JP3358608B2 - エッチング装置およびエッチング終了検出方法 - Google Patents
エッチング装置およびエッチング終了検出方法Info
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Description
よびエッチング終了検出方法に関し、詳しくは、試料を
載置する試料載置台を内部に有するエッチング反応室に
エッチング原料を供給して前記試料に形成されたエッチ
ング層をエッチングするエッチング装置およびエッチン
グ反応室にエッチング原料を供給して該エッチング反応
室内に配置された試料に形成されたエッチング層をエッ
チングする際の該エッチングの終了を検出するエッチン
グ終了検出方法に関する。
は、エッチング速度に基づいた時間管理によりエッチン
グの終了を判定するものが提案されている。図13は従
来例のエッチング装置220の構成の概略を示す構成図
である。従来例のエッチング装置220は、図示するよ
うに、試料221を載置する試料載置台222を内部に
有するエッチング反応室224を備える。このエッチン
グ反応室224には、第1のエッチング原料としての無
水フッ酸を貯蔵する第1エッチング原料容器240と第
2のエッチング原料としての水を貯蔵する第2エッチン
グ原料容器250とが質量流量計242,252,開閉
バルブ244,254および混合バルブ258を介して
接続されており、所望の混合比で混合された第1のエッ
チング原料と第2のエッチング原料と供給されるように
なっている。また、エッチング反応室224には、バル
ブ262を介し真空ポンプ260も接続されており、エ
ッチング反応室224内部を減圧することができるよう
になっている。
よるエッチングは、まず、真空ポンプ260を駆動して
エッチング反応室224内の圧力をバルブ262により
調節する。そして、開閉バルブ244,254を開成す
ると共に混合バルブ258を開成し、第1エッチング原
料容器240からの無水フッ酸と第2エッチング原料容
器250からの水とを所望の混合比の混合ガスとなるよ
う質量流量計242,252を調節しながらエッチング
反応室224に供給する。この混合ガスの供給によりエ
ッチングが開始される。
エッチング層に対する混合ガスのエッチング速度と、エ
ッチングを行なう試料221のエッチング層とに基づい
てエッチング時間を決定し、エッチングを開始してから
エッチング時間に至ったときに混合バルブ258,開閉
バルブ244,254を閉成してエッチングを終了す
る。
で用いた無水フッ酸と水の混合ガスは、シリコン酸化膜
をエッチングし、多結晶シリコン膜はエッチングしない
特性を有しているから、試料221に形成したシリコン
酸化膜の表面に多結晶シリコン膜で構造体を形成してエ
ッチングすれば、シリコン酸化膜の犠牲層エッチングに
より多結晶シリコンの構造体を分離することができる。
た従来例のエッチング装置220では、エッチングの終
了を予め測定したエッチング速度と試料221のエッチ
ング層とに基づいて求められるエッチング時間によって
決定しているから、試料221のエッチング層の厚みの
バラツキにより必要量以上のエッチングを行なってしま
う部位が生じ、試料221の強度が部分的に低下してし
まう。
ングを行なって試料の強度の部分的な低下を防止するこ
とを目的の一つとする。本発明のエッチング終了検出方
法は、適切なエッチング終了時点を検出することを目的
とする。
発明のエッチング装置およびエッチング終了検出方法
は、上述の目的の少なくとも一部を達成するために以下
の手段を採った。
る試料載置台を内部に有するエッチング反応室にエッチ
ング原料を供給して前記試料に形成されたエッチング層
をエッチングするエッチング装置であって、前記エッチ
ング反応室内の試料載置台上に配置され、前記エッチン
グ層の上に前記エッチングによっては除去されない材料
により薄膜形成された所定形状の振動子を有する振動子
形成部材に形成された振動子の振動の状態を検出する振
動状態検出手段と、該振動子形成部材に前記振動子の固
有振動数の振動を印加する加振手段と、前記エッチング
層のエッチング中において検出された振動子の振動の状
態に基づいてエッチングの終了を判定する終了判定手段
とを備えることを要旨とする。
ング層の上にエッチングによっては除去されない材料に
より薄膜形成された所定形状の振動子を有する振動子形
成部材を加振手段により所定の振動を印加している状態
で試料と共にエッチングを行なう。そして、終了判定手
段が、振動状態検出手段により検出される振動子形成部
材に形成された振動子の振動の状態に基づいてエッチン
グの終了を判定する。振動子形成部材に形成された振動
子は、エッチングにより下層のエッチング層が除去され
ると振動子形成部材に対する振動が可能な状態となる。
加振手段により印加する所定の振動をこの振動子の固有
振動数とすれば、振動子は振動子形成部材と共に振動し
ていた状態から振動子形成部材に対して振動を行なう状
態へ変化する。振動子が振動子形成部材に対して振動す
る状態になるまでの時間は、振動子の下層のエッチング
層をエッチングによって除去するのに必要な時間であ
り、振動子の形状によって異なるものとなる。即ち、振
動子の形状を考慮することにより、所望のタイミングで
振動子が振動子形成部材に対して振動するようにするこ
とができる。振動子の振動子形成部材に対する振動の開
始をエッチング終了時となるよう振動子の形状を調製す
れば、適切なエッチング終了時に振動子が振動子形成部
材に対して振動するから、これを振動状態検出手段によ
り検出して終了判定を行なうことにより、適切な時点で
エッチングを終了することができる。この結果、エッチ
ング層のバラツキや時間管理の不適切さなどに基づく試
料の部分的または全体的な強度の低下を防止することが
できる。
て、前記所定形状の振動子は、一端が振動子形成部材に
固定されたビームと、該ビームの自由端に形成され複数
の貫通孔を有するマスとからなるものとすることもでき
る。この態様の本発明のエッチング装置において、前記
所定形状の振動子は、前記ビームの幅がエッチング量の
略2倍であり、前記マスの対角に位置する貫通孔の間隔
が前記ビームの幅以下であり、前記マスの外縁から各貫
通孔までの距離が前記ビームの幅以下であるものとする
こともできる。こうすれば、ビームの下層のエッチング
層がエッチングにより除去されたときに振動子が振動子
形成部材に対して振動するようにすることができ、エッ
チング終了時をより正確に適切に判定することができ
る。
前記加振手段は、前記振動子の固有振動数の振動を印加
する手段であるものとすることもできる。こうすれば、
振動子の振動子形成部材に対する振動を適切に行なうこ
とができ、エッチング終了時をより適切に正確に判定す
ることができる。
て、前記振動状態検出手段は前記エッチング層の上に形
成された振動子の振動の状態と前記エッチングにより該
エッチング層が除去された状態における該振動子の振動
の状態とを異なる状態として検出する手段であり、前記
終了判定手段は前記振動状態検出手段が前記エッチング
層が除去された状態における前記振動子の振動の状態を
検出したときにエッチングの終了を判定する手段である
ものとすることもできる。
て、前記振動子形成部材は前記試料の一部に形成され、
前記加振手段は前記試料載置台に振動を印加する手段で
あるものとすることもできる。こうすれば、振動子形成
部材を試料と別個に形成する必要がなく、試料に応じた
ものとすることができる。この態様の本発明のエッチン
グ装置において、前記エッチング反応室は前記試料載置
台に対向する部位に形成された透明窓を有し、前記振動
状態検出手段は前記エッチング反応室の透過窓を介して
前記振動子の振動状態を検出する手段であるものとする
こともできる。
チング反応室にエッチング原料を供給して該エッチング
反応室内に配置された試料に形成されたエッチング層を
エッチングする際の該エッチングの終了を検出するエッ
チング終了検出方法であって、前記エッチング層の上に
前記エッチングによっては除去されない材料により薄膜
形成された所定形状の振動子を有する振動子形成部材を
前記試料と共に前記エッチング反応室に配置すると共に
該振動子形成部材に所定の振動を印加した状態で前記エ
ッチングを行なうエッチング工程と、前記振動子の下層
のエッチング層が前記エッチングにより除去され、該振
動子が前記エッチング層から開放された状態で振動を開
始したときにエッチングの終了を検出するエッチング終
了検出工程とを備えることを要旨とする。
れば、エッチングの終了をより適切に正確に検出するこ
とができる。エッチングの終了が検出できる原理につい
ては、本発明のエッチング装置におけるエッチングの終
了の判定の原理と同様である。即ち、振動子の振動子形
成部材に対する振動の開始をエッチング終了時となるよ
う振動子の形状を調製して適切なエッチング終了時に振
動子が振動子形成部材に対して振動するようにし、振動
子の振動子形成部材に対する振動を検出してエッチング
の終了を検出するのである。
において、前記所定形状の振動子は、一端が振動子形成
部材に固定されたビームと、該ビームの自由端に形成さ
れ複数の貫通孔を有するマスとからなり、前記ビームの
幅はエッチング量の略2倍であり、前記マスの対角に位
置する貫通孔の間隔は前記ビームの幅以下であり、前記
マスの外縁から各貫通孔までの距離は前記ビームの幅以
下であるものとすることもできる。こうすれば、ビーム
の下層のエッチング層がエッチングにより除去されたと
きに振動子が振動子形成部材に対して振動するようにす
ることができ、エッチングの終了をより正確に適切に検
出することができる。
おいて、前記振動子形成部材は前記試料の一部として形
成されてなるものとすることもできる。こうすれば、振
動子形成部材を試料と別個に形成する必要がなく、試料
に応じたものとすることができ、試料に応じたエッチン
グの終了をより適切に検出することができる。
例を用いて説明する。図1は、本発明の一実施例である
エッチング装置20の構成の概略を示す構成図である。
実施例のエッチング装置20は、図示するように、試料
21を載置する試料載置台22を内部に有するエッチン
グ反応室24を備える。このエッチング反応室24に
は、第1のエッチング原料としての無水フッ酸を貯蔵す
る第1エッチング原料容器40と第2のエッチング原料
としてのメチルアルコールを貯蔵する第2エッチング原
料容器50とが質量流量計42,52,開閉バルブ4
4,54および混合バルブ58を介して接続されてお
り、所望の混合比で混合された第1のエッチング原料と
第2のエッチング原料とが供給されるようになってい
る。また、エッチング反応室24には、バルブ62を介
し真空ポンプ60も接続されており、エッチング反応室
24内部を減圧することができるようになっている。な
お、無水フッ酸とメチルアルコールとからなる混合ガス
によるエッチングは、シリコン酸化膜に対して行なわ
れ、その反応式は次式(1)および式(2)で表わされ
る。なお、式(1)および式(2)中の「M」はメチル
アルコールを表わす。
てエッチング反応室24の外部に配置された加振器26
に接続されており、加振器26によって水平方向に振動
が印加されるようになっている。なお、振動伝達棒27
は封止材28によりエッチング反応室24に密着されて
おり、エッチング反応室24の気密性が保たれるように
なっている。
対向する部位、即ち図1における試料載置台22の上部
にはエッチング原料(無水フッ酸とメチルアルコールと
の混合ガス)に浸食されない材料(例えば、フッ化カル
シウムCaF2)により形成された透過窓25が設けら
れている。そして、この透過窓25の上部には、試料載
置台22に載置された試料21を透過窓25を介して検
知可能に変位計30が取り付けられている。変位計30
は、波長0.633μmのHe−Neレーザーを用いて
試料21に形成された部材の変位を検出する。なお、こ
の変位計30が用いるレーザーは前述のフッ化カルシウ
ムにより形成された透過窓25を透過率90%以上で透
過するから、透過窓25を介しての検出であっても十分
な検出精度を得ることができる。
2に出力するようになっており、信号解析部32は変位
計30により検出された信号に基づいてエッチング終了
を解析し、混合バルブ58を制御する。信号解析部32
の具体的なハード構成としては、CPUを中心に構成さ
れたマイクロプロセッサであり、CPUの他に処理プロ
グラムを記憶するROMやデータの一時的な記憶を行な
うRAM,入出力ポートなどを備える。
大斜視図である。試料21は、シリコンウエハの基板上
に半導体製造技術を用いて複数のセンサ素子68を形成
している最中のものであり、その一部に振動子形成部7
0が形成されている。図3は振動子形成部70の外観を
拡大して示す拡大斜視図であり、図4は振動子形成部7
0の平面図である。また、図5は図3の振動子形成部7
0をA−B面で切断した際の断面図であり、図6は図3
の振動子形成部70をC−D面で切断した際の断面図で
ある。図3および図4に示すように、振動子形成部70
には、その表面にビーム72とマス74とからなる振動
子71が形成されている。図5および図6に示すよう
に、振動子71は、基板80の表面にエッチング原料に
よりエッチングされる材料としてのシリコン酸化膜によ
り形成された犠牲層82の上にエッチング原料によって
はエッチングされない材料としての多結晶シリコン膜に
より構造体形成層84として形成されている。即ち、振
動子71は、基板80の表面に形成された犠牲層82と
構造体形成層84のうちの構造体形成層84の一部(開
口部86)を開口して形成するのである。
列された複数のエッチング孔76が形成されており、こ
のエッチング孔76を用いてマス74の下層の犠牲層8
2のエッチングが可能になっている。振動子71のビー
ム72の幅aは、エッチング量(横方向のエッチング
量)の2倍の幅に形成されており、マス74の対角に位
置するエッチング孔76間の距離bはこのビーム72の
幅aより若干短く形成されている。また、マス74の角
に位置するエッチング孔76とマス74の角との距離c
もビーム72の幅aより若干短く形成されている。この
ように振動子71を形成する理由は次のとおりである。
このエッチング装置20によるエッチングは等方性のド
ライエッチングであるから、エッチングが開始されると
開口部86により表面に露出した犠牲層82は、下方向
にエッチングされると共に横方向にもエッチングされ
る。いま、エッチングしたい量、即ちエッチングにより
除去したい犠牲層82の長さをエッチング量dとすると
共にビーム72の幅aをエッチング量dの2倍に等しく
すれば、ビーム72の下層の犠牲層82は両サイドから
横方向にもエッチングが行なわれることから、エッチン
グ量dだけエッチングが行なわれたときに、ビーム72
の下層の犠牲層82がエッチングにより除去されてビー
ム72が犠牲層82から開放されるようになる。同様
に、マス74における距離bと距離cとをエッチング量
aの2倍に等しくすれば、エッチング量dだけエッチン
グが行なわれたときに、マス74の下層の犠牲層82が
エッチングにより除去されてマス74が犠牲層82から
開放される。したがって、ビーム72の幅aと距離bと
距離cとをエッチング量dの2倍に等しくすれば、エッ
チング量dだけエッチングが行なわれたときに、振動子
71は、下層の犠牲層82から完全に開放されて、振動
子形成部70に対して横方向に振動が可能になる。な
お、振動子71の振動のタイミングは、マス74が開放
された後にビーム72が開放されるように距離bや距離
cをビーム72の幅aより若干短く形成しても同じであ
るから、実施例では、製造誤差を考慮して距離bや距離
cをビーム72の幅aより若干短く形成しているのであ
る。
ング装置20の動作について説明する。図7は、実施例
のエッチング装置20によるエッチング処理の様子を例
示す工程図である。実施例のエッチング装置20による
エッチング処理では、まず、試料21を試料載置台22
に載置し(工程S1)、試料21に形成された振動子形
成部70の振動子71のマス74の変位検出面75に変
位計30からのレーザー光が照射されるよう変位計30
の位置を調節する(工程S2)。続いて、振動子71の
固有振動数で振幅が振動子71のマス74の変位検出面
75の一辺の長さより小さく振動子71の振動方向と同
方向の振動が試料載置台22に印加されるよう加振器2
6による振動の印加と変位計30による振動子71の振
動の状態の検出とを開始する(工程S3,S4)。振動
の振幅をマス74の変位検出面75の一辺より小さくす
るのは、振動子71が振動子形成部70と共に振動する
ときに変位計30からのレーザー光がマス74の変位検
出面75からズレないようにするためである。実施例で
は、レーザー光のスポット径が50μmの変位計30を
用い、変位検出面75の一辺を200μmで形成し、振
動の振幅を40〜70μm程度となるように調節した。
また、振動子71の振動方向は、図3および図4におい
て横方向である。
ング反応室24内の圧力をバルブ62により調節し、開
閉バルブ44,54を開成すると共に混合バルブ58を
開成し、第1エッチング原料容器40からの無水フッ酸
と第2エッチング原料容器50からのメチルアルコール
とを所定の混合比の混合ガスとなるよう質量流量計4
2,52を調節しながらエッチング反応室24に供給し
てエッチングを開始する(工程S5)。エッチングが開
始されると、供給された混合ガスによりエッチング層と
しての犠牲層82のエッチングが開始され、振動子71
でも図8(a)〜(c)に順次例示するように犠牲層8
2がエッチングにより除去される。
の幅aはエッチング量dの2倍に等しく形成されてお
り、マス74の距離bや距離cはビーム72の幅aより
若干短く形成されているから、マス74はエッチング量
dだけエッチングされる少し前に下層の犠牲層82から
開放され、ビーム72はエッチング量dだけエッチング
されたときに下層の犠牲層82から開放されて、振動子
71が振動子形成部70に対して振動するようになる。
図9はエッチングが開始された直後の振動子形成部70
における振動子71の状態を示す説明図であり、図10
はエッチング終了時の振動子形成部70における振動子
71の状態を示す説明図である。なお、図9および図1
0における下部に記載された矢印は加振器26による印
加される振動の振幅方向を表わす。図9に示すように、
エッチングが開始されてから振動子71のビーム72が
下層の犠牲層82から開放されるまでは、加振器26に
よる振動の印加にも拘わらず変位計30からのレーザー
光はマス74の変位検出面75から外れない。しかし、
エッチング量dだけエッチングされたときには、振動子
71のビーム72が下層の犠牲層82から開放されて振
動子71が振動子形成部70に対して振動するようにな
るから、図10に示すように、変位計30からのレーザ
ー光はマス74の変位検出面75から周期的にズレるよ
うになる。図11に変位計30により検出される変位量
の時間変化の一例を示す。図中実線Aは振動子71が振
動子形成部70に対して振動していない状態(即ち図9
における振動子71の状態)において変位計30により
検出される変位量の時間変化であり、破線Bは振動子7
1が振動子形成部70に対して振動している状態(即ち
図10における振動子71の状態)において変位計30
により検出される変位量の時間変化である。
における実線Aの変位量の時間変化の状態から破線Bの
変位量の時間変化の状態に至ったときに信号解析部32
によりエッチングの終了を判定し(工程S6)、信号解
析部32から混合バルブ58へ駆動信号を出力すること
により混合バルブ58を閉成してエッチング原料の供給
を停止して(工程S7)、エッチングを完了する。
によれば、エッチング量dに基づいて形成された振動子
71の振動状態の検出によってエッチングの終了時を検
出する方法を用いることにより、より適切に正確にエッ
チングの終了時を検出することができ、エッチングを終
了することができる。この結果、試料21を過剰にエッ
チングすることを防止することができると共に過剰なエ
ッチングによる試料21の強度の低下を防止することが
できる。しかも、振動子71を有する振動子形成部70
を試料21の一部に形成したから、振動子71を試料2
1に応じたものとすることができ、より正確にエッチン
グの終了時を検出することができる。
ング原料として無水フッ酸とメチルアルコールとの混合
ガスを用い、連続的にエッチングしたが、他のエッチン
グ原料を用いるものとしてもよく、また、連続的でない
パルスエッチング法を用いるものとしてもよい。例えば
エッチング原料としてフッ化キセノンXeF2を用いて
パルスエッチング法によりエッチングを行なう装置とし
ては図12に例示する変形例としてのエッチング装置2
0Bがある。変形例のエッチング装置20Bは、第1エ
ッチング原料容器40や第2エッチング原料容器50に
代えて、フッ化キセノンを貯蔵するエッチング原料容器
40Bと、開閉バルブ44Bを介してエッチング原料容
器40Bに接続されると共に開閉バルブ58Bを介して
エッチング反応室24に接続された昇華容器50Bとを
備えると共に開閉バルブ58Bやバルブ62の開閉を制
御するバルブ制御部34を備える。変形例のエッチング
装置20Bにおけるエッチング反応室24の透過窓25
Bは、エッチング原料としてのフッ化キセノンに浸食さ
れないパイレックスガラスにより形成されている。な
お、フッ化キセノンによるエッチングは、シリコン膜に
対して行なわれ、その反応式は次式(3)で表わされ
る。
用いる試料21Bは、エッチング層としての犠牲層82
はエッチング可能なシリコン膜(多結晶シリコン膜を含
む)であり、構造体形成層84はフッ化キセノンではエ
ッチングされないシリコン窒化膜である。即ち、振動子
形成部70では、振動子71を多結晶シリコン膜の表面
に形成されたシリコン窒化膜で形成すればよい。なお、
変形例のエッチング装置20Bでは、シリコン窒化膜が
透明材料であるために、変位計30により振動子71の
振動子形成部70に対する振動を検出する必要から、変
位検出面75の表面に厚さ50nmのアルミニウム膜を
成膜した。
ッチングは次の手順で行なわれる。まず、試料21Bを
試料載置台22に載置し、試料21Bに形成された振動
子形成部70の振動子71のマス74の変位検出面75
に変位計30からのレーザー光が照射されるよう変位計
30の位置を調節し、振動子71の固有振動数で振幅が
振動子71のマス74の変位検出面75の一辺の長さよ
り小さく振動子71の振動方向と同方向の振動が試料載
置台22に印加されるよう加振器26による振動の印加
と変位計30による振動子71の振動の状態の検出とを
開始する。これと同時に開閉バルブ44Bを開成してエ
ッチング原料容器40Bに充填されているフッ化キセノ
ンを昇華させて昇華容器50Bに充満させる。続いて、
真空ポンプ60を駆動すると共にバルブ62を開成して
エッチング反応室24を減圧し、バルブ62および開閉
バルブ44Bを閉成する。次に、開閉バルブ58Bを開
成してエッチング反応室24にフッ化キセノンを一定量
供給したら開閉バルブ58Bを閉成する。一定時間経過
したら、バルブ62を開成して未反応のフッ化キセノン
や反応生成物を排出し、排出が終了したらバルブ62を
閉成して開閉バルブ58Bを開成し、再び一定量のフッ
化キセノンをエッチング反応室24に供給する。こうし
た処理を振動子71が振動子形成部70に対して振動す
るまで繰り返す。
も、振動子71が振動子形成部70に対して振動を開始
したときにエッチングの終了を判定することができ、エ
ッチングを終了することができるから、実施例のエッチ
ング装置20と同様の効果を奏することができる。
ッチング装置20Bでは、振動子形成部70を試料21
の一部に形成したが、試料21とは別体として形成する
ものとしてもよい。この場合、加振器26による振動の
印加は、試料21とは別体として形成された振動子形成
部70に対して行なえばよい。
ッチング装置20Bでは、振動子71をビーム72と矩
形形状のマス74とにより構成したが、マス74の形状
は如何なるものであっても差し支えない。もとよりエッ
チング孔76の形状も矩形である必要はなく、如何なる
形状であっても差し支えない。
を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何等限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論であ
る。
の構成の概略を示す構成図である。
ある。
である。
で切断した際の断面図である。
で切断した際の断面図である。
グ処理の様子を例示す工程図である。
エッチングされている様子を説明する説明図である。
70における振動子71の状態を示す説明図である。
ける振動子71の状態を示す説明図である。
変化の一例を例す説明図である。
略を示す構成図である。
略を示す構成図である。
試料、22,222試料載置台、24,224 エッ
チング反応室、25,25B 透過窓、30変位計、3
2 信号解析部、34 バルブ制御部、40,240
第1エッチング原料容器、40B エッチング原料容
器、42,52,242,252 質量流量計、44,
44B,54,244,254 開閉バルブ、50,2
50第2エッチング原料容器、50B 昇華容器、5
8,258 混合バルブ、58B 開閉バルブ、60,
260 真空ポンプ、62,262 バルブ。
Claims (10)
- 【請求項1】 試料を載置する試料載置台を内部に有す
るエッチング反応室にエッチング原料を供給して前記試
料に形成されたエッチング層をエッチングするエッチン
グ装置であって、 前記エッチング反応室内の試料載置台上に配置され、前
記エッチング層の上に前記エッチングによっては除去さ
れない材料により薄膜形成された所定形状の振動子を有
する振動子形成部材に形成された振動子の振動の状態を
検出する振動状態検出手段と、 該振動子形成部材に前記振動子の固有振動数の振動を印
加する加振手段と、前記エッチング層のエッチング中において 検出された振
動子の振動の状態に基づいてエッチングの終了を判定す
る終了判定手段と、 を備えるエッチング装置。 - 【請求項2】 試料を載置する試料載置台を内部に有す
るエッチング反応室にエッチング原料を供給して前記試
料に形成されたエッチング層をエッチングするエッチン
グ装置であって、 前記エッチング反応室内の試料載置台上に配置され、前
記エッチング層の上に前記エッチングによっては除去さ
れない材料により薄膜形成された所定形状の振動子を有
する振動子形成部材に形成された振動子の振動の状態を
検出する振動状態検出手段と、 該振動子形成部材に所定の振動を印加する加振手段と、 前記エッチング層のエッチング中において検出された振
動子の振動の状態に基づいてエッチングの終了を判定す
る終了判定手段と、 を備え、 前記所定形状の振動子は、一端が振動子形成部材に固定
されたビームと、該ビームの自由端に形成され複数の貫
通孔を有するマスとを含むエッチング装置。 - 【請求項3】 前記所定形状の振動子は、前記ビームの
幅がエッチング量の略2倍であり、前記マスの対角に位
置する貫通孔の間隔が前記ビームの幅以下であり、前記
マスの外縁から各貫通孔までの距離が前記ビームの幅以
下である請求項2記載のエッチング装置。 - 【請求項4】 前記加振手段は、前記振動子の固有振動
数の振動を印加する手段である請求項2または3に記載
のエッチング装置。 - 【請求項5】 請求項1ないし4いずれか記載のエッチ
ング装置であって、 前記振動状態検出手段は、前記エッチング層の上に形成
された振動子の振動の状態と、前記エッチングにより該
エッチング層が除去された状態における該振動子の振動
の状態とを異なる状態として検出する手段であり、 前記終了判定手段は、前記振動状態検出手段が前記エッ
チング層が除去された状態における前記振動子の振動の
状態を検出したとき、エッチングの終了を判定する手段
であるエッチング装置。 - 【請求項6】 請求項1ないし5いずれか記載のエッチ
ング装置であって、 前記振動子形成部材は、前記試料の一部に形成され、 前記加振手段は、前記試料載置台に振動を印加する手段
であるエッチング装置。 - 【請求項7】 請求項6記載のエッチング装置であっ
て、 前記エッチング反応室は、前記試料載置台に対向する部
位に形成された透明窓を有し、 前記振動状態検出手段は、前記エッチング反応室の透明
窓を介して前記振動子の振動状態を検出する手段である
エッチング装置。 - 【請求項8】 エッチング反応室にエッチング原料を供
給して該エッチング反応室内に配置された試料に形成さ
れたエッチング層をエッチングする際の該エッチングの
終了を検出するエッチング終了検出方法であって、 前記エッチング層の上に前記エッチングによっては除去
されない材料により薄膜形成された所定形状の振動子を
有する振動子形成部材を前記試料と共に前記エッチング
反応室に配置すると共に該振動子形成部材に前記振動子
の固有振動数の振動を印加した状態で前記エッチングを
行なうエッチング工程と、 前記振動子の下層のエッチング層が前記エッチングによ
り除去され、該振動子が前記エッチング層から開放され
た状態で振動を開始したときにエッチングの終了を検出
するエッチング終了検出工程と、 を備えるエッチング終了検出方法。 - 【請求項9】 エッチング反応室にエッチング原料を供
給して該エッチング反応室内に配置された試料に形成さ
れたエッチング層をエッチングする際の該エッチングの
終了を検出するエッチング終了検出方法であって、 前記エッチング層の上に前記エッチングによっては除去
されない材料により薄膜形成された所定形状の振動子を
有する振動子形成部材を前記試料と共に前記エッチング
反応室に配置すると共に該振動子形成部材に所定の振動
を印加した状態で前記エッチングを行なうエッチング工
程と、 前記振動子の下層のエッチング層が前記エッチングによ
り除去され、該振動子が前記エッチング層から開放され
た状態で振動を開始したときにエッチングの終了を検出
するエッチング終了検出工程と、 を備え、 前記所定形状の振動子は、一端が振動子形成部材に固定
されたビームと、該ビームの自由端に形成され複数の貫
通孔を有するマスとからなり、前記ビームの幅はエッチ
ング量の略2倍であり、前記マスの対角に位置する貫通
孔の間隔は前記ビームの幅以下であり、前記マスの外縁
から各貫通孔までの距離は前記ビームの幅以下であるエ
ッチング終了検出方法。 - 【請求項10】 前記振動子形成部材は前記試料の一部
として形成されてなる請求項8または9記載のエッチン
グ終了検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36722499A JP3358608B2 (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | エッチング装置およびエッチング終了検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP36722499A JP3358608B2 (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | エッチング装置およびエッチング終了検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001185530A JP2001185530A (ja) | 2001-07-06 |
JP3358608B2 true JP3358608B2 (ja) | 2002-12-24 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP36722499A Expired - Fee Related JP3358608B2 (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | エッチング装置およびエッチング終了検出方法 |
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004126503A (ja) * | 2002-03-28 | 2004-04-22 | Nikon Corp | マイクロアクチュエータ及びこれを用いた光スイッチ |
US20060176487A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-08-10 | William Cummings | Process control monitors for interferometric modulators |
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EP2202197B1 (en) * | 2008-12-29 | 2014-03-05 | Imec | Method for testing MEMS devices |
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-
1999
- 1999-12-24 JP JP36722499A patent/JP3358608B2/ja not_active Expired - Fee Related
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