JP3417759B2 - 半導体装置のランプ加熱による熱処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特に
不揮発性メモリであるフラッシュＥＥＰＲＯＭの製造装
置に係り、詳しくは、ランプ加熱による熱処理炉に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、第３５回 ＶＬＳＩ ＦＯＲＵＭ「極薄酸化膜
の新しい形成法と信頼性」（９４年２月２５日（株）プ
レスジャーナル主催）に開示されるものがあった。

【０００３】上記文献に示されるメモリのトンネル酸化
膜は、浮遊ゲートの電荷を保持するための絶縁膜として
機能している。

【０００４】一般に、従来のメモリのトンネル酸化膜は
書き込みの際、電荷が貫通することと、消去時トンネル
電流にて電荷を引き込むため、膜厚は８０〜１２０Åと
極薄膜で、高い信頼性が必要とされており、上記文献に
開示されているように、酸化膜の窒化による酸窒化膜が
使用されている。

【０００５】図１２はかかる従来のメモリのトンネル酸
窒化膜の製造工程図であり、各図は製造段階で得られた
構造体の断面を概略的に示している。

【０００６】（１）まず、図１２（ａ）に示すように、
基板１００の表面にＬＯＣＯＳ技術を用いて分離酸化膜
１０１を形成し、アクティブ領域１０２を形成する。

【０００７】（２）次に、図１２（ｂ）に示すように、
アクティブ領域１０２に酸化膜１０３を急速熱処理酸化
法（ＲＴＯ）により形成する。

【０００８】（３）次に、その酸化膜１０３を、図１２
（ｃ）に示すように、急速熱処理窒化法（ＲＴＮ）によ
り窒化し、酸窒化膜１０４を形成する。また、一般に窒
化においてＮＨ₃ 雰囲気が用いられることから、膜の信
頼性向上を目的として酸窒化膜１０４の脱水素の処理と
して、Ｎ₂ Ｏ雰囲気で急速熱処理酸窒化法（ＲＴＯＮ）
による再酸化処理を行っている。

【０００９】（４）次に、図１２（ｄ）に示すように、
酸窒化膜１０４上に浮遊ゲート１０５と層間絶縁膜１０
６及び制御ゲート１０７を形成し、ソース領域１０８と
ドレイン領域１０９を形成する。

【００１０】このようにして、フラッシュＥＥＰＲＯＭ
のセルトランジスタを形成することができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のメモリのトンネル酸窒化膜の製造方法では、ウ
エハ間、つまり処理毎の成膜膜厚がばらつき、再現性に
問題点があり、技術的に満足できるものは得られなかっ
た。

【００１２】その膜厚の再現性について実験したデータ
をもとに詳細に説明する。

【００１３】従来の製造装置による急速熱処理酸化法
（ＲＴＯ）＋急速熱処理窒化法（ＲＴＮ）＋急速熱処理
酸窒化法（ＲＴＯＮ）による３ステップ処理のシーケン
ス例を図１３に示す。温度シーケンスは急速加熱仕様で
ある。

【００１４】まず、ウエハを搬入すると、チャンバーに
流していたＮ₂ ガスを止め、チャンバー内を真空ポンプ
で、１Ｅ−１Ｔｏｒｒ以下の真空度まで引く。

【００１５】次に、Ｏ₂ ガスを流して大気圧まで戻し、
ランプ加熱により５０〜２００℃／秒のレートで昇温さ
せ、１０００〜１１００℃で所定膜厚の酸化膜を生成す
る。

【００１６】次に、ランプを切り６００℃以下まで降温
させ、再度真空ポンプで、１Ｅ−１Ｔｏｒｒ以下まで真
空を引き、Ｏ₂ ガスを除去し、ＮＨ₃ ガスを流して大気
圧まで戻す。

【００１７】次に、ランプ加熱により酸化工程と同様に
ウエハ温度を昇温させ、窒化工程を完了させる。

【００１８】次に、酸化工程と同様に真空ポンプにてＮ
Ｈ₃ ガスを除去し、Ｎ₂ Ｏガスを流し大気圧まで戻し、
酸化工程と同様にウエハを昇温させ、再酸化処理を完了
させ、３ステップ処理でのトンネル酸窒化膜の生成が終
了する。

【００１９】まず、最初の酸化工程であるＲＴＯの再現
性、つまり、繰り返し精度の実験結果を図１４に示す。
この図において、縦軸は酸化膜厚（Å）、横軸は処理枚
数を示している。

【００２０】この図に示すように、２５枚連続してＲＴ
Ｏ（１１００℃×４０秒）で処理すると１枚目では、１
１９．８Åであったものが、１０枚目で１２１．０Å、
１５枚目で１２０．６Å、２５枚目では１２３．６Å
と、膜厚が３．２％厚くなっており、ロット処理におい
て問題となっていた。ここでは図示しないが、ＲＴＯ＋
ＲＴＮ＋ＲＴＯＮの３ステップ処理においても、最初の
ＲＴＯのステップで膜厚の増加が見られることから、ト
ンネル膜として大きな問題であった。

【００２１】酸窒化膜をトンネル酸化膜として機能させ
ると、トンネル電流は近似的に電界の二乗に比例し、電
界は膜厚に反比例するから、膜厚の増加はトンネル電流
を二次の関係で減少させるため、ウエハ間の膜厚差は少
ない程良く、一般に３σで±３Å程度がデバイスの動作
上の限界であり、従来の酸窒化成膜炉は、その限界を越
えていた。

【００２２】この膜厚の増加の原因について、図１５を
用いて説明する。

【００２３】図１５は従来の赤外線放射温度計の断面図
であり、枝管３００と赤外線放射温度計本体４０１の気
密を取るためのＯリング４０２と、測温赤外線を取り出
す窓ガラス４０３と、その気密のためのＯリング４０４
および、赤外線光学系４０５と赤外線検出器４０６で構
成されている。

【００２４】膜厚の増加がみられた際、窓ガラス４０３
を見ると表面に僅かな「曇り」があり、またＯリング４
０２を点検すると枝管３００に融着していた。そのた
め、窓ガラス４０３の表面にあった「曇り」はＯリング
４０２が融けた際の「煙」が付着したと判定した。その
後、窓ガラス４０３の表面を拭き取り、装置を作動させ
たが、２００〜３００枚程度処理すると、ガス切り替え
の真空ステップにおいて、真空引き時間の増加がみら
れ、到達真空度も一桁悪化し、再度Ｏリング４０２を点
検すると、クラックが入っており、微小リークが発生し
ていることが判明した。

【００２５】このＯリング４０２の融着の原因につい
て、図１６と図１７を用いて説明する。

【００２６】図１６に示すように、枝管３００は内径１
０ｍｍ、外径１５ｍｍの石英製のパイプで、Ｏリング４
０２は枝管３００の付け根より１００ｍｍの位置に気密
のため固定されている。

【００２７】また、加熱炉について見ると、図１７に示
すように、石英ガラス製チャンバー２００には反射鏡２
０１を具備したハロゲンランプ２０２が、十数本から数
十本上下に対向して取り付けられている。チャンバー２
００内にはウエハを支持するウエハトレイ２０３とウエ
ハ２０４があり、ハロゲンランプ２０２により、ウエハ
温度１２００℃程度まで昇温可能な構造であり、チャン
バー２００の下面には測温のための枝管３００と、その
先端には赤外線放射温度計６００が具備されており、ウ
エハ２０４の測温を行っている。

【００２８】また、赤外線放射温度計６００の測温信号
はランプ電力制御器５００に送られ、ハロゲンランプ２
０２をクローズドループ制御しており、ウエハ２０４の
温度を設定値に制御している。

【００２９】更に、チャンバー２００には排気管２０５
及び真空バルブとＡＰＣ（自動真空度制御器）２０６
と、ターボ分子ポンプ２０７及びロータリーポンプ２０
８によってチャンバー２００内の真空引きを行ってい
る。

【００３０】また、チャンバー２００にはガス導入口２
０９及びバルブ２１０〜２１４により、各種ガスの導入
が可能となっている。

【００３１】したがって、枝管３００の付け根（チャン
バー２００との接合部分）の温度は加熱処理時、最高で
６００℃程度に加熱されており、Ｏリング４０２の融着
が熱伝導によるものであるか否かを検討する。

【００３２】枝管３００の断面積は約１ｃｍ² であり、
石英の熱伝導率は０．００３３９ｃａｌ・℃／ｃｍ・ｓ
と言われており、仮に５ｃｍの距離を熱伝導するとし
て、温度差は一端が６００℃で、Ｏリングがシリコンゴ
ム製であり、耐熱３００℃とし、その差を３００℃とす
ると、０．００３３９×３００／５＝０．２０となり、
０．２ｃａｌの熱が伝導する。

【００３３】一方、空気中への熱伝導での伝導距離は、
対流が引き起こす境界相の厚さであり、秒速１ｃｍの対
流の場合、ほぼ１ｃｍであり、また、空気の伝導率は
０．００００６８２ｃａｌ・℃／ｃｍ・ｓであり、同様
に枝管３００の５ｃｍの距離の熱伝導は、０．００００
６８２×（３００／２）×４．７（表側の表面積）×５
で近似させることができ、伝導熱量は０．２４ｃａｌ／
ｓである。なお、温度差３００℃を２で割っているの
は、表面より熱放散しているため、枝管３００の付け根
では６００℃であるが、伝導するとその温度は低下し、
５ｃｍの距離の熱伝導でのシリコンゴムの耐熱性の３０
０℃と仮定したので、近似的に半分としたためである。

【００３４】この近似計算によると、５ｃｍの距離の熱
伝導でも、表面からの熱放散（熱伝導）量の方が多く、
この熱処理炉では１０ｃｍであり、かつ、シリコンゴム
の耐熱性は３００℃であることから、融着の原因を熱伝
導では説明することができない。

【００３５】しかし、チャンバー２００には、加熱用の
ハロゲンランプ２０２が具備されており、その加熱容量
は約２ＫＷ／ｃｍ² であり、熱量換算すると、１０．７
５ｃａｌ／ｓ・ｃｍ² であり、ウエハ２０４を１００〜
２００℃／ｓの昇温速度で１２００℃程度まで加熱でき
るエネルギー密度であり、伝導熱量の５０倍以上であ
る。

【００３６】また、加熱ランプのスペクトル波長は０．
５〜３μｍであり、枝管３００は石英製であるところか
ら、透過しやすく熱エネルギーは容易に枝管３００を伝
達することができ、また、閉ざされた空間であるためエ
ネルギー密度の低下も少ないと考えられ、枝管３００の
表面に固定されているＯリング４０２の表面が加熱溶融
したと判断することができる。つまり、Ｏリング４０２
融着の原因とした。

【００３７】このランプ輻射熱の伝達を防止する方法と
して、枝管３００の材質を不透明化することも考えられ
るが、石英ガラスと同等の熱膨張係数の材質はなく、た
とえあったとしても、枝管３００が途中で熱エネルギー
を吸収し高温化するため、枝管３００の一端を具備して
いる赤外線放射温度計６００に輻射し、測温誤差が生じ
ることから、単純なガラス材変更では済まない技術的な
問題があった。

【００３８】本発明は、上記問題点を除去し、赤外線放
射温度計への無用な輻射を無くし、測温を正確に行うこ
とができる半導体装置のランプ加熱による熱処理装置を
提供することを目的とする。

【００３９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、チャンバーと、このチャンバーから延び
る石英製枝管と、この石英製枝管に対応する赤外線放射
温度計本体とを具備する半導体装置のランプ加熱による
熱処理装置において、 （１）前記石英製枝管の先端部の外周部に溶着される石
英製接続枝管と、この石英製接続枝管の先端部にＯリン
グを介して取り付けられる赤外線放射温度計本体とを具
備するようにしたものである。

【００４０】（２）前記石英製枝管の先端部に内周から
外周にかけて４５°以下の鋭角を持った形状のテーパ面
と、前記石英製枝管の先端部の外周部に溶着される石英
製接続枝管と、この石英製接続枝管の先端部にＯリング
を介して取り付けられる赤外線放射温度計本体とを具備
するようにしたものである。

【００４１】（３）前記石英製枝管の先端部の外周部に
溶着される石英製接続枝管と、この石英製接続枝管の先
端部にＯリングを介して取り付けられる赤外線放射温度
計本体とを具備し、前記石英製枝管の先端部には、外周
から内周にかけて４５°以下のテーパ面を有するように
したものである。

【００４２】（４）前記石英製枝管の先端部の外周部に
溶着される石英製接続枝管と、この石英製接続枝管の先
端部にＯリングを介して取り付けられる赤外線放射温度
計本体とを具備し、前記石英製枝管の先端部には、外周
から中心部にかけて４５°以下の第１のテーパ面と、こ
れに向かい合った前記石英製枝管の先端部には、内周か
ら中心部にかけて４５°以下の第２のテーパ面を有する
ようにしたものである。

【００４３】（５）前記石英製枝管の先端部の内周部に
溶着される石英製接続枝管と、この石英製接続枝管の先
端部にＯリングを介して取り付けられる赤外線放射温度
計本体とを具備するようにしたものである。

【００４４】（６）前記石英製枝管の先端部の内周部に
溶着されるとともに、基端部の外周から内周にかけて４
５°以下のテーパ面を有する石英製接続枝管と、この石
英製接続枝管の先端部にＯリングを介して取り付けられ
る赤外線放射温度計本体とを具備するようにしたもので
ある。

【００４５】（７）前記石英製枝管の先端部の内周部に
溶着されるとともに、基端部の外周から内周にかけて４
５°以下のテーパ面を有する石英製接続枝管と、この石
英製接続枝管の先端部にＯリングを介して取り付けられ
る赤外線放射温度計本体とを具備し、前記石英製枝管の
先端部には、外周から内周にかけて４５°以下のテーパ
面を有するようにしたものである。

【００４６】（８）前記石英製枝管の先端部の内周部に
溶着されるとともに、基端部の外周から内周にかけて４
５°以下のテーパ面を有する石英製接続枝管と、この石
英製接続枝管の先端部にＯリングを介して取り付けられ
る赤外線放射温度計本体とを具備し、前記石英製枝管の
先端部には、外周から中心部にかけて４５°以下の第１
のテーパ面と、これに向かい合った前記石英製枝管の先
端部には、内周から中心部にかけて４５°以下の第２の
テーパ面を有するようにしたものである。

【００４７】（９）前記石英製枝管の先端部のチャンバ
ー側に形成される臨界角である４４．４°より大きい角
度を有する溝と、この溝よりチャンバーとは反対側にＯ
リングを介して取り付けられる赤外線放射温度計本体と
を具備するようにしたものである。

【００４８】（１０）前記石英製枝管の外周面に形成さ
れる第１の溝及び前記石英製枝管の内周面に形成される
第２の溝と、前記石英製枝管の先端部にＯリングを介し
て取り付けられる赤外線放射温度計本体とを具備するよ
うにしたものである。

【００４９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００５０】図１は本発明の第１実施例を示す半導体不
揮発性メモリを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤
外線放射温度計を取り付ける石英製枝管の断面図であ
る。

【００５１】この実施例においては、赤外線放射温度計
を取り付けるための石英製枝管において、その枝管の途
中で一回り外径の大きい石英管（接続枝管）を溶着させ
た構造にしている。

【００５２】図１において、赤外線放射温度計本体６０
１には枝管３００と、この枝管３００の外径にほぼ等し
い内径を持った一回り外径の大きい接続枝管３１０が溶
着されており、気密が保たれている。また、接続枝管３
１０と赤外線放射温度計本体６０１の間にはＯリング４
０２が設けられており、接続枝管３１０と赤外線放射温
度計本体６０１との気密が保たれている。

【００５３】以下、この実施例の動作について説明す
る。

【００５４】図２は本発明の第１実施例の酸化（ＲＴ
Ｏ）工程の繰り返し精度の実験結果を示す図であり、縦
軸に酸化膜厚（Å）、横軸に処理枚数を示している。

【００５５】この図に示すように、１０枚連続したＲＴ
Ｏ（１１００℃×３０秒）処理では、平均値８６．１±
０．６Å（ただし、最初のウエハの値は除く）、再現性
σ／Ｘで０．７０％で、また、図示はしないが、それ以
上の処理枚数での膜厚の増加はみられず、１００枚程度
処理後、Ｏリングの点検を行ったが、融着はみられなか
った。

【００５６】その原因は、接続枝管３１０は枝管３００
より外径が大きく、管の軸上より投影すると、管断面は
食い違っており、枝管３００より伝達してきた熱エネル
ギー３０１は接続枝管３１０には伝達することができな
い、または、伝達することができても僅かな量である。

【００５７】また、熱エネルギーを途中で吸収したので
はないため、赤外線放射温度計への無用な輻射が無く、
測温誤差も発生しない。

【００５８】更に、枝管３００を伝達した熱エネルギー
３０１の波長スペクトルは、０．５〜３μｍであり、通
常使われる測温赤外線波長である４〜１０μｍとは異な
っているため、枝管３００の端面３１１より輻射した熱
エネルギー３０１による測温誤差も生じることはない。

【００５９】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。

【００６０】図３は本発明の第２実施例を示す半導体不
揮発性メモリを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤
外線放射温度計を取り付ける石英製枝管の断面図であ
る。

【００６１】この実施例では、赤外線放射温度計を取り
付けるための石英製枝管において、その枝管の途中で一
回り外径の大きい石英管（接続枝管）を溶着させ、かつ
外径の小さい方の石英管の先端の溶着部分の断面を外周
表面側に４５°以下の鋭角を持った形状のテーパ面を形
成するようにしたものである。

【００６２】図３に示すように、赤外線放射温度計本体
６０１には枝管３００と、この枝管３００の外径にほぼ
等しい内径を持った接続枝管３２０が溶着されており、
気密が保たれている。また、接続枝管３２０と赤外線放
射温度計本体６０１との間にはＯリング４０２が設けら
れており、接続枝管３２０と赤外線放射温度計本体６０
１と気密が保たれている。

【００６３】また、枝管３００の先端部の溶着部分には
外周表面側に４５°以下の鋭角のテーパ面３００Ａが形
成されており、波長２．２μｍでの石英の屈折率が１．
４３であり、臨界角が４４．４°であるため、入射角が
臨界角より大きくなり、枝管３００より伝達された熱エ
ネルギー３０１は、テーパ面３００Ａで全反射され、接
続枝管３２０の軸方向と直角で外周側に透過する。

【００６４】このように構成したので、第１実施例と同
様の効果を奏するとともに、以下のような効果を奏する
ことができる。

【００６５】枝管３００に伝達された熱エネルギー３０
１は、テーパ面３００Ａで全反射されるため、赤外線放
射温度計本体６０１には輻射せず、測温用赤外線の波長
において、４μｍ以下の短波長を採用することが可能に
なるとともに、赤外線放射温度計に無用な輻射が減少す
ることから、赤外線放射温度計の冷却に対する負荷も軽
減することができる。

【００６６】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。

【００６７】図４は本発明の第３実施例を示す半導体不
揮発性メモリを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤
外線放射温度計を取り付ける石英製枝管の断面図であ
る。

【００６８】この実施例では、赤外線放射温度計を取り
付けるための石英製枝管において、その枝管の途中で一
回り外径の大きい石英管（接続枝管）を溶着させ、かつ
外径の小さい方の石英管の先端部の溶着部分の断面を内
周表面側に４５°以下の鋭角を持ったテーパ面を形成す
るようにしたものである。

【００６９】図４に示すように、赤外線放射温度計本体
６０１には枝管３００と、この枝管３００の外径にほぼ
等しい内径を持った接続枝管３３０が溶着されており、
気密が保たれている。また、接続枝管３３０と赤外線放
射温度計本体６０１の間にはＯリング４０２が設けられ
ており、接続枝管３３０と赤外線放射温度計本体６０１
との気密が保たれている。

【００７０】また、枝管３００の先端部の溶着部分にお
いて、内周表面側に４５°以下の鋭角のテーパ面３００
Ｂが形成されており、波長２．２μｍでの石英の屈折率
が１．４３であり、臨界角が４４．４°であるため、入
射角が臨界角より大きくなり、枝管３００より伝達され
た熱エネルギー３０１は、テーパ面３００Ｂで全反射さ
れ、接続枝管３３０の軸方向と直角で内周側に透過し、
対向面のテーパ面３００Ｂで再度全反射し、枝管３００
を逆方向に伝達する。

【００７１】このように構成したので、第１実施例と同
様の効果を奏するとともに、次のような効果を奏するこ
とができる。

【００７２】枝管３００に伝達された熱エネルギー３０
１は、テーパ面３００Ｂで２回全反射され、枝管３００
に戻るため、赤外線放射温度計６０１には輻射せず、測
温用赤外線の波長において、４μｍ以下の短波長を採用
することが可能になるとともに、赤外線放射温度計に無
用な輻射が減少することから、赤外線放射温度計の冷却
に対する負荷も軽減することができる。また、枝管３０
０の外周表面より熱エネルギー３０１を放出していない
ため、外部への無用の加熱も起こすことはない。

【００７３】次に、本発明の第４実施例について説明す
る。

【００７４】図５は本発明の第４実施例を示す半導体不
揮発性メモリを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤
外線放射温度計を取り付ける石英製枝管の断面図であ
る。

【００７５】この実施例では、赤外線放射温度計を取り
付けるための石英製枝管において、その枝管の途中で一
回り外径の大きい石英管（接続枝管）を溶着させ、かつ
外径の小さい方の石英管の先端部の溶着部分の端面は直
角の頂角を持ち、二つの斜辺が等しい形状のテーパ面を
形成するようにしたものである。

【００７６】図５に示すように、赤外線放射温度計本体
６０１には枝管３００と、この枝管３００の外径にほぼ
等しい内径を持った接続枝管３４０が溶着されており、
気密が保たれている。また、接続枝管３４０にはＯリン
グ４０２が設けられており、接続枝管３４０と赤外線放
射温度計本体６０１との気密が保たれている。

【００７７】また、枝管３００の先端部の溶着部分の端
面は直角の頂角を持ち、二つの斜辺が等しい形状のテー
パ面３００Ｃ、及び３００Ｄを形成しているので、入射
角は両断面に対し４５°となり、波長２．２μｍでの石
英の屈折率が、１．４３での臨界角４４．４°より大き
いため、枝管３００より伝達された熱エネルギー３０１
は、テーパ面３００Ｃと３００Ｄとで２回全反射され、
枝管３００の、より外部に透過することなく、枝管３０
０を逆方向に伝達する。

【００７８】なお、テーパ面３００Ｃ及び３００Ｄの形
状は、換言すれば、枝管３００の先端部に外周から中心
部にかけて４５°以下の鋭角を持った形状の第１のテー
パ面３００Ｃと、これに向かい合った前記枝管３００の
先端部に内周から中心部にかけて４５°以下の鋭角を持
った形状の第２のテーパ面３００Ｄとから構成されてい
る。以下の関連実施例においても同様である。

【００７９】このように構成したので、第３実施例と同
様の効果を奏するとともに、以下に説明する効果を奏す
ることができる。

【００８０】枝管３００に伝達された熱エネルギー３０
１は、枝管３００の外部に透過することなく内部のみ
で、つまり枝管３００の先端部の溶着部分の端面が直角
の頂角を持ち、二つの斜辺が等しい形状のテーパ面３０
０Ｃ及び３００Ｄでの２回の全反射で、枝管３００に逆
方向に戻すことができるので、伝達する際、生成した平
行光線以外のエネルギー（赤外線）も効率良く反射させ
ることができる。

【００８１】次に、本発明の第５実施例について説明す
る。

【００８２】図６は本発明の第５実施例を示す半導体不
揮発性メモリを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤
外線放射温度計を取り付ける石英製枝管の断面図であ
る。

【００８３】この実施例では、赤外線放射温度計を取り
付けるための石英製枝管において、その枝管の途中で一
回り外径の小さい石英管（接続枝管）を溶着させて配置
するようにしたものである。

【００８４】図６に示すように、赤外線放射温度計本体
６０１には枝管３００と、この枝管３００の内径にほぼ
等しい外径を持った接続枝管３５０が溶着されており、
気密が保たれている。また、接続枝管３５０にはＯリン
グ４０２が設けられており、接続枝管３５０と赤外線放
射温度計本体６０１との気密が保たれている。

【００８５】接続枝管３５０は枝管３００より外径が小
さく、管の軸上より投影すると、管断面は食い違ってお
り、枝管３００より伝達してきた熱エネルギー３０１
は、接続枝管３５０には伝達することができない。また
は、伝達することができても僅かな量である。また、熱
エネルギー３０１を途中で吸収したのではないため、赤
外線放射温度計への無用な輻射が無く、測温誤差も発生
しない。

【００８６】このように構成したので、第１実施例と同
様の効果を奏することができるとともに、以下に説明す
る効果を奏することができる。

【００８７】枝管３００に伝達された熱エネルギー３０
１は、枝管の端面３５１で透過し、外部に放出するた
め、赤外線放射温度計本体６０１には輻射しない。その
ため測温用赤外線の波長において、４μｍ以下の短波長
を採用することが可能となるとともに、赤外線放射温度
計６０１に無用な輻射が減少することから、赤外線放射
温度計６０の冷却に対する負荷も軽減できる。また、チ
ャンバー側の枝管３００の内径が赤外線放射温度計６０
を固定している接続枝管３５０の内径より大きいため、
チャンバー内の反応雰囲気ガスの変更での枝管３００内
部の真空引きを、より速やかに実施することができる。

【００８８】次に、本発明の第６実施例について説明す
る。

【００８９】図７は本発明の第６実施例を示す半導体不
揮発性メモリを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤
外線放射温度計を取り付ける石英製枝管の断面図であ
る。

【００９０】この実施例では、赤外線放射温度計を取り
付けるための石英製枝管において、その枝管の途中で一
回り外径の小さい石英管（接続枝管）を溶着させ、か
つ、外径の小さい方の石英管（接続枝管）の基端部の溶
着部分の断面を、外周表面側に４０°以下の鋭角を持っ
たテーパ面を形成するようにしたものである。

【００９１】図７に示すように、赤外線放射温度計本体
６０１には枝管３００と、この枝管３００の内径にほぼ
等しい外径を持った接続枝管３６０が溶着されており、
気密が保たれている。また、接続枝管３６０にはＯリン
グ４０２が設けられたおり、赤外線放射温度計本体６０
１との気密が保たれている。接続枝管３６０は枝管３０
０より外径が小さく、管の軸上より投影すると、管断面
は食い違っており、枝管３００より伝達してきた熱エネ
ルギー３０１は、接続枝管３６０には伝達できない、ま
たは、伝達できても僅かな量である。

【００９２】また、熱エネルギー３０１を途中で吸収し
たのではないため、赤外線放射温度計６０１への無用な
輻射が無く、測温誤差も発生しない。また、接続枝管３
６０の基端部の溶着部分の断面において外周表面側に４
０°以下の鋭角を持ったテーパ面３００Ｅを形成してお
り、波長２．２μｍでの石英の屈折率が１．４３であ
り、臨界角が４４．４°であるため、入射角が臨界角よ
り小さくなり、枝管３００内部の輻射エネルギー３０２
は気体雰囲気側よりテーパ面３００Ｅで全反射され、接
続枝管３６０の軸方向に透過することができない。

【００９３】このように構成したので、第１実施例と同
様の効果を奏することができるとともに、以下に説明す
る効果を奏することができる。

【００９４】枝管３００内部の輻射エネルギー３０２
は、気体雰囲気側よりテーパ面３００Ｅで全反射され、
接続枝管３６０の軸方向に透過することができないた
め、Ｏリング４０２への熱負荷がさらに減少する。

【００９５】次に、本発明の第７実施例について説明す
る。

【００９６】図８は本発明の第７実施例を示す半導体不
揮発性メモリを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤
外線放射温度計を取り付ける石英製枝管の断面図であ
る。

【００９７】この実施例では、赤外線放射温度計を取り
付けるための石英製枝管において、その枝管の途中で一
回り外径の小さい石英管（接続枝管）を溶着させ、か
つ、外径の小さい方の石英管（接続枝管）の基端部の溶
着部分の断面を、外周表面側に４０°以下の鋭角を持っ
たテーパ面を形成するとともに、外径の大きい方の石英
管の先端部の溶着部分の断面を内周表面側に４５°以下
の鋭角を持ったテーパ面を形成し、かつこのテーパ面は
前記テーパ面と対向していないように互いにずらすよう
にしたものである。

【００９８】図８に示すように、赤外線放射温度計本体
６０１には、枝管３００とこの枝管３００の内径にほぼ
等しい外径を持った接続枝管３７０が溶着されており、
気密が保たれている。また、接続枝管３７０にはＯリン
グ４０２が設けられており、接続枝管３７０と赤外線放
射温度計本体６０１との気密が保たれている。接続枝管
３７０は枝管３００より外径が小さく、管の軸上より投
影すると、管断面は食い違っており、枝管３００より伝
達してきた熱エネルギー３０１は、接続枝管３７０には
伝達できない。または、伝達できても僅かな量である。
また、熱エネルギー３０１を途中で吸収したのではない
ため、赤外線放射温度計への無用な輻射が無く、測温誤
差も発生しない。

【００９９】また、枝管３００の先端部の溶着部分の断
面において、内周表面側に４５°以下の鋭角のテーパ面
３００Ｂを形成しており、臨界角より入射角が大きいた
め、枝管３００を伝達した熱エネルギー３０１はテーパ
面３００Ｂで全反射し、接続枝管３７０を透過し、同様
に対向するテーパ面３００Ｂで再度全反射し、枝管３０
０に戻る。

【０１００】また、接続枝管３７０の基端部の溶着部分
の断面において外周表面側に４０°以下の鋭角のテーパ
面３００Ｅを形成しており、入射角が臨界角より小さい
ため枝管３００内部の輻射エネルギー３０２は気体雰囲
気側よりテーパ面３００Ｅで全反射され、接続枝管３７
０の軸方向に透過することができない。

【０１０１】このように構成したので、第６実施例と同
様の効果を奏することができるとともに、以下に説明す
る効果を奏することができる。

【０１０２】枝管３００の外周表面より熱エネルギー３
０１を放出していないため、外部への無用の加熱も生じ
ない。また、これは枝管３００にテーパ面３００Ｂ、接
続枝管３７０にテーパ面３００Ｅを形成した構造であ
り、加工しやすいといった利点を有している。

【０１０３】次に、本発明の第８実施例について説明す
る。

【０１０４】図９は本発明の第８実施例を示す半導体不
揮発性メモリを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤
外線放射温度計を取り付ける石英製枝管の断面図であ
る。

【０１０５】この実施例では、赤外線放射温度計を取り
付けるための石英製枝管において、その枝管の途中で一
回り外径の小さい石英管（接続枝管）を溶着させ、か
つ、外径の小さい方の石英管（接続枝管）の基端部の溶
着部分の断面を、外周表面側に４０°以下の鋭角を持っ
たテーパ面３００Ｅを形成するとともに、外径の大きい
方の石英管３００の先端部の溶着部分の端面は直角の頂
角を持ち、二つの斜辺が等しい形状のテーパ面３００Ｃ
と３００Ｄを形成し、これらのテーパ面３００Ｃと３０
０Ｄと上記テーパ面３００Ｅとは対向しないように互い
にずらすようにしたものである。

【０１０６】図９に示すように、赤外線放射温度計本体
６０１には枝管３００と、この枝管３００の内径にほぼ
等しい外径を持った接続枝管３８０が溶着されており、
気密が保たれている。また、接続枝管３８０にはＯリン
グ４０２が設けられ、接続枝管３８０と赤外線放射温度
計本体６０１との気密が保たれている。接続枝管３８０
は枝管３００より外径が小さく、管の軸上より投影する
と、管断面は食い違っており、枝管３００より伝達して
きた熱エネルギー３０１は、接続枝管３８０には伝達で
きない、または、伝達できても僅かな量である。

【０１０７】このように構成したので、第１実施例と同
様の効果を奏することができるとともに、以下に説明す
る効果を奏することができる。

【０１０８】熱エネルギー３０１を途中で吸収したので
はないため、赤外線放射温度計６０１への無用な輻射が
無く、測温誤差も発生しない。また、枝管３００の溶着
部分の端面において直角の頂角を持ち、二つの斜辺が等
しい形状のテーパ面３００Ｃと３００Ｄであるため、入
射角は両テーパ面３００Ｃ及び３００Ｄに対し４５°と
なり、臨界角より大きいため、枝管３００より伝達され
た熱エネルギー３０１は、テーパ面３００Ｃと３００Ｄ
で２回全反射され、枝管３００より外部に透過すること
なく、枝管３００を逆方向に伝達する。

【０１０９】また、接続枝管３８０の基端部の溶着部分
の端面において外周表面側に４０°以下の鋭角のテーパ
面３００Ｅを形成されているので、入射角が臨界角より
小さいため、枝管３００内部の輻射エネルギー３０２は
気体雰囲気側よりテーパ面３００Ｅで全反射され、接続
枝管３８０の軸方向に透過することができない。

【０１１０】次に、本発明の第９実施例について説明す
る。

【０１１１】図１０は本発明の第９実施例を示す半導体
不揮発性メモリを製造するランプ加熱による熱処理炉の
赤外線放射温度計を取り付ける石英製枝管の断面図であ
る。

【０１１２】この実施例では、赤外線放射温度計を取り
付けるための石英製枝管において、その枝管の途中で、
シールのためのＯリングの位置より、チャンバー側に臨
界角より大きい角度の溝を形成し、その溝に反射板を埋
め込んだ構造にしたものである。

【０１１３】図１０に示すように、赤外線放射温度計本
体６０１には枝管３９０とＯリング４０２が設けられて
おり、枝管３９０と赤外線放射温度計本体６０１と間は
気密が保たれている。枝管３９０にはＯリング４０２の
位置より、チャンバー側に臨界角より大きい角度の溝３
９１を形成し、その溝３９１には反射板３９２が埋め込
まれているため、枝管３９０より伝達してきた熱エネル
ギー３０１は、反射板３９２により反射され、Ｏリング
４０２には到達しない、熱エネルギー３０１を途中で吸
収したのではないため、赤外線放射温度計への無用な輻
射が無く、測温誤差も発生しない。

【０１１４】このように構成したので、第１実施例と同
様の効果を奏することができるとともに、枝管３９０の
外径を変化させることなく、Ｏリング４０２への熱エネ
ルギー３０１の伝導を遮断することができる。

【０１１５】次に、本発明の第１０実施例について説明
する。

【０１１６】図１１は本発明の第１０実施例を示す半導
体不揮発性メモリを製造するランプ加熱による熱処理炉
の赤外線放射温度計を取り付ける石英製枝管の断面図で
ある。

【０１１７】この実施例では、赤外線放射温度計を取り
付けるための石英製枝管において、その枝管の途中で、
そのシールのためのＯリングの位置より、チャンバー側
に外周面に溝を形成し、その溝に対向しない位置の内周
面に溝を形成したものである。

【０１１８】図１１に示すように、赤外線放射温度計本
体６０１には枝管３９３とＯリング４０２が上記した実
施例と同様に設けられており、枝管３９３と赤外線放射
温度計本体６０１との間は、気密が保たれている。枝管
３９３にはＯリング４０２の位置より、チャンバー側で
外周面に溝３９４を形成し、その溝３９４に対向しない
位置の内周面に溝３９５を形成するようにしている。

【０１１９】そこで、枝管３９３の軸上より投影した場
合、溝３９４と溝３９５は重複しているため、枝管３９
３より伝達してきた熱エネルギー３０１は溝３９４及び
溝３９５により減衰される。一組の溝で約１０％の減衰
が得られるので、五組以上溝を形成し、５０％の減衰の
効果を得ることができる。

【０１２０】この実施例によれば、第１実施例と同様の
効果を奏することができるとともに、枝管３９３の外径
を変化させることなく、Ｏリング４０２への熱エネルギ
ーを減衰させることができる。

【０１２１】また、本発明によれば、第１０実施例では
溝を形成したが、溝の内面をスリガラス（細かい凹凸）
に仕上げると、熱エネルギーの減衰量を更に向上させる
ことができ、溝の組数を２〜３組程度に減少させること
ができる。

【０１２２】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。

【０１２３】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。

【０１２４】（１）請求項１記載の発明によれば、赤外
線放射温度計への無用な輻射を無くし、測温を正確に行
うことができる。

【０１２５】すなわち、石英製接続枝管は石英製枝管よ
り外径が大きく、管の軸上より投影すると、管断面は食
い違っており、石英製枝管より伝達してきた熱エネルギ
ーは石英製接続枝管には伝達できない、または、伝達で
きても僅かな量でしかない。また、熱エネルギーを途中
で吸収することはないので、赤外線放射温度計への無用
な輻射が無く、測温誤差が発生することはない。

【０１２６】また、石英製枝管を伝達した熱エネルギー
の波長スペクトルは、０．５〜３μｍであり、通常使わ
れる測温赤外線波長であるところの４〜１０μｍと異な
っているため、石英製枝管の端面より輻射した熱エネル
ギーによる測温誤差が生じることはない。

【０１２７】（２）請求項２記載の発明によれば、石英
製枝管に伝達された熱エネルギーは、その先端部のテー
パ面で全反射されるため、赤外線放射温度計本体には輻
射せず、測温用赤外線の波長において４μｍ以下の短波
長を採用することが可能になるとともに、赤外線放射温
度計に無用な輻射が減少することから、赤外線放射温度
計の冷却に対する負荷も軽減することができる。

【０１２８】（３）請求項３記載の発明によれば、石英
製枝管に伝達された熱エネルギーは、その先端部の対向
するテーパ面で２回全反射され、石英製枝管に戻るた
め、赤外線放射温度計には輻射せず、測温用赤外線の波
長において４μｍ以下の短波長を採用することが可能に
なるとともに、赤外線放射温度計に無用な輻射が減少す
ることから、赤外線放射温度計の冷却に対する負荷も軽
減することができる。

【０１２９】また、石英製枝管の外周表面より熱エネル
ギーを放出していないため、外部への無用の加熱が生じ
ることもない。

【０１３０】（４）請求項４記載の発明によれば、石英
製枝管に伝達された熱エネルギーは、その石英製枝管の
外部に透過することなく内部のみで、つまり石英製枝管
の先端部の溶着部分の端面が直角の頂角を持ち、二つの
斜辺が等しい形状のテーパ面の２回の全反射で、石英製
枝管に逆方向に戻すことができるので、伝達する際、生
成した平行光線以外のエネルギー（赤外線）も効率良く
反射させることができる。

【０１３１】（５）請求項５記載の発明によれば、石英
製枝管に伝達された熱エネルギーは石英製枝管の端面で
透過し、外部に放出するため、赤外線放射温度計本体に
は輻射しない。そのため測温用赤外線の波長において、
４μｍ以下の短波長を採用することが可能となるととも
に、赤外線放射温度計に無用な輻射が減少することか
ら、赤外線放射温度計の冷却に対する負荷も軽減するこ
とができる。

【０１３２】また、チャンバー側の石英製枝管の内径が
赤外線放射温度計を固定している石英製接続枝管の内径
より大きいため、チャンバー内の反応雰囲気ガスの変更
での石英製枝管内部の真空引きを、より速やかに実施す
ることができる。

【０１３３】（６）請求項６記載の発明によれば、石英
製枝管内部の輻射エネルギーは気体雰囲気側よりテーパ
面で全反射され、石英製接続枝管の軸方向に透過できな
いため、Ｏリングへの熱負荷がさらに減少する。

【０１３４】（７）請求項７記載の発明によれば、石英
製枝管の外周表面より熱エネルギーを放出していないた
め、外部への無用の加熱も生じない。また、これは石英
製枝管の先端部のテーパ面、石英製接続枝管にテーパ面
を形成した構造であり、加工しやすいといった利点を有
している。

【０１３５】（８）請求項８記載の発明によれば、熱エ
ネルギーを途中で吸収したのではないため、赤外線放射
温度計への無用な輻射が無く、測温誤差も発生しない。
また、石英製枝管の溶着部分の端面において直角の頂角
を持ち、二つの斜辺が等しい形状の第１のテーパ面及び
第２のテーパ面を形成したので、入射角は両テーパ面に
対し４５°となり、臨界角より大きいため、石英製枝管
より伝達された熱エネルギーは、両テーパ面で２回全反
射され、石英製枝管より外部に透過することなく、石英
製枝管を逆方向に伝達する。

【０１３６】また、石英製接続枝管の基端部の溶着部分
の端面において外周表面側に４０°以下の鋭角のテーパ
面が形成されているので、入射角が臨界角より小さいた
め、石英製枝管内部の輻射エネルギーは気体雰囲気側よ
りテーパ面で全反射され、石英製接続枝管の軸方向に透
過することができない。

【０１３７】（９）請求項９記載の発明によれば、石英
製枝管の外径を変化させることなく、Ｏリングへの熱エ
ネルギーの伝導を遮断することができる。

【０１３８】（１０）請求項１０記載の発明によれば、
石英製接続枝管の外径を変化させることなく、Ｏリング
への熱エネルギーを減衰させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示す半導体不揮発性メモ
リを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤外線放射温
度計を取り付ける石英製枝管の断面図である。

【図２】本発明の第１実施例の酸化（ＲＴＯ）工程の繰
り返し精度の実験結果を示す図である。

【図３】本発明の第２実施例を示す半導体不揮発性メモ
リを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤外線放射温
度計を取り付ける石英製枝管の断面図である。

【図４】本発明の第３実施例を示す半導体不揮発性メモ
リを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤外線放射温
度計を取り付ける石英製枝管の断面図である。

【図５】本発明の第４実施例を示す半導体不揮発性メモ
リを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤外線放射温
度計を取り付ける石英製枝管の断面図である。

【図６】本発明の第５実施例を示す半導体不揮発性メモ
リを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤外線放射温
度計を取り付ける石英製枝管の断面図である。

【図７】本発明の第６実施例を示す半導体不揮発性メモ
リを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤外線放射温
度計を取り付ける石英製枝管の断面図である。

【図８】本発明の第７実施例を示す半導体不揮発性メモ
リを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤外線放射温
度計を取り付ける石英製枝管の断面図である。

【図９】本発明の第８実施例を示す半導体不揮発性メモ
リを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤外線放射温
度計を取り付ける石英製枝管の断面図である。

【図１０】本発明の第９実施例を示す半導体不揮発性メ
モリを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤外線放射
温度計を取り付ける石英製枝管の断面図である。

【図１１】本発明の第１０実施例を示す半導体不揮発性
メモリを製造するランプ加熱による熱処理炉の赤外線放
射温度計を取り付ける石英製枝管の断面図である。

【図１２】従来のメモリのトンネル酸窒化膜の製造工程
図である。

【図１３】従来の半導体不揮発性メモリの酸窒化膜の形
成工程の３ステップ処理シーケンス例を示す図である。

【図１４】従来の酸化（ＲＴＯ）工程の繰り返し精度の
実験結果を示す図である。

【図１５】従来の赤外線放射温度計の断面図である。

【図１６】従来の赤外線放射温度計の枝管の断面図であ
る。

【図１７】従来の半導体不揮発性メモリを製造するラン
プ加熱による熱処理炉の構成図である。

【符号の説明】

３００，３９０，３９３ 枝管 ３００Ａ，３００Ｂ，３００Ｃ，３００Ｄ，３００Ｅ
テーパ面 ３０１，３０２ エネルギー ３１０，３２０，３３０，３４０，３５０，３６０，３
７０，３８０ 接続枝管 ３１１，３５１ 枝管の端面 ３９１，３９４，３９５ 溝 ３９２ 反射板 ４０２ Ｏリング ６０１ 赤外線放射温度計本体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/8247 Ｈ０１Ｌ 29/78 ３７１ 29/788 29/792 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/31 C23C 16/44 G01J 5/02 H01L 21/26 H01L 21/324 H01L 21/8247 H01L 29/788 H01L 29/792

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チャンバーと、該チャンバーから延びる
   石英製枝管と、該石英製枝管に対応する赤外線放射温度
   計本体とを具備する半導体装置のランプ加熱による熱処
   理装置において、 （ａ）前記石英製枝管の先端部の外周部に溶着される石
   英製接続枝管と、 （ｂ）該石英製接続枝管の先端部にＯリングを介して取
   り付けられる赤外線放射温度計本体とを具備する半導体
   装置のランプ加熱による熱処理装置。
2. 【請求項２】 チャンバーと、該チャンバーから延びる
   石英製枝管と、該石英製枝管に対応する赤外線放射温度
   計本体とを具備する半導体装置のランプ加熱による熱処
   理装置において、 （ａ）前記石英製枝管の先端部の外周部に溶着される石
   英製接続枝管と、 （ｂ）該石英製接続枝管の先端部にＯリングを介して取
   り付けられる赤外線放射温度計本体とを具備し、 （ｃ）前記石英製枝管の先端部には、内周から外周にか
   けて４５°以下のテーパ面を有することを特徴とする半
   導体装置のランプ加熱による熱処理装置。
3. 【請求項３】 チャンバーと、該チャンバーから延びる
   石英製枝管と、該石英製枝管に対応する赤外線放射温度
   計本体とを具備する半導体装置のランプ加熱による熱処
   理装置において、 （ａ）前記石英製枝管の先端部の外周部に溶着される石
   英製接続枝管と、 （ｂ）該石英製接続枝管の先端部にＯリングを介して取
   り付けられる赤外線放射温度計本体とを具備し、 （ｃ）前記石英製枝管の先端部には、外周から内周にか
   けて４５°以下のテーパ面を有することを特徴とする半
   導体装置のランプ加熱による熱処理装置。
4. 【請求項４】 チャンバーと、該チャンバーから延びる
   石英製枝管と、該石英製枝管に対応する赤外線放射温度
   計本体とを具備する半導体装置のランプ加熱による熱処
   理装置において、 （ａ）前記石英製枝管の先端部の外周部に溶着される石
   英製接続枝管と、 （ｂ）該石英製接続枝管の先端部にＯリングを介して取
   り付けられる赤外線放射温度計本体とを具備し、 （ｃ）前記石英製枝管の先端部には、外周から中心部に
   かけて４５°以下の第１のテーパ面と、これに向かい合
   った前記石英製枝管の先端部には、内周から中心部にか
   けて４５°以下の第２のテーパ面を有することを特徴と
   する半導体装置のランプ加熱による熱処理装置。
5. 【請求項５】 チャンバーと、該チャンバーから延びる
   石英製枝管と、該石英製枝管に対応する赤外線放射温度
   計本体とを具備する半導体装置のランプ加熱による熱処
   理装置において、 （ａ）前記石英製枝管の先端部の内周部に溶着される石
   英製接続枝管と、 （ｂ）該石英製接続枝管の先端部にＯリングを介して取
   り付けられる赤外線放射温度計本体とを具備する半導体
   装置のランプ加熱による熱処理装置。
6. 【請求項６】 チャンバーと、該チャンバーから延びる
   石英製枝管と、該石英製枝管に対応する赤外線放射温度
   計本体とを具備する半導体装置のランプ加熱による熱処
   理装置において、 （ａ）前記石英製枝管の先端部の内周部に溶着されると
   ともに、基端部の外周から内周にかけて４５°以下のテ
   ーパ面を有する石英製接続枝管と、 （ｂ）該石英製接続枝管の先端部にＯリングを介して取
   り付けられる赤外線放射温度計本体とを具備する半導体
   装置のランプ加熱による熱処理装置。
7. 【請求項７】 チャンバーと、該チャンバーから延びる
   石英製枝管と、該石英製枝管に対応する赤外線放射温度
   計本体とを具備する半導体装置のランプ加熱による熱処
   理装置において、 （ａ）前記石英製枝管の先端部の内周部に溶着されると
   ともに、基端部の外周から内周にかけて４５°以下のテ
   ーパ面を有する石英製接続枝管と、 （ｂ）該石英製接続枝管の先端部にＯリングを介して取
   り付けられる赤外線放射温度計本体とを具備し、 （ｃ）前記石英製枝管の先端部には、外周から内周にか
   けて４５°以下のテーパ面を有することを特徴とする半
   導体装置のランプ加熱による熱処理装置。
8. 【請求項８】 チャンバーと、該チャンバーから延びる
   石英製枝管と、該石 英製枝管に対応する赤外線放射温度
   計本体とを具備する半導体装置のランプ加熱による熱処
   理装置において、 （ａ）前記石英製枝管の先端部の内周部に溶着されると
   ともに、基端部の外周から内周にかけて４５°以下のテ
   ーパ面を有する石英製接続枝管と、 （ｂ）該石英製接続枝管の先端部にＯリングを介して取
   り付けられる赤外線放射温度計本体とを具備し、 （ｃ）前記石英製枝管の先端部には、外周から中心部に
   かけて４５°以下の第１のテーパ面と、これに向かい合
   った前記石英製枝管の先端部には、内周から中心部にか
   けて４５°以下の第２のテーパ面を有することを特徴と
   する半導体装置のランプ加熱による熱処理装置。
9. 【請求項９】 チャンバーと、該チャンバーから延びる
   石英製枝管と、該石英製枝管に対応する赤外線放射温度
   計本体とを具備する半導体装置のランプ加熱による熱処
   理装置において、 （ａ）前記石英製枝管の先端部のチャンバー側に形成さ
   れる臨界角である４４．４°より大きい角度を有する溝
   と、 （ｂ）該溝よりチャンバーとは反対側にＯリングを介し
   て取り付けられる赤外線放射温度計本体とを具備する半
   導体装置のランプ加熱による熱処理装置。
10. 【請求項１０】 チャンバーと、該チャンバーから延び
    る石英製枝管と、該石英製枝管に対応する赤外線放射温
    度計本体とを具備する半導体装置のランプ加熱による熱
    処理装置において、 （ａ）前記石英製枝管の外周面に形成される第１の溝及
    び前記石英製枝管の内周面に形成される第２の溝と、 （ｂ）前記石英製枝管の先端部にＯリングを介して取り
    付けられる赤外線放射温度計本体とを具備する半導体装
    置のランプ加熱による熱処理装置。