Wを冷却することが可能となっている。
The processing section G9 has the same configuration as that of the processing section G4, and the chill plate unit (C
P) 54b, a transport unit (TR) 53b, and five hot plate units (HP) 52b, 51b, 5
0b, 49b and 48b are arranged. The transfer unit 53a of the processing unit G4 and the transfer unit 53b of the processing unit G9 include a chill plate, and can cool the semiconductor wafer W.

【0032】上述したように、処理セット20aの処理
部G4と処理セット20bの処理部G8とは隣り合って
おり、処理部G4の搬送ユニット53aおよび処理部G
8の搬送ユニット46bを介して、後述するセット間搬
送機構により、処理セット20と処理セット20bとの
間で半導体ウエハWを搬送することができるようになっ
ている。この場合に、両搬送ユニット53aおよび46
bは同一の高さに配置されており、したがってこれら処
理セット間の半導体ウエハWの搬送が極めて容易にかつ
スムースに行われる。
As described above, the processing unit G4 of the processing set 20a and the processing unit G8 of the processing set 20b are adjacent to each other, and the transport unit 53a and the processing unit G of the processing unit G4 are adjacent to each other.
The semiconductor wafer W can be transferred between the processing set 20 and the processing set 20b by an inter-set transfer mechanism described later via the transfer unit 46b of No.8. In this case, both transport units 53a and 46
b are arranged at the same height, so that the transfer of the semiconductor wafer W between these processing sets is extremely easily and smoothly performed.

【0033】主ウエハ搬送機構21の背部側に位置する
処理部G5,G10も基本的には処理部G3,G4,G
8,G9と同様、オープン型の処理ユニットが多段に積
層された構造を有している。この処理部G5,G10
は、案内レール25に沿って主ウエハ搬送機構21から
見て側方へ移動できるようになっている。したがって、
処理部G5,G10をスライドすることにより空間部が
確保されるので、主ウエハ搬送機構21a,21bに対
して背後からメンテナンス作業が容易に行うことができ
る。
The processing units G5, G10 located on the back side of the main wafer transfer mechanism 21 are also basically processing units G3, G4, G
8, G9 has a structure in which open processing units are stacked in multiple stages. The processing units G5 and G10
Can move laterally along the guide rail 25 when viewed from the main wafer transfer mechanism 21. Therefore,
Since a space is secured by sliding the processing units G5 and G10, maintenance work can be easily performed from behind the main wafer transfer mechanisms 21a and 21b.

【0034】上記インター・フェース部30は、X方向
の長さは処理ステーション20と同じ長さを有してい
る。図1、図2に示すように、このインター・フェース
部30の正面部には、可搬性のピックアップカセット3
1と定置型のバッファカセット32が2段に配置され、
背面部には周辺露光装置33が配設され、中央部には、
ウエハ搬送アーム34が配設されている。このウエハ搬
送アーム34は、X、Z方向に移動して両カセット3
1,32および周辺露光装置33にウエハを搬送可能と
なっている。また、このウエハ搬送アーム34は、θ方
向に回転可能であり、処理ステーション20の処理セッ
ト20bの処理部G9に属する搬送ユニット53bおよ
び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台(図示せず)に
もウエハWを搬送可能となっている。
The interface section 30 has the same length in the X direction as the processing station 20. As shown in FIGS. 1 and 2, a portable pickup cassette 3 is provided at the front of the interface section 30.
1 and stationary buffer cassettes 32 are arranged in two stages,
A peripheral exposure device 33 is provided on the back, and a central
A wafer transfer arm 34 is provided. The wafer transfer arm 34 moves in the X and Z directions to move both cassettes 3.
The wafers can be transported to the peripheral exposure devices 33. Further, the wafer transfer arm 34 is rotatable in the θ direction, and is also connected to a transfer unit 53b belonging to the processing unit G9 of the processing set 20b of the processing station 20 and a wafer transfer table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side. The wafer W can be transferred.

【0035】上述したように、処理セット20aと処理
セット20bとの間の搬送は、処理部G4の搬送ユニッ
ト53aおよび処理部G8の搬送ユニット46bを介し
て行われるが、その際に用いられるセット間搬送機構に
ついて説明する。図4に示すように、処理部G4の搬送
ユニット53aは2つの搬送ポートを有しており、それ
に対応して2つのステージ61,62を有している。ま
た、処理部G8の搬送ユニット46bも2つの搬送ポー
トを有しており、それに対応して2つのステージ63,
64を有している。なお、図中符号Pは、半導体ウエハ
搬送用のピンである。
As described above, the transfer between the processing set 20a and the processing set 20b is performed via the transfer unit 53a of the processing unit G4 and the transfer unit 46b of the processing unit G8. The inter-conveying mechanism will be described. As shown in FIG. 4, the transport unit 53a of the processing unit G4 has two transport ports, and has two stages 61 and 62 corresponding thereto. The transfer unit 46b of the processing unit G8 also has two transfer ports, and two stages 63,
64. In addition, the symbol P in the figure is a pin for transporting a semiconductor wafer.

【0036】セット間搬送機構は、2つの搬送アーム6
5,66を有しており、搬送アーム65は、搬送ユニッ
ト53aのステージ62から搬送ユニット46bのステ
ージ64へ半導体ウエハWを搬送し、搬送アーム66
は、搬送ユニット46bのステージ63から搬送ユニッ
ト53aのステージ61へ半導体ウエハを搬送する。
The inter-set transfer mechanism includes two transfer arms 6
The transfer arm 65 transfers the semiconductor wafer W from the stage 62 of the transfer unit 53a to the stage 64 of the transfer unit 46b.
Transports the semiconductor wafer from the stage 63 of the transport unit 46b to the stage 61 of the transport unit 53a.

【0037】このように、各搬送ユニットが2つの搬送
ポートを有し、それに対応したステージを有することに
より、搬入出で搬送ルートを分けることができ、搬入出
のタイミングに関わらず搬送することができるので、迅
速に搬送することができ、スループットを一層向上させ
ることができる。なお、例えばステージ62にチルプレ
ートを採用すれば、同時に半導体ウエハWの冷却も行う
ことができる。
As described above, since each transport unit has two transport ports and corresponding stages, the transport route can be divided for loading and unloading, and transport can be performed regardless of the timing of loading and unloading. As a result, it can be conveyed quickly, and the throughput can be further improved. If a chill plate is used for the stage 62, for example, the semiconductor wafer W can be cooled at the same time.

【0038】なお、図4の構成に限らず、図5に示した
構成を採用することもできる。ここでは、搬送ユニット
53a,46bが2つの搬送ポートを有していることは
図4の構成と同じであるが、これら搬送ユニットで共通
のステージ67,68を有している点が異なる。
The configuration shown in FIG. 5 is not limited to the configuration shown in FIG. Here, the transport units 53a and 46b have the same configuration as that of FIG. 4 having two transport ports, but differ in that these transport units have common stages 67 and 68.

【0039】この場合には、セット間搬送機構は、ステ
ージ67,68を独立して移動させる移動機構(図示せ
ず)と、これらステージをガイドするレール69とを備
えている。そして、搬送ユニット53aに搬入された半
導体ウエハWは、ステージ68に載せられ、ステージ6
8ごとレール69にガイドされて搬送ユニット46bへ
搬送される。また、搬送ユニット46bに搬入された半
導体ウエハWは、ステージ67に載せられ、ステージ6
7ごとレール69にガイドされて搬送ユニット53aに
搬送される。
In this case, the inter-set transport mechanism includes a moving mechanism (not shown) for independently moving the stages 67 and 68, and a rail 69 for guiding these stages. Then, the semiconductor wafer W carried into the transfer unit 53a is placed on the stage 68,
8 is guided by the rail 69 and transported to the transport unit 46b. The semiconductor wafer W carried into the transfer unit 46b is placed on the stage 67,
7 is guided by the rail 69 and transported to the transport unit 53a.

【0040】上記のように構成される処理システムは、
クリーンルーム内に設置され、これによって清浄度を高
めているが、さらにシステム内でも効率的に垂直層流を
供給することによって各部の清浄度を一層高めている。
図6および図7にシステム内における清浄空気の流れ、
および雰囲気制御機構を示す。
The processing system configured as described above includes:
Although it is installed in a clean room and thereby increases the cleanliness, the cleanliness of each part is further enhanced by efficiently supplying a vertical laminar flow in the system.
6 and 7 show the flow of clean air in the system,
And an atmosphere control mechanism.

【0041】図6に示すように、カセットステーション
10、処理ステーション20の処理セット20a,20
bおよびインター・フェース部30の上方には空気供給
室18,28a,28b,38が設けられており、これ
ら空気供給室18,28a,28b,38の下面に防塵
機能付きフィルタ例えばULPAフィルタ70が取り付
けられている。このうち空気供給室18,38内には後
述する配管を介して空気が導入され、ULPAフィルタ
70により清浄な空気がダウンフローでカセットステー
ション10およびインター・フェース部30に供給され
る。また、後述するように、空気供給室28a,28b
にも同様に空気が導入され、フィルタにより清浄空気が
ダウンフローで処理部20に供給される。
As shown in FIG. 6, the processing sets 20a, 20a of the cassette station 10 and the processing station 20 are provided.
Air supply chambers 18, 28a, 28b, and 38 are provided above the interface b and the interface section 30, and a filter with a dustproof function, for example, a ULPA filter 70 is provided on the lower surface of the air supply chambers 18, 28a, 28b, and 38. Installed. Air is introduced into the air supply chambers 18 and 38 through piping described later, and clean air is supplied to the cassette station 10 and the interface unit 30 by the ULPA filter 70 in a downflow manner. Further, as described later, the air supply chambers 28a and 28b
Similarly, air is also introduced, and clean air is supplied to the processing unit 20 in a down flow by the filter.

【0042】図7に示すように、各処理セット20a,
20bのウエハ搬送路22a,22bの上方には、それ
ぞれそこに空気を供給するための給気口71a,71b
が設けられ、その下方にはウエハ搬送路22a,22b
に供給された空気を排気するための排気口72a,72
bが設けられている。前述の空気供給室28a,28b
は、それぞれ給気口71aと給気用配管73aとの接続
部、および給気口71bと給気用配管73bとの接続部
に設けられており、これらの下面に上記ULPAフィル
タ70が取り付けられ、それらの上方位置に例えばアミ
ン等の有機汚染物を除去する機能を有するケミカルフィ
ルタ74が取り付けられている。
As shown in FIG. 7, each processing set 20a,
Air supply ports 71a and 71b for supplying air to the wafer transfer paths 22a and 22b, respectively, are provided above the wafer transfer paths 22a and 22b.
Are provided below the wafer transfer paths 22a and 22b.
Outlets 72a, 72 for exhausting the air supplied to the
b is provided. The aforementioned air supply chambers 28a, 28b
Are provided at the connection between the air supply port 71a and the air supply pipe 73a and at the connection between the air supply port 71b and the air supply pipe 73b, respectively, and the ULPA filter 70 is attached to the lower surface thereof. A chemical filter 74 having a function of removing organic contaminants such as amines is attached above these components.

【0043】排気口72a,72bと排気用配管73
a,73bとの接続部には、それぞれ排気室75a,7
5bが設けられており、この排気室75a,75bの上
面に排気口72a,72bが形成された多孔板76a,
76bが取り付けられ、排気室75a,75b内には排
気ファン77a,77bが配設されている。また、排気
室75a,75bbと排気配管73a,73bとの接続
部には圧力調整手段例えばスリットダンパ78a,78
bが配設されている。
Exhaust ports 72a, 72b and exhaust pipe 73
a and 73b are connected to the exhaust chambers 75a and 75b, respectively.
5b, and a perforated plate 76a, in which exhaust ports 72a, 72b are formed on the upper surfaces of the exhaust chambers 75a, 75b,
76b is attached, and exhaust fans 77a and 77b are arranged in the exhaust chambers 75a and 75b. Further, a pressure adjusting means such as a slit damper 78a, 78 is provided at a connection portion between the exhaust chambers 75a, 75bb and the exhaust pipes 73a, 73b.
b is provided.

