JP3379429B2 - ブリッジ回路のモジュール内構造 - Google Patents
ブリッジ回路のモジュール内構造Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＤＣ−ＡＣインバ
ータ等に使用するブリッジ回路のモジュール内構造に関
する。
ータ等に使用するブリッジ回路のモジュール内構造に関
する。
【０００２】
【従来の技術】今日、各種電気回路が用いられ、例えば
ＤＣ−ＡＣインバータにはブリッジ回路が用いられてい
る。図３はこのようなブリッジ回路の１アームの回路構
成を示す図である。具体的にはこのアームが複数有り、
ゲートＧ１に所定の電圧を印加することによってＩＧＢ
Ｔ（絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ）Ｑ１をオン
し、コレクタＣ１から電流を供給し、Ｃ２Ｅ１（Ａ点）
を介して交流負荷に電流を供給する。また、ゲートＧ２
に所定の電圧を印加することによってＩＧＢＴＱ２をオ
ンし、Ａ点を介して供給される電流を電極Ｅ２に流す。
尚、ＩＧＢＴＱ１に並列に接続されたダイオードＤ１、
及びＩＧＢＴＱ２に並列に接続されたダイオードＤ２は
フリーホイーリング電流バイパス用の逆並列ダイオード
である。
ＤＣ−ＡＣインバータにはブリッジ回路が用いられてい
る。図３はこのようなブリッジ回路の１アームの回路構
成を示す図である。具体的にはこのアームが複数有り、
ゲートＧ１に所定の電圧を印加することによってＩＧＢ
Ｔ（絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ）Ｑ１をオン
し、コレクタＣ１から電流を供給し、Ｃ２Ｅ１（Ａ点）
を介して交流負荷に電流を供給する。また、ゲートＧ２
に所定の電圧を印加することによってＩＧＢＴＱ２をオ
ンし、Ａ点を介して供給される電流を電極Ｅ２に流す。
尚、ＩＧＢＴＱ１に並列に接続されたダイオードＤ１、
及びＩＧＢＴＱ２に並列に接続されたダイオードＤ２は
フリーホイーリング電流バイパス用の逆並列ダイオード
である。
【０００３】図４は上述の回路を実現する従来の回路構
造を示す。ここで、同図に示すモジュール１の右側２に
はＩＧＢＴＱ１及びダイオードＤ１が配設され、モジュ
ール１の左側３にはＩＧＢＴＱ２及びダイオードＤ２が
配設されている。尚、ＩＧＢＴＱ１及びダイオードＤ１
は絶縁膜（酸化膜）４に形成された銅ベース５上に形成
されている。また、ＩＧＢＴＱ２及びダイオードＤ２も
絶縁膜（酸化膜）４に形成された銅ベース６上に形成さ
れている。
造を示す。ここで、同図に示すモジュール１の右側２に
はＩＧＢＴＱ１及びダイオードＤ１が配設され、モジュ
ール１の左側３にはＩＧＢＴＱ２及びダイオードＤ２が
配設されている。尚、ＩＧＢＴＱ１及びダイオードＤ１
は絶縁膜（酸化膜）４に形成された銅ベース５上に形成
されている。また、ＩＧＢＴＱ２及びダイオードＤ２も
絶縁膜（酸化膜）４に形成された銅ベース６上に形成さ
れている。
【０００４】先ず、外部電極取り出し部である配線板７
から供給される電流は、上述の銅ベース５を介して矢印
方向に流れ、ＩＧＢＴＱ１の裏面からＩＧＢＴＱ１に入
り、ＩＧＢＴＱ１内を流れ、端子８ａ、８ｂからワイヤ
ー９ａ、９ｂを介して銅ベース６に供給される。尚、Ｉ
ＧＢＴＱ１の端子８ｃはゲート端子であり、ワイヤー９
ｃを介してゲートＧ１に接続され、ゲートＧ１に設けら
れた配線板１０からのゲート信号の供給を受ける。ま
た、ダイオードＤ１は裏面（カソード側）が銅ベース５
に接続され、上面（アノード側）がワイヤー１５ａ、１
５ｂを介して銅ベース６に接続されている。
から供給される電流は、上述の銅ベース５を介して矢印
方向に流れ、ＩＧＢＴＱ１の裏面からＩＧＢＴＱ１に入
り、ＩＧＢＴＱ１内を流れ、端子８ａ、８ｂからワイヤ
ー９ａ、９ｂを介して銅ベース６に供給される。尚、Ｉ
ＧＢＴＱ１の端子８ｃはゲート端子であり、ワイヤー９
ｃを介してゲートＧ１に接続され、ゲートＧ１に設けら
れた配線板１０からのゲート信号の供給を受ける。ま
た、ダイオードＤ１は裏面（カソード側）が銅ベース５
に接続され、上面（アノード側）がワイヤー１５ａ、１
５ｂを介して銅ベース６に接続されている。
【０００５】一方、ＩＧＢＴＱ２には前述のＡ点（配線
板Ａ）を介して供給される電流が銅ベース６上を矢印方
向に流れ、ＩＧＢＴＱ２の裏面からＩＧＢＴＱ２内を流
れ、上面のエミッタ端子１１ａ、１１ｂからワイヤー１
２ａ、１２ｂを介して電極Ｅ２に供給される。また、電
極Ｅ２には配線板１４が立設され、配線板１４から電流
が出力される。
板Ａ）を介して供給される電流が銅ベース６上を矢印方
向に流れ、ＩＧＢＴＱ２の裏面からＩＧＢＴＱ２内を流
れ、上面のエミッタ端子１１ａ、１１ｂからワイヤー１
２ａ、１２ｂを介して電極Ｅ２に供給される。また、電
極Ｅ２には配線板１４が立設され、配線板１４から電流
が出力される。
【０００６】尚、ＩＧＢＴＱ２の端子１１ｃはゲート端
子であり、ワイヤー１２ｃを介して電極Ｇ２に接続さ
れ、電極Ｇ２に設けられた配線板１５からのゲート信号
の供給を受ける。また、ダイオードＤ２は裏面（カソー
ド側）が銅ベース６に接続され、上面（アノード側）が
ワイヤー１６ａ、１６ｂを介して上述の電極Ｅ２に接続
されている。
子であり、ワイヤー１２ｃを介して電極Ｇ２に接続さ
れ、電極Ｇ２に設けられた配線板１５からのゲート信号
の供給を受ける。また、ダイオードＤ２は裏面（カソー
ド側）が銅ベース６に接続され、上面（アノード側）が
ワイヤー１６ａ、１６ｂを介して上述の電極Ｅ２に接続
されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来の回路構造
では、以下の問題が発生する。すなわち、モジュール内
を流れる電流は、図４に矢印で示すように、複雑な経路
を通り銅ベース５、６、ＩＧＢＴＱ１、ＩＧＢＴＱ２、
等を流れる。しかも、その流れは距離的にも離れた位置
を流れる。
では、以下の問題が発生する。すなわち、モジュール内
を流れる電流は、図４に矢印で示すように、複雑な経路
を通り銅ベース５、６、ＩＧＢＴＱ１、ＩＧＢＴＱ２、
等を流れる。しかも、その流れは距離的にも離れた位置
を流れる。
【０００８】したがって、従来例のモジュール内でイン
ダクタンスが発生し、モジュール外から観察するインダ
クタンスに比べて大きなインダクタンスが発生してい
る。このため、発生するサージ電圧もモジュール外から
観察するより大きな電圧が発生し、ＩＧＢＴＱ１、ＩＧ
ＢＴＱ２等の半導体素子に悪影響を与える。
ダクタンスが発生し、モジュール外から観察するインダ
クタンスに比べて大きなインダクタンスが発生してい
る。このため、発生するサージ電圧もモジュール外から
観察するより大きな電圧が発生し、ＩＧＢＴＱ１、ＩＧ
ＢＴＱ２等の半導体素子に悪影響を与える。
【０００９】本発明は上記課題を解決するため、サージ
電圧を低減するブリッジ回路のモジュール内構造を提供
するものである。
電圧を低減するブリッジ回路のモジュール内構造を提供
するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の課題は、請求項
１記載の発明によれば、モジュールの一端側に設けら
れ、ブリッジ回路に供給される電流が入力する入力部
と、前記モジュールの他端側に設けられ、前記入力部か
ら入力した電流が導電ベースを流れて供給される第１の
スイッチング手段と、該第１のスイッチング手段より前
記モジュールの一端側に設けられ、前記導電ベース上に
形成された薄い絶縁膜上の導電板を流れて、前記電流が
供給される第２のスイッチング手段と、該第２のスイッ
チング手段より前記モジュールの一端側に設けられ、前
記導電ベース上に形成された薄い絶縁膜上の導電板を流
れて、前記第２のスイッチング手段から電流が外部に出
力される出力部とを有するブリッジ回路のモジュール内
構造を提供することによって達成できる。
１記載の発明によれば、モジュールの一端側に設けら
れ、ブリッジ回路に供給される電流が入力する入力部
と、前記モジュールの他端側に設けられ、前記入力部か
ら入力した電流が導電ベースを流れて供給される第１の
スイッチング手段と、該第１のスイッチング手段より前
記モジュールの一端側に設けられ、前記導電ベース上に
形成された薄い絶縁膜上の導電板を流れて、前記電流が
供給される第２のスイッチング手段と、該第２のスイッ
チング手段より前記モジュールの一端側に設けられ、前
記導電ベース上に形成された薄い絶縁膜上の導電板を流
れて、前記第２のスイッチング手段から電流が外部に出
力される出力部とを有するブリッジ回路のモジュール内
構造を提供することによって達成できる。
【００１１】ここで、入力部はモジュールの一端側に設
けられ、モジュールの左右どちらの側でもよい。例え
ば、入力部をモジュールの左側に設ければ、第１のスイ
ッチング手段はそれとは反対の右側に形成し、また入力
部をモジュールの右側に設ければ、第１のスイッチング
手段はそれとは反対の左側に形成する。
けられ、モジュールの左右どちらの側でもよい。例え
ば、入力部をモジュールの左側に設ければ、第１のスイ
ッチング手段はそれとは反対の右側に形成し、また入力
部をモジュールの右側に設ければ、第１のスイッチング
手段はそれとは反対の左側に形成する。
【００１２】また、第１のスイッチング手段、及び第２
のスイッチング手段は、例えばＭＯＳ電界効果トランジ
スタやＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラ型トランジス
タ）、等で構成され、前記第１のスイッチング手段と第
２のスイッチング手段間には配線板が形成されている。
のスイッチング手段は、例えばＭＯＳ電界効果トランジ
スタやＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラ型トランジス
タ）、等で構成され、前記第１のスイッチング手段と第
２のスイッチング手段間には配線板が形成されている。
【００１３】このように構成することにより、例えば第
１のスイッチング手段をオンし、前記入力部を介して電
流をモジュール内に供給し、上記入力部とは反対側に配
設された第１のスイッチング手段まで当該電流を流す。
第１のスイッチング手段を流れた電流は、第１のスイッ
チング手段方向に向かうため反転し、上記流れとは逆
に、前記モジュールの一端に向かって流れる。そして、
第２のスイッチング手段をオンすることで、電流を逆方
向に流し、第２のスイッチング手段を介して前記入力部
近傍の出力部から電流を外部に出力する。
１のスイッチング手段をオンし、前記入力部を介して電
流をモジュール内に供給し、上記入力部とは反対側に配
設された第１のスイッチング手段まで当該電流を流す。
第１のスイッチング手段を流れた電流は、第１のスイッ
チング手段方向に向かうため反転し、上記流れとは逆
に、前記モジュールの一端に向かって流れる。そして、
第２のスイッチング手段をオンすることで、電流を逆方
向に流し、第２のスイッチング手段を介して前記入力部
近傍の出力部から電流を外部に出力する。
【００１４】したがって、モジュールの一端側の入力部
から供給された電流（往路電流）は、一旦モジュールの
他端近くまで流れ、第１のスイッチング手段で折り返
し、逆方向電流（復路電流）を第２のスイッチング手
段、出力部に流す。このため、電流が往路と復路に流
れ、互いに逆方向電流であり、互いに近い位置を流れる
ため、インダクタンスが相殺され、モジュール内でのイ
ンダクタンスの発生を小さくできる。
から供給された電流（往路電流）は、一旦モジュールの
他端近くまで流れ、第１のスイッチング手段で折り返
し、逆方向電流（復路電流）を第２のスイッチング手
段、出力部に流す。このため、電流が往路と復路に流
れ、互いに逆方向電流であり、互いに近い位置を流れる
ため、インダクタンスが相殺され、モジュール内でのイ
ンダクタンスの発生を小さくできる。
【００１５】請求項２の記載は、上記請求項１記載の発
明において、前記モジュールの一端側に設けられた入力
部は、例えば導電ベースの一端部であり、前記第１のス
イッチング手段と前記第２のスイッチング手段は、導電
板上に形成され、該導電板は前記導電ベース上に絶縁膜
を介して形成されている。
明において、前記モジュールの一端側に設けられた入力
部は、例えば導電ベースの一端部であり、前記第１のス
イッチング手段と前記第２のスイッチング手段は、導電
板上に形成され、該導電板は前記導電ベース上に絶縁膜
を介して形成されている。
【００１６】ここで、導電ベースには上記入力部から供
給された電流が流れ、上記第１のスイッチング手段及び
第２のスイッチング手段が形成された導電板上には、第
１のスイッチング手段、又は第２のスイッチング手段を
流れた電流が流れる。そして、その電流の向きは逆方向
であり、しかも導電板と導電ベース間には極めて薄い絶
縁膜が介装されているだけであり、往路と復路の電流は
極めて近い位置を流れる。
給された電流が流れ、上記第１のスイッチング手段及び
第２のスイッチング手段が形成された導電板上には、第
１のスイッチング手段、又は第２のスイッチング手段を
流れた電流が流れる。そして、その電流の向きは逆方向
であり、しかも導電板と導電ベース間には極めて薄い絶
縁膜が介装されているだけであり、往路と復路の電流は
極めて近い位置を流れる。
【００１７】したがって、モジュール内には小さなイン
ダクタンスしか発生せず、サージ電圧を小さくでき、半
導体素子に与える悪影響も極めて少ない。
ダクタンスしか発生せず、サージ電圧を小さくでき、半
導体素子に与える悪影響も極めて少ない。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態例を図面
を用いて詳細に説明する。図２は本実施形態例で使用す
るブリッジ回路の回路図であり、例えば三相モータを駆
動するためのブリッジ回路である。本例で使用するブリ
ッジ回路は三相モータを駆動するため、３個のアーム２
０、２１、２２で構成され、各アーム２０〜２２の出力
Ａ１〜Ａ３よりモータに三相電流が供給される。また、
例えばアーム２０は２個のＩＧＢＴＱ３、Ｑ４、及び逆
並列ダイオードＤ３、Ｄ４で構成されている。尚、他の
アーム２１、２２も同じ構成であり、２個のＩＧＢＴＱ
５、Ｑ６、及び逆並列ダイオードＤ５、Ｄ６、又は２個
のＩＧＢＴＱ７、Ｑ８、及び逆並列ダイオードＤ７、Ｄ
８で構成されている。
を用いて詳細に説明する。図２は本実施形態例で使用す
るブリッジ回路の回路図であり、例えば三相モータを駆
動するためのブリッジ回路である。本例で使用するブリ
ッジ回路は三相モータを駆動するため、３個のアーム２
０、２１、２２で構成され、各アーム２０〜２２の出力
Ａ１〜Ａ３よりモータに三相電流が供給される。また、
例えばアーム２０は２個のＩＧＢＴＱ３、Ｑ４、及び逆
並列ダイオードＤ３、Ｄ４で構成されている。尚、他の
アーム２１、２２も同じ構成であり、２個のＩＧＢＴＱ
５、Ｑ６、及び逆並列ダイオードＤ５、Ｄ６、又は２個
のＩＧＢＴＱ７、Ｑ８、及び逆並列ダイオードＤ７、Ｄ
８で構成されている。
【００１９】そして、負荷を駆動する際には（モータを
駆動する際には）、各ＩＧＢＴＱ３〜Ｑ８のゲートＧ３
〜Ｇ８に対し、所定のタイミングでゲート信号を出力
し、上述のＡ１〜Ａ３から三相出力を得る。
駆動する際には）、各ＩＧＢＴＱ３〜Ｑ８のゲートＧ３
〜Ｇ８に対し、所定のタイミングでゲート信号を出力
し、上述のＡ１〜Ａ３から三相出力を得る。
【００２０】次に、上述のブリッジ回路の１アーム、例
えばアーム２０の回路構造を図１に示す。尚、図１
（ａ）は回路構造を示す平面図であり、同図（ｂ）はそ
のＥ−Ｅ断面図である。
えばアーム２０の回路構造を図１に示す。尚、図１
（ａ）は回路構造を示す平面図であり、同図（ｂ）はそ
のＥ−Ｅ断面図である。
【００２１】同図（ａ）、（ｂ）に示すように、回路
（モジュール）のベース（導電ベース）は銅板２３で形
成され、銅板２３の右側にはＩＧＢＴＱ３、ダイオード
Ｄ３が並んで形成されている。ＩＧＢＴＱ３、及びダイ
オードＤ３の裏面は、上述の銅板２３に直接接続され、
対応するゲートＧ３にゲート信号が供給される時、銅板
２３からＩＧＢＴＱ３内に電流が供給される。ここで、
ゲートＧ３は銅板２３上に形成された酸化膜（酸化アル
ミニウム）２８上に形成されている。
（モジュール）のベース（導電ベース）は銅板２３で形
成され、銅板２３の右側にはＩＧＢＴＱ３、ダイオード
Ｄ３が並んで形成されている。ＩＧＢＴＱ３、及びダイ
オードＤ３の裏面は、上述の銅板２３に直接接続され、
対応するゲートＧ３にゲート信号が供給される時、銅板
２３からＩＧＢＴＱ３内に電流が供給される。ここで、
ゲートＧ３は銅板２３上に形成された酸化膜（酸化アル
ミニウム）２８上に形成されている。
【００２２】また、ＩＧＢＴＱ３及びダイオードＤ３の
右側には、上述の酸化膜２８上に形成された電極（Ｃ２
Ｅ１（Ａ１点））が位置し、この電極には配線板２９が
立設されている。
右側には、上述の酸化膜２８上に形成された電極（Ｃ２
Ｅ１（Ａ１点））が位置し、この電極には配線板２９が
立設されている。
【００２３】一方、銅板２３の左側にはＩＧＢＴＱ４、
及びダイオードＤ４が並んで形成されている。ＩＧＢＴ
Ｑ４及びダイオードＤ４の裏面は、銅板２５が形成さ
れ、この銅板２５は前述の銅板２３上に酸化膜２４を形
成し、更にこの酸化膜２４上に銅板２５を形成した構成
である。
及びダイオードＤ４が並んで形成されている。ＩＧＢＴ
Ｑ４及びダイオードＤ４の裏面は、銅板２５が形成さ
れ、この銅板２５は前述の銅板２３上に酸化膜２４を形
成し、更にこの酸化膜２４上に銅板２５を形成した構成
である。
【００２４】また、上述のＩＧＢＴＱ４及びダイオード
Ｄ４の裏面は、銅板２５に直接接続され、対応するゲー
トＧ４にゲート信号が供給される時、銅板２５からＩＧ
ＢＴＱ４内に電流が供給される。ここで、ゲートＧ４も
前述のゲートＧ３と同様、銅板２３上に形成された酸化
膜（酸化アルミニウム）２８上に形成されている。ま
た、ＩＧＢＴＱ４及びダイオードＤ４の左側には、上述
の銅板２３上に酸化膜２６を形成し、更に酸化膜２６上
に配線板２７が立設されている。
Ｄ４の裏面は、銅板２５に直接接続され、対応するゲー
トＧ４にゲート信号が供給される時、銅板２５からＩＧ
ＢＴＱ４内に電流が供給される。ここで、ゲートＧ４も
前述のゲートＧ３と同様、銅板２３上に形成された酸化
膜（酸化アルミニウム）２８上に形成されている。ま
た、ＩＧＢＴＱ４及びダイオードＤ４の左側には、上述
の銅板２３上に酸化膜２６を形成し、更に酸化膜２６上
に配線板２７が立設されている。
【００２５】尚、上述のＩＧＢＴＱ３、Ｑ４、ダイオー
ドＤ３、Ｄ４、酸化膜２４、２６、２８等の形成は、真
空蒸着、フォトレジスト、等の半導体製造技術を用いて
行う。また、上述の処理によって作成されたＩＧＢＴＱ
３、Ｑ４、ダイオードＤ３、Ｄ４、等はワイヤーボンデ
ィングによって接続されている。例えば、ＩＧＢＴＱ３
上のエミッタ端子３０ａ、３０ｂはワイヤー３１ａ、３
１ｂによって前述の銅板２５に接続されると共に、ワイ
ヤー３６ａ、３６ｂによってダイオードＤ３のアノード
端子に接続されている。また、このアノード端子からワ
イヤー３８ａ、３８ｂを介して配線板２９に接続されて
いる。尚、ＩＧＢＴＱ３の端子３０ｃはワイヤー３９を
介してゲートＧ３に接続されている。
ドＤ３、Ｄ４、酸化膜２４、２６、２８等の形成は、真
空蒸着、フォトレジスト、等の半導体製造技術を用いて
行う。また、上述の処理によって作成されたＩＧＢＴＱ
３、Ｑ４、ダイオードＤ３、Ｄ４、等はワイヤーボンデ
ィングによって接続されている。例えば、ＩＧＢＴＱ３
上のエミッタ端子３０ａ、３０ｂはワイヤー３１ａ、３
１ｂによって前述の銅板２５に接続されると共に、ワイ
ヤー３６ａ、３６ｂによってダイオードＤ３のアノード
端子に接続されている。また、このアノード端子からワ
イヤー３８ａ、３８ｂを介して配線板２９に接続されて
いる。尚、ＩＧＢＴＱ３の端子３０ｃはワイヤー３９を
介してゲートＧ３に接続されている。
【００２６】また、ＩＧＢＴＱ４上のエミッタ端子３２
ａ、３２ｂはワイヤー３３ａ、３３ｂによって前述の配
線板２７に接続されると共に、ワイヤー４０ａ、４０ｂ
によってダイオードＤ４のアノード端子に接続されてい
る。尚、ＩＧＢＴＱ４の端子３２ｃはワイヤー４１を介
してゲートＧ４に接続されている。
ａ、３２ｂはワイヤー３３ａ、３３ｂによって前述の配
線板２７に接続されると共に、ワイヤー４０ａ、４０ｂ
によってダイオードＤ４のアノード端子に接続されてい
る。尚、ＩＧＢＴＱ４の端子３２ｃはワイヤー４１を介
してゲートＧ４に接続されている。
【００２７】このように形成されたＩＧＢＴＱ３、Ｑ
４、ダイオードＤ３、Ｄ４、等は、図１に示すように、
図１の左側から配線板２９、ダイオードＤ３、ＩＧＢＴ
Ｑ３、ダイオードＤ４、ＩＧＢＴＱ４、配線板２７と並
行に並ぶ。特に、この配列の中で、ＩＧＢＴＱ３、ＩＧ
ＢＴＱ４、配線板２７が同図の左から右に向かって形成
されている。
４、ダイオードＤ３、Ｄ４、等は、図１に示すように、
図１の左側から配線板２９、ダイオードＤ３、ＩＧＢＴ
Ｑ３、ダイオードＤ４、ＩＧＢＴＱ４、配線板２７と並
行に並ぶ。特に、この配列の中で、ＩＧＢＴＱ３、ＩＧ
ＢＴＱ４、配線板２７が同図の左から右に向かって形成
されている。
【００２８】ここで、本例においては、銅板２３の左端
（一端）からコレクタ電流を供給する。すなわち、銅板
２３に○印で示す位置（入力部）から電流を供給する。
このように、銅板２３の左端（○印）から電流を供給す
ることによって、以後供給された電流は同図に矢印で示
す流れとなる。
（一端）からコレクタ電流を供給する。すなわち、銅板
２３に○印で示す位置（入力部）から電流を供給する。
このように、銅板２３の左端（○印）から電流を供給す
ることによって、以後供給された電流は同図に矢印で示
す流れとなる。
【００２９】すなわち、同図の○印から入力した電流
は、銅板２３を左から右に流れ、ゲートＧ３からゲート
信号が供給される時、この電流はコレクタ電流としてＩ
ＧＢＴＱ３の裏面からＩＧＢＴＱ３内に入力し、内部の
トランジスタを電流が流れ、端子３０ａ、３０ｂを介し
てワイヤー３１ａ、３１ｂを流れ、銅板２５に達する。
銅板２５に達した電流は、銅板２５を右から左に流れ、
ゲートＧ４にゲート電流が供給される時ＩＧＢＴＱ４の
裏面からＩＧＢＴＱ４内に電流を流す。
は、銅板２３を左から右に流れ、ゲートＧ３からゲート
信号が供給される時、この電流はコレクタ電流としてＩ
ＧＢＴＱ３の裏面からＩＧＢＴＱ３内に入力し、内部の
トランジスタを電流が流れ、端子３０ａ、３０ｂを介し
てワイヤー３１ａ、３１ｂを流れ、銅板２５に達する。
銅板２５に達した電流は、銅板２５を右から左に流れ、
ゲートＧ４にゲート電流が供給される時ＩＧＢＴＱ４の
裏面からＩＧＢＴＱ４内に電流を流す。
【００３０】その後、ＩＧＢＴＱ４上のエミッタ端子３
２ａ、３２ｂを介してワイヤー３３ａ、３３ｂに電流が
流れ、配線板２７から外部に出力される。したがって、
図１（ａ）、（ｂ）から分かるように、上述の電流の流
れは、銅板２３内の左から右に流れる電流の流れを往路
とし、ＩＧＢＴＱ３、ワイヤー３１ａ、３１ｂ、銅板２
５、ＩＧＢＴＱ４、ワイヤー３３ａ、３３ｂ、配線板２
７の電流の流れを復路とすれば、往路と復路は極めて近
い位置にあり、流れる電流は互いに異なる方向である。
例えば、銅板２３を流れる左から右への往路の電流と、
銅板２５を流れる右から左へ復路の電流は、薄い酸化膜
２４を介装しただけの極めて近い位置を流れる電流であ
る。また、ワイヤー３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂを
流れる右から左への復路の電流も、銅板２３を流れる往
路の電流に比較的近い位置を流れ、流れる電流の向きは
正反対である。
２ａ、３２ｂを介してワイヤー３３ａ、３３ｂに電流が
流れ、配線板２７から外部に出力される。したがって、
図１（ａ）、（ｂ）から分かるように、上述の電流の流
れは、銅板２３内の左から右に流れる電流の流れを往路
とし、ＩＧＢＴＱ３、ワイヤー３１ａ、３１ｂ、銅板２
５、ＩＧＢＴＱ４、ワイヤー３３ａ、３３ｂ、配線板２
７の電流の流れを復路とすれば、往路と復路は極めて近
い位置にあり、流れる電流は互いに異なる方向である。
例えば、銅板２３を流れる左から右への往路の電流と、
銅板２５を流れる右から左へ復路の電流は、薄い酸化膜
２４を介装しただけの極めて近い位置を流れる電流であ
る。また、ワイヤー３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂを
流れる右から左への復路の電流も、銅板２３を流れる往
路の電流に比較的近い位置を流れ、流れる電流の向きは
正反対である。
【００３１】以上から、本例のブリッジ回路のモジュー
ル構成によれば、往路と復路の電流経路は極めて近く、
しかも流れる電流の向きは正反対であるので、モジュー
ル内で発生するインダクタンスは小さいものとなる。
ル構成によれば、往路と復路の電流経路は極めて近く、
しかも流れる電流の向きは正反対であるので、モジュー
ル内で発生するインダクタンスは小さいものとなる。
【００３２】したがって、本例によれば、モジュール内
のインダクタンスに基づくサージ電圧を小さく抑えるこ
とができ、ＩＧＢＴＱ３、Ｑ４等の半導体素子に与える
影響は少ない。
のインダクタンスに基づくサージ電圧を小さく抑えるこ
とができ、ＩＧＢＴＱ３、Ｑ４等の半導体素子に与える
影響は少ない。
【００３３】また、高耐圧のトランジスタを使用した
り、またインダクタンス（Ｌ）成分の増加によるサージ
電流の弊害を防止するためのスナバ回路、又はドライバ
の低速化の方式を使用せずに実現することができる。
り、またインダクタンス（Ｌ）成分の増加によるサージ
電流の弊害を防止するためのスナバ回路、又はドライバ
の低速化の方式を使用せずに実現することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
ればモジュール内のインダクタンスの発生を極力小さく
し、サージ電圧の増加を防ぐことができる。
ればモジュール内のインダクタンスの発生を極力小さく
し、サージ電圧の増加を防ぐことができる。
【００３５】また、高耐圧トランジスタやスナバ回路を
使用する必要がないので、装置のコストアップを防ぐこ
とができ、又ドライバの低速化の方式の使用による発熱
を防止できる。
使用する必要がないので、装置のコストアップを防ぐこ
とができ、又ドライバの低速化の方式の使用による発熱
を防止できる。
【図１】（ａ）は回路構造の平面図、（ｂ）はそのＥ−
Ｅ断面図である。
Ｅ断面図である。
【図２】ブリッジ回路の回路図である。
【図３】ブリッジ回路の１アームの回路構成を示す図で
ある。
ある。
【図４】従来例の回路構造の平面図である。
２０、２１、２２ アーム
２３、２５ 銅板
２４、２６、２８ 酸化膜
２７、２９ 配線板
３０ａ、３０ｂ、３２ａ、３２ｂ エミッタ端子
３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、３６ａ、３６ｂ、３
８ａ、３８ｂ、３９、４０ａ、４０ｂ、４１ ワイヤー Ｑ３〜Ｑ８ ＩＧＢＴ Ｄ３〜Ｄ８ ダイオード
８ａ、３８ｂ、３９、４０ａ、４０ｂ、４１ ワイヤー Ｑ３〜Ｑ８ ＩＧＢＴ Ｄ３〜Ｄ８ ダイオード
Claims (2)
- 【請求項１】 モジュールの一端側に設けられ、ブリ
ッジ回路に供給される電流が入力する入力部と、 前記モジュールの他端側に設けられ、前記入力部から入
力した電流が導電ベースを流れて供給される第１のスイ
ッチング手段と、 該第１のスイッチング手段より前記モジュールの一端側
に設けられ、前記導電ベース上に形成された薄い絶縁膜
上の導電板を流れて、前記電流が供給される第２のスイ
ッチング手段と、 該第２のスイッチング手段より前記モジュールの一端側
に設けられ、前記導電ベース上に形成された薄い絶縁膜
上の導電板を流れて、前記第２のスイッチング手段から
電流が外部に出力される出力部と、 を有することを特徴とするブリッジ回路のモジュール内
構造。 - 【請求項２】 前記モジュールの一端側に設けられた入
力部は、前記導電ベースの一端部であり、前記第１のス
イッチング手段と前記第２のスイッチング手段は、前記
導電板上に形成され、該導電板は前記導電ベース上に前
記絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする請求
項１記載のブリッジ回路のモジュール内構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09189898A JP3379429B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | ブリッジ回路のモジュール内構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09189898A JP3379429B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | ブリッジ回路のモジュール内構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11289779A JPH11289779A (ja) | 1999-10-19 |
| JP3379429B2 true JP3379429B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=14039397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09189898A Expired - Fee Related JP3379429B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | ブリッジ回路のモジュール内構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3379429B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10389265B2 (en) | 2014-08-22 | 2019-08-20 | Nidec Corporation | Module, and power conversion apparatus and motor using the module |
-
1998
- 1998-04-03 JP JP09189898A patent/JP3379429B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10389265B2 (en) | 2014-08-22 | 2019-08-20 | Nidec Corporation | Module, and power conversion apparatus and motor using the module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11289779A (ja) | 1999-10-19 |
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