JP3346193B2 - 電力増幅器 - Google Patents
電力増幅器Info
- Publication number
- JP3346193B2 JP3346193B2 JP30610096A JP30610096A JP3346193B2 JP 3346193 B2 JP3346193 B2 JP 3346193B2 JP 30610096 A JP30610096 A JP 30610096A JP 30610096 A JP30610096 A JP 30610096A JP 3346193 B2 JP3346193 B2 JP 3346193B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- drain
- power amplifier
- region
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 36
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 9
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 8
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41758—Source or drain electrodes for field effect devices for lateral devices with structured layout for source or drain region, i.e. the source or drain region having cellular, interdigitated or ring structure or being curved or angular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7831—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with multiple gate structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/601—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
スタ(FET)とバイポーラトランジスタおよびそれら
を用いた電力増幅器に関するものである。
器における低出力動作時の消費電流低減のためには、デ
ュアルゲートFETを能動素子として用いたものがよく
知られている。図10は、従来の高周波電力増幅器の構
成図である。図10において、1は交流電力入力端子、
2は交流電力出力端子、3は入力整合回路、4は出力整
合回路、5は第1ゲート電圧供給回路、6は第2ゲート
電圧供給回路、7はドレイン電圧供給回路、8はデュア
ルゲートFET、9および10は可変負電源、11は正
電源である。
る高周波電力増幅器は、デュアルゲートFET8の第2
ゲート電圧を制御することにより、低出力動作時の消費
電流を低減できるという利点があった。
周波電力増幅器においては、第2ゲート電圧により、デ
ュアルゲートFET8の入出力インピーダンスが大きく
変化するため、入力整合回路3と出力整合回路4の電気
的不整合が発生するという問題があった。
がら、低出力動作時の消費電流を低減できるトランジス
タとそれを用いた高周波電力増幅器を提供することにあ
る。
めに、本発明のトランジスタは、信号が入力される制御
部と信号が出力される電気的に絶縁された2つの駆動部
を有する構造にし、本発明の電力増幅器は本発明のトラ
ンジスタを用い、入力端子とトランジスタの制御部との
間に第1の整合回路を、トランジスタの第1と第2の駆
動部と出力端子の間に第2の整合回路を備え、トランジ
スタの制御部、第1の駆動部および第2の駆動部のそれ
ぞれに第1、第2および第3の直流電圧源回路を備え、
第1の駆動部に接続された第2の直流電圧源回路のオン
・オフを決定する制御回路を備えたものである。
力動作時において、電気的に絶縁された2つの駆動部の
内、1つの駆動部のみを動作させ、もう1つの駆動部を
負帰還回路として使用できるため、高出力電力動作時に
おいても、低出力電力動作時においても入出力の整合を
保持できる。
て、図面を参照しながら説明する。
第1の実施の形態の電界効果トランジスタの構造を示
す。
されたソース電極13と、ソース領域12に隣接したゲ
ート領域14とそのゲート電極15と、ゲート領域14
に対してソース領域12とは反対側にゲート領域14に
隣接して形成され、間に分離絶縁膜56を設けた第1の
ドレイン領域16と第2のドレイン領域17と、第1の
ドレイン領域16に接続された第1のドレイン電極18
と、第2のドレイン領域17に接続された第2のドレイ
ン電極19とで形成されたものである。
のゲート領域ながら電気的に分離された2つのドレイン
領域を形成することができる。これにより1つのトラン
ジスタ構造ながら2つの駆動部を作ることができる。
した場合について示したが、間に絶縁分離膜を形成する
ことにより2つ以上のドレイン領域を形成することもで
きる。
タにするためにゲートをくし形の構造にすることもでき
る。
第2の実施の形態のバイポーラトランジスタの構造を示
す。
域21により形成された分離された島領域の中にイオン
注入等による選択酸化の分離絶縁膜22で分離された第
1のコレクタ領域23と第2のコレクタ領域24が形成
され、第1と第2のコレクタ領域に跨ってベース領域2
5が形成され、ベース領域25中にエミッタ領域26が
形成され、エミッタ領域26上にエミッタ電極27が、
ベース領域25上にベース電極28が、第1のコレクタ
領域23上に第1のコレクタ電極29が、第2のコレク
タ領域24上に第2のコレクタ電極30が形成されたも
のである。
離させるとともに、ベース領域25とP形基板20とを
分離させるためのものである。
つのベース領域ながら電気的に分離された2つのコレク
タ領域を形成することができる。これにより1つのトラ
ンジスタ構造ながら2つの駆動部を作ることができる。
した場合について示したが、間に分離絶縁膜を形成する
ことにより2つ以上のコレクタ領域を形成することもで
きる。
スタにするためにエミッタをくし形の構造にすることも
できる。
第3の実施の形態の電界効果トランジスタの構造を示
す。
されたソース電極13と、ソース領域12に隣接した第
1のゲート領域141およびその第1のゲート電極15
1と、第1のゲート領域141に平行して形成され、か
つゲート幅の短い第2のゲート領域142およびその第
2のゲート電極152と、ソース領域12とは反対側に
第2のゲート領域142に隣接して形成された第1のド
レイン領域16と、ソース領域12とは反対側に第1の
ゲート領域141に隣接して形成された第2のドレイン
領域17と、第1のドレイン領域16に接続された第1
のドレイン電極18と第2のドレイン領域17に接続さ
れた第2のドレイン電極19とで形成されたものであ
る。なお、第1のドレイン領域16と第2のドレイン領
域17の間には選択酸化による分離絶縁膜56が形成さ
れている。
電気的に分離された2つのドレイン領域を形成すること
ができるとともに、第1のドレイン領域16に対応して
デュアルゲート構造を、第2のドレイン領域17に対応
してシングルゲート構造を形成することができる。これ
により1つの電界効果トランジスタ構造からシングルゲ
ート構造とデュアルゲート構造の2つの駆動部を作るこ
とができる。
した場合について示したが、間に分離絶縁膜を形成する
ことにより2つ以上のドレイン領域を形成することもで
きる。
タにするためにゲートをくし形の構造にすることもでき
る。
実施の形態で示した電界効果トランジスタを用いた本発
明の第4の実施の形態における高周波電力増幅器の構成
図を示す。
明の電界効果トランジスタ32のゲート端子34との間
に入力整合回路33が接続され、第1のドレイン端子3
5および第2のドレイン端子36と交流電力出力端子3
7との間に出力整合回路38が接続され、ゲート端子3
4と接地点との間にゲート電圧供給回路39と負電源4
0(電圧供給回路と電源を会わせて直流電圧源回路とす
る)が直列に接続され、第1のドレイン端子35と接地
点との間に第1のドレイン電圧供給回路41とスイッチ
42および正電源43が直列に接続され、第2のドレイ
ン端子36と接地点との間に第2のドレイン電圧供給回
路44と正電源45が直列に接続され、ソース端子46
が接地され、スイッチ42を制御するマイクロプロセッ
サ47を備えたものである。
電力増幅器が出力すべき電力の大小に応じてスイッチ4
2を制御し、大電力のときスイッチ42をオンし、小電
力のときスイッチ42をオフするものである。
幅器を大出力動作させる場合について説明する。ゲート
端子34にはVggなる電圧、第1のドレイン端子35お
よび第2のドレイン端子36にはスイッチ42がオンさ
れて等しくVddなる電圧が印加される。なお、電圧Vgg、
電圧Vdd、入力整合回路33および出力整合回路38
は、高周波電力増幅器に求められる特性により決定され
る。
動作時の電界効果トランジスタの等価回路である。すな
わち、大出力動作時の高周波電力増幅器は、一般的な構
造を有する電界効果トランジスタを能動素子として用い
たものに等しい。
小出力動作させる場合について説明する。ゲート端子3
4にはVggなる電圧、第2のドレイン端子36にはVddな
る電圧を印加し、スイッチ42をオフして第1のドレイ
ン端子35には電圧を印加しない。なお、電圧Vgg、電
圧Vdd、入力整合回路33および出力整合回路38は、
大出力動作時と同一である。
時の電界効果トランジスタの等価回路を示す。2つのド
レイン領域により電気的に絶縁された2つのチャンネル
の内、第1のドレイン端子35に電圧を印加せず、第2
のドレイン端子36に電圧を印加することにより、第2
のドレイン領域17に対応するチャンネルのみを動作さ
せ、第1のドレイン領域16に対応するもう1つのチャ
ンネルを動作させていないため、動作電流が大幅に減少
するとともに、動作していないチャンネルが動作してい
るチャンネルに対して負帰還回路として作用する。すな
わち、小出力動作時の高周波電力増幅器は、図6に示し
たように一般的な負帰還回路を有する電界効果トランジ
スタを能動素子として用いたものに等しい。
るチャンネルの総ゲート幅が小さいほど、入出力インピ
ーダンスは大きくなる。しかしながら、電界効果トラン
ジスタに負帰還を掛けることによりインピーダンスを低
減できる。したがって、本願発明の電界効果トランジス
タでは低出力動作時の場合、1つのチャンネルしか動作
しないためゲート幅が小さくなるものの、負帰還を掛け
ることができるため、この電界効果トランジスタの低出
力動作時のインピーダンスは、大出力動作時に比べて、
あまり変化しない。
力で動作する場合を小出力動作と定義し、第1のドレイ
ン領域16および第2のドレイン領域17が担う総ゲー
ト幅の比を9対1とする。このとき、上記に述べた使用
方法により、小出力動作時の消費電流は、全てのチャン
ネルを動作させた場合の十分の一となる。
増幅器においては、小出力動作時に負帰還が掛かるた
め、小出力動作時にも大出力動作時にも入出力整合条件
をあまり変えずに、小出力動作時の消費電流を大幅に低
減することができ、その効果は非常に大きい。
領域を有する電界効果トランジスタ32に代えて、第2
の実施の形態で示した電気的に分離された2つのコレク
タ領域を有するバイポーラトランジスタを用いて同じよ
うに高周波電力増幅器を作ることもできる。このときゲ
ート端子をベース端子に、ソース端子をエミッタ端子
に、第1のドレイン端子を第1のコレクタ端子に、第2
のドレイン端子を第2のコレクタ端子に置き換えるもの
とする。
は1段の高周波電力増幅器しか形成していないが、この
高周波電力増幅器を2個以上直列に接続して、多段の高
周波電力増幅器を構成すれば、より大きな電力利得を有
する高周波電力増幅器が実現できる。
実施の形態で示した電界効果トランジスタを用いた本発
明の第5の実施形態における高周波電力増幅器の構成図
を示す。
本発明の電界効果トランジスタ48の第1のゲート端子
49との間に入力整合回路33が接続され、第1のドレ
イン端子35および第2のドレイン端子36と交流電力
出力端子37との間に出力整合回路38が接続され、第
1のゲート端子49と接地点との間に第1のゲート電圧
供給回路50と可変負電源51が直列に接続され、第2
のゲート端子52と接地点との間に第2のゲート電圧供
給回路53と可変負電源54が直列に接続され、第1の
ドレイン端子35と接地点との間に第1のドレイン電圧
供給回路41とスイッチ42および正電源43が直列に
接続され、第2のドレイン端子36と接地点との間に第
2のドレイン電圧供給回路44と正電源45が直列に接
続され、スイッチ42を制御するマイクロプロセッサ5
5を備えたものである。
電力増幅器が出力すべき電力の大小に応じてスイッチ4
2を制御し、大電力のときスイッチ42をオンし、小電
力のときスイッチ42をオフするとともに、第1のゲー
ト端子49および第2のゲート端子52に印加する電圧
を制御するものである。
幅器を大出力動作させる場合について説明する。第1の
ゲート端子49にはVgg1なる電圧、第2のゲート端子5
2にはVgg2なる電圧、スイッチ42をオンさせて第1の
ドレイン端子35および第2のドレイン端子36には等
しくVddなる電圧を印加する。なお、電圧Vgg1、電圧Vgg
2、電圧Vdd、入力整合回路33および出力整合回路38
は、高周波電力増幅器に求められる特性により決定され
る。
動作時の電界効果トランジスタの等価回路を示す。すな
わち、大出力動作時の高周波電力増幅器は、一般的なデ
ュアルゲート構造を有する電界効果トランジスタを能動
素子として用いたものに等しい。
させる場合について説明する。第1のゲート端子49に
はVgg1なる電圧、第2のゲート端子52には後で述べる
条件を満たすVgg3なる電圧、第2のドレイン端子36に
はVddなる電圧を印加し、第1のドレイン端子35には
電圧を印加しない。なお、電圧Vgg1、電圧Vdd、入力整
合回路および出力整合回路は、大出力動作時と同一であ
る。
動作時の電界効果トランジスタの等価回路を示す。図4
で示した第4の実施の形態と異なる点は、負帰還回路が
可変となっている点である。この負帰還回路は第2のゲ
ート電圧Vgg3の値により調整できる。
ンジスタの入出力インピーダンスはシングルゲート構造
の電界効果トランジスタの入出力インピーダンスに比べ
て非常に大きい。すなわち、第5の実施の形態の高周波
電力増幅器は大出力動作時は総ゲート幅の大きいデュア
ルゲート構造の電界効果トランジスタが動作し、小出力
動作時は総ゲート幅の小さくインピーダンスの高いシン
グルゲート構造の電界効果トランジスタが動作するた
め、両動作時の入出力インピーダンスの差は小さい。さ
らに、第2のゲート電圧Vgg3を最適化することにより、
小出力動作時の電界効果トランジスタの入出力インピー
ダンスを大出力動作時とほとんど等しくすることができ
る。
とにより、小出力動作時に第1のゲート端子49に印加
する電圧を調整し、消費電流をさらに低減し、それによ
る整合のずれを第2のゲート端子52に印加する電圧Vg
g3によって補正する事ができるため、第5の実施の形態
の場合は第4の実施の形態以上に小出力動作時の消費電
流を低減できる。
電力増幅器においては、入出力整合条件をほとんど変え
ずに小出力動作時の消費電流を大幅に低減することがで
き、その効果は非常に大きい。
器では1段の高周波電力増幅器しか形成していないが、
この高周波電力増幅器を2個以上直列に接続して多段の
高周波電力増幅器を構成すれば、より大きな電力利得を
有する高周波電力増幅器を実現できる。
用いて本発明の高周波電力増幅器を形成すれば、大出力
動作の場合にも、小出力動作の場合にも、入出力の整合
を保持しながら、小出力動作時の消費電流を大幅に低減
できる。
ジスタの平面図
ジスタの平面図
ジスタを用いた本発明の高周波電力増幅器の構成図
の電界効果トランジスタの等価回路図
の電界効果トランジスタの等価回路図
ジスタを用いた本発明の高周波電力増幅器の構成図
の電界効果トランジスタの等価回路図
の電界効果トランジスタの等価回路図
Claims (4)
- 【請求項1】1つのチップ上に、ソース領域とソース電
極およびゲート領域とゲート電極がそれぞれ存在し、互
いに電気的に分離されたドレイン領域が2つ存在し、前
記ドレイン領域にそれぞれ対応して第1と第2のドレイ
ン電極が存在している電界効果トランジスタと、入力端
子と前記ゲート電極の間に接続された第1の整合回路
と、前記第1のドレイン電極および前記第2のドレイン
電極と出力端子との間に接続された第2の整合回路と、
前記ゲート電極に接続された第1の直流電圧源回路と、
前記第1のドレイン電極に接続された第2の直流電圧源
回路と、前記第2のドレイン電極に接続された第3の直
流電圧源回路および前記第2の直流電圧源回路のオン・
オフを決定するための制御回路とを備えたことを特徴と
する電力増幅器。 - 【請求項2】1つのチップ上に、ソース領域とソース電
極およびゲート領域とゲート電極がそれぞれ存在し、互
いに電気的に分離されたドレイン領域が2つ存在し、前
記ドレイン領域にそれぞれ対応して第1と第2のドレイ
ン電極が存在し、2つのドレイン領域により電気的に分
離された2つの第1と第2のチャンネルの内、前記第1
のチャンネル上に第1と第2のゲート電極が存在し、前
記第2のチャンネル上に前記第1のゲート電極が延在し
ている電界効果トランジスタと、入力端子と前記第1の
ゲート電極との間に接続された第1の整合回路と、前記
第1および第2のドレイン電極と出力端子との間に接続
された第2の整合回路と、前記第1のゲート電極に接続
された第1の直流電圧源回路と、前記第2のゲート電極
に接続された第2の直流電圧源回路と、前記第1のドレ
イン電極に接続された第3の直流電圧源回路と、前記第
2のドレイン電極に接続された第4の直流電圧源回路お
よび前記第3の直流電圧源回路のオン・オフを決定する
とともに、前記第1と第2の直流電圧源回路の電圧を制
御する制御回路とを備えたことを特徴とする電力増幅
器。 - 【請求項3】請求項1記載の電力増幅器を少なくとも2
つ以上直列に接続したことを特徴とする電力増幅器。 - 【請求項4】請求項2記載の電力増幅器を少なくとも2