【0044】このスリットダンパ78a,78bは、多
数の通気孔有する固定多孔板と、この固定多孔板の下面
において水平方向に往復移動可能に配設され、通気孔と
合致し得る多数の調整孔を有する可動多孔板とを有して
おり、適宜の往復駆動手段例えばシリンダ機構やタイミ
ングベルト機構等により可動多孔板が水平方向に往復移
動することによって、開口面積を調節して通気量を調整
し、もってウエハ搬送空間22a,22b内の圧力を調
整する。例えば、ウエハ搬送空間内の圧力をクリーンル
ーム内の圧力に対して陽圧に設定することができる。な
お、ここでは、圧力調整手段としてスリットダンパを用
いた場合について説明したが、圧力調整手段は必ずしも
スリットダンパである必要はなく、搬送路22a,22
b内から排気される空気の通過面積を調製することがで
きるものであればスリットダンパ以外のものであっても
よい。
The slit dampers 78a and 78b are provided with a fixed perforated plate having a large number of ventilation holes, and a plurality of adjustment holes which are disposed on the lower surface of the fixed perforated plate so as to be reciprocally movable in the horizontal direction and can match the ventilation holes. The movable porous plate has a movable perforated plate having a suitable reciprocating drive means, such as a cylinder mechanism and a timing belt mechanism, by reciprocating in the horizontal direction, to adjust the opening area and adjust the ventilation amount, Thus, the pressure in the wafer transfer spaces 22a and 22b is adjusted. For example, the pressure in the wafer transfer space can be set to a positive pressure with respect to the pressure in the clean room. Here, the case where a slit damper is used as the pressure adjusting means has been described, but the pressure adjusting means does not necessarily need to be a slit damper, and the conveying paths 22a, 22
Any material other than the slit damper may be used as long as it can adjust the passage area of the air exhausted from the inside b.

【0045】配管73a,73bは循環路をなし、その
途中にそれぞれ送風ファン81a,81bが設けられて
おり、これにより搬送路22a,22bにダウンフロー
が形成される。これら配管73a,73bにおいて、送
風ファン81aとスリットダンパ78aとの間、および
送風ファン81bとスリットダンパ78bとの間には、
それぞれ外気を導入するための外気導入管79a,79
bが設けられており、これら外気導入管79a,79b
には、それぞれ風量調整機構としてダンパ80aおよび
80bが取り付けられている。そして、送風ファン81
a,81bが駆動され、ダンパ80a,80bが所定の
開度で開放されることにより、外気導入管79a,79
bから外気すなわちクリーンルーム内の清浄空気が、配
管73a,73bを介して、それぞれ搬送路22a,2
2b内に供給される。したがって、搬送路22a,22
b内に供給された清浄空気が各処理ユニットに流れて損
失しても、その風量を外気導入口79a,79bから補
給して、常時搬送路空間22a,22b内を流れる清浄
空気の風量を一定に維持することができる。なお、風量
調節機構としては、ダンパに代えて流量調整弁等の他の
ものを用いてもよい。
The pipes 73a and 73b form a circulation path, and blower fans 81a and 81b are provided in the middle of the circulation path, whereby a downflow is formed in the conveyance paths 22a and 22b. In these pipes 73a and 73b, between the blower fan 81a and the slit damper 78a, and between the blower fan 81b and the slit damper 78b,
Outside air introduction pipes 79a and 79 for introducing outside air, respectively.
b, and these outside air introduction pipes 79a, 79b
Are provided with dampers 80a and 80b, respectively, as air volume adjusting mechanisms. And the blowing fan 81
a and 81b are driven, and the dampers 80a and 80b are opened at a predetermined opening, so that the outside air introduction pipes 79a and 79b are opened.
b, the outside air, that is, the clean air in the clean room, is transferred via the pipes 73a and 73b to the transport paths 22a and 22b, respectively.
2b. Therefore, the transport paths 22a, 22
b, even if the clean air supplied to each processing unit flows and is lost, the air flow is supplied from the outside air inlets 79a and 79b to constantly maintain the air flow of the clean air flowing in the transport path spaces 22a and 22b. Can be maintained. In addition, as the air volume adjusting mechanism, another device such as a flow rate adjusting valve may be used instead of the damper.

【0046】循環管路73a,73bにおける送風ファ
ン81a,81bと空気供給室20aとの間には、それ
ぞれ搬送路22a,22b内に供給された清浄空気の温
度を制御するための温度コントローラ82a,82bが
介設されている。なお、図示はしていないが配管73
a,73bに適宜の湿度調整手段を介設することによ
り、搬送路22a,22b内の湿度も制御することがで
きる。
Temperature controllers 82a, 82b for controlling the temperature of the clean air supplied into the conveying paths 22a, 22b are provided between the blowing fans 81a, 81b and the air supply chamber 20a in the circulation pipes 73a, 73b, respectively. 82b is interposed. Although not shown, the piping 73
By arranging appropriate humidity adjusting means in a and 73b, the humidity in the transport paths 22a and 22b can also be controlled.

【0047】上記のように構成されるスリットダンパ7
8a,78b、ダンパ80a,80bおよび温度コント
ローラ82a,82bは、制御手段としての中央演算処
理装置(CPU)90からの制御信号によって制御され
る。すなわち、搬送路22a,22bの給気口側にそれ
ぞれ配置された圧力・風量センサ(図示せず)によって
検知された信号をCPU90に伝達し、この検知信号と
CPU90において予め記憶された情報とを比較演算し
て、その制御信号をスリットダンパ78a,78b、お
よびダンパ80a,80bに伝達することにより、搬送
路22a,22b内の圧力および供給される清浄空気の
風量が所定の値に制御される。
The slit damper 7 configured as described above
8a, 78b, dampers 80a, 80b and temperature controllers 82a, 82b are controlled by control signals from a central processing unit (CPU) 90 as control means. That is, a signal detected by a pressure / air volume sensor (not shown) disposed on the air supply port side of each of the transport paths 22a and 22b is transmitted to the CPU 90, and the detected signal and information stored in the CPU 90 in advance are transmitted. By performing a comparison operation and transmitting the control signal to the slit dampers 78a and 78b and the dampers 80a and 80b, the pressure in the transport paths 22a and 22b and the flow rate of the supplied clean air are controlled to predetermined values. .

【0048】また、搬送路22a,22bの下部側にそ
れぞれ配置された温度センサ(図示せず)によって検知
された温度信号をCPU90に伝達し、この温度信号と
CPU90において予め記憶された情報とを比較演算し
て、その制御信号を温度コントローラ82a,82bに
伝達することにより、配管73a,73bを流れる清浄
空気が所定温度例えば23℃に制御され、その温度の清
浄空気が搬送路22a,22b内に供給される。したが
って、搬送路22a,22b内の雰囲気、すなわち圧
力、風量および温度を常に所定の値に制御することがで
き、処理システム内の各処理を好適に行うことができ
る。
Further, a temperature signal detected by a temperature sensor (not shown) disposed at the lower side of each of the transport paths 22a and 22b is transmitted to the CPU 90, and the temperature signal and information stored in the CPU 90 in advance are transmitted. By performing a comparison operation and transmitting the control signal to the temperature controllers 82a and 82b, the clean air flowing through the pipes 73a and 73b is controlled to a predetermined temperature, for example, 23 ° C., and the clean air at that temperature is supplied to the conveying paths 22a and 22b. Supplied to Therefore, the atmosphere in the transport paths 22a and 22b, that is, the pressure, the air volume, and the temperature can always be controlled to predetermined values, and each processing in the processing system can be suitably performed.

【0049】また、このような雰囲気制御系において
は、搬送路22aおよび22bの雰囲気を個別的に制御
することができる。したがって、搬送路22aと22b
とで雰囲気を異ならせることができ、極めて多様性の高
い処理が実現される。例えば、搬送路22aと22bと
で圧力を異ならせ、圧力の高い処理セット側に、より清
浄度の要求される処理ユニットを配置することができる
し、また、設定温度を異ならせ、それに対応して処理ユ
ニットを配置することもできる。さらに、一方の処理セ
ット側に塗布ユニットを配置し、他方の処理セット側に
現像ユニットを配置して、それぞれに適した雰囲気設定
をすることもできる。この場合には、ULPAフィルタ
ーの他に、現像ユニット側のみにケミカルフィルターを
設けるようにしてもよい。
Further, in such an atmosphere control system, the atmosphere of the transport paths 22a and 22b can be individually controlled. Therefore, the transport paths 22a and 22b
Thus, the atmosphere can be made different, and extremely diverse processing can be realized. For example, the pressure is different between the transport paths 22a and 22b, and a processing unit requiring higher cleanliness can be arranged on the side of the processing set with a higher pressure. The processing unit can also be arranged. Further, an application unit may be arranged on one processing set side and a developing unit may be arranged on the other processing set side, so that an appropriate atmosphere can be set. In this case, a chemical filter may be provided only on the developing unit side in addition to the ULPA filter.

【0050】さらに、搬送路22a,22b内に清浄空
気が循環供給されることで、処理システムの外部すなわ
ちクリーンルームへ内部の空気が流出することがなく、
処理システム内で発生したパーティクルや有機汚染物等
がクリーンルームへ漏洩することもない。
Further, since the clean air is circulated and supplied into the transfer paths 22a and 22b, the air outside the processing system, that is, inside the clean room does not flow out.
Particles and organic contaminants generated in the processing system do not leak to the clean room.

【0051】上記カセットステーション10において
は、図6に示すように、カセット載置台2の上方空間と
ウエハ搬送用アーム4aの移動空間とは垂壁式の仕切板
5によって互いに仕切られており、ダウンフローの空間
は両空間で別個に流れるようになっている。
In the cassette station 10, as shown in FIG. 6, the space above the cassette mounting table 2 and the space for moving the wafer transfer arm 4a are separated from each other by a vertical partition plate 5, and the space is lowered. The flow space flows separately in both spaces.

【0052】また、上記処理ステーション20では、図
6に示すように、処理部G1,G2,G6,G7の中で
下段に配置されているレジスト塗布ユニット(COT)
の天井面にULPAフィルタ85が設けられており、上
記循環管路73a,73bから搬送路22a,22b内
に供給される空気がこのULPAフィルタ85を通って
レジスト塗布ユニット(COT)内に流れる。
In the processing station 20, as shown in FIG. 6, a resist coating unit (COT) disposed at a lower stage in the processing units G1, G2, G6 and G7.
A ULPA filter 85 is provided on the ceiling surface of the printer, and air supplied from the circulation pipes 73a and 73b into the transport paths 22a and 22b flows through the ULPA filter 85 into the resist coating unit (COT).

【0053】また、図6に示すように、各スピナ型処理
ユニット(COT)、(DEV)の主ウエハ搬送機構2
1a,21bに面する側壁には、ウエハWおよび搬送ア
ームが出入りするための開口部29が設けられている。
各開口部29には、各ユニットからパーティクルまたは
有機汚染物等が主ウエハ搬送機構側に入り込まないよう
にするためのシャッタ(図示せず)が取り付けられてい
る。
As shown in FIG. 6, the main wafer transfer mechanism 2 of each spinner type processing unit (COT), (DEV)
An opening 29 through which the wafer W and the transfer arm enter and exit is provided on the side wall facing 1a and 21b.
Each opening 29 is provided with a shutter (not shown) for preventing particles or organic contaminants from each unit from entering the main wafer transfer mechanism.

【0054】ところで、処理セット20aの処理部G3
および処理セット20bの処理部G8には、半導体ウエ
ハWに疎水化処理を施すためのアドヒージョン処理ユニ
ット47a,47bが設けられている。これらアドヒー
ジョン処理ユニット47a,47bはHMDSガスを用
いるが、この処理は完全密閉ではなく半オープンのユニ
ットで行われるため、ユニット外にHMDSガスが漏出
する場合がある。このようなガスが他のオープン型の処
理ユニットに侵入すると被処理体である半導体ウエハW
に悪影響を及ぼす。
The processing unit G3 of the processing set 20a
In the processing section G8 of the processing set 20b, adhesion processing units 47a and 47b for performing a hydrophobic treatment on the semiconductor wafer W are provided. These adhesion processing units 47a and 47b use HMDS gas. However, since this processing is performed in a semi-open unit instead of a completely closed unit, the HMDS gas may leak out of the unit. When such a gas enters another open type processing unit, the semiconductor wafer W to be processed is
Adversely affect

【0055】しかし、図3に示すように、アドヒージョ
ン処理ユニット47a,47bを加熱ユニット、冷却ユ
ニット、搬送ユニットの下方位置に設け、しかも、搬送
路22a,22bには清浄化された空気のダウンフロー
が形成されているので、アドヒージョン処理ユニット4
7a,47bから漏出したHMDSガスは、ダウンフロ
ーにより下方に流れて速かに排出され、他の処理ユニッ
トに侵入するおそれはほとんどない。したがって、HM
DSガスが他の処理ユニットの半導体ウエハWに悪影響
を与えることを回避することができる。また、冷却ユニ
ット45a,45bとアドヒージョン処理ユニット47
a,47bとの間に搬送ユニット46a,46bが介在
しているため、熱的な相互干渉も抑制することができ
る。
However, as shown in FIG. 3, the adhesion processing units 47a and 47b are provided below the heating unit, the cooling unit, and the transport unit, and the transport paths 22a and 22b have the downflow of the purified air. Is formed, the adhesion processing unit 4
The HMDS gas leaked from 7a and 47b flows downward due to the downflow and is quickly discharged, and there is almost no risk of entering another processing unit. Therefore, HM
The DS gas can be prevented from adversely affecting the semiconductor wafer W of another processing unit. The cooling units 45a and 45b and the adhesion processing unit 47
Since the transport units 46a and 46b are interposed between the transfer units 46a and 47b, thermal mutual interference can be suppressed.

【0056】また、処理部G4,G9では、搬送ユニッ
ト53a3,53bを挟んで、上方に加熱ユニットであ
るホットプレートユニット、、下方に冷却ユニットであ
るチルプレートユニットが配置されているので、この場
合にも熱的な相互干渉を抑制することができる。
In the processing units G4 and G9, a hot plate unit serving as a heating unit and a chill plate unit serving as a cooling unit are arranged above the transport units 53a3 and 53b. Also, thermal mutual interference can be suppressed.

【0057】次に、本システム全体の処理動作について
説明する。まず、カセットステーション10において、
ウエハ搬送機構4のウエハ搬送用アーム4aがカセット
載置台2上の未処理のウエハWを収容しているカセット
1にアクセスして、そのカセット1から1枚のウエハW
を取り出す。ウエハWのアライメントを行った後、処理
部20における処理セット20aの主ウエハ搬送機構2
1aのアームは処理部G3に属するアドヒージョン処理
ユニット47aに半導体ウエハWを搬入する。
Next, the processing operation of the entire system will be described. First, at the cassette station 10,
The wafer transfer arm 4a of the wafer transfer mechanism 4 accesses the cassette 1 containing the unprocessed wafers W on the cassette mounting table 2 so that one wafer W
Take out. After the alignment of the wafer W, the main wafer transport mechanism 2 of the processing set 20a in the processing unit 20
The arm 1a carries the semiconductor wafer W into the adhesion processing unit 47a belonging to the processing section G3.

【0058】アドヒージョン処理が終了した半導体ウエ
ハは、いずれかのチルプレートユニット(CP)内で冷
却された後、塗布ユニット(COT)にて、スピンコー
トによりレジスト塗布される。その後、いずれかのホッ
トプレートユニット(HP)内でプリベークが実施さ
れ、クーリングユニットで冷却される。
The semiconductor wafer having been subjected to the adhesion process is cooled in one of the chill plate units (CP) and then coated with a resist by spin coating in a coating unit (COT). After that, prebaking is performed in any of the hot plate units (HP), and is cooled by the cooling unit.

【0059】この場合に、いずれかのタイミングで処理
セット20aから処理セット20bに、前述したセット
間搬送機構により、搬送ユニット53aおよび46bを
介して半導体ウエハWが搬送され、所定の処理終了後、
半導体ウエハWはその主搬送機構21bのアームにより
インターフェイス部30に搬送される。インターフェイ
ス部30ででは、周辺露光装置による周辺露光が実施さ
れ、その後、半導体ウエハWは隣接する露光装置に搬送
され、全面露光が実施される。
In this case, at any timing, the semiconductor wafer W is transferred from the processing set 20a to the processing set 20b by the above-described transfer mechanism between sets via the transfer units 53a and 46b.
The semiconductor wafer W is transferred to the interface unit 30 by the arm of the main transfer mechanism 21b. In the interface unit 30, peripheral exposure is performed by a peripheral exposure device, and thereafter, the semiconductor wafer W is transferred to an adjacent exposure device, and overall exposure is performed.

【0060】露光処理が終了すると、インター・フェー
ス部30のウエハ搬送アーム34がウエハWを受け取
り、受け取ったウエハWを処理ステーション20におけ
る処理セット20bの処理部G9に属する搬送ユニット
54bへ搬入し、その中の冷却プレートでウエハWを冷
却する。そして、主ウエハ搬送機構21bがウエハWを
受け取り、いずれかの現像ユニット(DEV)に搬入し
現像処理を行う。現像工程が終了すると、いずれかのホ
ットプレートユニット(HP)によりポストベークが実
施される。その後いずれかのチルプテートユニット(C
P)により冷却される。
When the exposure processing is completed, the wafer transfer arm 34 of the interface section 30 receives the wafer W, and carries the received wafer W into the transfer unit 54b belonging to the processing section G9 of the processing set 20b in the processing station 20. The wafer W is cooled by the cooling plate therein. Then, the main wafer transfer mechanism 21b receives the wafer W, loads it into one of the developing units (DEV), and performs a developing process. When the development process is completed, post baking is performed by one of the hot plate units (HP). After that, one of the tilt-pate units (C
P).

【0061】これらのうち、いずれかのタイミングで処
理セット20bから処理セット20aに、前述したセッ
ト間搬送機構により、搬送ユニット46bおよび53a
を介して半導体ウエハWが搬送され、所定の処理終了
後、半導体ウエハWはその主搬送機構21aのアームに
より搬送ユニット46aの載置台に載置される。そして
カセットステーション10のアーム4aがウエハWを受
け取り、カセット載置台2上の処理済みウエハ収容用の
カセット1の所定のウエハ収容溝に入れる。これにより
一連の処理が完了する。
At any time, the transport units 46b and 53a are transferred from the processing set 20b to the processing set 20a by the above-described transport mechanism between sets.
The semiconductor wafer W is transferred via the semiconductor wafer W, and after a predetermined process is completed, the semiconductor wafer W is mounted on the mounting table of the transfer unit 46a by the arm of the main transfer mechanism 21a. Then, the arm 4a of the cassette station 10 receives the wafer W and puts the wafer W into a predetermined wafer accommodating groove of the cassette 1 for accommodating the processed wafer on the cassette mounting table 2. Thus, a series of processing is completed.

【0062】このように、処理セットを2つ設け、セッ
ト間搬送機構により、隣り合う処理部G4,G8の搬送
ユニットを介して半導体ウエハを搬送するようにしたの
で、処理ユニットを極めて多くすることができ、スルー
プットが著しく向上するとともに、多様性の高い処理を
行うことができる。また、このように高スループットで
多様性の高い処理を実現しつつ、従来と同じように、一
つの搬送ステーションにより被処理体搬出入を行うこと
ができる。
As described above, two processing sets are provided, and the semiconductor wafer is transported by the transport mechanism between sets via the transport units of the adjacent processing units G4 and G8. Thus, throughput can be remarkably improved, and highly diversified processing can be performed. In addition, the processing object can be loaded and unloaded by one transfer station as in the related art while realizing high throughput and highly diversified processing.

【0063】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形が可能である。例えば、上記実施の
形態では、処理セットを2つ設けた場合について説明し
たが、2つに限るものではない。また、被処理体も半導
体ウエハに限らず、LCD基板、ガラス基板、CD基
板、フォトマスク、プリント基板等種々のもの適用可能
である。
The present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the case where two processing sets are provided has been described, but the number of processing sets is not limited to two. Also, the object to be processed is not limited to a semiconductor wafer, and various objects such as an LCD substrate, a glass substrate, a CD substrate, a photomask, and a printed substrate can be applied.

【0064】[0064]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の処理ユニットを積層してなる処理部を搬送路の周
囲に配置した処理セットを複数設け、セット間搬送機構
によりこれら処理セット間で被処理体を搬送するように
したので、極めてスループットを高くすることができ、
また多様性の高い処理を実現することができる。
As described above, according to the present invention,
A plurality of processing sets in which processing units each formed by stacking a plurality of processing units are arranged around the transport path are provided, and the processing target is transported between the processing sets by the transport mechanism between sets, so that the throughput is extremely high. Can be
In addition, highly diverse processing can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の処理装置の一実施形態に係るレジスト
液塗布・現像処理システムを示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing a resist liquid application / development processing system according to an embodiment of a processing apparatus of the present invention.

【図2】図1のレジスト液塗布・現像処理システムを示
す側面図。
FIG. 2 is a side view showing the resist liquid application / development processing system of FIG. 1;

【図3】図1のレジスト液塗布・現像処理システムを示
す背面図。
FIG. 3 is a rear view showing the resist liquid application / development processing system of FIG. 1;

【図4】図1の装置に用いられる、処理セット間で被処
理体を搬送するための機構の一例を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a mechanism used in the apparatus of FIG. 1 for transporting an object to be processed between processing sets.

【図5】図1の装置に用いられる、処理セット間で被処
理体を搬送するための機構の他の例を示す図。
FIG. 5 is a view showing another example of a mechanism used for the apparatus shown in FIG. 1 for transporting an object to be processed between processing sets.

【図6】図1のレジスト液塗布・現像処理システムにお
ける清浄空気の流れを示す概略図。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a flow of clean air in the resist liquid application / development processing system of FIG. 1;

【図7】図1のレジスト液塗布・現像処理システムにお
ける雰囲気制御系を示す概略図。
FIG. 7 is a schematic diagram showing an atmosphere control system in the resist liquid application / development processing system of FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10……カセットステーション 20……処理ステーション 20a,20b……処理セット 21a,21b……主基板搬送機構 22a,22b……搬送路 46a,53b……搬送ユニット G1,G2,G3,G4,G57,G6,G7、G8,
G9,G10……処理部
10 Cassette station 20 Processing station 20a, 20b Processing set 21a, 21b Main substrate transport mechanism 22a, 22b Transport path 46a, 53b Transport unit G1, G2, G3, G4, G57, G6, G7, G8,
G9, G10 Processing unit

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理体に対して複数工程からなる処理
を施す処理装置であって、 鉛直方向に沿って延在する搬送路と、 この搬送路の周囲に配置され、各々被処理体に対して所
定の処理を施す複数の処理ユニットを鉛直方向に積層し
て構成される複数の処理部と、 前記搬送路を移動するとともに、前記複数の処理部の各
処理ユニットに対して前記被処理体を搬入出する主搬送
機構と、 を備えた複数の処理セットを有し、 さらに、隣接する処理セット間で被処理体を搬送するセ
ット間搬送機構を有することを特徴とする処理装置。
1. A processing apparatus for performing a process consisting of a plurality of processes on an object to be processed, comprising a transport path extending along a vertical direction, and disposed around the transport path. A plurality of processing units configured to vertically stack a plurality of processing units for performing predetermined processing on the processing path; A processing apparatus comprising: a plurality of processing sets each including: a main transport mechanism for carrying in / out a body; and an inter-set transport mechanism for transporting an object to be processed between adjacent processing sets.
【請求項2】 前記隣接する各処理セットは、搬送ユニ
ットを有する処理部を少なくとも一つ有し、これら搬送
ユニットを有する処理部が隣り合うように配置され、前
記セット間搬送機構は、これら隣り合う処理部の各搬送
ユニットを介して基板を搬送することを特徴とする請求
項1に記載の処理装置。
2. Each of the adjacent processing sets has at least one processing unit having a transport unit, and the processing units having these transport units are arranged so as to be adjacent to each other. The processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is transported via each transport unit of a matching processing unit.
【請求項3】 前記隣り合う処理部の各搬送ユニットは
同じ高さに配置されていることを特徴とする請求項2に
記載の処理装置。
3. The processing apparatus according to claim 2, wherein the transport units of the adjacent processing units are arranged at the same height.
【請求項4】 被処理体に対してレジスト塗布・現像処
理を施す処理装置であって、 鉛直方向に沿って延在する搬送路と、 この搬送路の周囲に配置され、被処理体にレジストを塗
布するレジスト塗布ユニットおよび/またはレジストの
パターンを現像する現像ユニットを含む処理ユニットを
含む複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成され
る少なくとも一つの第1の処理部と、 被処理体を加熱する加熱ユニットと、被処理体を冷却す
る冷却ユニットと、被処理体を搬送する搬送ユニットと
を含む複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成さ
れる第2の処理部と、 前記搬送路を移動するとともに、前記複数の処理部の各
処理ユニットに対して前記被処理体を搬入出する主搬送
機構と、 を備えた複数の処理セットを有し、 さらに、隣接する処理セット間で被処理体を搬送するセ
ット間搬送機構を有し、 前記隣接する各処理セットは、第2の処理部が隣り合う
ように配置され、前記セット間搬送機構は、これら隣り
合う第2の処理部の各搬送ユニットを介して被処理体を
搬送することを特徴とする処理装置。
4. A processing apparatus for applying and developing a resist on an object to be processed, comprising: a transport path extending along a vertical direction; At least one first processing unit configured by vertically stacking a plurality of processing units including a processing unit including a resist coating unit that applies a resist and / or a developing unit that develops a resist pattern; A second processing unit configured by vertically stacking a plurality of processing units including a heating unit that heats the object, a cooling unit that cools the object, and a transport unit that transports the object, A main transport mechanism for moving the transport path and loading / unloading the object to / from each of the processing units of the plurality of processing units; and a plurality of processing sets comprising: An inter-set transport mechanism for transporting an object to be processed between adjacent processing sets, wherein each of the adjacent processing sets is disposed such that a second processing unit is adjacent to the other processing set, and the inter-set transport mechanism is adjacent to the second processing unit. A processing apparatus that transports an object to be processed via each transport unit of a second processing unit.
【請求項5】 被処理体に対してレジスト塗布・現像処
理を施す処理装置であって、 被処理体に対してレジスト塗布および現像処理を含む一
連の処理を施す処理ステーションと、 他の装置との間および前記処理ステーションとの間で被
処理体の受け渡しを行う搬送ステーションと、 前記処理ステーションとの間および露光装置との間で被
処理体の受け渡しを行うインターフェイス部と、 を具備し、 前記処理ステーションは、 鉛直方向に沿って延在する搬送路と、 この搬送路の周囲に配置され、被処理体にレジストを塗
布するレジスト塗布ユニットおよび/またはレジストの
パターンを現像する現像ユニットを含む処理ユニットを
含む複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成され
る少なくとも一つの第1の処理部と、 被処理体を加熱する加熱ユニットと、被処理体を冷却す
る冷却ユニットと、被処理体を搬送する搬送ユニットと
を含む複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成さ
れる第2の処理部と、 前記搬送路を移動するとともに、前記複数の処理部の各
処理ユニットに対して前記被処理体を搬入出する主搬送
機構と、 を備えた複数の処理セットを有し、 さらに、隣接する処理セット間で被処理体を搬送するセ
ット間搬送機構を有し、 前記隣接する各処理セットは、第2の処理部が隣り合う
ように配置され、前記セット間搬送機構は、これら隣り
合う第2の処理部の各搬送ユニットを介して被処理体を
搬送することを特徴とする処理装置。
