JP3348324B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP3348324B2 JP3348324B2 JP23260594A JP23260594A JP3348324B2 JP 3348324 B2 JP3348324 B2 JP 3348324B2 JP 23260594 A JP23260594 A JP 23260594A JP 23260594 A JP23260594 A JP 23260594A JP 3348324 B2 JP3348324 B2 JP 3348324B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱的物性の異なる二種
類の絶縁膜を交互に積層した絶縁積層部を有し、この絶
縁積層部にコンタクトホールを形成した半導体装置の製
造方法に関する。
類の絶縁膜を交互に積層した絶縁積層部を有し、この絶
縁積層部にコンタクトホールを形成した半導体装置の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置には、通常以下の理由により
複数種の層間絶縁膜が積層されてなる絶縁積層部が形成
され、この絶縁積層部に多数のコンタクトホールが形成
されている。すなわち、絶縁積層部が形成されるのは、
層間絶縁膜が単に絶縁性のみが要求される場合と、基板
上に形成された各構成要素によってその上面側が凹凸に
なっているのを滑らかに覆う、換言すればステップカバ
レージの良好な状態で覆う機能も要求される場合とがあ
り、要求される機能に応じて材質の異なる、したがって
熱的特性の異なるものが適宜に選択され成膜されるから
である。
複数種の層間絶縁膜が積層されてなる絶縁積層部が形成
され、この絶縁積層部に多数のコンタクトホールが形成
されている。すなわち、絶縁積層部が形成されるのは、
層間絶縁膜が単に絶縁性のみが要求される場合と、基板
上に形成された各構成要素によってその上面側が凹凸に
なっているのを滑らかに覆う、換言すればステップカバ
レージの良好な状態で覆う機能も要求される場合とがあ
り、要求される機能に応じて材質の異なる、したがって
熱的特性の異なるものが適宜に選択され成膜されるから
である。
【０００３】ところで、従来このような絶縁積層部を形
成した半導体装置を製造するには、まず、図３（a）に
示すようにシリコン基板１上に周知の成膜法によって例
えば配線部の絶縁のためＳｉＯ2 からなる第二の絶縁層
２を形成し、続いてこれの上に例えばホウ素リンシリケ
ートガラス（ＢＰＳＧ）からなる第一の絶縁膜３をＣＶ
Ｄ法等によって形成する。そして、この第一の絶縁膜３
を８５０℃程度で加熱してリフロー処理し、この第一の
絶縁膜３の上面を平坦化する。なお、図３においては、
基板１上に形成する半導体装置の各種構成要素について
図示することを省略している。
成した半導体装置を製造するには、まず、図３（a）に
示すようにシリコン基板１上に周知の成膜法によって例
えば配線部の絶縁のためＳｉＯ2 からなる第二の絶縁層
２を形成し、続いてこれの上に例えばホウ素リンシリケ
ートガラス（ＢＰＳＧ）からなる第一の絶縁膜３をＣＶ
Ｄ法等によって形成する。そして、この第一の絶縁膜３
を８５０℃程度で加熱してリフロー処理し、この第一の
絶縁膜３の上面を平坦化する。なお、図３においては、
基板１上に形成する半導体装置の各種構成要素について
図示することを省略している。
【０００４】次いで、種々の半導体装置構成要素を第一
の絶縁膜３の上に形成した後、再度その上にＳｉＯ2 か
らなる第二の絶縁層４を形成し、さらに、この上に再度
ホウ素リンシリケートガラスからなる第一の絶縁膜５を
形成する。このとき、第一の絶縁膜３と第一の絶縁膜５
とは通常同一の組成とされる。次いで、図３（ｂ）に示
すように第一の絶縁膜５の上にフォトレジスト６のパタ
ーンニングを行い、さらに図３（ｃ）に示すようにエッ
チング処理してコンタクトホール７を形成する。次い
で、再度リフロー処理して前記第一の絶縁膜５を平坦化
し、これによって絶縁積層部Ａを形成する。その後、前
記コンタクトホール７内に公知の方法によってアルミニ
ウム配線を形成する。ここで、第一の絶縁膜５のリフロ
ー処理については、通常、前記した第一の絶縁膜３のリ
フロー処理より高い温度で行う。なお、絶縁積層部Ａに
ついては、ウエハ上に形成された多数のチップ上にのみ
形成され、チップ間にあるスクライブライン（ストリー
ト）上には形成されない。
の絶縁膜３の上に形成した後、再度その上にＳｉＯ2 か
らなる第二の絶縁層４を形成し、さらに、この上に再度
ホウ素リンシリケートガラスからなる第一の絶縁膜５を
形成する。このとき、第一の絶縁膜３と第一の絶縁膜５
とは通常同一の組成とされる。次いで、図３（ｂ）に示
すように第一の絶縁膜５の上にフォトレジスト６のパタ
ーンニングを行い、さらに図３（ｃ）に示すようにエッ
チング処理してコンタクトホール７を形成する。次い
で、再度リフロー処理して前記第一の絶縁膜５を平坦化
し、これによって絶縁積層部Ａを形成する。その後、前
記コンタクトホール７内に公知の方法によってアルミニ
ウム配線を形成する。ここで、第一の絶縁膜５のリフロ
ー処理については、通常、前記した第一の絶縁膜３のリ
フロー処理より高い温度で行う。なお、絶縁積層部Ａに
ついては、ウエハ上に形成された多数のチップ上にのみ
形成され、チップ間にあるスクライブライン（ストリー
ト）上には形成されない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た半導体装置の製造方法においては以下に述べる不都合
がある。前述したように二種類の絶縁膜によって絶縁積
層部Ａを形成し、この絶縁積層部にコンタクトホール７
を形成すると、二種類の絶縁膜の熱的特性の差に起因し
て、該半導体装置を構成するチップの周辺部において、
図４（a）に示すようにコンタクトホール７の内壁面８
が図４（a）中矢印で示すチップの中心方向に傾いてし
まう。なぜなら、絶縁積層部Ａはチップ間のスクライブ
ラインには形成されず、したがって各チップ単位で独立
しており、このためリフロー処理がなされると、第一の
絶縁膜３、５はチップ上において連続していることか
ら、溶融化されてその表面張力等によりチップの中心方
向に集まるよう引っ張られる。一方、溶融化しない第二
の絶縁膜２、４はそれ自体が流れることなく、下層、す
なわち第一の絶縁膜３の流れによってのみ第二の絶縁膜
４がチップの中心方向に引っ張られる。このため、前述
したごとくコンタクトホール７には図４（a）に示すよ
うな内壁面８が傾くといった現象が生じてしまうのであ
る。ここで、溶融化した第一の絶縁膜２、４はチップの
周辺部においてより中心側に引っ張られることから、図
４（a）に示した現象はチップの周辺部においてより発
生し易くなっている。
た半導体装置の製造方法においては以下に述べる不都合
がある。前述したように二種類の絶縁膜によって絶縁積
層部Ａを形成し、この絶縁積層部にコンタクトホール７
を形成すると、二種類の絶縁膜の熱的特性の差に起因し
て、該半導体装置を構成するチップの周辺部において、
図４（a）に示すようにコンタクトホール７の内壁面８
が図４（a）中矢印で示すチップの中心方向に傾いてし
まう。なぜなら、絶縁積層部Ａはチップ間のスクライブ
ラインには形成されず、したがって各チップ単位で独立
しており、このためリフロー処理がなされると、第一の
絶縁膜３、５はチップ上において連続していることか
ら、溶融化されてその表面張力等によりチップの中心方
向に集まるよう引っ張られる。一方、溶融化しない第二
の絶縁膜２、４はそれ自体が流れることなく、下層、す
なわち第一の絶縁膜３の流れによってのみ第二の絶縁膜
４がチップの中心方向に引っ張られる。このため、前述
したごとくコンタクトホール７には図４（a）に示すよ
うな内壁面８が傾くといった現象が生じてしまうのであ
る。ここで、溶融化した第一の絶縁膜２、４はチップの
周辺部においてより中心側に引っ張られることから、図
４（a）に示した現象はチップの周辺部においてより発
生し易くなっている。
【０００６】そして、このように内壁面８が傾いたまま
の状態で図４（ｂ）に示すように該コンタクトホール７
内にアルミニウム配線９を形成すると、該アルミニウム
配線９のカバレージが極端に悪くなり、導通不良等を招
いてしまう。本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、絶縁積層部に形成したコ
ンタクトホールの内壁面の傾きをなくし、これにより配
線不良を防止した半導体装置の製造方法を提供すること
にある。
の状態で図４（ｂ）に示すように該コンタクトホール７
内にアルミニウム配線９を形成すると、該アルミニウム
配線９のカバレージが極端に悪くなり、導通不良等を招
いてしまう。本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、絶縁積層部に形成したコ
ンタクトホールの内壁面の傾きをなくし、これにより配
線不良を防止した半導体装置の製造方法を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
記載の半導体装置の製造方法では、絶縁積層部を形成し
たチップの周辺部に、その周縁の長さ方向に沿って前記
絶縁積層部に連続的あるいは断続的に溝を形成するエッ
チング工程と、形成した溝内に、前記第一の絶縁膜を形
成する材質より熱的に安定な材質からなる絶縁体を埋設
する工程とを備えてなることを前記課題の解決手段とし
た。
記載の半導体装置の製造方法では、絶縁積層部を形成し
たチップの周辺部に、その周縁の長さ方向に沿って前記
絶縁積層部に連続的あるいは断続的に溝を形成するエッ
チング工程と、形成した溝内に、前記第一の絶縁膜を形
成する材質より熱的に安定な材質からなる絶縁体を埋設
する工程とを備えてなることを前記課題の解決手段とし
た。
【０００８】
【作用】請求項１記載の半導体装置の製造方法によれ
ば、絶縁積層部を形成したチップの周辺部に、その周縁
の長さ方向に沿って前記絶縁積層部に連続的あるいは断
続的に溝を形成し、形成した溝内に、前記第一の絶縁膜
を形成する材質より熱的に安定な材質からなる絶縁体を
埋設するので、この後第一の絶縁膜のリフロー処理を行
っても、よりコンタクトホール内壁面の傾きが発生し易
いチップ周辺部においては、溝内に埋設した絶縁体によ
り、溶融化した第一の絶縁膜がチップ中心側に引っ張ら
れて流れるのが阻まれ、これにより該周辺部におけるコ
ンタクトホール内壁面の傾き現象が防止される。
ば、絶縁積層部を形成したチップの周辺部に、その周縁
の長さ方向に沿って前記絶縁積層部に連続的あるいは断
続的に溝を形成し、形成した溝内に、前記第一の絶縁膜
を形成する材質より熱的に安定な材質からなる絶縁体を
埋設するので、この後第一の絶縁膜のリフロー処理を行
っても、よりコンタクトホール内壁面の傾きが発生し易
いチップ周辺部においては、溝内に埋設した絶縁体によ
り、溶融化した第一の絶縁膜がチップ中心側に引っ張ら
れて流れるのが阻まれ、これにより該周辺部におけるコ
ンタクトホール内壁面の傾き現象が防止される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明す
る。図１（a）〜（ｆ）は本発明の第1実施例を説明する
ための図であり、この第１実施例では、まず、図１
（a）に示すように従来と同様にしてシリコン基板１上
にＳｉＯ2 からなる第二の絶縁層２を形成し、続いてこ
れの上にホウ素リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）から
なる第一の絶縁膜３をＣＶＤ法等によって形成する。こ
こで、第一の絶縁膜３を形成するホウ素リンシリケート
ガラスは、その成分として、ホウ素を１．８〜２．０重
量％、リンを約７．５重量％含むように調整され形成さ
れる。そして、この第一の絶縁膜３を例えば９００℃程
度で加熱して第一のリフロー処理を行い、第一の絶縁膜
３の上面を平坦化する。なお、図１（a）においても、
図４に示した場合と同様に基板１上に形成する半導体装
置の各種構成要素について図示することを省略してい
る。
る。図１（a）〜（ｆ）は本発明の第1実施例を説明する
ための図であり、この第１実施例では、まず、図１
（a）に示すように従来と同様にしてシリコン基板１上
にＳｉＯ2 からなる第二の絶縁層２を形成し、続いてこ
れの上にホウ素リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）から
なる第一の絶縁膜３をＣＶＤ法等によって形成する。こ
こで、第一の絶縁膜３を形成するホウ素リンシリケート
ガラスは、その成分として、ホウ素を１．８〜２．０重
量％、リンを約７．５重量％含むように調整され形成さ
れる。そして、この第一の絶縁膜３を例えば９００℃程
度で加熱して第一のリフロー処理を行い、第一の絶縁膜
３の上面を平坦化する。なお、図１（a）においても、
図４に示した場合と同様に基板１上に形成する半導体装
置の各種構成要素について図示することを省略してい
る。
【００１０】次いで、種々の半導体装置構成要素を第一
の絶縁膜３の上に形成した後、再度その上にＳｉＯ2 か
らなる第二の絶縁層４を形成し、さらに、この上に再度
ホウ素リンシリケートガラスからなる第一の絶縁膜５を
形成する。ここで、第一の絶縁膜５を形成するホウ素リ
ンシリケートガラスは、その成分として、ホウ素を約
２．２重量％、リンを約７．５重量％含むように調整さ
れ形成される。すなわち、この第一の絶縁膜５は前記第
一の絶縁膜３に比べそのホウ素量が高く、換言すれば該
第一の絶縁膜３の方がそのホウ素量が低くなるように形
成されており、これによって第一の絶縁膜３は、後述す
る第二のリフロー処理の際、第一の絶縁膜に比べその溶
融に伴う流動性が低くなるように調整されたものとな
る。
の絶縁膜３の上に形成した後、再度その上にＳｉＯ2 か
らなる第二の絶縁層４を形成し、さらに、この上に再度
ホウ素リンシリケートガラスからなる第一の絶縁膜５を
形成する。ここで、第一の絶縁膜５を形成するホウ素リ
ンシリケートガラスは、その成分として、ホウ素を約
２．２重量％、リンを約７．５重量％含むように調整さ
れ形成される。すなわち、この第一の絶縁膜５は前記第
一の絶縁膜３に比べそのホウ素量が高く、換言すれば該
第一の絶縁膜３の方がそのホウ素量が低くなるように形
成されており、これによって第一の絶縁膜３は、後述す
る第二のリフロー処理の際、第一の絶縁膜に比べその溶
融に伴う流動性が低くなるように調整されたものとな
る。
【００１１】次いで、図１（ｂ）に示すように第一の絶
縁膜５の上にフォトレジスト１０のパターンニングを行
い、さらに図１（ｃ）に示すようにエッチング処理して
溝１１を形成する。ここで、溝１１のバターニングにつ
いては、図２に示すようにチップの周辺部にてその周縁
の最さ方向に沿って連続的あるいは断続的に行う。すな
わち、溝１１についてはチップの周辺部を一周するよう
に連続的に形成してもよく、また、複数の溝１１…を断
続的に形成するとともに、これらを仮につなげた場合に
チップの周辺部を一周するように配設してもよい。な
お、図２においてて矢印は従来のコンタクトホールの内
壁面の傾斜方向を示している。
縁膜５の上にフォトレジスト１０のパターンニングを行
い、さらに図１（ｃ）に示すようにエッチング処理して
溝１１を形成する。ここで、溝１１のバターニングにつ
いては、図２に示すようにチップの周辺部にてその周縁
の最さ方向に沿って連続的あるいは断続的に行う。すな
わち、溝１１についてはチップの周辺部を一周するよう
に連続的に形成してもよく、また、複数の溝１１…を断
続的に形成するとともに、これらを仮につなげた場合に
チップの周辺部を一周するように配設してもよい。な
お、図２においてて矢印は従来のコンタクトホールの内
壁面の傾斜方向を示している。
【００１２】また、前記エッチング処理としては従来公
知の方法が採用される。また、ここで言うチップの周辺
部とは、具体的にはコンタクトホール内壁面の傾きが発
生し易い周辺領域１２（図２参照）と発生し難い中心領
域１３との境界部を指す。ただし、この境界部について
は、チップの大きさや名絶縁膜２〜５の構成などによっ
て異なるので、予め経験的に求めることによってその位
置が決定される。さらに、溝１１の深さについては、各
絶縁膜５〜２を貫通するのはもちろんであるが、図１
（ｃ）中二点鎖線で示すようにシリコン基板１の表層部
にまで達するように形成してもよく、その場合には後述
する絶縁体１５の効果が一層大となる。
知の方法が採用される。また、ここで言うチップの周辺
部とは、具体的にはコンタクトホール内壁面の傾きが発
生し易い周辺領域１２（図２参照）と発生し難い中心領
域１３との境界部を指す。ただし、この境界部について
は、チップの大きさや名絶縁膜２〜５の構成などによっ
て異なるので、予め経験的に求めることによってその位
置が決定される。さらに、溝１１の深さについては、各
絶縁膜５〜２を貫通するのはもちろんであるが、図１
（ｃ）中二点鎖線で示すようにシリコン基板１の表層部
にまで達するように形成してもよく、その場合には後述
する絶縁体１５の効果が一層大となる。
【００１３】次いで、図１（ｄ）に示すように例えばシ
リコン酸化膜１４をＣＶＤ法等によって堆積し、続いて
全面エッチバック処理を行うことにより、形成した溝１
１内に図１（ｅ）に示すようにＳｉＯ2 からなる絶縁体
１５を埋設する。なお、この例では絶縁体１５としてＳ
ｉＯ2 を選択形成したが、この絶縁体としては、第一の
絶縁膜３、５を形成する材質より熱的に安定な、すなわ
ち後述する第二のリフロー処理の際、溶融化して絶縁体
自体が流動するといったことのない材質であれば他の絶
縁物を選択してもよいのはもちろんである。
リコン酸化膜１４をＣＶＤ法等によって堆積し、続いて
全面エッチバック処理を行うことにより、形成した溝１
１内に図１（ｅ）に示すようにＳｉＯ2 からなる絶縁体
１５を埋設する。なお、この例では絶縁体１５としてＳ
ｉＯ2 を選択形成したが、この絶縁体としては、第一の
絶縁膜３、５を形成する材質より熱的に安定な、すなわ
ち後述する第二のリフロー処理の際、溶融化して絶縁体
自体が流動するといったことのない材質であれば他の絶
縁物を選択してもよいのはもちろんである。
【００１４】次いで、従来と同様にして第一の絶縁膜５
の上にフォトレジストのパターンニングを行い、さらに
エッチング処理してコンタクトホールを形成する。そし
て、再度、すなわち第二のリフロー処理を行って前記第
一の絶縁膜５を平坦化し、これによって絶縁積層部を形
成する。ここで、第二のリフロー処理については、前記
第一のリフロー処理の温度以下、具体的には８５０℃程
度で行う。
の上にフォトレジストのパターンニングを行い、さらに
エッチング処理してコンタクトホールを形成する。そし
て、再度、すなわち第二のリフロー処理を行って前記第
一の絶縁膜５を平坦化し、これによって絶縁積層部を形
成する。ここで、第二のリフロー処理については、前記
第一のリフロー処理の温度以下、具体的には８５０℃程
度で行う。
【００１５】このような第二のリフロー処理を行うと、
第一の絶縁膜５は溶融化し一部流動して平坦化されるも
のの、先に形成した溝１１内の絶縁体１５は第二のリフ
ロー処理で溶融化することなく、したがってこれが第一
の絶縁膜３、５の流動化を妨げるように機能しているた
め、特にチップ周辺部におけるコンタクトホールではそ
の内壁面が傾くといった現象の発生が防止されている。
しかも、第一の絶縁膜３はすでに第一のリフロー処理を
受け、これにより第二のリフロー処理温度以上の温度に
晒されているので、該第二のリフロー処理ではその溶融
化の度合いが少なくなっており、一層前記現象の発生が
防止されている。さらに、第一の絶縁膜３は前述したよ
うに第一の絶縁膜５に比ベホウ素量が低く、したがって
その溶融に伴う流動性が低くなるように調整されている
ので、該第一の絶縁膜３は第二のリフロー処理の影響を
ほとんど受けないようになっており、これによっても前
記現象の発生が防止されている。その後、図１（ｆ）に
示すように前記コンタクトホール１６内に公知の方法に
よってアルミニウム配線１７を形成する。
第一の絶縁膜５は溶融化し一部流動して平坦化されるも
のの、先に形成した溝１１内の絶縁体１５は第二のリフ
ロー処理で溶融化することなく、したがってこれが第一
の絶縁膜３、５の流動化を妨げるように機能しているた
め、特にチップ周辺部におけるコンタクトホールではそ
の内壁面が傾くといった現象の発生が防止されている。
しかも、第一の絶縁膜３はすでに第一のリフロー処理を
受け、これにより第二のリフロー処理温度以上の温度に
晒されているので、該第二のリフロー処理ではその溶融
化の度合いが少なくなっており、一層前記現象の発生が
防止されている。さらに、第一の絶縁膜３は前述したよ
うに第一の絶縁膜５に比ベホウ素量が低く、したがって
その溶融に伴う流動性が低くなるように調整されている
ので、該第一の絶縁膜３は第二のリフロー処理の影響を
ほとんど受けないようになっており、これによっても前
記現象の発生が防止されている。その後、図１（ｆ）に
示すように前記コンタクトホール１６内に公知の方法に
よってアルミニウム配線１７を形成する。
【００１６】このような半導体装置の製造方法にあって
は、溝１１内に絶縁体１５を埋設したことにより、リフ
ロー処理によって第一の絶縁膜３、５が溶融化しこれに
伴って流動するのを阻むことができ、したがって特にチ
ップ周辺部におけるコンタクトホール１６の内壁面が傾
くといった現象の発生を防止することができ、これによ
りコンタクトホールト６にアルミニウム配線１７を支障
なく正常に形成することができる。また、第二のリフロ
ー処理温度を第一のリフロー処理温度以下にしたので、
該第二のリフロー処理の際には第一の絶縁膜３はその溶
融化の度合いが少なくなっており、したがってコンタク
トホール１６内壁面の傾きを一層防止することができ
る。さらに、第一の絶縁膜３のホウ素量を第一の絶縁膜
５に比べ低くし、これにより加熱溶融に伴う流動性が第
一の絶縁膜５に比べ第一の絶縁膜３の方が低くなるよう
に調整したので、該第一の絶縁膜３は第二のリフロー処
理の影響をほとんど受けず、したがってこれによっても
コンタクトホール１６内壁面の傾きを一層防止すること
ができる。
は、溝１１内に絶縁体１５を埋設したことにより、リフ
ロー処理によって第一の絶縁膜３、５が溶融化しこれに
伴って流動するのを阻むことができ、したがって特にチ
ップ周辺部におけるコンタクトホール１６の内壁面が傾
くといった現象の発生を防止することができ、これによ
りコンタクトホールト６にアルミニウム配線１７を支障
なく正常に形成することができる。また、第二のリフロ
ー処理温度を第一のリフロー処理温度以下にしたので、
該第二のリフロー処理の際には第一の絶縁膜３はその溶
融化の度合いが少なくなっており、したがってコンタク
トホール１６内壁面の傾きを一層防止することができ
る。さらに、第一の絶縁膜３のホウ素量を第一の絶縁膜
５に比べ低くし、これにより加熱溶融に伴う流動性が第
一の絶縁膜５に比べ第一の絶縁膜３の方が低くなるよう
に調整したので、該第一の絶縁膜３は第二のリフロー処
理の影響をほとんど受けず、したがってこれによっても
コンタクトホール１６内壁面の傾きを一層防止すること
ができる。
【００１７】第１実施例においては、第二のリフロー処
理温度を第一のリフロー処理温度以下にし、または第一
の絶縁膜３のホウ素量を第一の絶縁膜５に比べ低くせず
に従来と同様にしてもよく、その場合にも、溝１１内に
絶縁体１５を埋設していることにより、コンタクトホー
ル内壁面が傾くといった現象を十分に防止することがで
きる。
理温度を第一のリフロー処理温度以下にし、または第一
の絶縁膜３のホウ素量を第一の絶縁膜５に比べ低くせず
に従来と同様にしてもよく、その場合にも、溝１１内に
絶縁体１５を埋設していることにより、コンタクトホー
ル内壁面が傾くといった現象を十分に防止することがで
きる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明における請
求項１記載の半導体装置の製造方法は、絶縁積層部を形
成したチップの周辺部に、その周縁の長さ方向に沿って
前記絶縁積層部に連続的あるいは断続的に溝を形成し、
形成した溝内に、前記第一の絶縁膜を形成する材質より
熱的に安定な材質からなる絶縁体を埋設するようにした
方法であるから、この後第一の絶縁膜のリフロー処理を
行っても、溝内に埋設した絶縁体によって溶融化した第
一の絶縁膜がチップ中心側に引っ張られて流れるのを阻
むことができ、これによりコンタクトホール内壁面が傾
く現象を防止し、コンタクトホール内に配線を支障なく
正常に行うことができる。
求項１記載の半導体装置の製造方法は、絶縁積層部を形
成したチップの周辺部に、その周縁の長さ方向に沿って
前記絶縁積層部に連続的あるいは断続的に溝を形成し、
形成した溝内に、前記第一の絶縁膜を形成する材質より
熱的に安定な材質からなる絶縁体を埋設するようにした
方法であるから、この後第一の絶縁膜のリフロー処理を
行っても、溝内に埋設した絶縁体によって溶融化した第
一の絶縁膜がチップ中心側に引っ張られて流れるのを阻
むことができ、これによりコンタクトホール内壁面が傾
く現象を防止し、コンタクトホール内に配線を支障なく
正常に行うことができる。
【図１】（a）〜（ｆ）は、本発明の半導体装置の製造
方法の第１実施例を製造工捏順に説明するための製造工
程図である。
方法の第１実施例を製造工捏順に説明するための製造工
程図である。
【図２】チップ上に形成される溝の位置を説明するため
の拡大平面図である。
の拡大平面図である。
【図３】（a）〜（c）は、従来の半導体装置の製造方法
の一例を製造工程順に説明するための製造工程図であ
る。
の一例を製造工程順に説明するための製造工程図であ
る。
【図４】（a）、（ｂ）は、図３に示した工程に続く製
造工程図である。
造工程図である。
１ シリコン基板 ２ 第二の絶縁膜 ３ 第一の絶縁膜 ４ 第二の絶縁膜 ５ 第一の絶縁膜 １５ 絶縁体 １６ コンタクトホール Ａ 絶縁積層部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−236317（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−23639（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−202046（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−102355（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3205 H01L 21/321 H01L 21/3213 H01L 21/768
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に第一の絶縁膜とこの第一の絶縁
膜を形成する材質に比べ熱的に安定な材質からなる第二
の絶縁膜とが積層されてなる絶縁積層部が形成され、こ
の絶縁積層部にコンタクトホールが形成される半導体装
置の製造方法において、 前記絶縁積層部を形成したチップの周辺部に、その周縁
の長さ方向に沿って前記絶縁積層部に連続的あるいは断
続的に溝を形成するエッチング工程と、前記溝内に、前
記第一の絶縁膜を形成する材質より熱的に安定な材質か
らなる絶縁体を埋設する工程とを備えたことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記第一の絶縁膜がホウ素リンシリケー
トガラスであり、かつ該第一の絶縁膜が前記第二の絶縁
膜を挟んだ状態で少なくとも２層形成されて前記絶縁積
層部が形成されてなり、 前記絶縁積層部をチップ上に形成する工程が、前記第一
の絶縁膜のうち基板側の第一の絶縁膜を形成した後これ
をリフロー処理する第一リフロー処理工捏と、リフロー
処理後の第一の絶縁膜の上に形成した別の第一の絶縁膜
を形成した後これをリフロー処理する第二リフロー処理
工程とを備え、該第二のリフロー処理工程におけるリフ
ロー処理温度が、前記第一のリフロー処理工程における
リフロー処理温度以下であることを特徴とする請求項１
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記第一の絶縁膜がホウ素リンシリケー
トガラスであり、かつ該第一の絶縁膜が前記第二の絶縁
膜を挟んだ状態で少なくとも２層形成されて前記絶縁積
層部が形成されてなり、 前記第一の絶縁膜のうち基板側の第一の絶縁膜中のホウ
素の含有率を、該第一の絶縁膜の上に形成する別の第一
の絶縁膜中のホウ素の含有率よりも低く形成することを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23260594A JP3348324B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23260594A JP3348324B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897278A JPH0897278A (ja) | 1996-04-12 |
| JP3348324B2 true JP3348324B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=16941977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23260594A Expired - Fee Related JP3348324B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3348324B2 (ja) |
-
1994
- 1994-09-28 JP JP23260594A patent/JP3348324B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0897278A (ja) | 1996-04-12 |
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