JP3347002B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
- Publication number
- JP3347002B2 JP3347002B2 JP29664696A JP29664696A JP3347002B2 JP 3347002 B2 JP3347002 B2 JP 3347002B2 JP 29664696 A JP29664696 A JP 29664696A JP 29664696 A JP29664696 A JP 29664696A JP 3347002 B2 JP3347002 B2 JP 3347002B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- energy
- growing
- temperature
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子の
製造方法に係わり、特にＧａＮ系の半導体発光素子の製
造方法に関する。
製造方法に係わり、特にＧａＮ系の半導体発光素子の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】表示灯やフルカラーディスプレイ装置等
の光源には、ＧａＮ系の半導体発光素子が多く用いられ
る。ＧａＮ系のダブルヘテロ型半導体発光素子は、従来
は次のような方法で製造されていた。図３にそれぞれの
成長層をＭＯＣＶＤ（METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR D
EPOSITION ）法を用いて形成する工程における温度の変
化を示し、図４に工程別の素子の縦断面を示す。
の光源には、ＧａＮ系の半導体発光素子が多く用いられ
る。ＧａＮ系のダブルヘテロ型半導体発光素子は、従来
は次のような方法で製造されていた。図３にそれぞれの
成長層をＭＯＣＶＤ（METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR D
EPOSITION ）法を用いて形成する工程における温度の変
化を示し、図４に工程別の素子の縦断面を示す。
【０００３】図３に示されたように摂氏１０５０度まで
昇温し、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）（１０１）基板に対
してアニール処理を施し、基板表面のクリーニングを行
う。図３のように摂氏５３０度まで降温し、図４（ａ）
のように基板１１１の表面上に、膜厚０．３μｍのＧａ
Ｎバッファ層１１２を成長させる。
昇温し、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）（１０１）基板に対
してアニール処理を施し、基板表面のクリーニングを行
う。図３のように摂氏５３０度まで降温し、図４（ａ）
のように基板１１１の表面上に、膜厚０．３μｍのＧａ
Ｎバッファ層１１２を成長させる。
【０００４】ｎ型ＧａＮ層の成長温度である摂氏１０５
０度まで昇温し、図４（ｂ）のように膜厚４μｍのｎ型
ＧａＮ層１１３を成長させる。さらに、ｎ型ＧａＮ層１
１３上に膜厚０．１５μｍのｎ型Ａｌs Ｇａ1-s Ｎ層１
１４（０≦ｓ≦１）を成長させる。
０度まで昇温し、図４（ｂ）のように膜厚４μｍのｎ型
ＧａＮ層１１３を成長させる。さらに、ｎ型ＧａＮ層１
１３上に膜厚０．１５μｍのｎ型Ａｌs Ｇａ1-s Ｎ層１
１４（０≦ｓ≦１）を成長させる。
【０００５】図３のように、Ｉｎt Ｇａ1-t Ｎ層の成長
温度である摂氏８００度まで降温し、図４（ｃ）のよう
に膜厚０．０５μｍののＩｎt Ｇａ1-t Ｎ層１１５（０
≦ｔ≦１）を成長させる。
温度である摂氏８００度まで降温し、図４（ｃ）のよう
に膜厚０．０５μｍののＩｎt Ｇａ1-t Ｎ層１１５（０
≦ｔ≦１）を成長させる。
【０００６】図３のように、ｐ型Ａｌs Ｇａ1-s Ｎ層の
成長温度である摂氏１０５０度まで昇温し、図４（ｄ）
のように膜厚０．１５μｍのｐ型Ａｌs Ｇａ1-s Ｎ層１
１６（０≦ｓ≦１）を成長させ、さらに膜厚０．２μｍ
のｐ型オーミックコンタクト層１１７を成長させる。
成長温度である摂氏１０５０度まで昇温し、図４（ｄ）
のように膜厚０．１５μｍのｐ型Ａｌs Ｇａ1-s Ｎ層１
１６（０≦ｓ≦１）を成長させ、さらに膜厚０．２μｍ
のｐ型オーミックコンタクト層１１７を成長させる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したよう
にＧａＮ系の複数の成長層を順次形成していく場合、各
層毎に最適な成長温度が異なっている。従って、温度の
昇降並びに基板の温度が安定するまでに時間を要してい
た。例えば、図３において、ｎ型ＡｌＧａＮ層１１４の
成長後、ＩｎＧａＮ層１１５を成長させるために降温
し、ＩｎＧａＮ層１１５の成長後、ｐ型ＡｌＧａＮ層を
成長させるために昇温するが、この昇降温に合計で約２
０分を要していた。この結果、他のIII-V 族化合物半導
体で同様な膜厚の素子を製造する場合には約３．５時間
で足りるが、上記ＧａＮ系の素子では約５時間必要であ
り、スループットが低いという問題があった。
にＧａＮ系の複数の成長層を順次形成していく場合、各
層毎に最適な成長温度が異なっている。従って、温度の