つ以上直列に接続したことを特徴とする電力増幅器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30610096A JP3346193B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 電力増幅器 |
US08/970,645 US6002301A (en) | 1996-11-18 | 1997-11-14 | Transistor and power amplifier |
KR1019970060776A KR100298017B1 (ko) | 1996-11-18 | 1997-11-18 | 트랜지스터및전력증폭기 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30610096A JP3346193B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 電力増幅器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002205229A Division JP3632681B2 (ja) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | 電力増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10150189A JPH10150189A (ja) | 1998-06-02 |
JP3346193B2 true JP3346193B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=17953047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30610096A Expired - Fee Related JP3346193B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 電力増幅器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6002301A (ja) |
JP (1) | JP3346193B2 (ja) |
KR (1) | KR100298017B1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0959503A1 (en) * | 1998-05-11 | 1999-11-24 | Alcatel Alsthom Compagnie Générale d'Electricité | Field effect transistor, control method for controlling such a field affect transistor and a frequency mixer means including such a field effect transistor |
DE60124451T2 (de) * | 2000-05-30 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Quadraturmodulator |
EP1191601B1 (en) * | 2000-09-21 | 2007-11-28 | STMicroelectronics S.r.l. | A lateral DMOS transistor |
US20040188703A1 (en) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Tongwei Cheng | Switch |
GB2466313A (en) * | 2008-12-22 | 2010-06-23 | Cambridge Silicon Radio Ltd | Radio Frequency CMOS Transistor |
CN104485361B (zh) * | 2014-12-25 | 2018-03-30 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 绝缘体上硅射频开关器件结构 |
CN110797338A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-02-14 | 苏州华太电子技术有限公司 | 带匹配的射频功率芯片管芯结构及射频功率放大器 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3489963A (en) * | 1967-06-16 | 1970-01-13 | Ibm | Integrated differential transistor |
JPS5341078B2 (ja) * | 1974-09-20 | 1978-10-31 | ||
US4084173A (en) * | 1976-07-23 | 1978-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Interdigitated transistor pair |
FR2411512A1 (fr) * | 1977-12-06 | 1979-07-06 | Lardy Jean Louis | Porte logique a transistor mos multidrain |
US4219838A (en) * | 1979-03-07 | 1980-08-26 | Cbs Inc. | Horizontal blanking corrector for television signals |
US4313126A (en) * | 1979-05-21 | 1982-01-26 | Raytheon Company | Field effect transistor |
JPS56110257A (en) * | 1980-02-05 | 1981-09-01 | Toshiba Corp | Differential-type transistor circuit device |
JPS57109361A (en) * | 1980-11-28 | 1982-07-07 | Toshiba Corp | Semiconductor ic circuit device |
FR2545295B1 (fr) * | 1983-04-29 | 1985-07-12 | Thomson Csf | Amplificateur hyperfrequence de puissance |
JPH0770932B2 (ja) * | 1986-06-24 | 1995-07-31 | 三菱電機株式会社 | カレントミラ−回路 |
JPH088264B2 (ja) * | 1988-06-30 | 1996-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
US5331192A (en) * | 1989-06-15 | 1994-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
FR2653277A1 (fr) * | 1989-10-17 | 1991-04-19 | Thomson Composants Microondes | Circuit integre logique, a temps de basculement reglable. |
US5016079A (en) * | 1989-11-30 | 1991-05-14 | Honeywell Inc. | Integrated injection logic gate with heavily doped diffusion |
-
1996
- 1996-11-18 JP JP30610096A patent/JP3346193B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-11-14 US US08/970,645 patent/US6002301A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-18 KR KR1019970060776A patent/KR100298017B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980042531A (ko) | 1998-08-17 |
KR100298017B1 (ko) | 2001-10-24 |
US6002301A (en) | 1999-12-14 |
JPH10150189A (ja) | 1998-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3379376B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびそれを用いた電力増幅器 | |
US5313083A (en) | R.F. switching circuits | |
US5818099A (en) | MOS high frequency switch circuit using a variable well bias | |
KR20050084630A (ko) | 3차 트랜스컨덕턴스 억제를 이용한 rf 트랜지스터증폭기의 선형성 개선 | |
JP3131931B2 (ja) | 高周波高出力増幅装置 | |
JPH11195939A (ja) | Hemt−hbtカスコ−ド分布増幅器 | |
JP3346193B2 (ja) | 電力増幅器 | |
US20080303593A1 (en) | Mugfet circuit for increasing output resistance | |
JP2011249485A (ja) | スイッチング素子、高周波信号スイッチ及び高周波信号増幅モジュール | |
EP0373803A2 (en) | R. F. switching circuits | |
JPS62277806A (ja) | 高周波増幅器 | |
JPH03104408A (ja) | 電力増幅器 | |
USRE37739E1 (en) | Controllable integrator | |
JP3632681B2 (ja) | 電力増幅器 | |
JP3049189B2 (ja) | 高周波電力用スイッチ装置およびその製造方法 | |
EP0601713A1 (en) | Amplifier devices | |
JP2003086767A (ja) | 半導体装置 | |
JPH11251584A (ja) | トランジスタおよびそれを用いた高周波増幅器 | |
JPH0738404A (ja) | 出力切替増幅装置 | |
WO2024100830A1 (ja) | 電力増幅器 | |
KR100215863B1 (ko) | 반도체 소자 | |
JPS6016118Y2 (ja) | 切換スイツチ回路 | |
JP2853483B2 (ja) | 化合物半導体マイクロ波用モノリシックic増幅回路 | |
JPH0794975A (ja) | 高周波hicモジュール | |
JPH0555491A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080906 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080906 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090906 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090906 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100906 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110906 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |