JP3362727B2 - 弾性表面波フィルタ装置 - Google Patents
弾性表面波フィルタ装置Info
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- surface acoustic
- wave filter
- electrode
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，弾性表面波（SAW:
Surface Acoustic Wave）フィルタ装置に関するもので
ある。
Surface Acoustic Wave）フィルタ装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年，移動体通信器端末の普及に伴い，
これに組み込まれる分波器の小型化，高性能化が求めら
れている。ＳＡＷフィルタを用いて構成されたＳＡＷ分
波器は，他の分波器と比べて小型化の点で有利であり，
通過帯域における挿入損失の低減や減衰帯域（通過帯域
外の周波数帯域）における減衰量の増大等の性能向上が
期待されている。
これに組み込まれる分波器の小型化，高性能化が求めら
れている。ＳＡＷフィルタを用いて構成されたＳＡＷ分
波器は，他の分波器と比べて小型化の点で有利であり，
通過帯域における挿入損失の低減や減衰帯域（通過帯域
外の周波数帯域）における減衰量の増大等の性能向上が
期待されている。
【０００３】ＳＡＷフィルタは，直列腕共振器の共振周
波数ｆｒと，並列腕共振器の反共振周波数ｆａとを一致
させ，その一致した周波数付近において入出力インピー
ダンスを特性インピーダンスと整合させることによって
通過帯域を得るものである。
波数ｆｒと，並列腕共振器の反共振周波数ｆａとを一致
させ，その一致した周波数付近において入出力インピー
ダンスを特性インピーダンスと整合させることによって
通過帯域を得るものである。
【０００４】図１８は，従来のＳＡＷフィルタ装置１の
構成を示している。このＳＡＷフィルタ装置１は，圧電
基板上に形成されたＳＡＷフィルタ２と，ＳＡＷフィル
タ２を収納する多層セラミックパッケージから成る。
構成を示している。このＳＡＷフィルタ装置１は，圧電
基板上に形成されたＳＡＷフィルタ２と，ＳＡＷフィル
タ２を収納する多層セラミックパッケージから成る。
【０００５】ＳＡＷフィルタ２は，フィルタ入力端子Ｔ
Ｆｉとフィルタ出力端子ＴＦｏとの間に直列に配された
直列腕３と，直列腕３と基準電位との間に配された第１
並列腕４および第２並列腕５から構成されている。
Ｆｉとフィルタ出力端子ＴＦｏとの間に直列に配された
直列腕３と，直列腕３と基準電位との間に配された第１
並列腕４および第２並列腕５から構成されている。
【０００６】直列腕３は，フィルタ入力端子ＴＦｉとフ
ィルタ出力端子ＴＦｏとの間に直列多段に接続された直
列腕第１共振器Ｓ１，直列腕第２共振器Ｓ２，および直
列腕第３共振器Ｓ３から構成されている。直列腕第１共
振器Ｓ１の一端はフィルタ入力端子ＴＦｉに接続され，
他端はノードｎ１に接続されている。直列腕第２共振器
Ｓ２の一端はノードｎ１に接続され，他端はノードｎ２
に接続されている。直列腕第３共振器Ｓ３の一端はノー
ドｎ２に接続され，他端はフィルタ出力端子ＴＦｏに接
続されている。
ィルタ出力端子ＴＦｏとの間に直列多段に接続された直
列腕第１共振器Ｓ１，直列腕第２共振器Ｓ２，および直
列腕第３共振器Ｓ３から構成されている。直列腕第１共
振器Ｓ１の一端はフィルタ入力端子ＴＦｉに接続され，
他端はノードｎ１に接続されている。直列腕第２共振器
Ｓ２の一端はノードｎ１に接続され，他端はノードｎ２
に接続されている。直列腕第３共振器Ｓ３の一端はノー
ドｎ２に接続され，他端はフィルタ出力端子ＴＦｏに接
続されている。
【０００７】第１並列腕４は，第１並列腕共振器Ｐ１か
ら構成されており，第２並列腕５は，第２並列腕共振器
Ｐ２から構成されている。第１並列腕共振器Ｐ１の一端
は，ノードｎ１に接続され，第２並列腕共振器Ｐ２の一
端は，ノードｎ２に接続されている。そして，第１並列
腕共振器Ｐ１の他端と第２並列腕共振器Ｐ２の他端は，
ＳＡＷフィルタ２が形成される圧電基板上で共通化さ
れ，並列腕基準電位端子ＴＰｇに接続されている。
ら構成されており，第２並列腕５は，第２並列腕共振器
Ｐ２から構成されている。第１並列腕共振器Ｐ１の一端
は，ノードｎ１に接続され，第２並列腕共振器Ｐ２の一
端は，ノードｎ２に接続されている。そして，第１並列
腕共振器Ｐ１の他端と第２並列腕共振器Ｐ２の他端は，
ＳＡＷフィルタ２が形成される圧電基板上で共通化さ
れ，並列腕基準電位端子ＴＰｇに接続されている。
【０００８】フィルタ入力端子ＴＦｉは，入力ボンディ
ングワイヤＷｉによって，パッケージ上に形成されたパ
ッケージ入力電極ＴＰＣｉに接続されている。フィルタ
出力端子ＴＦｏは，出力ボンディングワイヤＷｏによっ
て，パッケージ上に形成されたパッケージ出力電極ＴＰ
Ｃｏに接続されている。並列腕基準電位端子ＴＰｇは，
基準電位ボンディングワイヤＷｇ１によって，パッケー
ジ上に形成されたパッケージ基準電位電極ＴＰＣｇ１に
接続されている。
ングワイヤＷｉによって，パッケージ上に形成されたパ
ッケージ入力電極ＴＰＣｉに接続されている。フィルタ
出力端子ＴＦｏは，出力ボンディングワイヤＷｏによっ
て，パッケージ上に形成されたパッケージ出力電極ＴＰ
Ｃｏに接続されている。並列腕基準電位端子ＴＰｇは，
基準電位ボンディングワイヤＷｇ１によって，パッケー
ジ上に形成されたパッケージ基準電位電極ＴＰＣｇ１に
接続されている。
【０００９】以上のように構成されたＳＡＷフィルタ装
置１は帯域通過フィルタ装置として用いられることか
ら，減衰帯域において信号をより大きく減衰させること
が要求される。
置１は帯域通過フィルタ装置として用いられることか
ら，減衰帯域において信号をより大きく減衰させること
が要求される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来，
製造誤差の影響を受けて，ＳＡＷフィルタの入出力イン
ピーダンスや多層セラミックパッケージの入出力インピ
ーダンスにばらつきが生じる場合があった。また，ボン
ディングワイヤやパッケージ配線には，不可避の寄生イ
ンダクタンス，寄生容量が発生する。この結果，ＳＡＷ
フィルタと多層セラミックパッケージとのインピーダン
ス整合がとれず，減衰帯域における信号の減衰量につい
て，十分な特性が得られないおそれがあった。
製造誤差の影響を受けて，ＳＡＷフィルタの入出力イン
ピーダンスや多層セラミックパッケージの入出力インピ
ーダンスにばらつきが生じる場合があった。また，ボン
ディングワイヤやパッケージ配線には，不可避の寄生イ
ンダクタンス，寄生容量が発生する。この結果，ＳＡＷ
フィルタと多層セラミックパッケージとのインピーダン
ス整合がとれず，減衰帯域における信号の減衰量につい
て，十分な特性が得られないおそれがあった。
【００１１】本発明は，上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり，その目的は，装置規模の増大を最小
限に抑えつつ，周波数特性の向上が図られたＳＡＷフィ
ルタ装置を提供することにある。
されたものであり，その目的は，装置規模の増大を最小
限に抑えつつ，周波数特性の向上が図られたＳＡＷフィ
ルタ装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明の第１の観点によれば，複数の共振器を備え
た弾性表面波フィルタを含む弾性表面波フィルタ装置が
提供される。そして，この弾性表面波フィルタ装置は，
請求項１に記載のように，弾性表面波フィルタに入力さ
れる入力信号の入力信号伝送ラインにおける所定のポイ
ントと，電気的フローティング状態にある電極との間を
接続するワイヤを備えたことを特徴としている。
に，本発明の第１の観点によれば，複数の共振器を備え
た弾性表面波フィルタを含む弾性表面波フィルタ装置が
提供される。そして，この弾性表面波フィルタ装置は，
請求項１に記載のように，弾性表面波フィルタに入力さ
れる入力信号の入力信号伝送ラインにおける所定のポイ
ントと，電気的フローティング状態にある電極との間を
接続するワイヤを備えたことを特徴としている。
【００１３】かかる構成によれば，ワイヤ（ボンディン
グワイヤ）がスタブ（オープンスタブ）として機能する
ため，ワイヤの長さを調整することによって，弾性表面
波フィルタ装置と外部装置（特に，弾性表面波フィルタ
装置の入力側に接続される外部装置）とのインピーダン
ス整合が可能となる。すなわち，このワイヤによってス
タブを形成するため，インピーダンス調整に重要なスタ
ブ長の調整が容易化されると共に，スタブ形成に要する
基板面積の増加を最小限に抑えることが可能となる。
グワイヤ）がスタブ（オープンスタブ）として機能する
ため，ワイヤの長さを調整することによって，弾性表面
波フィルタ装置と外部装置（特に，弾性表面波フィルタ
装置の入力側に接続される外部装置）とのインピーダン
ス整合が可能となる。すなわち，このワイヤによってス
タブを形成するため，インピーダンス調整に重要なスタ
ブ長の調整が容易化されると共に，スタブ形成に要する
基板面積の増加を最小限に抑えることが可能となる。
【００１４】ワイヤが接続される入力信号伝送ラインに
おける所定のポイントとして，請求項２に記載のよう
に，弾性表面波フィルタの入力信号が入力されるフィル
タ入力端子を選択してもよく，また，請求項３に記載の
ように，弾性表面波フィルタが組み込まれるパッケージ
の入力信号が入力されるパッケージ入力電極を選択して
もよい。いずれの場合も，ワイヤの接続が容易であるた
め，複雑な工程を追加することなくスタブを形成するこ
とが可能となる。
おける所定のポイントとして，請求項２に記載のよう
に，弾性表面波フィルタの入力信号が入力されるフィル
タ入力端子を選択してもよく，また，請求項３に記載の
ように，弾性表面波フィルタが組み込まれるパッケージ
の入力信号が入力されるパッケージ入力電極を選択して
もよい。いずれの場合も，ワイヤの接続が容易であるた
め，複雑な工程を追加することなくスタブを形成するこ
とが可能となる。
【００１５】本発明の第２の観点によれば，複数の共振
器を備えた弾性表面波フィルタを含む弾性表面波フィル
タ装置が提供される。そして，この弾性表面波フィルタ
装置は，請求項４に記載のように，弾性表面波フィルタ
から出力される出力信号の出力信号伝送ラインにおける
所定のポイントと，電気的フローティング状態にある電
極との間を接続するワイヤを備えたことを特徴としてい
る。
器を備えた弾性表面波フィルタを含む弾性表面波フィル
タ装置が提供される。そして，この弾性表面波フィルタ
装置は，請求項４に記載のように，弾性表面波フィルタ
から出力される出力信号の出力信号伝送ラインにおける
所定のポイントと，電気的フローティング状態にある電
極との間を接続するワイヤを備えたことを特徴としてい
る。
【００１６】かかる構成によれば，ワイヤ（ボンディン
グワイヤ）は，スタブ（オープンスタブ）として機能す
るため，ワイヤの長さを調整することによって，弾性表
面波フィルタ装置と外部装置（特に，弾性表面波フィル
タ装置の出力側に接続される外部装置）とのインピーダ
ンス整合が可能となる。また，ワイヤによってスタブを
形成するため，インピーダンス調整に重要なスタブ長の
調整が容易化されると共に，スタブ形成に要する基板面
積の増加を最小限に抑えることが可能となる。
グワイヤ）は，スタブ（オープンスタブ）として機能す
るため，ワイヤの長さを調整することによって，弾性表
面波フィルタ装置と外部装置（特に，弾性表面波フィル
タ装置の出力側に接続される外部装置）とのインピーダ
ンス整合が可能となる。また，ワイヤによってスタブを
形成するため，インピーダンス調整に重要なスタブ長の
調整が容易化されると共に，スタブ形成に要する基板面
積の増加を最小限に抑えることが可能となる。
【００１７】ワイヤが接続される出力信号伝送ラインに
おける所定のポイントとして，請求項５に記載のよう
に，弾性表面波フィルタの出力信号が出力されるフィル
タ出力端子を選択してもよく，また，請求項６に記載の
ように，弾性表面波フィルタが組み込まれるパッケージ
の出力信号が出力されるパッケージ出力電極を選択して
もよい。いずれの場合も，ワイヤの接続が容易であるた
め，複雑な工程を追加することなくスタブを形成するこ
とが可能となる。
おける所定のポイントとして，請求項５に記載のよう
に，弾性表面波フィルタの出力信号が出力されるフィル
タ出力端子を選択してもよく，また，請求項６に記載の
ように，弾性表面波フィルタが組み込まれるパッケージ
の出力信号が出力されるパッケージ出力電極を選択して
もよい。いずれの場合も，ワイヤの接続が容易であるた
め，複雑な工程を追加することなくスタブを形成するこ
とが可能となる。
【００１８】電気的フローティング状態にある電極とし
て，複数の共振器に備えられた反射器が有する反射器電
極のなかの一つ，または，複数の反射器電極が共通接続
されている共通電極を採用することが好ましい。このよ
うに，反射器電極等をワイヤ接続ポイントとして利用す
ることによって，スタブを構成するために要する基板面
積の増加が最小限に抑えられ，表面弾性波フィルタ装置
の小型化が実現する。
て，複数の共振器に備えられた反射器が有する反射器電
極のなかの一つ，または，複数の反射器電極が共通接続
されている共通電極を採用することが好ましい。このよ
うに，反射器電極等をワイヤ接続ポイントとして利用す
ることによって，スタブを構成するために要する基板面
積の増加が最小限に抑えられ，表面弾性波フィルタ装置
の小型化が実現する。
【００１９】電気的フローティング状態にある電極とし
て，弾性表面波フィルタが形成される圧電基板上にワイ
ヤを接続するために専用に設けられた電極，あるいは，
弾性表面波フィルタが組み込まれるパッケージ上にワイ
ヤを接続するために専用に設けられた電極を採用しても
よい。かかる構成によれば，ワイヤの経路を調整し，例
えば，ワイヤに対する高周波ノイズの影響を低減させる
ことが可能となる。
て，弾性表面波フィルタが形成される圧電基板上にワイ
ヤを接続するために専用に設けられた電極，あるいは，
弾性表面波フィルタが組み込まれるパッケージ上にワイ
ヤを接続するために専用に設けられた電極を採用しても
よい。かかる構成によれば，ワイヤの経路を調整し，例
えば，ワイヤに対する高周波ノイズの影響を低減させる
ことが可能となる。
【００２０】スタブ長をワイヤ長のみで調整することが
困難な場合は，電気的フローティング状態にある電極と
して，弾性表面波フィルタが形成される圧電基板上にス
トリップラインを設けてもよい。
困難な場合は，電気的フローティング状態にある電極と
して，弾性表面波フィルタが形成される圧電基板上にス
トリップラインを設けてもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら，
本発明にかかるＳＡＷフィルタ装置の好適な実施の形態
について詳細に説明する。なお，以下の説明および添付
された図面において，略同一の機能および構成を有する
構成要素については，同一符号を付すことによって重複
説明を省略する。
本発明にかかるＳＡＷフィルタ装置の好適な実施の形態
について詳細に説明する。なお，以下の説明および添付
された図面において，略同一の機能および構成を有する
構成要素については，同一符号を付すことによって重複
説明を省略する。
【００２２】本発明の実施の形態にかかるＳＡＷフィル
タ装置１１の構成を図１に示す。このＳＡＷフィルタ装
置１１は，圧電基板上に形成されたＳＡＷフィルタ１２
と，ＳＡＷフィルタ１２を収納する多層セラミックパッ
ケージから成る。
タ装置１１の構成を図１に示す。このＳＡＷフィルタ装
置１１は，圧電基板上に形成されたＳＡＷフィルタ１２
と，ＳＡＷフィルタ１２を収納する多層セラミックパッ
ケージから成る。
【００２３】ＳＡＷフィルタ１２は，フィルタ入力端子
ＴＦｉとフィルタ出力端子ＴＦｏとの間に直列に配され
た直列腕１３と，直列腕１３と基準電位との間に配され
た第１並列腕１４および第２並列腕１５から構成されて
いる。
ＴＦｉとフィルタ出力端子ＴＦｏとの間に直列に配され
た直列腕１３と，直列腕１３と基準電位との間に配され
た第１並列腕１４および第２並列腕１５から構成されて
いる。
【００２４】直列腕１３は，フィルタ入力端子ＴＦｉと
フィルタ出力端子ＴＦｏとの間に直列多段に接続された
直列腕第１共振器Ｓ１，直列腕第２共振器Ｓ２，および
直列腕第３共振器Ｓ３から構成されている。直列腕第１
共振器Ｓ１の一端はフィルタ入力端子ＴＦｉに接続さ
れ，他端はノードｎ１に接続されている。直列腕第２共
振器Ｓ２の一端はノードｎ１に接続され，他端はノード
ｎ２に接続されている。直列腕第３共振器Ｓ３の一端は
ノードｎ２に接続され，他端はフィルタ出力端子ＴＦｏ
に接続されている。
フィルタ出力端子ＴＦｏとの間に直列多段に接続された
直列腕第１共振器Ｓ１，直列腕第２共振器Ｓ２，および
直列腕第３共振器Ｓ３から構成されている。直列腕第１
共振器Ｓ１の一端はフィルタ入力端子ＴＦｉに接続さ
れ，他端はノードｎ１に接続されている。直列腕第２共
振器Ｓ２の一端はノードｎ１に接続され，他端はノード
ｎ２に接続されている。直列腕第３共振器Ｓ３の一端は
ノードｎ２に接続され，他端はフィルタ出力端子ＴＦｏ
に接続されている。
【００２５】第１並列腕１４は，第１並列腕共振器Ｐ１
から構成されており，第２並列腕１５は，第２並列腕共
振器Ｐ２から構成されている。第１並列腕共振器Ｐ１の
一端は，ノードｎ１に接続され，第２並列腕共振器Ｐ２
の一端は，ノードｎ２に接続されている。そして，第１
並列腕共振器Ｐ１の他端と第２並列腕共振器Ｐ２の他端
は，ＳＡＷフィルタ１２が形成される圧電基板上で共通
化され，並列腕基準電位端子ＴＰｇに接続されている。
から構成されており，第２並列腕１５は，第２並列腕共
振器Ｐ２から構成されている。第１並列腕共振器Ｐ１の
一端は，ノードｎ１に接続され，第２並列腕共振器Ｐ２
の一端は，ノードｎ２に接続されている。そして，第１
並列腕共振器Ｐ１の他端と第２並列腕共振器Ｐ２の他端
は，ＳＡＷフィルタ１２が形成される圧電基板上で共通
化され，並列腕基準電位端子ＴＰｇに接続されている。
【００２６】フィルタ入力端子ＴＦｉは，入力ボンディ
ングワイヤＷｉによって，パッケージ上に形成されたパ
ッケージ入力電極ＴＰＣｉに接続されている。フィルタ
出力端子ＴＦｏは，出力ボンディングワイヤＷｏによっ
て，パッケージ上に形成されたパッケージ出力電極ＴＰ
Ｃｏに接続されている。並列腕基準電位端子ＴＰｇは，
基準電位ボンディングワイヤＷｇ１によって，パッケー
ジ上に形成されたパッケージ基準電位電極ＴＰＣｇ１に
接続されている。
ングワイヤＷｉによって，パッケージ上に形成されたパ
ッケージ入力電極ＴＰＣｉに接続されている。フィルタ
出力端子ＴＦｏは，出力ボンディングワイヤＷｏによっ
て，パッケージ上に形成されたパッケージ出力電極ＴＰ
Ｃｏに接続されている。並列腕基準電位端子ＴＰｇは，
基準電位ボンディングワイヤＷｇ１によって，パッケー
ジ上に形成されたパッケージ基準電位電極ＴＰＣｇ１に
接続されている。
【００２７】図２は，図１に示したＳＡＷフィルタ１２
の平面図である。なお，図２には，ＳＡＷフィルタ１２
の全領域の中で，直列腕１３，第１並列腕１４，および
第２並列腕１５が形成されている領域のみを具体的に示
している。
の平面図である。なお，図２には，ＳＡＷフィルタ１２
の全領域の中で，直列腕１３，第１並列腕１４，および
第２並列腕１５が形成されている領域のみを具体的に示
している。
【００２８】直列腕第１共振器Ｓ１，直列腕第２共振器
Ｓ２，直列腕第３共振器Ｓ３，第１並列腕共振器Ｐ１，
および第２並列腕共振器Ｐ２はそれぞれ，反射器を２個
ずつ備えている。
Ｓ２，直列腕第３共振器Ｓ３，第１並列腕共振器Ｐ１，
および第２並列腕共振器Ｐ２はそれぞれ，反射器を２個
ずつ備えている。
【００２９】直列腕第１共振器Ｓ１の２つの反射器はそ
れぞれ電極ＴＳ１ｒ１，ＴＳ１ｒ２を備え，直列腕第２
共振器Ｓ２の２つの反射器はそれぞれ電極ＴＳ２ｒ１，
ＴＳ２ｒ２を備え，直列腕第３共振器Ｓ３の２つの反射
器はそれぞれ電極ＴＳ３ｒ１，ＴＳ３ｒ２を備えてい
る。
れぞれ電極ＴＳ１ｒ１，ＴＳ１ｒ２を備え，直列腕第２
共振器Ｓ２の２つの反射器はそれぞれ電極ＴＳ２ｒ１，
ＴＳ２ｒ２を備え，直列腕第３共振器Ｓ３の２つの反射
器はそれぞれ電極ＴＳ３ｒ１，ＴＳ３ｒ２を備えてい
る。
【００３０】第１並列腕共振器Ｐ１の２つの反射器はそ
れぞれ電極ＴＰ１ｒ１，ＴＰ１ｒ２を備え，第２並列腕
共振器Ｐ２の２つの反射器はそれぞれ電極ＴＰ２ｒ１，
ＴＰ２ｒ２を備えている。そして，第１並列腕共振器Ｐ
１の一方の反射器に備えられた電極ＴＰ１ｒ１と，第２
並列腕共振器Ｐ２の一方の反射器に備えられた電極ＴＰ
２ｒ１は，圧電基板上で共通化され，第１共通電極Ｃ＿
ＴＰｒ１に接続されている。また，第１並列腕共振器Ｐ
１の他方の反射器に備えられた電極ＴＰ１ｒ２と，第２
並列腕共振器Ｐ２の他方の反射器に備えられた電極ＴＰ
２ｒ２は，圧電基板上で共通化され，第２共通電極Ｃ＿
ＴＰｒ２に接続されている。
れぞれ電極ＴＰ１ｒ１，ＴＰ１ｒ２を備え，第２並列腕
共振器Ｐ２の２つの反射器はそれぞれ電極ＴＰ２ｒ１，
ＴＰ２ｒ２を備えている。そして，第１並列腕共振器Ｐ
１の一方の反射器に備えられた電極ＴＰ１ｒ１と，第２
並列腕共振器Ｐ２の一方の反射器に備えられた電極ＴＰ
２ｒ１は，圧電基板上で共通化され，第１共通電極Ｃ＿
ＴＰｒ１に接続されている。また，第１並列腕共振器Ｐ
１の他方の反射器に備えられた電極ＴＰ１ｒ２と，第２
並列腕共振器Ｐ２の他方の反射器に備えられた電極ＴＰ
２ｒ２は，圧電基板上で共通化され，第２共通電極Ｃ＿
ＴＰｒ２に接続されている。
【００３１】図３は，ＳＡＷフィルタ１２を収納する多
層セラミックパッケージ（５層構造）のパッケージ第３
層２１の平面図である。ＳＡＷフィルタ１２がセットさ
れる中央部の周囲には，ＳＡＷフィルタ１２とのワイヤ
ボンディングのための複数の電極が形成されている。
層セラミックパッケージ（５層構造）のパッケージ第３
層２１の平面図である。ＳＡＷフィルタ１２がセットさ
れる中央部の周囲には，ＳＡＷフィルタ１２とのワイヤ
ボンディングのための複数の電極が形成されている。
【００３２】パッケージ第３層２１のパッケージ基準電
位電極ＴＰＣｇ１，ＴＰＣｇ２，ＴＰＣｇ３，ＴＰＣｇ
４は，図４に示すように，各電極に形成されているスル
ーホールを介してパッケージ第４層２２に形成されてい
る基準電位パターンＰＰｇに接続されている。パッケー
ジ第３層２１のパッケージ入力電極ＴＰＣｉは，入力信
号線路ＬＳｉに接続され，パッケージ出力電極ＴＰＣｏ
は，出力信号線路ＬＳｏに接続されている。ＳＡＷフィ
ルタ装置１１は，入力信号線路ＬＳｉおよび出力信号線
路ＬＳｏを介して，外部との信号の送受信を行う。
位電極ＴＰＣｇ１，ＴＰＣｇ２，ＴＰＣｇ３，ＴＰＣｇ
４は，図４に示すように，各電極に形成されているスル
ーホールを介してパッケージ第４層２２に形成されてい
る基準電位パターンＰＰｇに接続されている。パッケー
ジ第３層２１のパッケージ入力電極ＴＰＣｉは，入力信
号線路ＬＳｉに接続され，パッケージ出力電極ＴＰＣｏ
は，出力信号線路ＬＳｏに接続されている。ＳＡＷフィ
ルタ装置１１は，入力信号線路ＬＳｉおよび出力信号線
路ＬＳｏを介して，外部との信号の送受信を行う。
【００３３】ＳＡＷフィルタ１２は，図５に示すよう
に，パッケージ第３層２１に組み込まれる。そして，Ｓ
ＡＷフィルタ１２の複数の電極とパッケージ第３層２１
の複数の電極は，次のように接続されている。
に，パッケージ第３層２１に組み込まれる。そして，Ｓ
ＡＷフィルタ１２の複数の電極とパッケージ第３層２１
の複数の電極は，次のように接続されている。
【００３４】直列腕第１共振器Ｓ１の２つの反射器の電
極ＴＳ１ｒ１，ＴＳ１ｒ２はそれぞれ，基準電位ボンデ
ィングワイヤＷｇ２，Ｗｇ３によって，パッケージ基準
電位電極ＴＰＣｇ１，ＴＰＣｇ２に接続されている。直
列腕第２共振器Ｓ２の２つの反射器の電極ＴＳ２ｒ１，
ＴＳ２ｒ２は共にオープンとされている。直列腕第３共
振器Ｓ３の２つの反射器の電極ＴＳ３ｒ１，ＴＳ３ｒ２
はそれぞれ，基準電位ボンディングワイヤＷｇ４，Ｗｇ
５によって，パッケージ基準電位電極ＴＰＣｇ３，ＴＰ
Ｃｇ４に接続されている。以上の接続によって，直列腕
第１共振器Ｓ１および直列腕第３共振器Ｓ３それぞれに
備えられた２つの反射器は基準電位となり，直列腕第２
共振器Ｓ２に備えられた２つの反射器は電気的フローテ
ィング状態となる。
極ＴＳ１ｒ１，ＴＳ１ｒ２はそれぞれ，基準電位ボンデ
ィングワイヤＷｇ２，Ｗｇ３によって，パッケージ基準
電位電極ＴＰＣｇ１，ＴＰＣｇ２に接続されている。直
列腕第２共振器Ｓ２の２つの反射器の電極ＴＳ２ｒ１，
ＴＳ２ｒ２は共にオープンとされている。直列腕第３共
振器Ｓ３の２つの反射器の電極ＴＳ３ｒ１，ＴＳ３ｒ２
はそれぞれ，基準電位ボンディングワイヤＷｇ４，Ｗｇ
５によって，パッケージ基準電位電極ＴＰＣｇ３，ＴＰ
Ｃｇ４に接続されている。以上の接続によって，直列腕
第１共振器Ｓ１および直列腕第３共振器Ｓ３それぞれに
備えられた２つの反射器は基準電位となり，直列腕第２
共振器Ｓ２に備えられた２つの反射器は電気的フローテ
ィング状態となる。
【００３５】フィルタ入力端子ＴＦｉは，入力ボンディ
ングワイヤＷｉによって，パッケージ入力電極ＴＰＣｉ
に接続されており，フィルタ出力端子ＴＦｏは，出力ボ
ンディングワイヤＷｏによって，パッケージ出力電極Ｔ
ＰＣｏに接続されている。並列腕基準電位端子ＴＰｇ
は，基準電位ボンディングワイヤＷｇ１によって，パッ
ケージ基準電位電極ＴＰＣｇ１に接続されている。
ングワイヤＷｉによって，パッケージ入力電極ＴＰＣｉ
に接続されており，フィルタ出力端子ＴＦｏは，出力ボ
ンディングワイヤＷｏによって，パッケージ出力電極Ｔ
ＰＣｏに接続されている。並列腕基準電位端子ＴＰｇ
は，基準電位ボンディングワイヤＷｇ１によって，パッ
ケージ基準電位電極ＴＰＣｇ１に接続されている。
【００３６】第１並列腕共振器Ｐ１の一方の反射器に備
えられた電極ＴＰ１ｒ１と第２並列腕共振器Ｐ２の一方
の反射器に備えられた電極ＴＰ２ｒ１とが接続されてい
る第１共通電極Ｃ＿ＴＰｒ１，第１並列腕共振器Ｐ１の
他方の反射器に備えられた電極ＴＰ１ｒ２，並びに，第
２並列腕共振器Ｐ２の他方の反射器に備えられた電極Ｔ
Ｐ２ｒ２，および，これらの電極が共通接続されている
第２共通電極Ｃ＿ＴＰｒ２は，パッケージ第３層２１の
パッケージ基準電位電極ＴＰＣｇ１，ＴＰＣｇ２，ＴＰ
Ｃｇ３，ＴＰＣｇ４のいずれにも接続されておらず，電
気的フローティング状態となる。
えられた電極ＴＰ１ｒ１と第２並列腕共振器Ｐ２の一方
の反射器に備えられた電極ＴＰ２ｒ１とが接続されてい
る第１共通電極Ｃ＿ＴＰｒ１，第１並列腕共振器Ｐ１の
他方の反射器に備えられた電極ＴＰ１ｒ２，並びに，第
２並列腕共振器Ｐ２の他方の反射器に備えられた電極Ｔ
Ｐ２ｒ２，および，これらの電極が共通接続されている
第２共通電極Ｃ＿ＴＰｒ２は，パッケージ第３層２１の
パッケージ基準電位電極ＴＰＣｇ１，ＴＰＣｇ２，ＴＰ
Ｃｇ３，ＴＰＣｇ４のいずれにも接続されておらず，電
気的フローティング状態となる。
【００３７】そして，図１，図５に示すように，このよ
うに電気的フローティング状態にある第１共通電極Ｃ＿
ＴＰｒ１に対して，スタブ形成用ボンディングワイヤＷ
ｓの一端が接続され，パッケージ入力電極ＴＰＣｉに対
して，その他端が接続される。本実施の形態にかかるＳ
ＡＷフィルタ装置１１において，スタブ形成用ボンディ
ングワイヤＷｓは，最も特徴的な構成要素である。この
スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓと電気的フローテ
ィング状態にある第１共通電極Ｃ＿ＴＰｒ１は，オープ
ンスタブとして機能し，この結果，パッケージ入力電極
ＴＰＣｉおよびフィルタ入力端子ＴＦｉにオープンスタ
ブが接続されることになる。なお，スタブ形成用ボンデ
ィングワイヤＷｓを直接フィルタ入力端子ＴＦｉに接続
してもよい。
うに電気的フローティング状態にある第１共通電極Ｃ＿
ＴＰｒ１に対して，スタブ形成用ボンディングワイヤＷ
ｓの一端が接続され，パッケージ入力電極ＴＰＣｉに対
して，その他端が接続される。本実施の形態にかかるＳ
ＡＷフィルタ装置１１において，スタブ形成用ボンディ
ングワイヤＷｓは，最も特徴的な構成要素である。この
スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓと電気的フローテ
ィング状態にある第１共通電極Ｃ＿ＴＰｒ１は，オープ
ンスタブとして機能し，この結果，パッケージ入力電極
ＴＰＣｉおよびフィルタ入力端子ＴＦｉにオープンスタ
ブが接続されることになる。なお，スタブ形成用ボンデ
ィングワイヤＷｓを直接フィルタ入力端子ＴＦｉに接続
してもよい。
【００３８】ここで，オープンスタブについて説明す
る。オープンスタブとは一般的に先端開放の線路（本実
施の形態においては，主としてスタブ形成用ボンディン
グワイヤＷｓが対応する）を指し，その入力インピーダ
ンスＺｉｎは，次の式で表される。
る。オープンスタブとは一般的に先端開放の線路（本実
施の形態においては，主としてスタブ形成用ボンディン
グワイヤＷｓが対応する）を指し，その入力インピーダ
ンスＺｉｎは，次の式で表される。
【００３９】Zin=-jZ0cot(βＬ) ・・・（式１）
【００４０】式１において，Ｚ０は線路の特性インピー
ダンスであり，Ｌは線路長を示している。また，β（＝
２π／λ，λ：波長）［ｒａｄ／ｍ］は位相定数（Phas
e Constant）であり，伝送線路において波が単位長進む
間に変化する位相角を表している。したがって，β×Ｌ
は，スタブ（線路）の電気長を表すことになる。電気長
をθとすると，式１は次の式２となる。
ダンスであり，Ｌは線路長を示している。また，β（＝
２π／λ，λ：波長）［ｒａｄ／ｍ］は位相定数（Phas
e Constant）であり，伝送線路において波が単位長進む
間に変化する位相角を表している。したがって，β×Ｌ
は，スタブ（線路）の電気長を表すことになる。電気長
をθとすると，式１は次の式２となる。
【００４１】Zin=-jZ0cotθ ・・・（式２）
【００４２】式１，２から，オープンスタブの入力イン
ピーダンスＺｉｎは，線路長Ｌに応じて変化することが
理解できる。そして，オープンスタブは，Ｌ＜λ／４の
範囲では，キャパシタとして機能し，λ／４＜Ｌ＜λ／
２の範囲では，インダンクタとして機能する。
ピーダンスＺｉｎは，線路長Ｌに応じて変化することが
理解できる。そして，オープンスタブは，Ｌ＜λ／４の
範囲では，キャパシタとして機能し，λ／４＜Ｌ＜λ／
２の範囲では，インダンクタとして機能する。
【００４３】次に，オープンスタブとして機能するスタ
ブ形成用ボンディングワイヤＷｓを備えたＳＡＷフィル
タ装置１１の周波数特性（太線）と，従来のＳＡＷフィ
ルタ装置１の周波数特性（細線）を図６に示す。ここ
で，ＳＡＷフィルタ装置１，１１は送信用フィルタ装置
として構成されている。したがって，送信信号の帯域に
対応する８２４〜８４９ＭＨｚに通過帯域が調整されて
おり，受信信号の帯域に対応する８６９〜８９４ＭＨｚ
に減衰帯域が調整されている。そして，上述のように，
通過帯域においては，低挿入損失が求められ，減衰帯域
においては，高減衰量が求められる。本発明の実施の形
態にかかるＳＡＷフィルタ装置１１は，従来のＳＡＷフ
ィルタ装置１に比べて，特に減衰帯域における信号の減
衰量増加に関して性能向上が図られている。なお，図６
の周波数特性曲線において，減衰帯域に見られる極ａ
は，直列腕第１共振器Ｓ１および直列腕第３共振器Ｓ３
によって生じるものであり，極ｂは，直列腕第２共振器
Ｓ２によって生じるものである。また，通過帯域よりも
低域側に現れる極ｃは，第１並列腕共振器Ｐ１および第
２並列腕共振器Ｐ２によって生じるものである。
ブ形成用ボンディングワイヤＷｓを備えたＳＡＷフィル
タ装置１１の周波数特性（太線）と，従来のＳＡＷフィ
ルタ装置１の周波数特性（細線）を図６に示す。ここ
で，ＳＡＷフィルタ装置１，１１は送信用フィルタ装置
として構成されている。したがって，送信信号の帯域に
対応する８２４〜８４９ＭＨｚに通過帯域が調整されて
おり，受信信号の帯域に対応する８６９〜８９４ＭＨｚ
に減衰帯域が調整されている。そして，上述のように，
通過帯域においては，低挿入損失が求められ，減衰帯域
においては，高減衰量が求められる。本発明の実施の形
態にかかるＳＡＷフィルタ装置１１は，従来のＳＡＷフ
ィルタ装置１に比べて，特に減衰帯域における信号の減
衰量増加に関して性能向上が図られている。なお，図６
の周波数特性曲線において，減衰帯域に見られる極ａ
は，直列腕第１共振器Ｓ１および直列腕第３共振器Ｓ３
によって生じるものであり，極ｂは，直列腕第２共振器
Ｓ２によって生じるものである。また，通過帯域よりも
低域側に現れる極ｃは，第１並列腕共振器Ｐ１および第
２並列腕共振器Ｐ２によって生じるものである。
【００４４】図６から明らかなように，スタブ形成用ボ
ンディングワイヤＷｓを備えたＳＡＷフィルタ装置１１
の周波数特性曲線（太線）は，従来のＳＡＷフィルタ装
置１の周波数特性曲線（細線）に比べて，減衰帯域が低
周波側にシフトしている。ここで，減衰帯域の下限周波
数８６９ＭＨｚ近傍における減衰量に注目し，図７に図
６を拡大して示す。
ンディングワイヤＷｓを備えたＳＡＷフィルタ装置１１
の周波数特性曲線（太線）は，従来のＳＡＷフィルタ装
置１の周波数特性曲線（細線）に比べて，減衰帯域が低
周波側にシフトしている。ここで，減衰帯域の下限周波
数８６９ＭＨｚ近傍における減衰量に注目し，図７に図
６を拡大して示す。
【００４５】ＳＡＷフィルタ装置１１の周波数特性曲線
（太線）の極ａは，従来のＳＡＷフィルタ装置１の周波
数特性曲線（細線）の極ａに対して，低周波側にシフト
している。これに伴い，周波数８６９ＭＨｚにおけるＳ
ＡＷフィルタ装置１１の減衰量は，ＳＡＷフィルタ装置
１の減衰量に比べて増加する。
（太線）の極ａは，従来のＳＡＷフィルタ装置１の周波
数特性曲線（細線）の極ａに対して，低周波側にシフト
している。これに伴い，周波数８６９ＭＨｚにおけるＳ
ＡＷフィルタ装置１１の減衰量は，ＳＡＷフィルタ装置
１の減衰量に比べて増加する。
【００４６】周波数８６９ＭＨｚ近傍に現れる極ａの周
波数は，直列腕共振器の共振周波数によって決定され
る。直列腕共振器の電気的等価回路を図８に示す。図８
（ａ）は，パッケージ入力電極ＴＰＣｉ（フィルタ入力
端子ＴＦｉ）にオープンスタブ（先端開放λ／４線路）
が接続されていない従来のＳＡＷフィルタ装置１の等価
回路を示し，図８（ｂ）はオープンスタブ（先端開放λ
／４線路）が接続された本発明の実施の形態にかかるＳ
ＡＷフィルタ装置１１の等価回路を示している。
波数は，直列腕共振器の共振周波数によって決定され
る。直列腕共振器の電気的等価回路を図８に示す。図８
（ａ）は，パッケージ入力電極ＴＰＣｉ（フィルタ入力
端子ＴＦｉ）にオープンスタブ（先端開放λ／４線路）
が接続されていない従来のＳＡＷフィルタ装置１の等価
回路を示し，図８（ｂ）はオープンスタブ（先端開放λ
／４線路）が接続された本発明の実施の形態にかかるＳ
ＡＷフィルタ装置１１の等価回路を示している。
【００４７】図８（ａ）に示した従来のＳＡＷフィルタ
装置１の減衰特性α（１）は次の式で与えられる。
装置１の減衰特性α（１）は次の式で与えられる。
【００４８】α(1)=10LOG(1+K1 2/4) ・・・（式３）
【００４９】ここで，
【００５０】
K1=(1-ω2L1C1)/(C0+C1-ω2L1C1C0) ・・・（式４）
【００５１】すなわち，図６に示したオープンスタブが
ないときの周波数特性における極周波数は，
ないときの周波数特性における極周波数は，
【００５２】C0+C1-ω2L1C1C0=0 ・・・（式５）
【００５３】を満足することによって得られる。
【００５４】一方，図８（ｂ）に示した本発明の実施の
形態にかかるＳＡＷフィルタ装置１１の減衰特性α
（２）は次の式で与えられる。
形態にかかるＳＡＷフィルタ装置１１の減衰特性α
（２）は次の式で与えられる。
【００５５】
α(2)=10LOG((1+K1K2/2)2+((K1+K2)/2)2) ・・・（式６）
【００５６】ここで，
【００５７】K2=ωCS/(1-ω2LSCS) ・・・（式７）
【００５８】図６に示したオープンスタブがあるときの
周波数特性における極ａの周波数は，オープンスタブが
ない場合のインピーダンスと，オープンスタブに等価の
直列共振回路のインピーダンスとの合成インピーダンス
で与えられる。極周波数は，例えば次の式８，式９を満
足することによって得られる。
周波数特性における極ａの周波数は，オープンスタブが
ない場合のインピーダンスと，オープンスタブに等価の
直列共振回路のインピーダンスとの合成インピーダンス
で与えられる。極周波数は，例えば次の式８，式９を満
足することによって得られる。
【００５９】C0+C1-ω2L1C1C0=0 ・・・（式８）
1-ω2LSCS=0 ・・・（式９）
【００６０】式８，式９を満足する周波数を等しくする
と図６の極ａが形成される。式３と式６を比較すれば明
らかなように，オープンスタブ（先端開放λ／４線路）
が備えられたことによる極の形成に伴い，フィルタ特性
（減衰特性）の向上が実現する。
と図６の極ａが形成される。式３と式６を比較すれば明
らかなように，オープンスタブ（先端開放λ／４線路）
が備えられたことによる極の形成に伴い，フィルタ特性
（減衰特性）の向上が実現する。
【００６１】スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓが備
えられていないＳＡＷフィルタ装置（サンプル１：従来
のＳＡＷフィルタ装置１に相当）と，サンプル１に対し
て，パッケージ入力電極ＴＰＣｉと第１共通電極Ｃ＿Ｔ
Ｐｒ１との間にスタブ形成用ボンディングワイヤＷｓを
追加したＳＡＷフィルタ装置（サンプル２：ＳＡＷフィ
ルタ装置１１に相当）を作製し，オープンスタブの有無
による周波数８６９ＭＨｚ近傍の減衰量を測定した。そ
の結果を図９，図１０に示す。
えられていないＳＡＷフィルタ装置（サンプル１：従来
のＳＡＷフィルタ装置１に相当）と，サンプル１に対し
て，パッケージ入力電極ＴＰＣｉと第１共通電極Ｃ＿Ｔ
Ｐｒ１との間にスタブ形成用ボンディングワイヤＷｓを
追加したＳＡＷフィルタ装置（サンプル２：ＳＡＷフィ
ルタ装置１１に相当）を作製し，オープンスタブの有無
による周波数８６９ＭＨｚ近傍の減衰量を測定した。そ
の結果を図９，図１０に示す。
【００６２】サンプル１の場合，図９に示すように，周
波数８６９ＭＨｚにおける減衰量は，−４１ｄＢであ
る。このサンプル１にスタブ形成用ボンディングワイヤ
Ｗｓが追加されたサンプル２の場合，図１０に示すよう
に，周波数８６９ＭＨｚにおける減衰量は，−４８ｄＢ
である。つまり，スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓ
が追加されることによって，周波数８６９ＭＨｚにおけ
る減衰量は７ｄＢ増加する。
波数８６９ＭＨｚにおける減衰量は，−４１ｄＢであ
る。このサンプル１にスタブ形成用ボンディングワイヤ
Ｗｓが追加されたサンプル２の場合，図１０に示すよう
に，周波数８６９ＭＨｚにおける減衰量は，−４８ｄＢ
である。つまり，スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓ
が追加されることによって，周波数８６９ＭＨｚにおけ
る減衰量は７ｄＢ増加する。
【００６３】ところで，式１，式２を用いて説明したよ
うに，周波数特性のシフト量はオープンスタブの線路長
にも依存する。本実施の形態にかかるＳＡＷフィルタ装
置１１において，スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓ
のワイヤ長は，第１共通電極Ｃ＿ＴＰｒ１のサイズ（長
さ方向）に対して十分に長いため，スタブ形成用ボンデ
ィングワイヤＷｓのワイヤ長がオープンスタブの実質的
な線路長Ｌと考えられる。
うに，周波数特性のシフト量はオープンスタブの線路長
にも依存する。本実施の形態にかかるＳＡＷフィルタ装
置１１において，スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓ
のワイヤ長は，第１共通電極Ｃ＿ＴＰｒ１のサイズ（長
さ方向）に対して十分に長いため，スタブ形成用ボンデ
ィングワイヤＷｓのワイヤ長がオープンスタブの実質的
な線路長Ｌと考えられる。
【００６４】まず，スタブ形成用ボンディングワイヤＷ
ｓが備えられていないＳＡＷフィルタ装置（サンプル
３：従来のＳＡＷフィルタ装置１に相当）を作製し，周
波数８６９ＭＨｚ近傍の減衰量を測定した。その結果を
図１１に示す。周波数８６９ＭＨｚにおける減衰量は，
−３７ｄＢである。
ｓが備えられていないＳＡＷフィルタ装置（サンプル
３：従来のＳＡＷフィルタ装置１に相当）を作製し，周
波数８６９ＭＨｚ近傍の減衰量を測定した。その結果を
図１１に示す。周波数８６９ＭＨｚにおける減衰量は，
−３７ｄＢである。
【００６５】次に，サンプル３に対して，パッケージ入
力電極ＴＰＣｉと第１共通電極Ｃ＿ＴＰｒ１との間にス
タブ長Ｌ１のスタブ形成用ボンディングワイヤＷｓを追
加したＳＡＷフィルタ装置（サンプル４：ＳＡＷフィル
タ装置１１に相当），および，スタブ長Ｌ１よりも長い
スタブ長Ｌ２のスタブ形成用ボンディングワイヤＷｓを
追加したＳＡＷフィルタ装置（サンプル５：ＳＡＷフィ
ルタ装置１１に相当）を作製し，それぞれ周波数８６９
ＭＨｚ近傍の減衰量を測定した。その結果を図１２，図
１３に示す。
力電極ＴＰＣｉと第１共通電極Ｃ＿ＴＰｒ１との間にス
タブ長Ｌ１のスタブ形成用ボンディングワイヤＷｓを追
加したＳＡＷフィルタ装置（サンプル４：ＳＡＷフィル
タ装置１１に相当），および，スタブ長Ｌ１よりも長い
スタブ長Ｌ２のスタブ形成用ボンディングワイヤＷｓを
追加したＳＡＷフィルタ装置（サンプル５：ＳＡＷフィ
ルタ装置１１に相当）を作製し，それぞれ周波数８６９
ＭＨｚ近傍の減衰量を測定した。その結果を図１２，図
１３に示す。
【００６６】図１２，図１３に示したオープンスタブあ
りのサンプル４，５によれば，図１１に示したオープン
スタブなしのサンプル３に比べて，周波数８６９ＭＨｚ
における減衰量が増加する。さらに，サンプル４とサン
プル５を比較すると，減衰量のスタブ長Ｌ依存性が明ら
かになる。周波数８６９ＭＨｚにおける減衰量は，サン
プル４では−３９ｄＢであるのに対して，サンプル５で
は−４２ｄＢに増加している。すなわち，スタブ長Ｌが
伸張することに伴い，周波数８６９ＭＨｚにおける減衰
量も増加することになる。サンプル３，４，５の中で，
減衰帯域において大きな減衰量を得るという観点ではサ
ンプル５が最も優れていると言える。なお，スタブ長Ｌ
の決定に際して，減衰帯域における減衰量の増加を考慮
することはもちろんのこと，必用以上に通過帯域を狭め
ないよう，周波数特性の低周波側へのシフト量に留意す
る必要がある。
りのサンプル４，５によれば，図１１に示したオープン
スタブなしのサンプル３に比べて，周波数８６９ＭＨｚ
における減衰量が増加する。さらに，サンプル４とサン
プル５を比較すると，減衰量のスタブ長Ｌ依存性が明ら
かになる。周波数８６９ＭＨｚにおける減衰量は，サン
プル４では−３９ｄＢであるのに対して，サンプル５で
は−４２ｄＢに増加している。すなわち，スタブ長Ｌが
伸張することに伴い，周波数８６９ＭＨｚにおける減衰
量も増加することになる。サンプル３，４，５の中で，
減衰帯域において大きな減衰量を得るという観点ではサ
ンプル５が最も優れていると言える。なお，スタブ長Ｌ
の決定に際して，減衰帯域における減衰量の増加を考慮
することはもちろんのこと，必用以上に通過帯域を狭め
ないよう，周波数特性の低周波側へのシフト量に留意す
る必要がある。
【００６７】以上のように，本実施の形態にかかるＳＡ
Ｗフィルタ装置１１によれば，パッケージ入力電極ＴＰ
Ｃｉにオープンスタブが備えられているため，減衰帯域
が低周波側にシフトし，減衰帯域の下限周波数８６９Ｍ
Ｈｚにおける信号の減衰量が増加することなる。したが
って，ＳＡＷフィルタ装置１１を送信用フィルタ装置と
して用いられたとき，周波数８６９〜８９４ＭＨｚの受
信信号は確実に遮断される。
Ｗフィルタ装置１１によれば，パッケージ入力電極ＴＰ
Ｃｉにオープンスタブが備えられているため，減衰帯域
が低周波側にシフトし，減衰帯域の下限周波数８６９Ｍ
Ｈｚにおける信号の減衰量が増加することなる。したが
って，ＳＡＷフィルタ装置１１を送信用フィルタ装置と
して用いられたとき，周波数８６９〜８９４ＭＨｚの受
信信号は確実に遮断される。
【００６８】しかも，本実施の形態にかかるＳＡＷフィ
ルタ装置１１において，オープンスタブは，スタブ形成
用ボンディングワイヤＷｓによって形成されており，線
路長Ｌを３次元的に調整することが可能である。したが
って，例えば，圧電基板上にストリップラインによって
オープンスタブを形成する場合に比べて，狭い領域の中
でオープンスタブを形成することが可能となり，ＳＡＷ
フィルタ装置１１の小型化にも繋がる。
ルタ装置１１において，オープンスタブは，スタブ形成
用ボンディングワイヤＷｓによって形成されており，線
路長Ｌを３次元的に調整することが可能である。したが
って，例えば，圧電基板上にストリップラインによって
オープンスタブを形成する場合に比べて，狭い領域の中
でオープンスタブを形成することが可能となり，ＳＡＷ
フィルタ装置１１の小型化にも繋がる。
【００６９】さらに，スタブ形成用ボンディングワイヤ
Ｗｓを用いてオープンスタブを構成することによって，
回路パターンを変更することなく線路長Ｌの長さを変更
することが可能となり，周波数特性の変更への対応が容
易化される。
Ｗｓを用いてオープンスタブを構成することによって，
回路パターンを変更することなく線路長Ｌの長さを変更
することが可能となり，周波数特性の変更への対応が容
易化される。
【００７０】ＳＡＷフィルタ装置１１において，一端が
パッケージ入力電極ＴＰＣｉに接続されたスタブ形成用
ボンディングワイヤＷｓの他端の接続ポイントは，第１
共通電極Ｃ＿ＴＰｒ１であり，スタブ形成用ボンディン
グワイヤＷｓを張るために改めて電極を形成する必要が
ない。したがって，ＳＡＷフィルタ１２が形成される圧
電基板の面積が大きくなることはない。また，従来に対
して圧電基板の回路パターンの変更も発生しない。
パッケージ入力電極ＴＰＣｉに接続されたスタブ形成用
ボンディングワイヤＷｓの他端の接続ポイントは，第１
共通電極Ｃ＿ＴＰｒ１であり，スタブ形成用ボンディン
グワイヤＷｓを張るために改めて電極を形成する必要が
ない。したがって，ＳＡＷフィルタ１２が形成される圧
電基板の面積が大きくなることはない。また，従来に対
して圧電基板の回路パターンの変更も発生しない。
【００７１】ところで，ＳＡＷフィルタ１２とパッケー
ジ第３層２１との間に張られる複数本のボンディングワ
イヤの位置によっては，パッケージ入力電極ＴＰＣｉ
（フィルタ入力端子ＴＦｉ）と第１共通電極Ｃ＿ＴＰｒ
１との間にスタブ形成用ボンディングワイヤＷｓを，他
のボンディングワイヤに接触させることなく張ることが
できない場合もあり得る。この問題は，スタブ形成用ボ
ンディングワイヤＷｓの接続ポイントを，第１共通電極
Ｃ＿ＴＰｒ１から，フローティング状態にある他の電極
（例えば，第２共通電極Ｃ＿ＴＰｒ２）に変更すること
によって解決可能である。
ジ第３層２１との間に張られる複数本のボンディングワ
イヤの位置によっては，パッケージ入力電極ＴＰＣｉ
（フィルタ入力端子ＴＦｉ）と第１共通電極Ｃ＿ＴＰｒ
１との間にスタブ形成用ボンディングワイヤＷｓを，他
のボンディングワイヤに接触させることなく張ることが
できない場合もあり得る。この問題は，スタブ形成用ボ
ンディングワイヤＷｓの接続ポイントを，第１共通電極
Ｃ＿ＴＰｒ１から，フローティング状態にある他の電極
（例えば，第２共通電極Ｃ＿ＴＰｒ２）に変更すること
によって解決可能である。
【００７２】スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓは，
圧電基板上に形成されている共振器や伝送線路から放射
されるおそれのある高周波の影響を受けない経路に張ら
れることが望ましい。この条件を満たしつつ，スタブ形
成用ボンディングワイヤＷｓを，ＳＡＷフィルタ１２に
既に形成されているフローティング状態の電極に接続す
ることが困難な場合は，図１４に示すように，スタブ形
成用ボンディングワイヤＷｓを接続するためのスタブ形
成用フィルタ電極ＴＦｓが追加されたＳＡＷフィルタ３
２を採用する。このＳＡＷフィルタ３２によれば，スタ
ブ形成用ボンディングワイヤＷｓの経路を，他のボンデ
ィングワイヤの経路に干渉しないように，また，他の回
路から放射される高周波の影響を受けないように，調整
することが可能となる。
圧電基板上に形成されている共振器や伝送線路から放射
されるおそれのある高周波の影響を受けない経路に張ら
れることが望ましい。この条件を満たしつつ，スタブ形
成用ボンディングワイヤＷｓを，ＳＡＷフィルタ１２に
既に形成されているフローティング状態の電極に接続す
ることが困難な場合は，図１４に示すように，スタブ形
成用ボンディングワイヤＷｓを接続するためのスタブ形
成用フィルタ電極ＴＦｓが追加されたＳＡＷフィルタ３
２を採用する。このＳＡＷフィルタ３２によれば，スタ
ブ形成用ボンディングワイヤＷｓの経路を，他のボンデ
ィングワイヤの経路に干渉しないように，また，他の回
路から放射される高周波の影響を受けないように，調整
することが可能となる。
【００７３】スタブ形成用フィルタ電極ＴＦｓは，スタ
ブ形成用ボンディングワイヤＷｓと共にオープンスタブ
を構成するものである。したがって，スタブ形成用ボン
ディングワイヤＷｓの長さの調整と共に，スタブ形成用
フィルタ電極ＴＦｓのサイズを調整することによって，
ＳＡＷフィルタ３２の入力インピーダンスをより高精度
に制御することが可能となる。なお，スタブ形成用フィ
ルタ電極ＴＦｓのサイズは，例えば，０．３ｍｍ×０．
２ｍｍとされる。またさらに，スタブ形成用フィルタ電
極ＴＦｓに代えて，圧電基板上またはパッケージ上に形
成した伝送線路（ストリップライン）を用いることも可
能である。スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓの長さ
調整が困難な場合等には有効な構成である。
ブ形成用ボンディングワイヤＷｓと共にオープンスタブ
を構成するものである。したがって，スタブ形成用ボン
ディングワイヤＷｓの長さの調整と共に，スタブ形成用
フィルタ電極ＴＦｓのサイズを調整することによって，
ＳＡＷフィルタ３２の入力インピーダンスをより高精度
に制御することが可能となる。なお，スタブ形成用フィ
ルタ電極ＴＦｓのサイズは，例えば，０．３ｍｍ×０．
２ｍｍとされる。またさらに，スタブ形成用フィルタ電
極ＴＦｓに代えて，圧電基板上またはパッケージ上に形
成した伝送線路（ストリップライン）を用いることも可
能である。スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓの長さ
調整が困難な場合等には有効な構成である。
【００７４】ここまで，スタブ形成用ボンディングワイ
ヤＷｓが接続されるスタブ形成用フィルタ電極ＴＦｓを
圧電基板上に備えたＳＡＷフィルタ装置１１について説
明してきたが，この他，スタブ形成用ボンディングワイ
ヤＷｓが接続される電極をパッケージ側に形成するよう
にしてもよい。スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓが
接続される電極として，パッケージ上にスタブ形成用パ
ッケージ電極ＴＰｓを備えたＳＡＷフィルタ装置４１を
図１５に示す。
ヤＷｓが接続されるスタブ形成用フィルタ電極ＴＦｓを
圧電基板上に備えたＳＡＷフィルタ装置１１について説
明してきたが，この他，スタブ形成用ボンディングワイ
ヤＷｓが接続される電極をパッケージ側に形成するよう
にしてもよい。スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓが
接続される電極として，パッケージ上にスタブ形成用パ
ッケージ電極ＴＰｓを備えたＳＡＷフィルタ装置４１を
図１５に示す。
【００７５】ＳＡＷフィルタ装置４１において，スタブ
形成用ボンディングワイヤＷｓは，パッケージ入力電極
ＴＰＣｉとスタブ形成用パッケージ電極ＴＰｓとの間
（実線），あるいは，フィルタ入力端子ＴＦｉとスタブ
形成用パッケージ電極ＴＰｓとの間（点線）に接続さ
れ，オープンスタブを構成する。このオープンスタブに
よって，ＳＡＷフィルタ装置４１の入力インピーダンス
は適切な値に調整される。
形成用ボンディングワイヤＷｓは，パッケージ入力電極
ＴＰＣｉとスタブ形成用パッケージ電極ＴＰｓとの間
（実線），あるいは，フィルタ入力端子ＴＦｉとスタブ
形成用パッケージ電極ＴＰｓとの間（点線）に接続さ
れ，オープンスタブを構成する。このオープンスタブに
よって，ＳＡＷフィルタ装置４１の入力インピーダンス
は適切な値に調整される。
【００７６】ＳＡＷフィルタ１２の出力側，すなわちフ
ィルタ出力端子ＴＦｏやパッケージ出力電極ＴＰＣｏに
スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓを接続し，オープ
ンスタブを構成してもよい。図１１に示したサンプル３
に対して，フィルタ出力端子ＴＦｏにスタブ形成用ボン
ディングワイヤＷｓが追加接続されているサンプル６の
周波数特性を図１６に示す。サンプル３によれば，周波
数８６９ＭＨｚにおける減衰量は−３７ｄＢであるのに
対して，サンプル６によれば，減衰量は−４１ｄＢに増
加している。すなわち，スタブ形成用ボンディングワイ
ヤＷｓによって構成されたオープンスタブを，ＳＡＷフ
ィルタ１２の入力側と出力側のいずれか，または，その
両方に接続することによって，減衰帯域における減衰量
の増加が実現する。
ィルタ出力端子ＴＦｏやパッケージ出力電極ＴＰＣｏに
スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓを接続し，オープ
ンスタブを構成してもよい。図１１に示したサンプル３
に対して，フィルタ出力端子ＴＦｏにスタブ形成用ボン
ディングワイヤＷｓが追加接続されているサンプル６の
周波数特性を図１６に示す。サンプル３によれば，周波
数８６９ＭＨｚにおける減衰量は−３７ｄＢであるのに
対して，サンプル６によれば，減衰量は−４１ｄＢに増
加している。すなわち，スタブ形成用ボンディングワイ
ヤＷｓによって構成されたオープンスタブを，ＳＡＷフ
ィルタ１２の入力側と出力側のいずれか，または，その
両方に接続することによって，減衰帯域における減衰量
の増加が実現する。
【００７７】本実施の形態にかかるＳＡＷフィルタ装置
１１，４１が適用可能なＳＡＷ分波器５１の構成を図１
７に示す。このＳＡＷ分波器５１は，インピーダンス整
合回路５３，分波回路５５，送信用ＳＡＷフィルタ装置
５７，および受信用ＳＡＷフィルタ装置５９を備えてい
る。受信信号の帯域が送信信号の帯域よりも高周波側に
存在する場合（例えば，送信信号の帯域：８２４〜８４
９ＭＨｚ，受信信号の帯域：８６９〜８９４ＭＨｚ），
上述のＳＡＷフィルタ装置１１，４１を送信用ＳＡＷフ
ィルタ装置５７として用いる。逆に，受信信号の帯域が
送信信号の帯域よりも低周波側に存在する場合（例え
ば，ｃｄｍａＯｎｅ），上述のＳＡＷフィルタ装置１
１，４１を受信用ＳＡＷフィルタ装置５９として用い
る。
１１，４１が適用可能なＳＡＷ分波器５１の構成を図１
７に示す。このＳＡＷ分波器５１は，インピーダンス整
合回路５３，分波回路５５，送信用ＳＡＷフィルタ装置
５７，および受信用ＳＡＷフィルタ装置５９を備えてい
る。受信信号の帯域が送信信号の帯域よりも高周波側に
存在する場合（例えば，送信信号の帯域：８２４〜８４
９ＭＨｚ，受信信号の帯域：８６９〜８９４ＭＨｚ），
上述のＳＡＷフィルタ装置１１，４１を送信用ＳＡＷフ
ィルタ装置５７として用いる。逆に，受信信号の帯域が
送信信号の帯域よりも低周波側に存在する場合（例え
ば，ｃｄｍａＯｎｅ），上述のＳＡＷフィルタ装置１
１，４１を受信用ＳＡＷフィルタ装置５９として用い
る。
【００７８】インピーダンス整合回路５３は，アンテナ
端子Ｔａを介して，外部のアンテナ装置６１に接続され
ている。また，インピーダンス整合回路５３は，分波回
路５５を介して，送信用ＳＡＷフィルタ装置５７および
受信用ＳＡＷフィルタ装置５９に接続されている。
端子Ｔａを介して，外部のアンテナ装置６１に接続され
ている。また，インピーダンス整合回路５３は，分波回
路５５を介して，送信用ＳＡＷフィルタ装置５７および
受信用ＳＡＷフィルタ装置５９に接続されている。
【００７９】送信用ＳＡＷフィルタ装置５７は，送信端
子ＴＴｘを介して，外部の送信回路６３に接続されてい
る。受信用ＳＡＷフィルタ装置５９は，受信端子ＴＲｘ
を介して，受信回路６５に接続されている。
子ＴＴｘを介して，外部の送信回路６３に接続されてい
る。受信用ＳＡＷフィルタ装置５９は，受信端子ＴＲｘ
を介して，受信回路６５に接続されている。
【００８０】ＳＡＷフィルタ装置１１，４１が送信用Ｓ
ＡＷフィルタ装置５７または受信用ＳＡＷフィルタ装置
５９として採用された場合，ＳＡＷフィルタ装置１１，
４１には，スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓによる
オープンスタブが備えられているため，ＳＡＷフィルタ
装置１１，４１内部のＳＡＷフィルタ１２とパッケージ
との間のインピーダンス整合のみならず，例えば，送信
用ＳＡＷフィルタ装置５７と送信回路６３との間のイン
ピーダンス整合，受信用ＳＡＷフィルタ装置５９と分波
回路５５との間のインピーダンス整合が容易かつ適切に
調整されることになる。
ＡＷフィルタ装置５７または受信用ＳＡＷフィルタ装置
５９として採用された場合，ＳＡＷフィルタ装置１１，
４１には，スタブ形成用ボンディングワイヤＷｓによる
オープンスタブが備えられているため，ＳＡＷフィルタ
装置１１，４１内部のＳＡＷフィルタ１２とパッケージ
との間のインピーダンス整合のみならず，例えば，送信
用ＳＡＷフィルタ装置５７と送信回路６３との間のイン
ピーダンス整合，受信用ＳＡＷフィルタ装置５９と分波
回路５５との間のインピーダンス整合が容易かつ適切に
調整されることになる。
【００８１】添付図面を参照しながら本発明の好適な実
施の形態について説明したが，本発明はかかる実施の形
態に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に
記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例ま
たは修正例に想到し得ることは明らかであり，それらに
ついても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解
される。
施の形態について説明したが，本発明はかかる実施の形
態に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に
記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例ま
たは修正例に想到し得ることは明らかであり，それらに
ついても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解
される。
【００８２】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
装置規模の増大を最小限に抑えつつ，周波数特性の改
善，特に減衰帯域における信号の減衰量を増加させるこ
とが可能となる。
装置規模の増大を最小限に抑えつつ，周波数特性の改
善，特に減衰帯域における信号の減衰量を増加させるこ
とが可能となる。
【図１】本発明の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタ装
置の構成を示す回路図である。
置の構成を示す回路図である。
【図２】図１のＳＡＷフィルタ装置に備えられたＳＡＷ
フィルタの構成を示す平面図である。
フィルタの構成を示す平面図である。
【図３】図１のＳＡＷフィルタ装置に備えられたパッケ
ージ第３層の構成を示す平面図である。
ージ第３層の構成を示す平面図である。
【図４】図１のＳＡＷフィルタ装置に備えられたパッケ
ージ第３層とパッケージ第４層の構成を示す斜視図であ
る。
ージ第３層とパッケージ第４層の構成を示す斜視図であ
る。
【図５】図２のＳＡＷフィルタと図３のパッケージ第３
層との接続を示す平面図である。
層との接続を示す平面図である。
【図６】ＳＡＷフィルタ装置の周波数特性曲線図（その
１）である。
１）である。
【図７】図６の周波数特性曲線図の拡大図である。
【図８】図２のＳＡＷフィルタに備えられた直列腕共振
器の等価回路図である。
器の等価回路図である。
【図９】ＳＡＷフィルタ装置の周波数特性曲線図（その
２）である。
２）である。
【図１０】ＳＡＷフィルタ装置の周波数特性曲線図（そ
の３）である。
の３）である。
【図１１】ＳＡＷフィルタ装置の周波数特性曲線図（そ
の４）である。
の４）である。
【図１２】ＳＡＷフィルタ装置の周波数特性曲線図（そ
の５）である。
の５）である。
【図１３】ＳＡＷフィルタ装置の周波数特性曲線図（そ
の６）である。
の６）である。
【図１４】図１のＳＡＷフィルタ装置に備えられた他の
ＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。
ＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。
【図１５】本発明の他の実施の形態にかかるＳＡＷフィ
ルタ装置の構成を示す回路図である。
ルタ装置の構成を示す回路図である。
【図１６】ＳＡＷフィルタ装置の周波数特性曲線図（そ
の７）である。
の７）である。
【図１７】図１，１５のＳＡＷフィルタ装置を備えるＳ
ＡＷ分波器の構成を示すブロック図である。
ＡＷ分波器の構成を示すブロック図である。
【図１８】従来のＳＡＷフィルタ装置の構成を示す回路
図である。
図である。
１１：ＳＡＷフィルタ装置
１２：ＳＡＷフィルタ
１３：直列腕
１４：第１並列腕
１５：第２並列腕
２１：パッケージ第３層
２２：パッケージ第４層
３２：ＳＡＷフィルタ
４１：ＳＡＷフィルタ装置
Ｃ＿ＴＰｒ１：第１共通電極
Ｃ＿ＴＰｒ２：第２共通電極
Ｐ１：第１並列腕共振器
Ｐ２：第２並列腕共振器
Ｓ１：直列腕第１共振器
Ｓ２：直列腕第２共振器
Ｓ３：直列腕第３共振器
ＴＦｉ：フィルタ入力端子
ＴＦｏ：フィルタ出力端子
ＴＦｓ：スタブ形成用フィルタ電極
ＴＰ１ｒ１：電極
ＴＰ１ｒ２：電極
ＴＰ２ｒ１：電極
ＴＰ２ｒ２：電極
ＴＰＣｇ１：パッケージ基準電位電極
ＴＰＣｉ：パッケージ入力電極
ＴＰＣｏ：パッケージ出力電極
ＴＰｇ：並列腕基準電位端子
ＴＰｓ：スタブ形成用パッケージ電極
Ｗｇ１：基準電位ボンディングワイヤ
Ｗｉ：入力ボンディングワイヤ
Ｗｏ：出力ボンディングワイヤ
Ｗｓ：スタブ形成用ボンディングワイヤ
Claims (12)
- 【請求項１】 複数の共振器を備えた弾性表面波フィル
タを含む弾性表面波フィルタ装置であって， 前記弾性表面波フィルタに入力される入力信号の入力信
号伝送ラインにおける所定のポイントと，電気的フロー
ティング状態にある電極との間を接続するワイヤを備
え， 前記電気的フローティング状態にある電極は，前記複数
の共振器に備えられた反射器が有する反射器電極のなか
の一つ，または，複数の反射器電極が共通接続されてい
る共通電極である ことを特徴とする，弾性表面波フィル
タ装置。 - 【請求項２】 前記入力信号伝送ラインにおける所定の
ポイントは，前記弾性表面波フィルタの前記入力信号が
入力されるフィルタ入力端子であることを特徴とする，
請求項１に記載の弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項３】 前記入力信号伝送ラインにおける所定の
ポイントは，前記弾性表面波フィルタが組み込まれるパ
ッケージの前記入力信号が入力されるパッケージ入力電
極であることを特徴とする，請求項１に記載の弾性表面
波フィルタ装置。 - 【請求項４】 複数の共振器を備えた弾性表面波フィル
タを含む弾性表面波フィルタ装置であって， 前記弾性表面波フィルタから出力される出力信号の出力
信号伝送ラインにおける所定のポイントと，電気的フロ
ーティング状態にある電極との間を接続するワイヤを備
え， 前記電気的フローティング状態にある電極は，前記複数
の共振器に備えられた反射器が有する反射器電極のなか
の一つ，または，複数の反射器電極が共通接続されてい
る共通電極である ことを特徴とする，弾性表面波フィル
タ装置。 - 【請求項５】 前記出力信号伝送ラインにおける所定の
ポイントは，前記弾性表面波フィルタの前記出力信号が
出力されるフィルタ出力端子であることを特徴とする，
請求項４に記載の弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項６】 前記出力信号伝送ラインにおける所定の
ポイントは，前記弾性表面波フィルタが組み込まれるパ
ッケージの前記出力信号が出力されるパッケージ出力電
極であることを特徴とする，請求項４に記載の弾性表面
波フィルタ装置。 - 【請求項７】 複数の共振器を備えた弾性表面波フィル
タを含む弾性表面波フィルタ装置であって， 前記弾性表面波フィルタに入力される入力信号の入力信
号伝送ラインにおける所定のポイントと，電気的フロー
ティング状態にある電極との間を接続するワイヤを備
え， 前記電気的フローティング状態にある電極は，前記弾性
表面波フィルタが形成される圧電基板上に設けられたス
トリップラインである ことを特徴とする，弾性表面波フ
ィルタ装置。 - 【請求項８】 前記入力信号伝送ラインにおける所定の
ポイントは，前記弾性表面波フィルタの前記入力信号が
入力されるフィルタ入力端子であることを特徴とする，
請求項７に記載の弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項９】 前記入力信号伝送ラインにおける所定の
ポイントは，前記弾性表面波フィルタが組み込まれるパ
ッケージの前記入力信号が入力されるパッケージ入力電
極であることを特徴とする，請求項７に記載の弾性表面
波フィルタ装置。 - 【請求項１０】 複数の共振器を備えた弾性表面波フィ
ルタを含む弾性表面波フィルタ装置であって， 前記弾性表面波フィルタから出力される出力信号の出力
信号伝送ラインにおける所定のポイントと，電気的フロ
ーティング状態にある電極との間を接続するワイヤを備
え， 前記電気的フローティング状態にある電極は，前記弾性
表面波フィルタが形成される圧電基板上に設けられたス
トリップラインであること ことを特徴とする，弾性表面
波フィルタ装置。 - 【請求項１１】 前記出力信号伝送ラインにおける所定
のポイントは，前記弾性表面波フィルタの前記出力信号
が出力されるフィルタ出力端子であることを特徴とす
る，請求項１０に記載の弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項１２】 前記出力信号伝送ラインにおける所定
のポイントは，前記弾性表面波フィルタが組み込まれる
パッケージの前記出力信号が出力されるパッケージ出力
電極であることを特徴とする，請求項１０に記載の弾性
表面波フィルタ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000076584A JP3362727B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 弾性表面波フィルタ装置 |
| US09/805,898 US6480077B2 (en) | 2000-03-17 | 2001-03-15 | Surface acoustic wave filter device having a signal line connected by a wire to a floating electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000076584A JP3362727B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 弾性表面波フィルタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267882A JP2001267882A (ja) | 2001-09-28 |
| JP3362727B2 true JP3362727B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
ID=18594305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000076584A Expired - Fee Related JP3362727B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 弾性表面波フィルタ装置 |
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| JP (1) | JP3362727B2 (ja) |
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| JP2005094593A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| JP2007129459A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Murata Mfg Co Ltd | 多層基板モジュール |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH06334468A (ja) | 1993-03-22 | 1994-12-02 | Canon Inc | 弾性表面波装置、及びそれを用いた通信システム |
| JPH10256869A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分波器における送信用ｓａｗフィルタの構造 |
| JP3227649B2 (ja) * | 1997-08-07 | 2001-11-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
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- 2000-03-17 JP JP2000076584A patent/JP3362727B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2001
- 2001-03-15 US US09/805,898 patent/US6480077B2/en not_active Expired - Lifetime
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