昇降並びに基板の温度が安定するまでに時間を要してい
た。例えば、図３において、ｎ型ＡｌＧａＮ層１１４の
成長後、ＩｎＧａＮ層１１５を成長させるために降温
し、ＩｎＧａＮ層１１５の成長後、ｐ型ＡｌＧａＮ層を
成長させるために昇温するが、この昇降温に合計で約２
０分を要していた。この結果、他のIII-V 族化合物半導
体で同様な膜厚の素子を製造する場合には約３．５時間
で足りるが、上記ＧａＮ系の素子では約５時間必要であ
り、スループットが低いという問題があった。
【０００８】本発明は上記事情に鑑み、温度の昇降に要
していた時間を削減し、スループットを向上させること
が可能な半導体発光素子の製造方法を提供することを目
的とする。
していた時間を削減し、スループットを向上させること
が可能な半導体発光素子の製造方法を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板の表面に
ＧａＮ系の複数の半導体層を成長させる半導体発光素子
の製造方法であって、前記基板の表面上に、所定温度で
バッファ層を成長させる工程と、前記半導体層のうち、
前記バッファ層以外の半導体層のなかで、成長温度が最
も低い半導体層の成長温度に設定し、この成長温度が最
も低い半導体層を成長させる工程と、前記成長温度を維
持し、前記半導体層のうち、前記バッファ層及び前記成
長温度が最も低い半導体層以外の半導体層を、それぞれ
のバンドギャップエネルギより所定値以上高いエネルギ
を有する光を照射した状態で成長させる工程とを備える
ことを特徴とする。
ＧａＮ系の複数の半導体層を成長させる半導体発光素子
の製造方法であって、前記基板の表面上に、所定温度で
バッファ層を成長させる工程と、前記半導体層のうち、
前記バッファ層以外の半導体層のなかで、成長温度が最
も低い半導体層の成長温度に設定し、この成長温度が最
も低い半導体層を成長させる工程と、前記成長温度を維
持し、前記半導体層のうち、前記バッファ層及び前記成
長温度が最も低い半導体層以外の半導体層を、それぞれ
のバンドギャップエネルギより所定値以上高いエネルギ
を有する光を照射した状態で成長させる工程とを備える
ことを特徴とする。
【００１０】本発明の他の製造方法は、基板の表面上
に、第１の所定温度でＧａＮを含むバッファ層を成長さ
せる工程と、前記バッファ層の表面上に、ＩｎＧａＮ層
の成長温度に対応する第２の所定温度で、第１のエネル
ギを有する光を照射した状態でｎ型ＧａＮ層を成長させ
る工程と、前記ｎ型ＧａＮ層の表面上に、前記第２の所
定温度で、第２のエネルギを有する光を照射した状態で
ｎ型ＡｌＧａＮ層を成長させる工程と、前記ｎ型ＡｌＧ
ａＮ層の表面上に、前記第２の所定温度でＩｎＧａＮ層
を成長させる工程と、前記ＩｎＧａＮ層の表面上に、前
記第２の所定温度で、第２のエネルギを有する光を照射
した状態でｐ型ＡｌＧａＮ層を成長させる工程と、前記
ｐ型ＡｌＧａＮ層の表面上に、前記第２の所定温度で、
第１のエネルギを有する光を照射した状態でｐ型ＧａＮ
層を成長させる工程とを備えている。
に、第１の所定温度でＧａＮを含むバッファ層を成長さ
せる工程と、前記バッファ層の表面上に、ＩｎＧａＮ層
の成長温度に対応する第２の所定温度で、第１のエネル
ギを有する光を照射した状態でｎ型ＧａＮ層を成長させ
る工程と、前記ｎ型ＧａＮ層の表面上に、前記第２の所
定温度で、第２のエネルギを有する光を照射した状態で
ｎ型ＡｌＧａＮ層を成長させる工程と、前記ｎ型ＡｌＧ
ａＮ層の表面上に、前記第２の所定温度でＩｎＧａＮ層
を成長させる工程と、前記ＩｎＧａＮ層の表面上に、前
記第２の所定温度で、第２のエネルギを有する光を照射
した状態でｐ型ＡｌＧａＮ層を成長させる工程と、前記
ｐ型ＡｌＧａＮ層の表面上に、前記第２の所定温度で、
第１のエネルギを有する光を照射した状態でｐ型ＧａＮ
層を成長させる工程とを備えている。
【００１１】ここで、前記第２の所定温度は摂氏７００
度から摂氏９５０度の範囲にあり、前記第１のエネルギ
は３．９ｅＶ以上で、前記第２のエネルギは４．２ｅＶ
以上であるのが望ましい。
度から摂氏９５０度の範囲にあり、前記第１のエネルギ
は３．９ｅＶ以上で、前記第２のエネルギは４．２ｅＶ
以上であるのが望ましい。
【００１２】また、前記基板として、Ａｌ2 Ｏ3 基板、
ＳｉＯ基板、又はＺｎＯ基板のいずれかを用いることが
できる。
ＳｉＯ基板、又はＺｎＯ基板のいずれかを用いることが
できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００１４】図１に、本実施の形態による製造方法にお
いて、各半導体層を成長させる工程における成長温度を
示し、図２に同製造方法を工程別に表す素子の縦断面を
示す。図１に示されたように、摂氏１０００度まで昇温
してアニール処理を行い、サファイア基板（１０１）１
１の表面をクリーニングする。図１のように摂氏５３０
度まで降温し、図２（ａ）に示されたようにサファイア
基板１１の表面に４０ｎｍの膜厚でＧａＮバッファ層１
２を成長させる。この後、図１のように摂氏８００度ま
で昇温する。この温度は、ＧａＮバッファ層１２を除く
各成長層の最適な成長温度のうち、最も低いＩｎＧａＮ
層の成長温度に相当する。
いて、各半導体層を成長させる工程における成長温度を
示し、図２に同製造方法を工程別に表す素子の縦断面を
示す。図１に示されたように、摂氏１０００度まで昇温
してアニール処理を行い、サファイア基板（１０１）１
１の表面をクリーニングする。図１のように摂氏５３０
度まで降温し、図２（ａ）に示されたようにサファイア
基板１１の表面に４０ｎｍの膜厚でＧａＮバッファ層１
２を成長させる。この後、図１のように摂氏８００度ま
で昇温する。この温度は、ＧａＮバッファ層１２を除く
各成長層の最適な成長温度のうち、最も低いＩｎＧａＮ
層の成長温度に相当する。
【００１５】摂氏８００度に到達すると、図２（ｂ）の
ように、３．９ｅＶ以上のエネルギを持つ光を照射した
状態で、ＧａＮバッファ層１２上にＳｉをドープしたｎ
型ＧａＮ層１３を、膜厚４．２μｍで成長させる。この
３．９ｅＶというエネルギの値は、ＧａＮ層のバンドギ
ャップエネルギの３．４ｅＶに０．５ｅＶを加算したも
のに相当する。光は、例えば水銀ランプ、キセノンラン
プ等を用いてもよく、あるいは半導体レーザ、ガスレー
ザによるものであってもよい。さらにＧａＮバッファ層
１２上に、同じ成長温度を維持し４．２ｅＶのエネルギ
の光を照射した状態で、膜厚０．１５μｍのＡｌ0.15Ｇ
ａ0.85Ｎ層１４を成長させる。この４，２ｅＶという値
は、ＡｌＧａＮ層のバンドギャップエネルギの３．７ｅ
Ｖに０．５ｅＶを加算したものである。
ように、３．９ｅＶ以上のエネルギを持つ光を照射した
状態で、ＧａＮバッファ層１２上にＳｉをドープしたｎ
型ＧａＮ層１３を、膜厚４．２μｍで成長させる。この
３．９ｅＶというエネルギの値は、ＧａＮ層のバンドギ
ャップエネルギの３．４ｅＶに０．５ｅＶを加算したも
のに相当する。光は、例えば水銀ランプ、キセノンラン
プ等を用いてもよく、あるいは半導体レーザ、ガスレー
ザによるものであってもよい。さらにＧａＮバッファ層
１２上に、同じ成長温度を維持し４．２ｅＶのエネルギ
の光を照射した状態で、膜厚０．１５μｍのＡｌ0.15Ｇ
ａ0.85Ｎ層１４を成長させる。この４，２ｅＶという値
は、ＡｌＧａＮ層のバンドギャップエネルギの３．７ｅ
Ｖに０．５ｅＶを加算したものである。
【００１６】摂氏８００度を維持し、光の照射を停止し
た状態で、図２（ｃ）のようにＺｎをドープした膜厚
０．０５μｍのＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎ層１５を成長させ
る。
た状態で、図２（ｃ）のようにＺｎをドープした膜厚
０．０５μｍのＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎ層１５を成長させ
る。
【００１７】次に、同じ摂氏８００度を維持し、４．２
ｅＶの光を照射した状態で、Ｍｇをドープした膜厚０．
１５μｍのＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１６を成長させる。さ
らに、３．９ｅＶの光を照射しながらＭｇをドープした
膜厚０．３μｍのＧａＮ層１７を順次成長させる。
ｅＶの光を照射した状態で、Ｍｇをドープした膜厚０．
１５μｍのＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１６を成長させる。さ
らに、３．９ｅＶの光を照射しながらＭｇをドープした
膜厚０．３μｍのＧａＮ層１７を順次成長させる。
【００１８】このように、本実施の形態は、成長層の最
適な成長温度よりも低い温度であっても、当該成長層の
バンドギャップより０．５ｅＶ以上のエネルギを有する
光を照射することで、光を照射せずに最適な温度で成長
させたときと同等な良質の結晶が得られることに着目
し、バッファ層を除く他の成長層のうち最も低い最適な
成長温度で一定とし、温度の昇降を行わない点に特徴が
ある。これにより製造時間が短縮化され、スループット
が向上する。
適な成長温度よりも低い温度であっても、当該成長層の
バンドギャップより０．５ｅＶ以上のエネルギを有する
光を照射することで、光を照射せずに最適な温度で成長
させたときと同等な良質の結晶が得られることに着目
し、バッファ層を除く他の成長層のうち最も低い最適な
成長温度で一定とし、温度の昇降を行わない点に特徴が
ある。これにより製造時間が短縮化され、スループット
が向上する。
【００１９】上述した実施の形態は一例であって、本発
明を限定するものではない。例えば、上記実施の形態で
は、ＩｎＧａＮ活性層１５の両面に、Ａｌを含むｎ型Ａ
ｌ0. 15Ｇａ0.85Ｎ層１４とｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１
６とを形成するため、これらの層のバンドギャップであ
る３．７ｅＶよりも０．５ｅＶ高い４．２ｅＶ以上のエ
ネルギを有する光を照射して成長させている。しかし、
Ａｌを含まないｎ型ＧａＮ層とｐ型ＧａＮ層とをＩｎＧ
ａＮ活性層１５の両側に形成してもよい。この場合は、
これらの層のバンドギャップエネルギが３．４ｅＶであ
るため、０．５ｅＶ加えた３．９ｅＶ以上のエネルギを
有する光を照射して成長させればよい。また、上記実施
の形態ではサファイア基板を用いているが、ＧａＮ系の
層を結晶成長させることが可能な基板であれば他のもの
であってもよく、例えばＳｉ０基板、ＺｎＯ基板を用い
てもよい。
明を限定するものではない。例えば、上記実施の形態で
