JP3358203B2 - 半導体超微粒子の製造方法 - Google Patents
半導体超微粒子の製造方法Info
- Publication number
- JP3358203B2 JP3358203B2 JP06328292A JP6328292A JP3358203B2 JP 3358203 B2 JP3358203 B2 JP 3358203B2 JP 06328292 A JP06328292 A JP 06328292A JP 6328292 A JP6328292 A JP 6328292A JP 3358203 B2 JP3358203 B2 JP 3358203B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultrafine particles
- particle size
- semiconductor
- particles
- ultrafine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Glanulating (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、粒径分布のバラツキの
小さい半導体超微粒子の製造方法に関する。
小さい半導体超微粒子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】超微粒子はバルクの持つ性質とは異なっ
た性質を持つことが知られており、機能性材料としての
応用が期待されている。例えばＣｄＳなどの化合物半導
体超微粒子は、粒径が小さくなるにしたがってバンド構
造が離散化し、吸収端の高エネルギ側へのシフト等いわ
ゆる量子サイズ効果が生じる（例えば A.J. Nozic eta
l., J.Phys. Chem., 89, 397 (1987)）。またこのよう
な量子サイズ効果を有する材料は、大きな非線形光学効
果を持つことも知られており、超高速の光スイッチや光
論理素子等の非線形光学効果を用いた光制御素子への応
用が期待されている。
た性質を持つことが知られており、機能性材料としての
応用が期待されている。例えばＣｄＳなどの化合物半導
体超微粒子は、粒径が小さくなるにしたがってバンド構
造が離散化し、吸収端の高エネルギ側へのシフト等いわ
ゆる量子サイズ効果が生じる（例えば A.J. Nozic eta
l., J.Phys. Chem., 89, 397 (1987)）。またこのよう
な量子サイズ効果を有する材料は、大きな非線形光学効
果を持つことも知られており、超高速の光スイッチや光
論理素子等の非線形光学効果を用いた光制御素子への応
用が期待されている。
【０００３】半導体超微粒子の製造方法として古くから
酸化還元反応を用いたコロイド分散系が知られている。
例えばＣｄＳの場合、Ｃｄ（ＣｌＯ4）2溶液にＮａ2Ｓ
溶液を加えると酸化還元反応が生じてＣｄＳ分散系が得
られる（例えば R.Rossetti et al., J.Chem. Phys. 8
2, 552 (1985))。その超微粒子の粒径は作製条件によっ
て異なるが、直径１０ｎｍ以下のコロイド粒子を容易に
作製することができる。
酸化還元反応を用いたコロイド分散系が知られている。
例えばＣｄＳの場合、Ｃｄ（ＣｌＯ4）2溶液にＮａ2Ｓ
溶液を加えると酸化還元反応が生じてＣｄＳ分散系が得
られる（例えば R.Rossetti et al., J.Chem. Phys. 8
2, 552 (1985))。その超微粒子の粒径は作製条件によっ
て異なるが、直径１０ｎｍ以下のコロイド粒子を容易に
作製することができる。
【０００４】半導体超微粒子の他の製造方法としてガス
中蒸発法が知られている。これはＡｒ等の不活性ガス雰
囲気中で物質を加熱蒸発させると、その蒸気が雰囲気ガ
ス分子と衝突して運動エネルギを失い、かつ急冷される
ために超微粒子を形成する。粒子の大きさは蒸発源から
の距離に依存して変化し、蒸着源付近で捕集すると小さ
な粒径の超微粒子が得られる。
中蒸発法が知られている。これはＡｒ等の不活性ガス雰
囲気中で物質を加熱蒸発させると、その蒸気が雰囲気ガ
ス分子と衝突して運動エネルギを失い、かつ急冷される
ために超微粒子を形成する。粒子の大きさは蒸発源から
の距離に依存して変化し、蒸着源付近で捕集すると小さ
な粒径の超微粒子が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
いずれの製造方法においても熱的あるいは化学的に平衡
な反応過程を利用して超微粒子を製造しているために、
製造された超微粒子は必然的に粒径の分布のバラツキが
大きいという欠点があり、この粒径の分布のバラツキ
は、原理的なものであるから、製造条件を厳密にコント
ロールするだけでは完全に小さくすることはできない。
この粒径の分布のバラツキは例えば超微粒子を非線形光
学材料として応用した場合に以下のような影響をおよぼ
す。
いずれの製造方法においても熱的あるいは化学的に平衡
な反応過程を利用して超微粒子を製造しているために、
製造された超微粒子は必然的に粒径の分布のバラツキが
大きいという欠点があり、この粒径の分布のバラツキ
は、原理的なものであるから、製造条件を厳密にコント
ロールするだけでは完全に小さくすることはできない。
この粒径の分布のバラツキは例えば超微粒子を非線形光
学材料として応用した場合に以下のような影響をおよぼ
す。
【０００６】非線形光学材料として半導体超微粒子を用
いる場合、非線形性の大きさは使用する光の波長と半導
体超微粒子の粒径に密接に関係しており、あるエネルギ
ーの光に対して非線形性が最も大きくなる粒径（最適な
粒径）が存在する。したがって、目的とする光の波長に
おいて非線形性の大きな材料を得るためには、超微粒子
の平均粒径を最適な粒径にするだけでなく、粒径の分布
のバラツキも抑える必要がある。特に最適な粒径よりも
大きな粒径を持つ微粒子では、量子サイズ効果によりそ
の光学吸収端が最適な粒径を持つ微粒子のそれよりも低
エネルギー側にシフトしているために、使用する光の波
長における吸収係数を増加させ、その結果として実効的
な非線形性の大きさを減少させる。以上の様に超微粒子
の粒径の分布のバラツキはできるだけ小さい方が望し
く、特に平均粒径よりも大きな粒径を持つ微粒子を取り
除くことは例えば実効的な非線形性を増加させるといっ
た応用面からみて非常に大切な問題である。
いる場合、非線形性の大きさは使用する光の波長と半導
体超微粒子の粒径に密接に関係しており、あるエネルギ
ーの光に対して非線形性が最も大きくなる粒径（最適な
粒径）が存在する。したがって、目的とする光の波長に
おいて非線形性の大きな材料を得るためには、超微粒子
の平均粒径を最適な粒径にするだけでなく、粒径の分布
のバラツキも抑える必要がある。特に最適な粒径よりも
大きな粒径を持つ微粒子では、量子サイズ効果によりそ
の光学吸収端が最適な粒径を持つ微粒子のそれよりも低
エネルギー側にシフトしているために、使用する光の波
長における吸収係数を増加させ、その結果として実効的
な非線形性の大きさを減少させる。以上の様に超微粒子
の粒径の分布のバラツキはできるだけ小さい方が望し
く、特に平均粒径よりも大きな粒径を持つ微粒子を取り
除くことは例えば実効的な非線形性を増加させるといっ
た応用面からみて非常に大切な問題である。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決し、超微
粒子の粒径分布のバラツキを小さくし、単位超微粒子濃
度当りの光学非線形性を増加することのできる半導体超
微粒子の製造方法を提供することを目的とする。
粒子の粒径分布のバラツキを小さくし、単位超微粒子濃
度当りの光学非線形性を増加することのできる半導体超
微粒子の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体超微粒
子の製造方法は、数１０ｎｍ以下の様々な粒径を持つ半
導体超微粒子の分散状態において、粒径によりその光学
吸収端が違うことを利用して、ある特定の波長の光を吸
収する微粒子のみを光照射によって再蒸発させることに
より、粒径分布のバラツキを小さくすることを特徴とす
る。
子の製造方法は、数１０ｎｍ以下の様々な粒径を持つ半
導体超微粒子の分散状態において、粒径によりその光学
吸収端が違うことを利用して、ある特定の波長の光を吸
収する微粒子のみを光照射によって再蒸発させることに
より、粒径分布のバラツキを小さくすることを特徴とす
る。
【０００９】本発明は粒径に分布を持つ半導体超微粒子
の分散状態において、単一波長でパワーの大きい光を照
射することにより粒径の大きい超微粒子を選択的に蒸発
させ、超微粒子が元来持っていた粒径分布のバラツキよ
りも小さな粒径分布のバラツキを持つ半導体超微粒子を
得る。
の分散状態において、単一波長でパワーの大きい光を照
射することにより粒径の大きい超微粒子を選択的に蒸発
させ、超微粒子が元来持っていた粒径分布のバラツキよ
りも小さな粒径分布のバラツキを持つ半導体超微粒子を
得る。
【００１０】図２により本発明の原理を説明する。図２
は本発明の原理を説明するための模式図であって、
（ａ）は半導体超微粒子の粒径分布の例を示し、（ｂ）
は半導体超微粒子の粒径と光学吸収端の関係を（矢印は
単色光源のエネルギーの例を示す）示し、（ｃ）は本発
明による製造方法により製造した場合の超微粒子の粒径
分布の例を示す。
は本発明の原理を説明するための模式図であって、
（ａ）は半導体超微粒子の粒径分布の例を示し、（ｂ）
は半導体超微粒子の粒径と光学吸収端の関係を（矢印は
単色光源のエネルギーの例を示す）示し、（ｃ）は本発
明による製造方法により製造した場合の超微粒子の粒径
分布の例を示す。
【００１１】バルクの半導体にある波長の（あるエネル
ギーの）光を照射したとき、光のエネルギーがその半導
体の光学吸収端のエネルギーよりも大きければ吸収され
る。特殊な化合物を除き、吸収されたエネルギーのうち
大部分は熱エネルギーとなり半導体の温度を上昇させ
る。光のパワーが十分に大きい場合には、半導体はその
融点以上にまで加熱されるので半導体は蒸発する。一
方、粒径が極めて小さな粒子においては量子サイズ効果
によりそれぞれの微粒子で光学吸収端が変化しているの
で、照射する光の波長をうまく選べば粒径の大きな微粒
子のみに選択的に光を吸収させることができる。たとえ
ば、図２（ａ）の様な粒径分布を持つ半導体超微粒子を
考える。図２（ｂ）に示すように、その量子サイズ効果
により光学吸収端は粒径が小さくなるにしたがって高エ
ネルギー側にシフトする。この半導体超微粒子に適当な
エネルギー（図２（ｂ）中の矢印）を持つ光を照射した
場合は、その光を吸収する超微粒子と吸収しない超微粒
子が存在する。（図２（ａ）で斜線で示した範囲の粒子
は光を吸収する。）光のパワーが大きいときには、バル
クと同様に半導体の蒸発が起きるが、その蒸発が起きる
のは光を吸収した超微粒子（粒径の大きい超微粒子、図
２（ａ）の斜線部分）のみである。したがって、図２
（ｃ）に示すように、光照射後は粒径の大きい超微粒子
が蒸発した分だけ、粒径分布のバラツキが抑えられてい
る。
ギーの）光を照射したとき、光のエネルギーがその半導
体の光学吸収端のエネルギーよりも大きければ吸収され
る。特殊な化合物を除き、吸収されたエネルギーのうち
大部分は熱エネルギーとなり半導体の温度を上昇させ
る。光のパワーが十分に大きい場合には、半導体はその
融点以上にまで加熱されるので半導体は蒸発する。一
方、粒径が極めて小さな粒子においては量子サイズ効果
によりそれぞれの微粒子で光学吸収端が変化しているの
で、照射する光の波長をうまく選べば粒径の大きな微粒
子のみに選択的に光を吸収させることができる。たとえ
ば、図２（ａ）の様な粒径分布を持つ半導体超微粒子を
考える。図２（ｂ）に示すように、その量子サイズ効果
により光学吸収端は粒径が小さくなるにしたがって高エ
ネルギー側にシフトする。この半導体超微粒子に適当な
エネルギー（図２（ｂ）中の矢印）を持つ光を照射した
場合は、その光を吸収する超微粒子と吸収しない超微粒
子が存在する。（図２（ａ）で斜線で示した範囲の粒子
は光を吸収する。）光のパワーが大きいときには、バル
クと同様に半導体の蒸発が起きるが、その蒸発が起きる
のは光を吸収した超微粒子（粒径の大きい超微粒子、図
２（ａ）の斜線部分）のみである。したがって、図２
（ｃ）に示すように、光照射後は粒径の大きい超微粒子
が蒸発した分だけ、粒径分布のバラツキが抑えられてい
る。
【００１２】本発明に利用できるレーザー光源として
は、目的とする半導体の種類や平均粒径によるが、例え
ばＮｄ：ＹＡＧレーザーの基本波及びその高調波ならび
にＴｉサファイアレーザー等が使用できる。
は、目的とする半導体の種類や平均粒径によるが、例え
ばＮｄ：ＹＡＧレーザーの基本波及びその高調波ならび
にＴｉサファイアレーザー等が使用できる。
【００１３】
【作用】本発明の製造法によれば、ある粒径分布を持つ
半導体超微粒子の集合体において、単一波長でパワーの
大きい光を照射することにより粒径の大きい超微粒子を
選択的に蒸発させことができるので、超微粒子の粒径分
布のバラツキは小さくなり、単位超微粒子濃度当りの光
学非線形性が増加する。
半導体超微粒子の集合体において、単一波長でパワーの
大きい光を照射することにより粒径の大きい超微粒子を
選択的に蒸発させことができるので、超微粒子の粒径分
布のバラツキは小さくなり、単位超微粒子濃度当りの光
学非線形性が増加する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１に超微粒子製造に用いた製造装置を示す。本
装置は超微粒子をガス中で作製する蒸発室１、光を照射
して超微粒子のうちの粒径の大きなものを分解する反応
室２および超微粒子を捕集する捕集室３からなる。蒸発
室１には原料である半導体多結晶ターゲット４とレーザ
ー蒸発用のレーザー光を導入する窓５および不活性ガス
の導入管７を具備し、原料蒸発はターゲット４にレーザ
ー光を照射することにより行う。蒸発した半導体が不活
性ガスにより急冷され超微粒子となる。反応室２は直径
５ｍｍの内径を持つ石英管で、中央部にレーザー光導入
用の無反射コーティングを施した窓を有し、捕集室３は
差動排気により蒸発室１よりも圧力が低くなるように設
定されている。この差圧により生成した超微粒子は反応
室２を通って捕集室３へ導入され、捕集板６上で捕集さ
れる。この蒸発室と捕集室の間の差圧は、半導体超微粒
子の平均粒径を決める上で非常に重要なパラメータの一
つである。なお本製造装置において半導体超微粒子の平
均粒径は上記の圧力差以外に蒸発室内の圧力、照射する
レーザー光のパワー、ターゲット４から反応室２までの
距離、反応室の内径の大きさ等で決まる。粒径の大きい
超微粒子を選択的に蒸発させるためのレーザー光は石英
製の反応室２の側面を通して導入する。
する。図１に超微粒子製造に用いた製造装置を示す。本
装置は超微粒子をガス中で作製する蒸発室１、光を照射
して超微粒子のうちの粒径の大きなものを分解する反応
室２および超微粒子を捕集する捕集室３からなる。蒸発
室１には原料である半導体多結晶ターゲット４とレーザ
ー蒸発用のレーザー光を導入する窓５および不活性ガス
の導入管７を具備し、原料蒸発はターゲット４にレーザ
ー光を照射することにより行う。蒸発した半導体が不活
性ガスにより急冷され超微粒子となる。反応室２は直径
５ｍｍの内径を持つ石英管で、中央部にレーザー光導入
用の無反射コーティングを施した窓を有し、捕集室３は
差動排気により蒸発室１よりも圧力が低くなるように設
定されている。この差圧により生成した超微粒子は反応
室２を通って捕集室３へ導入され、捕集板６上で捕集さ
れる。この蒸発室と捕集室の間の差圧は、半導体超微粒
子の平均粒径を決める上で非常に重要なパラメータの一
つである。なお本製造装置において半導体超微粒子の平
均粒径は上記の圧力差以外に蒸発室内の圧力、照射する
レーザー光のパワー、ターゲット４から反応室２までの
距離、反応室の内径の大きさ等で決まる。粒径の大きい
超微粒子を選択的に蒸発させるためのレーザー光は石英
製の反応室２の側面を通して導入する。
【００１５】本装置を用いたＣｄＳ0.6Ｓｅ0.4超微粒子
の製造方法について説明する。超微粒子原料として、市
販のＣｄＳとＣｄＳｅを上記組成で混合し一旦溶融して
混晶にした後粉砕、焼結したものを用いた。蒸発室１に
はＡｒガスを導入し、圧力を１Ｔｏｒｒ程度に制御し
た。捕集室３の圧力を１０-5Ｔｏｒｒとして、ターゲッ
トにＹＡＧレーザー第二高調波（532nm、25J/cm2）を照
射しＣｄＳ0.6Ｓｅ0.4を蒸発させた。捕集板６上で超微
粒子を捕集し、分析したところ平均粒径が約４ｎｍの超
微粒子が得られていることがわかった。また、超微粒子
の化学量論比を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分
析により測定したところ、ほぼターゲットの組成比と一
致した。この結果を基に、上記の条件と同一な条件で超
微粒子を作製しながら、反応室２にターゲット蒸発に用
いたのと同様にＹＡＧレーザー第二高調波(532nm、5J/c
m2）を照射した。この結果、捕集板上で粒径分布のバラ
ツキの小さいＣｄＳ0.6Ｓｅ0.4超微粒子が捕集された。
の製造方法について説明する。超微粒子原料として、市
販のＣｄＳとＣｄＳｅを上記組成で混合し一旦溶融して
混晶にした後粉砕、焼結したものを用いた。蒸発室１に
はＡｒガスを導入し、圧力を１Ｔｏｒｒ程度に制御し
た。捕集室３の圧力を１０-5Ｔｏｒｒとして、ターゲッ
トにＹＡＧレーザー第二高調波（532nm、25J/cm2）を照
射しＣｄＳ0.6Ｓｅ0.4を蒸発させた。捕集板６上で超微
粒子を捕集し、分析したところ平均粒径が約４ｎｍの超
微粒子が得られていることがわかった。また、超微粒子
の化学量論比を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分
析により測定したところ、ほぼターゲットの組成比と一
致した。この結果を基に、上記の条件と同一な条件で超
微粒子を作製しながら、反応室２にターゲット蒸発に用
いたのと同様にＹＡＧレーザー第二高調波(532nm、5J/c
m2）を照射した。この結果、捕集板上で粒径分布のバラ
ツキの小さいＣｄＳ0.6Ｓｅ0.4超微粒子が捕集された。
【００１６】捕集板上で捕集したＣｄＳ0.6Ｓｅ0.4超微
粒子をメタノール中に分散させて可視・紫外領域におけ
る光吸収特性を測定したところ、５００ｎｍ付近に吸収
ピークが観測された。吸収端付近のこのようなピーク
は、超微粒子の粒径分布のバラツキが小さいときにのみ
観測されるもので、このことから粒径分布のバラツキが
反応室へレーザーを照射する前に比べて抑えられている
ことがわかった。当然ながらこのピーク位置はターゲッ
トの吸収端よりも短波長側にシフトしており、量子サイ
ズ効果が確認できる。
粒子をメタノール中に分散させて可視・紫外領域におけ
る光吸収特性を測定したところ、５００ｎｍ付近に吸収
ピークが観測された。吸収端付近のこのようなピーク
は、超微粒子の粒径分布のバラツキが小さいときにのみ
観測されるもので、このことから粒径分布のバラツキが
反応室へレーザーを照射する前に比べて抑えられている
ことがわかった。当然ながらこのピーク位置はターゲッ
トの吸収端よりも短波長側にシフトしており、量子サイ
ズ効果が確認できる。
【００１７】さらに、捕集板上にカーボン支持膜を張り
付け、その上に超微粒子を捕集したものを透過電子顕微
鏡で観察したところ、反応室にレーザーを照射した場合
には、しなかった場合に比べて、粒径６ｎｍ以上の超微
粒子の数が極端に減少することがわかった。すなわち、
粒径６ｎｍ以上の超微粒子が反応室へのレーザー照射に
より蒸発したことがわかった。
付け、その上に超微粒子を捕集したものを透過電子顕微
鏡で観察したところ、反応室にレーザーを照射した場合
には、しなかった場合に比べて、粒径６ｎｍ以上の超微
粒子の数が極端に減少することがわかった。すなわち、
粒径６ｎｍ以上の超微粒子が反応室へのレーザー照射に
より蒸発したことがわかった。
【００１８】今回、ＣｄＳ0.6Ｓｅ0.4超微粒子について
述べたがこれに限ることなく、例えばＣｄＳｅ、ＺｎＳ
ｅ、ＣｄＴｅをはじめとするＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰなどのＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体等のいかなる半導体についても、その
光学吸収端と同程度のエネルギーを持ちしかも半導体を
蒸発させるに十分なパワーを持つレーザーがあれば、本
発明による半導体超微粒子の製造方法が適用できる。実
施例からわかるように、本発明ではレーザー照射前の原
料となる超微粒子の製造方法には特に制限がない。した
がって、原料となる超微粒子の製造方法としては、本実
施例で用いたレーザー加熱以外に誘導加熱、抵抗加熱、
蒸発室内の圧力によっては電子ビーム加熱、アーク放電
など種々の方法を適用できる。
述べたがこれに限ることなく、例えばＣｄＳｅ、ＺｎＳ
ｅ、ＣｄＴｅをはじめとするＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰなどのＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体等のいかなる半導体についても、その
光学吸収端と同程度のエネルギーを持ちしかも半導体を
蒸発させるに十分なパワーを持つレーザーがあれば、本
発明による半導体超微粒子の製造方法が適用できる。実
施例からわかるように、本発明ではレーザー照射前の原
料となる超微粒子の製造方法には特に制限がない。した
がって、原料となる超微粒子の製造方法としては、本実
施例で用いたレーザー加熱以外に誘導加熱、抵抗加熱、
蒸発室内の圧力によっては電子ビーム加熱、アーク放電
など種々の方法を適用できる。
【００１９】
【発明の効果】本発明の製造法によれば、粒径分布を持
つ半導体超微粒子のある粒径以上のものを選択的に蒸発
させることができるので、超微粒子の粒径分布のバラツ
キは小さくなり、単位超微粒子濃度当りの光学非線形性
が増加する。
つ半導体超微粒子のある粒径以上のものを選択的に蒸発
させることができるので、超微粒子の粒径分布のバラツ
キは小さくなり、単位超微粒子濃度当りの光学非線形性
が増加する。
【図１】本発明の実施例を示す超微粒子分散材料を製造
するために用いた製造装置の模式図である。
するために用いた製造装置の模式図である。
【図２】本発明の原理を説明するための模式図であっ
て、（ａ）は半導体超微粒子の粒径分布の例を示し、
（ｂ）は半導体超微粒子の粒径と光学吸収端の関係を
（矢印は単色光源のエネルギーの例を示す）示し、
（ｃ）は本発明による製造方法により製造した場合の超
微粒子の粒径分布の例を示す。
て、（ａ）は半導体超微粒子の粒径分布の例を示し、
（ｂ）は半導体超微粒子の粒径と光学吸収端の関係を
（矢印は単色光源のエネルギーの例を示す）示し、
（ｃ）は本発明による製造方法により製造した場合の超
微粒子の粒径分布の例を示す。
【図３】本発明の実施例を示す超微粒子分散材料を製造
するために用いた製造装置の断面図である。
するために用いた製造装置の断面図である。
１ 蒸発室 ２ 反応室 ３ 捕集室 ４ ターゲット ５ レーザー光導入窓 ６ 捕集板 ７ 不活性ガス導入管 ８ 石英ガラス容器
フロントページの続き (72)発明者 田中 修平 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11 号 日本板硝子株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−184913（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−189801（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B01J 2/00 B01J 19/00 C01G 11/02 H01S 3/108
Claims (1)
- 【請求項１】半導体原料を、不活性ガス中でレーザ加熱
あるいは誘導加熱あるいは抵抗加熱あるいは電子ビーム
加熱あるいはアーク放電により蒸発させることにより、
数１０ｎｍ以下の様々な粒径を持つ半導体超微粒子を作
製しながら、粒径によりその光学吸収端が違うことを利
用して、ある特定の波長の光を吸収する微粒子のみを光
照射によって再蒸発させることにより、粒径分布のバラ
ツキを小さくすることを特徴とする半導体超微粒子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06328292A JP3358203B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体超微粒子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06328292A JP3358203B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体超微粒子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05261267A JPH05261267A (ja) | 1993-10-12 |
| JP3358203B2 true JP3358203B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=13224819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06328292A Expired - Fee Related JP3358203B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体超微粒子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3358203B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090075083A1 (en) | 1997-07-21 | 2009-03-19 | Nanogram Corporation | Nanoparticle production and corresponding structures |
| US8568684B2 (en) | 2000-10-17 | 2013-10-29 | Nanogram Corporation | Methods for synthesizing submicron doped silicon particles |
| US7226966B2 (en) | 2001-08-03 | 2007-06-05 | Nanogram Corporation | Structures incorporating polymer-inorganic particle blends |
| US6599631B2 (en) | 2001-01-26 | 2003-07-29 | Nanogram Corporation | Polymer-inorganic particle composites |
| JP2005074557A (ja) | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Japan Science & Technology Agency | ナノスケール物質の構造制御方法 |
| KR101498746B1 (ko) | 2007-01-03 | 2015-03-04 | 나노그램 코포레이션 | 규소/게르마늄을 기초로 하는 나노입자 잉크, 도핑된 입자, 반도체를 위한 인쇄 및 공정 |
| US8895962B2 (en) | 2010-06-29 | 2014-11-25 | Nanogram Corporation | Silicon/germanium nanoparticle inks, laser pyrolysis reactors for the synthesis of nanoparticles and associated methods |
| JP6271716B2 (ja) | 2013-05-24 | 2018-01-31 | 帝人株式会社 | シリコン／ゲルマニウム系ナノ粒子及び高粘度アルコール溶媒を含有する印刷用インク |
| KR101982933B1 (ko) * | 2017-09-25 | 2019-08-28 | 한국에너지기술연구원 | 다중 레이저 어블레이션을 이용한 금속 나노 입자의 제조 시스템 |
| KR101982934B1 (ko) * | 2017-09-25 | 2019-05-27 | 한국에너지기술연구원 | 레이저 어블레이션을 이용한 금속 나노 입자의 제조 시스템 |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP06328292A patent/JP3358203B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05261267A (ja) | 1993-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6936322B2 (en) | Optical element, and manufacturing method thereof | |
| JP3358203B2 (ja) | 半導体超微粒子の製造方法 | |
| Hanabusa | Photoinduced deposition of thin films | |
| US4629859A (en) | Enhanced evaporation from a laser-heated target | |
| JP2001521980A (ja) | 蛍光物質 | |
| JP3099501B2 (ja) | 超微粒子分散材料の製造方法 | |
| Laguna et al. | Optical properties of nanocrystalline silicon thin films produced by size-selected cluster beam deposition | |
| JPH0596154A (ja) | 超微粒子分散材料の作製方法 | |
| JP3447859B2 (ja) | シリコン系発光材料の製造方法 | |
| JP2679354B2 (ja) | 非線形光学材料およびその製造方法 | |
| Ohtsuka et al. | Ultrafast nonlinear optical effect in CdTe-doped glasses fabricated by the laser evaporation method | |
| Berntsen et al. | Separating the effects of hydrogen and bond-angle variation on the amorphous-silicon band gap | |
| JPH01246816A (ja) | 多結晶シリコン膜の形成法 | |
| Zheng et al. | Preparation and optical properties of SiO2 thin films containing InP nanocrystals | |
| JP3341361B2 (ja) | 超微粒子分散材料の製造方法 | |
| JPH07278618A (ja) | 複合超微粒子の製造方法 | |
| JP3099430B2 (ja) | 超微粒子を閉じ込めたガラスカプセルの製造方法 | |
| JP3413892B2 (ja) | 超微粒子分散材料の製造方法 | |
| JPH0473720A (ja) | 非線形光学材料の製造方法 | |
| JPH095807A (ja) | 超微粒子分散材料およびその製造方法 | |
| JPH04231460A (ja) | 超微粒子分散材料の製造装置 | |
| JPH06287758A (ja) | 複合超微粒子の製造方法 | |
| Mominuzzaman et al. | Polymeric semiconducting carbon from fullerene by pulsed laser ablation | |
| Zamkovets et al. | Optical properties of thin-film Au-C 60 nanostructures | |
| JPH0376110A (ja) | 半導体超微粒子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091011 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101011 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |