JP3346851B2

JP3346851B2 - 位置検出装置

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Publication number: JP3346851B2
Application number: JP26608493A
Authority: JP
Inventors: 武士西坂; 頼幸石橋; 達彦東木; 博幸長浜
Original assignee: Toshiba Corp; Topcon Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Topcon Corp
Priority date: 1993-10-25
Filing date: 1993-10-25
Publication date: 2002-11-18
Anticipated expiration: 2017-11-18
Also published as: JPH07120212A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、干渉計式の位置検出装
置に係り、たとえば２つの試料間の間隙長検出などに適
した位置検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、超ＬＳＩの回路パターンをＸ線露
光装置を使って等倍露光で形成する試みがなされてい
る。Ｘ線露光は、高解像性を有したパターン形成技術で
あり、最小線幅 0.2μｍを実現する技術の１つでもあ
る。

【０００３】Ｘ線等倍露光装置を使って最小線幅 0.2μ
ｍの微細パターンを形成するには、マスクとウェハとの
重ね合せに際して±0.05μｍ以下の精度を得る必要があ
る。これを実現するには、マスクとウェハとの対向方向
と直交する面内の正確な位置合せは勿論のこと、半影ボ
ケやランナウト誤差を最小にするために、マスク・ウェ
ハ間の間隙長を正確に設定することが要求される。

【０００４】ところで、マスク・ウェハ間の間隙長設定
を行う技術は従来から種々考えられている。代表的なも
のとして、回折格子を用いた光ヘテロダン干渉式位置検
出装置を用いた位置合せ装置と、干渉計式の位置検出装
置を用いた位置合せ装置とを挙げることができる。

【０００５】光ヘテロダン干渉式位置検出装置を用いた
位置合せ装置は、マスクとウェハとにストライプ状の回
折格子を互いのストライプを直交させて対向関係に設け
るとともに、１つの光源から放射された可干渉性の光ビ
ームを２分割し、これらを変調して得られた周波数の異
なる２本の光ビームをマスクに設けられた回折格子に対
してマスク面と垂直な面を境にして左右対称に定められ
た入射角度で照射し、この照射によって得られた回折光
のうちの特定次数の回折光間の位相差から間隙情報を得
るように構成されている。

【０００６】しかし、この位置合せ装置にあっては、光
ヘテロダン干渉式位置検出装置で検出できる間隙長範囲
が± 5μｍ程度であるため、予めたとえば静電容量式セ
ンサなどを使って上記範囲に追い込んだ後に、光ヘテロ
ダン干渉式位置検出装置を使って目標間隙長に設定する
手順を採る必要がある。このため、位置合せの迅速性に
欠ける問題があった。

【０００７】一方、干渉計式の位置検出装置を用いた位
置合せ装置は、図１３に示すように、白色光源１から放
射された光をレンズ２で平行光束に変換した後、ビーム
スプリッタ３で２つの光束に分離し、分離された一方の
光束４を試料面であるマスクＭおよびウェハＷに、他方
の光束５を図中Ｙ軸方向に移動自在な反射鏡６の基準反
射面７に照射し、マスクＭあるいはウェハＷで反射した
反射光束と基準反射面７で反射した反射光束とを検出器
８で検出し、両反射光が干渉したときの基準反射面７の
位置に基いて試料面の位置を計測するように構成されて
いる。

【０００８】すなわち、基準反射面７を、たとえばビー
ムスプリッタ３に近付けておき、この位置から駆動機構
９を使ってビームスプリッタ３から離れる方向に基準反
射面７を移動させる。このように移動させると、図１４
中のＡで示す位置まで移動した時点でビームスプリッタ
・基準反射面間の光路長とビームスプリッタ・マスク間
の光路長とが一致し、検出器８によって強い干渉光が検
出される。この干渉光が検出されたときの基準反射面７
の位置をポジションセンサ１０で検出する。基準反射面
７がさらに移動して、図１４中のＢで示す位置まで移動
した時点でビームスプリッタ・基準反射面間の光路長と
ビームスプリッタ・ウェハ間の光路長が一致し、検出器
８によって強い干渉光が検出される。この干渉光が検出
されたときの基準反射面７の位置をポジションセンサ１
０で検出する。そして、ウェハＷに対して干渉光の得ら
れた基準反射面７の位置ＢとマスクＭに対して干渉光の
得られた基準反射面７の位置Ａとの差からマスク・ウェ
ハ間の間隙長Ｚ₁ を求める。このようにして計測された
間隙長に基いてマスクテーブル駆動機構１１あるいはウ
ェハテーブル駆動機構１２を駆動することによりマスク
・ウェハ間の間隙長を正確に設定することが可能とな
る。

