JP3412005B2 - 炭素及び窒素を含む希土類多ホウ化物とその製造方法 - Google Patents
炭素及び窒素を含む希土類多ホウ化物とその製造方法Info
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- JP3412005B2 JP3412005B2 JP2000027224A JP2000027224A JP3412005B2 JP 3412005 B2 JP3412005 B2 JP 3412005B2 JP 2000027224 A JP2000027224 A JP 2000027224A JP 2000027224 A JP2000027224 A JP 2000027224A JP 3412005 B2 JP3412005 B2 JP 3412005B2
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- Japan
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- reb
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- carbon
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、炭素及び窒素を
含む希土類多ホウ化物に関するものである。さらに詳し
くは、この発明は、熱電変換素子材料、X線分光素子材
料、発光材料等に有用な新規な構造の炭素及び窒素を含
む希土類多ホウ化物に関するものである。
含む希土類多ホウ化物に関するものである。さらに詳し
くは、この発明は、熱電変換素子材料、X線分光素子材
料、発光材料等に有用な新規な構造の炭素及び窒素を含
む希土類多ホウ化物に関するものである。
【0002】
【従来の技術とその課題】従来から、高機能性材料に一
つとして、希土類多ホウ化物に関心が持たれている。希
土類多ホウ化物としては、一般式REB2 、REB4 、
REB6、REBl2(REは希土類元素)で表される構
造のものが一般的であり、例えば、LaB6が熱電子放
射材料として実用化されている。さらに、これら以外の
各種の組成と構造の希土類多ホウ化物についての研究、
開発が進められてきている。
つとして、希土類多ホウ化物に関心が持たれている。希
土類多ホウ化物としては、一般式REB2 、REB4 、
REB6、REBl2(REは希土類元素)で表される構
造のものが一般的であり、例えば、LaB6が熱電子放
射材料として実用化されている。さらに、これら以外の
各種の組成と構造の希土類多ホウ化物についての研究、
開発が進められてきている。
【0003】近年、このような希土類多ホウ化物の一つ
として、YB66が開発され、これが軟X線分光素子材料
として利用されるに至っている。また、新規な希土類多
ホウ化物として、REB66、REB50、REB41Si
1.2、REB25などが知られており、これに、炭素が不
純物として含まれることはあった。また、ScB17C
0.25、ScB15C1.6 においては炭素が結合に一定の役
割を果たし、希土類ホウ炭化物となっていることが知ら
れ、これらの機能が検討され、各種の用途への利用が検
討されている。
として、YB66が開発され、これが軟X線分光素子材料
として利用されるに至っている。また、新規な希土類多
ホウ化物として、REB66、REB50、REB41Si
1.2、REB25などが知られており、これに、炭素が不
純物として含まれることはあった。また、ScB17C
0.25、ScB15C1.6 においては炭素が結合に一定の役
割を果たし、希土類ホウ炭化物となっていることが知ら
れ、これらの機能が検討され、各種の用途への利用が検
討されている。
【0004】このように、これまでに開発された既存の
希土類多ホウ化物の用途開発に加え、さらに、多彩な希
土類多ホウ化物を研究開発し、これまでにない新しい機
能を有する高機能性材料としての各種の用途に利用する
ことが大変重要な課題になっている。しかし、従来、炭
素と窒素が同時に主成分として含まれ、結合に役割を果
たした希土類多ホウ化物の存在は知られていなかった。
この発明は、このような実状に鑑みて創案されたもので
あり、高機能性材料、例えば、熱電素子材料、分光素子
材料、発光材料等として有用な、炭素および窒素を含む
希土類多ホウ化物を提供することを目的としている。
希土類多ホウ化物の用途開発に加え、さらに、多彩な希
土類多ホウ化物を研究開発し、これまでにない新しい機
能を有する高機能性材料としての各種の用途に利用する
ことが大変重要な課題になっている。しかし、従来、炭
素と窒素が同時に主成分として含まれ、結合に役割を果
たした希土類多ホウ化物の存在は知られていなかった。
この発明は、このような実状に鑑みて創案されたもので
あり、高機能性材料、例えば、熱電素子材料、分光素子
材料、発光材料等として有用な、炭素および窒素を含む
希土類多ホウ化物を提供することを目的としている。
【0005】この発明は、上記の課題を解決するものと
して、化学式がRE1-xBl7CN(ただし、REはSc
(スカンジウム)、Y(イットリウム)、Ho(ホルミュ
ウム)、Er(エルビュウム)、Tm(ツリウム)、L
u(ルテチウム)であり、xの範囲は0≦x≦0.4で
ある)と記述でき、その結晶構造が三方晶(空間群P−
3ml)であるところの炭素及び窒素を含む希土類多ホ
ウ化物を提供する。
して、化学式がRE1-xBl7CN(ただし、REはSc
(スカンジウム)、Y(イットリウム)、Ho(ホルミュ
ウム)、Er(エルビュウム)、Tm(ツリウム)、L
u(ルテチウム)であり、xの範囲は0≦x≦0.4で
ある)と記述でき、その結晶構造が三方晶(空間群P−
3ml)であるところの炭素及び窒素を含む希土類多ホ
ウ化物を提供する。
【0006】この発明の上記の通りのRE−B−C−N
化合物は、既に知られているRE−B化合物であるRE
B2、REB4 、REB6 、REB12、REB66、およ
び、最近知られるところとなったREB25、REB50、
REB41Si1.2 、ScB17C0.25、ScB15C1.6な
どとは異なって、この発明によって初めて提供されるも
のである。
化合物は、既に知られているRE−B化合物であるRE
B2、REB4 、REB6 、REB12、REB66、およ
び、最近知られるところとなったREB25、REB50、
REB41Si1.2 、ScB17C0.25、ScB15C1.6な
どとは異なって、この発明によって初めて提供されるも
のである。
【0007】このRE−B−C−N化合物の安定存在領
域は、一般式で表すと、前記した通り、RE1-xBl7C
Nであり、xの値は0≦x≦0.4の範囲にあることが
必要である。REとしては、Sc、Y、Ho、Er、T
m、Luが可能である。
域は、一般式で表すと、前記した通り、RE1-xBl7C
Nであり、xの値は0≦x≦0.4の範囲にあることが
必要である。REとしては、Sc、Y、Ho、Er、T
m、Luが可能である。
【0008】このRE−B−C−N化合物は、結晶構造
としては三方晶(空間群P−3ml)であり、格子定数
は、ScBl7CN、a,b=0.5568(1)nm,
c=1.0756(2)nm、YB17CN、a,b=
0.5591(9)nm,c=1.0872(8)n
m、HoB17CN、a,b=0.5588(3)nm,
c=1.0877(5)、ErB17CN、a,b=0.
5589(1)nm,c=1.0880(7)nm、T
mB17CN、a,b=0.5580(1),c=1.0
850(6)nm、LuB17CN、a,b=0.557
7(1)nm,c=1.0838(8)nmである。そ
のx=0の定比組成の化合物がREBl7CNであり、x
の値が上記範囲外では、前記した構造、格子定数を満た
す所定の化合物は得られず、別の構造を持つ化合物を得
ることになる。
としては三方晶(空間群P−3ml)であり、格子定数
は、ScBl7CN、a,b=0.5568(1)nm,
c=1.0756(2)nm、YB17CN、a,b=
0.5591(9)nm,c=1.0872(8)n
m、HoB17CN、a,b=0.5588(3)nm,
c=1.0877(5)、ErB17CN、a,b=0.
5589(1)nm,c=1.0880(7)nm、T
mB17CN、a,b=0.5580(1),c=1.0
850(6)nm、LuB17CN、a,b=0.557
7(1)nm,c=1.0838(8)nmである。そ
のx=0の定比組成の化合物がREBl7CNであり、x
の値が上記範囲外では、前記した構造、格子定数を満た
す所定の化合物は得られず、別の構造を持つ化合物を得
ることになる。
【0009】前記一般式RE1-x Bl7CN(RE=S
c,Y,Ho,Er,Tm,Lu,0≦x≦0.4)の
製造は以下のように行えばよい。すなわち、REB2、
REB4、REB6 、REB12等の希土類多ホウ化物を
原料とし、これに、ホウ素、炭素、及び窒素を単体又は
化合物としてRE1-x Bl7CN(ただし、REはSc
(スカンジウム)、Y(イットリウム)、Ho(ホルミュ
ウム)、Er(エルビュウム)、Tm(ツリウム)、L
u(ルテチウム)であり、xの範囲は0≦x≦0.4で
ある)の反応後組成になるように加え、およそ1600
〜1900℃の温度、アルゴン雰囲気中で加熱、反応さ
せる。
c,Y,Ho,Er,Tm,Lu,0≦x≦0.4)の
製造は以下のように行えばよい。すなわち、REB2、
REB4、REB6 、REB12等の希土類多ホウ化物を
原料とし、これに、ホウ素、炭素、及び窒素を単体又は
化合物としてRE1-x Bl7CN(ただし、REはSc
(スカンジウム)、Y(イットリウム)、Ho(ホルミュ
ウム)、Er(エルビュウム)、Tm(ツリウム)、L
u(ルテチウム)であり、xの範囲は0≦x≦0.4で
ある)の反応後組成になるように加え、およそ1600
〜1900℃の温度、アルゴン雰囲気中で加熱、反応さ
せる。
【0010】REB2 、REB4 、REB6 、REBl2
等の希土類多ホウ化物を原料とし、これに、ホウ素及び
炭素を単体又は化合物としてSc(スカンジウム)、Y
(イットリウム)、Ho(ホルミュウム)、Er(エル
ビュウム)、Tm(ツリウム)、Lu(ルテチウム)で
あり、xの範囲は0≦x≦0.4である)の反応後組成
になるように加え、一気圧より低い窒素分圧を持つ雰囲
気下、1600〜1900℃の温度で加熱、反応させる
製造方法も可能である。
等の希土類多ホウ化物を原料とし、これに、ホウ素及び
炭素を単体又は化合物としてSc(スカンジウム)、Y
(イットリウム)、Ho(ホルミュウム)、Er(エル
ビュウム)、Tm(ツリウム)、Lu(ルテチウム)で
あり、xの範囲は0≦x≦0.4である)の反応後組成
になるように加え、一気圧より低い窒素分圧を持つ雰囲
気下、1600〜1900℃の温度で加熱、反応させる
製造方法も可能である。
【0014】以上の通り、この発明によって提供される
炭素及び窒素を含む希土類多ホウ化物(RE1-xBl7C
N)は、熱電素子、分光素子、発光材料等の機能性材料
として有用なものである。例えば、YBl7CNの001
回折の面間隔d=l.09nmはYB66の400回折面
間隔d=0.586nmよりはるかに長く、YB66軟X
線分光素子では分光できないlkeV以下のエネルギー
の軟X線分光が可能になり、今まで、測定が困難であっ
たNaのK吸収端に関する分光実験が可能となる。ま
た、ErBl7CNにおいては、Erイオンからの発光が
あることから、波長1.5ミクロンの赤外光の発光素子
材料としての利用が可能になる。
炭素及び窒素を含む希土類多ホウ化物(RE1-xBl7C
N)は、熱電素子、分光素子、発光材料等の機能性材料
として有用なものである。例えば、YBl7CNの001
回折の面間隔d=l.09nmはYB66の400回折面
間隔d=0.586nmよりはるかに長く、YB66軟X
線分光素子では分光できないlkeV以下のエネルギー
の軟X線分光が可能になり、今まで、測定が困難であっ
たNaのK吸収端に関する分光実験が可能となる。ま
た、ErBl7CNにおいては、Erイオンからの発光が
あることから、波長1.5ミクロンの赤外光の発光素子
材料としての利用が可能になる。
【0015】
【実施例】以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発明
について説明する。もちろん、この発明は以下の実施例
によって限定されるものではない。
について説明する。もちろん、この発明は以下の実施例
によって限定されるものではない。
【0016】実施例1
予め、REB12(RE=Sc,Y,Ho,Er,Tm,
Lu)を、それぞれの酸化物とホウ素を以下の反応式に
基づき混合し、成形した後、ホウ素熱還元法を用い還元
し、合成した。
Lu)を、それぞれの酸化物とホウ素を以下の反応式に
基づき混合し、成形した後、ホウ素熱還元法を用い還元
し、合成した。
【0017】
RE2 O3 +27B→2REB12+3BO↑
ここで、用いた希土類酸化物は純度3Nの市販品であ
り、またホウ素は反応を容易にするために粒度0.lミ
クロンのアモルファスホウ素を使用した。反応は真空雰
囲気、1700℃で1時間行った。生成したREB12は
粉末X線回折法により単一相であることを確認した。
り、またホウ素は反応を容易にするために粒度0.lミ
クロンのアモルファスホウ素を使用した。反応は真空雰
囲気、1700℃で1時間行った。生成したREB12は
粉末X線回折法により単一相であることを確認した。
【0018】ペレット状で得られたREB12を粉砕し、
平均粒径10ミクロン程度とし、このREB12に下記反
応式に基づき、必要量のホウ素、炭素、窒化ホウ素を加
えた。 REB12+3B+BN+C→REB17CN ここで、ホウ素は、還元反応に用いたものと同一のアモ
ルファスホウ素を用い、また、炭素、窒化ホウ素もそれ
ぞれ微粒、高純度品を用いた。メノウ乳鉢を用いアルコ
ールを用いてスラリー状にした混合物を十分混合した
後、乾燥させ、加圧成形により再びペレットとして、窒
化ホウ素ルツボ中に入れ、アルゴン雰囲気下、1800
℃に加熱し、5時間保持した。生成物を粉末X線回折法
により調べたところ、微少量の窒化ホウ素(BN)を含
んでいたが、他の回折線は全てREBl7CNに基づくも
のとして指数付けすることができ、REB17CNが合成
できたことを確認した。
平均粒径10ミクロン程度とし、このREB12に下記反
応式に基づき、必要量のホウ素、炭素、窒化ホウ素を加
えた。 REB12+3B+BN+C→REB17CN ここで、ホウ素は、還元反応に用いたものと同一のアモ
ルファスホウ素を用い、また、炭素、窒化ホウ素もそれ
ぞれ微粒、高純度品を用いた。メノウ乳鉢を用いアルコ
ールを用いてスラリー状にした混合物を十分混合した
後、乾燥させ、加圧成形により再びペレットとして、窒
化ホウ素ルツボ中に入れ、アルゴン雰囲気下、1800
℃に加熱し、5時間保持した。生成物を粉末X線回折法
により調べたところ、微少量の窒化ホウ素(BN)を含
んでいたが、他の回折線は全てREBl7CNに基づくも
のとして指数付けすることができ、REB17CNが合成
できたことを確認した。
【0019】それぞれの格子定数は、ScB17CN、
a,b=0.5568(1)nm,c:=1.0756
(2)nm、YB17CN、a,b=0.5591(9)
nm,c=l.0872(8)nm、HoB17CN、
a,b=0.5588(3)nm,c=l.0877
(5)、ErB17CN、a,b=0.5589(1)n
m,c=l.0880(7)nm、 TmB17CN、
a,b=0.5580(1),c=l.0850(6)
nm、LuB17CN、a,b=0.5577(1)n
m,c=l.0838(8)nm、であった。それぞれの
粉末X線回折図形を図1に示す。
a,b=0.5568(1)nm,c:=1.0756
(2)nm、YB17CN、a,b=0.5591(9)
nm,c=l.0872(8)nm、HoB17CN、
a,b=0.5588(3)nm,c=l.0877
(5)、ErB17CN、a,b=0.5589(1)n
m,c=l.0880(7)nm、 TmB17CN、
a,b=0.5580(1),c=l.0850(6)
nm、LuB17CN、a,b=0.5577(1)n
m,c=l.0838(8)nm、であった。それぞれの
粉末X線回折図形を図1に示す。
【0020】実施例2
市販のYB4粉末を原料とし、これに、次式に基づき、
必要量のホウ素、炭素を加えた(ただし、YBl7Cは単
一の化合物は存在せず、YB6,YB12とB4Cの混合物
の焼結体を粉砕したものである。)。 YB4 +13B+C→YBl7C これを、実施例1で述べたと同様の方法で混合、成形
し、ペレットとした。このペレットを黒鉛サセプターに
納められた窒化ホウ素ルツボ中に入れ、2Torrの窒
素分圧を窒素供給量と真空ポンプによる排気量とを平衡
させて達成した。高周波炉により1700℃の温度で加
熱、5時間反応させた。
必要量のホウ素、炭素を加えた(ただし、YBl7Cは単
一の化合物は存在せず、YB6,YB12とB4Cの混合物
の焼結体を粉砕したものである。)。 YB4 +13B+C→YBl7C これを、実施例1で述べたと同様の方法で混合、成形
し、ペレットとした。このペレットを黒鉛サセプターに
納められた窒化ホウ素ルツボ中に入れ、2Torrの窒
素分圧を窒素供給量と真空ポンプによる排気量とを平衡
させて達成した。高周波炉により1700℃の温度で加
熱、5時間反応させた。
【0021】得られたペレットを粉砕し、粉末X線回折
法で調べたところYB17CN単一相であることを確認し
た。化学分析ではYに若干の不定比性が認められ、Y
0.88B17C0.97N0.95であった。C、Nの組成値は化学
合成、およびそれに続く分析において、良く見られる理
想組成からのずれであり、誤差の範囲にある。
法で調べたところYB17CN単一相であることを確認し
た。化学分析ではYに若干の不定比性が認められ、Y
0.88B17C0.97N0.95であった。C、Nの組成値は化学
合成、およびそれに続く分析において、良く見られる理
想組成からのずれであり、誤差の範囲にある。
【図1】図1は、REBl7CN(RE=Sc,Y,H
o,Er,Tm,Lu)の粉末X線回折図形である。
o,Er,Tm,Lu)の粉末X線回折図形である。
Claims (3)
- 【請求項1】 化学式がRE1-x Bl7CN(ただし、R
EはSc(スカンジウム)、Y(イットリウム)、Ho
(ホルミュウム)、Er(エルビュウム)、Tm(ツリ
ウム)、Lu(ルテチウム)であり、xの範囲は0≦x
≦0.4である)と記述でき、その結晶構造が三方晶
(空間群P−3ml)であるところの炭素及び窒素を含
む希土類多ホウ化物。 - 【請求項2】 REB2 、REB4 、REB6 、REB
l2で表される希土類多ホウ化物を原料とし、これに、ホ
ウ素、炭素、及び窒素を単体又は化合物としてRE1-x
Bl7CN(ただし、REはSc(スカンジウム)、Y
(イットリウム)、Ho(ホルミュウム)、Er(エル
ビュウム)、Tm(ツリウム)、Lu(ルテチウム)で
あり、xの範囲は0≦x≦0.4である)の反応後組成
になるように加え、1600〜1900℃の温度、アル
ゴン雰囲気中で加熱、反応させることを特徴とする、請
求項1記載の炭素及び窒素を含む希土類多ホウ化物(R
E1-x Bl7CN)の製造方法。 - 【請求項3】 REB2 、REB4 、REB6 、REB
l2で表される希土類多ホウ化物を原料とし、これに、ホ
ウ素及び炭素を単体又は化合物としてRE1-x Bl7CN
(ただし、REはSc(スカンジウム)、Y(イットリ
ウム)、Ho(ホルミュウム)、Er(エルビュウ
ム)、Tm(ツリウム)、Lu(ルテチウム)であり、
xの範囲は0≦x≦0.4である)の反応後組成になる
ように加え、一気圧より低い窒素分圧をもつ雰囲気下、
1600〜1900℃の温度で加熱、反応させることを
特徴とする、請求項1記載の炭素及び窒素を含む希土類
多ホウ化物(RE1-x Bl7CN)の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000027224A JP3412005B2 (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 炭素及び窒素を含む希土類多ホウ化物とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000027224A JP3412005B2 (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 炭素及び窒素を含む希土類多ホウ化物とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001220130A JP2001220130A (ja) | 2001-08-14 |
JP3412005B2 true JP3412005B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=18552821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000027224A Expired - Lifetime JP3412005B2 (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 炭素及び窒素を含む希土類多ホウ化物とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3412005B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
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---|---|---|---|---|
JP2004356404A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Japan Science & Technology Agency | 多ホウ化物を使用した磁気メモリー素子及び磁場センサー素子 |
JP5051412B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2012-10-17 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物系高温耐酸性n型熱電材料とその製造方法 |
JP4840755B2 (ja) * | 2005-11-11 | 2011-12-21 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 金属低ホウ化物がドープされた希土類多ホウ化物系熱電変換材料とその製造方法 |
JP4900580B2 (ja) * | 2006-10-11 | 2012-03-21 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ディスプロジウムホウ炭化窒化物とその製造方法 |
JP5273685B2 (ja) * | 2011-10-06 | 2013-08-28 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物系高温耐酸性n型熱電材料を使用したn型熱電変換素子 |
CN115491747B (zh) * | 2022-09-29 | 2023-12-01 | 天津理工大学 | 一种六方氮化硼单晶的方法 |
-
2000
- 2000-01-31 JP JP2000027224A patent/JP3412005B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001220130A (ja) | 2001-08-14 |
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