は、ＩｎＧａＮ活性層１５の両面に、Ａｌを含むｎ型Ａ
ｌ0. 15Ｇａ0.85Ｎ層１４とｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１
６とを形成するため、これらの層のバンドギャップであ
る３．７ｅＶよりも０．５ｅＶ高い４．２ｅＶ以上のエ
ネルギを有する光を照射して成長させている。しかし、
Ａｌを含まないｎ型ＧａＮ層とｐ型ＧａＮ層とをＩｎＧ
ａＮ活性層１５の両側に形成してもよい。この場合は、
これらの層のバンドギャップエネルギが３．４ｅＶであ
るため、０．５ｅＶ加えた３．９ｅＶ以上のエネルギを
有する光を照射して成長させればよい。また、上記実施
の形態ではサファイア基板を用いているが、ＧａＮ系の
層を結晶成長させることが可能な基板であれば他のもの
であってもよく、例えばＳｉ０基板、ＺｎＯ基板を用い
てもよい。
【００２０】また、実施の形態におけるｐ型及びｎ型の
Ａｌs Ｇａ1-s Ｎ層のｓの値は０．１５で、Ｉｎt Ｇａ
1-t 層のｔの値は０．０６であるが、これに限定され
ず、それぞれ０≦ｓ≦１、０≦ｔ≦１の範囲にあればよ
い。
Ａｌs Ｇａ1-s Ｎ層のｓの値は０．１５で、Ｉｎt Ｇａ
1-t 層のｔの値は０．０６であるが、これに限定され
ず、それぞれ０≦ｓ≦１、０≦ｔ≦１の範囲にあればよ
い。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体発
光素子の製造方法によれば、ＧａＮ系の複数の層を成長
させる際に、各層の最適な成長温度となるように温度を
昇降させるのではなく、バッファ層を除いた層のうち最
も成長温度の低い層の成長温度で一定とし、成長温度が
高い層を成長させるときには、その層のバンドギャップ
エネルギよりも高いエネルギを有する光を照射すること
により、昇降温に要していた時間を短縮することがで
き、スループットを向上させることが可能である。
光素子の製造方法によれば、ＧａＮ系の複数の層を成長
させる際に、各層の最適な成長温度となるように温度を
昇降させるのではなく、バッファ層を除いた層のうち最
も成長温度の低い層の成長温度で一定とし、成長温度が
高い層を成長させるときには、その層のバンドギャップ
エネルギよりも高いエネルギを有する光を照射すること
により、昇降温に要していた時間を短縮することがで
き、スループットを向上させることが可能である。
【図１】本発明の一実施の形態による半導体素子の製造
方法において、各層を成長させるときの温度を示した説
明図。
方法において、各層を成長させるときの温度を示した説
明図。
【図２】同製造方法により半導体素子を製造するときの
素子の縦断面を示した断面図。
素子の縦断面を示した断面図。
【図３】従来の半導体素子の製造方法において、各層を
成長させるときの温度を示した説明図。
成長させるときの温度を示した説明図。
【図４】同製造方法により半導体素子を製造するときの
素子の縦断面を示した断面図。
素子の縦断面を示した断面図。
１１ サファイア基板 １２ ＧａＮバッファ層 １３ ｎ型ＧａＮ層 １４ ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層 １５ Ｉｎ0.06Ｇａ0.94Ｎ層 １６ ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層 １７ ｐ型ＧａＮ層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−222812（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−177059（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−163988（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−78728（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−309796（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−83086（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−44919（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−266218（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 H01S 5/00 - 5/50 H01L 21/205
Claims (4)
- 【請求項１】基板の表面に、ＧａＮ系の複数の半導体層
を成長させる半導体発光素子の製造方法において、 前記基板の表面上に、所定温度でバッファ層を成長させ
る工程と、 前記半導体層のうち、前記バッファ層以外の半導体層の
なかで、成長温度が最も低い半導体層の成長温度に設定
し、この成長温度が最も低い半導体層を成長させる工程
と、 前記成長温度を維持し、前記半導体層のうち、前記バッ
ファ層及び前記成長温度が最も低い半導体層以外の半導
体層を、それぞれのバンドギャップエネルギより所定値
以上高いエネルギを有する光を照射した状態で成長させ
る工程と、 を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項２】基板の表面上に、第１の所定温度でＧａＮ
を含むバッファ層を成長させる工程と、 前記バッファ層の表面上に、ＩｎＧａＮ層の成長温度に
対応する第２の所定温度で、第１のエネルギを有する光
を照射した状態でｎ型ＧａＮ層を成長させる工程と、 前記ｎ型ＧａＮ層の表面上に、前記第２の所定温度で、
第２のエネルギを有する光を照射した状態でｎ型ＡｌＧ
ａＮ層を成長させる工程と、 前記ｎ型ＡｌＧａＮ層の表面上に、前記第２の所定温度
でＩｎＧａＮ層を成長させる工程と、 前記ＩｎＧａＮ層の表面上に、前記第２の所定温度で、
第２のエネルギを有する光を照射した状態でｐ型ＡｌＧ
ａＮ層を成長させる工程と、 前記ｐ型ＡｌＧａＮ層の表面上に、前記第２の所定温度
で、第１のエネルギを有する光を照射した状態でｐ型Ｇ
ａＮ層を成長させる工程と、 を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項３】前記第２の所定温度は摂氏７００度から摂
氏９５０度の範囲にあり、前記第１のエネルギは３．９
ｅＶ以上で、前記第２のエネルギは４．２ｅＶ以上であ
ることを特徴とする請求項２記載の半導体発光素子の製
造方法。 - 【請求項４】前記基板は、Ａｌ2 Ｏ3 基板、ＳｉＯ基
板、又はＺｎＯ基板のいずれかであることを特徴とする
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体発光素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29664696A JP3347002B2 (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29664696A JP3347002B2 (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144959A JPH10144959A (ja) | 1998-05-29 |
| JP3347002B2 true JP3347002B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=17836242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29664696A Expired - Fee Related JP3347002B2 (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3347002B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010068630A (ko) * | 2000-01-07 | 2001-07-23 | 구자홍 | Ⅲ-ⅴ족 질화물 막 성장 방법 |
| TWI745465B (zh) * | 2016-10-28 | 2021-11-11 | 荷蘭商露明控股公司 | 用於在紫外光照射下生長發光裝置的方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5024967A (en) * | 1989-06-30 | 1991-06-18 | At&T Bell Laboratories | Doping procedures for semiconductor devices |
| JP2875124B2 (ja) * | 1992-11-26 | 1999-03-24 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP3077781B2 (ja) * | 1992-12-10 | 2000-08-14 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化インジウムガリウムの成長方法 |
| KR960007835A (ko) * | 1994-08-22 | 1996-03-22 | 강박광 | 청색 발광성 질화갈륨 적층막의 제조방법 |
| JPH08222812A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
| JPH0983086A (ja) * | 1995-09-07 | 1997-03-28 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JPH09266218A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Nippon Steel Corp | ｐ型化合物半導体の低抵抗化方法 |
| JPH09309796A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Sony Corp | 窒素系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法 |
-
1996
- 1996-11-08 JP JP29664696A patent/JP3347002B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10144959A (ja) | 1998-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100304881B1 (ko) | Gan계화합물반도체및그의결정성장방법 | |
| US7709284B2 (en) | Method for deposition of magnesium doped (Al, In, Ga, B)N layers | |
| US7760785B2 (en) | Group-III nitride semiconductor device | |
| JP3420028B2 (ja) | ＧａＮ系化合物半導体素子の製造方法 | |
| US7157307B2 (en) | Zn-base semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same | |
| US20100133506A1 (en) | Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor | |
| US8866161B2 (en) | Light-emitting semiconductor device having sub-structures for reducing defects of dislocation therein | |
| US7456034B2 (en) | Nitride semiconductor device and method for fabricating the same | |
| JP2006510234A5 (ja) | ||
| JP2007157853A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2005294793A (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPWO2007138656A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| US7859086B2 (en) | Nitride semiconductor single crystal substrate, and methods of fabricating the same and a vertical nitride semiconductor light emitting diode using the same | |
| JP2000150959A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JP7407303B2 (ja) | Ｌｅｄ前駆体 | |
| JP3347002B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2005260200A (ja) | 窒化物系発光装置の三重窒化物系バッファ層及び該層の製造方法 | |
| JP2005129923A (ja) | 窒化物半導体、それを用いた発光素子、発光ダイオード、レーザー素子およびランプ並びにそれらの製造方法 | |
| JP2001102633A (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2002367909A (ja) | 窒化物半導体膜およびその製造方法 | |
| JPH11274557A (ja) | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法 | |
| JP2000101140A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| KR100576850B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 제조방법 | |
| JP2000332293A (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2768343B2 (ja) | 窒化ｉｉｉ族化合物半導体の結晶成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070906 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080906 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080906 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090906 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090906 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100906 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110906 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |