JP3388080B2 - 半導体装置用リードフレーム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置用リ
ードフレームに関し、特に、製造コストを低廉化すると
ともに、半導体チップを安定的に所定の接合領域にのみ
接合可能とするための改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１０は、この発明の背景となる従来の
半導体装置用リードフレームのダイパッドの近傍を示す
平面図である。図１０において、１５１はリードフレー
ム、５１はダイパッド、５２はボンディングされた半導
体チップ、５４は半導体チップが接合材で接合される領
域である接合領域、５６は接合材が塗布されずに半導体
チップの接合が行われない非接合領域、５３は接合領域
５４と非接合領域５６とを分け隔てる貫通溝（スルーホ
ール）、５５は接合領域５４と非接合領域５６とを連結
する連結部、そして、５７は銀メッキが施される領域で
あるメッキ領域である。

【０００３】半導体チップ５２は、ハンダなどの接合材
によって、ダイパッド５１へと接合される。この接合材
は、接合領域５４のみに選択的に塗布され、半導体チッ
プ５２は、接合領域５４においてのみダイパッド５１へ
と接合される。このことによって、半導体チップ５２と
リードフレーム１５１との間の熱膨張率の差に起因する
熱応力による半導体チップ５２の破損、接合部の剥がれ
等を防止している。

【０００４】ダイパッド５１と半導体チップ５２との接
合を行うために、接合領域５４に塗布された接合材は一
旦加熱される。溶融した接合材が、接合領域５４から非
接合領域５６へと侵入しないように、連結部５５の半導
体チップ５２に対向する一方主面には、凹部が形成され
ている。図１１は、凹部の断面形状を示す連結部５５の
Ｃ−Ｃ切断線に沿った断面図である。

【０００５】図１１に示すように、連結部５５では、接
合領域５４および非接合領域５６に比べて、一方主面が
後退している。この凹部の深さは、リードフレーム１５
１の厚さの約１／２以上に設定される。この凹部によっ
て、溶融した接合材の流動が止まり、非接合領域５６へ
の侵入が阻止される。

【０００６】図１２は、もう一つの従来のリードフレー
ム１５２の形状を示す平面図である。図１１に示したリ
ードフレーム１５１と同一部分または相当部分（同一の
機能をもつ部分）については、同一符号を付してその詳
細な説明を略する。

【０００７】このリードフレーム１５２は、横幅が狭い
細長状の平面輪郭を有する半導体チップ５２の搭載に適
したリードフレームである。すなわち、半導体チップ５
２の長手方向に沿って、接合領域５４と非接合領域５６
への分割がなされており、接合領域５４は、半導体チッ
プ５２の横幅方向の一端から他端までを横断するように
覆っている。

【０００８】このリードフレーム１５２においても、リ
ードフレーム１５１と同様に、接合領域５４と非接合領
域５６とは、連結部５５によって連結されており、しか
も、接合材の流動を阻止するために、連結部５５の一方
主面には、図１１と同様の凹部が形成されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、連結部５５
に形成される凹部は、リードフレーム１５１，１５２の
厚さの約１／２以上の深さに形成される必要があるため
に、ハーフエッチング加工によって形成される。すなわ
ち、連結部５５の一方主面の上に選択的に開口部を有す
るマスクパターンが、リードフレーム１５１，１５２の
一方主面の上に形成され、この開口部を通じて選択的に
エッチングが施される。そして、凹部の深さがリードフ
レーム１５１，１５２の厚さの約１／２以上となるよう
に、エッチングの時間が精密に調整される。

【００１０】しかしながら、加工時間の精密な調整を要
するハーフエッチング加工工程は複雑であり、リードフ
レーム１５１，１５２の製造コストを高める大きな要因
となっていた。また、凹部によって接合材の流動を有効
に阻止するために、接合の条件を細密に調整する必要が
あった。

【００１１】この発明は、従来の装置における上記した
問題点を解消するためになされたもので、製造コストが
低廉で、しかも半導体チップを安定的に所定の接合領域
に限って接合することが可能な半導体装置用リードフレ
ームを得ることを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】第１の発明のリードフレ
ームは、ダイパッドの中の半導体チップに対向する領域
が、半導体チップが接合される接合領域と接合されない
非接合領域とに、貫通溝によって分け隔てられ、これら
双方の領域の間が複数の連結部によって部分的に連結さ
れている半導体装置用リードフレームにおいて、前記複
数の連結部の各１が、細長状であって、しかも、前記接
合領域と前記非接合領域とを最短距離ではなく、これら
の領域の境界に沿って延びる迂回する経路に沿って連結
するように形成されており、前記複数の連結部の各１の
平面視輪郭が、波型に屈曲ないし蛇行していることを特
徴とする。

【００１３】

【００１４】第２の発明のリードフレームは、ダイパッ
ドの中の半導体チップに対向する領域が、半導体チップ
が接合される接合領域と接合されない非接合領域とに、
貫通溝によって分け隔てられ、これら双方の領域の間が
複数の連結部によって部分的に連結されている半導体装
置用リードフレームにおいて、前記複数の連結部の各１
が、細長状であって、しかも、前記接合領域と前記非接
合領域とを最短距離ではなく、これらの領域の境界に沿
って延びる迂回する経路に沿って連結するように形成さ
れており、前記複数の連結部の各１の平面視輪郭におい
て、長手方向に直交する方向の幅が前記非接合領域に接
近するのにともなって次第に狭くなるテーパ状であるこ
とを特徴とする。

【００１５】第３の発明のリードフレームは、第１また
は第２の発明の半導体装置用リードフレームにおいて、
前記ダイパッドの中で、前記接合領域に限って、選択的
に銀メッキが施されていることを特徴とする。

【００１６】第４の発明のリードフレームは、ダイパッ
ドの中の半導体チップに対向する領域が、半導体チップ
が接合される接合領域と接合されない非接合領域とに、
貫通溝によって分け隔てられ、これら双方の領域の間が
複数の連結部によって部分的に連結されている半導体装
置用リードフレームにおいて、前記複数の連結部の各１
が、細長状であって、しかも、前記接合領域と前記非接
合領域とを最短距離ではなく、これらの領域の境界に沿
って延びる迂回する経路に沿って連結するように形成さ
れており、前記複数の連結部の各１の前記半導体チップ
に対向する主面に、凹部が形成されていることを特徴と
する。

【００１７】第５の発明のリードフレームは、第４の発
明の半導体装置用リードフレームにおいて、前記凹部
が、コイニング加工で形成されていることを特徴とす
る。

【００１８】第６の発明のリードフレームは、第４また
は第５の発明の半導体装置用リードフレームにおいて、
前記凹部が、前記複数の連結部の各１毎に、複数箇所に
分割して形成されていることを特徴とする。第７の発明
の半導体装置の製造方法は、第１乃至第６のいずれか一
つの発明のリードフレームを用いた半導体装置の製造方
法であって、（ａ）前記ダイパッド中の前記接合領域の
みに、選択的に接合材を塗布する工程と、（ｂ）前記ダ
イパッドと半導体チップとを前記接合材で接合する工程
とを備える。

【００１９】

【発明の実施の形態】

＜実施の形態１＞図１は、実施の形態１の半導体装置用
リードフレームのダイパッドの近傍を示す平面図であ
る。図１において、１０１はリードフレーム、１は半導
体チップがボンディングされるダイパッド、２はボンデ
ィングされた半導体チップ、４は半導体チップが接合材
で接合される領域である接合領域、６は接合材が塗布さ
れずに半導体チップの接合が行われない非接合領域、３
は接合領域４と非接合領域６とを分け隔てる貫通溝（ス
ルーホール）、８は接合領域４と非接合領域６とを連結
する連結部、そして、７は銀メッキが施される領域であ
るメッキ領域である。

【００２０】リードフレーム１０１は、好ましくは、銅
系金属すなわち銅を母材とする金属で構成される。そし
て、半導体装置の製造工程の中で、半導体チップ２は、
ハンダあるいはＡｕ−Ｓｉ共晶合金などの接合材を用い
て、リードフレーム１０１の中のダイパッド１へと接合
される。メッキ領域７に施される銀メッキは、この接合
材による接合を容易化する。

【００２１】半導体チップ２とリードフレーム１０１と
の間の熱膨張率の差に起因する熱応力が過大となること
を防止するために、半導体チップ２はその全面にわたっ
てダイパッド１へと接合されるのではなく、その中央部
を含む限られた領域でのみ接合が行われる。この目的の
ために、ダイパッド１の中の半導体チップ２で覆われる
領域が、貫通溝３によって接合領域４と非接合領域６と
に分け隔てられている。半導体チップ２を接合するため
の接合材は、この接合領域４に選択的に塗布され、連結
部８にて、非接合領域６への侵入が阻止される。

【００２２】接合領域４は半導体チップ２で覆われる領
域の中央部を占めており、非接合領域６はその外側に位
置する。しかも、接合領域４、貫通溝３、連結部８、お
よび非接合領域６は、矩形である半導体チップ２の輪郭
形状に適するように、ダイパッド１の中心点の周りに４
回回転対称となるように形成されている。接合領域４と
非接合領域６とは、連結部８によって連結されている。
この連結部８は、細長状に形成され、しかも、その主要
部は接合領域４と非接合領域６の境界に沿って延びてい
る。

【００２３】すなわち、連結部８は、接合領域４と非接
合領域６とを、最短距離で連結するのではなく、迂回路
に沿って連結している。このような形状を有する連結部
８は、パンチ加工（打ち抜き加工）によってリードフレ
ーム１０１の所定のパターンを形成する際に、同時に形
成される。しかも、従来のリードフレーム１５１，１５
２の連結部５５とは異なり、連結部８にはハーフエッチ
ング加工は施されない。すなわち、連結部８を形成する
ために特別な工程を必要とはしない。

【００２４】接合領域４に選択的に塗布された接合材を
加熱し溶融することによって、ダイパッド１と半導体チ
ップ２との接合が行われる。溶融した接合材は、流動性
を有するので、接合領域４から唯一の流動経路である連
結部８を伝って、非接合領域６へと侵入しようとする。

【００２５】しかしながら、連結部８は、迂回路に沿っ
て形成されることによって、距離が長くなっている。こ
のため、溶融した接合材が連結部８へと流動しても、非
接合領域６へは達することなく、連結部８の途中で阻止
される。すなわち、連結部８は、迂回しているために、
ハーフエッチング加工等の処理が施されていないにも拘
らず、溶融した接合材の非接合領域６への流動を効果的
に防止する。接合材の流動が効果的に阻止されるので、
従来のリードフレーム１５１，１５２で細密な調整が必
要とされた接合条件が緩和される。

【００２６】このように、リードフレーム１０１は、パ
ンチ加工以外の新たな工程を要することなく、すなわ
ち、従来のリードフレーム１５１，１５２に比べて低廉
なコストで、接合領域４から非接合領域６への接合材の
侵入を安定的に阻止する。

【００２７】＜実施の形態２＞図２は、実施の形態２の
半導体装置用リードフレームのダイパッドの近傍を示す
平面図である。なお、以下の図において、図１に示した
実施の形態１の装置と同一部分または相当部分（同一の
機能をもつ部分）については、同一符号を付してその詳
細な説明を略する。

【００２８】このリードフレーム１０２では、ダイパッ
ド１内の接合領域４、貫通溝３、連結部８、および非接
合領域６は、平面形状がダイパッド１の中心点の周りに
２回回転対称となるように形成されている。すなわち、
連結部８は接合領域４と非接合領域６とを２箇所におい
て連結している点が、実施の形態１のリードフレーム１
０１とは特徴的に異なる。

【００２９】連結部８が、細長状に形成され、しかも、
その主要部は接合領域４と非接合領域６の境界に沿って
延びるように、すなわち、迂回するように形成されてい
る点は、リードフレーム１０１と同様である。したがっ
て、リードフレーム１０２は、リードフレーム１０１と
同様に、低廉なコストで製造が可能であるとともに、接
合領域４から非接合領域６への接合材の侵入を効果的に
阻止する。

【００３０】＜実施の形態３＞図３は、実施の形態３の
半導体装置用リードフレームの連結部の近傍を示す平面
図である。このリードフレーム１０３は、連結部９の平
面視輪郭が直線状ではなく、波型である点が、リードフ
レーム１０２とは特徴的に異なっている。すなわち、連
結部９は、ダイパッド１の主面に沿って、異なる方向に
交互に反復して屈曲ないし湾曲するように形成されてい
る。その結果、連結部９に沿った経路長がさらに長くな
るので、溶融した接合材の流動を阻止する効果がさらに
高められる。

【００３１】＜実施の形態４＞図４は、実施の形態４の
半導体装置用リードフレームの連結部の近傍を示す平面
図である。このリードフレーム１０４は、連結部１０の
平面視輪郭が長手方向に沿ってテーパ状となるように形
成されている点が、リードフレーム１０２とは特徴的に
異なっている。すなわち、連結部１０は、接合領域４側
の端部から非接合領域６側の端部へと接近するのにとも
なって、ダイパッド１の主面に沿った幅（長手方向に直
交する方向の幅）が次第に狭くなっている。その結果、
リードフレーム１０２に比べて、溶融した接合材の流動
を阻止する効果がさらに高められる。

【００３２】＜実施の形態５＞図５は、実施の形態５の
半導体装置用リードフレームの連結部の近傍を示す平面
図である。図５において、１１はメッキ領域である。す
なわち、このリードフレーム１０５では、銀メッキが接
合領域４にのみ選択的に施されており、連結部８および
非接合領域６には施されない。このため、溶融した接合
材の流動性は、連結部８では効果的に低減される。すな
わち、リードフレーム１０５では、リードフレーム１０
２に比べて、溶融した接合材の流動を阻止する効果がさ
らに高められる。

【００３３】＜実施の形態６＞図６は、実施の形態６の
半導体装置用リードフレーム１０６の連結部の近傍を示
す平面図である。図６において、１２はコイニング加工
によって連結部８の一部に形成された凹部である。図７
および図８は、それぞれ、凹部１２のＡ−Ａ切断線、お
よびＢ−Ｂ切断線に沿った断面図である。

【００３４】図７に示すように、凹部１２は、連結部８
の一部において、ダイパッド１の半導体チップ２に対向
する一方主面に形成される。コイニング加工は、加工対
象を押しつぶして成型する加工方法である。コイニング
加工を容易に行い得るように、連結部８の幅（図６の符
号Ｗ）は、厚さと大体同程度に設定されるのが望まし
い。例えば、厚さが０．２ｍｍであれば、好ましくは、
幅Ｗも約０．２ｍｍ程度に設定される。

【００３５】図８に示すように、コイニング加工にとも
なって、凹部１２が形成される部分では、その周辺の部
分（図８において二点鎖線で示される）に比べて、連結
部８の幅が幾分広くなる。凹部１２の深さＤは、代表的
には、凹部１２が形成される前の連結部８の厚さＴ（言
い替えると、ダイパッド１の厚さ）の約１／３程度ない
しそれ以下である。すなわち、従来のリードフレーム１
５１，１５２に施されるハーフエッチング加工による凹
部に比べて、コイニング加工による凹部の加工の度合い
は軽微なものにとどまる。

【００３６】コイニング加工は、従来のリードフレーム
１５１，１５２においても、パンチング加工の後に、ダ
イパッド１の周囲に配列するインナーリード（図示を略
する）に対して施されている。しかも、この加工は、パ
ンチング加工と同様に、ハーフエッチング加工に比べて
はるかに簡単な工程であり、低廉なコストで実行し得
る。リードフレーム１０６では、この簡単な加工を、連
結部８の一部に施すことによって、加工程度が比較的軽
微な凹部１２を形成している。

【００３７】リードフレーム１０６では、連結部８の一
部に、凹部１２が形成されているために、接合部材の非
接合領域６への侵入を阻止する効果が、リードフレーム
１０２に比べて、さらに高められる。凹部１２は、ハー
フエッチングで形成される連結部５５の凹部（図１１）
に比べて、加工の度合いが軽微ではあるが、連結部８が
迂回するように形成されているために、連結部８の効果
をさらに高める機能を果たす上では、十分に寄与し得
る。

【００３８】すなわち、リードフレーム１０６では、簡
単でコストが低廉な加工工程を付加することによって、
接合部材の非接合領域６への侵入を阻止する効果をさら
に高めている。また、コイニング加工は、ハーフエッチ
ング加工に比べて幅Ｗの狭い連結部８にも施すことがで
きるので、このリードフレーム１０６は、パターンの微
細化の要請にも応えることができる。

【００３９】＜実施の形態７＞図９は、実施の形態７の
半導体装置用リードフレームの連結部の近傍を示す平面
図である。図７に示すように、このリードフレーム１０
７では、凹部１２が、一つの連結部８の長手方向に沿っ
た複数の部位（図９では２箇所の例を示す）に分割して
配置されている点が、リードフレーム１０６とは特徴的
に異なっている。

【００４０】このため、それぞれの凹部１２を形成する
ためのコイニング加工が、さらに容易に行い得る。ま
た、それぞれの凹部１２の深さを浅くしても、リードフ
レーム１０６と同等の効果を得ることができる。すなわ
ち、リードフレーム１０６に比べて、コイニング加工を
さらに軽微で低コストなものとすることができる。

【００４１】＜変形例＞リードフレーム１０１〜１０７
は、銅系金属以外の金属で構成されていてもよい。例え
ば、鉄・ニッケル合金等で構成されていてもよい。ただ
し、銅系金属では熱膨張係数が特に高いので、銅系金属
で構成されるリードフレームと半導体チップとの間で
は、熱膨張係数の差が特に大きくなる。このため、銅系
金属で構成されるリードフレームでは、半導体チップと
リードフレームとの間に発生する熱応力を緩和する必要
性が特に高い。すなわち、この発明は、銅系の金属で構
成されたリードフレームに特に適している。

【００４２】

【発明の効果】第１の発明のリードフレームでは、各連
結部が細長状であって、しかも、迂回する経路に沿って
形成されているために経路が長くなっているので、接合
領域に塗布された接合材の流動が連結部によって効果的
に阻止され、非接合領域への侵入が防止される。流動を
阻止する効果が高いので、従来において精密な調整が必
要とされた接合のための条件が緩和される。また、各連
結部の平面視輪郭が波型に形成されているので、経路が
さらに長くなり、接合材の流動がさらに効果的に阻止さ
れる。

【００４３】

【００４４】第２の発明の装置では、各連結部が細長状
であって、しかも、迂回する経路に沿って形成されてい
るために経路が長くなっているので、接合領域に塗布さ
れた接合材の流動が連結部によって効果的に阻止され、
非接合領域への侵入が防止される。流動を阻止する効果
が高いので、従来において精密な調整が必要とされた接
合のための条件が緩和される。また、各連結部が平面視
輪郭がテーパ状に形成されているので、接合材の流動が
さらに効果的に阻止される。

【００４５】第３の発明の装置では、接合領域に銀メッ
キが施されているので、接合材による接合が良好に行わ
れる。しかも、銀メッキはダイパッドの中で、接合領域
に限って、選択的に施され、連結部等には施されないの
で、連結部では接合材が流動し難い。すなわち、接合領
域における良好な接合と、接合材の流動の効果的な阻止
とが両立的に実現する。

【００４６】第４の発明の装置では、各連結部が細長状
であって、しかも、迂回する経路に沿って形成されてい
るために経路が長くなっているので、接合領域に塗布さ
れた接合材の流動が連結部によって効果的に阻止され、
非接合領域への侵入が防止される。流動を阻止する効果
が高いので、従来において精密な調整が必要とされた接
合のための条件が緩和される。また、各連結部の半導体
チップに対向する主面に、凹部が形成されているので、
接合材の流動がさらに効果的に阻止される。

【００４７】第５の発明の装置では、凹部がコイニング
加工で形成されているので、凹部の形成が容易であり、
ハーフエッチング加工を要する従来のリードフレームに
比べて、製造コストが低廉である。また、各連結部が迂
回する経路に沿って形成されているので、コイニング加
工による軽微な凹部であっても、各連結部による接合材
の流動を阻止する効果の向上に十分に寄与する。

【００４８】第６の発明の装置では、凹部が各連結部ご
とに、複数箇所に分割して形成されているので、接合材
の流動がさらに効果的に阻止される。また、コイニング
加工によって、凹部を形成する場合には、コイニング加
工がさらに容易となる。第７の発明の半導体装置の製造
方法では、ダイパッドの各連結部が細長状であって、し
かも、迂回する経路に沿って形成されているために経路
が長くなっているので、接合領域に塗布された接合材の
流動が連結部によって効果的に阻止され、非接合領域へ
の侵入が防止される。流動を阻止する効果が高いので、
従来において精密な調整が必要とされた接合のための条
件が緩和される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態１のリードフレームの平面図であ
る。

【図２】 実施の形態２のリードフレームの平面図であ
る。

【図３】 実施の形態３のリードフレームの平面図であ
る。

【図４】 実施の形態４のリードフレームの平面図であ
る。

【図５】 実施の形態５のリードフレームの平面図であ
る。

【図６】 実施の形態６のリードフレームの平面図であ
る。

【図７】 図６のリードフレームのＡ−Ａ切断線に沿っ
た断面図である。

【図８】 図６のリードフレームのＢ−Ｂ切断線に沿っ
た断面図である。

【図９】 実施の形態７のリードフレームの平面図であ
る。

【図１０】 従来のリードフレームの平面図である。

【図１１】 図１０のリードフレームのＣ−Ｃ切断線に
沿った断面図である。

【図１２】 もう一つの従来のリードフレームの平面図
である。

【符号の説明】

１ ダイパッド、２ 半導体チップ、３ 貫通溝、４
接合領域、６ 非接合領域、７ メッキ領域、８ 連結
部、９ 連結部、１０ 連結部、１２ 凹部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−213538（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−114688（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−172265（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 23/50

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ダイパッドの中の半導体チップに対向す
   る領域が、半導体チップが接合される接合領域と接合さ
   れない非接合領域とに、貫通溝によって分け隔てられ、
   これら双方の領域の間が複数の連結部によって部分的に
   連結されている半導体装置用リードフレームにおいて、 前記複数の連結部の各１が、細長状であって、しかも、
   前記接合領域と前記非接合領域とを最短距離ではなく、
   これらの領域の境界に沿って延びる迂回経路に沿って連
   結するように形成されており、 前記複数の連結部の各１の平面視輪郭が、波型に屈曲な
   いし蛇行していることを特徴とする半導体装置用リード
   フレーム。
2. 【請求項２】 ダイパッドの中の半導体チップに対向す
   る領域が、半導体チップが接合される接合領域と接合さ
   れない非接合領域とに、貫通溝によって分け隔てられ、
   これら双方の領域の間が複数の連結部によって部分的に
   連結されている半導体装置用リードフレームにおいて、 前記複数の連結部の各１が、細長状であって、しかも、
   前記接合領域と前記非接合領域とを最短距離ではなく、
   これらの領域の境界に沿って延びる迂回経路に沿って連
   結するように形成されており、 前記複数の連結部の各１の平面視輪郭において、長手方
   向に直交する方向の幅が前記非接合領域に接近するのに
   ともなって次第に狭くなるテーパ状であることを特徴と
   する半導体装置用リードフレーム。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の半導体
   装置用リードフレームにおいて、前記ダイパッドの中で、前記接合領域に限って、選択的
   に銀メッキが施されてい ることを特徴とする半導体装置
   用リードフレーム。
4. 【請求項４】 ダイパッドの中の半導体チップに対向す
   る領域が、半導体チップが接合される接合領域と接合さ
   れない非接合領域とに、貫通溝によって分け隔てられ、
   これら双方の領域の間が複数の連結部によって部分的に
   連結されている半導体装置用リードフレームにおいて、 前記複数の連結部の各１が、細長状であって、しかも、
   前記接合領域と前記非接合領域とを最短距離ではなく、
   これらの領域の境界に沿って延びる迂回経路に沿って連
   結するように形成されており、 前記複数の連結部の各１の前記半導体チップに対向する
   主面に、凹部が形成されていることを特徴とする半導体
   装置用リードフレーム。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の半導体装置用リードフ
   レームにおいて、前記凹部が、コイニング加工で 形成されていることを特
   徴とする半導体装置用リードフレーム。
6. 【請求項６】 請求項４または請求項５に記載の半導体
   装置用リードフレームにおいて、 前記凹部が、前記複数の連結部の各１毎に、複数箇所に
   分割して形成されていることを特徴とする半導体装置用
   リードフレーム。
7. 【請求項７】 請求項１乃至請求項６のいずれか一つに
   記載の半導体装置用リードフレームを用いた半導体装置
   の製造方法であって、 （ａ）前記ダイパッド中の前記接合領域のみに、選択的
   に接合材を塗布する工程と、 （ｂ）前記ダイパッドと半導体チップとを前記接合材で
   接合する工程とを備える、半導体装置の製造方法。