JP3399949B2 - アライメント装置による潜像検出 - Google Patents

アライメント装置による潜像検出

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JP3399949B2 JP50278194A JP50278194A JP3399949B2 JP 3399949 B2 JP3399949 B2 JP 3399949B2 JP 50278194 A JP50278194 A JP 50278194A JP 50278194 A JP50278194 A JP 50278194A JP 3399949 B2 JP3399949 B2 JP 3399949B2
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    • G03F7/70653—Metrology techniques
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、フォトリソグラフィーにおけるマスクパタ
ーンの像形成用の光学系に関し、特に、最大シャープネ
スをもって像面を決定する方法に関する。
従来技術 近年の技術開発状況において、フォトリソグラフィー
の効率限界は未だ開発途上にあるとされる。従来、集積
半導体装置の大量生産に見合わせて、とりわけ、Ｘ線、
電子又はイオンリソグラフィーが使用されてきた。最近
の大量生産の開発において、以下にNAと記される開口数
の範囲0.45〜0.56を有するとともに波長365nmの紫外線
を用いた投影装置を介して従来形式のクロムマスクの内
容を転写する、いわゆるウェハステッパによりハーフミ
クロンディバイスが製造されてきた。いわゆるグローバ
ルアライメント装置を用いて、いわゆるマスクフィーチ
ャもしくはマスクマーカ及びウェハマーカ間を直接的に
相互保障して種々のマスク間相互のオーバレイ位置の精
度の改善が図られた。工程において、アライメント検出
装置からの光にウェハを露光した際に発生される光信号
の光学フイルター処理が行われる。
構造体の幅の低減化を図るために、開口数NAを更に増
大するとともに紫外（UV）領域における波長を更に低減
することが考慮されてきた。しかしながら、この方法は
鮮鋭度をかなり低下させることとなった。この状況は位
相シフト手段又は露光方法により像を改善することによ
っても有効に変更することができなかった。
大量生産において、構造精度を更にうまく向上させ得
る新しい技術の適用を可能とするには、処理しようとす
るウェハ上の重ね合わせ誤差及びライン幅のバラツキ等
のリソグラフィーパラメータを更に低減させることが要
求される。これらは、本来、写真材料又はレジストに投
入されたエネルギーのバラツキ、したがってレジストに
おける空間像の焦点ぼけ等の像の不鮮明さによって定ま
る。その結果、レジスト（焦点ぼけ）内の最良鮮明度を
有する空間像位置に対する技術的要因の影響を少なくす
ることが重要になってくる。それ故、レジスト内の空間
像の最適位置ならびに照射エネルギーの位置依存変動を
潜像によって決定し修正する試みがなされた。
集積回路測定法、検査と工程管理Ｖ（1991）,pp245〜
257およびpp294等に関する刊行物“SPIE,第1464巻”
に、投影システムを備えた測定装置に関する記述があ
る。これらは、等間隔な線と溝を備えた格子の潜像から
回折された光を吸収するという原理に基づいて構成され
たものであり、上記潜像は非化学線によるレジストの照
明時に結像されるものである。これは焦点の位置を推定
する際に用いることができ、投影システムのフォトリソ
グラフや像のパラメータを決定することができる。ウェ
ハ上のレジストにおいて、いわゆるステッパを用いてマ
ッチングマスク構造の像を結ばすことにより、格子を発
生させる。格子像により回折された光を記録するため、
光学的欠陥に対し厳密に制限しなくとも、比較的高いNA
を有する対物レンズを用いることが可能である。従っ
て、レジスト内の吸収および反射条件の非常に小さな変
化に対しても、確実に測定可能な信号が得られる。この
場合、第１の欠点は余分な装置が必要であること、すな
わち余分なコストがかかることである。第２の欠点は、
最適焦点位置等の必要情報の取得がかなり遅れることで
あり、この装置はテストウェハにしか使用できないこと
である。そのため、この装置ではオンラインおよび現場
での必要技術的チェックが不可能であり、したがって生
産ウェハ上の露光パラメータを直接測定し管理すること
が不可能である。
前述の著書“SPIE、pp286〜297"第1261巻に技術的記
述が掲載されており、それによると溝などのアライメン
トマーカーの複数像が、焦点ぼけの度合いが様々な状態
で段階的にレジスト層内でまず結ばれる。溝の潜像の解
像力がアライメント装置により測定され、焦点ぼけの度
合いが比較される。この場合、アライメント装置は光学
測定装置から構成される。光測定コントラストが最大と
なるように焦点を設定することにより、最適の基板の高
さ（または焦点）が定められる。そのためアライメント
用ステッパに用いる測定装置は、反射角測定のためにも
使用可能である。従って、この場合それ以外の装置は不
要である。しかしながら、重畳システムが化学光線で作
動することが欠点である。従来のレジストは、化学光線
を基本的にかなり吸収するという事実を示している。そ
の結果、半導体基板により反射する光学信号すなわち測
定信号は弱い。しかも測定時間は長く、測定精度は低
い。実際上、この技術は限定された品質のテストウェハ
にしか使用できない。その上、レジストおよびいわゆる
技術的層構造の層厚、すなわち最大反射領域の厚さを厳
しく監視する必要が生じる。
その上、装置幅を減少させるための技術的改善がさら
に進捗していることから、半導体技術に上記装置を用い
ることがより一層困難になっている。レジストを着色す
る場合、干渉効果を抑制するため非反射層を用いる場
合、またはコントラスト強調層を採用する場合等には、
特に上述の事実が当てはまる。装置が複雑になればなる
程欠陥も増してくる。その上、生産ウェハ上の焦点を現
場でチェックすることが実際上不可能である。
カリフォルニア州サンタクララで開催された光学マイ
クロリソグラフィIVに関するSPIEシンポジウム（1985年
３月10日〜15日）で発表された、S.Wittekoek,J.v.d.We
rf ＆ R.A.Georgeの論文に、最新式アライメント装置を
有するウェハステッパが既述されている。これらの装置
はアライメントマーカーから発せられた信号の濾波技術
に基いて作用するものである。上記光を用いた先行技術
に係る方法を、これらウェハステッパには使用すること
ができない。前述のステッパで指定されたアライメント
マーカのように段階的に焦点ぼけした像を結ばせた場
合、アライメント信号の強さを測定すると、弱くて無作
意に変動する値しか得られない。マーカの露光時に基板
高さを設定する場合に、これらの値からは何のヒントも
得られない。その理由は、露光中あるいはアライメント
中のマーカの焦点ぼけが検出信号に、すなわちアライメ
ント精度にできるだけ影響を及ぼさないように、重畳マ
ーカとアライメント装置が設計されているからである。
アライメントマーカよりも高い位置周波数を有する格子
を用いると、実質的に重畳信号は得られない。その理由
は、この構造により回折された光波が光学アライメント
装置の影像ビーム経路に存在するエッジフィルターによ
って濾過されるからである。低位置周波数格子状構造を
有するこの種アライメント装置は、重畳信号を抽出する
ための光学濾過技術に応用される。しかしながら、これ
までに、オンライン方式、すなわち、その場で基板の最
適高さとか基板表面に対し最適な像鮮明度を有する面の
傾きを決定する方式のアライメント装置に対し何ら技術
的な解決手段が見出されていなかった。
本発明の目的は上述の欠点を解決する手段を提供する
ことにあり、そのために、本発明に係るアライメント系
に光学フイルターと格子形アライメントマーカを備え
る。
本発明の構成 本発明の潜像検出方法は、投影光線によって基板上の
感光層内にマスクパターンの像を結像させるものであっ
て、マスクホルダー、基板ホルダー、該マスクホルダー
と基板ホルダー間に配置された投影レンズ系、及び投影
光線により基板上の感光層内に形成された未現像のマス
クパターンの像を測定する潜像検出器を用いて行われ
る。上記潜像検出方法は非化学線を使用し、投影レンズ
系を介して基板に対するマスクパターンのアライメント
を行うアライメント装置を用いるものであり、マスクア
ライメントマークと基板アライメントマークとの一致を
検出することにより行われる。上記アライメント装置は
電子信号処理回路と接続した放射線感度検出器を備え、
該電子信号処理回路において潜像検出のために当該検出
装置への入光線射のうち上記感光層内に形成されたマス
クパターン像の潜像から発せられた放射線の振幅を判定
するとともに上記アライメント装置の解像力よりも十分
に大きくかつ上記投影レンズ系の有効解像力にほぼ等し
い空間周波数を判定するようになっている。
本発明において、マスクアライメントマークがラスタ
ーとされかつ基板アライメントマークが位相ラスターと
され、ラスターマークの１つにより回折された１次回折
光のみがアライメント装置の検出系に到達するようにさ
れ、感光層内に形成された像がラスターマークを有し、
このマークは基板アライメントマークの周期と投影レン
ズ系の解像力にほぼ等しい周期とを重畳することにより
得た周期を有するようにされる。該アライメント装置
は、例えばラスターマークの一つにより偏向された１次
回折光のみを感光検出器に伝送する１次絞りを含む。
本発明において、潜像検出は、サブストラクチャから
成る少なくとも１つのマーカを用いて行われる。
例えば、上記マーカは、サブストラクチャを周期的に
繰り返し配列して成る格子を用いて形成される。
１実施例において、マーカは個別の位置周波数を有す
る２つの矩形格子から成り、それらの周波数は分離可能
限界位置周波数のオーダーであり、かつ、アライメント
に用いられる格子の基本位置周波数に相当する周波数差
を有する。
本発明において、基本アライメントストラクチャは、
上記矩形格子を構成する、特に、等間隔のバーおよび溝
から成るアナグロ要素を交互配置することにより形成さ
れる。
本発明において、上記交互配置アナグロ要素は、それ
ぞれ、ドラフトボード状エレメントおよび矩形格子形態
に区分して形成されたものとされる。
それ故、本発明においては、像コントラストが最大に
なる基本高さの決定がオンラインおよび現場で可能とな
る。本発明は次に述べるような考え方に基いている。す
なわち、アライメント装置は実際上非常に高い精度と信
頼性をもって作動することがわかっているが、投影レン
ズ系の解像力よりかなり小さい空間周波数を有する検出
アライメントラスター用に設計されたものである。それ
故、例えば基板上の感光層に対して投影レンズ系の結像
面の最適位置を測定するには不適当である。それにもか
かわらず、上記アライメント装置は上記の目的に合致す
るものである。そのため、空間周波数を有するマスクパ
ターンが付加的に用いられる。その周波数は、投影レン
ズの有効解像力にほぼ匹敵する周波数とアライメント装
置の解像力にほぼ等しい周波数とを重畳ものである。検
出信号の振幅は、上記信号のゼロ交点ではなく、装置内
で決定される。
上記空間周波数が確保できる内容を有するのであれ
ば、ラスターマークの代りに別のマークを用いてもよ
い。
最適結像面位置を確定することの外に、投影光線の最
適線量の確定に本発明を適用できる。
さらに、例えば鏡像力場曲率、非点収差および像の傾
き等投影レンズ系の収差を測定するために本発明を用い
ることができる。これらの偏差を測定するため、感光層
上の各点に多数のマスクパターンの潜像を形成する必要
がある。
本発明の方法を使用するにあたり、上記第１光源から
発する光のプロジェクタを用いて少なくとも１つのマー
カにより像を結ばせ、上記第２光源から発する光を感光
層内の細部形状の上に入射させて回折光線の強さをオプ
トエレクトロニクス装置によって測定する。
本発明は、さらにマスクパターンと感光層の像を基板
上に結ばせる方法に関するものである。投影レンズ系の
有効解像力にほぼ等しくかつ測定装置の解像力よりかな
り大きい空間周波数を発生するマスクパターンを使用
し、上記マスクは感光層の上に配置される。投影レンズ
系を用いて第１波長を有する投影光線により、マスクパ
ターンの像を感光層内に結ばせる。感光層の露光部分は
光学測定装置のビーム経路内に移動され、この測定装置
は感光層には感光しない第２波長の光線を使用する。マ
スクパターンの感光層内潜像は測定装置により検出さ
れ、測定された信号の振幅は、潜像のコントラストの関
数である。測定装置が供給した測定信号により示される
像パラメータの瞬間値は、上記パラメータの希望値と比
べられ、前述の像パラメータが設定され、感光層内の少
なくとも１箇所にマスクパターンの像が結ばれる。
以下の詳細な記述から、さらに別の利点や特徴が明ら
かとなろう。
図面の簡単な説明 第１図は、ウェハステッパにおけるアライメント装置
の説明線図である。
第２図は、本発明による結像面測定構造の説明線図で
ある。
第３図は、結像面サブストラクチャの第１実施例の説
明線図である。
第４図は、第３図の一部分の詳細線図である。
第５図は、第３図のさらに別の部分の詳細図である。
第６図は、結像面サブストラクチャの第２実施例の説
明線図である。
第７図は、結像面サブストラクチャの第三実施例の説
明線図である。
第８図は、結像面サブストラクチャの第四実施例の説
明線図である。
第９図は、結像面サブストラクチャの第五実施例の説
明線図である。
実施例の説明 第１図は光学システムを線図形式で示し、ウェハステ
ッパにより処理すべきウェハが内蔵されている。光学シ
ステムはレンズ一式から成り、これらのレンズは入射光
線のビーム経路、たとえば光線ビーム10内に配置されて
いる。入射光線10はレンズ１、２（選択可能）を介して
その下流側に位置するウェハ３に当たるようになってい
る。ウェハ３は、例えば従来のシリコン基板で構成され
ていてキャリヤ２上に置かれ、ウェハの底面がそこに当
接している。ウェハ３の上面は、交互に突出するリブと
介在スロットを配列してできた特定の形状を有する。光
学システム、特に光学システムの入射側に配置したマス
ク４によりこの形状は異なる。マスクはある形状を有し
これは上記光線ビーム10により光学システムを介してウ
ェハ３の上面に転写される。さらに関連する詳細部分を
以下に説明する。放射光線10の一部は、ウェハ３に当た
ると回折角に応じてウェハにより反射される。さらに、
アライメント信号を測定するために検出装置、特にエレ
クトロニクス装置を設けてある。アライメントマーカで
回折された反射光のうち、望ましくない周波数を除去す
るため、戻り光路内に少なくとも１つの１次絞り７を備
えている。
さらに、アライメントマークまたはアライメントマー
カ８を少なくとも１個ウェハーの上に設けてある。上記
少なくとも１つのアライメントマーカはウェハ３の上記
シリコン基板内に配置した、例えば２個の位相格子から
構成されている。上記位相格子は、それぞれ、例えば、
基本位置周波数62.5mm-1、56.82mm-1を有する、実質的
に等間隔をもって連続したリブ11とスロット12から成っ
ている。露光波長365nに対しレンズのNAは0.50である。
さらに、露光レンズ５が備えてあり、光線例えば波長63
3mmを有する非化学光線マーカー８に直角に入射できる
ように露光レンズを配置してある。前述の光線は格子に
おいて回折する。この回折により上記光波Ａ±ｎの変化
が生じる。ここでｎ＝0,・・・Ｎ。光波は角度βｎでマ
ーカーを離れレンズ１を通過する（簡単のため第１図で
は１個の単一レンズを線図で表してある）。その結果、
対物レンズ内に存在する絞り７を通過すると、一次の回
折光を除き、高次の回折光波Anが除去される。ウェハマ
ーカ格子の像が位置周波数の一致によりマスクマーカ格
子内に結ばれた結果、マスク面に光の分散が発生する。
上記光の分散は、重畳測定システムに対するウェハ３の
横移動によりウェハ面内で走査される。ウェハ位置座標
の関数とされる、マスクマーカ後面側に転送された放射
光の変調は、上記電子検出装置６によって測定される。
一致位置は、座標と関連して次の条件をもって定義され
る。すなわち、測定で得た移行光線が２個の格子に対し
異なる個別周波数を有すること、同一であること、およ
び実質的にゼロであること、の３条件による。マスクマ
ーカ格子を通過する光線の変調は、ウェハマーカの横方
向移動または移行中に測定される。この場合、光線は一
次のオーダーの回折波の強さを推定する手段である。従
って上記光線は関連する測定量であり、この量は本発明
による問題解決の手段に以後応用される。
次に、レジスト内に結像面を鮮明に確定する方法につ
いて述べる。これは、第１図に示す光学システムの光軸
上の最適基板高さを求めることを意味する。
結像面測定構造（IPMS）の像は、感光層（例えばフォ
トレジスト）によって覆われている基板３の上に段階的
に結ばれる。光軸に沿って基板高さを変化させながら像
が結ばれる。もし好ましくないないなら、露光量を変え
ながら行なうことも可能である。そうすることにより、
レジストの光学特性、吸収量そして特に屈折率が変化す
る。従って、光学的改良を促進する目的で化学処理のた
めの化学的手段を提供することが可能となる。
従って基板３は段階的な移行を行ない、それにより結
像面測定構造がアライメント装置の走査窓のゾーンに到
達する。走査窓の内側で結像面測定構造が移動すると同
時に、検出装置６によってマスクマーカ４を通過する光
線の変調が測定される。次に、上記変調の内容はステッ
パのメモリ−内に記録され保存され、その値は光軸上の
基板高さに付加される。
その後、周知の、いわゆる、曲線あてはめ法が測定し
た関数値SS（ΔＺ）に適用される（ここでＺ＝二次多項
式で求めた基板高さの変化）。次にSSの極値に相当する
基板高さΔZfが結像面測定構造の設計用参考値として計
算される。この極値は、レジスト内で空間像の最適鮮明
度を得るための基板高さの点を表す。上記極値は、レジ
スト内の潜像の最大鮮明度に対して、最適リソグラフ焦
点に正確に付加できる限定された手段である。
第２図は、本発明による結像面測定構造を示す。例え
ば結像面IPMS30の測定構造の正方形表面が線図で示して
ある。本発明によれば、これは少なくとも２種類のサブ
ストラクチャ31および32に分割される。サブストラクチ
ャは両方とも例えば、正方形になっており、幾何学的比
例係数が互いに相異するだけである。従ってマスク上に
現れるサブストラクチャの一例につき以下詳細に説明す
る。
このようなサブストラクチャを第３図および第６図〜
第９図に示す。本発明では、各サブストラクチャはさら
に部分サブストラクチャに分けられる。部分サブストラ
クチャ311、312の配列の周期は、基本位置周波数の半分
に合致するのが望ましい。この場合、各周期はサブスト
ラクチャ31の一辺に対し平行に延びるストリップで構成
され、基本格子のリブとスロットの数に合致する数によ
り決まる。図の例によれば、部分サブストラクチャ311
および312のストリップ幅は異なる。それら部分サブス
トラクチャ311、312のストリップ幅の比率は自由に選べ
る。
第４図および第５図の詳細図は、部分サブストラクチ
ャ311,312がさらに細部形状3111,3112,3121,3122に分け
られる状態を示す。上記細部形状は、例えば縞形または
矩形になっている。もちろん別の形状も可能である。し
かしながら、本発明の細部形状の基本条件は、部分サブ
ストラクチャ311または312のうち少なくとも一方の細部
形状の寸法が、投影システムの解像度限界と同じオーダ
ーの大きさとしなければならないことである。本発明に
よれば、細部形状の配列は位置周波数ゼロを有する周期
的格子で構成される（極端な場合）。第４図の詳細図で
は、部分サブストラクチャ311は、透明および不透明な
（例えばクローム皮覆した）正方形3111および3112から
構成される市松模様を有している。正方形3111のサイズ
は、例えば、0.3〜１（λ/NA）の範囲であり、本実施例
では、0.55（λ/NA）とされる。
一方、サブストラクチャ312は、例えば大きさが1000m
m-1のオーダーの位置周波数を有する等間隔リブおよび
スロットを備えた矩形格子から構成される。各種サブス
トラクチャの幅は約８μｍであることが望ましく、その
長さは少なくとも基本アライメントマーク８の長さと同
じでなければならない。
サブストラクチャの細部形状として、単一格子の代わ
りに位置周波数の異なる数個の格子を用いることも可能
である。この場合、サブストラクチャ31は二方向に分割
される。言い換えれば、基本格子のリブとスロットに対
し直角に分割すると共に、少なくとも一組のサブストラ
クチャに対しリブとスロットに平行な分割が行われる。
図示の例では、細部形状として３個の矩形格子が設けて
あり、これらは1000〜1500mm-1の範囲にある位置周波数
を有する。
更に、サブストラクチャ311の細部形状として、市松
模様の代わりに2000mm-1の位置周波数を有する格子を設
けてもよい。この場合、基本格子８のリブに対し直角の
リブを配設する。結像面IPMSの測定構造に関する本実施
例では、一つの影像高さに対する結像面測定マークの照
射を少なくとも２段階で行い、各々基準照射量の半分を
用いるのが望ましい。このようにすれば、ウェハは基本
格子８のリブに平行に移行して、一回目の照射時に照射
されなかった細部形状312の領域が、二回目の照射時に
照射されて好都合である。
第６図は本発明によるサブストラクチャの実施例を示
す。これは解像限界付近の周波数ν１及びν２を有す
る、２つの矩形格子の透明度を付加することによって得
たものであり、両周波数の差Ｖは基本格子の位置周波数
の半分に正確に一致する。
単一測定マークに３つの格子の組合わせを用いること
も可能である。更に、本発明によれば、基本格子のリブ
に対し直角方向にサブストラクチャ31の細部形状311を
設けることもできる。この場合も、それぞれ位置周波数
ν1,ν2,ν３が解像限界に近い矩形格子の配列で構成さ
れるサブストラクチャ31を設けることができる。リブと
スロットの幅に対し等距離に矩形格子を配置することが
望ましいことは一般論的に事実である。本発明によれ
ば、サブストラクチャは光学的に均質な領域、すなわち
非構造物、被覆または非被覆領域として設計される。
特定の応用例に関して述べた上記プロセスは、鏡像力
場の中心部以外に，特に鏡像力場の周端部を含んだ複数
の結像点の場合にも同様に適用される。これは、光軸ま
たはウェハ表面に対し最も鮮明な像を結ぶ面の傾きを決
定し修正することが、本発明によって可能となることを
示すものである。その上、両同一座標に関し結像面測定
マークの像を結びそれらを測定することにより、投影光
学系の非点収差を確定するために用いることも可能であ
る。
これらの応用により、いわゆる技術的層状構造の使用
も可能となる。本発明によれば、上述の測定マークを例
えばエッチングスロット（いわゆるスクライブライン）
に露光することもできる。さらに、例えば本発明を用い
て生産ウェハを実際に露光する前に、最適鮮明度を得る
ための焦点設定が確定できる。この最適鮮明度の設定に
おいて、実際のマスク内容が生産ウェハ上に露光され
る。こうして、生産ウェハへの現場測定やウェハ高さの
現場修正、すなわち望ましいオンライン監視やオンライ
ン修正が可能となる。
フロントページの続き (72)発明者 ゼルトマン，ロルフ ドイツ国 デー−8010 ドレスデン、ホ ーエ シュトラッセ 21番 (56)参考文献 特開 平３−262902（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−287407（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−31704（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−243445（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/08 G03F 9/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板における感光層にマスクパターンの画
    像を形成する方法であって、上記感光層の上方に少なく
    とも１つのマスクマークを有するマスクが配置され、上
    記感光層に、投影レンズ系及び第１波長を有する投影放
    射線により上記マスクマークの影像を形成し、上記感光
    層の露光部分を、該感光層が不感とされる第２波長を有
    する放射線を使用した光測定系のビーム経路内に移送
    し、上記感光層における上記マスクマークの潜像を光測
    定器により検出し、上記光測定器からの測定信号により
    示される画像パラメータの瞬時値を該画像パラメータの
    基準値と比較することにより該画像パラメータを設定
    し、上記感光層における少なくとも１個所に上記マスク
    パターンの画像を形成する、マスクパターン画像の形成
    方法において、 上記マスクマークの空間周波数が上記投影レンズ系の有
    効解像力と略同等とされるとともに上記光測定器の解像
    力よりかなり大きく、光測定信号の振幅が上記潜像のコ
    ントラストの関数とされることを特徴とする、基板の感
    光層へのマスクパターンの画像の形成方法。
  2. 【請求項２】基板の感光層へのマスクマーク画像の形成
    が複数段階をもって行われ、上記感光層に対する投影レ
    ンズ系の像面位置が連続した２段階をもって変更される
    とともに上記基板がその平面内で移動され、このように
    して形成された一連の画像が上記感光層に対する上記投
    影レンズ系の像面の最適位置を演繹しかつ設定するよう
    にした、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】基板の感光層へのマスクマーク画像の形成
    が複数段階をもって行われ、各段階において投影放射線
    エネルギー値が相異するものとされ、２つの連続した段
    階間で上記基板がそれ自体の平面内で移動され、このよ
    うにして形成された一連の画像が露光エネルギーの最適
    値を演繹しかつ設定するようにした、請求項１に記載の
    方法。
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