JP3345061B2 - ガスクロマトグラフィにおける熱イオン検出器のイオン源を加熱する方法 - Google Patents
ガスクロマトグラフィにおける熱イオン検出器のイオン源を加熱する方法Info
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- JP3345061B2 JP3345061B2 JP32751392A JP32751392A JP3345061B2 JP 3345061 B2 JP3345061 B2 JP 3345061B2 JP 32751392 A JP32751392 A JP 32751392A JP 32751392 A JP32751392 A JP 32751392A JP 3345061 B2 JP3345061 B2 JP 3345061B2
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
- H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/337—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in push-pull configuration
- H02M3/3376—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in push-pull configuration with automatic control of output voltage or current
- H02M3/3378—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in push-pull configuration with automatic control of output voltage or current in a push-pull configuration of the parallel type
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガスクロマトグラフィ
に使用する熱イオン検出器に関する。殊に本発明は前記
熱イオン検出器のイオン源ビードを電気的に加熱する新
規な方法と装置に関する。
に使用する熱イオン検出器に関する。殊に本発明は前記
熱イオン検出器のイオン源ビードを電気的に加熱する新
規な方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】主として窒素や燐の検出などガスクロマ
トグラフィに使用される熱イオン検出器の一つはルビジ
ウムやセシウムのようなアルカリ金属を含むガラスビー
ドより成る加熱源を使用している。前記ビードはプラチ
ナ線上に形成されカラムの出口に配置される。ビードは
加熱されることによってアルカリ金属イオン源を提供す
る。加熱方法の一つはプラチナ支持線を通過する電流に
よる。ガスクロマトグラフィで窒素検出器として使用さ
れる時、ビードを横切る電圧は所望の検出限度を得るた
めに５０ミリ秒の系時定数の下で１：２５，０００もし
くはそれ以上の安定度を有する必要がある。
トグラフィに使用される熱イオン検出器の一つはルビジ
ウムやセシウムのようなアルカリ金属を含むガラスビー
ドより成る加熱源を使用している。前記ビードはプラチ
ナ線上に形成されカラムの出口に配置される。ビードは
加熱されることによってアルカリ金属イオン源を提供す
る。加熱方法の一つはプラチナ支持線を通過する電流に
よる。ガスクロマトグラフィで窒素検出器として使用さ
れる時、ビードを横切る電圧は所望の検出限度を得るた
めに５０ミリ秒の系時定数の下で１：２５，０００もし
くはそれ以上の安定度を有する必要がある。
【０００３】検出器ビードを加熱するために使用される
従来方法の一つは閉ループ直流制御方法を使用してい
る。ビードを流れるほぼ５アンペアの所望電流は、ほぼ
０．７ボルトのビードを横切る電圧と相俟って３〜３．
５ワットのビード電力必要条件が必要となる。だが、そ
のことを実現するには従来は５ボルトの電源より出発す
ることが必要であった。このことはビードに所望３．５
ワットを実現するために電源変圧器が一次側にほぼ５０
ワットを必要とする点ですこぶる不効率である。また、
回路が非常に不効率となるだけでなく、エネルギーを放
散させるためにかさばる構成部品が必要となる。
従来方法の一つは閉ループ直流制御方法を使用してい
る。ビードを流れるほぼ５アンペアの所望電流は、ほぼ
０．７ボルトのビードを横切る電圧と相俟って３〜３．
５ワットのビード電力必要条件が必要となる。だが、そ
のことを実現するには従来は５ボルトの電源より出発す
ることが必要であった。このことはビードに所望３．５
ワットを実現するために電源変圧器が一次側にほぼ５０
ワットを必要とする点ですこぶる不効率である。また、
回路が非常に不効率となるだけでなく、エネルギーを放
散させるためにかさばる構成部品が必要となる。
【０００４】もう一つの従来手法は開ループ型にビード
と配線に交流接続した変圧器を使用している。だが、そ
の場合には、配線とビード全体にわたる電圧降下が測定
されない。その代わり変圧器に供給される電気パルスが
測定されるが、フィードバックは行われない。従って、
回路内のインダクタンスにすこぶる敏感で、このことが
その機械的設計を困難にしている。更に、交流接続が非
効率で、設計は変圧器や負荷における周囲温度の変化の
補償を考慮していない。
と配線に交流接続した変圧器を使用している。だが、そ
の場合には、配線とビード全体にわたる電圧降下が測定
されない。その代わり変圧器に供給される電気パルスが
測定されるが、フィードバックは行われない。従って、
回路内のインダクタンスにすこぶる敏感で、このことが
その機械的設計を困難にしている。更に、交流接続が非
効率で、設計は変圧器や負荷における周囲温度の変化の
補償を考慮していない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の第一
次的目的は効率を改善し機械的設計上の制約が少ない熱
イオン検出源の電気加熱回路を提供することである。そ
の他の目的、特徴、利点は以下の叙述と請求範囲より明
らかとなるはずである。
次的目的は効率を改善し機械的設計上の制約が少ない熱
イオン検出源の電気加熱回路を提供することである。そ
の他の目的、特徴、利点は以下の叙述と請求範囲より明
らかとなるはずである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、パルス
幅変調を活用してプッシュプル形で動作する変圧器を制
御してビードを加熱する。ビード電圧は変調器を制御す
るフィードバックとして測定使用される。
幅変調を活用してプッシュプル形で動作する変圧器を制
御してビードを加熱する。ビード電圧は変調器を制御す
るフィードバックとして測定使用される。
【０００７】
【実施例】図１について述べると、短いプラチナ線１２
上に取付けられ熱イオンガスクロマトグラフィ検出器内
でイオン源素子としての作用を行うＮＰＤ（窒素／燐検
出器）ビード１０が描かれている。このような検出器の
場合、プラチナ線１２の寸法は径０．００７インチと長
さ５ｍｍとすることができる。
上に取付けられ熱イオンガスクロマトグラフィ検出器内
でイオン源素子としての作用を行うＮＰＤ（窒素／燐検
出器）ビード１０が描かれている。このような検出器の
場合、プラチナ線１２の寸法は径０．００７インチと長
さ５ｍｍとすることができる。
【０００８】ビード１０はプラチナ線１２を横切る電圧
降下を制御することによって加熱される。ビード電圧は
ビード変圧器１６の２巻二次巻線１４によって駆動され
る。ビード変圧器１６はトロイダルコアを有し、その上
部に４０ＫＨｚパルス幅変調コントローラ２０から動作
される６０巻センタータップ一次巻線１８も取付けられ
る。ビード１０は浮動変圧器二次巻線１４を−３６ボル
ト直流源２２に接続することによって分極化する。二次
巻線１４の他方側はコンデンサ２４を介してＲＭＳ−Ｄ
Ｃ変換器２６へ交流接続する。
降下を制御することによって加熱される。ビード電圧は
ビード変圧器１６の２巻二次巻線１４によって駆動され
る。ビード変圧器１６はトロイダルコアを有し、その上
部に４０ＫＨｚパルス幅変調コントローラ２０から動作
される６０巻センタータップ一次巻線１８も取付けられ
る。ビード１０は浮動変圧器二次巻線１４を−３６ボル
ト直流源２２に接続することによって分極化する。二次
巻線１４の他方側はコンデンサ２４を介してＲＭＳ−Ｄ
Ｃ変換器２６へ交流接続する。
【０００９】ビード１０からの公称１ボルトＲＭＳ信号
はＲＭＳ−ＤＣ変換器２６により５ボルト直流信号に変
換される。そのワイパー３０が所望のビード電圧設定点
を提供するようにポテンショメータ２８を調節する。こ
の設定点は変換器２６により印加される実際のビード電
圧と比較され、その差は積分誤差増幅器３２により積分
される。積分誤差増幅器３２からの出力はパルス幅変調
制御回路２０を制御する。制御回路２０はプッシュプル
形で動作する変圧器１６のセンタータップ一次巻線１８
に給電する。
はＲＭＳ−ＤＣ変換器２６により５ボルト直流信号に変
換される。そのワイパー３０が所望のビード電圧設定点
を提供するようにポテンショメータ２８を調節する。こ
の設定点は変換器２６により印加される実際のビード電
圧と比較され、その差は積分誤差増幅器３２により積分
される。積分誤差増幅器３２からの出力はパルス幅変調
制御回路２０を制御する。制御回路２０はプッシュプル
形で動作する変圧器１６のセンタータップ一次巻線１８
に給電する。
【００１０】本発明のより詳細な説明を図２の概略線図
に従って進めることにする。ＲＭＳ−ＤＣ変換器２６は
アナログデバイスモデルＡＤ５３６Ａである。パルス幅
変調コントローラ２０は積分誤差増幅器３２を含むが、
ユニトロードから市販されているパートナンバーＵＣ３
８２５である。コンデンサ２４からの公称１ボルトＲＭ
Ｓ信号は、平均時定数を設定するコンデンサ３７と、５
の利得を設定する抵抗器３４とトリミングポテンショメ
ータ３６によりＲＭＳ−ＤＣ変換器２６によって５ボル
ト直流信号に変換される。
に従って進めることにする。ＲＭＳ−ＤＣ変換器２６は
アナログデバイスモデルＡＤ５３６Ａである。パルス幅
変調コントローラ２０は積分誤差増幅器３２を含むが、
ユニトロードから市販されているパートナンバーＵＣ３
８２５である。コンデンサ２４からの公称１ボルトＲＭ
Ｓ信号は、平均時定数を設定するコンデンサ３７と、５
の利得を設定する抵抗器３４とトリミングポテンショメ
ータ３６によりＲＭＳ−ＤＣ変換器２６によって５ボル
ト直流信号に変換される。
【００１１】かくして、この出力はビード１０を横切る
電圧に等しくなるがスケーリングされている。誤差増幅
器３２はポテンショメータ２８のワイパー３０により与
えられる設定点とライン３８上のスケーリングされたビ
ード電圧信号を比較し、その差を積分する。積分利得と
時定数とは抵抗器３９，４１とコンデンサ４３により設
定される。スレショルド抵抗器４０は制御パルスが０．
７５ボルトを上廻る設定点に先立って発生することを防
止する。ソフトスタートコンデンサ４２はほぼ１ボルト
又はそれ以上まで充填され終わるまでリセット状態に続
いてパルス幅変調コントローラ２０を遮断状態に維持す
る。コンデンサ４４は内部論理を供給するために結合を
解除する。抵抗器４６とコンデンサ４８より成るフイル
タ回路はゲート電流電源（Ｖｃ）の結合を解除する。抵
抗器５０とコンデンサ５２は内部発振器をほぼ８０ＫＨ
ｚにセットする。抵抗器５４とコンデンサ５６より成る
フイルタ回路はＨＥＸＦＥＴ５８，６０の導通電流スパ
イクがコントローラの電流制限又は電流遮断保護特長を
発動することを防止する。
電圧に等しくなるがスケーリングされている。誤差増幅
器３２はポテンショメータ２８のワイパー３０により与
えられる設定点とライン３８上のスケーリングされたビ
ード電圧信号を比較し、その差を積分する。積分利得と
時定数とは抵抗器３９，４１とコンデンサ４３により設
定される。スレショルド抵抗器４０は制御パルスが０．
７５ボルトを上廻る設定点に先立って発生することを防
止する。ソフトスタートコンデンサ４２はほぼ１ボルト
又はそれ以上まで充填され終わるまでリセット状態に続
いてパルス幅変調コントローラ２０を遮断状態に維持す
る。コンデンサ４４は内部論理を供給するために結合を
解除する。抵抗器４６とコンデンサ４８より成るフイル
タ回路はゲート電流電源（Ｖｃ）の結合を解除する。抵
抗器５０とコンデンサ５２は内部発振器をほぼ８０ＫＨ
ｚにセットする。抵抗器５４とコンデンサ５６より成る
フイルタ回路はＨＥＸＦＥＴ５８，６０の導通電流スパ
イクがコントローラの電流制限又は電流遮断保護特長を
発動することを防止する。
【００１２】ＮＰＤビード１０が５０％のオンオフデュ
ーティサイクルを必要とするものと仮定すると、パルス
幅変調コントローラ２０の出力Ａは６．２５マイクロ秒
の間＋１５ボルトに脈動した後、１８．７５マイクロ秒
の間遮断される。出力Ｂも同じことを行うが、１２．５
マイクロ秒（１サイクル）遅れる。出力ＡからＨＥＸＦ
ＥＴ５８のゲートへのパルスはそれを駆動して導通させ
る。その結果、イオン源７２からの＋２４ボルトの直流
が一次巻線１８の半分を介してアース接続されることに
なる。このため、ビード１０を駆動する２次巻線１４か
ら＋１．５ボルトのピークが得られる。同様の結果は一
次巻線１８の他の半分が古典的なプッシュプル形でＨＥ
ＸＦＥＴ６０を介してアースされる時にも起きる。その
結果得られる２次電圧は、その上部に２次巻線が浮動す
るイオン源２２から導出された−３６ボルトの直流分極
電圧上に重ね合わせられる。
ーティサイクルを必要とするものと仮定すると、パルス
幅変調コントローラ２０の出力Ａは６．２５マイクロ秒
の間＋１５ボルトに脈動した後、１８．７５マイクロ秒
の間遮断される。出力Ｂも同じことを行うが、１２．５
マイクロ秒（１サイクル）遅れる。出力ＡからＨＥＸＦ
ＥＴ５８のゲートへのパルスはそれを駆動して導通させ
る。その結果、イオン源７２からの＋２４ボルトの直流
が一次巻線１８の半分を介してアース接続されることに
なる。このため、ビード１０を駆動する２次巻線１４か
ら＋１．５ボルトのピークが得られる。同様の結果は一
次巻線１８の他の半分が古典的なプッシュプル形でＨＥ
ＸＦＥＴ６０を介してアースされる時にも起きる。その
結果得られる２次電圧は、その上部に２次巻線が浮動す
るイオン源２２から導出された−３６ボルトの直流分極
電圧上に重ね合わせられる。
【００１３】導電中、一次巻線１８の電流は抵抗器６
２，６４の平行和を横切ってつくりだされる電圧を検出
することによってほぼ２アンペアにまで制限される。抵
抗器６２，６４を横切ってつくりだされる電圧のほぼ２
５％は抵抗器６６，６８とコンデンサ７０を介してフィ
ードバックされて隣り合うパルスどうしの対称性を制御
する。これら構成部品は同時にコンデンサ５２を横切っ
てつくりだされる電圧をタッピングすることによってコ
ントローラ２０へランプ電圧を供給する。ランプ電圧は
それが誤差増幅器３２の出力における電圧値を下廻る
１．２５ボルトに達するまで上昇する。その時点でパル
スは停止する。従って、変圧器１６の一次巻線１８の各
半分がアースへショートされる時間の長さはランプ電圧
が誤差電圧に達するのに要する時間の長さによって判断
される。かくして、パルスの長さは積分誤差増幅器によ
り確立されるが、パルスの対称性はパルス幅変調コント
ローラ自体によって確立される。
２，６４の平行和を横切ってつくりだされる電圧を検出
することによってほぼ２アンペアにまで制限される。抵
抗器６２，６４を横切ってつくりだされる電圧のほぼ２
５％は抵抗器６６，６８とコンデンサ７０を介してフィ
ードバックされて隣り合うパルスどうしの対称性を制御
する。これら構成部品は同時にコンデンサ５２を横切っ
てつくりだされる電圧をタッピングすることによってコ
ントローラ２０へランプ電圧を供給する。ランプ電圧は
それが誤差増幅器３２の出力における電圧値を下廻る
１．２５ボルトに達するまで上昇する。その時点でパル
スは停止する。従って、変圧器１６の一次巻線１８の各
半分がアースへショートされる時間の長さはランプ電圧
が誤差電圧に達するのに要する時間の長さによって判断
される。かくして、パルスの長さは積分誤差増幅器によ
り確立されるが、パルスの対称性はパルス幅変調コント
ローラ自体によって確立される。
【００１４】本発明の多くの利点は、今や当業者に明ら
かであると思われる。またその精神と範囲から逸脱する
ことなく、本発明に一連の変形と修正を施こすことがで
きることも明らかであろう。例えば、ビードを横切る電
圧を測定する外に、変圧器一次巻線の電圧を測定するこ
とも可能である。そうすれば、本発明の方法はビードが
消費する電力を制御するためにも活用することが可能で
ある。ビード線内で消費される電力を（イオン源を横切
る交流電圧の代わりに）基準電圧と比較することによっ
てエラー信号を生成させることもできる。実のところ、
他の多くの電気特性を基準電圧と比較することによって
エラー信号を生成させることも可能である。以上の電気
特性は例えば、二次電流、一次電流、電力（二次電流×
二次電圧）、抵抗（二次電流により除した二次電圧）を
包含することができる。請求範囲において“イオン源の
電気特性”という表現は以上の全てを含むがそれに限定
されるものではないことを理解されたい。従って前記解
説は限定的なものではなく、例解的なものと理解すべき
である。本発明は請求範囲によってのみ限定されるもの
である。
かであると思われる。またその精神と範囲から逸脱する
ことなく、本発明に一連の変形と修正を施こすことがで
きることも明らかであろう。例えば、ビードを横切る電
圧を測定する外に、変圧器一次巻線の電圧を測定するこ
とも可能である。そうすれば、本発明の方法はビードが
消費する電力を制御するためにも活用することが可能で
ある。ビード線内で消費される電力を（イオン源を横切
る交流電圧の代わりに）基準電圧と比較することによっ
てエラー信号を生成させることもできる。実のところ、
他の多くの電気特性を基準電圧と比較することによって
エラー信号を生成させることも可能である。以上の電気
特性は例えば、二次電流、一次電流、電力（二次電流×
二次電圧）、抵抗（二次電流により除した二次電圧）を
包含することができる。請求範囲において“イオン源の
電気特性”という表現は以上の全てを含むがそれに限定
されるものではないことを理解されたい。従って前記解
説は限定的なものではなく、例解的なものと理解すべき
である。本発明は請求範囲によってのみ限定されるもの
である。
【図１】本発明による加熱回路のブロック線図である。
【図２】図１の回路を詳解する概略線図である。
１０ ＮＰＤビード １２ プラチナ線 １４ 二次巻線 １６ ビード変圧器 １８ 一次巻線 ２０ パルス幅変調コントローラ ２４ コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−209166（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−103228（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−8289（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 27/62 - 27/70 G01N 30/64 H02M 7/42 - 7/98
Claims (7)
- 【請求項１】 ガスクロマトグラフィにおける熱イオン
検出器のイオン源を加熱する方法において、 前記イオン源をセンタータップ一次巻線を有しプッシュ
プル形で動作する変圧器の二次巻線を横切って接続し；前記二次巻線を前記イオン源の分極化用の直流源に接続
し； 所定の基準電圧を確立し； 前記イオン源を横切る電圧を前記基準電圧と比較し； 前記基準電圧と前記イオン源を横切る電圧との間の差に
比例する誤差信号を生成し； 前記一次巻線に供給される電気パルスの幅を４０ＫＨｚ
パルス幅変調コントローラにより制御して前記誤差信号
を最小限にする； 段階より成る前記方法。 - 【請求項２】 前記基準電圧が直流電圧で、前記イオン
源を横切る電圧が比較段階に先行して直流に変換される
請求項１の方法。 - 【請求項３】 センタータップ一次巻線と二次巻線とを
有する変圧器からガスクロマトグラフィ用に熱イオン検
出器のイオン源を加熱する方法において、 前記二次巻線からの電流を前記イオン源内へ通し；前記二次巻線に接続された直流源からの分極化用電圧を
前記イオン源に印加し； 所定基準電圧を確立し； 前記イオン源を横切る電圧を前記基準電圧と比較し； 前記基準電圧と前記イオン源を横切る電圧間の差に比例
する誤差信号を生成し； 前記誤差信号により制御される幅を有し前記誤差信号を
最小限にする電気パルスを４０ＫＨｚパルス幅変調コン
トローラにより前記センタータップ一次巻線の何れか一
方の半分に交互に供給する； 段階より成る前記方法。 - 【請求項４】 前記基準電圧が直流電圧であって、前記
比較段階に先立って前記イオン源を横切る電圧を直流電
圧へ変換する段階を含む請求項３の方法。 - 【請求項５】 ガスクロマトグラフィ用の熱イオン検出
器のイオン源を加熱する装置において、 センタータップ一次巻線と二次巻線とを有する変圧器
と； 前記二次巻線からの電流を前記イオン源内に通す手段
と；前記二次巻線に接続された直流源と； 前記直流源からの分極化用電圧を前記イオン源に印加す
る手段と； 所定基準電圧を確立する手段と； 前記イオン源を横切る電圧を前記基準電圧と比較する手
段と； 前記基準電圧と前記イオン源を横切る電圧間の差に比例
する誤差信号を生成する手段と； 前記センタータップ一次巻線の何れか一方の半分に交互
に電気パルスを供給し、前記パルスを前記誤差信号によ
り成形して前記誤差信号を最小限にする４０ＫＨｚパル
ス幅変調コントローラと； から成る前記装置。 - 【請求項６】 前記基準電圧が直流電圧であって、前記
比較手段が前記イオン源を横切る電圧を交流から直流へ
変換する手段より成る請求項５の装置。 - 【請求項７】 前記変換手段がｒｍｓ−ｄ・ｃ変換器よ
り成る請求項６の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US79212291A | 1991-11-14 | 1991-11-14 | |
| US07-792-122 | 1991-11-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05256822A JPH05256822A (ja) | 1993-10-08 |
| JP3345061B2 true JP3345061B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=25155867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32751392A Expired - Lifetime JP3345061B2 (ja) | 1991-11-14 | 1992-11-13 | ガスクロマトグラフィにおける熱イオン検出器のイオン源を加熱する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5475202A (ja) |
| JP (1) | JP3345061B2 (ja) |
| DE (1) | DE4237167C2 (ja) |
| GB (1) | GB2261534B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554540A (en) * | 1995-01-19 | 1996-09-10 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for preserving the sensitivity of a thermionic ionization detector |
| BR0003627A (pt) * | 1999-08-16 | 2001-04-03 | Xerox Corp | Controle de fusor sem tremulação |
| US6777653B2 (en) * | 2002-09-26 | 2004-08-17 | Emerson Electric Co. | Igniter controller |
| CN101484763A (zh) * | 2006-05-22 | 2009-07-15 | 达特默斯大学托管会 | 复杂形状的脉冲电热除冰 |
| JP5114483B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2013-01-09 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト・ツァー・フォデラング・デル・アンゲワンテン・フォーシュング・エー．ファウ． | ハロゲン含有化合物の検出用熱イオン化検出器のための触媒活性成分及び該成分のための酸化物セラミック材料の製造プロセス |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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