JP3343808B2 - ノイズ抑制装置 - Google Patents

ノイズ抑制装置

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JP3343808B2 JP12440896A JP12440896A JP3343808B2 JP 3343808 B2 JP3343808 B2 JP 3343808B2 JP 12440896 A JP12440896 A JP 12440896A JP 12440896 A JP12440896 A JP 12440896A JP 3343808 B2 JP3343808 B2 JP 3343808B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基本クロックに従
って動作するディジタル回路を有する半導体集積回路装
置から発するノイズを抑制するために、ディジタル回路
に付随して半導体集積回路装置中に設けられた半導体装
置からなりバイパスコンデンサの働きをするノイズ抑制
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、基本クロックに従って動作するデ
ィジタル回路を有する半導体集積回路装置の発するノイ
ズによるEMIが問題になっており、半導体集積回路装
置自身の低EMIが要求されているが、その中で低EM
I(電磁妨害波;Electro Magnetic Interference )化
の一手段であるバイパスコンデンサを内蔵した半導体集
積回路装置が利用されるようになってきた。
【0003】以下、基本クロックに従って動作するディ
ジタル回路を有する従来の半導体集積回路装置について
図3を参照しながら説明する。図3は従来の半導体集積
回路装置の構成を示す回路図である。図3において、1
3は電源、3は基本クロックに従って動作しノイズ源と
なるディジタル回路である。1は電源13からディジタ
ル回路3へ到る電源ライン、2は電源13からディジタ
ル回路3へ到る接地ラインである。12は電源ライン1
に一端を接続し接地ライン2に他端を接続することによ
りノイズバイパスを行って電源13に帰還するノイズを
減少させるためのコンデンサである。
【0004】以上のように構成された半導体集積回路装
置について、以下、その動作について説明する。まず、
電源13から給電されてディジタル回路3が動作する
と、基本クロックに従って、例えば基本クロックの立ち
上がり毎にディジタル回路3の内部の状態が変化する
が、そのタイミングで電力を消費し、過渡的な瞬時電流
が流れる。電源ライン1とディジタル回路3の間、およ
び接地ライン2とディジタル回路3の間にはそれぞれ寄
生インピーダンスがつくが、コンデンサ12がディジタ
ル回路3に充分に近い場合には、ディジタル回路3に流
れる瞬時電流はまずコンデンサ12から供給され、その
次に電源13から電源ライン1を通り接地ライン2から
出る経路で供給される。その結果、ディジタル回路3の
近くに配置されたコンデンサ12はディジタル回路3に
流れ込む瞬時電流の供給源となり、電源13からの瞬時
電流の供給量を低減する作用をもつ。すなわち、電源1
3から電源ライン1と接地ライン2に流れる瞬時電流が
減少するため、コンデンサ12はノイズ源となるディジ
タル回路3のノイズをバイパスして電源13から外部へ
漏れ出すのを抑制する役目を担い、EMI対策として効
果がある。
【0005】クロックによる過渡電流により、電源−接
地間にノイズが観測されるが、この大きさによりコンデ
ンサ12が放出した電荷がわかり、例えばコンデンサ1
2の蓄積電荷のうち、ノイズ抑制のために、5%程度の
電荷が供される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、半導体集積回路装置中には、ノイズパイ
パス用として大容量のコンデンサは内蔵できず、内蔵可
能なコンデンサは小容量のものに限られるため、コンデ
ンサ12からディジタル回路13に供給される電荷はわ
ずかであり、ほとんどが電源13から供給されるため、
ノイズのバイパス作用が充分に得られず、電源から外部
へ漏れ出すノイズを十分に抑制することはできなかっ