5. A processing apparatus for performing a resist coating and developing process on an object to be processed, comprising: a processing station for performing a series of processes including a resist coating and developing process on the object to be processed; And a transfer station that transfers the object between the processing station and the processing station; and an interface unit that transfers the object between the processing station and the exposure apparatus. The processing station includes a transport path extending in the vertical direction, a resist coating unit that is disposed around the transport path, and applies a resist to a workpiece and / or a developing unit that develops a pattern of the resist. Heating at least one first processing unit configured by stacking a plurality of processing units including units in the vertical direction; A second processing unit configured by vertically stacking a plurality of processing units including a heating unit, a cooling unit for cooling an object to be processed, and a transport unit for transporting the object, and the transport path And a main transport mechanism for carrying the object in and out of each of the processing units of the plurality of processing units, and a plurality of processing sets comprising: An inter-set transport mechanism for transporting the processing objects, wherein each of the adjacent processing sets is arranged such that a second processing unit is adjacent to the processing unit; A processing apparatus for transporting an object to be processed via each transport unit.
【請求項6】 前記隣り合う第2の処理部の各搬送ユニ
ットは同じ高さに配置されていることを特徴とする請求
項4または請求項5に記載の処理装置。
6. The processing apparatus according to claim 4, wherein the transport units of the adjacent second processing units are arranged at the same height.
【請求項7】 前記搬送ユニットは、2つの搬送ポート
を有し、被処理体を搬入する場合と搬出する場合とでそ
れぞれ異なる搬送ポートを用いることを特徴とする請求
項2ないし請求項6のいずれか1項に記載の処理装置。
7. The transport unit according to claim 2, wherein the transport unit has two transport ports, and uses different transport ports for loading and unloading the object to be processed. The processing device according to claim 1.
【請求項8】 前記セット間搬送機構は、一方の搬送ユ
ニットと他方の搬送ユニットとの間で被処理体を搬送す
る搬送アームを有することを特徴とする請求項2ないし
請求項7のいずれか1項に記載の処理装置。
8. The set-to-set transfer mechanism has a transfer arm for transferring an object to be processed between one transfer unit and the other transfer unit. The processing device according to claim 1.
【請求項9】 前記セット間搬送機構は、前記搬送ユニ
ットにおける被処理体ステージを移動し、これにより一
方の搬送ユニットと他方の搬送ユニットとの間で被処理
体を搬送する移動手段を有することを特徴とする請求項
2ないし請求項7のいずれか1項に記載の処理装置。
9. The inter-set transport mechanism includes a moving unit that moves a workpiece stage in the transport unit, and thereby transports a workpiece between one transport unit and the other transport unit. The processing device according to any one of claims 2 to 7, wherein:
【請求項10】 前記各処理セットは、前記搬送路にダ
ウンフローを形成するダウンフロー形成手段をさらに有
することを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれ
か1項に記載の処理装置。
10. The processing apparatus according to claim 1, wherein each of the processing sets further includes a downflow forming unit that forms a downflow in the transport path.
【請求項11】 前記ダウンフロー形成手段は、前記搬
送路の上端に設けられた気体取り入れ口と、前記搬送路
の下端に設けられた排気口と、前記気体取り入れ口に設
けられ、取り入れられた気体を清浄化するフィルタ機構
とを有することを特徴とする請求項10に記載の処理装
置。
11. The downflow forming means is provided at a gas intake port provided at an upper end of the transport path, an exhaust port provided at a lower end of the transport path, and provided at the gas intake port. The processing apparatus according to claim 10, further comprising a filter mechanism for purifying gas.
【請求項12】 前記各処理セットは、前記搬送路の雰
囲気を制御する雰囲気制御手段をさらに有することを特
徴とする請求項1ないし請求項11のいずれか1項に記
載の処理装置。
12. The processing apparatus according to claim 1, wherein each of the processing sets further includes an atmosphere control unit that controls an atmosphere of the transport path.
【請求項13】 前記雰囲気制御手段は、各処理セット
の搬送路の雰囲気を個別的に制御することを特徴とする
請求項12に記載の処理装置。
13. The processing apparatus according to claim 12, wherein said atmosphere control means individually controls the atmosphere of the transport path of each processing set.
【請求項14】 前記各処理セットの第2の処理部のう
ち少なくとも一つは、加熱ユニットと、冷却ユニット
と、搬送ユニットとからなり、搬送ユニットを挟んで上
方位置に加熱ユニットが、下方位置に冷却ユニットが配
置されることを特徴とする請求項4または請求項5に記
載の処理装置。
14. At least one of the second processing units of each of the processing sets includes a heating unit, a cooling unit, and a transport unit. The processing apparatus according to claim 4, wherein a cooling unit is disposed in the processing unit.
【請求項15】 前記各処理セットの第2の処理部のう
ち少なくとも一つは、加熱ユニットと、冷却ユニット
と、搬送ユニットの他に、被処理体に対して疎水化処理
を施すアドヒージョン処理ユニットを含み、搬送ユニッ
トを挟んで上方位置に上から加熱ユニットおよび冷却ユ
ニットが、下方位置にアドヒージョン処理ユニットが配
置され、前記搬送路にダウンフローを形成するダウンフ
ロー形成手段を具備することを特徴とする請求項4また
は請求項5に記載の処理装置。
15. An adhesion processing unit for performing a hydrophobic treatment on an object to be processed, in addition to a heating unit, a cooling unit, and a transport unit, at least one of the second processing units in each of the processing sets. Including a heating unit and a cooling unit from above at a position above the transfer unit, an adhesion processing unit disposed at a position below, and a downflow forming means for forming a downflow in the transfer path. The processing device according to claim 4 or 5, wherein
【請求項16】 前記搬送ステーションは、前記処理ス
テーションの一方側に設けられ、前記搬送ステーション
に隣接する一方の処理セットから前記セット間搬送機構
によりそれに隣接する他方の処理セットに搬送され、処
理終了後は、前記他方の処理セットからセット間搬送機
構により前記一方の処理セットへ戻され、さらに前記搬
送ステーションに戻されることを特徴とする請求項5に
記載の処理装置。
16. The transfer station is provided on one side of the processing station, and is transferred from one processing set adjacent to the transfer station to another adjacent processing set by the inter-set transfer mechanism, and the processing is terminated. 6. The processing apparatus according to claim 5, wherein the processing set is returned from the other processing set to the one processing set by an inter-set transfer mechanism, and further returned to the transfer station.
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