JP3386703B2 - トランスコンダクタンス可変方法及びその回路、並びにそれを用いる可変帯域フィルター及び可変利得増幅器 - Google Patents

トランスコンダクタンス可変方法及びその回路、並びにそれを用いる可変帯域フィルター及び可変利得増幅器

Info

Publication number
JP3386703B2
JP3386703B2 JP34963497A JP34963497A JP3386703B2 JP 3386703 B2 JP3386703 B2 JP 3386703B2 JP 34963497 A JP34963497 A JP 34963497A JP 34963497 A JP34963497 A JP 34963497A JP 3386703 B2 JP3386703 B2 JP 3386703B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transconductance
output
variable
terminal
cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP34963497A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10335958A (ja
Inventor
啓 ▲ギョク▼ 趙
天 燮 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JPH10335958A publication Critical patent/JPH10335958A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3386703B2 publication Critical patent/JP3386703B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B20/00—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
    • G11B20/22—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor for reducing distortions
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G5/00—Tone control or bandwidth control in amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/04—Frequency selective two-port networks
    • H03H11/0422—Frequency selective two-port networks using transconductance amplifiers, e.g. gmC filters
    • H03H11/0466—Filters combining transconductance amplifiers with other active elements, e.g. operational amplifiers, transistors, voltage conveyors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/04—Frequency selective two-port networks
    • H03H11/0422—Frequency selective two-port networks using transconductance amplifiers, e.g. gmC filters
    • H03H11/0472—Current or voltage controlled filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7236—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by (a ) switch(es)
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2210/00—Indexing scheme relating to details of tunable filters
    • H03H2210/01—Tuned parameter of filter characteristics
    • H03H2210/012—Centre frequency; Cut-off frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2210/00—Indexing scheme relating to details of tunable filters
    • H03H2210/02—Variable filter component
    • H03H2210/021—Amplifier, e.g. transconductance amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はトランスコンダクタ
に係り、特にトランスコンダクタンスを可変的に提供す
る方法及びその回路、並びにそれを用いるフィルター及
び増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＣＤ（コンパクトディスク）、Ｄ
ＶＤ（ディジタルビデオディスク）のようなディスクか
ら信号を再生する光ディスク再生装置は高倍速化におも
むく趨勢である。このような光ディスク再生装置におい
ては、１，２，４，８倍速のような低い倍速の場合、デ
ィスクからピックアップされる入力信号の周波数が低い
ため、等化器特性を必要としない。しかしながら、倍速
が増加するにつれて周波数特性が次第に重要視されてい
る。特に、高倍速により入力信号の周波数が高くなる。
このように周波数が高くなると、ピックアップされる入
力信号のレベルは低くなるため、高周波数の方をブース
ティングする等化器の追加に対する必要性が強まりつつ
ある。すなわち、ＤＶＤ系列の光ディスク再生装置の場
合、ピックアップされる入力信号は周波数に応じてそれ
ぞれ異なるレベルを有する。すなわち、倍速に応じるデ
ィスクの種類及びピックアップの種類に応じて異なる。
したがって、このような入力信号を正確に処理するため
には、高性能の等化器を用いなければならない。
【０００３】上述したように、光ディスク再生装置にお
いては各種のピックアップ及びディスクを用いるため、
等化器の周波数特性すなわち等化器に採用されるフィル
ターの周波数特性もディスクの種類及びピックアップの
種類に合わせてセッティングしなければならない。しか
しながら、光ディスク再生装置に用いられるディスクの
種類及びピックアップの種類に対応するそれぞれの周波
数特性を別途のフィルターで具現し、必要に応じて一つ
のフィルターを選択して使用すれば、等化器は複雑にな
り、かつ安定性も低下する。
【０００４】一方、通常トランスコンダクタは入力信号
電圧に比例する電流を出力する。入力信号電圧をＶｉ
ｎ、出力電流をｉ、トランスコンダクタのトランスコン
ダクタンスをｇｍとするとき、ｉ＝ｇｍ×Ｖｉｎとな
る。仮に、トランスコンダクタの出力にキャパシタが連
結されると、入力信号電圧Ｖｉｎに対する出力信号電圧
Ｖｏの特性はＶｏ／Ｖｉｎ＝ｇｍ×（１／ｓＣ）とな
る。ここで、Ｃはキャパシタのキャパシタンスである。
このようなトランスコンダクタ及びキャパシタの結合は
フィルターに用いられるが、そのフィルター特性はｇｍ
×Ｃとなる。かつ、トランスコンダクタは増幅器にも用
いられる。
【０００５】前記光ディスク再生装置の等化器に前記ト
ランスコンダクタ及びキャパシタの結合を用いるフィル
ターを採用すると、周波数特性はトランスコンダクタン
スに応じて異なる。したがって、ディスクの種類及びピ
ックアップの種類に対応する周波数特性を別途のフィル
ターで具現する場合、フィルターごとにトランスコンダ
クタンスを変更させなければならない。すなわち、フィ
ルターごとに相異なる出力トランスコンダクタンスを有
するトランスコンダクタを採用する。
【０００６】仮に、ディスクの種類及びピックアップの
種類が異なる度に、それに対応するようにトランスコン
ダクタンスを可変させると、一つのフィルターのみを用
いてもフィルターの周波数特性を可変セッティングする
ことができる。この際、フィルターの周波数特性を簡単
かつ安定的に可変セッティングするためには、トランス
コンダクタンスを簡単かつ安定的に可変させる技術が必
要である。このような技術は、増幅器の利得を可変させ
てセッティングするのにも同様に適用される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、フィ
ルターの周波数特性や増幅器の利得を簡単かつ安定的に
可変させてセッティングする技術が求められており、こ
れにより、トランスコンダクタにおけるトランスコンダ
クタンスを簡単かつ安定に可変させる技術も求められて
いる。
【０００８】したがって、本発明の目的は、簡単かつ安
定的に出力トランスコンダクタンスを可変させるトラン
スコンダクタンス可変方法及びその回路を提供すること
にある。本発明の他の目的は、簡単かつ安定的に周波数
特性を可変させてセッティングする可変帯域フィルター
を提供することにある。
【０００９】本発明のさらに他の目的は、簡単かつ安定
的に利得を可変させてセッティングする可変利得増幅器
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、相互に同じく設定されている少なくとも二
つ以上のトランスコンダクタンスを、合計の出力トラン
スコンダクタンスを可変選択するための選択信号に応じ
て選択して合わせることで、前記合計の出力コンダクタ
ンスを一のトランスコンダクタンスの整数倍の値にセッ
ティングすることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明の実施の形態をより詳しく説明する。下記の説明及び
添付図面における具体的な回路の構成、素子のような特
定の詳細は本発明の全般的な理解を提供するためのもの
である。本発明は前記特定の詳細に限るものでなく、多
くの変形が当業者により可能なのは明らかである。
【００１２】図１は本発明の実施例によるトランスコン
ダクタンス可変回路図であり、トランスコンダクタンス
を二つの値のうち一つを選択して可変させる場合を示
す。図１に示したトランスコンダクタンス可変回路１１
０は、二つのトランスコンダクタンスセル１００，１０
２と一つの選択部１０４とからなる。ここで、前記トラ
ンスコンダクタンスセル１００，１０２は相互に同一の
構成を有しており、これにより同一の出力トランスコン
ダクタンスを有する。
【００１３】前記トランスコンダクタンスセル１００，
１０２の出力端は相互共通に接続される。かつ、前方の
トランスコンダクタンスセル１００には入力信号電圧Ｖ
ｉｎ、電流バイアスＩｂ及びバイアス電圧Ｖｂが直接印
加される。一方、後方のトランスコンダクタンスセル１
０２にはバイアス電圧Ｖｂは直接印加されるが、入力信
号電圧Ｖｉｎ及び電流バイアスＩｂは選択部１０４によ
り選択的に印加される。このようなトランスコンダクタ
ンスセル１００，１０２は一つの電流ソースＩｓと二つ
のＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２とから構成される。電
流ソースＩｓは電源端Ｖｃｃと出力端との間に接続さ
れ、ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２は出力端と接地との
間に直列に接続される。この際、ＭＯＳトランジスタＭ
１のゲート端子には入力信号電圧Ｖｉｎが印加され、Ｍ
ＯＳトランジスタＭ２のゲート端子にはバイアス電圧Ｖ
ｂが印加される。ここで、入力信号電圧Ｖｉｎは、図１
のトランスコンダクタンス可変回路が適用される装置す
なわちフィルターや増幅器の入力信号電圧である。電流
バイアスＩｂは電流ソースＩｓの電流量を設定する。バ
イアス電圧Ｖｂはトランスコンダクタンスセル１００，
１０２の出力トランスコンダクタンスをチューニングす
るための電圧である。
【００１４】前記トランスコンダクタンスセル１００は
電流バイアスＩｂとバイアス電圧Ｖｂが印加される状態
で入力信号電圧Ｖｉｎが入力されると、設定されている
トランスコンダクタンスに応じて入力信号電圧Ｖｉｎに
比例する電流を出力する。かつ、トランスコンダクタン
スセル１０２は選択部１０４を通して電流バイアスＩｂ
とバイアス電圧Ｖｂが印加される状態で入力信号電圧Ｖ
ｉｎが入力されると、トランスコンダクタンスセル１０
０と同様に設定されているトランスコンダクタンスに応
じて入力信号電圧Ｖｉｎに比例する電流を出力する。
【００１５】前記選択部１０４はトランスコンダクタン
スセル１０２に対応するように接続され、第１，第２ス
イッチ１０６，１０８で構成される。かつ、選択信号に
応じてトランスコンダクタンスセル１０２を選択的に動
作させる。第１スイッチ１０６はトランスコンダクタン
スセル１０２の電流ソースＩｓに対する電流バイアスＩ
ｂの印加経路を選択信号に応じて制御する。第２スイッ
チ１０８はトランスコンダクタンスセル１０２のＭＯＳ
トランジスタＭ１のゲート端子に対する入力信号電圧Ｖ
ｉｎの印加経路を選択信号に応じて第１スイッチ１０６
と連動するように制御する。前記選択信号は図１におけ
る可変可能な二つの出力トランスコンダクタンスのうち
一つを選択するための信号である。例えば、論理
“０”、“１”のうち一つの状態に印加する。第１，第
２スイッチ１０６，１０８はこのような選択信号により
“オン”又は“オフ”とされる。例えば、選択信号が論
理“０”に印加されると“オン”、論理“１”に印加さ
れると“オフ”となる。
【００１６】選択信号により第１，第２スイッチが“オ
フ”とされるとき、トランスコンダクタンスセル１０２
には電流バイアスＩｂと入力信号電圧Ｖｉｎが印加され
ない。これにより、トランスコンダクタンスセル１０
０，１０２のうちトランスコンダクタンスセル１００の
みが動作する。したがって、出力電流Ｉｏｕｔはトラン
スコンダクタンスセル１００のトランスコンダクタンス
に応じる電流となる。これとは異なり、選択信号により
第１，第２スイッチが“オン”とされるとき、トランス
コンダクタンスセル１０２には電流バイアスＩｂと入力
信号電圧Ｖｉｎが印加される。これにより、トランスコ
ンダクタンスセル１００，１０２の両方が動作する。こ
の際、トランスコンダクタンスセル１００，１０２の出
力端が共通に接続されているので、最終的に出力される
出力電流Ｉｏｕｔはトランスコンダクタンスセル１０
０，１０２のトランスコンダクタンスの和に応じる電流
となる。すなわち、トランスコンダクタンスセル１０
０，１０２のそれぞれのトランスコンダクタンスをｇｍ
とするとき、出力トランスコンダクタンスは２ｇｍとな
る。かつ、トランスコンダクタンスセル１００，１０２
のそれぞれの出力電流をＩｏとするとき、最終出力電流
Ｉｏｕｔは２Ｉｏとなる。
【００１７】したがって、選択部１０４によりトランス
コンダクタンスセル１０２を選択的に動作させる電流ス
イッチングにより出力トランスコンダクタンスを二つの
値のうち一つに可変させることができる。この際、出力
トランスコンダクタンスを選択信号の状態のみを変更し
て簡単に可変させることができ、かつ電流スイッチング
により可変セッティングするので安定的である。さら
に、ＭＯＳトランジスタＭ２に印加されるバイアス電圧
Ｖｂにより特性をより精度よくチューニングすることが
できる。すなわち、バイアス電圧Ｖｂを調整すれば電流
量も調整されるので、所望の出力トランスコンダクタン
スを精度よくチューニングすることができる。
【００１８】上述したようにトランスコンダクタンスを
二つの値に可変させず、多数の値に可変させるときは、
トランスコンダクタンスセル１０２及び選択部１０４の
対と同一の対を所望の数だけ加えて構成する。かつ、追
加する選択部の数に対応するように選択信号を発生して
印加する。例えば、図１におけるトランスコンダクタン
スセルと選択部の対を二つも加えてトランスコンダクタ
ンスを四つの値に可変させられる。
【００１９】図２は本発明の実施例による可変帯域フィ
ルターの回路図であり、図１のトラスコンダクタンス可
変回路１１０をＬＰＦ（低域濾波器）に適用する例を示
す。図１に示した出力電流Ｉｏｕｔは演算増幅器１１２
の反転入力端（−）に印加される。前記演算増幅器１１
２の非反転入力端（＋）は接地され、反転入力端（−）
と出力端との間にはキャパシタＣ１が接続される。か
つ、図２におけるトランスコンダクタンス可変回路１１
０では、上述したように選択信号に応じて出力トランス
コンダクタンスが可変する。この際、選択信号に応じて
トランスコンダクタンスが可変セッティングされるの
で、ＬＰＦの周波数特性を可変選択するための信号とな
る。
【００２０】図２に示したＬＰＦの周波数特性はトラン
スコンダクタンス可変回路１１０の出力トランスコンダ
クタンスとキャパシタＣ１のキャパシタンスにより決め
られる。この際、キャパシタＣ１のキャパシタンスは固
定されているが、トランスコンダクタンスが選択信号に
より可変するので、ＬＰＴの周波数特性すなわち遮断周
波数帯域は可変する。かつ、ＭＯＳトランジスタＭ２に
印加されるバイアス電圧Ｖｂにより周波数特性をより精
度よくチューニングすることができる。すなわち、バイ
アス電圧Ｖｂを調整すれば電流量が調整されるので、可
変セッティングされる周波数特性を精度よくチューニン
グすることができる。本発明に対する実験結果によれ
ば、バイアス電圧Ｖｂの調整による周波数特性に対する
可変範囲はＤＶＤ １倍速、２倍速に適用する場合、±
５０％程度である。
【００２１】したがって、図２のＬＰＦを光ディスク再
生装置の等化器に適用する場合、現在再生されるディス
クの種類に対応するように周波数特性を可変的にセッテ
ィングすることができる。この際、トランスコンダクタ
ンス可変回路１１０を採用することにより、簡単かつ安
定的にフィルターの周波数特性を可変的にセッティング
することができる。したがって、本発明を光ディスク再
生装置の等化器に適用する場合、ディスク及びピックア
ップの特性に応じて周波数特性を可変させ得るので、信
号の歪みを最少化することができる。かつ、簡単な電流
スイッチングにより周波数特性をセッティングすること
ができるため、簡単な設計及び高周波対応設計が可能で
ある。これにより、高倍速化傾向の光ディスク再生装置
に効率よく適用することができる。
【００２２】本発明を光ディスク再生装置に適用される
等化器に応用して設計する場合、周波数特性を可変セッ
ティングする例を図３に示す。図３において、参照符号
２００はＤＶＤ １倍速、２０２はＤＶＤ ２倍速、２
０４はＤＶＤ ４倍速の場合、ピックアップされた入力
信号をブースティングする周波数特性を三種のうち一つ
に可変セッティングすることを示す。
【００２３】図４は本発明の実施例による可変利得増幅
器の回路図であり、図１のトランスコンダクタンス可変
回路を増幅器に適用する例を示す。したがって、図１に
示した出力電流Ｉｏｕｔは演算増幅器１１２の反転入力
端（−）に印加される。前記演算増幅器１１２の非反転
入力端（＋）は接地され、反転入力端（−）と出力端と
の間に抵抗Ｒ１が接続される。かつ、図４におけるトラ
ンスコンダクタンス可変回路１１０では、上述したよう
に選択信号に応じて出力トランスコンダクタンスが可変
する。この際、選択信号に応じてトランスコンダクタン
スが可変セッティングされるので、その結果増幅器の利
得を可変選択するための信号となる。
【００２４】図４に示した増幅器の利得特性はトランス
コンダクタンス可変回路１１０の出力トランスコンダク
タンスと抵抗Ｒ１の抵抗値により決められる。この際、
抵抗Ｒ１の抵抗値は固定されているが、トランスコンダ
クタンスが選択信号に応じて変わるので、増幅器の利得
も変わる。さらに、ＭＯＳトランジスタＭ２に印加され
るバイアス電圧Ｖｂにより利得を精度よくチューニング
することができる。すなわち、バイアス電圧Ｖｂを調整
すれば電流量も調整されるので、上述したように可変セ
ッティングされる利得を効率よくチューニングすること
ができる。
【００２５】したがって、増幅器の利得をトラスコンダ
クタンス可変回路１１０により簡単かつ安定的に可変セ
ッティングすることができるので、利得可変を必要とす
る装置に効率よく適用できる。本発明では具体的な実施
例を参照して説明したが、各種の変形が本発明の範囲を
逸脱しない範囲で施すことができる。特に、本発明の実
施例ではトランスコンダクタンスを二つの値に可変せさ
る例を説明したが、各種の変形が可能なのは明らかであ
る。
【００２６】
【発明の効果】以上、本発明はトランスコンダクタンス
及びそのフィルターの周波数特性を簡単かつ安定的に可
変セッティングするので、光ディスク再生装置に効率よ
く適用することができる。かつ、増幅器でも利得を簡単
かつ安定的に可変セッティングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例によるトランスコンダクタンス
可変回路図である。
【図２】本発明の実施例による可変帯域フィルターの回
路図である。
【図３】本発明をＤＶＤ等化器に適用する場合の周波数
特性図である。
【図４】本発明の実施例による可変利得増幅器の回路図
である。
【符号の説明】
１００，１０２ トランスコンダクタンスセル １０４ 選択部 １０６ 第１スイッチ １０８ 第２スイッチ １１０ トランスコンダクタンス可変回路 １１２ 演算増幅器
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−111416（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−266710（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−321577（ＪＰ，Ａ) 米国特許4009400（ＵＳ，Ａ) 米国特許5227373（ＵＳ，Ａ) 米国特許5325317（ＵＳ，Ａ) 米国特許5392171（ＵＳ，Ａ) 国際公開96／27235（ＷＯ，Ａ１) Ｓａｔｙａｎａｒａｙａｎａ，Ｓ．Ｔ ｓｉｖｉｄｉｓ，Ｙ．Ｐ．Ｇｒａｆ, Ｈ．Ｐ．，Ａ ｒｅｃｏｎｆｉｇｕｒａ ｂｌｅ ＶＬＳＩ ｎｅｕｒａｌ ｎｅ ｔｗｏｒｋ，ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉ ｒｃｕｉｔｓ，Ｖｏｌ．27 Ｎｏ．１, ｐ．67−81，ＩＮＳＰＥＣ ａｃｃｅｓ ｓｉｏｎ ｎｕｍｂｅｒ： 4123102 Ｔｓｕｋａｎｏ，Ｋ．Ｉｎｏｕｅ, Ｔ．，Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ ｏｐ ｅｒａｔｉｏｎａｌ ｔｒａｎｓｃｏｎ ｄｕｃｔａｎｃｅ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ −ｂａｓｅｄ ａｎａｌｏｇ ｆｕｚｚ ｙ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｂｌｏｃｋ ｓ ａｎｄ ｉｔｓ ａｐｐ，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｆ ｕｚｚｙ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｖｏｌ．３ Ｎｏ．１，ｐ．61−68，ＩＮＳＰＥＣ ａｃｃｅｓｓｉｏｎ ｎｕｍｂｅｒ： 4902924 Ｃａｓｔｅｌｌｏ，Ｒ．Ｍｏｎｔｅｃ ｃｈｉ，Ｆ．Ｒｅｚｚｉ，Ｆ．Ｂａｓｃ ｈｉｒｏｔｔｏ，Ａ．，Ｌｏｗ−ｖｏｌ ｔａｇｅ ａｎａｌｏｇ ｆｉｌｔｅｒ ｓ，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｓ ｏｎ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ ａｎｄ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉ： Ｆｕｎｄａｍｅ ｎｔａｌ Ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ Ａｐ ｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｖｏｌ．42 Ｎ ｏ．11，ｐ．827−840，ＩＮＳＰＥＣ ａｃｃｅｓｓｉｏｎ ｎｕｍｂｅｒ： 5167892 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03G 1/00 - 1/56 H03G 3/00 - 3/44 H03H 11/00 - 11/54 ＣＯＭＰＥＮＤＥＸ（ＤＩＡＬＯＧ) ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ) ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 トランスコンダクタンス可変方法におい
    て、 相互に同じく設定されている少なくとも二つ以上のトラ
    ンスコンダクタンスを、合計の出力トランスコンダクタ
    ンスを可変選択するための選択信号に応じて選択して合
    わせることで、前記合計の出力コンダクタンスを一のト
    ランスコンダクタンスの整数倍の値にセッティングする
    ことを特徴とするトランスコンダクタンス可変方法。
  2. 【請求項２】 トランスコンダクタンス可変回路におい
    て、 出力端が共通に接続され、相互に同じく設定されている
    トランスコンダクタンスに応じて入力信号電圧に比例す
    る電流を出力する少なくとも二つ以上のトランスコンダ
    クタンスセルと、 前記トランスコンダクタンスセルのうち対応するトラン
    スコンダクタンスセルに一つずつ接続され、前記出力端
    における合計のトランスコンダクタンスを一のトランス
    コンダクタンスセルのトランスコンダクタンスの整数倍
    の値に可変選択するための選択信号に応じて、対応する
    トランスコンダクタンスセルを選択して動作させる選択
    部とを備えることを特徴とするトランスコンダクタンス
    可変回路。
  3. 【請求項３】 前記トランスコンダクタンスセルが、 一定の電流を供給する電流ソースと、 前記電流ソースと接地との間に接続され、前記入力信号
    をゲート端子に入力するＭＯＳトランジスタとを備える
    ことを特徴とする請求項２に記載のトランスコンダクタ
    ンス可変回路。
  4. 【請求項４】 前記選択部が、 前記対応するトランスコンダクタンスセルの電流ソース
    に対する電流バイアスの印加経路を前記選択信号に応じ
    て制御する第１スイッチと、 前記対応するトランスコンダクタンスセルのＭＯＳトラ
    ンジスタのゲート端子に対する前記入力信号の印加経路
    を前記選択信号に応じて前記第１スイッチと連動するよ
    うに制御する第２スイッチとを備えることを特徴とする
    請求項３に記載のトランスコンダクタンス可変回路。
  5. 【請求項５】 前記トランスコンダクタンスセルが、前
    記電流ソースとＭＯＳトランジスタとの間に直列に接続
    され、前記出力トランスコンダクタンスをチューニング
    するためのバイアス電圧をゲート端子に入力するＭＯＳ
    トランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項４
    に記載のトランスコンダクタンス可変回路。
  6. 【請求項６】 可変帯域フィルターにおいて、 出力端が共通に接続され、相互に同じく設定されている
    トランスコンダクタンスに応じて入力信号電圧に比例す
    る電流を出力する少なくとも二つ以上のトランスコンダ
    クタンスセルと、 前記トランスコンダクタンスセルの出力端に反転入力端
    が接続される演算増幅器と、 前記演算増幅器の反転入力端と出力端との間に接続され
    るキャパシタと、 前記トランスコンダクタンスセルのうち対応するトラン
    スコンダクタンスセルに一つずつ接続され、前記トラン
    スコンダクタンスの出力端における合計のトランスコン
    ダクタンスを一のトランスコンダクタンスセルのトラン
    スコンダクタンスの整数倍の値に可変選択するための選
    択信号に応じて、対応するトランスコンダクタンスセル
    を選択して動作させて周波数特性をセッティングする選
    択部とを備えることを特徴とする可変帯域フィルター。
  7. 【請求項７】 前記トランスコンダクタンスセルが、 電源端と前記出力端との間に接続される電流ソースと、 前記出力端と接地との間に接続され、前記入力信号をゲ
    ート端子に入力するＭＯＳトランジスタとを備えること
    を特徴とする請求項６に記載の可変帯域フィルター。
  8. 【請求項８】 前記選択部が、 前記対応するトランスコンダクタンスセルの電流ソース
    に対する電流バイアスの印加経路を前記選択信号に応じ
    て制御する第１スイッチと、 前記対応するトランスコンダクタンスセルのＭＯＳトラ
    ンジスタのゲート端子に対する前記入力信号の印加経路
    を前記選択信号に応じて前記第１スイッチと連動するよ
    うに制御する第２スイッチとを備えることを特徴とする
    請求項７に記載の可変帯域フィルター。
  9. 【請求項９】 前記トランスコンダクタンスセルが、前
    記電流ソースとＭＯＳトランジスタとの間に直列に接続
    され、前記周波数特性をチューニングするためのバイア
    ス電圧をゲート端子に入力するＭＯＳトランジスタをさ
    らに備えることを特徴とする請求項８に記載の可変帯域
    フィルター。
  10. 【請求項１０】 可変利得増幅器において、 出力端が共通に接続され、相互に同じく設定されている
    トランスコンダクタンスに応じて入力信号電圧に比例す
    る電流を出力する少なくとも二つ以上のトランスコンダ
    クタンスセルと、 前記トランスコンダクタンスセルの出力端に反転入力端
    が接続される演算増幅器と、 前記演算増幅器の反転入力端と出力端との間に接続され
    る抵抗と、 前記トランスコンダクタンスセルのうち対応するトラン
    スコンダクタンスセルに一つずつ接続され、前記トラン
    スコンダクタンスの出力端における合計のトランスコン
    ダクタンスを一のトランスコンダクタンスセルのトラン
    スコンダクタンスの整数倍の値に可変選択するための選
    択信号に応じて、対応するトランスコンダクタンスセル
    を選択して動作させて利得をセッティングする選択部と
    を備えることを特徴とする可変利得増幅器。
  11. 【請求項１１】 前記トランスコンダクタンスセルが、 前記電源端と前記出力端との間に接続される電流ソース
    と、 前記出力端と接地との間に接続され、前記入力信号をゲ
    ート端子に入力するＭＯＳトランジスタとを備えること
    を特徴とする請求項１０に記載の可変利得増幅器。
  12. 【請求項１２】 前記選択部が、 前記対応するトランスコンダクタンスセルの電流ソース
    に対する電流バイアスの印加経路を前記選択信号に応じ
    て制御する第１スイッチと、 前記対応するトランスコンダクタンスセルのＭＯＳトラ
    ンジスタのゲート端子に対する前記入力信号の印加経路
    を前記選択信号に応じて前記第１スイッチと連動するよ
    うに制御する第２スイッチとを備えることを特徴とする
    請求項１１に記載の可変利得増幅器。
  13. 【請求項１３】 前記トランスコンダクタンスセルが、
    前記電流ソースとＭＯＳトランジスタとの間に直列に接
    続され、前記利得をチューニングするためのバイアス電
    圧をゲート端子に入力するＭＯＳトランジスタをさらに
    備えることを特徴とする請求項１２に記載の可変利得増
    幅器。
JP34963497A 1997-05-09 1997-12-18 トランスコンダクタンス可変方法及びその回路、並びにそれを用いる可変帯域フィルター及び可変利得増幅器 Expired - Fee Related JP3386703B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR17845/1997 1997-05-09
KR1019970017845A KR100246757B1 (ko) 1997-05-09 1997-05-09 트랜스컨덕턴스 가변방법 및 회로와 그를 이용한 가변 대역 필터 및 가변 이득 증폭기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10335958A JPH10335958A (ja) 1998-12-18
JP3386703B2 true JP3386703B2 (ja) 2003-03-17

Family

ID=19505293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34963497A Expired - Fee Related JP3386703B2 (ja) 1997-05-09 1997-12-18 トランスコンダクタンス可変方法及びその回路、並びにそれを用いる可変帯域フィルター及び可変利得増幅器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6052001A (ja)
EP (1) EP0877481A3 (ja)
JP (1) JP3386703B2 (ja)
KR (1) KR100246757B1 (ja)
CN (1) CN1110897C (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7660724B2 (en) * 2003-09-19 2010-02-09 Vesta Medical, Llc Waste sorting system utilizing removable liners
JP2006080988A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 前置増幅器
DE102004030161B4 (de) * 2004-06-22 2007-10-11 I F M Electronic Gmbh Schlatungsanordnung zum wahlweisen Generieren eines analogen Stromausgangswertes oder eines analogen Spannungsausgangswertes
JP4217247B2 (ja) * 2005-07-07 2009-01-28 パナソニック株式会社 可変トランスコンダクタンス回路
US7385448B2 (en) * 2006-05-17 2008-06-10 Intelleflex Corporation Circuitry for adaptively generating and using a reference voltage
KR100857223B1 (ko) 2007-02-28 2008-09-05 충북대학교 산학협력단 가변 이득 증폭기
US7746166B2 (en) * 2007-11-30 2010-06-29 Infineon Technologies Ag Integrated circuit including filter circuit arrangement

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4009400A (en) * 1975-11-28 1977-02-22 Lockheed Missiles & Space Company, Inc. Digitally controlled variable conductance
US5227737A (en) * 1990-12-05 1993-07-13 Vtc Inc. Method and apparatus for adjusting the pole positions of a differentiating amplifier
US5245565A (en) * 1991-07-31 1993-09-14 International Microelectronic Products Digitally programmable linear phase filter having phase equalization
US5574678A (en) * 1995-03-01 1996-11-12 Lattice Semiconductor Corp. Continuous time programmable analog block architecture
JP3335853B2 (ja) * 1996-03-29 2002-10-21 株式会社東芝 可変減衰器

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ｃａｓｔｅｌｌｏ，Ｒ．Ｍｏｎｔｅｃｃｈｉ，Ｆ．Ｒｅｚｚｉ，Ｆ．Ｂａｓｃｈｉｒｏｔｔｏ，Ａ．，Ｌｏｗ−ｖｏｌｔａｇｅ ａｎａｌｏｇ ｆｉｌｔｅｒｓ，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ ａｎｄ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉ： Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ Ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｖｏｌ．４２ Ｎｏ．１１，ｐ．８２７−８４０，ＩＮＳＰＥＣ ａｃｃｅｓｓｉｏｎ ｎｕｍｂｅｒ： ５１６７８９２
Ｓａｔｙａｎａｒａｙａｎａ，Ｓ．Ｔｓｉｖｉｄｉｓ，Ｙ．Ｐ．Ｇｒａｆ，Ｈ．Ｐ．，Ａ ｒｅｃｏｎｆｉｇｕｒａｂｌｅ ＶＬＳＩ ｎｅｕｒａｌ ｎｅｔｗｏｒｋ，ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ，Ｖｏｌ．２７ Ｎｏ．１，ｐ．６７−８１，ＩＮＳＰＥＣ ａｃｃｅｓｓｉｏｎ ｎｕｍｂｅｒ： ４１２３１０２
Ｔｓｕｋａｎｏ，Ｋ．Ｉｎｏｕｅ，Ｔ．，Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌ ｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ−ｂａｓｅｄ ａｎａｌｏｇ ｆｕｚｚｙ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｂｌｏｃｋｓ ａｎｄ ｉｔｓ ａｐｐ，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｆｕｚｚｙ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｖｏｌ．３ Ｎｏ．１，ｐ．６１−６８，ＩＮＳＰＥＣ ａｃｃｅｓｓｉｏｎ ｎｕｍｂｅｒ： ４９０２９２４

Also Published As

Publication number Publication date
CN1199282A (zh) 1998-11-18
EP0877481A3 (en) 2001-05-16
EP0877481A2 (en) 1998-11-11
CN1110897C (zh) 2003-06-04
JPH10335958A (ja) 1998-12-18
KR100246757B1 (ko) 2000-03-15
US6052001A (en) 2000-04-18
KR19980082771A (ko) 1998-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6060935A (en) Continuous time capacitor-tuner integrator
US6403943B2 (en) Variable resistance circuit, operational amplification circuit, semiconductor integrated circuit, time constant switching circuit and waveform shaping circuit
US7239196B2 (en) Filter circuit
US20100321113A1 (en) Low noise amplifier
US20040080366A1 (en) Variable gain amplifier
JPH0779121A (ja) 広い同調範囲の演算トランスコンダクタンス増幅器
JP3179252B2 (ja) プログラム可能ノッチ幅および深さを有するノッチ・フィルタ
KR19980064159A (ko) 필터 회로
JP3386703B2 (ja) トランスコンダクタンス可変方法及びその回路、並びにそれを用いる可変帯域フィルター及び可変利得増幅器
JP3425426B2 (ja) トランスコンダクタおよびフィルタ回路
JP4907395B2 (ja) 可変利得増幅回路
EP1811662B1 (en) A lowpass biquad VGA filter
US5742199A (en) Filter circuit and electronic apparatus
US5994926A (en) Circuit and method for programmably changing the transconductance of a transconductor circuit
EP0696846B1 (en) High-pass filter structure with programmable zeros
JP2002111445A (ja) ｇｍ−Ｃフィルタ
JP3370045B2 (ja) 時定数切換回路および波形成形回路
JPH11317019A (ja) Ｒｆ信号用ゲイン調整回路
EP0948132B1 (en) Amplifier with programmable gain and input linearity usable in high-frequency lines
JP2001209901A (ja) 磁気ディスクメモリ装置
JP3455063B2 (ja) 可変利得増幅器
JP2003037478A (ja) 帯域可変型ｒｃフィルタ
JPH10126214A (ja) フィルタ回路
Salmeh et al. A low voltage linearly tuned fully differential CMOS OTA and its applications in filter design
JP2001284999A (ja) 音質調整回路

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080110

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100110

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees