JP3410396B2 - 高性能集積回路チップパッケージ - Google Patents

高性能集積回路チップパッケージ

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路（ＩＣ）
チップの熱的及び電気的なパッケージングに関する。と
りわけ、本発明は、高速で高帯域なＩＣチップに用い
て、高密度の電気的相互接続とパッケージングを実現す
るとともに、容易にプリント基板への接続あるいは切り
離しができる高性能ＩＣチップパッケージに関する。本
発明のＩＣチップパッケージは、パッケージのサイズ
と、その内部のＩＣチップのサイズが同等である、いわ
ゆるチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）を実現してい
る。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製造過程において、半導体ウ
エハ上の集積回路チップの電気パラメターと機能がテス
トされる。集積回路を他の回路あるいは電気製品で使用
するためには、その集積回路をウエハから分離させ個々
のチップにし、個々の保護パッケージに搭載する必要が
ある。そして、それらチップを他の部品と共に、セラミ
ックのような基板の表面上に、ハイブリッドまたはマル
チチップモジュールとして搭載するか、プリント基板に
直接に接続する。本発明は、このように集積回路を保護
するために使用する、新規なパッケージング技術に関す
る。
【０００３】ＩＣチップ用のパッケージには多数の異な
るタイプがある。ＩＣパッケージのタイプの１つでは、
プリント回路基板上のスルーホールにリードを挿入する
ように構成されている。第１図に、従来のそのようなタ
イプのパッケージである、デュアルインラインと呼ばれ
るＩＣパッケージを示している。このパッケージは、下
部１２と上部１１（エンクロージャ）で構成されてい
る。下部１２には、ＩＣチップ１０が確実に備え付けら
れるように、ダイアタッチメントエリア（ダイ搭載部）
が備えてある。第１図のＩＣパッケージには、さらにプ
リント回路基板１９に接続する外部リード１４と、外部
リード１４につながれた内部リード１５と、ＩＣチップ
１０上のダイパッド（電極）と内部リード１５を接続す
る接続ワイア（パッケージ接続）１６とを備えている。
ＩＣパッケージは、その保護と熱拡散のために、エンク
ロージャ（上部）１１に囲まれている。
【０００４】第１図の例では、外部リード１４を回路基
板１９のスルーホール１７に挿入して、その間をハンダ
付けすることにより、ＩＣチップ１０からプリント回路
基板１９への電気的接続が達成される。スルーホール１
７は、プリント回路基板１９上の回路パターン１８に接
続されて、電気信号の伝搬が行われる。第１図のデュア
ルインラインパッケージは、厚く頑丈で、両側から２列
のリードが出ているので、強度が充分であり、取り扱い
も容易となる。
【０００５】しかしながら、この種類のＩＣパッケージ
には、ＩＣチップからプリント基板へ、比較的に長い電
気信号路があるため、高周波領域での性能は劣化する。
また、外部リードはパッケージ側で２列にのみ配列され
ているため、ピン（リード）の最大使用可能数が限定さ
れてしまう。よって、デュアルインラインパッケージ
は、最近の高速度で多数ピンのＩＣチップには適さな
い。
【０００６】ＩＣパッケージの他のタイプは、プリント
基板の表面上に備えられた接触パッドに、ＩＣパッケー
ジのリードが接触するように構成された、表面実装（サ
ーフェイスマウント）パッケージである。表面実装パッ
ケージの１例を、第２図の断面図に示す。第２図の例で
は、表面実装パッケージのなかでも有望な、ボールグリ
ッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージと呼ばれているもので
ある。
【０００７】第２図では、ＩＣチップ２０は、例えば接
着剤のようなダイアタッチ２１によって、パッケージ基
板２８に装着されている。ＩＣチップ２０上のダイパッ
ドは、接続ワイヤ２２を介して、パッケージ基板２８上
の対応するトレイスパッド２７に接続されている。パッ
ケージ基板２８の上面のトレースパッド２７は、基板の
下面のトレースパッド２７と、スルーホール２４を介し
て接続されている。基板下面のトレースパッド２７は、
それぞれボール型のハンダであるソルダーバンプ２５を
備えている。ソルダーバンプ間の電気絶縁を得るため
に、ソルダーバンプ２５間にハンダマスク２６が備えら
れている。高温度の環境下におくことにより、ソルダー
バンプが溶けて、プリント基板上の接続パッドとの電気
接続が達成される。
【０００８】第２図に示したＢＧＡパッケージは、リー
ド長が小さいため、信号遅延時間が少なく、信号の立ち
上がり下がりのエッジが急峻であるという、高周波特性
にすぐれているとの利点を有する。また、比較的小さな
パッケージに多数のピンを搭載できるので、プリント基
板に接続するための、多数のピン（リード）をパッケー
ジの底面に備えることができる利点もある。しかし、Ｂ
ＧＡパッケージには、ハンダ接続が視覚的に確認できな
いという欠点がある。また、ＢＧＡパッケージは、交換
のためにプリント基板から取り外すことができないか、
又は取り外しが容易でないという欠点もある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、高密度な電気的接続と高性能な集積回路チップの電
気的特性を実現することができるＩＣパッケージを提供
することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、パッケージサイズが
その中に組み込まれるチップのサイズと等価である、チ
ップスケールパッケージ（ＣＳＰ）を達成できるＩＣパ
ッケージを提供することにある。
【００１１】本発明のさらに他の目的は、プリント回路
基板に容易に取り付けでき、またプリント基板から容易
に取り外しのできるＩＣパッケージを提供することにあ
る。
【００１２】本発明のさらに他の目的は、集積回路チッ
プのダイパッドに対して直接的に備えられた接触構造
（コンタクト・ストラクチャ）を有し、その各接触構造
がビーム構造により接触力を生成するＩＣパッケージを
提供することにある。
【００１３】本発明のさらに他の目的は、ＩＣパッケー
ジ内のＰＣＢ（プリント回路基板）のＰＣＢパッド上に
直接的に備えられた接触構造を有し、そのＰＣＢパッド
が、集積回路チップのダイパッドに接続されているＩＣ
パッケージを提供することにある。
【００１４】本発明のさらに他の目的は、プリント回路
基板に対して、取り付け取り外しを容易くするための装
着部を備えたＩＣパッケージを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明では、集積回路上
または他の誘電体（ダイエレクトリック）基板の金属パ
ッド（電極）上に直接的に形成されたコンタクト（接続
部）を有し、そのコンタクトは、プリント回路基盤その
他との電気接続するためのリードとして、ＩＣパッケー
ジから突起している。これらのコンタクトは、半導体製
造プロセスで確立された、フォトリソグラフィー技術を
用いて、金属パッド上に形成される。
【００１６】本発明のＩＣパッケージは、高い熱伝導性
を有し絶縁材で構成されたエンクロージャと；前面と後
面を有し、接着剤を介してその後面が上記エンクロージ
ャ内部の天上に接着した集積回路チップと；上記集積回
路チップの上記前面上のダイパッド上にフォトリソグラ
フィー処理プロセスにより形成された複数のコンタクト
であり、その各コンタクトは、そのダイパッド上に垂直
に形成されたベース部と、一端がベース部に形成される
横部と、その横部の他端に垂直に形成する接触部とを有
するコンタクトと；気密シーリングのためにその集積回
路チップの前面上に設けられたエンキャプスラントと、
により構成され、そのエンキャプスラントを介して複数
のコンタクトが突起しており、そのコンタクトがコンタ
クトターゲットに押されたとき、それぞれのコンタクト
の横部が接触力を発生することを特徴とする。
【００１７】また、本発明の他の態様におけるＩＣパッ
ケージは、高い熱伝導性を持つ絶縁材でできたエンクロ
ージャと；前面と後面を有し、その後面は接着剤を介し
て上記エンクロージャ内部の天上に接着し、その前面は
導電材料により構成された複数のダイパッドを有する集
積回路チップと；上記集積回路チップの前面の中央部に
接触するための上部面を有するエラストマと；伝導性金
属で成るＰＣＢ（プリント回路基板）パッドを複数有
し、上記エラストマの下部面に設けられたＰＣＢ基板
と；上記集積回路チップの上記前面上のダイパッド上に
フォトリソグラフィー処理プロセスにより形成された複
数のコンタクトであり、その各コンタクトはダイパッド
上に垂直に形成されたベース部と、一端がベース部に形
成される横部と、その横部の他端に垂直に形成する接触
部とを有するコンタクトと；上記ダイパッドと上記ＰＣ
Ｂパッドとを電気的に接続するための複数のリードと；
上記集積回路チップの全面と上記ＰＣＢ基板を気密シー
リングするために包み込むエンキャプスラントと、によ
り構成され、そのエンキャプスラントを介して複数のコ
ンタクトが突起しており、そのコンタクトがコンタクト
ターゲットに押されたとき、それぞれのコンタクトの横
部が接触力を発生することを特徴とする。
【００１８】本発明のさらに他の態様は、ＩＣパッケー
ジをプリント基板に装着させる方法である。本発明のＩ
Ｃパッケージのプリント基板への装着方法は、上部にフ
ックのついたアダプターを上記プリント回路基板に装着
するステップと；フォトリソグラフィー行程により、集
積回路チップのダイパッド上に形成された複数のコンタ
クトを有するＩＣパッケージを備えるステップであり、
そのコンタクトはダイパッド上に垂直に形成されたベー
ス部と、ベース部上に一端を形成された横部と、横部の
他端に垂直に形成された接触部とを有して構成され；上
記コンタクトが上記プリント回路基板上の対応するコン
タクトパッド上に装着されるように、プリント基板上に
ＩＣパッケージを位置合わせするステップと；装着レバ
ーを有するリテイナーを、上記ＩＣパッケージの上部に
取り付けるステップと；上記アダプター上の上記フック
に上記締め付けレバーに係合させて、上記ＩＣパッケー
ジを上記プリント回路基板に押しつけるように、上記締
め付けレバーを回転させるステップと、により構成され
る。
【００１９】本発明のＩＣパッケージによれば、高密度
の電気的接続とＩＣチップの高性能な電気特性を実現で
きる。また本発明のパッケージは、内部に包まれるチッ
プのサイズと同等なパッケージサイズである、いわゆる
チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）を実現できる。本
発明のＩＣパッケージは、プリント回路基盤に容易に取
り付けができ、また容易に取り外しができる。本発明の
ＩＣパッケージは、集積回路チップのダイパッド上に、
或いは他の基板上の電極上に、直接的に形成した独自の
接触構造を有し、その接触構造のスプリング力により接
触力を生成している。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明のＩＣパッケージを、第３
図−第１２図を参照して説明する。第３図は本発明のＩ
Ｃパッケージの１例を示した側断面図であり、集積回路
チップ上に直接的に形成した、独自の接触構造（コンタ
クトストラクチャ）を有している。この接触構造の製造
方法は、第５図（Ａ）−第９図（Ｒ）を参照して説明す
る。
【００２１】第３図の例では、集積回路（ＩＣ）チップ
