JP3315231B2 - 位置検出装置 - Google Patents
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- JP3315231B2 JP3315231B2 JP35127793A JP35127793A JP3315231B2 JP 3315231 B2 JP3315231 B2 JP 3315231B2 JP 35127793 A JP35127793 A JP 35127793A JP 35127793 A JP35127793 A JP 35127793A JP 3315231 B2 JP3315231 B2 JP 3315231B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、干渉計式の位置検出装
置に係り、特に真の干渉位置において処理の容易な強度
の干渉光が得られるようにした位置検出装置に関する。
置に係り、特に真の干渉位置において処理の容易な強度
の干渉光が得られるようにした位置検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、超ＬＳＩの回路パターンをＸ線露
光装置を使って等倍露光で形成する試みがなされてい
る。Ｘ線露光は、高解像性を有したパターン形成技術で
あり、最小線幅 0.2μｍを実現する技術の１つでもあ
る。
光装置を使って等倍露光で形成する試みがなされてい
る。Ｘ線露光は、高解像性を有したパターン形成技術で
あり、最小線幅 0.2μｍを実現する技術の１つでもあ
る。
【０００３】Ｘ線等倍露光装置を使って最小線幅 0.2μ
ｍの微細パターンを形成するには、マスクとウェハとの
重ね合せに際して±0.05μｍ以下の精度を得る必要があ
る。これを実現するには、マスクとウェハとの対向方向
と直交する面内の正確な位置合せは勿論のこと、半影ボ
ケやランナウト誤差を最小にするために、マスク・ウェ
ハ間の間隙を正確に設定することが要求される。
ｍの微細パターンを形成するには、マスクとウェハとの
重ね合せに際して±0.05μｍ以下の精度を得る必要があ
る。これを実現するには、マスクとウェハとの対向方向
と直交する面内の正確な位置合せは勿論のこと、半影ボ
ケやランナウト誤差を最小にするために、マスク・ウェ
ハ間の間隙を正確に設定することが要求される。
【０００４】ところで、マスク・ウェハ間の間隙設定を
行う技術は従来から種々考えられており、干渉計式の位
置検出装置を用いた位置合せ装置もその１つである。
行う技術は従来から種々考えられており、干渉計式の位
置検出装置を用いた位置合せ装置もその１つである。
【０００５】干渉式の位置検出装置は、通常、光源から
出た光束をプリズムビームスプリッタで２つの光束に分
離し、分離された一方の光束を試料面に、他方の光束を
移動自在な基準反射面に照射し、試料面で反射した反射
光束と基準反射面で反射した反射光束とが干渉したとき
の前記基準反射面の位置に基いて前記試料面の位置を検
出するように構成されている。
出た光束をプリズムビームスプリッタで２つの光束に分
離し、分離された一方の光束を試料面に、他方の光束を
移動自在な基準反射面に照射し、試料面で反射した反射
光束と基準反射面で反射した反射光束とが干渉したとき
の前記基準反射面の位置に基いて前記試料面の位置を検
出するように構成されている。
【０００６】したがって、この位置検出装置を使って、
まずマスク位置に対して干渉光の得られる基準反射面位
置を検出し、続いてウェハ位置に対して干渉光の得られ
る基準反射面位置を検出し、各検出で得られた基準反射
面の位置の差を求めればマスク・ウェハ間の間隙長を知
ることができる。この測定間隙長に基いてマスクテーブ
ルあるいはウェハテーブルの位置を調整することでマス
ク・ウェハ間の間隙長を正確に設定することが可能とな
る。
まずマスク位置に対して干渉光の得られる基準反射面位
置を検出し、続いてウェハ位置に対して干渉光の得られ
る基準反射面位置を検出し、各検出で得られた基準反射
面の位置の差を求めればマスク・ウェハ間の間隙長を知
ることができる。この測定間隙長に基いてマスクテーブ
ルあるいはウェハテーブルの位置を調整することでマス
ク・ウェハ間の間隙長を正確に設定することが可能とな
る。
【０００７】しかしながら、従来の位置検出装置にあっ
ては反射面の移動に伴って起こる受光レベルの変化から
正確な干渉位置を知ることが極めて困難であった。すな
わち、位置検出装置の光源としては、干渉位置での干渉
光強度を強調するために、図４に示すように、中心波長
が明確で、かつ比較的広い波長帯域の光を放射する白色
光源、たとえばハロゲンランプやキセノンランプが用い
られる。一方、プリズムビームスプリッタとしては、使
用波長に対する屈折率が、たとえば図５（ａ）に示すよ
うに変化するホウケイ酸ガラス（ＢＫ７）及び図５
（ｂ）に示すように変化するエポキシ系接着剤からなる
接着層から形成されたものが用いられている。
ては反射面の移動に伴って起こる受光レベルの変化から
正確な干渉位置を知ることが極めて困難であった。すな
わち、位置検出装置の光源としては、干渉位置での干渉
光強度を強調するために、図４に示すように、中心波長
が明確で、かつ比較的広い波長帯域の光を放射する白色
光源、たとえばハロゲンランプやキセノンランプが用い
られる。一方、プリズムビームスプリッタとしては、使
用波長に対する屈折率が、たとえば図５（ａ）に示すよ
うに変化するホウケイ酸ガラス（ＢＫ７）及び図５
（ｂ）に示すように変化するエポキシ系接着剤からなる
接着層から形成されたものが用いられている。
【０００８】プリズムビームスプリッタは、前述の如
く、光源から出た光束を２つの光束に分離し、一方の光
束を試料面に、他方の光束を移動自在な基準反射面に照
射し、試料面で反射した反射光束と基準反射面で反射し
た反射光束とを合波して導く役目を負っている。プリズ
ムビームスプリッタは、通常、前述したＢＫ７ガラスで
形成された直角プリズムの斜面に半透膜をコーテイング
した後、この半透膜を境にしてもう１つの直角プリズム
をこの直角プリズムと異なる材質の接着層によって貼り
合せた構成となっており、光軸ずれを防止できるという
特徴を有している。
く、光源から出た光束を２つの光束に分離し、一方の光
束を試料面に、他方の光束を移動自在な基準反射面に照
射し、試料面で反射した反射光束と基準反射面で反射し
た反射光束とを合波して導く役目を負っている。プリズ
ムビームスプリッタは、通常、前述したＢＫ７ガラスで
形成された直角プリズムの斜面に半透膜をコーテイング
した後、この半透膜を境にしてもう１つの直角プリズム
をこの直角プリズムと異なる材質の接着層によって貼り
合せた構成となっており、光軸ずれを防止できるという
特徴を有している。
【０００９】従来の位置検出装置におけるプリズムビー
ムスプリッタにおいて、プリズムビームスプリッタ内の
半透膜で反射した後の通路を第１通路とし、この半透膜
を通過した後の通路を第２通路とすると、第１通路に比
べて第２通路では、接着層を一回余分に通過することと
なり、それぞれの通路での光路長の差ΔＬが生じること
となる。
ムスプリッタにおいて、プリズムビームスプリッタ内の
半透膜で反射した後の通路を第１通路とし、この半透膜
を通過した後の通路を第２通路とすると、第１通路に比
べて第２通路では、接着層を一回余分に通過することと
なり、それぞれの通路での光路長の差ΔＬが生じること
となる。
【００１０】さらに接着層の光学特性、特に白色光源の
短波長側の屈折率と長波長側の屈折率との相違（以下
「分散」という）が、直角プリズムにおけるそれと異な
る場合には、第２通路内においても白色光源から出た光
束の各波長ごとの光路長に差が生じ、干渉光の受光レベ
ルの変化がなだらかなものとなる。
短波長側の屈折率と長波長側の屈折率との相違（以下
「分散」という）が、直角プリズムにおけるそれと異な
る場合には、第２通路内においても白色光源から出た光
束の各波長ごとの光路長に差が生じ、干渉光の受光レベ
ルの変化がなだらかなものとなる。
【００１１】たとえば、光源として図４に示した特性の
ものを用い、またプリズムビームスプリッタとしてΔＬ
が30μｍのものを用いた場合を例にとると、基準反射面
の移動に伴って受光レベルが図６(a) に示すように変化
する。この図から判るように、ΔＬの影響で幾つものピ
ークが現れ、真の干渉位置を知ることが困難となる。同
様に、ΔＬが50μｍのものを用いた場合にあっても、基
準反射面の移動に伴って受光レベルが図６(b) に示すよ
うに変化し、この場合も真の干渉位置を知ることが困難
となる。
ものを用い、またプリズムビームスプリッタとしてΔＬ
が30μｍのものを用いた場合を例にとると、基準反射面
の移動に伴って受光レベルが図６(a) に示すように変化
する。この図から判るように、ΔＬの影響で幾つものピ
ークが現れ、真の干渉位置を知ることが困難となる。同
様に、ΔＬが50μｍのものを用いた場合にあっても、基
準反射面の移動に伴って受光レベルが図６(b) に示すよ
うに変化し、この場合も真の干渉位置を知ることが困難
となる。
【００１２】このため、従来の位置検出装置では、複雑
な信号処理回路を付設して真の干渉位置を求める構成を
採用しており、装置が複雑化するばかりか、信頼性に欠
ける問題があった。
な信号処理回路を付設して真の干渉位置を求める構成を
採用しており、装置が複雑化するばかりか、信頼性に欠
ける問題があった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、真の
干渉位置において特に干渉光強度の強調された、つまり
真の干渉位置において処理の容易な強度の干渉光が得ら
れ、もって装置の単純化および信頼性の向上を図れる位
置検出装置を提供することを目的としている。
干渉位置において特に干渉光強度の強調された、つまり
真の干渉位置において処理の容易な強度の干渉光が得ら
れ、もって装置の単純化および信頼性の向上を図れる位
置検出装置を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、白色光源から出た光束をプリズムビーム
スプリッタで２つの光束に分離し、分離された一方の光
束を試料面に、他方の光束を移動自在な基準反射面に照
射し、試料面で反射した反射光束と基準反射面で反射し
た反射光束とが干渉したときの前記基準反射面の位置に
基いて前記試料面の位置を検出するようにした位置検出
装置において、前記プリズムビームスプリッタは、異な
る光学特性を有する少なくとも２種類の材料で形成し、
該プリズムビームスプリッタにおいて前記一方の光束が
通過する第１通路と、前記他方の光束が通過する第２通
路との波長による光路差をほぼゼロとすべく前記プリズ
ムビームスプリッタの形状又は前記２つの光束のいずれ
か一方の光束が通過する通路が形成されている。
に、本発明は、白色光源から出た光束をプリズムビーム
スプリッタで２つの光束に分離し、分離された一方の光
束を試料面に、他方の光束を移動自在な基準反射面に照
射し、試料面で反射した反射光束と基準反射面で反射し
た反射光束とが干渉したときの前記基準反射面の位置に
基いて前記試料面の位置を検出するようにした位置検出
装置において、前記プリズムビームスプリッタは、異な
る光学特性を有する少なくとも２種類の材料で形成し、
該プリズムビームスプリッタにおいて前記一方の光束が
通過する第１通路と、前記他方の光束が通過する第２通
路との波長による光路差をほぼゼロとすべく前記プリズ
ムビームスプリッタの形状又は前記２つの光束のいずれ
か一方の光束が通過する通路が形成されている。
【００１５】
【作用】プリズムビームスプリッタ内において分離され
た一方の光束がプリズムビームスプリッタ内を通過する
部分と一方の光束がプリズムビームスプリッタ内を通過
する部分との波長による光路差をほぼゼロにできるの
で、光路差に起因して起こる受光レベルの大きな乱れ
（波形の乱れ）を抑制でき、図２に示すように真の干渉
位置において受光レベルの強調された処理の容易な干渉
光を得ることが可能となる。
た一方の光束がプリズムビームスプリッタ内を通過する
部分と一方の光束がプリズムビームスプリッタ内を通過
する部分との波長による光路差をほぼゼロにできるの
で、光路差に起因して起こる受光レベルの大きな乱れ
（波形の乱れ）を抑制でき、図２に示すように真の干渉
位置において受光レベルの強調された処理の容易な干渉
光を得ることが可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。
る。
【００１７】図１には本発明の第１実施例に係る位置検
出装置を組込んでマスクＭとウェハＷとの間の間隙長Ｚ
を所望に設定できるようにした位置合せ装置Ａが示され
ている。この装置Ａは次のように構成されている。
出装置を組込んでマスクＭとウェハＷとの間の間隙長Ｚ
を所望に設定できるようにした位置合せ装置Ａが示され
ている。この装置Ａは次のように構成されている。
【００１８】すなわち、キセノンランプやハロゲンラン
プ等の光源２１から放射された、図４に示すような強度
分布を持つ白色光２２がレンズ系２３で平行光束に変換
され、半透鏡２４，反射鏡２５を介してプリズムビーム
スプリッタ２６に入射され、このプリズムビームスプリ
ッタ２６内においてマスク方向に進む第１の光路２７と
移動自在に設けられた基準反射面２８の方向に進む第２
の光路２９とに分離される。
プ等の光源２１から放射された、図４に示すような強度
分布を持つ白色光２２がレンズ系２３で平行光束に変換
され、半透鏡２４，反射鏡２５を介してプリズムビーム
スプリッタ２６に入射され、このプリズムビームスプリ
ッタ２６内においてマスク方向に進む第１の光路２７と
移動自在に設けられた基準反射面２８の方向に進む第２
の光路２９とに分離される。
【００１９】第１の光路２７に進んだ光束は、マスク面
あるいはウェハ面に達して反射される。この反射光束
は、逆の経路、すなわちプリズムビームスプリッタ２６
〜反射鏡２５〜半透鏡２４の経路でＣＣＤカメラ等で構
成された受光装置３０に導かれる。また、第２の光路２
９に進んだ光束は、基準反射面２８に達して反射され
る。この反射光束も逆の経路、すなわちプリズムビーム
スプリッタ２６〜反射鏡２５〜半透鏡２４の経路で受光
装置３０に導かれる。
あるいはウェハ面に達して反射される。この反射光束
は、逆の経路、すなわちプリズムビームスプリッタ２６
〜反射鏡２５〜半透鏡２４の経路でＣＣＤカメラ等で構
成された受光装置３０に導かれる。また、第２の光路２
９に進んだ光束は、基準反射面２８に達して反射され
る。この反射光束も逆の経路、すなわちプリズムビーム
スプリッタ２６〜反射鏡２５〜半透鏡２４の経路で受光
装置３０に導かれる。
【００２０】ここで、プリズムビームスプリッタ２６
は、たとえばＢＫ７ガラスで形成された直角プリズム３
１ａの斜面に半透膜３２をコーテイングした後、この半
透膜３２を境にして同じくＢＫ７ガラスで形成されたも
う１つの直角プリズム３１ｂを接着層３３によって貼り
合せた構成となっている。
は、たとえばＢＫ７ガラスで形成された直角プリズム３
１ａの斜面に半透膜３２をコーテイングした後、この半
透膜３２を境にして同じくＢＫ７ガラスで形成されたも
う１つの直角プリズム３１ｂを接着層３３によって貼り
合せた構成となっている。
【００２１】この実施例では、プリズムビームスプリッ
タの部分において、第１直角プリズムが第１通路の部分
に相当し、第２直角プリズム及び接着層が第２通路の部
分に相当している。
タの部分において、第１直角プリズムが第１通路の部分
に相当し、第２直角プリズム及び接着層が第２通路の部
分に相当している。
【００２２】そして、それぞれの通路は、第１直角プリ
ズムに対する白色光源の短波長側に対する屈折率を
ｎ1H、長波長側に対する屈折率をｎ1Lとし、第２直角プ
リズムに対する白色光源の短波長側に対する屈折率をｎ
2H、長波長側に対する屈折率をｎ2Lとし、接着層の短波
長側に対する屈折率をｎ3H、長波長側に対する屈折率を
ｎ3Lとし、第１直角プリズム中の光束通過部分の長さを
Ｔ1 、第２直角プリズム中の光束通過部分の長さをＴ2
とし、接着層中での光束の通過部分の長さをＴ3 とした
場合、 （ｎ1H−ｎ1L）Ｔ1 ＝（ｎ2H−ｎ2L）Ｔ2 ＋（ｎ3H−ｎ3L）Ｔ3 …（１） なる関係を満足するように構成されている。
ズムに対する白色光源の短波長側に対する屈折率を
ｎ1H、長波長側に対する屈折率をｎ1Lとし、第２直角プ
リズムに対する白色光源の短波長側に対する屈折率をｎ
2H、長波長側に対する屈折率をｎ2Lとし、接着層の短波
長側に対する屈折率をｎ3H、長波長側に対する屈折率を
ｎ3Lとし、第１直角プリズム中の光束通過部分の長さを
Ｔ1 、第２直角プリズム中の光束通過部分の長さをＴ2
とし、接着層中での光束の通過部分の長さをＴ3 とした
場合、 （ｎ1H−ｎ1L）Ｔ1 ＝（ｎ2H−ｎ2L）Ｔ2 ＋（ｎ3H−ｎ3L）Ｔ3 …（１） なる関係を満足するように構成されている。
【００２３】具体的に説明をすれば、第１直角プリズム
及び第２直角プリズムをホウケイ酸クラウンガラス（Ｂ
Ｋ７）で形成し、短波長側をフランホーファー線中のＦ
線（486nm ）で、長波長側をＣ線（656nm ）で代表させ
ると、それぞれの屈折率は、ｎ1H＝ｎ2H＝1.522 、ｎ1L
＝ｎ2L＝1.514 となる。接着剤としては、例えば自然硬
化型のエポキシ系接着剤が利用でき、その屈折率を短波
長に対してｎ3H＝1.589 、長波長に対してｎ3L＝1.573
とする。第１直角プリズム中の光束通過部分の長さをＴ
1 ＝10mm、接着層中の光束の通過部分の長さをＴ3 ＝0.
05mmとした場合に、第２直角プリズム中の光束通過部分
の長さＴ2 を9.90mmとすれば式（１）が満足され、長波
長側の光に対する第１通路と第２通路での光路長の差
と、短波長側の光に対する第１通路と第２通路での光路
長の差とをほぼ等しくすることができる。
及び第２直角プリズムをホウケイ酸クラウンガラス（Ｂ
Ｋ７）で形成し、短波長側をフランホーファー線中のＦ
線（486nm ）で、長波長側をＣ線（656nm ）で代表させ
ると、それぞれの屈折率は、ｎ1H＝ｎ2H＝1.522 、ｎ1L
＝ｎ2L＝1.514 となる。接着剤としては、例えば自然硬
化型のエポキシ系接着剤が利用でき、その屈折率を短波
長に対してｎ3H＝1.589 、長波長に対してｎ3L＝1.573
とする。第１直角プリズム中の光束通過部分の長さをＴ
1 ＝10mm、接着層中の光束の通過部分の長さをＴ3 ＝0.
05mmとした場合に、第２直角プリズム中の光束通過部分
の長さＴ2 を9.90mmとすれば式（１）が満足され、長波
長側の光に対する第１通路と第２通路での光路長の差
と、短波長側の光に対する第１通路と第２通路での光路
長の差とをほぼ等しくすることができる。
【００２４】そして、このように構成されたプリズムビ
ームスプリッタ２６が、マスクＭの表面に対して半透膜
３２を45゜傾けてマスクＭの上方に配置されている。
ームスプリッタ２６が、マスクＭの表面に対して半透膜
３２を45゜傾けてマスクＭの上方に配置されている。
【００２５】基準反射面２８は、図中実線矢印３４で示
す方向に移動自在に設けられた可動体３５上に設定され
ている。可動体３５は、粗動駆動機構および微動駆動機
構を備えた駆動機構３６によって駆動される。また、基
準反射面２８の実線矢印３４で示す方向の位置を検出す
るポジションメータ３７が設けてあり、このポジション
メータ３７の出力は間隙長算出装置３８に導入される。
間隙長算出装置３８は後述する最大レベル検出装置３９
から信号Ｓが与えられる都度、その時点におけるポジシ
ョンメータ３７の出力を読取り、１回前に読取った値と
今回読取った値との差を間隙長Ｚとして表示するように
構成されている。
す方向に移動自在に設けられた可動体３５上に設定され
ている。可動体３５は、粗動駆動機構および微動駆動機
構を備えた駆動機構３６によって駆動される。また、基
準反射面２８の実線矢印３４で示す方向の位置を検出す
るポジションメータ３７が設けてあり、このポジション
メータ３７の出力は間隙長算出装置３８に導入される。
間隙長算出装置３８は後述する最大レベル検出装置３９
から信号Ｓが与えられる都度、その時点におけるポジシ
ョンメータ３７の出力を読取り、１回前に読取った値と
今回読取った値との差を間隙長Ｚとして表示するように
構成されている。
【００２６】受光装置３０の出力は、最大レベル検出装
置３９に与えられる。この最大レベル検出装置３９は、
受光装置３０に設けられた受光素子群の中で半透鏡２４
を介して入射した光を受光する素子の出力が所定レベル
を越え、かつ最大値に至った時点で信号Ｓを出力するよ
うに構成されている。この信号Ｓは、前述した間隙長算
出装置３８に読取り信号として与えられるとともに駆動
機構３６の停止信号として与えられる。
置３９に与えられる。この最大レベル検出装置３９は、
受光装置３０に設けられた受光素子群の中で半透鏡２４
を介して入射した光を受光する素子の出力が所定レベル
を越え、かつ最大値に至った時点で信号Ｓを出力するよ
うに構成されている。この信号Ｓは、前述した間隙長算
出装置３８に読取り信号として与えられるとともに駆動
機構３６の停止信号として与えられる。
【００２７】なお、図１中、４０はマスクＭを図中実線
矢印４１，４２で示す方向に移動させるためのテーブル
駆動機構を示し、４３はウェハＷを図中実線矢印４４，
４５で示す方向に移動させるためのテーブル駆動機構を
示している。
矢印４１，４２で示す方向に移動させるためのテーブル
駆動機構を示し、４３はウェハＷを図中実線矢印４４，
４５で示す方向に移動させるためのテーブル駆動機構を
示している。
【００２８】次に、上記のように構成された装置を使っ
て間隙長Ｚを所望値に設定する場合について説明する。
て間隙長Ｚを所望値に設定する場合について説明する。
【００２９】まず、光源２１を点灯させる。次に、テー
ブル駆動機構４０を動作させ、マスクＭを実線矢印４２
で示す方向に移動させて、マスクＭに設けられた図示し
ない反射面を第１の光路２７上に位置させる。
ブル駆動機構４０を動作させ、マスクＭを実線矢印４２
で示す方向に移動させて、マスクＭに設けられた図示し
ない反射面を第１の光路２７上に位置させる。
【００３０】光源２１から放射された白色光２２は、プ
リズムビームスプリッタ２６内において第１の光路２７
と第２の光路２９とに分離される。そして、第１の光路
２７に進んだ光束は、マスクＭに設けられた反射面で反
射され、この反射光束が逆の経路を進み、半透鏡２４を
介して受光装置３０に入射する。同様に、第２の光路２
９に進んだ光束は、基準反射面２８で反射され、この反
射光束も逆の経路で進み、半透鏡２４を介して受光装置
３０に入射する。したがって、受光装置３０から受光レ
ベルに対応した電気信号が出力される。
リズムビームスプリッタ２６内において第１の光路２７
と第２の光路２９とに分離される。そして、第１の光路
２７に進んだ光束は、マスクＭに設けられた反射面で反
射され、この反射光束が逆の経路を進み、半透鏡２４を
介して受光装置３０に入射する。同様に、第２の光路２
９に進んだ光束は、基準反射面２８で反射され、この反
射光束も逆の経路で進み、半透鏡２４を介して受光装置
３０に入射する。したがって、受光装置３０から受光レ
ベルに対応した電気信号が出力される。
【００３１】次に、駆動機構３６を動作させて、基準反
射面２８をプリズムビームスプリッタ２６に近付ける方
向に移動させる。このように移動させると、ついには第
１の光路２７の光路長Ｌ1 と第２の光路２９の光路長Ｌ
2 とが一致した条件が形成される。したがって、干渉の
原理から、下記の（２）式が満たされ、受光装置３０の
受光レベルが最大となる。