【０００９】このような干渉計式の位置検出装置を使用
した位置合せ装置にあっては、計測範囲を広くとれる。
しかし、基準反射面７を移動させてマスク位置およびウ
ェハ位置を順次計測し、最終的に両位置の差から間隙長
Ｚ₁ を求める必要があるので、やはり位置合せの迅速性
に欠ける問題があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、位置合せ
装置において用いられている従来の光ヘテロダン干渉式
位置検出装置や干渉計式の位置検出装置にあっては、位
置計測の行える範囲が狭かったり、計測結果を得るまで
に時間を要したりし、使い易さや計測の迅速性に欠ける
問題があった。

【００１１】そこで本発明は、位置計測の行える範囲が
広く、しかも短時間に計測結果を得ることができ、たと
えば位置合せ装置等に組込んだときその効果が大きい位
置検出装置を提供することを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、白色光源から出た光束をビームスプリッ
タで２つの光束に分離し、分離された一方の光束を試料
面に、他方の光束をこの光束に沿った方向に移動自在な
反射鏡の基準反射面に照射し、上記試料面で反射した反
射光束と上記基準反射面で反射した反射光束とを干渉さ
せた光を検出器で電気信号に変換するようにした位置検
出装置において、前記基準反射面は前記移動方向と直交
する面に対して一定角度で傾斜し，前記移動方向と平行
な方向に段差を有する複数の反射面で構成され、前記検
出器はラインセンサもしくはエリアセンサで構成されて
いることを特徴としている。また、本発明は、白色光源
から出た光束をビームスプリッタで２つの光束に分離
し、分離された一方の光束を試料面に、他方の光束をこ
の光束に沿った方向に移動自在な反射鏡の基準反射面に
照射し、上記試料面で反射した反射光束と上記基準反射
面で反射した反射光束とを干渉させた光を検出器で電気
信号に変換するようにした位置検出装置において、前記
基準反射面は前記移動方向と直交する面に対して異なる
角度で傾斜する複数の反射面で構成され、前記検出器は
ラインセンサもしくはエリアセンサで構成されているこ
とを特徴としている。

【００１３】

【作用】基準反射面の傾斜角が小さい範囲では、ビーム
スプリッタを通して基準反射面に入射した光のほとんど
が、入射経路と同じ経路を逆方向に辿る反射光となって
ビームスプリッタ側へと進む。

【００１４】今、基準反射面が１つの反射面で構成され
ている場合を例にとると、ビームスプリッタ・試料面間
の光路長が、基準反射面の傾斜角で決まるビームスプリ
ッタ・基準反射面間の最短光路長と最大光路長との間に
あるとき、検出器によって干渉光が検出される。この干
渉光の検出される検出器上の位置は、基準反射面のビー
ムスプリッタに対する位置と、基準反射面の傾斜角と、
検出器の配置とによって決まる。基準反射面のビームス
プリッタに対する位置はポジションセンサで知ることが
でき、基準反射面の傾斜角は既知であり、検出器の配置
は組立て時に既知である。したがって、干渉光の検出さ
れた検出器上の位置から干渉を起こした光路長、つまり
試料面の位置を計測することができる。つまり、ビーム
スプリッタ・試料面間の光路長が、ビームスプリッタ・
基準反射面間の最短光路長と最大光路長との間にあると
きには、基準反射面を移動させることなく、試料面の位
置を計測することができる。

【００１５】また、マスクとウェハとの関係のように、
試料面が２段構成の場合、ビームスプリッタ・マスク間
の光路長とビームスプリッタ・ウェハ間の光路長との両
方が、ビームスプリッタ・基準反射面間の最短光路長と
最大光路長との間にあるとき、やはり基準反射面を移動
させることなく、マスク位置およびウェハ位置、つまり
マスク・ウェハ間の間隙長を一度に計測することができ
る。

【００１６】また、基準反射面を傾斜角が同じで段差を
有した複数の反射面で構成したり、傾斜角が異なる複数
の反射面で構成したりすることにより、基準反射面の移
動量を抑えた状態で、マスク・ウェハ間の広い範囲に亘
る間隙長の計測が可能となる。

【００１７】

【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。図１には本発明の一実施例に係る位置検出装置でマ
スクＭとウェハＷとの間のの間隙長Ｚ₁ を計測している
例が示されている。

【００１８】この位置検出装置は、白色光源２１から放
射された光をレンズ２２で平行光束に変換した後、ビー
ムスプリッタ２３で２つの光束に分離し、分離された一
方の光束２４を試料面であるマスクＭおよびウェハＷ
に、他方の光束２５を図中Ｙ軸方向に移動自在な反射鏡
２６の基準反射面２７に照射し、マスクＭあるいはウェ
ハＷで反射した反射光束と基準反射面２７で反射した反
射光束とをビームスプリッタ２３で一致させた光束を検
出器２８で検出し、両反射光が干渉したときの基準反射
面２７の位置および検出器２８上の干渉位置に基いて試
料面の位置を計測するように構成されている。なお、図
１中、２９は反射鏡２６を移動させるための駆動機構を
示し、３０は基準反射面２７の位置を検出するためのポ
ジションセンサを示し、３１はマスクテーブル駆動機構
を示し、３２はウェハテーブル駆動機構を示している。

【００１９】ここで、この実施例に係る位置検出装置が
図１３に示される従来の位置検出装置と大きく異なる点
は基準反射面２７の構成にある。基準反射面２７は、図
２に示すように、移動方向（Ｙ軸方向）と直交する面に
対してθだけ傾いた面に形成されている。なお、傾き角
θは、ビームスプリッタ２３を通して基準反射面２７に
入射した光のほとんどを入射経路と同じ経路で逆方向に
辿る反射光としてビームスプリッタ２３側へ進ませ得る
角度に設定されている。以下の図では、判り易くするた
めに傾き角θを大にして示してある。

【００２０】検出器２８は、図３に示すように、縦横寸
法がそれぞれ数μｍの受光素子３３をＸ軸方向およびＹ
軸方向にそれぞれ所定ピッチで配列した、たとえばＣＣ
Ｄエリアセンサによって構成されている。

【００２１】このように構成されているので、基準反射
面２７の移動量を最小に抑えた状態あるいは基準反射面
２７を移動させることなく、マスク・ウェハ間の間隙長
を計測することができる。

【００２２】すなわち、図４にはビームスプリッタ２３
と基準反射面２７との間の光路およびビームスプリッタ
２３とマスクＭならびにウェハＷとの間の光路が示され
ている。ビームスプリッタ２３と基準反射面２７との間
を進む光束２５の光路長は、基準反射面２７の傾きの影
響によりＬβ１〜Ｌβ２の間の値となる。基準反射面２
７の傾き角をθとし、光路長Ｌβ１の位置を基準にした
とき、任意の点Ｐまでの距離をｘとすると、Ｐの位置で
の光路長ＬβＰは(1) 式で表される。

【００２３】ＬβＰ＝Ｌβ１−ｘ・tan θ …(1) 一方、ビームスプリッタ２３とウェハＷとの間を進む光
束２４の光路長をＬα１、ビームスプリッタ２３とマス
クＭとの間を進む光束２４の光路長をＬα２とし、基準
反射面２７上の任意の２点の位置での光路長をＬβ１，
Ｌβ２とし、光の波長をλとすると、光の干渉の原理か
ら下記の(2) 〜(5) 式が満たされたときにそれぞれ干渉
が起こって光量が増大する。

【００２４】｜Ｌα１−Ｌβ１｜＝ｎλ／ 2 …(2) ｜Ｌα２−Ｌβ２｜＝ｎλ／ 2 …（３）
｜Ｌα１−Ｌβ２｜＝ｎλ／２ …(4) ｜Ｌα２−Ｌβ１｜＝ｎλ／ 2 …(5) なお、上記(2) 〜(5) 式において、ｎは干渉次数であ
り、この例では白色光源を使用しているので、ｎ＝ 0の
ときのみ干渉を起こす。

【００２５】今、マスク・ウェハ間の光路長がｄＬα
（＝Ｌα１−Ｌα２）であるとき、基準反射面２７上の
任意の２点での光束２５の光路長Ｌβ１とＬβ２との差
ｄＬβ（＝Ｌβ１−Ｌβ２）がｄＬαと等しいときに
は、基準反射面２７のＹ軸方向の位置を調整することに
よって、マスクＭによる干渉光とウェハＷによる干渉光
とを検出器２８で同時に検出することができる。そのと
き、基準反射面２７上ではｄＬα／tan θだけ離れた位
置で干渉が起こる。

【００２６】図５には、光束２５の最大光路長と最小光
路長との差ｄＬβと、ｄＬαと、θとの関係が 0＜θ，
ｄＬβ＜ｄＬαであるとき、ビームスプリッタ２３から
離れる方向に基準反射面２７を移動させたときに、干渉
の起こる基準反射面２７上の位置Ｑの推移が示されてい
る。ｍ₁ がマスクＭによって起こる範囲を示し、ｍ₂が
ウェハＷによって起こる範囲を示している。

【００２７】したがって、この場合には、干渉位置Ｑが
基準反射面２７上の中心、つまり検出器２８の中心位置
で干渉光が検出されたときにポジションセンサ３０によ
って検出された位置Ａと、次に検出器２８の中心位置で
干渉光が検出されたときにポジションセンサ３０によっ
て検出された位置Ｂとの差によってマスク・ウェハ間の
間隙長を知ることができる。この場合、基準反射面２７
の移動量に対する計測可能な間隙長範囲を広くすること
ができる。

【００２８】図６には、光束２５の最大光路長と最小光
路長との差ｄＬβと、ｄＬαと、θとの関係が 0＜θ，
ｄＬβ＞ｄＬαであるとき、ビームスプリッタ２３から
離れる方向に基準反射面２７を移動させたときに、干渉
の起こる基準反射面２７上の位置Ｑ_M ，Ｑ_W の推移が示
されている。Ｑ_M がマスクＭによって起こる位置を示
し、Ｑ_W がウェハＷによって起こる位置を示している。

【００２９】この場合には、範囲ｍ₃ 内においてマスク
Ｍによる干渉光とウェハＷによる干渉光とを同時に検出
器２８によって観測することができるので、干渉光が検
出された検出器２８上の位置からマスク・ウェハ間の間
隙長を計測できる。すなわち、基準反射面２８の傾き角
は既知であり、検出器２８の配置および素子ピッチも既
知であるため、干渉光が検出された検出器２７上の位置
からマスク・ウェハ間の間隙長を計測できることにな
る。したがって、基準反射面２７の移動量を最小に抑え
た状態で、かつ広い間隙長範囲に亘って迅速な計測が可
能となる。

【００３０】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、種々変形することができる。たとえば、図
７に示すように、移動方向と直交する面に対する傾き角
θが等しく、かつ移動方向と平行する方向にＨの段差を
持つ２つの反射面Ｊ₁ ，Ｊ₂ を持つ基準反射面２７ａを
備えた反射鏡２６ａを用いるようにしてもよい。

【００３１】マスク・ウェハ間の間隙長検出に際して、
上記構成の反射鏡２６ａを駆動機構で移動させると、干
渉の起こる基準反射面２７ａ上の位置Ｑ_M ，Ｑ_W は図８
(a),(b),（c)に示すように推移する。

【００３２】すなわち、図８(a) はマスク・ウェハ間の
間隙長が段差Ｈより狭い場合であり、図８(b) はマスク
・ウェハ間の間隙長が段差Ｈと等しい場合であり、図８
(c)はマスク・ウェハ間の間隙長が段差Ｈより広い場合
である。

【００３３】これらの図から判るように、マスク・ウェ
ハ間の間隙長が段差Ｈと等しい場合には干渉の起こる位
置Ｑ_M ，Ｑ_W が等しくなり、マスク・ウェハ間の間隙長
と段差Ｈとが異なるときには、そのずれ量に応じて干渉
の起こる位置Ｑ_M ，Ｑ_W が左右にずれる。したがって、
位置Ｑ_M ，Ｑ_W のずれ量を検出器２８の出力から計測す
ることによって、段差Ｈに対する間隙長のずれ量を知る
ことができる。

【００３４】また、図９に示すように、移動方向と直交
する面に対する傾き角θ₁ が大きい反射面Ｊ₁ と、傾き
角θ₂ が小さい反射面Ｊ₂ とを持つ基準反射面２７ｂを
備えた反射鏡２６ｂを用いるようにしてもよい。

【００３５】基本的に、反射面の傾き角が小さいときに
は、測定方向に対する分解能が得られるが、計測範囲が
狭くなる。逆に、反射面の傾き角が大きいときには、計
測方向に対する分解能が悪くなるが、計測範囲が広くな
る。したがって、マスク・ウェハ間の間隙長検出に際し
て、上記構成の反射鏡２６ｂを駆動機構で移動させる
と、干渉の起こる基準反射面２７ｂ上の位置Ｑ_M ，Ｑ_W
が図１０に示すように推移するので、傾き角の大きい反
射面Ｊ₁ 上の位置Ｑ_M ，Ｑ_W を使って計測領域に追い込
んだ後、傾き角の小さい反射面Ｊ₂ 上の位置Ｑ_M ，Ｑ_W
を使って正確な間隙長計測を行うことが可能となる。な
お、図１０中、ＡはマスクＭによる干渉が反射面Ｊ₂ 上
の中心で起こる位置を示し、ＢはウェハＷによる干渉が
反射面Ｊ₂上の中心で起こる位置を示している。

【００３６】図１１には本発明に係る位置検出装置を応
用して試料の傾きを計測する例が示されている。この例
では、光束２５の光軸上に頂部が位置するように２つの
反射面Ｊ₁ ，Ｊ₂ を山型状（谷型状でも可）に組合せた
基準反射面２７ｃを持つ反射鏡２６ｃを用いている。

【００３７】このような反射鏡２６ｃを用いると、図中
ａ，ｂ，ｃで示すように試料３４に傾きがなく、高さの
みが変化した場合には、図中ａ′，ｂ′，ｃ′で示すよ
うに基準反射面２７ｃの頂上位置３５を中心にした左右
対象の位置Ｑ₁ ，Ｑ₂ において干渉が起こる。しかし、
試料３４が図中ｄ，ｅで示すように傾いている場合に
は、傾きに応じて左右の干渉位置の中心が図中ｄ′，
ｅ′で示すように基準反射面２７ｃの頂上位置３５から
ずれたものになる。このずれ量を図示しない検出器の出
力から計測することによって試料３４がどれだけ、どの
方向に傾いているかを知ることができる。

【００３８】図１２には基準反射面の変形例が示されて
いる。図中(a) ，(b) に示される基準反射面２７ｄ，２
７ｅは、図７に示したものと同様に、反射面に段差を設
け、かつ同じ傾きでそれぞれの反射面Ｊを設けている。
このような基準反射面２７ｄ，２７ｅを用いると、図７
で説明したように反射面間に設けた段差以上に高さの異
なる試料面間の間隙長を一度に計測できる。図中(c) に
示される基準反射面２７ｆは傾きの異なる２つの反射面
Ｊを設けている。このような基準反射面２７ｆを用いる
と、図９で説明したように、傾きの大きい反射面で広い
範囲を計測でき、傾きの小さい反射面で精密に計測でき
る。図中(d) に示されている基準反射面２７ｇは、２つ
の反射面Ｊをそれぞれ反対方向に同じ傾き量だけ傾けて
いる。このような基準反射面２７ｇを用いると、計測範
囲を広くでき、しかも試料面の高さが変わるとそれぞれ
の反射面で干渉位置が反対方向に移動するので、１つの
反射面で計測する場合に比べて２倍の分解能が得られ
る。図中(e) に示される基準反射面２７ｈは反射面Ｊの
中心部の傾き量を小さくして分解能を上げ、精密な位置
検出が行えるようにし、両端は傾きを大きくして計測範
囲を広くできるようにしている。図中(f) に示される基
準反射面２７ｉは、基本的には(e) に示されているもの
と同じであるが、反射面Ｊの傾きが連続的に変化するよ
うにしている。図中(g) に示される基準反射面２７ｊは
図１１に示されるものを拡張したものであり、中心から
上下左右にそれぞれ同じ量だけ傾いた反射面Ｊを備え、
２方向の傾きを計測できるようにしている。

【００３９】また、図１に示すように１つの反射面から
なる基準反射面を持つ反射鏡を用いる場合には、検出器
２８をラインセンサで構成してもよい。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施できることは勿
論である。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
移動自在に配置される反射鏡の基準反射面を移動方向と
直交する面に対して傾けているので、反射鏡の移動量を
抑えた状態で広い範囲に亘っての位置計測を行うことが
できる。また、基準反射面の傾き角を設定することによ
って反射鏡を移動させることなく複数の試料間の間隙長
を計測することもできる。したがって、計測範囲の拡大
化および計測に要する時間の短縮化に寄与できる。ま
た、基準反射面を傾き角の異なる複数の反射面で構成す
ることによって計測位置への追い込みを容易化でき、計
測に要する時間の一層の短縮化に寄与できる。さらに、
基準反射面を目標とする間隙長と等しい段差を持った反
射面で構成することにより、反射鏡の移動量を抑えた状
態で、高速な間隙長設定にも寄与できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る位置検出装置の概略構
成図

【図２】同装置に組込まれた反射鏡を取出して示す斜視
図

【図３】同装置に組込まれた検出器における受光素子配
置例を示す図

【図４】同装置による計測原理を説明するための図

【図５】同装置によって試料であるマスク・ウェハを計
測したときの基準反射面移動量と基準反射面上における
干渉位置の推移との関係を説明するための図

【図６】同装置によって試料であるマスク・ウェハを計
測したときの基準反射面移動量と基準反射面上における
干渉位置の推移との関係を説明するための図

【図７】反射鏡に設けられる基準反射面の変形例を示す
斜視図

【図８】同基準反射面を持つ反射鏡を用いて試料である
マスク・ウェハを計測したときの基準反射面移動量と基
準反射面上における干渉位置の推移との関係を説明する
ための図

【図９】反射鏡に設けられる基準反射面の別の変形例を
示す斜視図

【図１０】同基準反射面を持つ反射鏡を用いて試料であ
るマスク・ウェハを計測したときの基準反射面移動量と
基準反射面上における干渉位置の推移との関係を説明す
るための図

【図１１】反射鏡に設けられる基準反射面のさらに別の
変形例とその作用を説明するための図

【図１２】反射鏡に設けられる基準反射面のそれぞれ異
なる変形例を示す図

【図１３】従来の干渉計式位置検出装置の概略構成を示
す図

【図１４】同装置を用いて試料であるマスク・ウェハを
計測したときの基準反射面移動量と干渉位置との関係を
説明するための図

【符号の説明】

２１…白色光源２２…レンズ２３…ビームスプリッタ２４…一方の
光束２５…他方の光束２８…検出器２６，２６ａ，２６ｂ，２６ｃ…反射鏡２９…駆動機
構２７，２７ａ〜２７ｊ…基準反射面３０…ポジシ
ョンセンサ３１…マスクテーブル駆動機構３２…ウェハ
テーブル駆動機構３３…受光素子Ｊ，Ｊ₁ ，Ｊ
₂ …反射面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者東木達彦神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者長浜博幸東京都板橋区蓮沼町75番１号株式会社トプコン内 (56)参考文献特開昭63−37202（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01B 9/00 - 11/30 102

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】白色光源から出た光束をビームスプリッタ
で２つの光束に分離し、分離された一方の光束を試料面
に、他方の光束をこの光束に沿った方向に移動自在な反
射鏡の基準反射面に照射し、上記試料面で反射した反射
光束と上記基準反射面で反射した反射光束とを干渉させ
た光を検出器で電気信号に変換するようにした位置検出
装置において、前記基準反射面は前記移動方向と直交す
る面に対して一定角度で傾斜し，前記移動方向と平行な
方向に段差を有する複数の反射面で構成され、前記検出
器はラインセンサもしくはエリアセンサで構成されてい
ることを特徴とする位置検出装置。
【請求項２】白色光源から出た光束をビームスプリッタ
で２つの光束に分離し、分離された一方の光束を試料面
に、他方の光束をこの光束に沿った方向に移動自在な反
射鏡の基準反射面に照射し、上記試料面で反射した反射
光束と上記基準反射面で反射した反射光束とを干渉させ
た光を検出器で電気信号に変換するようにした位置検出
装置において、前記基準反射面は前記移動方向と直交す
る面に対して異なる角度で傾斜する複数の反射面で構成
され、前記検出器はラインセンサもしくはエリアセンサ
で構成されていることを特徴とする位置検出装置。