（アクティブダイ）３４は、好ましくは電気的非伝導性
であり且つ熱伝導性であるセラミックやプラスチックを
材料として構成されたエンクロージャ（上側カバー）３
７により包み込まれる。ＩＣチップ（アクティブダイ）
３４は、強度を高める目的と、エンクロージャ３７を介
してＩＣチップ３４から外へ熱を消散させる目的のため
に、接着剤３５によりエンクロージャ３７に装着しても
良い。ＩＣチップ３４の表面には、内部回路用のエレク
トロード（電極）として、ダイパッド３２が複数個設け
てある。コンタクト３０は、フォトリソグラフィーの行
程を用いて、ＩＣチップ３４のダイパッド３２上に直接
的に形成される。ＩＣパッケージの底部は、気密シーリ
ングをするために、エポキシ樹脂ような密閉カバー（エ
ンキャプスラント）３８でモールドされている。
【００２２】コンタクト３０は第３図に示すような形状
をしており、符号ａとしても示されているダイパッド３
２上に設置してある。コンタクト３０は、縦部ｂおよび
縦部ｄ、横部ｃ、そして先端部ｅを有している。コンタ
クト３０の先端部ｅは、プリント基板の接触パッドのよ
うな接触ターゲットに押しつけられるときに、擦り付け
（スクラブ）効果が得られるように、先端が鋭利である
のが好ましい。例えば、プリント基板のような接触ター
ゲットの表面に、金や酸化アルミニウム膜ある場合は、
接触抵抗を低く電気接触を充分にする為には、そのよう
な擦り付け効果が通常必要となる。
【００２３】横部ｃのバネ力により、プリント基板上の
接触ターゲットに対して、適度な接触力を得ることがで
きる。さらに横部ｃのバネ力による弾力性により、サイ
ズの相違や、コンタクト３０とプリント基板上の接触パ
ッドのような接触ターゲットとの間に生ずる、平面（プ
ラナリティー）のばらつきを補正する効果を得ることも
できる。
【００２４】コンタクト３０の材料の例として、ニッケ
ル、アルミニウム、銅があげられる。コンタクトの先端
部ｅは、ニッケルパラジウム、ロジウム、ニッケル金、
イリジウム、その他のデポジション（堆積）可能な材料
でメッキされている。ＩＣリードとして用いる場合のコ
ンタクト３０のサイズの例としては、全体の高さが１０
０−４００ミクロン（最適値約２００ｕｍ）、横の長さ
が５０−４００ミクロン（最適値１５０−２００ｕ
ｍ）、接触ターゲット間のピッチが５０ｕｍの場合は約
３０−６０ミクロンの太さである。
【００２５】第４図は、第３図に示した本発明のＩＣパ
ッケージの底面図である。エンクロージャ（上側カバ
ー）３７内のエンキャプスラント（密閉カバー）３８で
密閉したＩＣパッケージの底面に、ダイパッドとコンタ
クト３０の対が複数個で配列されている。コンタクト３
０はアクティブダイ３４のダイパッド３２上に直接的に
搭載されているので、ダイパッド３２とコンタクト３０
の位置上の制限は無い。従って、多数のコンタクト３０
を、本発明のＩＣパッケージに装備できる。
【００２６】第５図（Ａ）−第９図（Ｒ）は、フォトリ
ソグラフィー技術を用いて本発明のコンタクト３０を製
造するための、製造プロセスの１例を示している。第５
図（Ａ）では、例えば銅による金属薄層５７がシリコン
基板（アクティブダイ）３４上に設けられる。金属薄層
５７は、第３図のダイパッド（インターコネクトトレイ
ス）３２とコンタクト３０を、電気メッキ行程により形
成するための、電気伝導を得るためのものである。もし
ダイパッド３２とコンタクト３０が、例えばスパタリン
グのような他のデポジション（堆積）行程で形成する場
合は、薄金属層５７は無くても良い。
【００２７】第５図（Ｂ）に示すように、ダイパッド層
３２上にフォトレジスト層４２を形成し、そのフォトレ
ジスト層の上部に、マスク４５が紫外線を受けるように
配置される。正レジストを使用した場合は、紫外線によ
る露光後に、マスク４５の不透明の部分に対応するフォ
トレジストは硬化（キュア）する。紫外線に露光された
レジストの部分は、取り除かれて、第５図（Ｃ）に示す
フォトマスク層４２が形成される。第５図（Ｄ）に示す
ように、例えば銅、ニッケル、アルミニウムや他の金属
のようなコンタクトの材料を、フォトマスク４２の窓部
にデポジション（堆積）することにより、ダイパッド３
２が形成される。第５図（Ｄ）に示すダイパッド３２
は、第３図と第４図に示すコンタクトの、符号ａ部に相
当する。
【００２８】第６図（Ｅ）の行程では、薄金属層５８
を、例えばメッキ処理により、ダイパッド（インターコ
ネクト）３２上に形成する。金属薄層５８の目的の一つ
は、ダイパッド３２のエッチングを防止することであ
る。金属層５８の材料は、ダイパッド３２や薄金属層５
７の材料とは異なるものを用いる必要がある。第６図
（Ｆ）では、第５図（Ｂ）と第５図（Ｃ）のフォトリソ
グラフィ処理と同様にして、フォトマスク層４２上にフ
ォトマスク層４３を形成する。第６図（Ｇ）では、第３
図のコンタクト３０の縦部ｂを形成するために、例えば
ニッケル、アルミニウム、銅のようなコンタクトの材料
を、フォトマスク４３の窓部にデポジション（堆積）す
る。デポジションの方法には、バキュウム蒸発、カソー
ドスパタリング、気相デポジション、メッキのような様
々な技術を用いることができる。第６図（Ｈ）のグライ
ンディング（プラナライジング）処理により、第６図
（Ｇ）の余分なメッキを除去する。
【００２９】上述の処理を繰り返すことにより、コンタ
クト３０の他の部分も同様に形成される。第７図（Ｉ）
では、第５図（Ｂ）と第５図（Ｃ）のフォトリソグラフ
ィ行程を用いて、コンタクト３０の横部ｃを形成するた
めに、フォトマスク層４３上にフォトマスク層４４を形
成する。デポジション行程を用いて、第７図（Ｊ）に示
す横部ｃを形成し、その余分のメッキ部分を除去するた
めに、第７図（Ｋ）にあるようにプラナライジング処理
をする。第７図（Ｌ）に示すように、コンタクト３０の
縦部ｄを形成するために、フォトマスク層４４と横部ｃ
の上部に、フォトマスク層４６を形成する。第５図
（Ｂ）と５図（Ｃ）のフォトリソグラフィと同様のプロ
セスにより、フォトマスク４６を形成する。デポジショ
ンの行程の後に、第８図（Ｍ）に示すフォトマスク４６
層に、第３図の縦部ｄを形成し、その余分のメッキ部分
を除去するために第８図（Ｎ）にあるようにプラナライ
ジング処理をする。第８図（Ｏ）は、第８図（Ｐ）に示
すコンタクト３０の先端部ｅを形成するためのフォトマ
スク４８も示している。
【００３０】第９図（Ｑ）では、フォトリソグラフィ技
術では周知の特殊な溶媒を用いて、フォトマスク４２、
４３、４４、４６、４８を取り除く。第９図（Ｒ）に示
すエッチング処理を施して、金属層５７の大部分を除去
する。上述したように、フォトリソグラフィ技術を用い
て、コンタクト３０とダイパッド（インターコネクトト
レイス）３２が、アクティブダイ（シリコン層）３４上
に形成される。
【００３１】第１０図は、本発明の他の例を示す横断面
図である。第１０図の例では、集積回路チップ（アクテ
ィブダイ）６４は、好ましくはセラミックやプラスチッ
クのような、電気的には非伝導性であり且つ熱的には伝
導性であるエンクロージャ（上側カバー）６７に囲われ
ている。アクティブダイ（ＩＣチップ）６４は、強度を
高める目的と、熱拡散を達成する目的のために、接着剤
６５を介して、エンクロージャ６７に接着してもよい。
ＩＣパッケージの底部は、気密シーリングのために、エ
ポクシ樹脂のような密閉カバー（エンキャプスラント）
６８を用いて密閉されている。
【００３２】アクティブダイ６４の底部とＰＣＢ（プリ
ント基板）基板６９との間に、エラストマ６６を設けて
いる。ＰＣＢ基板６９には、ＰＣＢパッド（エレクトロ
ード）６２が備えられ、そのパッド６２上には、第１０
図に示すような突起した形状を有するコンタクト３０が
設けられている。アクティブダイ６４上のダイパッド３
２と、ＰＣＢ基板６９上のＰＣＢパッド６２は、リード
６３を介して接続される。リード６３は、例えばフレキ
シブルＰＣＢ上に形成された導電性（コンダクタ）パタ
ーンで形成される。エラストマ６６は、ＩＣパッケージ
がプリント基板に押されたときや温度が極度に変化した
ときのような場合の、コンタクト３０とアクティブダイ
６４との間の水平方向の変位のような、フレキシビリテ
ィー（柔軟性）を実現する。
【００３３】この例では、ダイパッドはアクティブダイ
の周辺部に配置され、コンタクト３０はＩＣパッケージ
の中心部に配置されている。従って、第１０図の例で使
用できるコンタクトの数は、第３図の例で使用できる数
より少ないであろう。第３図の例と同様に、第１０図の
コンタクト３０は、第５図（Ａ）−第９図（Ｒ）を参照
して説明したフォトリソグラフィーのプロセスを用い
て、ＰＣＢパッド６２上に直接的に形成される。
【００３４】第１１図と第１２図は、本発明のＩＣパッ
ケージをプリント基板に装着するための構造物の例を示
した側面断面図である。第１１図の例では、本発明のＩ
Ｃパッケージは、１対の締め金具レバーを有する装着機
構によって、プリント基板７４に装着されている。この
例では、ＩＣパッケージのエンクロージャ３７（６７）
の上表面を押し付けるために、両端に締め金具レバーを
有する、リテイナー８３を備えている。１対のアダプタ
ー８７は、例えば押し込み固定（プレスフィット）によ
り、プリント基板７４に取り付けられている。第１１図
に示すように、アダプター８７の上部には、対応する締
め金具レバー８５に適合するようにフックが設けられて
いる。装着機構が締められると、ＩＣパッケージのコン
タクト３０は、電気接触を確立するために、プリント基
板上のコンタクトパッド７２に押しつけられる。第１２
図の例では、装着機構は、リテイナー８３の１端に締め
金具レバーを有している。アダプター８８は、リテイナ
ー８３に機械的に接続されている。締め金具レバー８５
は、ＩＣパッケージがプリント基板から容易に取り付
け、また取り外しできるように、バネ作用を有すること
が好ましい。
【００３５】以上の記述においては、好ましい実施例し
か示していないが、本発明は様々な修正変更が可能であ
り、添付のクレームの範囲を離れることなく様々な形
態、修正が可能である。
【００３６】
【発明の効果】上述したように、本発明のＩＣパッケー
ジによれば、高密度の電気的接続とＩＣチップの高性能
な電気特性を実現できる。また本発明のパッケージは、
内部に包まれるチップのサイズと同等なパッケージサイ
ズである、いわゆるチップスケールパッケージ（ＣＳ
Ｐ）を実現できる。本発明のＩＣパッケージは、プリン
ト回路基盤に容易に取り付けができ、また容易に取り外
しができる。本発明のＩＣパッケージは、集積回路チッ
プのダイパッド上に、或いは他の基板上の電極上に、直
接的に形成した独自の接触機構を有し、その接触機構の
スプリング力により接触力を生成している。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＩＣパッケージの典型的な構造例を示し
た斜視図である。
【図２】従来のＩＣパッケージの他の構成例を示した側
面断面図である。
【図３】本発明によるＩＣパッケージの概要を示した側
断面図である。
【図４】本発明による第３図のＩＣパッケージの底面図
である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明のＩＣパッケージの
接触構造（コンタクトストラクチャ）を形成する製造過
程を示した概略図である。
【図６】（Ｅ）〜（Ｈ）は、本発明のＩＣパッケージの
接触構造（コンタクトストラクチャ）を形成する製造過
程を示した他の概略図である。
【図７】（Ｉ）〜（Ｌ）は、本発明のＩＣパッケージの
接触構造（コンタクトストラクチャ）を形成する製造過
程を示した他の概略図である。
【図８】（Ｍ）〜（Ｐ）は、本発明のＩＣパッケージの
接触構造（コンタクトストラクチャ）を形成する製造過
程を示した他の概略図である。
【図９】（Ｑ）〜（Ｒ）は、本発明のＩＣパッケージの
接触構造（コンタクトストラクチャ）を形成する製造過
程を示した他の概略図である。
【図１０】本発明によるＩＣパッケージの他の構成例を
示す側断面図である。
【図１１】本発明によるＩＣパッケージをプリント回路
基板に取り付けるための構造の１例を示した側断面図で
ある。
【図１２】本発明のＩＣパッケージをプリント回路基板
に備え付けるための構造の他の例を示した側断面図であ
る。
【符号の説明】 ３０ コンタクト ３２ ダイパッド ３４ アクティブダイ ３５ 接着剤 ３７ エンクロージャ ３８ エンキャプスラント
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 31/26 G01R 1/06 - 1/073 H01L 21/66 H01L 23/12

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高い熱伝導性を有し絶縁材で構成された
    エンクロージャと、 前面と後面を有し、接着剤を介してその後面が上記エン
    クロージャ内部の天上に接着した集積回路チップと、 上記集積回路チップの上記前面上のダイパッド上にフォ
    トリソグラフィー処理プロセスにより形成された複数の
    コンタクトであり、その各コンタクトは、そのダイパッ
    ド上に垂直に形成されたベース部と、一端がベース部に
    形成される横部と、その横部の他端に垂直に形成する接
    触部とを有し、 気密シーリングのためにその集積回路チップの前面上に
    設けられたエンキャプスラントと、 により構成され、そのエンキャプスラントを介して複数
    のコンタクトが突起しており、そのコンタクトがコンタ
    クトターゲットに押されたとき、それぞれのコンタクト
    の横部が接触力を発生することを特徴とするＩＣパッケ
    ージ。
  2. 【請求項２】 上記集積回路チップ上のダイパッドは金
    属材料により構成され、デポジション、蒸着（エバポレ
    ーション）、スパッタリング、メッキのような金属形成
    プロセスにより形成される請求項１に記載のＩＣパッケ
    ージ。
  3. 【請求項３】 上記コンタクトは上記ダイパッド上に直
    接形成されて、その両者間の電気的接続を確立する請求
    項１に記載のＩＣパッケージ。
  4. 【請求項４】 上記コンタクトは金属材料により構成さ
    れ、上記ダイパッド上にフォトマスクを形成した後にデ
    ポジションのプロセスを実施して形成される請求項１に
    記載のＩＣパッケージ。
  5. 【請求項５】 上記コンタクトは上記ダイパッド上にフ
    ォトリソグラフィ行程を少なくとも３回繰り返すことに
    より形成され、その各フォトリソグラフィ行程は、フォ
    トレジストをコーティングするステップと、マスキング
    のステップと、露光ステップと、フォトレジスト除去ス
    テップと、導電材料のデポジションステップとにより構
    成される請求項１に記載のＩＣパッケージ。
  6. 【請求項６】 上記コンタクトの接触部の材料は、上記
    コンタクトを形成するための材料と異なる材料である請
    求項１に記載のＩＣパッケージ。
  7. 【請求項７】 高い熱伝導性を持つ絶縁材でできたエン
    クロージャと、 前面と後面を有し、その後面は接着剤を介して上記エン
    クロージャ内部の天上に接着し、その前面は導電材料に
    より構成された複数のダイパッドを有する集積回路チッ
    プと、 上記集積回路チップの前面の中央部に接触するための上
    部面を有するエラストマと、 伝導性金属で成るＰＣＢ（プリント回路基板）パッドを
    複数有し、上記エラストマの下部面に設けられたＰＣＢ
    基板と、 上記集積回路チップの上記前面上のダイパッド上にフォ
    トリソグラフィー処理プロセスにより形成された複数の
    コンタクトであり、その各コンタクトはダイパッド上に
    垂直に形成されたベース部と、一端がベース部に形成さ
    れる横部と、その横部の他端に垂直に形成する接触部と
    を有し、 上記ダイパッドと上記ＰＣＢパッドとを電気的に接続す
    るための複数のリードと、 上記集積回路チップの全面と上記ＰＣＢ基板を気密シー
    リングするために包み込むエンキャプスラントと、 により構成され、そのエンキャプスラントを介して複数
    のコンタクトが突起しており、そのコンタクトがコンタ
    クトターゲットに押されたとき、それぞれのコンタクト
    の横部が接触力を発生することを特徴とするＩＣパッケ
    ージ。
  8. 【請求項８】 上記集積回路チップ上のダイパッドは金
    属材料により構成され、デポジション、蒸着（エバポレ
    ーション）、スパッタリング、メッキのような金属形成
    プロセスにより形成される請求項７に記載のＩＣパッケ
    ージ。
  9. 【請求項９】 上記コンタクトは上記ダイパッド上に直
    接形成されて、その両者間の電気的接続を確立する請求
    項７に記載のＩＣパッケージ。
  10. 【請求項１０】 上記コンタクトは金属材料により構成
    され、上記ダイパッド上にフォトマスクを形成した後に
    デポジションのプロセスを実施して形成される請求項７
    に記載のＩＣパッケージ。
  11. 【請求項１１】 上記コンタクトは上記ダイパッド上に
    フォトリソグラフィ行程を少なくとも３回繰り返すこと
    により形成され、その各フォトリソグラフィ行程は、フ
    ォトレジストをコーティングするステップと、マスキン
    グのステップと、露光ステップと、フォトレジスト除去
    ステップと、導電材料のデポジションステップとにより
    構成される請求項７に記載のＩＣパッケージ。
  12. 【請求項１２】 上記コンタクトの接触部の材料は、上
    記コンタクトを形成するための材料と異なる材料である
    請求項７に記載のＩＣパッケージ。
  13. 【請求項１３】 ＩＣパッケージをプリント回路基板に
    装着させる方法であり、 上部にフックのついたアダプターを上記プリント回路基
    板に装着するステップと、 フォトリソグラフィー行程により、集積回路チップのダ
    イパッド上に形成された複数のコンタクトを有するＩＣ
    パッケージを備えるステップと、そのコンタクトはダイ
    パッド上に垂直に形成されたベース部と、ベース部上に
    一端を形成された横部と、横部の他端に垂直に形成され
    た接触部とを有して構成され、 上記コンタクトが上記プリント回路基板上の対応するコ
    ンタクトパッド上に装着されるように、プリント基板上
    にＩＣパッケージを位置合わせするステップと、 装着レバーを有するリテイナーを、上記ＩＣパッケージ
    の上部に取り付けるステップと、 上記アダプター上の上記フックに上記締め付けレバーに
    係合させて、上記ＩＣパッケージを上記プリント回路基
    板に押しつけるように、上記締め付けレバーを回転させ
    るステップと、により構成される方法。
  14. 【請求項１４】 上記アダプターは、一対の棒状の部品
    を有し、その各棒状部品の底部は上記プリント回路基板
    に設けられたスルーホールに圧入固定され、上記リテイ
    ナーはその両端に上記締め付けレバーを有する、請求項
    １３に記載のＩＣパッケージをプリント回路基板に装着
    させる方法。
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