JP3348299B2 - リード位置検査方法及び検査装置 - Google Patents

リード位置検査方法及び検査装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ICパッケージ
のリード先端の位置検査方法及び検査装置に関し、より
詳細には、半導体ICパッケージのプリント基板等への
実装に際し、半田付けを含む実装作業に支障がないよう
に、半導体ICパッケージに設けられたリードの先端
(リード先端とも称する)が、所定の位置に対して所望
の精度で位置付けられているかどうか、手際よく正確に
検査できるリード先端の位置検査方法及び検査装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体チップを搭載した半導体ICパッ
ケージ(以下、簡単のためにICパッケージと略称す
る)は、リ−ド(端子)数が多い場合、その外形が四角
形に形成されており、外部端子として機能する多数のリ
ードがその四角形の各辺から延出している。ICパッケ
ージは、これら多数のリードの先端を配線基板又はプリ
ント基板上の各リードの位置に対応して設けられた半田
ランドにそれぞれ半田付けすることによって配線基板又
はプリント基板上に実装される。
【0003】従来のICパッケージでは、各リードがI
Cパッケージの各辺に0.5mm以上のピッチで配列され
ていたので、リードが所定のコプラナリティ(リードの
延出方向に直交する上下方向の変位)を維持しているこ
との確認に加えて、各辺におけるリードのピッチの精度
を検査し、その結果、リードが所定の精度のピッチで配
列されていることが確認できれば、実装に際して、リー
ドの先端位置と実装基板の半田付け位置との相違によっ
て半田付けが出来なくるなると言ったような実装上の支
障が生じることは無かった。即ち、リードの位置管理
は、リードのピッチを検査するだけで十分であり、その
結果、ピッチが所定の精度であれば、リードがプリント
基板の半田ランド等の目標位置に対して所定の精度で位
置づけされていると見なすことが可能であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
るICパッケージの高集積化は、必然的に多ピン化を伴
い、その結果ICパッケージの大型化を避けるためには
リードピッチの狭小化を必要としている。そのため、最
近のICパッケージにおけるリードピッチは、従来の
0.5mm以上のピッチから0.4mm以下の極めて小さい
値にまで狭小化している。一方、ICパッケージの高集
積化によって生じた多ピン化とリードピッチの狭小化に
伴い、実装基板の半田付け位置を厳密に規定することが
必要になり、かつ半田付け場所の広さも益々狭小化され
つつある。
【0005】しかるに、各辺のリードピッチを検査する
だけであった従来の検査方法では、例えリードが所定の
精度のリードピッチで形成されていることが確認された
としても、各リードの先端が所望の位置に位置付けされ
ているかどうかは確認できないため、各リードの絶対的
位置を保証し得なかった。そのため、リードの絶対的位
置が保証されていないICパッケージが合格製品として
出回っていた。しかし、かかるリードの絶対的位置が保
証されていないICパッケージでは、それを例えばプリ
ント基板に実装する際に、実装基板の半田ランドの広さ
が狭小なため、リードの先端位置と実装基板上の半田付
け位置とが僅かに相違しても、半田付けが極めて困難に
なり、事実上で実装出来ないことが度々生じるようにな
った。
【0006】図6及び図7を参照してこの問題をより詳
細に説明する。図6は、狭小なリードピッチを有するI
Cパッケージを例示する平面図である。ICパッケージ
2は、実質的に正方形の全体形状を有し、リード1P乃
至144Pからなる144本のリードを備えている。I
Cパッケージ2の第1乃至第4の辺4、6、8、10の
各々には、36本のリードが、0.3mmに設定されたリ
ードピッチで正確に夫々配列されている。しかしなが
ら、第4辺10に配置されたリード109P乃至144
Pが、第2辺6に配置されたリード37P乃至72Pに
対し、矢印Vで示す方向に全体的に0.1mm相対的に変
位しておれば、プリント基板上の半田ランド12に対し
ても0.1mmずれていることになる。
【0007】一方、プリント基板の半田ランド12の位
置は厳密に規定され、かつその広さは狭小であるので、
リード先端を半田ランドに半田付けするに当たり許容で
きるリード先端の位置と半田ランドの位置との変位の許
容量は、極めて小さい値である。0.1mmは、その値を
超えた値であり、半田付けが極めて困難となる。かくし
て、リード1P乃至144Pは、第1乃至第4辺4、
6、8、10の各々に対して正確なピッチで配列されて
いるものの、ICパッケージ2は、プリント基板上に実
装することができない。換言すれば、かかるICパッケ
ージは、検査工程において、不良品として製品から除外
されるべきであった。
【0008】図7は、図6に示すICパッケージと同じ
構成であるが、リードの変位の態様が異なっているIC
パッケージの例を示す平面図である。図7に示すICパ
ッケージ2では、第1辺4に配置されたリード1P乃至
36Pは、中心線CX−CXから離間するように25μ
mだけ外方にずれ、第3辺8に配置されたリード73P
乃至108Pは、中心線CX−CXに接近するように2
5μmだけ内方にずれている。また、第2辺6に配置さ
れたリード37P乃至72Pは、中心線CY−CYに接
近するように25μmだけ内方にずれ、第4辺10に配
置されたリード109P乃至144Pは、中心線CY−
CYから離間するように25μmだけ外方にずれてい
る。
【0009】リード36Pの中心とリード73Pの中心
とを通る仮想線をX軸と仮定し、リード72Pの中心を
通り、X軸と直交する仮想線をY軸と仮定すると、リー
ド109Pは、Y軸に対して約0.1mm変位している。
0.1mm相対的に変位しておれば、上述のように、プリ
ント基板上の半田ランド12に対する変位許容量を超え
た偏りとなり、半田付けが極めて困難という判定になっ
てしまう。従って、基準線(CX−CXとCY−CY)
を挟むリードの先端が基準線に対してそれぞれ僅かに2
5μm 縮小したリードピッチであったり、または25μ
m拡大したリードピッチをもつICパッケ−ジで本来実
装には問題ないレベルのものであるにもかかわらず、図
6の場合と同様に、プリント基板上に実装することがで
きないという誤った判定になってしまう。注目するべき
ことは、上記2つの例で観られるように、変位量を測定
するための基準の採り方によって、異なる測定結果が生
じることである。従って、基準線の取り方によって変位
の態様が異なるので、この基準線をどの様に設定するか
が大変重要となる。
【0010】リードピッチのみを対象としている従来の
リード位置検査方法は、上述のように、多ピンの狭小な
リードピッチを有する高集積化されたICパッケージに
対して最早有効に対応できないため、リードと実装基板
との整合性を確認できる新たなリード位置の検査方法の
開発が要望されていた。本発明はかかる点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、ICパッケ
ージのリード先端が所定の位置に対して所望の精度で位
置付けられているかどうか検査できるリード位置の検査
方法及びその方法を実施するリード位置検査装置を提供
することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者は、かかる点に
鑑み、測定すべきICパッケージのリードの先端位置を
座標化することによってその絶対的位置を特定し、一方
各リードの先端が所定位置に正確に位置する所定寸法の
設計図通り製作された仮想的ICパッケージを基準IC
パッケージとして想定して、同じくリードの先端位置を
座標化し、測定すべきICパッケージのリードの先端の
各特定した座標と基準ICパッケージの対応する各リー
ドの先端の座標とを比較することに着眼し、本発明を発
明するに到った。
【0012】上記目的を達成するために、本発明に係る
リード位置検査方法は、所定の座標系が設定されている
座標面に半導体ICパッケージを載置し、該半導体IC
パッケージの各リードの先端の位置を検出して、それぞ
れ座標系の座標で表示し、設定した関係式に従い各リー
ドの先端の座標に基づいて半導体ICパッケージの中心
の座標及び該半導体ICパッケージの中心軸の座標系の
座標軸に対する傾きを基点座標及び軸間角度としてそれ
ぞれ算出し、各リードを含め所定寸法に形成された基準
半導体ICパッケージを、その中心が基点座標にあっ
て、かつその中心軸の座標軸に対する傾きが軸間角度に
なるように、配置した場合の該基準半導体ICパッケー
ジの各リードの先端の座標を基準座標として座標系にて
それぞれ算出し、次いで、半導体ICパッケージの各リ
ードの先端の検出座標と基準半導体ICパッケージの対
応する各リードの先端の算出基準座標とをそれぞれ比較
して、半導体ICパッケージのリード位置を検査するこ
とを特徴としている。
【0013】本発明方法を適用できる半導体ICパッケ
ージの外形には、特に限定はなく、外形が四角形であっ
て、四角形の各辺からリードが延出している半導体IC
パッケージに限ること無く適用できる。本発明で使用す
る座標系は、X−Y座標系及び極座標系である。半導体
ICパッケージの各リードの先端の位置を検出する方法
は、撮像した画像の画像処理等の既知の手法である。本
発明においてリードの先端とは、リードの先端縁の中央
の点を意味し、関係式とは、検出した各リードの先端の
座標を数学的に処理することによって、半導体ICパッ
ケージの中心の座標と中心軸の座標系の座標軸に対する
傾きを算出する近似式である。それは、使用する座標系
によって異なり、かつ所望の近似の程度によって導出さ
れる式である。
【0014】本発明において、設定した関係式に従って
基点座標及び軸間角度を求めるのは、半導体ICパッケ
ージが、必ずしもその中心が座標系の原点にあって、か
つその中心軸が座標軸に一致するようには座標面上に載
置されていないからであって、そのため基準半導体IC
パッケージと比較するに当たりその補正をする必要があ
るからである。以上の構成によれば、測定すべき半導体
ICパッケージのリードの座標化された先端位置と、基
準半導体ICパッケージの対応するリードの座標化され
た先端位置とを比較することが可能となり、測定すべき
ICパッケージのリードの先端の絶対的位置の良否を確
認することができる。また、比較に際して、厳しい精度
を必要とするリードピッチ方向とそれに比べて精度を低
く設定できるリードピッチ方向に垂直な方向とに分けて
それぞれ所望の精度を設定することができる。
【0015】上述の本発明方法を実施するために、本発
明に係るリード位置検査装置は、所定の座標系が設定さ
れている座標面を備えた測定台と、座標面に載置された
半導体ICパッケージを撮像する撮像装置と、及び撮像
装置に接続されて、該撮像装置から出力された半導体I
Cパッケージの画像を演算処理する画像処理ユニットと
を備え、画像処理ユニットが、出力された半導体ICパ
ッケージの画像に基づいて、該半導体ICパッケージの
各リードの先端の位置を検出して、それぞれ座標系の座
標で表示する座標化手段と、設定した関係式に従い各リ
ードの先端の座標に基づいて半導体ICパッケージの中
心の座標及び該半導体ICパッケージの中心軸の座標系
の座標軸に対する傾きをそれぞれ基点座標及び軸間角度
として算出する第1演算手段と、各リードを含め所定寸
法に形成された基準半導体ICパッケージに関するデー
タを該画像処理ユニットに入力する入力手段と、基準半
導体ICパッケージの中心が基点座標にあって、かつそ
の中心軸の座標軸に対する傾きが軸間角度になるように
基準半導体ICパッケージを配置した場合の該基準半導
体ICパッケージの各リードの先端の座標を基準座標と
して座標系にてそれぞれ算出する第2演算手段と、及び
半導体ICパッケージの各リードの先端の検出座標と基
準半導体ICパッケージの対応する各リードの先端の算
出基準座標との偏差をそれぞれ算出し、該偏差が許容値
以内にあるかどうか判定する判定手段とを備えたことを
特徴としている。
【0016】本発明で使用する撮像装置は、例えばCC
Dカメラ等の既知の装置であり、画像処理ユニットには
市販のコンピュータを使用できる。また、画像処理ユニ
ットには必要に応じて演算処理した結果を表示する表示
装置、記録装置を付随させることができる。測定台の座
標面に半導体ICパッケージを載置するために、既知の
移送ロボット、例えば、半導体ICパッケージを解放自
在に吸着する吸着装置を先端に備え、かつ吸着した半導
体ICパッケージを所望の位置に自在に移送できる移送
ロボットを使用することもできる。以上の構成によれ
ば、本発明に係る装置は、本発明に係るリード位置検査
方法を容易に素早くかつ自動的に実施できる。
【0017】本発明の好ましい実施態様においては、上
述のリード位置検査方法における座標系が、X−Y座標
系であって、四角形の外形からなる半導体ICパッケー
ジの第m辺に設けられたn個目のリード先端の位置を座
標(Xmn, Ymn)としてそれぞれX−Y座標系の(X,
Y)座標にて表示し、(ここで、mは1から4までのい
ずれかの整数値であり、nは、mが1の時n1まで、m
が2の時n2まで、mが3の時n3まで、mが4の時n
4までのいずれかの整数値である)、
【数4】 及び
【数5】 として設定された関係式によって、ICパッケージの基
点座標(x0 , y0 )及び軸間角度θ0 を算出し、一
方、基準半導体ICパッケージの各リード先端の基準座
標を次の式によってそれぞれ算出し、
【数6】 (上記数3の式において、LX 、LY 、及びPは、それ
ぞれ基準ICパッケージのX方向とY方向のリード先端
間距離、及びリードピッチを表し、(Xmn′,Ymn′)
は、基準ICパッケージの第m辺の第n個目の各リード
の先端の基準座標を表し、mは1から4までの値のいず
れかの整数値であり、nは、mが1の時n1まで、mが
2の時n2まで、mが3の時n3まで、mが4の時n4
までのいずれかの整数値である)、次いで、半導体IC
パッケージの第m辺の第n個目のリードの先端の検出座
標のX座標と基準半導体ICパッケージの対応する第m
辺の第n個目のリードの先端の基準座標のX座標との偏
差SmXn 、及び検出座標のY座標と基準座標のY座標と
の偏差SmYn をそれぞれ SmXn =Xmn−Xmn′,SmYn =Ymn−Ymn (ここで、mは1から4までの値のいずれかの整数値で
あり、nは、mが1の時n1まで、mが2の時n2ま
で、mが3の時n3まで、mが4の時n4までのいずれ
かの整数値である)、によって算出することを特徴とし
ている。
【0018】
【実施例】以下に、添付図面を参照して実施例に基づき
本発明方法及びその実施装置をより詳細に説明する。図
1は、本発明に係るリード位置検査方法を実施するため
のリード位置検査装置の全体構成を示す概略斜視図であ
る。以下の記載において、図6及び図7に図示の半導体
ICパッケージ(以下、簡単のためICパッケージと略
称する)の部品と同じ部品には同じ符号を付し、その説
明を省略する。リード位置検査装置50は、機台52上
に移送ロボットとして配置されたXYロボット60と、
座標面を有する測定部70と、撮像装置として構成され
た検出部80と、及び検出部80から出力されたICパ
ッケージ2の画像を演算処理する画像処理ユニット90
と、機台52の側面に配置された操作部58とを備えて
いる。
【0019】機台52上には、被検体である複数のIC
パッケージ2を収納したトレイ100と、リード位置検
査により良品と判定されたICパッケージ2を収納する
ためのトレイ102と、リード位置測定により不良品と
判定されたICパッケージ2を収納するためのトレイ1
04とが載置されている。XYロボット60は、機台5
2上に固定されたX方向のガイド62と、ガイド62か
らそれと直交する方向(Y方向)に延びる可動ガイド6
4と、ガイド64の側面に配置された吸着部保持具66
とを備えている。Y方向のガイド64は、ガイド62に
沿ってX方向に全体的に移動可能であるように構成さ
れ、他方吸着部保持具66は、ガイド64に沿ってY方
向に移動可能であるように構成されている。吸着部保持
具66の下端部には、吸着装置68が取付けられてお
り、吸着装置68は、流体回路(図示せず)を介して負
圧源(図示せず)に連通し、流体回路による負圧の給排
制御により、トレイ100上のICパッケージ2を選択
的に吸着する。
【0020】吸着装置68に吸着されたICパッケージ
2は、ガイド64に沿って吸着部保持具66により、か
つガイド62に沿ってガイド64により移送されること
によって、トレイ100から測定部70、測定部70か
らトレイ102又は104の所望の位置に配置される。
尚、XYロボット60の動作は、常用の方法により操作
部58又は制御部(図示せず)により自動的に制御され
る。
【0021】測定部70は、トレイ100とトレイ10
2との間に配置されており、座標面としてX−Y座標系
が設定されている透光性のステージ72と、ステージ7
2の下方域に配置された光源74とを有する。ステージ
72上には、測定すべきICパッケージ2が載置され、
投射光が光源74から上方にステージ72を通してIC
パッケージ2の背面に投射される。検出部80は、CC
Dカメラ82と、CCDカメラ82が取付けられた伸縮
自在なアーム部84と、アーム部84を回動可能に支持
する支軸86とを備えており、CCDカメラ82は、I
Cパッケージ2に部分的に遮られた光源72の投射光を
受光して、ICパッケージ2のリードの先端を含めてI
Cパッケージ2の全体像を撮像して、その画像を画像処
理ユニット90に出力する。尚、検出部80は、操作部
58から手動により操作されて、又は制御装置(図示せ
ず)により自動的に制御されて、ステージ上に載置され
たICパッケージ2を捕捉して撮像することができるよ
うに構成されている。
【0022】画像処理ユニット90は、支持台92を介
して機台52の上面に支持された演算処理装置94と、
演算処理装置94の演算結果を表示するディスプレイ装
置96、例えばTVモニターとを有する。演算処理装置
94は、CCDカメラ82に接続されており、そこに設
けられている座標化手段、第1演算手段、入力手段、第
2演算手段及び判定手段により、CCDカメラ82から
入力された撮像結果を後述するように処理してICパッ
ケージ2のリード位置の合否を判定する。
【0023】このように構成されたリード位置検査装置
50を以下の如く作動させて、本発明に係るリード位置
検査方法を実施する。第1工程として、測定すべき所望
のICパッケージ2をXYロボット60によりトレイ1
00からステージ72上に移送し、載置する。それに
は、ガイド62に沿ってガイド64をX方向に移動させ
るとともに、ガイド64に沿って吸着部保持具66を移
動させ、測定すべきICパッケージ2の上方域に吸着装
置68を配置する。XYロボット60は更に、吸着装置
68により所望のICパッケージ2を吸着すると、ガイ
ド64及び吸着部保持具66を移動させ、吸着したIC
パッケージ2をステージ72上に移送し、吸着作用の解
除により解放して、ICパッケージ2をステージ72上
に載置する。
【0024】第2工程として、ステージ72上に載置さ
れたICパッケージ2を検出部80のCCDカメラ82
によって撮像して、その画像を画像処理ユニット90に
出力する。次いで、画像処理ユニット90の座標化手段
により、撮像したICパッケージ2の画像に基づいてI
Cパッケージ2のリード先端位置を検出し、後述の第1
手順に従って、設定された座標系にてリード1P乃至1
44Pの先端位置を座標化する。
【0025】ICパッケージ2は、必ずしもその中心が
座標系の原点にあって、かつその中心軸が座標軸に一致
するようにはステージ72上に載置されていないので、
第3工程として、後述のアルゴリズムに従い、ステージ
72上に設定された座標系の座標軸に対するICパッケ
ージ2の中心軸の傾きとICパッケージ2の中心の座標
を特定する。それには、演算処理装置94の第1演算手
段が、後述の第2手順に従って、ICパッケージ2の各
辺に設けられたリード群の平均位置の座標を求め、次い
で、後述の第3手順に従って、ICパッケージ2の軸の
傾きとして軸間角度θ0 とICパッケージ2の中心の座
標として基点座標(X0 ,Y0 )を特定する。
【0026】第4工程として、測定したICパッケージ
2を製作するための設計図通りに製作されており、従っ
てリード先端が所定の位置に正確に位置づけられている
仮想的な基準ICパッケージを想定し、基準ICパッケ
ージを軸の傾きが軸間角度θ0 に等しくかつその中心が
上述の基点座標に位置した場合の各リード先端位置の座
標(基準座標)ををそれぞれ算出する。それには、演算
処理装置94の入力手段により、基準ICパッケージの
リード先端間距離とリードピッチとを演算処理装置94
に入力し、次いで後述の第4手順に従って第2演算手段
により演算して、基準ICパッケージ各リードの先端位
置の基準座標を算出する。このようにして算出されたリ
ード先端位置の基準座標は、製作誤差が零である場合の
リード先端の座標であって、測定したICパッケージ2
のリード先端の基準である。
【0027】第5工程として、基準ICパッケージのリ
ード先端の基準座標と現実に測定されたICパッケージ
のリード先端の位置との偏差をそれぞれX及びY座標ご
とに算出し、次いでその偏差が許容範囲内にあるかどう
か判定する。それには、演算処理装置94の判定手段
が、後述の第5手順に従って、座標系(X:Y)におけ
るリード1P乃至144Pの先端の座標(X1n, Y1n,
2n,Y2n, 3n, Y3n,X4n, 4n)と、各リード1
P乃至144Pの先端の基準座標(X1n′, Y1n′, X
2n′, Y2n′, X3n′, Y3n′, X4n′, Y4n′)との
偏差(S1Xn , S1Yn , S2Xn , S2Yn , S3Xn , S
3Yn , S4Xn , S4Yn )を求める。ここで、nは各辺の
n番目のリードを意味する。一方、リード1P乃至14
4P及び半田ランド12の形状等に基づいて、X方向の
偏差の許容値±SX およびY方向の偏差の許容値±SY
を夫々設定して、判定手段に入力する。許容値を設定す
る場合、辺毎に±SX と±SY を設定して、リードピッ
チ方向のとそれに垂直な方向毎にその許容精度を変える
事もできる。
【0028】許容値±SX 、±SY と、算定された偏差
(S1Xn , S1Yn , S2Xn , S2Yn, S3Xn , S3Yn ,
4Xn , S4Yn )とを比較し、リード1P乃至144P
の先端位置に関する合否を判定する。偏差(S1Xn , S
1Yn , S2Xn , S2Yn , S3Xn , S3Yn , S4Xn , S
4Yn )が、上記許容値の範囲±SX 、±SY の範囲内に
ある場合、ICパッケージ2のリード1P乃至144P
は、許容可能な位置、即ち、半田付け可能な位置に配列
されていると判定され、従って、ICパッケージ2は、
検査を通過する。他方、偏差(S1Xn , S1Yn ,
2Xn , S2Yn , S3Xn , S3Yn , S4Xn , S4Yn
が、上記許容値の範囲±SX 、±SY の範囲外にある場
合、ICパッケージ2のリード1P乃至144Pは、許
容し得ない位置、即ち、半田付け不能な位置に配列され
ていると判定され、従って、ICパッケージ2は、不良
品として製品から除外される。該偏差と許容値±SX
±SY との比較結果及び合否判定の結果等をTVモニタ
ー96の画面に表示する。
【0029】第6工程として、第5工程での合否判定に
従ってICパッケージ2を所定のトレイに仕分けする。
それには、XYロボット60が、演算処理装置94から
の指令により、或いは、操作部58の手動操作により、
ステージ72上のICパッケージ2をトレイ102又は
トレイ104に移送する。演算処理装置94により良品
と判定されたICパッケージ2は、XYロボット60に
よってトレイ102に移送され、演算処理装置94によ
り不良品と判定されたICパッケージ2は、XYロボッ
ト60によってトレイ104に移送される。かくして、
良好なICパッケージ2と不良なICパッケージ2とが
本発明に係るリード位置検査方法に従って選別される。
【0030】続いて、基準ICパッケージのリード先端
位置と測定したICパッケージ2ののリード先端位置と
の偏差を画像処理ユニット90において算出するための
アルゴリズムの一例を以下に説明する。図2は、実際に
検出されたICパッケージのリード先端位置を示す平面
図であり、図3は、各辺に配置されたリード群の平均座
標を示す平面図である。また、図4は、ステージ72上
に設定された座標系に対するICパッケージ2の中心の
座標及びICパッケージの中心軸の傾きを示す平面図で
あり、図5は、基準ICパッケージのリード先端の位置
とその距離を示す平面図である。
【0031】第1手順は、前述するリード位置測定装置
50の検出部80により検出した、リード1P乃至14
4Pの各々の先端位置を図2に示す座標系(X:Y)に
関し、以下の如く座標(X1n, Y1n, 2n, Y
2n, 3n, Y3n,X4n, 4n)で表示する。 (X11, Y11),(X1212),・・・・・(X1n1,Y1n1 ) (X21, Y21),(X2222),・・・・・(X2n2,Y2n2 ) (X31, Y31),(X3232),・・・・・(X3n3,Y3n3 ) (X41, Y41),(X4242),・・・・・(X4n4,Y4n4
【0032】第2手順は、かくして求められたリード1
P乃至144Pの先端座標に基づき、下式によって、I
Cパッケージの各辺に設けられたリード群の平均的な座
標、即ち、図3に示す座標(X1 , Y1 ),(X2 ,
2 ),(X3 ,Y3 ),(X4 ,Y4 )を次の式で演
算する。
【数7】
【0033】第3手順は、上式にて求められたリード群
の平均的な座標(X1 , Y1 ),(X2 , Y2 ),
(X3 ,Y3 ),(X4 ,Y4 )に基づき、下式を用い
て、ICパッケージ2の中心の座標及び座標軸に対する
ICパッケージ2の中心軸の傾きを演算する。図4に示
すように、ICパッケージ2の中心の座標は、対向する
2辺のリード群の平均的な座標(X1 , Y1 )及び(X
3 ,Y3 )を結ぶ直線xと、対向する他の2辺のリード
群の平均的な座標(X2 , Y2 )及び(X4 ,Y4
を結ぶ直線yとの交点の座標(x0 , y0 )であるとみ
なすことができる。本明細書では、これを基点座標と称
する。また、座標軸に対するICパッケージ2の中心軸
の傾きは、座標系(X:Y)のX軸に対する直線xの傾
きθx と、座標系(X:Y)のY軸に対する直線yの傾
きθY の平均値である角度θ0 とすることができる。本
明細書では、これを軸間角度と称する。それぞれ、基点
座標(x0 , y0 )と軸間角度θ0 とを次の式でそれぞ
れ算出する。
【数8】
【0034】第4手順は、中心の座標が基点座標
(x0 , y0 )にあり、かつ座標軸に対する中心軸の傾
きが軸間角度θ0 に等しくなるように配置された基準半
導体ICパッケージを想定し、その各リード先端の基準
座標をそれぞれ算出する。それには、先ず、測定したI
Cパッケージ2を製作するための設計図通りに製作され
ており、従ってリード先端が所定の位置に正確に位置づ
けられている仮想的な図5に示すような基準ICパッケ
ージ2′を想定する。次いで、基準ICパッケージ2′
のリード先端間のX方向及びY方向距離(LX :LY
と、リードピッチPとから、リード1P乃至144Pの
各先端の基準座標(X1n′,Y1n′、X2n′,Y2n′、
3n′,Y3n′、X4n′,Y4n′)を下式により演算す
る。
【数9】
【0035】次に、第5手順は、リード1P乃至144
Pの先端の座標(X1n, Y1n, 2n, Y2n, 3n,
3n,X4n, 4n)と、上記式によって求められた各リ
ード1P乃至144Pの先端の基準座標(X1n′,
1n′, X2n′, Y2n′, X3n′, Y3n′, X4n′, Y
4n′)との偏差(S1Xn , S1Yn , S2Xn , S2Yn , S
3Xn ,S3Yn , S4Xn , S4Yn )を下式によって算定す
る。
【数10】
【0036】以上、本発明の好ましい実施例について説
明したが、本発明は上記実施例に限定されることなく種
々の変更又は変形が可能であり、例えば、上記リード先
端の位置検査方法及び検査装置は、主にリード位置を測
定するように構成されているが、コプラナリティ測定方
法及びコプラナリティ測定システムを組み込み、リード
位置及びコプラナリティの双方を測定するように構成し
ても良い。また、座標系に極座標を使用することもでき
る。更には、上記実施例では、基点座標(x0 、y0
及び軸間角度θ0 になるように基準ICパッケージを配
置して基準座標を求めたが、逆に測定したICパッケー
ジ2のリード先端の座標を基点座標と軸間角度に基づい
て補正して、その補正座標と座標系の原点に中心を位置
させ、かつ中心軸が座標軸に一致する配置した基準IC
パッケージのリード先端の基準座標とを比較するように
することも可能である。
【0037】
【発明の効果】本発明の上記構成によれば、各リード先
端の位置を個別に検出して座標化し、これと基準半導体
ICパッケージのリード先端の座標(基準座標)との偏
差を求め、その偏差が許容値内にあるかどうかにより、
リードを個別に検査するので、ICパッケージに配置さ
れた全リードの先端位置が要求通りの位置にあることを
確実に保証することが可能となる。狭小なリードピッチ
を有する多ピンの高集積度ICパッケージに対して本発
明方法と本発明装置を適用することにより、従来のリー
ド検査方法では対処できなかった、リードと実装基板と
の整合性が確認できるので、高集積度ICパッケージの
実装上での問題を解消することができる。本発明方法で
は、厳しい精度を必要とするリードピッチ方向とそれに
比べて精度を低く設定できるリードピッチ方向に垂直な
方向とに分けてそれぞれ基準座標との偏差許容値を設定
することができるので、無用に厳しい許容値を設定して
不合格品を増やすような愚を避けることができる。ま
た、本発明方法では、座標系の座標軸及び原点等の設定
の如何を問わず、同じ検査結果となるので、検査員或い
は検査装置によって検査結果が異なるような恐れは生じ
ない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法の実施装置であるリード位置検査装
置の一例を示すその全体概略斜視図である。
【図2】実際に検出されたICパッケージのリード先端
の座標を表示する説明図である。
【図3】各辺に配置されたリード群の平均的座標を示す
説明図である。
【図4】ICパッケージの中心の座標及び座標軸に対す
る中心軸の傾きを示す説明図である。
【図5】基準ICパッケージのリード先端間距離とリー
ドピッチとを示す説明図である。
【図6】狭小なリードピッチを有するICパッケージを
例示する平面図である。
【図7】図6に示すICパッケージを、リードの変位の
仕方が異なる状態で示す平面図である。
【符号の説明】
2 半導体ICパッケージ 2′ 基準半導体ICパッケージ 4、6、8、10 第1乃至第4辺 12 半田ランド 50 リード位置検査装置 60 XYロボット 70 測定部 72 ステージ 80 検出部 90 画像処理ユニット 1P〜144P リード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01B 11/00 - 11/30 102 G06T 7/00 H01L 23/50 H01L 21/64 - 21/66 H05K 13/00 - 13/08

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の座標系が設定されている座標面に
    半導体ICパッケージを載置し、該半導体ICパッケー
    ジの各リードの先端の位置を検出して、それぞれ前記座
    標系の座標で表示し、 設定した関係式に従い前記各リードの先端の座標に基づ
    いて前記半導体ICパッケージの中心の座標及び該半導
    体ICパッケージの中心軸の前記座標系の座標軸に対す
    る傾きを基点座標及び軸間角度としてそれぞれ算出し、 各リードを含め所定寸法に形成された基準半導体ICパ
    ッケージを、その中心が前記基点座標にあって、かつそ
    の中心軸の前記座標軸に対する傾きが前記軸間角度にな
    るように、配置した場合の該基準半導体ICパッケージ
    の各リードの先端の座標を基準座標として前記座標系に
    てそれぞれ算出し、 次いで、前記半導体ICパッケージの各リードの先端の
    検出座標と前記基準半導体ICパッケージの対応する各
    リードの先端の算出基準座標とをそれぞれ比較して、前
    記半導体ICパッケージのリード位置を検査することを
    特徴とするリード位置検査方法。
  2. 【請求項2】 所定の座標系が設定されている座標面を
    備えた測定台と、 前記座標面に載置された半導体ICパッケージを撮像す
    る撮像装置と、及び前記撮像装置に接続されて、該撮像
    装置から出力された前記半導体ICパッケージの画像を
    演算処理する画像処理ユニットとを備え、 前記画像処理ユニットが、前記出力された半導体ICパ
    ッケージの画像に基づいて、該半導体ICパッケージの
    各リードの先端の位置を検出して、それぞれ前記座標系
    の座標で表示する座標化手段と、 設定した関係式に従い前記各リードの先端の座標に基づ
    いて前記半導体ICパッケージの中心の座標及び該半導
    体ICパッケージの中心軸の前記座標系の座標軸に対す
    る傾きをそれぞれ基点座標及び軸間角度として算出する
    第1演算手段と、 各リードを含め所定寸法に形成された基準半導体ICパ
    ッケージに関するデータを該画像処理ユニットに入力す
    る入力手段と、 前記基準半導体ICパッケージの中心が前記基点座標に
    あって、かつその中心軸の前記座標軸に対する傾きが前
    記軸間角度になるように前記基準半導体ICパッケージ
    を配置した場合の該基準半導体ICパッケージの各リー
    ドの先端の座標を基準座標として前記座標系にてそれぞ
    れ算出する第2演算手段と、及び前記半導体ICパッケ
    ージの各リードの先端の検出座標と前記基準半導体IC
    パッケージの対応する各リードの先端の算出基準座標と
    の偏差をそれぞれ算出し、該偏差が許容値以内にあるか
    どうか判定する判定手段とを備えることを特徴とするリ
    ード位置検査装置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載のリード位置検査方法に
    おける前記座標系が、X−Y座標系であって、 四角形の外形からなる前記半導体ICパッケージの第m
    辺に設けられたn個目のリード先端の位置を座標
    (Xmn, Ymn)としてそれぞれ前記X−Y座標系の
    (X,Y)座標にて表示し、 (ここで、mは1から4までのいずれかの整数値であ
    り、nは、mが1の時n1まで、mが2の時n2まで、
    mが3の時n3まで、mが4の時n4までのいずれかの
    整数値である)、 【数1】 及び 【数2】 として設定された前記関係式によって、前記ICパッケ
    ージの基点座標(x0 ,y0 )及び軸間角度θ0 を算出
    し、 一方、前記基準半導体ICパッケージの各リード先端の
    前記基準座標を次の式によってそれぞれ算出し、 【数3】 (上記数3の式において、LX 、LY 、及びPは、それ
    ぞれ基準ICパッケージのX方向とY方向のリード先端
    間距離、及びリードピッチを表し、(Xmn′,Ymn′)
    は、基準ICパッケージの第m辺の第n個目の各リード
    の先端の前記基準座標を表し、mは1から4までの値の
    いずれかの整数値であり、nは、mが1の時n1まで、
    mが2の時n2まで、mが3の時n3まで、mが4の時
    n4までのいずれかの整数値である)、 次いで、前記半導体ICパッケージの第m辺の第n個目
    のリードの先端の前記検出座標のX座標と前記基準半導
    体ICパッケージの対応する第m辺の第n個目のリード
    の先端の前記基準座標のX座標との偏差SmXn 、及び前
    記検出座標のY座標と前記基準座標のY座標との偏差S
    mYn をそれぞれ SmXn =Xmn−Xmn′,SmYn =Ymn−Ymn (ここで、mは1から4までの値のいずれかの整数値で
    あり、nは、mが1の時n1まで、mが2の時n2ま
    で、mが3の時n3まで、mが4の時n4までのいずれ
    かの整数値である)、によって算出することを特徴とす
    る請求項1に記載のリード位置検査方法。
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