JP3377395B2 - 焦点型電磁超音波トランスデューサ及び電磁超音波探傷方法 - Google Patents

焦点型電磁超音波トランスデューサ及び電磁超音波探傷方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性材料からな
る被検査物体の表面の傷の検出、荷重、熱等による被検
査物体内部の損傷、劣化を検出する焦点型電磁超音波ト
ランスデューサ及び該焦点型電磁超音波トランスデュー
サを用いた電磁超音波探傷方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来この種の技術としては、特開平1−
127950号公報に開示されたフォーカシング電磁超
音波探触子がある。該フォーカシング電磁超音波探触子
は厚みが厚いものから薄いものへ順次一列に複数の磁石
を配列し、隣合う磁石はそれぞれ互いに異なる磁性をも
ち、且つ同異なる磁極を有する部分が面を形成するよう
に配置された磁石列、及び該磁石列の極性を有する面を
通り磁石をたばねるように電線が巻かれて形成されたコ
イルを備えた構成のものである。
【0003】上記フォーカシング電磁超音波探触子は厚
みが厚いものから薄いものへ順に一列に磁石を配列し、
互いに隣り合う磁石はそれぞれ極性が異なるようにする
ことにより、超音波の深さ方向の波面が焦点を結ぶよう
になったため時間的分解能が向上し、被検査体内の損傷
の検出が容易になるというものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記構成のフォーカシ
ング電磁超音波探触子において、探傷能力に優れた高周
波数の超音波を発生させるために磁石(永久磁石)の厚
さを薄くする必要がある。しかし磁石の厚さを薄くする
と、リフトオフの影響を受け易くなり、磁場はすぐ隣の
磁石に入り込み有効な磁場を形成できなくなり、電磁超
音波探触子として働かなくなるという問題がある。ま
た、この電磁超音波探触子や特開平1−248052号
公報に記載の超音波探傷ではSH波が発生する。SH波
の放射分布は広く、永久磁石の厚さを変化させて焦点を
絞っても、鋭い指向性は得られないという問題がある。
【0005】また、特開昭63−305245号公報や
特開昭64−10168号公報にはコイルピッチを一定
にし、各コイルに流す電流の周波数を変えた斜角型電磁
超音波トランスデューサが記載されているが、この斜角
型電磁超音波トランスデューサでは、信号処理が複雑と
なり、材料内部での超音波の乱れが生じやすくなるとい
う問題がある。
【0006】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、焦点を深さ方向に絞り込むことや、周波数を変化さ
せることにより焦点の位置を変化させることができ、探
傷や損傷評価の性能が向上し、安定した品質の焦点型電
磁超音波トランスデューサ及び電磁超音波探傷方法を提
供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項1に記載の発明は、絶縁シートの両面に導電材料
からなる蛇行コイルを該絶縁シートを介して互いに対向
一致させ、且つ隣り合うコイルの間隔を一方から他方方
向に向かって順次変化させて形成し、該蛇行コイルを形
成した絶縁シートの上に単極の磁石を配置し、該蛇行コ
イルの一方を電磁超音波発生用とし、他方を検出用とし
ことを特徴とする焦点型電磁超音波トランスデューサ
にある。
【0008】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の焦点型電磁超音波トランスデューサにおいて、
絶縁シートの両面に導電材料からなる蛇行コイルが、平
状又は扇型状又は円形状に配置されていることを特徴
とする。
【0009】また、請求項3に記載の発明は、請求項1
又は2に記載の焦点型電磁超音波トランスデューサにお
いて、絶縁シートの両面に配置した蛇行コイルのそれぞ
一端部はスルーホールを介して他面に導通すると共
に外部のリード線に接続し、それぞれの他端部は共通ア
ース部に接続したことを特徴とする。
【0010】また、請求項4に記載の発明は、請求項1
乃至3のいずれか1つに記載の焦点型電磁超音波トラン
スデューサを用いる電磁超音波探傷方法であって、焦点
型電磁超音波トランスデューサより発信するSV波の周
波数を経時的に変化させて、焦点を変化させて被検査物
体の探傷を行なうことを特徴とする。
【0011】
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図1は本発明に係る線焦点型電
磁超音波トランスデューサの概略構造を示す図で、同図
(a)はA−A断面図、同図(b)は側面図、同図
(c)はコイル部の平面図である。本線焦点型電磁超音
波トランスデューサ1は、絶縁シート2の両面に導電材
料からなる蛇行コイル3、4を配置し、該蛇行コイル
3、4を絶縁シート5、6で覆ったコイル部7と、該コ
イル部7の上部に単一の磁石(永久磁石或いは電磁石)
8を配置した構造である。上下の蛇行コイル3と蛇行コ
イル4は絶縁シート2の上下面に平行に配置し、絶縁シ
ート2を介して互いに対向一致させ、且つ隣合うコイル
の間隔を一方から他方方向に向かって順次変化させてい
る。図では左端のコイルの間隔が一番広く、右に行くに
従って順次狭くなっている。
【0013】上記構造の線焦点型電磁超音波トランスデ
ューサ1は、図2に示すように、導電性材料からなる被
測定物9に配置される。磁石8は被測定物9の深さ方向
に静止磁場10を形成している。この状態で下方の蛇行
コイル4にパソコン11に制御されたコントローラー1
2から高周波の電流13を流すと、被測定物9の表面に
電流13と逆向きの渦電流14が発生し、該渦電流14
と前記静止磁場10の相互作用(フレーミングの左手の
法則)により、ローレンツ力15を生じ、被測定物9を
構成する材料の自由電子に該ローレンツ力15が働き、
イオンなどに衝突し、静止磁場10と渦電流14の方向
に垂直な運動を被測定物9に励起させ、超音波のSV波
16を発生させる。
【0014】上記SV波16が矢印17の方向に進行
し、組織変化やマイクロクラック等の損傷や欠陥18に
反射して矢印19に進み、被測定物9の表面近傍に達す
ると超音波の変位によって静止磁場10が存在する領域
の磁場が時間的に変化する。この磁場変化を妨げようと
する方向に渦電流21が生じる。この渦電流21を上方
の蛇行コイル3により検出し、その検出信号はプリアン
プ22、メインアンプ23及びコントローラー12を通
してパソコン11に送られる。このコントローラー12
はスーパーヘテロダイン型計測システムが組み込まれて
おり、受信信号の振幅と位相だけを取り込むため計測は
短時間で可能である。
【0015】蛇行コイル4に隣接するコイルでは、図3
に示すように、電流13は互いに逆方向に流れるので、
隣接するコイルで発生する渦電流14及び渦電流21も
当然互いに逆に流れ、発生するローレンツ力15及びロ
ーレンツ力20も隣接するコイル直下では180°位相
が異なる力となる。これにより発生する超音波も180
°位相が異なる。この場合コイル間隔を一方を広く他方
に行くに従って順次狭くなるように変化させた蛇行コイ
ルによって形成される超音波の波面は被測定物9の表面
とθの角度を持つ。この角度θとコイル間隔d、超音波
の波長λの関係は式(1)で表される。 Sinθ=λ/(2d) (1)
【0016】発生する超音波の音速をV、周波数をfと
するとλ=V/fより式(1)は式(2)のように書き
直せる。 Sinθ=V/(2fd) (2) 本発明の焦点型電磁超音波トランスデューサは、図4に
示すように焦点Pから離れるに従って、蛇行コイル4に
隣合うコイルの間隔を広い方から狭くなるように配列し
ているので、角度θn(n=0,1,2,3,4,5,
6・・・・・)はθ0<θ1<θ2<θ3<θ4<θ5<θ6・・・・・
となり、各コイルの中心焦点を結ぶ線と被測定物9の表
面とのなす角度θを90°−θn°の範囲で選定するこ
とにより、超音波の波面が焦点方向に向けられる。この
角度θnは、コイルの間隔dnを用いると式(3)で表さ
れる。 Sinθn=V/(2fdn) (3)
【0017】また、隣合う磁場によって発生する超音波
はそれぞれ180°の位相差があるから、各コイルから
焦点Pまでの距離ln及びln-1(n=1,2,3,4,
5,6・・・・・)の関係は式(4)で表される。 ln−ln-1=λ/2 (4) 式(4)を満足するように隣合うコイルの間隔を設定す
ると超音波SV波が焦点Pを結ぶ。式(4)にλ=V/
fを代入すると式(5)を得る。 ln−ln-1=V/(2f) (5) 式(5)の周波数fを変化させることにより、焦点Pの
位置を変化させることができる。
【0018】上述の例は絶縁シート2の両面に蛇行コイ
ル3、4を平衡に配置した線焦点型の電磁超音波トラン
スデューサを示したが、蛇行コイルパターンを図5及び
図7に示すように、同心で扇形状(円弧状)及び同心で
円形状に配置した構造とし、点焦点型としてもよい。
【0019】図5は点焦点型の電磁超音波トランスデュ
ーサの構造を示す図で、図5(a)はA−A断面図、図
5(b)はコイル部を示す平面図である。本点焦点型の
電磁超音波トランスデューサ30は絶縁シート31の両
面に導電材料からなる扇形状の蛇行コイル32、33を
配置し、該蛇行コイル32、33を絶縁シート34、3
5で覆ったコイル部36と、該コイル部36の上部に単
一の磁石(永久磁石或いは電磁石)8を配置した構造で
ある。上下の蛇行コイル32と蛇行コイル33は絶縁シ
ート31の上下面に同心に配置され、絶縁シート31を
介して互いに対向一致させ、且つ隣合うコイルの間隔が
中心から外側に向かって順次変化させている。図では中
心側のコイルの間隔が広く、外側に行くに従って順次狭
くなっている。
【0020】上記構造の点焦点型電磁超音波トランスデ
ューサ30は、図6に示すように、導電性材料からなる
被測定物9の上に配置される。磁石8は被測定物9の深
さ方向に静止磁場を形成している。この状態で下方の蛇
行コイル33にパソコン11に制御されたコントローラ
ー12から高周波の電流13を流すと、被測定物9の表
面に電流13と逆向きの渦電流が発生し、該渦電流と前
記静止磁場の相互作用(フレーミングの左手の法則)に
より、ローレンツ力を生じ、被測定物9を構成する材料
の自由電子に該ローレンツ力が働き、イオンなどに衝突
し、静止磁場と渦電流の方向に垂直な運動を被測定物9
に励起させ、超音波のSV波を発生させる点は図2に示
す場合と同じであるが、図6の場合は該SV波は矢印3
7に示すように、被測定物9の内部の一点Pに集まる。
【0021】図7は点焦点型の電磁超音波トランスデュ
ーサを示す図で、図7(a)は正面図、図7(b)はコ
イル部を示す平面図である。本点焦点型の電磁超音波ト
ランスデューサ40は絶縁シート41の両面に導電材料
からなる円形状の蛇行コイル42、43が配置され、該
蛇行コイル42、43を絶縁シート44、45で覆った
コイル部46と、該コイル部46の上部に単一の磁石
(永久磁石或いは電磁石)8を配置した構造である。上
下の蛇行コイル42と蛇行コイル43は絶縁シート41
の上下面に同心に配置され、絶縁シート41を介して互
いに対向一致させ、且つ隣合うコイルの間隔が中心から
外側に向かって順次変化させている。図では中心側のコ
イルの間隔が広く、外側に行くに従って順次狭くなって
いる。
【0022】上記構造の点焦点型電磁超音波トランスデ
ューサ40は、図8に示すように、導電性材料からなる
被測定物9に配置される。磁石8は被測定物9の深さ方
向に静止磁場を形成している。この状態で下方の蛇行コ
イル43にパソコン11に制御されたコントローラー1
2から高周波の電流13を流すと、被測定物9の表面に
電流13と逆向きの渦電流が発生し、該渦電流と前記静
止磁場の相互作用(フレーミングの左手の法則)によ
り、ローレンツ力を生じ、被測定物9を構成する材料の
自由電子に該ローレンツ力が働き、イオンなどに衝突
し、静止磁場と渦電流の方向に垂直な運動を被測定物9
に励起させ、超音波のSV波を発生させる点は図2に示
す場合と同じであるが、図8の場合は該SV波は矢印4
7に示すように、被測定物9の一点Pに集まる。
【0023】図4において、n番目のコイルから発生す
る超音波のSV波の波面と被測定物9の表面とのなす角
度θn、n−1番目のコイルとn番目のコイルの間隔を
n、被測定物9中のSV波の音速をV、SV波の周波
数をf、SV波の波長をλ、n番目のコイルから焦点P
までの距離をlnとし、式(6)〜(8)が成り立つよ
うに、隣り合うコイル間隔dnを設定すると超音波の深
さ方向の成分が焦点Pを結ぶ線焦点型電磁超音波トラン
スデューサになる。 2d×Sin(θ)=V/f (6) ln−ln-1=λ/2 (7) ln−ln-1=V/(2f) (8)
【0024】また、蛇行コイルの形状を図5及び図7に
示すように、扇形状又は円形状にすることにより、1点
に超音波を結ぶことができる点焦点型電磁超音波トラン
スデューサになる。図1、図5及び図7に示す焦点型電
磁超音波トランスデューサにおいて、高周波バースト波
の周波数を変化させることにより、焦点Pの位置を変化
させことができる焦点型電磁超音波トランスデューサと
なる。
【0025】焦点型電磁超音波トランスデューサを上記
のような構成とすることにより、超音波のSV波を被測
定物の深さ方向及び1点に収束させることができるよう
になり、被測定物内部の損傷を検出することが容易にな
った。また、SV波は、一つの線音源からの放射パター
ンがすでに高い指向性を持つことから、音源配列(コイ
ル間隔)を調整し、全ての音源からの放射をある点又は
線に収束されることで、極めて鋭い指向性を生むことが
可能である。また、極めて精度の高い音源配列を実現す
る為には、蛇行コイルの間隔が周波数を支配するため、
シート状に作られ、コイル間隔の精度が良いシートコイ
ルを使用することが必要である。
【0026】図1に示す構成の焦点型電磁超音波トラン
スデューサのコイル部7の具体例として、外形寸法が長
さL=64mm、幅W=25mm及び厚さH=0.02
5mmの絶縁シート2(ここではポリイミドシートを用
いている)の両面に、銅箔からなる幅L1=0.11m
mの蛇行コイルを、コイル間隔W0=0.52mm〜W
98=1.001の範囲まで変化させて、超音波(SV
波)発生コイル(下面の蛇行コイル4)と検出コイル
(上面の蛇行コイル3)を設けたものを作成した(コイ
ル巻回数98)。また、上部の蛇行コイル3の端部はス
ルーホールを介して絶縁シート5の上面に通じ、下部の
蛇行コイル4の端部はスルーホールを介して絶縁シート
5の上面に通じ、それぞれ外部リードと結合できるよう
になっている。また、上下の蛇行コイル(発信用及び受
信用)3、4のアースは共通とする。
【0027】なお、上記例では蛇行コイルは絶縁シート
の両面の銅箔をエッチングして形成するが、蛇行コイル
の形成はこれに限定するものではなく、例えば導電性塗
料を絶縁シートの両面に印刷して形成してもよい。ま
た、蛇行コイルの形成の点、蛇行コイルの端部をスルー
ホールを介して外部リード線と結合できるようにする点
及び両蛇行コイルのアースの共通点は、図5及び図7の
点焦点型電磁超音波型トランスデューサにおいても同様
である。また、上記例では絶縁シートの材料をポリイミ
ドとしたが、これに限定されるものではなく、例えば他
の樹脂材等絶縁材からなるものでもよい。
【0028】図9及び図10は本焦点型電磁超音波トラ
ンスデューサを用いてSV波の指向性を計測した結果を
示す。図9において、半円筒状のアルミニウム合金50
の弦部分に、上記線焦点型電磁超音波トランスデューサ
を配置し、パソコン11に制御されたコントローラー1
2から高周波の電流13を流し、超音波のSV波を発生
させ、従来型の横波用電磁超音波トランスデューサ51
を下方の外周部上を移動させて、SV波の振幅を、プリ
アンプ22、メインアンプ23及びコントローラ12を
介して測定する。その測定結果を図10に示す。
【0029】この線焦点型電磁超音波トランスデューサ
のコイルは、周波数4MHzにおいて、半径R10cm
の所で、角度θ=40°で焦点を結ぶように設計した。
図10において、縦軸は超音波の振幅、横軸は角度θを
示す。図10で明らかなように、コイルは設計通り、θ
=40°でピークを示している。これにより超音波のS
V波は集向していることは明らかである。
【0030】また、周波数を2.5MHz、3MHzに
換えた時の超音波の振幅と角度θの関係を示す図11、
図12に示す。周波数2.5MHzでは図11に示すよ
うにθ=80°、周波数3MHzでは図12に示すよう
にθ=55°でピークを示している。これは周波数を変
えることにより、焦点位置が変化することを示してい
る。
【0031】図13は上記点焦点型電磁超音波トランス
デューサの探傷方法を示す図である。図13(a)に示
すように、被測定物9の上に点焦点型電磁超音波トラン
スデューサを配置し、パソコン11に制御されたコント
ローラー12から高周波の電流13を流し、超音波のS
V波を発生さる。周波数を変えることにより、該SV波
は被測定物9の深さ方向に焦点P1、P2、P3を結ぶ。
焦点P1の周波数をf1、焦点P2の周波数をf2、焦点P
3の周波数をf3とすると、f3>f2>f1の関係にな
る。点焦点型電磁超音波トランスデューサを図13
(b)の走査方向A、Bの方向に走査することにより、
被測定物9の探傷を3次元的に行うことが可能となる。
【0032】本発明の蛇行コイルを用いた焦点型電磁超
音波トランスデューサは、手作りでは製作できない性能
の向上(高周波の信号の受送信可能、ノイズの少ない信
号の受信)、品質の安定、精密・小型化が可能であり、
従来の焦点型電磁超音波トランスデューサによるSH波
より極めて鋭い指向性を得ることが可能となった。ま
た、高周波バースト波の周波数を変化させることによ
り、被測定物の厚さ方向の精度の良い探傷も可能とな
る。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように本願各請求項に記載
の発明によれば下記のような優れた効果が得られる。請
求項1に記載の発明によれば、絶縁シートの両面に導電
材料からなる蛇行コイルを該絶縁シートを介して互いに
対向一致させ、且つ隣合うコイルの間隔を一方から他方
方向に向かって順次変化させて形成し、該蛇行コイルを
形成した絶縁シートの上に単極の磁石を配置したことに
より、極めて指向性の強い焦点型電磁超音波トランスデ
ューサを提供できる。
【0034】請求項2に記載の発明によれば、絶縁シー
トの両面に導電材料からなる蛇行コイルを平行状又は
型状又は円形状に配置したことにより、極めて指向性の
強い、線焦点又は点焦点型電磁超音波トランスデューサ
を提供できる。
【0035】請求項3に記載の発明によれば、絶縁シー
トの両面に配置した蛇行コイルのそれぞれの一端部はス
ルーホールを介して他面に導通すると共に外部のリード
線に接続し、それぞれの他端部は共通アース部に接続し
たことにより、性能の向上、品質の安定、精密・小型化
が可能であり、従来の焦点型電磁超音波トランスデュー
サによるSH波より極めて鋭い指向性を得ることが可能
となり、高周波バースト波の周波数を変化させることに
より被測定物の厚さ方向の精度の良い探傷も可能な焦点
型電磁超音波トランスデューサを提供できる。
【0036】請求項4に記載の発明によれば、焦点型電
磁超音波トランスデューサより発信するSV波の周波数
を経時的に変化させ、焦点を変化させて被検査物体の探
傷を行うので、被測定物の3次元的な精度の良い探傷を
行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る線焦点型電磁超音波トランスデュ
ーサの概略構造を示す図で、同図(a)はA−A断面
図、同図(b)は側面図、同図(c)はコイル部の平面
図である。
【図2】本発明に係る線焦点型電磁超音波トランスデュ
ーサの動作原理を説明する図である。
【図3】本発明に係る線焦点型電磁超音波トランスデュ
ーサの動作原理を説明する図である。
【図4】本発明に係る線焦点型電磁超音波トランスデュ
ーサの動作原理を説明する図である。
【図5】本発明に係る点焦点型電磁超音波トランスデュ
ーサの構造を示す図で、図5(a)はA−A断面図、図
5(b)はコイル部を示す平面図である。
【図6】本発明に係る点焦点型電磁超音波トランスデュ
ーサの動作原理を説明する図である。
【図7】本発明に係る点焦点型の電磁超音波トランスデ
ューサを示す図で、図7(a)は正面図、図7(b)は
コイル部を示す平面図である。
【図8】本発明に係る点焦点型電磁超音波トランスデュ
ーサの動作原理を説明する図である。
【図9】本発明に係る線焦点型電磁超音波トランスデュ
ーサのSV波の指向性を測定する装置の概略構成を示す
図である。
【図10】本発明に係る線焦点型電磁超音波トランスデ
ューサのSV波の指向性測定結果を示す図(模式図)で
ある。
【図11】本発明に係る線焦点型電磁超音波トランスデ
ューサのSV波の指向性測定結果を示す図(模式図)で
ある。
【図12】本発明に係る線焦点型電磁超音波トランスデ
ューサのSV波の指向性測定結果を示す図(模式図)で
ある。
【図13】本発明に係る点焦点型電磁超音波トランスデ
ューサを用いた探傷方法を説明する図である。
【符号の説明】
1 線焦点型電磁超音波トランスデューサ 2 絶縁シート 3 蛇行コイル 4 蛇行コイル 5 絶縁シート 6 絶縁シート 7 コイル部 8 磁石 9 被測定物 11 パソコン 12 コントローラー 22 プリアンプ 23 メインアンプ 30 点焦点型電磁超音波トランスデューサ 31 絶縁シート 32 蛇行コイル 33 蛇行コイル 34 絶縁シート 35 絶縁シート 36 コイル部 40 点焦点型電磁超音波トランスデューサ 41 絶縁シート 42 蛇行コイル 43 蛇行コイル 44 絶縁シート 45 絶縁シート 46 コイル部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−160021(JP,A) 特開 昭53−1078(JP,A) 実公 昭60−38214(JP,Y1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 29/00 - 29/28

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁シートの両面に導電材料からなる蛇
    行コイルを該絶縁シートを介して互いに対向一致させ、
    且つ隣り合うコイルの間隔を一方から他方方向に向かっ
    て順次変化させて形成し、該蛇行コイルを形成した絶縁
    シートの上に単極の磁石を配置し、該蛇行コイルの一方
    を電磁超音波発生用とし、他方を検出用としたことを特
    徴とする焦点型電磁超音波トランスデューサ。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の焦点型電磁超音波トラ
    ンスデューサにおいて、 前記絶縁シートの両面に導電材料からなる蛇行コイル
    が、平行状又は扇型状又は円形状に配置されていること
    を特徴とする焦点型電磁超音波トランスデューサ。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載の焦点型電磁超音
    波トランスデューサにおいて、 前記絶縁シートの両面に配置した蛇行コイルのそれぞれ
    一端部はスルーホールを介して他面に導通すると共に
    外部のリード線に接続し、それぞれの他端部は共通アー
    ス部に接続したことを特徴とする焦点型電磁超音波トラ
    ンスデューサ。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか1つに記載の
    焦点型電磁超音波トランスデューサを用いる電磁超音波
    探傷方法であって前記 焦点型電磁超音波トランスデューサより発信するS
    V波の周波数を経時的に変化させて、焦点を変化させて
    被検査物体の探傷を行なうことを特徴とする電磁超音波
    探傷方法。
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