射面２８をプリズムビームスプリッタ２６に近付ける方
向に移動させる。このように移動させると、ついには第
１の光路２７の光路長Ｌ1 と第２の光路２９の光路長Ｌ
2 とが一致した条件が形成される。したがって、干渉の
原理から、下記の（２）式が満たされ、受光装置３０の
受光レベルが最大となる。
【００３２】 Ｌ1 −Ｌ2 ＝ｍλ／2 …（２） なお、（２）式において、λは光の波長を示し、ｍは干
渉の次数を示している。光源２１として白色光を放射す
るものを用いているので、ｍ＝0 のときのみ干渉を起こ
す。
渉の次数を示している。光源２１として白色光を放射す
るものを用いているので、ｍ＝0 のときのみ干渉を起こ
す。
【００３３】図２には基準反射面２８を移動させたとき
に受光装置３０によって検出された受光レベルの変化が
示されている。この実施例においては、同じ屈折率特性
を示す材料で形成された２つの直角プリズム３１ａ，３
１ｂの組合せでプリズムビームスプリッタ２６が形成さ
れ、且つこのプリズムビームスプリッタ２６は分岐点Ｐ
から第１の光路２７に所属する第１通路Ｔ1 と同じく第
２の光路２９に所属する第２通路Ｔ2 ＋Ｔ3 とが式
（１）を満足するように形成されているので、第１通路
と第２通路での各波長による光路長差ΔＬはほぼゼロで
ある。このため、受光レベルは、図２に示すように、Ｌ
1 −Ｌ2 ＝0 の位置において、大きなピーク値Ｈを示す
極めて単純な変化を呈する。
に受光装置３０によって検出された受光レベルの変化が
示されている。この実施例においては、同じ屈折率特性
を示す材料で形成された２つの直角プリズム３１ａ，３
１ｂの組合せでプリズムビームスプリッタ２６が形成さ
れ、且つこのプリズムビームスプリッタ２６は分岐点Ｐ
から第１の光路２７に所属する第１通路Ｔ1 と同じく第
２の光路２９に所属する第２通路Ｔ2 ＋Ｔ3 とが式
（１）を満足するように形成されているので、第１通路
と第２通路での各波長による光路長差ΔＬはほぼゼロで
ある。このため、受光レベルは、図２に示すように、Ｌ
1 −Ｌ2 ＝0 の位置において、大きなピーク値Ｈを示す
極めて単純な変化を呈する。
【００３４】最大レベル検出装置３９は、受光装置３０
に設けられた受光素子群の中で半透鏡２４を介して入射
した光を受光する素子の出力が所定レベルを越え、かつ
最大値に至った時点を検出し、この時点で信号Ｓを出力
する。この信号Ｓは、間隙長算出装置３８に読取り信号
として与えられるとともに駆動機構３６の停止信号とし
て与えられる。
に設けられた受光素子群の中で半透鏡２４を介して入射
した光を受光する素子の出力が所定レベルを越え、かつ
最大値に至った時点を検出し、この時点で信号Ｓを出力
する。この信号Ｓは、間隙長算出装置３８に読取り信号
として与えられるとともに駆動機構３６の停止信号とし
て与えられる。
【００３５】間隙長算出装置３８は信号Ｓが与えらた時
点におけるポジションメータ３７の出力を読取り、これ
をメモリに格納する。
点におけるポジションメータ３７の出力を読取り、これ
をメモリに格納する。
【００３６】次に、テーブル駆動機構４０を動作させ、
マスクＭを実線矢印４２で示す方向に移動させて、マス
クＭに設けられた図示しない反射面を第１の光路２７上
から移動させる。したがって、第１の光路２７を進んだ
光束は、今度はウェハＷの表面で反射されることにな
る。
マスクＭを実線矢印４２で示す方向に移動させて、マス
クＭに設けられた図示しない反射面を第１の光路２７上
から移動させる。したがって、第１の光路２７を進んだ
光束は、今度はウェハＷの表面で反射されることにな
る。
【００３７】次に、駆動機構３６を動作させて、基準反
射面２８をプリズムビームスプリッタ２６から離れる方
向に移動させる。このように移動させると、分岐点Ｐか
らウェハＷの表面までの第１の光路２７の光路長Ｌ1 ′
と、分岐点Ｐから基準反射面２８までの第２の光路２９
の光路長Ｌ2 ′とが一致した時点で、前述と同様に受光
装置３０の受光レベルが最大値となる。この結果、その
時点で最大レベル検出装置３９から信号Ｓが出力され、
駆動機構３６が停止制御されるとともに、信号Ｓが出力
された時点におけるポジションメータ３７の出力が間隙
長算出装置３８によって読取られる。
射面２８をプリズムビームスプリッタ２６から離れる方
向に移動させる。このように移動させると、分岐点Ｐか
らウェハＷの表面までの第１の光路２７の光路長Ｌ1 ′
と、分岐点Ｐから基準反射面２８までの第２の光路２９
の光路長Ｌ2 ′とが一致した時点で、前述と同様に受光
装置３０の受光レベルが最大値となる。この結果、その
時点で最大レベル検出装置３９から信号Ｓが出力され、
駆動機構３６が停止制御されるとともに、信号Ｓが出力
された時点におけるポジションメータ３７の出力が間隙
長算出装置３８によって読取られる。
【００３８】間隙長算出装置３８は１回前に読取った値
と今回読取った値との差を間隙長Ｚとして表示する。し
たがって、現在の間隙長Ｚを知ることができる。この間
隙長Ｚを所望値に設定するにはテーブル駆動装置４０，
４３でマスクＭあるいはウェハＷを実線矢印４１，４４
で示す方向に移動させればよいことになる。
と今回読取った値との差を間隙長Ｚとして表示する。し
たがって、現在の間隙長Ｚを知ることができる。この間
隙長Ｚを所望値に設定するにはテーブル駆動装置４０，
４３でマスクＭあるいはウェハＷを実線矢印４１，４４
で示す方向に移動させればよいことになる。
【００３９】このように、本実施例においては、同じ屈
折率特性を示す材料で形成された２つの直角プリズム３
１ａ，３１ｂを接着層３３で貼り合せてプリズムビーム
スプリッタ２６を形成し、且つこのプリズムビームスプ
リッタ２６内の分岐点Ｐから第１の光路２７に属する第
１通路（Ｔ1 ）と同じく第２の光路２９に属する第２通
路（Ｔ2 ＋Ｔ3 ）とが式（１）を満足するように形成さ
れているので、各波長による光路差ΔＬをほぼゼロにで
きる。この結果、受光レベル変化が大幅に乱れるのを防
止でき、図２に示すように、真の干渉位置において単純
に極めて大きなピーク値を示す変化にすることができ
る。したがって、干渉位置を検出すための信号処理回路
の単純化および高速化を図ることができる。
折率特性を示す材料で形成された２つの直角プリズム３
１ａ，３１ｂを接着層３３で貼り合せてプリズムビーム
スプリッタ２６を形成し、且つこのプリズムビームスプ
リッタ２６内の分岐点Ｐから第１の光路２７に属する第
１通路（Ｔ1 ）と同じく第２の光路２９に属する第２通
路（Ｔ2 ＋Ｔ3 ）とが式（１）を満足するように形成さ
れているので、各波長による光路差ΔＬをほぼゼロにで
きる。この結果、受光レベル変化が大幅に乱れるのを防
止でき、図２に示すように、真の干渉位置において単純
に極めて大きなピーク値を示す変化にすることができ
る。したがって、干渉位置を検出すための信号処理回路
の単純化および高速化を図ることができる。
【００４０】第２実施例について、以下説明を行う。
【００４１】第１実施例において、プリズムビームスプ
リッタを同じ材質の２つの直角プリズムで形成し説明を
行ったが、第２実施例は、図３（理解の便宜のためプリ
ズムの傾斜角度及び接着層の厚みは実際の場合より誇張
して表している）に示すように第１実施例と異なりプリ
ズムビームスプリッタを、第１プリズムと第２プリズム
とを光学特性の異なるガラスで形成し、且つこの２つの
プリズムの形状を直角プリズム以外のものとした実施例
である。
リッタを同じ材質の２つの直角プリズムで形成し説明を
行ったが、第２実施例は、図３（理解の便宜のためプリ
ズムの傾斜角度及び接着層の厚みは実際の場合より誇張
して表している）に示すように第１実施例と異なりプリ
ズムビームスプリッタを、第１プリズムと第２プリズム
とを光学特性の異なるガラスで形成し、且つこの２つの
プリズムの形状を直角プリズム以外のものとした実施例
である。
【００４２】この第２の実施例においても、上述の式
（１）を満足すれば、各波長間での光路長差を、ほぼゼ
ロにすることができる点は変わりがない。
（１）を満足すれば、各波長間での光路長差を、ほぼゼ
ロにすることができる点は変わりがない。
【００４３】なお、解析の便宜のため接着層を省略して
以下に説明する。
以下に説明する。
【００４４】まず、図３において、プリズムビームスプ
リッタに入射する光束の一つである２点鎖線又は実線を
通る光線について考える。
リッタに入射する光束の一つである２点鎖線又は実線を
通る光線について考える。
【００４５】この光線が第１プリズムが第２プリズムと
接する接面と交差する点Ｐ0 に立てた法線となす入射角
をθ1 とし、光線が第２プリズムで屈折する際の屈折角
をθ2 とし、第１プリズムに設けた半透膜８２で反射さ
れた光線が第１プリズムから射出する面と交差する点を
Ｐ1 とする。
接する接面と交差する点Ｐ0 に立てた法線となす入射角
をθ1 とし、光線が第２プリズムで屈折する際の屈折角
をθ2 とし、第１プリズムに設けた半透膜８２で反射さ
れた光線が第１プリズムから射出する面と交差する点を
Ｐ1 とする。
【００４６】第１プリズムと第２プリズムとが接する接
面と光線が射出する面との交差する点をＰ3 とし、第１
プリズムにおいて、その接面と第１プリズムの射出面と
のなす角度をφ1 と、第２プリズムにおいて、その接面
と第２プリズムの射出面とのなす角度をφ2 とする。
面と光線が射出する面との交差する点をＰ3 とし、第１
プリズムにおいて、その接面と第１プリズムの射出面と
のなす角度をφ1 と、第２プリズムにおいて、その接面
と第２プリズムの射出面とのなす角度をφ2 とする。
【００４７】その接面の法線のうち、点Ｐ1 を通過する
ものを考え、その法線が接面と交差する点をＱ1 とし、
このときの点Ｑ1 から点Ｐ3 までの距離をｙ1 と、法線
に沿った距離をｘ1 とする。
ものを考え、その法線が接面と交差する点をＱ1 とし、
このときの点Ｑ1 から点Ｐ3 までの距離をｙ1 と、法線
に沿った距離をｘ1 とする。
【００４８】接面の法線のうち、屈折光線が第２プリズ
ムから射出する面と交差する点Ｐ2を通過するものを考
え、このときのプリズム面方向の距離をｙ2 と、法線に
沿った距離をｘ2 と、その法線が接面と交差する点をＱ
2 とする。
ムから射出する面と交差する点Ｐ2を通過するものを考
え、このときのプリズム面方向の距離をｙ2 と、法線に
沿った距離をｘ2 と、その法線が接面と交差する点をＱ
2 とする。
【００４９】この場合において、第１プリズムの射出面
のなす角度φ1 を決定したとき、上述の式（１）を満足
する第２プリズムの射出面のなす角度φ2 は、次の式に
よって求められる。
のなす角度φ1 を決定したとき、上述の式（１）を満足
する第２プリズムの射出面のなす角度φ2 は、次の式に
よって求められる。
【００５０】 φ2 ＝ｔａｎ-1（ｘ2 ／ｙ2 ） …（３） 但し、ｘ2 ＝Ｔ2 ｃｏｓθ2 ｙ2 ＝｛Ｐ0 Ｐ3 −Ｐ0 Ｑ2 ｝ ＝｛Ｐ0 Ｐ3 −Ｔ2 ｓｉｎθ2 ｝ ＝｛（Ｐ0 Ｑ1 ＋Ｑ1 Ｐ3 ）−Ｔ2 ｓｉｎθ2 ｝ ＝｛（Ｔ1 ｓｉｎθ1 ＋ｙ1 ）−Ｔ2 ｓｉｎθ2 ｝ ＝｛（Ｔ1 ｓｉｎθ1 ＋ｘ1 ／ｔａｎφ1 ）−Ｔ2 ｓｉｎθ2 ｝ ＝｛（Ｔ1 ｓｉｎθ1 ＋ｘ1 ｃｏｓθ1 ／ｔａｎφ1 ）−Ｔ2 ｓｉｎθ2 ｝ …（４） ｓｉｎθ2 ＝（ｎ1H＋ｎ1L）ｓｉｎθ1 ／（ｎ2H＋ｎ2L） …（５） また、式（１）において、Ｔ3 ＝０とおき、変形すると Ｔ2 ＝（ｎ1H−ｎ1L）Ｔ1 ／（ｎ2H−ｎ2L） …（６） となり、式（５）及び式（６）を式（４）に代入すれ
ば、φ2 が求まる。
ば、φ2 が求まる。
【００５１】具体的には、第１プリズムをホウケイ酸ク
ラウンガラス（ＢＫ７）、第２プリズムを特重クラウン
ガラス（ＳＳＫ５）で形成し、短波長側をフランホーフ
ァー線中のＦ線（486nm ）で、長波長側をＣ線（656nm
）で代表させると、それぞれの屈折率は、ｎ1H＝1.522
、ｎ1L＝1.514 、ｎ2H＝1.667 、ｎ2L＝1.655 とな
る。
ラウンガラス（ＢＫ７）、第２プリズムを特重クラウン
ガラス（ＳＳＫ５）で形成し、短波長側をフランホーフ
ァー線中のＦ線（486nm ）で、長波長側をＣ線（656nm
）で代表させると、それぞれの屈折率は、ｎ1H＝1.522
、ｎ1L＝1.514 、ｎ2H＝1.667 、ｎ2L＝1.655 とな
る。
【００５２】第１プリズム中の光束通過部分の長さをＴ
1 ＝10mmとし、θ1 ＝４５°、φ1＝６０°とした場
合、第２プリズム中の光束通過部分の長さＴ2 は、式
（１）から6.67mmと求まり、式（４）から第２プリズム
の射出面のなす角度φ2 は、約３７°と求まる。
1 ＝10mmとし、θ1 ＝４５°、φ1＝６０°とした場
合、第２プリズム中の光束通過部分の長さＴ2 は、式
（１）から6.67mmと求まり、式（４）から第２プリズム
の射出面のなす角度φ2 は、約３７°と求まる。
【００５３】以上において、接着層を省略して説明を行
っているが、接着層を設ける場合には、次のようにすれ
ばよい。
っているが、接着層を設ける場合には、次のようにすれ
ばよい。
【００５４】その接着層の厚みをｄ、第１実施例と同様
にその短波長側と長波長側の屈折率をそれぞれｎ3H、ｎ
3Lとし、第１プリズムから接着層への屈折角度をθ3 と
すれば、光線の通過する距離はＴ3 は、次の式で求めら
れる。
にその短波長側と長波長側の屈折率をそれぞれｎ3H、ｎ
3Lとし、第１プリズムから接着層への屈折角度をθ3 と
すれば、光線の通過する距離はＴ3 は、次の式で求めら
れる。
【００５５】 Ｔ3 ＝ｄ／ｃｏｓθ3 …（７） 但し、ｃｏｓθ3 ＝｛１−ｓｉｎ2 θ3 ｝1/2 ｓｉｎθ3 ＝（ｎ1H＋ｎ1L）ｓｉｎθ1 ／（ｎ3H＋
ｎ3L） また、式（１）において、距離Ｔ3 に相当する第２プリ
ズム中の距離ΔＴ2 は、次式で求まる。
ｎ3L） また、式（１）において、距離Ｔ3 に相当する第２プリ
ズム中の距離ΔＴ2 は、次式で求まる。
【００５６】 ΔＴ2 ＝（ｎ3H−ｎ3L）Ｔ3 ／（ｎ2H−ｎ2L） …（８） 従って、厚みｄの接着層を設ける場合には、接着層がな
いものとして求めた第２プリズムの通路長Ｔ2 を式
（８）のΔＴ2 分だけ少なくすることにより式（１）を
満足するビームスプリッターを形成することができる。
いものとして求めた第２プリズムの通路長Ｔ2 を式
（８）のΔＴ2 分だけ少なくすることにより式（１）を
満足するビームスプリッターを形成することができる。
【００５７】具体的には、第１プリズムをホウケイ酸ク
ラウンガラス（ＢＫ７）、第２プリズムを特重クラウン
ガラス（ＳＳＫ５）で形成し、短波長側をフランホーフ
ァー線中のＦ線（486nm ）で、長波長側をＣ線（656nm
）で代表させると、それぞれの屈折率は、ｎ1H＝1.522
、ｎ2H＝1.667 、ｎ1L＝1.514 、ｎ2L＝1.655 とな
る。
ラウンガラス（ＢＫ７）、第２プリズムを特重クラウン
ガラス（ＳＳＫ５）で形成し、短波長側をフランホーフ
ァー線中のＦ線（486nm ）で、長波長側をＣ線（656nm
）で代表させると、それぞれの屈折率は、ｎ1H＝1.522
、ｎ2H＝1.667 、ｎ1L＝1.514 、ｎ2L＝1.655 とな
る。
【００５８】接着剤は、第１の実施例のものと同じもの
とする。
とする。
【００５９】第１プリズム中の光束通過部分の長さをＴ
1 ＝10mm、接着層中の光束の通過部分の長さをＴ3 ＝0.
05mmとした場合に、第２プリズム中の光束通過部分の長
さをＴ2 を6.60mmとすれば式（１）が満足される。
1 ＝10mm、接着層中の光束の通過部分の長さをＴ3 ＝0.
05mmとした場合に、第２プリズム中の光束通過部分の長
さをＴ2 を6.60mmとすれば式（１）が満足される。
【００６０】第２プリズムの射出面のなす角度φ2 は、
同様に約３７°となる。
同様に約３７°となる。
【００６１】なお、上述した実施例では、２つの直角プ
リズム３１ａ，３１ｂによって各波長での光路長差を略
ゼロとしているが、図１中に２点鎖線で示すように、部
分Ｔ1 ，Ｔ2 での波長による光路差ΔＬをほぼゼロに設
定するために、第１の光路２７あるいは第２の光路２９
の一方に補正用の光学素子５１を介在させるようにして
もよい。
リズム３１ａ，３１ｂによって各波長での光路長差を略
ゼロとしているが、図１中に２点鎖線で示すように、部
分Ｔ1 ，Ｔ2 での波長による光路差ΔＬをほぼゼロに設
定するために、第１の光路２７あるいは第２の光路２９
の一方に補正用の光学素子５１を介在させるようにして
もよい。
【００６２】また、図１に示す構成において、プリズム
ビームスプリッタ２６を実線矢印３４で示す方向に移動
自在に設け、この移動機能と受光装置３０とを組合せ、
マスクマークとウェハマークとを検出してマスクＭとウ
ェハＷとの対向方向と直交する面内の位置合せを行える
ようにしてもよい。また、本発明に係る位置検出装置
は、半導体素子製造分野に限らず各種の分野での試料面
位置検出に使用できることは勿論である。
ビームスプリッタ２６を実線矢印３４で示す方向に移動
自在に設け、この移動機能と受光装置３０とを組合せ、
マスクマークとウェハマークとを検出してマスクＭとウ
ェハＷとの対向方向と直交する面内の位置合せを行える
ようにしてもよい。また、本発明に係る位置検出装置
は、半導体素子製造分野に限らず各種の分野での試料面
位置検出に使用できることは勿論である。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
真の干渉位置において処理の容易な干渉光を得ることが
でき、もって信号処理回路の単純化と信頼性の向上を図
ることができる。
真の干渉位置において処理の容易な干渉光を得ることが
でき、もって信号処理回路の単純化と信頼性の向上を図
ることができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る干渉計式の位置検出
装置を組込んだ位置合せ装置の概略構成図
装置を組込んだ位置合せ装置の概略構成図
【図２】同位置検出装置における受光装置で検出される
干渉光のレベル変化を示す図
干渉光のレベル変化を示す図
【図３】本発明の第２実施例に係る干渉計式の位置検出
装置に用いるプリズムビームスプリッタの概略構成図
装置に用いるプリズムビームスプリッタの概略構成図
【図４】干渉計式の位置検出装置で用いられる白色光源
の強度分布特性の一例を示す図
の強度分布特性の一例を示す図
【図５】プリズムビームスプリッタを構成しているガラ
スの屈折率特性の一例を示す図
スの屈折率特性の一例を示す図
【図６】従来の干渉計式位置検出装置の問題点を説明す
るための図
るための図
Ａ…位置検出装置を組込んだ位置合せ装置 Ｍ…マスク Ｗ…ウェハ ２１…光源 ２２…光束 ２３…レン
ズ系 ２４…半透鏡 ２５…反射
鏡 ２６…プリズムビームスプリッタ ２７…第１
の光路 ２８…基準反射面 ２９…第２
の光路 ３０…受光装置 ３１ａ，３
１ｂ…直角プリズム ３２…半透膜 ３３…接着
層 ３６…駆動機構 ３７…ポジ
ションメータ ３８…間隙長算定装置 ３９…最大
レベル検出装置 ４０，４３…テーブル駆動機構 ５１…光学
素子
ズ系 ２４…半透鏡 ２５…反射
鏡 ２６…プリズムビームスプリッタ ２７…第１
の光路 ２８…基準反射面 ２９…第２
の光路 ３０…受光装置 ３１ａ，３
１ｂ…直角プリズム ３２…半透膜 ３３…接着
層 ３６…駆動機構 ３７…ポジ
ションメータ ３８…間隙長算定装置 ３９…最大
レベル検出装置 ４０，４３…テーブル駆動機構 ５１…光学
素子
フロントページの続き (72)発明者 長浜 博幸 東京都板橋区蓮沼町75番１号 株式会社 トプコン内 (56)参考文献 特開 平５−264220（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−99613（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01B 9/00 - 11/30 102
Claims (3)
- 【請求項１】白色光源から出た光束をプリズムビームス
プリッタで２つの光束に分離し、分離された一方の光束
を試料面に、他方の光束を移動自在な基準反射面に照射
し、試料面で反射した反射光束と基準反射面で反射した
反射光束とが干渉したときの前記基準反射面の位置に基
いて前記試料面の位置を検出するようにした位置検出装
置において、 前記プリズムビームスプリッタは、異なる光学特性を有
する少なくとも２種類の材料で形成し、 該プリズムビームスプリッタにおいて前記一方の光束が
通過する第１通路と、前記他方の光束が通過する第２通
路との波長による光路差をほぼゼロとすべく前記プリズ
ムビームスプリッタの形状又は前記２つの光束のいずれ
か一方の光束が通過する通路が形成されていることを特
徴とする位置検出装置。 - 【請求項２】請求項１記載の位置検出装置において、 前記プリズムビームスプリッタは、第１材質で形成され
た第１プリズムと、第２材質で形成された第２プリズム
とからなり、 前記第１通路を第１プリズムが形成し、第２通路を第２
プリズムが形成するように構成され、 第１プリズムに対する白色光源の短波長側に対する屈折
率をｎ1H、長波長側に対する屈折率をｎ1Lとし、第２プ
リズムに対する白色光源の短波長側に対する屈折率をｎ
2H、長波長側に対する屈折率をｎ2Lとし、第１プリズム
中における光束の通路の長さをＴ1 、第２プリズム中に
おける光束の通路の長さをＴ2 とした場合、 （ｎ1H−ｎ1L）Ｔ1 ＝（ｎ2H−ｎ2L）Ｔ2 なる関係を満足するように構成したことを特徴とする位
置検出装置。 - 【請求項３】請求項１記載の位置検出装置において、 前記プリズムビームスプリッタは、第１材質で形成され
た第１プリズムと、第２材質で形成された第２プリズム
と、第１及び第２プリズムをこれらと光学特性の異なる
接着層で接着してなり、 前記第１通路を第１プリズムが形成し、第２通路を第２
プリズム及び接着層が形成するように構成され、 第１プリズムに対する白色光源の短波長側に対する屈折
率をｎ1H、長波長側に対する屈折率をｎ1Lとし、第２プ
リズムに対する白色光源の短波長側に対する屈折率をｎ
2H、長波長側に対する屈折率をｎ2Lとし、接着層に対す
る白色光源の短波長側に対する屈折率をｎ3H、長波長側
に対する屈折率をｎ3Lとし、第１プリズム中における光
束の通路の長さをＴ1 、第２プリズム中における光束の
通路の長さをＴ2 とし、接着層中における光束の通路の
長さをＴ3 とした場合、 （ｎ1H−ｎ1L）Ｔ1 ＝（ｎ2H−ｎ2L）Ｔ2 ＋（ｎ3H−ｎ
3L）Ｔ3 なる関係を満足するように構成したことを特徴とする位
置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35127793A JP3315231B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35127793A JP3315231B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07198318A JPH07198318A (ja) | 1995-08-01 |
| JP3315231B2 true JP3315231B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=18416229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35127793A Expired - Fee Related JP3315231B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3315231B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4939304B2 (ja) * | 2007-05-24 | 2012-05-23 | 東レエンジニアリング株式会社 | 透明膜の膜厚測定方法およびその装置 |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP35127793A patent/JP3315231B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07198318A (ja) | 1995-08-01 |
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