JP3392885B2 - 電子ビーム加熱装置およびその方法 - Google Patents
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Description
料を電子ビームによって加熱し熱処理を施すための電子
ビーム加熱装置および材料加熱方法に関する。
ロセスにおける各種のアニール(例えば、イオン注入時
のアニール,絶縁層の平坦化リフロー,配線メタルシン
タリング)や各種の活性化処理(例えば、液晶TFT等
における絶縁物基板上の薄膜電子デバイスの活性化処
理)を行なう場合、材料の加熱処理がなされる。特に、
半導体デバイスや薄膜デバイス等の電子デバイスの製造
プロセスにおけるアニール技術としては、デバイスの高
密度化に伴なって、短時間で材料表面のみを加熱し、下
地に影響を与えないものが必要であり、これには電子ビ
ームによる加熱が適している。すなわち、材料をアニー
ルするのに、電子ビーム,あるいはレーザ光,ランプ光
などを用いることができるが、このうちで、電子ビーム
は、基本的にどのような材料に対しても表面加熱が可能
であり、ランプ光,レーザ光を用いる場合に比べて、適
応範囲が広いという利点がある。
ム加熱装置として、従来では、著者N.J.Ianno等による
文献「“イオン注入された半導体のプラズマアニーリン
グ”,Appl.Phys.Lett.39(8),1981年10月15
日」に開示されているような装置が知られている。この
装置では、図9に示すように、チャンバ50内に50〜
100mtorrのヘリウムガスを満たし、チャンバ5
0内を低真空状態にし、この状態で、陰極51と陽極5
2との間に数KVの電位差を与えて10〜80mAの電
流が流れるように維持し、2つの領域に放電を生じさせ
るようにしている。そのうちの1つの放電領域は、陰極
51の近くの陰極暗部(イオンシース)領域であり、他
の1つは、陽極52の陰極51とは反対の側の下流にお
いて生ずる負のグロー放電領域である。定常状態では、
陰極51からは、ガス放電によるイオン等の衝撃によっ
て電子が放出される。この電子は陰極暗部領域において
高電界を受け、負のグロー放電領域に向けて加速され、
高エネルギー電子ビームとなる(ビーム状に形成され
る)。一方、負のグロー領域は、電界がほとんどない領
域であり、この領域においてグローは、陰極暗部領域か
ら入射する高エネルギー電子ビームによって維持され
る。グロー領域の長さは、高エネルギー電子ビームが存
在する範囲に等しく、高エネルギー電子ビームは、この
グロー領域を経てグロー電子ビームとして材料53に入
射し、材料53のアニーリングに使用される。なお、図
9の装置では、グロー電子ビームの焦点を材料53上に
合わせるなどのために、磁気レンズ54がさらに設けら
れている。
ネルギー(すなわち、電子の侵入深さ)をアニーリング
に必要な全体のパワーとは独立に制御することができる
ことにある。すなわち、グロー電子ビームのエネルギー
をチャンバ内の圧力とは独立して、陰極51,陽極52
間の印加電圧のみによって変化させることができる一方
で、グロー電子ビームのパワーについては、チャンバ内
の圧力を変えることによってこれを変化させることがで
きる。グロー電子ビームのこのような特徴は、アモルフ
ァス材料よりもアニールが難かしいとされる軽度に損傷
した材料,例えば表面にイオン注入がなされた材料をア
ニールする際に、特に有利であり、この種の装置によっ
て結晶の表面から所定の深さの部分だけを良好にアニー
ルすることができる。
者は、上記グロー領域がアーク放電の発生するアーク領
域と隣接しており、上記装置において何らかの要因で陰
極51の全面や一部で電流密度の増加や集中が起こる
と、グロー放電からアーク放電に移行してしまうという
ことを見出した。すなわち、アーク放電へ移行すると、
陰極51の近くに形成されていた陰極暗部領域が削減
し、従って、この領域で電子が加速されず、アニールに
必要な十分なエネルギーのものでなくなるため、材料5
3の加熱特性にゆらぎが生じ、材料53を良好に安定し
てアニールすることができなくなるということを見出し
た。
しており、電子ビームにより材料のアニールを行なう
際、アニールを良好にかつ安定して行なうことができる
よう材料を加熱することの可能な電子ビーム加熱装置お
よび材料加熱方法を提供することを目的としている。
に、請求項1記載の発明は、 電子ビームにより材料を
加熱する電子ビーム加熱装置において、グロー放電によ
り得られる電子ビームで材料を加熱する加熱部と、該加
熱部内で電子ビームを発生させるための電力を供給する
電源供給手段と、該電源供給手段から前記電子ビーム発
生用の電流を制御する制御手段とを備え、該制御手段
は、前記電子ビーム発生用の電流に対し負帰還の定電流
制御を行なう定電流制御手段と、正帰還の定電流制御を
行なうゲート制御手段と、を備えていることを特徴とす
る。
制御手段は、前記電源供給手段の変動により異常グロー
放電領域からアーク放電領域に移行するのを防止し、前
記ゲート制御手段は、前記加熱部の加熱特性の不安定性
により異常グロー放電領域からアーク放電領域に移行す
るのを防止することを特徴とする。
制御手段は、前記加熱部内に設けられた陰極部と陽極部
間の電位変化を検知する電位変化検知手段と、該電位変
化検知手段からの電位変化に基づき負性抵抗を感知する
負性抵抗感知手段と、該負性抵抗感知手段により前記負
性抵抗が感知された場合、所定の時間前記陰極部の電源
経路を遮断するゲート手段とを備えていることを特徴と
する。
と前記制御手段の中間に位置し、電子ビーム発生用の電
流を所望の時間単位でスイッチングする付加制御手段を
更に備えたことを特徴とする。
り材料を加熱する電子ビーム加熱方法において、加熱部
内の材料をグロー放電により得られる電子ビームで加熱
する場合、前記加熱部内で電子ビームを発生させるため
の電力を供給する電源から前記電子ビーム発生用の電流
に対し負帰還の定電流制御と、正帰還の定電流制御を同
時に行なうことを特徴とする。
電流制御は、前記電源からの電流値を検出し、該電流値
に基づき前記電源からの経路を遮断若しくは短絡するこ
とを特徴とする。 また、請求項7の発明は、前記正帰還
の定電流制御は、前記加熱部内に設けられた陰極部と陽
極部間の電位変化を検知し、該電位変化に基づき負性抵
抗を感知することにより、所定の時間前記陰極部の電源
経路を遮断することを特徴とする。 また、請求項8の発
明は、前記電子ビーム発生用の電流を所望の時間単位で
更にスイッチングすることを特徴とする
ームで材料を加熱する加熱部に電源手段より電力を供給
するが、この際に、制御手段によって電源手段からの電
子ビーム発生用の電流を制御して加熱部における放電を
制御し、これにより、グロ−放電からア−ク放電への移
行を防止する。
意図的な信号により付加制御するための付加制御手段が
設けられている場合には、材料の表面温度のみを上昇さ
せ、材料のバルク中を低温のままに維持できて、材料の
表面のみを効果的に熱処理することができる。
する。図1は本発明に係る電子ビーム加熱装置の第1の
実施例の概略構成図である。図1を参照すると、この電
子ビーム加熱装置は、チャンバ1内が加熱部として機能
するようになっており、チャンバ1内に陰極2と、加熱
処理がなされるべき半導体等の材料9を支持するホルダ
ー3とが設けられている。陰極2とホルダー3とは、制
御回路5を介して高圧の直流電源4に隣接されており、
陰極2とホルダー3との間には、グロー放電を生じさせ
る電位差が直流電源4から制御回路5を介し加えられ
て、陰極2からグロー電子ビームが材料9に向けて放出
されるようになっている。なお、チャンバ1内を0.1
〜100torrの真空度にするため、チャンバ1に
は、ガス導入部46およびガス排気部47が設けられて
いる。チャンバ1内に導入されるガスとしては、基本的
には任意の種類のものを使用することができるが、グロ
ー放電を安定して生じさせるためには、ヘリウムなどの
希ガス等が有利である。また、陰極2の材質としては、
基本的には導電性を有するものであれば良いが、電子放
出能の高い材料,すなわち仕事関数の小さい材料がより
好ましい。また、この例では、ホルダー3自体が陽極と
して機能し、陰極2とホルダー3との間が直流電源4に
対する負荷となっているが、図9の従来の装置のよう
に、ホルダー3とは別に、ホルダー3と陰極2との間の
適宜の位置に陽極を設け、また、グロー電子ビームの焦
点をホルダー3上の材料に合わせるための磁気レンズを
さらに設けるような構成にしても良い。
る。制御回路5は、直流電源4からの電子ビーム発生用
の電流を制御するために設けられており、定電流制御部
6と、ゲート部7と、ゲート部7を制御するゲート制御
部8とから構成されている。
きの放電の代表的な電流−電圧特性を示す図であり、図
3からグロー電子ビームの発生する異常グロー領域は正
抵抗性を示すことがわかる。材料9を電子ビームによっ
て安定してアニールするためには、材料9への電子の量
を制御することが必要であり、定電流制御部6は異常グ
ロー領域での制御を行なうために設けられている。すな
わち、定電流制御部6は、正抵抗性を示す回路に対する
定電流制御を行なうようになっており、電源4から陰極
への電流の増加を感知すると電流量を減少させ、また電
流の低下を感知すると電流を増加させる負帰還の定電流
制御を行なうよう構成されている。
経路Pを流れる電流値を読出す電流値読出器10と、読
出された電流値に基づき、電流経路Pを流れる電流の増
加,減少を感知する負帰還の差動増幅器11と,差動増
幅器11において電流の増加が感知されたときに電流経
路Pを電気的に遮断し、電流の低下が感知されたときに
は電流経路Pを短絡(シャント)状態にするトランジス
タ12とを有している。また、差動増幅器11における
電流の増加,減少の感知特性を適宜調節するためにバイ
アス電圧源Vsが設けられている。なお、この例では、
電流値読出器10は、抵抗Riで構成されており、抵抗
Riの両端の電位差によって電流値をViとして読出すよ
うになっているが、電流値読出器10としては、抵抗R
iに限らず各種の手段を用いることもでき、さらに、定
電流制御部6としては負帰還の定電流制御がなされる構
成であれば良く、上記例以外の構成のものにすることも
可能である。
ロー放電からアーク放電への移行(正抵抗性を示す領域
から負性抵抗性を示す領域への移行)は、グロー放電時
における電流(陰極面での電流密度)よりもさらに電流
(陰極面での電流密度)が増加することによって引き起
こされることがわかる。単なる電源4の不安定さ等に起
因した電流増加によるアーキング、すなわち、電流経路
P上で実際に検知可能な電流増加に基づくアーキング
は、上述した定電流制御部6による制御である程度防ぐ
ことができる。しかしながら、陰極2の面上への不純
物,ゴミ等の付着、あるいは陰極2の面上のおう・とつ
によって陰極2の一部の箇所で電界が集中し、見かけ上
電流密度が増加する場合にもアーキングが生ずる。この
場合、この見かけ上の電流密度の増加については電流経
路P上で検知することができないので、これに対しては
定電流制御部6では有効な制御を行なうことができな
い。ゲート部7およびゲート制御部8は、このような見
かけ上の電流増加によって生ずるアーキングをも防止す
るために設けられている。すなわち、ゲート部7および
ゲート制御部8は、電流経路Pを流れる電流に対し、正
帰還の電流制御を行なうようになっており、ゲート部7
によって電流経路Pを電気的に遮断したり短絡(シャン
ト)状態にしたりするようになっている。
2と陽極(ホルダー)3との間の電位変化を検知する電
位変化検知部20と、検知した電位変化に基づき負性抵
抗を感知する比較器21と、比較器21において負性抵
抗が感知されたときにゲート部7のゲート遮断期間ts
を設定するゲート遮断時間設定部22とを有している。
この例では、電位変化検知部20は抵抗Rj,Rkから
構成され、比較器21は演算増幅器により構成されてお
り、電位変化検知部20と比較器21とは放電の電流−
電圧特性における負性抵抗を読出す負性抵抗読出部とし
て機能するようになっている。なお、負性抵抗読出部と
しては、グロー放電に必要な電位差以上の耐圧をもって
いることが必要であり、図2の例では、抵抗Rjと抵抗
Rkとの比を例えば1:1000にし、陰極2とホルダ
ー3との間の電位差を1/1000に分圧した上で比較
器21に入力させることで耐圧を確保している。電位変
化検知部20については、抵抗以外にも、例えばフォト
トランジスタやフォトダイオードの組み合せなどの種々
の回路素子を用いることができ、比較器21についても
演算増幅器以外の任意の回路により構成することができ
るが、電流制御の応答性を高めるため、動作速度の速い
素子により構成されるのが望ましい。図2の例では、コ
ンデンサC1等からなる微分回路を設けることによっ
て、さらに応答性に優れた回路を実現している。
えばマルチバイブレータ等の発振器を用いることができ
る。
ような構成のものにすることができる。ゲート部7とし
ては、電流経路Pを遮断する場合にも、あるいは短絡
(シャント)する場合にも、グロー放電を生じさせるに
必要な電位(数kV)以上の耐圧が必要であり、図4の
例では、ゲート部7は、ゲート素子として機能するトラ
ンジスタ14と、真空管15,16と、数kΩの抵抗R
1,R2と、1MΩ以上の抵抗R3,R4と、耐圧5k
V以上のコンデンサC2とから構成されている。また、
図5の例では、ゲート部7は、ゲート素子として機能す
るトランジスタ17と、耐圧を得るのに必要な個数だけ
多段に接続されたトランジスタ群18とから構成されて
いる。図4,図5の構成例では、耐圧のために真空管1
5,16を用いるかトランジスタ群18を用いており、
また、ゲート素子としてトランジスタを用いているが、
ゲート部7としては充分な耐圧とスイッチングが可能で
あるものであれば良く、ゲート部7を図4,図5以外の
回路構成にすることもできる。
ビーム加熱装置の動作について説明する。直流電源4か
らグロー放電に必要な電力が制御回路5を介し、負荷,
すなわち陰極2,ホルダー3間に加わると、陰極2,ホ
ルダー3間でグロー放電が生じ、陰極2の面から電子が
放出されてホルダー3上の材料9に電子ビームとして入
射する。この電子ビームが入射することによって前述の
ように材料の表面部分(表面から所定深さの部分)のみ
を加熱し、この部分のみをアニールすることができる。
よって、電流経路Pを流れる電流が変動すると、制御回
路5の定電流制御部6ではこのような電流変動を負帰還
で制御する。すなわち、図3において正抵抗性を示す異
常グロー放電領域で作動しているときに、電流経路Pを
流れる電流が低下すると、電流を増加させるように制御
し(トランジスタ12を短絡状態にし)、これと反対
に、電流が増加すると、電流を低下させるように制御す
る(トランジスタ12を遮断状態にする)。これによ
り、正抵抗性を示す異常グロー放電領域において、陰極
2への電流が常に一定となるように制御することがで
き、直流電源4の不安定性などによって、電流が増加し
て異常グロー放電領域からアーク領域に移行してしまう
という事態を有効に防止することができる。
よる電流変動に対しては、定電流制御部6によって変動
を抑えアーキングを有効に防止することができるが、定
電流制御部6によってアーキングを有効に防止できるの
はチャンバ1内における加熱特性が非常に安定している
場合に限られ、加熱特性が不安定であるとき,具体的に
は、陰極面の一部における見かけ上の電流密度が増加し
てアーキングに移行するようなときには、このアーキン
グを定電流制御部6によっては防止することができな
い。しかしながら、第1の実施例では、定電流制御部6
の他に、ゲート部7およびゲート制御部8が設けられて
おり、加熱特性が不安定であることに基づいて生ずるア
ーキングに対してはゲート部7およびゲート制御部8に
よって防止することができる。すなわち、陰極面の一部
において電流密度が増加し、図3の正抵抗領域(異常グ
ロー放電領域)から負性抵抗領域(アーク放電領域)へ
の移行が始まると、ゲート制御部8においては、負性抵
抗性を感知(すなわち陰極2,ホルダー3間の電圧の降
下を感知)し、ゲート遮断時間設定部22では、電流遮
断(あるいは低下)を所定期間ts行なうための信号を
ゲート部7に出力する。これにより、ゲート部7では、
所定期間ts、電流経路Pを遮断し(あるいは電流量を
低下させ)、この期間直流電源4から陰極2に流れる電
流を制御する。この結果、陰極2,ホルダー3間に流れ
る電流密度は減少し、図3において、アーク放電領域へ
の移行が始まった場合にも、これを再び異常グロー放電
領域に戻すことができる。このように、ゲート部7,ゲ
ート制御部8を設けることによって、負性抵抗領域への
移行が起こった際にも、再度正抵抗領域へ復帰させるこ
とが可能となる。
生ずるアーキングを防ぐために、陰極面積を大きくする
ことも考えられる。しかしながら、陰極面積を大きくす
ると、加熱装置自体の規模が大きくなる。これに対し、
上述の実施例では制御回路だけによってアーキングを防
止することができるので、陰極面積を不必要に大きくす
る必要がなく、加熱装置をコンパクトなものに維持する
ことができる。
と、ゲート部7と、ゲート制御部8との全てを有してい
る場合を示したが、制御回路5としては、定電流制御部
6だけが設けている構成、ゲート部7,ゲート制御部8
だけが設けられている構成についても考えることができ
る。但し、定電流制御部6だけが設けられている場合に
は、前述のように、直流電源4の不安定性等による電流
変動については、これを抑えることができるものの、陰
極面での電流密度の増加によって生ずるアーキングを防
止することができない。一方、ゲート部7,ゲート制御
部8だけが設けられている場合には、アーキングが始ま
ったときにこれを再び異常グロー放電領域に戻すことが
できるものの、定電流制御がなされないために、直流電
源4が不安定であったりする場合、電流変動が大きくな
り、安定した加熱処理ができなくなることがある。
7,ゲート制御部8の全てが設けられているときには、
上記両者の各欠点を克服することができる。すなわち、
直流電源4の不安定性等による電流変動についてこれを
抑えることができるとともに、陰極面での電流密度の増
加によってアーキングが始まったときにも、これを再び
異常グロー放電領域に戻すことができて、アニールに必
要な十分なエネルギーをもつ電子ビームをより安定して
形成することができ、材料9の加熱,アニールをより良
好に安定して行なうことができる。
のみからなる構成とした場合の加熱特性を示す図であ
り、図6(b)は制御回路5を図2に示すような定電流
制御部6,ゲート部7,ゲート制御部8からなる構成と
したときの加熱特性を示す図である。図6(a),
(b)を比べると、定電流制御部6のみの構成では(図
6(a))、ア−キングが生ずることにより陰極,ホル
ダ間の電流値が変動し、同時に加熱温度も変動し加熱特
性が不安定であるが、定電流制御部6にさらにゲート部
7,ゲート制御部8を付加した構成とすることによって
(図6(b))、電流,温度とも安定し加熱特性が飛躍
的に向上して、高効率な加熱が可能になることがわか
る。
第2の実施例の概略構成図である。この第2の実施例で
は、図1に示した第1の実施例の構成において、さらに
付加制御部30が設けられている。付加制御部30は、
電子ビーム発生用の電流を意図的な信号により制御する
ためのものであって、図7の例では、ゲート部31と、
該ゲート部31を任意パルス状に所定期間tpを動作さ
せるための発振器32とから構成されている。すなわ
ち、ゲート部31は、発振器32からの信号により、任
意パルス状に所定期間tpだけ電流経路Pをオンにし、
それ以外の期間中は電流経路Pをオフにするようになっ
ており、その際、制御回路5におけるゲート部7の遮断
期間tsと付加制御部30のゲート部31のパルス・オ
ン期間tpとの間には次式の関係が必要である。
ム加熱装置では、tsを100μ秒以下にしてゲート部
7を制御し、tpを100μ秒〜1秒にしてゲート部3
1を動作させることによって、良好なパルス状の電子ビ
ームを発生することができた。実際に、電流値を100
mAとし、ゲート部31のパルスオン時間,パルス休止
時間を図8(a)に示すように、それぞれ2.5m秒に
して電子ビーム加熱装置を動作させると、図8(b)に
示すような加熱特性を得ることができた。図8(b)か
ら、電子ビームをパルス動作させると、材料9の表面温
度のみを上昇させることができ、材料9のバルク中を低
温のままに維持できて、材料9の表面のみを効果的に熱
処理することが可能となる。
薄膜デバイスのアニール技術に要求されるようなごく表
面の下地に影響を与えない加熱に適するものである。例
えば、第2の実施例の電子ビーム加熱装置を用い、P
(リン)イオン打ち込み後のSiウェハーの活性化アニ
ールを行なうと、Siバルク温度約400℃以下の温度
で活性化が可能であり、さらに、Si中へのPイオンの
拡散については次表に示すように、通常の電気炉中で行
なわれる条件でのアニールに比較し、非常に小さく、イ
オン打ち込み深さとほとんど変わらない。すなわち、イ
オン拡散による下地層への影響がほとんどないアニール
方法を提供することが可能となる。
要な工程は、他に配線層メタルのシンタリング、層間絶
縁層の平坦化等種々あげられるが、この種の熱処理に対
しても、本発明の電子ビーム加熱装置は適している。
載の発明によれば、グロー放電により得られる電子ビー
ムで材料を加熱する加熱部に電源手段より電力を供給す
るに際し、制御手段によって電源手段からの電子ビーム
発生用の電流を制御して加熱部における放電を制御する
ようにしているので、加熱部の構造を不必要に大きくし
たりせずとも、グロ−放電からア−ク放電への移行を防
止し、安定した電子ビームを形成できて、電子ビームに
よる材料のアニ−ルを良好にかつ安定して行なうことが
できる。
前記定電流制御手段は、前記電源供給手段の変動により
異常グロー放電領域からアーク放電領域に移行するのを
防止し、前記ゲート制御手段は、前記加熱部の加熱特性
の不安定性により異常グロー放電領域からアーク放電領
域に移行するのを防止するので、安定した材料の加熱を
行なうことができる。
制御手段に、放電の電流−電圧特性の負性抵抗性を感知
し、負性抵抗性を感知したときに電子ビーム発生用の電
流の増加を制限する制限手段が設けられている場合に
は、加熱部の加熱特性が不安定であることによる電流増
加を抑えて、ア−ク放電への移行を防止できる。
さらに、電子ビーム発生用の電流を意図的な信号により
付加制御するための付加制御手段が設けられている場合
には、材料の表面温度のみを上昇させ、材料のバルク中
を低温のままに維持できて、材料の表面のみを効果的に
熱処理することができ、これにより、種々の表面熱処理
が可能となり、例えば、半導体等の製造プロセスにおけ
る熱処理工程に用いると、下地層に影響を与えない熱処
理が可能となるので、デバイス特性を向上させることが
できる。
さらに、電子ビーム発生用の電流を意図的な信号により
付加制御するための付加制御手段が設けられている場合
には、材料の表面温度のみを上昇させ、材料のバルク中
を低温のままに維持できて、材料の表面のみを効果的に
熱処理することができ、これにより、種々の表面熱処理
が可能となり、例えば、半導体等の製造プロセスにおけ
る熱処理工程に用いると、下地層に影響を与えない熱処
理が可能となるので、デバイス特性を向上させることが
できる。
例の概略構成図である。
表的な電流−電圧特性を示す図である。
構成とした場合の加熱特性を示す図、(b)は制御回路
を定電流制御部,ゲート部,ゲート制御部からなる構成
としたときの加熱特性を示す図である。
例の概略構成図である。
置における動作,特性を説明するための図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 電子ビームにより材料を加熱する電子ビ
ーム加熱装置において、 グロー放電により得られる電子ビームで材料を加熱する
加熱部と、該加熱部内で電子ビームを発生させるための
電力を供給する電源供給手段と、該電源供給手段から前
記電子ビーム発生用の電流を制御する制御手段とを備
え、 該制御手段は、前記電子ビーム発生用の電流に対し負帰
還の定電流制御を行なう定電流制御手段と、正帰還の定
電流制御を行なうゲート制御手段と 、を備えていること
を特徴とする電子ビーム加熱装置。 - 【請求項2】 前記定電流制御手段は、前記電源供給手
段の変動により異常グロー放電領域からアーク放電領域
に移行するのを防止し、前記ゲート制御手段は、前記加
熱部の加熱特性の不安定性により異常グロー放電領域か
らアーク放電領域に移行するのを防止することを特徴と
する請求項1記載の電子ビーム加熱装置。 - 【請求項3】 前記ゲート制御手段は、前記加熱部内に
設けられた陰極部と陽極部間の電位変化を検知する電位
変化検知手段と、該電位変化検知手段からの電位変化に
基づき負性抵抗を感知する負性抵抗感知手段と、該負性
抵抗感知手段により前記負性抵抗が感知された場合、所
定の時間前記陰極部の電源経路を遮断するゲート手段と
を備えていることを特徴とする請求項1記載の電子ビー
ム加熱装置。 - 【請求項4】 前記加熱部と前記制御手段の中間に位置
し、電子ビーム発生用の電流を所望の時間単位でスイッ
チングする付加制御手段を更に備えたことを特徴とする
請求項1〜3記載の電子ビーム加熱装置。 - 【請求項5】 電子ビームにより材料を加熱する電子ビ
ーム加熱方法において、 加熱部内の材料をグロー放電により得られる電子ビーム
で加熱する場合、前記加熱部内で電子ビームを発生させ
るための電力を供給する電源から前記電子ビーム発生用
の電流に対し負帰還の定電流制御と、正帰還の定電流制
御を同時に行なうことを特徴とする電子ビーム加熱方
法。 - 【請求項6】 前記負帰還の定電流制御は、前記電源か
らの電流値を検出し、該電流値に基づき前記電源からの
経路を遮断若しくは短絡することを特徴とする請求項5
記載の電子ビーム加熱方法。 - 【請求項7】 前記正帰還の定電流制御は、前記加熱部
内に設けられた陰極部と陽極部間の電位変化を検知し、
該電位変化に基づき負性抵抗を感知することにより、所
定の時間前記陰極部の電源経路を遮断することを特徴と
する請求項5記載の電子ビーム加熱方法。 - 【請求項8】 前記電子ビーム発生用の電流を所望の時
間単位で更にスイッチングすることを特徴とする請求項
5〜7記載の電子ビーム加熱方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02896192A JP3392885B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 電子ビーム加熱装置およびその方法 |
US08/006,075 US5393953A (en) | 1992-01-20 | 1993-01-15 | Electron-beam heating apparatus and heating method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02896192A JP3392885B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 電子ビーム加熱装置およびその方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05195049A JPH05195049A (ja) | 1993-08-03 |
JP3392885B2 true JP3392885B2 (ja) | 2003-03-31 |
Family
ID=12263015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02896192A Expired - Lifetime JP3392885B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 電子ビーム加熱装置およびその方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5393953A (ja) |
JP (1) | JP3392885B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7001457B2 (en) * | 2001-05-01 | 2006-02-21 | Ricoh Company, Ltd. | Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device |
US8173335B2 (en) | 2006-07-14 | 2012-05-08 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Beam ablation lithography |
US20130248374A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Apple Inc. | Chemical polishing of aluminum |
US10384299B2 (en) | 2013-06-26 | 2019-08-20 | Apple Inc. | Electron beam conditioning |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2033704B (en) * | 1978-10-30 | 1982-09-29 | Electricity Council | Electron discharge heating device |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP02896192A patent/JP3392885B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-01-15 US US08/006,075 patent/US5393953A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5393953A (en) | 1995-02-28 |
JPH05195049A (ja) | 1993-08-03 |
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