た。
【0007】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、半導体集積回路装置中に内蔵するコンデンサの容量
が小さくても、ノイズのバイパス効果を十分に大きくし
て外部へ漏れ出すノイズを十分に抑制することができる
ノイズ抑制装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のノイズ抑制装置
は、基本クロックに従って動作するディジタル回路を有
する半導体集積回路装置に内蔵されるものであり、電源
からディジタル回路へ到る電源ラインに一端を接続した
第1のコンデンサと、電源からディジタル回路へ到る接
地ラインに一端を接続した第2のコンデンサと、第1の
コンデンサの他端と接地ラインとの間に接続した第1の
充電用スイッチング素子と、第2のコンデンサの他端と
電源ラインとの間に接続した第2の充電用スイッチング
素子と、第1のコンデンサの他端と第2のコンデンサの
他端との間に接続した放電用スイッチング素子とを備
え、第1および第2の充電用スイッチング素子を基本ク
ロックに同期してディジタル回路に過渡的な瞬時電流が
流れないタイミングで導通させるとともに、放電用スイ
ッチング素子を基本クロックに同期してディジタル回路
に過渡的な瞬時電流が流れるタイミングで導通させるよ
うにしている。
【0009】過渡的な瞬時電流が流れるタイミングとい
うのは、瞬時電流の流れ始めから短くとも瞬時電流の流
れ終わりまでの期間であり、瞬時電流が流れないタイミ
ングというのは瞬時電流が流れ終わった後次に瞬時電流
が流れ始める直前までの期間である。また、第1の充電
用スイッチング素子が例えばNチャネル型MOSトラン
ジスタで構成され、第2の充電用スイッチング素子が例
えばPチャネル型MOSトランジスタで構成され、放電
用スイッチング素子が例えばNチャネル型MOSトラン
ジスタで構成される。
【0010】この構成によると、ディジタル回路に過渡
的な瞬時電流が流れないタイミングにおいては、第1お
よび第2のコンデンサが電源ラインと接地ラインの間に
並列に接続された状態となり、第1および第2のコンデ
ンサが電源により並列的に充電されることになり、第1
および第2のコンデンサの電圧は各々ほぼ電源電圧とな
る。また、ディジタル回路に過渡的な瞬時電流が流れる
タイミングにおいては、第1および第2のコンデンサが
電源ラインと接地ラインの間に直列に接続されて、第1
および第2のコンデンサからディジタル回路へ加えられ
る電圧が電源電圧より高い値となり、この状態で第1お
よび第2のコンデンサからディジタル回路に対して直列
的に放電が行われることになり、第1および第2のコン
デンサの直列回路の電圧が略電源電圧になるまで、つま
り、第1および第2のコンデンサに蓄積された電荷の約
半分が放出されるまでディジタル回路に対して放電が継
続して行われ、その間は電源を通して流れることはな
い。
【0011】このように、ディジタル回路に過渡的な瞬
時電流が流れるタイミングにおいて第1および第2のコ
ンデンサが直列状態で電源ラインと接地ラインの間に接
続されると、第1および第2のコンデンサに充電された
電荷の約半分が電源ラインと接地ラインから放出されて
ノイズ源となるディジタル回路に供給されるため、従来
よりも大量の電荷が放出されることとなり、静電容量の
小さいコンデンサでもノイズのバイパス効果を大きくす
ることができ、したがって外部へ漏れ出すノイズを十分
に抑制することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図1は本発明の実施
の形態におけるノイズ抑制装置を内蔵した半導体集積回
路装置の回路図を示すものである。図1において、13
は電源、3は基本クロックに従って動作し、ノイズ源と
なるディジタル回路である。1は電源13からディジタ
ル回路3へ到る電源ライン、2は電源13からディジタ
ル回路3へ到る接地ラインである。6は電源ライン1に
一端を接続した第1のコンデンサ、9は接地ライン2に
一端を接続した第2のコンデンサである。5は第1のコ
ンデンサ6の他端と接地ライン2との間に接続したNチ
ャネル型MOSトランジスタからなる第1の充電用スイ
ッチング素子である。8は第2のコンデンサ9の他端と
電源ライン1との間に接続したPチャネル型MOSトラ
ンジスタからなる第2の充電用スイッチング素子であ
る。11は第1のコンデンサ6の他端と第2のコンデン
サ9の他端との間に接続したNチャネル型MOSトラン
ジスタからなる放電用スイッチング素子である。
【0013】4は充電期間、つまり基本クロックに同期
してディジタル回路3に過渡的な瞬時電流が流れないタ
イミングで“H”レベルとなる充電タイミング制御信号
であり、この充電タイミング制御信号が第1の充電用ス
イッチング素子5のゲートに入力されることで、第1の
充電用スイッチング素子5が制御され、ディジタル回路
3に過渡的な瞬時電流が流れないタイミングで第1の充
電用スイッチング素子5が導通して第1のコンデンサ6
が充電される。なお、充電タイミング制御信号は、過渡
的な瞬時電流が流れ終わった後次に過渡的な瞬時電流が
流れ始める直前までの期間に“H”レベルとなる。
【0014】7は充電タイミング制御信号4の論理を反
転させるインバータであり、その出力信号が第2の充電
用スイッチング素子8のゲートに入力されることで、第
2の充電用スイッチング素子5が制御され、ディジタル
回路3に過渡的な瞬時電流が流れないタイミングで第2
の充電用スイッチング素子8が導通して第2のコンデン
サ9が充電される。
【0015】10は放電期間、つまり基本クロックに同
期してディジタル回路3に過渡的な瞬時電流が流れるタ
イミングで“H”レベルとなる放電タイミング制御信号
であり、放電用スイッチング素子11のゲートに入力さ
れることで、放電用スイッチング素子11が制御され、
ディジタル回路3に過渡的な瞬時電流が流れるタイミン
グで放電用スイッチング素子11が導通して第1および
第2のコンデンサ6,9が直列に放電する。放電タイミ
ング制御信号は、過渡的な瞬時電流が流れ始めてから短
くとも瞬時電流が流れ終わるまでの期間に“H”レベル
となる。なお、充電タイミング制御信号と放電タイミン
グ制御信号とは両方同時に“H”となることがないよう
にしなければならない。
【0016】この半導体集積回路装置では、ディジタル
回路3に過渡的な瞬時電流が流れないタイミングにおい
ては、第1および第2のコンデンサ6,9が電源ライン
1と接地ライン2の間に並列に接続された状態となり、
第1および第2のコンデンサ6,9が電源13により並
列的に充電されることになり、第1および第2のコンデ
ンサ6,9の電圧は各々ほぼ電源電圧となる。また、デ
ィジタル回路3に過渡的な瞬時電流が流れるタイミング
においては、第1および第2のコンデンサ6,9が電源
ライン1と接地ライン2の間に直列に接続された状態と
なって第1および第2のコンデンサ6,9からディジタ
ル回路3へ加えられる電圧が電源電圧より高くなり、こ
の状態で第1および第2のコンデンサ6,9からディジ
タル回路3に対して直列的に放電が行われることにな
り、第1および第2のコンデンサ6,9の直列回路の電
圧が略電源電圧になるまで、つまり、第1および第2の
コンデンサ6,9に蓄積された電荷の約半分が放出され
るまでディジタル回路3に対して放電が継続して行わ
れ、その間は電源13を通して流れることはない。な
お、ディジタル回路3に瞬時電流が流れるときは、ディ
ジタル回路3側が低インピーダンスとなっており、第1
および第2のコンデンサ6,9の直列接続時の電圧は電
源電圧の2倍より低い値となる。実際の設計では、過渡
電流を見積り、第1および第2のコンデンサ6,9の値
を調整して電源電圧とほとんど同じになるように設計さ
れる。
【0017】このように、ディジタル回路3に過渡的な
瞬時電流が流れるタイミングにおいて第1および第2の
コンデンサ6,9が直列状態で電源ライン1と接地ライ
ン2の間に接続されると、第1および第2のコンデンサ
6,9に充電された電荷の約半分が電源ライン1と接地
ライン2から放出されてノイズ源となるディジタル回路
3に供給されるため、従来よりも大量の電荷が放出され
ることとなり、静電容量の小さいコンデンサでもノイズ
のバイパス効果を大きくすることができ、したがって外
部へ漏れ出すノイズを十分に抑制することができる。
【0018】つぎに、この実施の形態の半導体集積回路
装置の動作を図2を参照しながら説明する。図2におい
て、(a)はディジタル回路3の基本クロック、(b)
はディジタル回路3の消費電流、(c)は充電タイミン
グ制御信号4、(d)は放電タイミング制御信号10を
それぞれ示している。まず、電源13から給電されてデ
ィジタル回路3が動作すると、ディジタル回路3の内部
の状態が変化するが、一定の基本クロックに同期して内
部状態が変化するディジタル回路3においては、図2
(b)に示すように電力を消費するタイミングは上記基
本クロックの周期に同期する。つまり、例えば図2
(a)の基本クロックの立ち上がり直後の所定期間に過
渡的に電流が流れて電力を消費し、その後の期間はほと
んど電流は流れず、電力の消費はほとんどない。
【0019】そこで、充電タイミング制御信号4を、図
2(c)に示すように、ディジタル回路3が電流を消費
しないタイミングで“H”レベルとし、第1の充電用ス
イッチング素子5および第2の充電用スイッチング素子
8を導通させることにより、それぞれ第1のコンデンサ
6および第2のコンデンサ9が上記図2(c)の“H”
レベル期間に充電される。このとき、放電タイミング制
御信号10が“L”レベルであり、放電用スイッチング
素子11は遮断している。
【0020】つぎに、図2(d)に示すように、ディジ
タル回路3に消費電流が流れるタイミングで放電タイミ
ング制御信号10を“L”レベルとし、放電用スイッチ
ング素子11を導通させるとともに、充電タイミング制
御信号4を“L”レベルにして第1の充電用スイッチン
グ素子5および第2の充電用スイッチング素子8を遮断
することにより、充電済の第1のコンデンサ6および第
2のコンデンサ9が直列に接続される。この動作により
第1のコンデンサ6および第2のコンデンサ9に充電さ
れていた正の電荷が電源ライン1へ、また負の電荷が接
地ライン2に放出される。なお、トランジスタ11を導
通させるタイミングは基本クロックの立ち上がりと同時
であることが必要である。もし、タイミングが前にずれ
た場合、その放出する電荷は電源側に流れていくため、
ノイズのもとになり、遅れるとノイズ抑制が十分に行わ
れない。
【0021】上記第1および第2のコンデンサ6,9の
放出電荷がディジタル回路3に流れる瞬時電流の供給源
となり、電源13からの瞬時電流の供給量を低減する効
果をもつ。すなわち、電源13から電源ライン1と接地
ライン2に流れる瞬時電流が減少するため、この実施の
形態の構成はノイズ源であるディジタル回路3のノイズ
をバイパスする役目を担い、EMI対策として効果があ
る。
【0022】なお、ディジタル回路3側に過渡電流が流
れる状態においては、コンデンサ6,9側から見ると、
インピーダンスが低い状態にあるため、ディジタル回路
3に加わる電圧は、上述したように、電源電圧の2倍よ
り低くなる。実用に際してはは、耐圧に問題が生じない
程度に、過渡電流を見積もって最適なコンデンサ容量に
設計する。
【0023】また、コンデンサ6,9の充放電について
は、充電は緩やかに行われ、放電はディジタル回路3の
過渡電流を供給するために供されるので、コンデンサ
6,9の充放電自体がノイズ源となることはない。ま
た、コンデンサ6,9は、通常のパイバスコンデンサと
同様に、ディジタル回路3に近接して配置し、電源から
は離しているため、電源とディジタル回路3間の寄生イ
ンピーダンスのため、コンデンサ6,9から電源側への
電荷の供給はわずかで、大部分の電荷はディジタル回路
3側にノイズ抑制のために供給され、ノイズ抑制効果が
得られないということはない。
【0024】以上のように、この実施の形態によれば、
ディジタル回路3に過渡的な瞬時電流が流れるタイミン
グで充電済の第1のコンデンサ6および第2のコンデン
サ9を電源ライン1と接地ライン2との間で直列に接続
したことにより、第1のコンデンサ6および第2のコン
デンサ9に充電されていた電荷量の総和の約半分をディ
ジタル回路3の瞬時電流の供給源とすることができ、放
出する電荷量は従来例の数倍から十数倍となるため、同
じ容量値で比較すれば電源13から電源ライン1と接地
ライン2に流れる瞬時電流をより一層低減することがで
きる。
【0025】なお、上記の実施例では、充電用スイッチ
ング素子および放電用スイッチング素子はMOSトラン
ジスタであったが、バイポーラトランジスタであっても
よい。
【0026】
【発明の効果】本発明によれば、第1および第2の2つ
のコンデンサを瞬時電流が流れないタイミングで並列的
に充電しておき、ノイズ源であるディジタル回路に瞬時
電流が流れるタイミングで第1および第2の2つの充電
済のコンデンサを電源ラインと接地ライン間で直列に接
続するために第1および第2の充電用スイッチング素子
と放電用スイッチング素子を設けたことにより、充電さ
れたコンデンサの放出電荷量を増し、電源からの瞬時電
流の供給量を低減し、外部へ漏れ出すノイズを十分に抑
制することができる優れたノイズ抑制装置を実現できる
ものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における半導体集積回路装
置の構成を示す回路図である。
【図2】本発明の実施の形態における半導体集積回路装
置装置のタイミングチャートである。
【図3】従来の半導体集積回路装置の構成を示す回路図
である。
【符号の説明】
1 電源ライン 2 接地ライン 3 ディジタル回路 4 充電タイミング制御信号 5 第1の充電用スイッチング素子 6 第1のコンデンサ 7 インバータ 8 第2の充電用スイッチング素子 9 第2のコンデンサ 10 放電タイミング制御信号 11 放電用スイッチング素子 12 コンデンサ 13 電源
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−13879(JP,A) 特開 平9−205357(JP,A) 特開 昭56−122526(JP,A) 特開 平4−255990(JP,A) 特開 昭63−65662(JP,A) 特開 平2−254749(JP,A) 特開 平2−162917(JP,A) 実開 平1−179631(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 19/00 H01L 27/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基本クロックに従って動作するディジタ
    ル回路を有する半導体集積回路装置に内蔵されるノイズ
    抑制装置であって、 電源から前記ディジタル回路へ到る電源ラインに一端を
    接続した第1のコンデンサと、前記電源から前記ディジ
    タル回路へ到る接地ラインに一端を接続した第2のコン
    デンサと、前記第1のコンデンサの他端と前記接地ライ
    ンとの間に接続した第1の充電用スイッチング素子と、
    前記第2のコンデンサの他端と前記電源ラインとの間に
    接続した第2の充電用スイッチング素子と、前記第1の
    コンデンサの他端と前記第2のコンデンサの他端との間
    に接続した放電用スイッチング素子とを備え、 前記第1および第2の充電用スイッチング素子を前記基
    本クロックに同期して前記ディジタル回路に過渡的な瞬
    時電流が流れないタイミングで導通させるとともに、前
    記放電用スイッチング素子を前記基本クロックに同期し
    て前記ディジタル回路に過渡的な瞬時電流が流れるタイ
    ミングで導通させるようにしたことを特徴とするノイズ
    抑制装置。
  2. 【請求項2】 瞬時電流が流れるタイミングが前記瞬時
    電流の流れ始めから短くとも前記瞬時電流の流れ終わり
    までの期間であり、前記瞬時電流が流れないタイミング
    は前記瞬時電流が流れ終わった後次に前記瞬時電流が流
    れ始める直前までの期間である請求項1記載のノイズ抑
    制装置。
  3. 【請求項3】 第1の充電用スイッチング素子がNチャ
    ネル型MOSトランジスタであり、第2の充電用スイッ
    チング素子がPチャネル型MOSトランジスタであり、
    放電用スイッチング素子がNチャネル型MOSトランジ
    スタである請求項1または2記載のノイズ抑制装置。
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