JP3380549B2 - 屈折率整合構造を備えたエレクトロクロミック装置 - Google Patents

屈折率整合構造を備えたエレクトロクロミック装置

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JP3380549B2 JP50393693A JP50393693A JP3380549B2 JP 3380549 B2 JP3380549 B2 JP 3380549B2 JP 50393693 A JP50393693 A JP 50393693A JP 50393693 A JP50393693 A JP 50393693A JP 3380549 B2 JP3380549 B2 JP 3380549B2
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、光をはじめとするエネルギを、制御された
条件の下で透過させることができるエレクトロクロミッ
ク（electrochromic）構造体、より詳しく云うと、制御
されたエネルギ透過を行なう大面積エレクトロクロミッ
ク構造体に関する。
エネルギの透過を制御するのに、種々のエレクトロク
ロミック材料を利用することができる。かかる装置は、
印加される刺激即ち励起に従って色彩の変化を引き起こ
すことにより「着色を施す」（“chromatically"）動作
を行なう。
かくして、サーモクロミック（thermochromic）装置
は、温度に応答して色の変化を引き起こす。得られる、
例えば、シート材料の色彩は、シートが曝される温度に
依存する。しかしながら、温度依存性があるので、使用
者は色彩に対して極く限られた制御しか行なうことがで
きないという問題がある。
別の発色装置として、装置に当たる光の強さに依存し
て着色が行なわれる「フォトクロミック」（“photochr
omic"）装置がある。ガラスその他の半透明な材料に鉄
酸化物がドーピングされると、光誘起反応が生じ、暗色
化が光の強度の増加とともに促進される。この場合に
も、着色の程度は外部の影響に依存する。
更に別の発色装置として、電気的刺激の印加の程度に
依存する装置があり、「エレクトロクロミック」と云わ
れている。かかる装置の場合には、着色の性状と程度は
電気的な影響に依存する。
残念なことに、有用な光学特性を備えた経済的な大規
模発色装置をつくることは困難であった。かくして、レ
ンズ（フォトクロミック）およびミラー（エレクトロク
ロミック）に関しては小面積の装置がつくられてきた。
しかしながら、窓および天窓のような視認に必要とされ
る種類の大きな面を有するパネルを得ることは困難であ
った。
従って、本発明の目的は、発色構造体の製造と使用を
容易にすることにある。本発明の関連する目的は、認識
することができる表面積が必要とされる大規模発色を容
易に行なうことにある。
本発明の更に別の目的は、発色装置を天窓のような光
透過構造体およびその他の、自然の照明に対して大面積
の制御を行なうことができるようにした構造体に適用す
ることにある。
本発明の別の目的は、特に比較的大規模のエレクトロ
クロミック構造体の製造および使用を容易にすることに
ある。更に、放射エネルギを捕捉することにより温室効
果を生みだすことができる。従って、本発明の別の目的
は、太陽光および他の形態をなす輻射線がビルディング
その他の構造物において太陽入熱を生み出す程度を少な
くすることができるエレクトロクロミック装置を提供す
ることにある。
本発明の別の目的は、エレクトロクロミック装置を、
広範囲に亘る建築物および自動車、更にはコクピットお
よびアビオニック（avionic）視界面のような航空構造
体に適用することにある。
材料および装置の構造（例えば、面積）の種々のパラ
メータを切換速度（switching speed）に関連させる研
究が行なわれている。かかる研究は、プロシーディング
・スピー（Proc.SPIE）第IS4巻、539頁（1989年）にお
いてジェイ・ピー・ランディン（J.P.Randine）により
報告されているとともに、プロシーディングズ・オブ・
エレクトロケミカル・ソサイエティ（Proc.Electrochem
Soc.）第90−２巻、349頁（1990年）においてケイシー
・ホウ（Ｋ−C Ho）、ディー・イー・シングルトン（D.
E.Singleton）およびシー・ビー・グリーンバーグ（C.
E.Greenberg）により報告されている。装置の面積が大
きくなると、透明な伝導層の抵抗が切換時間と着色また
は脱色（bleaching）の均一性とを制限する大きな要因
となっていると考えられてきた。
従って、本発明の別の目的は、エレクトロクロミック
装置の面積の増加に伴う該装置の切換時間の増加と、着
色または脱色の不均一性を防ぐことにある。
一つの方法として、1988年９月６日付でグリーンバー
グ（Greenberg）とシングルトン（Singleton）とに付与
された米国特許第4,768,865号に従って、導電性のグリ
ッド構造を付加する方法がある。この方法は、光の透過
を損なうとともに、高い率の透過を行なう場合には不適
当なものとなる。グリッド構造の悪影響は、特に各透明
伝導層の上部に１つずつ配置される複数のグリッドを使
用して所望の切換速度を得る場合に有意に現われる。更
に、グリッドを非平坦な（non−planar）表面に形成す
るのが困難である。
従って、本発明の別の目的は、エレクトロクロミック
構造体の切換速度を増加させるとともに、電気グリッド
の使用をなくしあるいは極力少なくすることにある。
従って、本発明の更に別の目的は、迅速な切換を達成
するとともに、光の透過を高レベルに保持し、しかもコ
ストを比較的低く押え、かつ、製造を容易にすることに
ある。
発明の概要 上記した目的および関連する目的を達成するため、本
発明によれば、少なくとも１つの電極として作用するよ
うに屈折率調整構造体を組み込むことにより比較的大規
模の発色装置が提供されている。この装置は、切換時間
および光透過に関する要件を建築物の窓その他の視覚要
素に適合させることができる。本発明に係る装置は、製
造を低コストで容易に行なうことができる。
本発明の別の観点によれば、少なくとも１つの電極
は、個々の層の屈折率と肉厚が電極を形成するのに使用
される材料とプロセスのパラメータを制御することによ
り制御される層状の屈折率調整構造体（LIAS）からなる
ことにより所望の電気伝導度と光輻射線透過度とを有す
る電極を製造することができる。本明細書において使用
されている「層状の屈折率調整構造体」（“layered in
dex−adjusted structure"）なる語は、複数の層から形
成される電極を云うものであり、各層は、層の組み合わ
せにより所望の光学特性が得られるように、屈折率と肉
厚に関して特に選定されるものである。
本発明の別の観点によれば、大面積エレクトロクロミ
ック装置の所望の切換速度および透過に関する要件を満
たす対電極（counterelectrode）（CE）、エレクトロク
ロミック電極（ECE）およびイオン伝導体（IC）のパラ
メータおよび材料とともに、LIASからなる電極のパラメ
ータおよび材料が選択される。
本発明は、個々のエレクトロクロミックパネルを励起
する構成を備えている。各パネルは、透明な上層（supe
rstrate）に、例えば、接着剤により積層される。接着
剤は、エチレン酢酸ビニルおよびポリビニルブチラール
をはじめとする種々の物質から選ぶことができる。
各パネルは、基板に配置される、透明な伝導体で始ま
る連続した層から形成することができ、透明伝導体は、
エレクトロクロミック電極を備えることができる層状の
屈折率調整構造体であるのが望ましい。次の層は、イオ
ン伝導体であり、次いで、透明な金属およびセラミック
層から形成される層状の屈折率調整構造体の一部である
のが望ましい対電極となる。かくして、別体をなす層状
の屈折率調整構造体が、装置の上部および下部構成素子
を形成することができる。あるいは、１つのまたは複数
の屈折率調整構造体を所望に応じて装置全体に組み込む
ことができる。
エレクトロクロミック層は、電気的影響を受けると色
が変化し、イオン伝導層に対面する。対電極は、イオン
伝導層の反対側の面に、対電極上の透明伝導材に隣接し
て配置される。
イオン伝導体は、可視範囲において透明であり、好ま
しくは高い電気抵抗率と高いイオン伝導率とを有する固
体である。リチウムまたは水素イオン伝導体であるのが
適している。リチウムまたは水素イオン伝導体には、珪
酸リチウム、珪酸リチウムアルミニウム、硼珪酸リチウ
ム、硼酸リチウム、珪酸リチウムジルコニウム、ニオブ
酸リチウムおよび種々のリチウムイオン伝導ポリマ電解
質がある。水素イオン伝導体は、五酸化タンタル（Ta2O
5）および二酸化シリコン（SiO2）のような酸化物から
得られる。対電極は、酸化ニッケル、酸化イリジウム、
五酸化バナジウム、酸化モリブデンあるいは種々の混合
酸化物とすることができる。
本発明に係る比較的大規模の非平坦エレクトロクロミ
ック装置を製造する方法においては、非平坦な基板を、
イオン伝導層およびエレクトロクロミック層とを含む一
組の層と組み合わせる。これらの層は、化学浸漬、スパ
ッタリング、熱蒸発（thermal evaporation）または薄
膜被着技術により基板に形成することができる。これら
の手順は組み合わせることができ、得られた構造体は、
接着積層により上層に接合することができる。
比較的大規模のエレクトロクロミック装置を操作する
方法においては、電気エネルギが外部の透明伝導層と内
部の透明伝導層との間に印加される。これにより、対電
極、イオン伝導体および電気応答着色層との間でイオン
を移行させることができる。光、紫外線および赤外線の
ような外部のエネルギを透明な基板を介して内部の透明
伝導層まで透過させる。電圧制御の着色により、外部エ
ネルギが内部透明伝導層から電気応答着色層、イオン伝
導体、対電極を介して外部透明伝導層の外へ透過する程
度が定められる。
図面の説明 本発明の他の観点は、添付図面に関してなされている
幾つかの実施例を参照することにより明らかとなるもの
であり、図面において、 第１図は、本発明の構成素子である層を組み込んだエ
レクトロクロミック装置の横断面図であり、 第２図は、本発明の構成素子である層を組み込んだ別
のエレクトロクロミック装置の横断面図である。
詳細な説明 図面に関して説明すると、本発明に係る窓10の横断面
が第１図に示されている。
窓10は、外部の照明または輻射線（radiation）に曝
される領域の透明度が電気的または電子的に制御される
という意味においてエレクトロクロミックである。その
ため、窓を有する部屋または区画室の占有者は、所望の
程度の暗さまたは明るさを得るために、以下において詳
細に説明するように電気制御体を操作することができ
る。本発明は、窓を例にとって説明するが、照明を部屋
または区画室の内部に取り入れるその他の領域、即ち、
視覚用途（vision application）にも同様に適用するこ
とができるものである。電気的制御により、例えば、窓
の透明度を所望に応じて調整することができる。
窓10は、横断面図である第１図に示すように、構成素
子10−１乃至10−３を備えている。窓のサイズは相対的
なものであり、著しく大きなエレクトロクロミック構造
体を本発明に従って実現することができるものである。
第１図の構成素子10−１乃至10−３は、ベース即ち基
板（substrate）12に取着され、適宜の態様で基板12に
被着される。適宜の媒体（図示せず）は、エチレン酢酸
ビニルまたはポリビニルブチラールのような積層用透明
接着剤とすることができる。
あるいは、構成素子10−１乃至10−３は、種々の層の
材料が有機溶媒に溶解され、所望に応じて反応に供され
る浸漬技術により基板12に被着することができ、その
後、溶媒を蒸発させて沈積物を形成し、これを加熱して
所望の層を形成する。このようにして、連続した層を形
成することができる。
第１図には、窓10の構成素子10−１乃至10−３の置換
可能の層（substituent layer）も示されている。
構成素子10−１は、窓10の透明な酸化物11−ａ、接触
電極11−ｍおよび活性エレクトロクロミック層11−ｂを
有する層状の屈折率調整構造体である。実際には、接触
電極11−ｍは、透明な酸化物11−ａとエレクトロクロミ
ック層11−ｂとの間に取り囲まれる。更に、接触電極11
−ｍを挟持する薄い金属層11−１および11−２が配設さ
れている。
透明な酸化物の目的は、輻射線を受け入れるととも
に、接触電極およびエレクトロクロミック構造体を介し
ての輻射線の透過を高進させることにあり、接触電極が
電荷をエレクトロクロミック装置に対して出し入れす
る。かくして、大きい屈折率を有する透明な酸化物を選
択することにより、接触電極およびエレクトロクロニッ
ク構造体を介しての輻射線の透過を改善することができ
る。この点に関する適宜の酸化物は、ドーピングされた
酸化亜鉛、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化コバ
ルトおよび酸化インジウム錫である。一般に、酸化物の
屈折率が大きくなるにつれて、輻射線の透過は一層改善
される。
構成素子10−１に含まれているのは、活性エレクトロ
クロミック即ち着色剤層（colorant layer）11−ｂであ
り、一例として三酸化タングステン（WO3）を挙げるこ
とができる。着色剤層は、光学的に活性であり、正のイ
オンと負のイオンの双方を逆転可能に流す（reversible
flow）ことができる。色彩を変化させるとともに光を
通すこの層の能力は、層内に含まれるイオンおよび電子
の数の一時関数である。三酸化タングステンが標準的な
エレクトロクロミック層であるが、他の適宜の層として
三酸化モリブデン、酸化ニッケルおよび酸化イリジウム
とともに、バナジウム、タングステン、チタンおよびモ
リブデンの混合酸化物がある。
構成体10−１の着色剤層11−ｂに隣接して、透明な電
気絶縁イオン伝導体層10−２が配設されており、この層
は構造体10−１のエレクトロクロミック層11−ｂを屈折
率調整構造体10−３の対電極層13−ａから隔絶する。構
造体10−３は更に、輻射線の透過を改善するために下層
をなす酸化層13−ｂも有している。
イオン伝導層10−２は、イオンを通過させることはで
きるが、電子は通過させることができず、装置に「メモ
リ」を提供する。珪酸リチウム、珪酸リチウムアルミニ
ウム、ニオブ酸リチウム、窒化リチウムおよびフッ化リ
チウムアルミニウムのようなリチウムベースのセラミッ
クスを含む数多くの適宜のイオン伝導体電解質がある
が、これらのセラミックスに限定されるものではない。
適宜の水素イオン伝導体は、五酸化タンタルおよび二酸
化シリコンから得られる。
構造体10−３の対電極層13−ａは、イオンが構造体10
−１のエレクトロクロミック層に使用されない場合には
イオンを「挿入し」（“inesert"）かつ保存する。幾つ
かの対電極材料もまた、日射のある種の赤外および可視
成分を含む入射輻射線を変調するという点でエレクトロ
クロミックである。かかる材料は、構造体10−１のエレ
クトロクロミック層による変調を補足する。対電極13−
ａの適宜の挿入化合物には、五酸化バナジウム、酸化ニ
オブ、酸化インジウム、酸化ニッケル、酸化コバルトお
よび酸化モリブデン並びに混合酸化物がある。
層13−ａまたは11−ｂの一方にリチウムまたは水素イ
オン源が既にある場合を除き、窓10の完成に先立ち、こ
れらの層13−ａまたは11−ｂの少なくとも一方に、リチ
ウムまたは水素が挿入される。挿入は、構成素子10−１
および10−３の１つ以上を適宜の還元剤で処理すること
により行なうことができる。例えば、リチウムの挿入に
はｎ−ブチルリチウムを使用することができ、または水
素の挿入には硫酸水溶液を使用することができる。ある
いは、挿入は、適宜のイオン源として作用するターゲッ
ト、例えば、分解して蒸気相中にリチウム原子を形成す
るリチウムターゲットからのスパッタリングによる真空
処理において行なうことができる。更に、挿入に関し
て、プラズマ、例えば、水素の挿入を行なうのに水素プ
ラズマを使用することができる。別の技術として、所望
の組成物源を使用する蒸着がある。別の技術として、屈
折率調整構造物の一つへの電気化学的内位添加（interc
alation）、例えば、構成素子10−１または10−３への
リチウム内位添加がある。
イオン挿入の別の技術として、揮発性種を使用し、放
出物に点火して挿入イオンを先駆物質から解離させる方
法がある。かくして、先駆物質の気体の形態をなす有機
リチウム化合物を解離させて、挿入可能なリチウム原子
を帯電されるべき物質と接触させる。ガス流チャンネル
において反応を起こさない種を使用するののが望まし
い。
母物質即ちホスト物質がイオン、例えば、リチウムイ
オンを「内位添加する」（“intercalate"）する場合に
は、ホスト内位添加化合物はリチウムイオンを受け入
れ、電場に曝したときにこれを解放する。リチウムイオ
ンはイオン伝導体に入る。イオン伝導体中のリチウムイ
オンは外側回路において電子と遭遇する。リチウムイオ
ンおよび関連する電子がエレクトロクロミック挿入化合
物、例えば、三酸化タングステンにあるときには、光学
特性の変化がある。
構成素子10−１および10−３にはリード線21および22
が取着され、リード線21および22は、電池とリード線21
および22を介して窓10に印加される電圧を規制するポテ
ンショメータとを備える制御回路25へ延びている。制御
回路の電池25は再充電性であるのが有利である。更に、
窓10は昼間の時間帯に電池を充電することができるソー
ラパネル（図示せず）とともに使用するのが望ましい。
低電圧、一般的には、直流電圧が外側リード21と22に
印加されると、構成素子10−３の対電極に蓄えられてい
るリチウムイオンのような電荷補償イオン（charge com
pensating ion）が構成素子10−１と10−３の電極間の
電場により移行し、正に帯電したイオンが、電場によっ
て、イオン伝導層10−２を介して構成素子10−１の活性
エレクトロクロミック層へ引き寄せられる。
構成素子10−１の活性層においては、正に帯電したイ
オンは外部の回路を介して供給される電子と結合する。
エレクトロクロミック層におけるこの結合により光学特
性に変化が生じ、エレクトロクロミック層を光吸収性と
する。吸収される光の量、即ち、シェーディング（shad
ing）の程度は変動するものであり、印加される電圧の
大きさと極性に従って注入されるイオンと電子とにより
制御される。
更に、装置は、電圧が除去されたときにシェーディン
グが長時間保持されるように「メモリ」を有している。
イオン伝導体層10−２はリチウムベースの無機フィル
ムであるのが望ましいが、リチウムまたは水素イオン伝
導ポリマ電解質を固体の無機電解質の代わりに使用する
ことができる。
装置10に有利な電池分布を得るために、第２図の実施
例は、第１図の構成素子10−３と対応する修正された構
成素子33を有している。構成素子33もまた、ニッケル、
鉄、タングステン、ジルコニウムまたはチタンのよう
な、金属の薄膜即ち薄いフィルム33−ｍを金属の一層薄
いフィルム33−１と33−２との間に介在させることによ
り形成される層状の電極を含む、電極およびエレクトロ
クロミックまたは対電極層の組み合わせからなる屈折率
調整構造体である。得られる金属サンドイッチ体は更
に、屈折率の大きい酸化物フィルム33−ａと33−ｂとの
間に挟持される。金属フィルム33−ｍは、近赤外領域に
おける入射エネルギの電気伝導度と反射能を提供する。
適宜の金属フィルム33−ｍは、銀、アルミニウムまたは
銅から形成される。大きい屈折率の酸化物フィルム33−
ａおよび33−ｂは、金属フィルム33−１、33−ｍおよび
33−２を介しての輻射線の透過を改善する。
上記したように、層33−１および33−２は、ニッケ
ル、鉄、タングステン、ジルコニウムまたはチタンであ
る。別の層33−ａおよび33−ｂは、ドーピング処理をし
たあるいはドーピング処理をしていない酸化亜鉛、酸化
タングステン、酸化インジウム錫、酸化ニッケルおよび
酸化コバルト、酸化バナジウム、酸化チタン、酸化モリ
ブデン、酸化ニオブ、鉄フェロシアナイド並びにこれら
の混合物とすることができる。
第２図の残りの層状電極31は、第１図の屈折率調整構
造体10−１と対応するものである。更に、第１図のエレ
クトロクロミック層11−ｂは構成素子10−１に含まれて
おり、第２図の層31−ｂと対応したものとすることがで
きるが、層31−ｂは対電極とすることができ、この場合
には、第２図のエレクトロクロミック層は層33−ａとな
る。
本発明の実施例においては、金属フィルム31−ｍは、
1.0よりも小さい、即ち、約0.2の屈折率を有し、取り囲
む酸化フィルム31−ａと31−ｂは、2.0程度の同様の屈
折率を有する。この特定の層構造により、これらの層間
のインターフェースから反射される輻射線の全体量が減
少するとともに、透過する輻射線の量が最大になる。
同様に、第１図の対電極構成素子10−３は、第２図に
示すように薄膜屈折率調整構造体33の形態をなしてお
り、金属層33−ｍは酸化物層33−ａと33−ｂとの間に取
り囲まれる。
第１図の装置10の組み立てにおける１つの技術とし
て、例えば回転自在のマグネトロン陰極を使用した金属
または金属合金ターゲットからの反応スパッタリングに
よって物質をスッパタ被着させることにより被着させる
ことができる連続するフィルムを基板12にコーティング
するものがある。別の薄膜被着技術としては、熱蒸発、
ゾル／ゲル、化学蒸着（CVD）およびプラズマ強化CVDが
ある。
例えば、マグネトロンスパッタリングにより層状電極
31を形成する場合には、ドーピング処理がされたあるい
はドーピング処理がされていない金属酸化物層31−ｂの
被着は、金属または合金ターゲットを使用して行なわれ
る。次に、金属の薄膜（50オングストローム未満）31−
２を被着して、次に被着される導電性の金属31−ｍに適
した各形成面を得る。金属31−ｍは、300オングストロ
ーム未満の連続フィルムとして被着される。次いで、保
護金属層31−１を被着することにより、次に行なわれる
酸化物被着における酸素プラズマに曝されないように導
電層を保護する。保護金属層は、酸化物の部分形成に使
用することができ、次いで、別のドーピング処理したあ
るいはドーピング処理を行なっていない酸化物層、例え
ば、ZnOまたはTiO2層31−ａが被着される。
イオン伝導層10−２を形成するため、アルミニウムま
たはチタンのような元素を含む非晶質の珪酸リチウムを
被着してイオン伝導度を高めることが行なわれる。例え
ば、基板を構成素子10−３または構成素子33の層ととも
に、水またはアルコール中でシリコンのアルコキシドと
リチウムのアルコキシドおよび／または塩とを混合する
ことにより形成される溶液中に浸漬する。この溶液は、
アルミニウムまたはチタンの塩またはアルコキシドを含
むことができる。次に、基板を溶液から制御された速度
で取り出す。基板を取り出してから、加水分解と乾燥を
同時に行ない、次いでアニール処理を行なうことにより
薄膜を完成させる。
装置は、イオン伝導層10−２に対するスパッタリング
により構成素子10−１または構成素子31の層を形成して
完成されるが、炭酸リチウムのようなリチウム含有ター
ゲットからの同時のまたは連続するスパッタリングによ
りリチウムが対電極のフィルム31−ｂに加えられる。リ
チウムの固体が低い溶解度を有する金属31−２の薄層が
被着され、対電極のリチウムが導電金属層に拡散し該金
属層と反応を行なうのを防止する。次の工程において
は、導電層、例えば、銀が被着され、次いで、金属の保
護層31−１と酸化物フィルム31−ａが被着される。
電極接点21と22は、マスキングと銅のような低抵抗金
属の被着により形成される。更に、例えば窒化シリコン
の「キャッピング」（“capping"）層がスパッタリング
により形成される。実際には、装置10は、サイズと形状
が同じの第２の上層（superstrate）14に積層される基
板上に配置され、縁部シーラントが施用されて空気およ
び水分との接触をなくすようにしている。
第１および２図においては、金属層11−ｍ、31−ｍお
よび33−ｍは平坦（planar）となっているが、これらの
伝導体の横断面には第３図に示すように変化を加えるの
が有利であり、第３図においては、伝導体11−m'は中央
で最小の肉厚ｔを有し、外側縁部で最大の肉厚Ｔを有し
ている。これにより、接点が第１および２図の伝導体21
および22のような外部伝導体とともに形成される縁部に
おいて層の肉厚を最大にすることができるので、金属層
を通る電流の流れを均一にすることができる。構造体全
体が円筒形である場合には、横断面が変わる第３図の伝
導体11−m'は、肉厚が最小となる中央を中心に回転面の
形態をとる。構造体全体の横断面が矩形である場合に
は、伝導体11−m'は構造体の深さ方向に単に延びるだけ
で、第３図に示す横断面を保持する。第３図の特定の実
施例においては、伝導体11−m'の上面Ｕだけにテーパが
付され、対応するテーパが上に位置する緩衝金属フィル
ム11−1'に形成される。従って、逆テーパ（countertap
er）が、上に位置する酸化物層11−a'に形成される。
上記説明は例示に過ぎない。本発明の別の修正と変向
は当業者が容易に行なうことができるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トラムボア，フォレスト・エイ アメリカ合衆国ニュージャージー州 07901サミット，グレン・オークス・ア ベニュー・30 (72)発明者 バン・ダイン，ジョン・イー アメリカ合衆国ニュージャージー州 07430マーワー，バーソルフ・レイン・ 26 (56)参考文献 特開 昭55−100530（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−148446（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−79429（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−76812（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−277826（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/13,1/15

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】エレクトロクロミック材料から形成された
    層と、対電極層と、前記エレクトロクロミック層と前記
    対電極層との間に挟設されたイオン伝導材料の層とを有
    するエレクトロクロミック構造体と、 前記エレクトロクロミック構造体に電位を印加するよう
    に前記エレクトロクロミック構造体を挟持する、少なく
    とも１つは導電金属層を含む、少なくとも２つの導電層
    と、 前記エレクトロクロミック構造体と前記導電金属層とを
    通しての光輻射線の透過を高進させるための少なくとも
    １つの光学透明層と、 前記エレクトロクロミック構造体と前記導電金属層との
    間に配置された第１の中間金属層とを備えることを特徴
    とするエレクトロクロミック装置。
  2. 【請求項２】前記第１の中間金属層を形成する金属はニ
    ッケル、鉄、タングステン、ジルコニウムおよびチタン
    よりなる群から選ばれることを特徴とする請求の範囲第
    １項に記載のエレクトロクロミック装置。
  3. 【請求項３】前記第１の中間金属層は約50オングストロ
    ーム未満の肉厚を有することを特徴とする請求の範囲第
    １項に記載のエレクトロクロミック装置。
  4. 【請求項４】前記導電金属層は約300オングストローム
    未満の肉厚を有することを特徴とする請求の範囲第１項
    に記載のエレクトロクロミック装置。
  5. 【請求項５】前記導電金属層と面接触して配設された第
    ２の中間金属層を更に備え、前記導電金属層が前記第１
    の中間金属層と該第２の中間金属層との間に挟持される
    ようにしたことを特徴とする請求の範囲第１項に記載の
    エレクトロクロミック装置。
  6. 【請求項６】前記第１と第２の中間金属層を形成する金
    属は前記導電金属層を形成する金属とは異なることを特
    徴とする請求の範囲第５項に記載のエレクトロクロミッ
    ク装置。
  7. 【請求項７】前記イオン伝導材料はポリマからなり、該
    ポリマはリチウムまたは水素イオン伝導ポリマ電解質で
    あることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のエレク
    トロクロミック装置。
  8. 【請求項８】前記イオン伝導材料はイオン伝導度を増加
    させる第２の材料を含み、前記第２の材料は珪酸リチウ
    ムアルミニウムおよびアルミニウムまたはチタンのよう
    な元素を含む非晶質の珪酸リチウムよりなる群から選ば
    れることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のエレク
    トロクロミック装置。
  9. 【請求項９】少なくとも前記エレクトロクロミック構造
    体と前記導電層とを挟持する透明な基板と透明な上層と
    を更に備えることを特徴とする請求の範囲第１項に記載
    のエレクトロクロミック装置。
  10. 【請求項１０】前記透明な上層を前記エレクトロクロミ
    ック装置に結合する接着剤材料の層を更に備えることを
    特徴とする請求の範囲第９項に記載のエレクトロクロミ
    ック装置。
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