JP3340947B2 - ガス放電ランプ用安定回路 - Google Patents
ガス放電ランプ用安定回路Info
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Description
路に供給する直流−交流変換器を含むガス放電ランプに
対する安定回路、具体的には、直流−交流変換器に一対
の相補形スイッチを用いた安定回路に関するものであ
る。
直流−交流変換器を含むガス放電ランプに対する安定回
路は公知である。通常、そのような回路は直流−交流変
換器に一対の非相補形スイッチを含んでいる。例えば、
一対の同一のnーチャネル・エンハンスメント形MOS
FETをスイッチとして用いるのが普通である。そのよ
うな非相補形MOSFETのそれぞれは個別のゲート−
ソース(即ち、制御)電圧によって制御しなければなら
ない。このことは、その一対のMOSFETのゲート−
ソース電圧のそれぞれに単一の制御信号を与えるために
電圧のレベルシフトを必要とする。このような電圧シフ
トは、変圧器或いは通常のブートストラップ手段によっ
て実現することが出来る。変圧器の方法は高速でうまく
働くが、費用がかかり、制御が難しい。通常、集積回路
(IC)によって行われるブートストラップの方法は、
制御能力は良いが、高速で働かない。
をなくしたガス放電ランプに対する安定回路を提供する
ことである。本発明の目的は、直流−交流変換器の一対
のスイッチを含む型のガス放電ランプ安定回路であっ
て、該回路が高速で働く能力と同時に、良好な制御能力
を達成しうるものを提供することである。
の型の安定回路を提供することである。
れ、且つ、共振インダクタンスおよび共振キャパシタン
スを含む共振負荷回路が含まれるガス放電ランプのため
の安定回路によって達成される。直流−交流変換回路が
共振負荷回路に結合され、共振負荷回路内に交流電流を
誘導する。直流−交流変換回路には、直流電圧のバス導
体と基準導体との間に第一および第二の変換スイッチが
その順序で直列接続されて含まれ、両スイッチは交流負
荷電流が流れる共通節点で一緒に接続される。第一およ
び第二の変換スイッチはそれぞれ制御節点と基準節点を
含み、制御節点と基準節点との間の電圧が対応するスイ
ッチの導電状態を決める。第一の変換スイッチの制御節
点と第二の変換スイッチの制御節点は相互接続され、第
一の変換スイッチの基準節点と第二の変換スイッチの基
準節点が共通節点で一緒に接続される。限電圧エネルギ
源が第一節点と第二節点との間に接続される。第一節点
は第一のブートストラップ・コンデンサを通してバス導
体に接続され、第二節点は第二のブートストラップ・コ
ンデンサを通して基準導体に接続される。ブリッジ回路
が第一節点と第二節点の間に接続され、且つ、第一と第
二の入力節点を有し、両入力節点にそれぞれ第一と第二
の入力信号が印加される。変換スイッチのスイッチ状態
を制御するために、第一と第二の出力節点はそれぞれ共
通及び制御節点に接続される。発信器が第一と第二の入
力信号を生じる。
第一及び第二の変換スイッチそれぞれが少なくとも次の
状態を経る繰り返しサイクルを生じるように構成され
る。 (1)オン及びオフ、(2)オフに転ずる及び既にオ
フ、そして、共振インダクタンスの残留エネルギは第二
のブートストラップ・コンデンサから第一のブートスト
ラップ・コンデンサへエネルギ源を介してエネルギの移
動を生じさせ、これにより源をエネルギで補給する、
(3)オフ及びオン、(4)既にオフ及びオフに転ず
る、そして、共振インダクタンスの残留エネルギは第一
のブートストラップ・コンデンサから第二のブートスト
ラップ・コンデンサへエネルギ源を介してエネルギの移
動を生じ、これにより源をエネルギで補給する。
び特徴は、図面を参照した以下の説明により明らかとな
る。
示す。直流バス電圧VBUS が基準導体14に対してバス
導体12に印加される。基準導体14の電位は必ずしも
地気ではないが、単にバス導体12の電位よりも低い。
図示のように、安定回路10は直流−交流変換を行う為
に一対のスイッチSN及びSPを用いる。スイッチSNは
nチャネル・エンハンスメント形MOSFETとし、S
Pをpチャネル・エンハンスメント形MOSFETとす
ることが出来る。従って、このようなスイッチは互いに
相補形である。MOSFETスイッチSN及びSPのソー
スは共通節点16で相互に結合されている。共通節点は
交番的にバス導体12に接続され、それから、基準導体
14に接続され、バス導体12へ戻り、等々、交互に接
続される。他のソース間接続したMOSFETの対、或
いは、対応するバイポーラ接合形トランジスタを所望な
らば使うことが出来る。
LR及び共振コンデンサCRを含む共振負荷回路に交流電
流を供給する。共振コンデンサは蛍光ランプのようなラ
ンプ18によって分路される。直流阻止コンデンサ20
も共振負荷回路に設けられる。変換スイッチSN及びSP
は、変換スイッチのゲートを制御する好ましくはドレイ
ン接続の相補形導通モードMOSFETで形成されたブ
リッジ回路22によって交互に制御される。
れpチャネル及びnチャネル・エンハンスメントMOS
FETを表すP1及びN1で示す第一の一対のMOSFE
Tを含み、且つ、同じ理由のP2及びN2で示す第二の一
対のMOSFETを含む。図1から分かるように、MO
SFETの各対P1,N1及びP2,N2はそれぞれ相互接
続されたドレイン及び相互接続されゲートを有してい
る。一対のP1,N1のドレインは、共通節点16に接続
されたブリッジ回路22の第一の出力節点24に接続さ
れ、その対のゲートはブリッジ回路22の第一の入力節
点26に接続される。同様に、一対のP2,N2のドレイ
ンは、変換スイッチの共通制御節点29に接続されるブ
リッジ回路22の第二の出力節点28に接続され、その
対のゲートはブリッジ回路22の第二の入力節点30に
接続される。好ましくは、ブリッジ回路22の対P1,
N1及びP2,N2は、それぞれ、一般に手に入るドレイ
ン接続のCMOSトランジスタを含む。
入力節点26に、例えば、非反転バッファ32Aを介し
て供給される。第一の入力信号は発振器のブロック内に
Φ1で示されている。第二の入力信号が第二入力節点3
0に、例えば、非反転バッファ32Bを介して供給され
る。第二の入力信号は発振器のブロック内にΦ2 で示さ
れている。第一の入力信号及び第二の入力信号を以下詳
細に説明する。
が、発振器32に電力を供給する共に、スイッチ対
P1,N1及びP2,N2を制御するに必要なエネルギをバ
ッファ32A及び32Bを介して供給するために設けら
れる。後述するように、変換スイッチSN及びSPのある
動作モードの期間に、共振インダクタLR の残留エネル
ギが、これら電力を供給する際に源34によって消費さ
れるエネルギを補給するために使われる。エネルギ源3
4はコンデンサ36及びツェーナダイオード38を含む
ことが出来る。
39は集積回路(IC)に組み込むことが出来、且つ、
破線で囲った部分40内の変換スイッチ自体も同じIC
内にハイブリッド或いはモノリッシック形式で組み込む
ことも出来る。ゲート制御スイッチの対P1,N1及びP
2,N2はそれぞれ上側に示した部分にある第一の節点4
1と下側に示した部分にある第二の節点42のと間に接
続される。第一のブートストラップ・コンデンサC1 及
びバイアス抵抗44は第一の節点41とバス導体12と
の間に接続される。第二のブートストラップ・コンデン
サC2 及びバイアス抵抗46は第二の節点42と基準導
体14との間に接続される。
は好ましくは二重の機能を果たす。一つの機能は、変換
スイッチSN及びSPが急激ではなく緩やかにスイッチす
るようにする目的の通常のスナバ・コンデンサとして働
き、これは、スイッチが状態を変えるときにスイッチに
消費されるエネルギをかなり減少する。ブートストラッ
プ・コンデンサの第二の機能は、発振器32及びバッフ
ァ32A及び32Bに電力を供給する際に使われる源の
エネルギを補給する過程でのブートストラップ作用であ
り、ここで、共振インダクタLR からの残留エネルギが
ブートストラップ・コンデンサの電荷の状態を変化する
のに用いられる。従って、ブートストラップ・コンデン
サC1及びC2は好ましくはブートストラップ作用を行う
大きさであり、且つ、スナバ機能を果たすだけに必要な
大きさよりは大きいことが要求されるであろう。コンデ
ンサのブートストラップ作用については後述する。
2によって生じる第一及び第二の入力信号Φ1 及びΦ2
を表す。これらの信号は「1」(或いは、高)と「0」
(或いは、低)との間で変化し、これらは論理レベルと
言われ、ここで、「1」は例えば5ボルトである。本発
明によれば、発振器32(図1)は入力信号の対Φ1,
Φ2 を生じ、これらは、少なくとも4個の図示の状態、
1−0、1−1,0−1,及び0−0を経て繰り返し循
環する。これらの状態はT1 ,T2 ,T3 ,T 4 の期間
に繰り返し生じる。図2Bに見られるように、期間T4
の後で、期間T 1 が又開始する。所望ならば期間T1−
T4 の間に一つ以上の期間を挿入することが出来、異な
る入力信号の対Φ1 ,Φ2 を表すようにすることが出来
る。図1の安定回路10の動作を各期間T1−T4 で説
明する。
状態を示し、ブリッジ回路22のトランジスタP1,
N1,P2,及びN2 の導通状態を示す。この表の後で、
変換スイッチSN及びSPの導通状態及びコンデンサC1
及びC2のブートストラップ作用について説明する
(即ち、導通)し、SP がオフである。この期間に、共
通節点16はバス導体12に接続されてVBUS にあり、
この電圧がスイッチN1 がオンにあるためブートストラ
ップ・コンデンサC2 両端にかかる。図1のこれらコン
デンサ両端の電圧は、上端から下端までである。即ち、
電圧V36は節点41から節点42まで、コンデンサC1
の電圧は節点12から節点41まで、コンデンサC2 の
電圧は節点42から節点14までをそれぞれ測ったもの
である。更に、バス電圧VBUS は直列に接続されたコン
デンサC1 ,36,及びC2 の両端にかかる。V36はエ
ネルギ源コンデンサ36両端の上端から下端までの電圧
であるので、これらのコンデンサはそれぞれ、その両端
に、コンデンサC1 には典型的な−12Vである−
V36、コンデンサ36には典型的な12VであるV36、
及び、C2 にはVBUS を有する。
転じ、スイッチSP は期間T1 の時のようにオフにとど
まる。この期間に、共振インダクタLR の残存エネルギ
は図1のそのインダクタを通って左から右へ電流を流
し、その電流は第二のブートストラップ・コンデンサC
2 を通って上方へ流れ、この時にオンのスイッチN1 を
通り、インダクタLR へ戻る。一方、バス電圧VBUS は
直列に接続されたコンデンサC1 ,36,及びC2 の両
端にかかり続ける。その結果、コンデンサC2 の電圧は
VBUS から典型的な−12Vである−V36に変わり、コ
ンデンサC1 の電圧は典型的な−12Vである−V36か
らVBUS に変わる。この過程で、コンデンサC2 から電
荷がエネルギ源コンデンサ36を介してコンデンサC1
へ転送される。しかし、コンデンサC2 からの電荷のい
くらかは、発振器32とバッファ32A及び32Bに電
力を供給する際に使われたエネルギを補給するためにコ
ンデンサ36に保持される。
フにとどまり、スイッチSP はオンに転ずる。直列に接
続されたコンデンサC1 ,36,及びC2 それぞれの両
端は先の期間T2 で設定された電圧にとどまる。期間T
4 では、スイッチSN がオフにとどまり、スイッチSP
はオフに転ずる。この期間に、共振インダクタLR の残
存エネルギは図1の共振インダクタを通って右から左へ
電流を流す。この時はスイッチP1 はオンなので、共振
インダクタLR からのその電流は節点16から節点24
へ流れ、そしてスイッチP1 を通って上方からブートス
トラップ・コンデンサC1 を通って流れる。具体的に
は、コンデンサC1 の電圧は期間T2で設定されたV
BUS から典型的な−12Vである−V36に変わる。バス
電圧VBUS は直列に接続されたコンデンサC1 ,36,
及びC2 の両端にかかり続けるので、コンデンサC1 の
電圧は期間T2で設定された典型的な−12Vである−
V36からVBUS に変わり、V36の電圧はほぼ一定電圧
(例えば、12ボルト)にとどまる。コンデンサC2 が
VBUS へ充電される過程で、電荷はコンデンサC1 から
コンデンサC2 へ転送される。コンデンサC 1 からの電
荷のいくらかは、発振器32とバッファ32A及び32
Bに電力を供給する際に消費されたエネルギを補給する
ためにエネルギ源コンデンサ36によって吸収される。
オフで、他方の変換スイッチがオフに転ずるとき、スイ
ッチ期間(例えば、T2 ,T4 )に、エネルギ源34に
共振インダクタLR からの残留エネルギが供給される。
第一及び第二の入力信号Φ1 、Φ2 として図2に示すよ
うな波形を発生するために、発振器32は、第一の入力
信号Φ1 に対して50%のデュテイレシオ様式で動作す
る通常手に入る555ICタイマのような普通の方形波
発生器を含むことができる。第二の入力信号Φ2 を発生
するため、R−C(抵抗−容量)回路(図示せず)のよ
うな第一の信号Φ1 からの遅延回路を用いて遅延を発生
することができ、この後でシュミットトリガ回路により
信号を方形にする。
バス電圧150ボルトで、図1の安定回路10に対する
代表的な構成要素値は次の通りである。 共振インダクタLR 800マイクロヘンリー 共振キャパシタンスCR 7.7ナノファラド 直流阻止コンデンサ20 220ナノファラド ブートストラップ・コンデンサC1 ,C2各 680ピコファラド バイアス抵抗44及び46各 100kオーム ツェナーダイオード38 12ボルト エネルギ源コンデンサ36 1マイクロファラド その他に、変換スイッチSN はカリフォルニア州、エル
セグンド(ElSegundo)のインタナショナル・
レクチファイヤ・カンパニイ(Internation
al Rectifier Company)が販売し
ているIRF610、nチャネル、エンハンスメント形
MOSFET、変換スイッチSPもインタナショナル・
レクチファイヤ・カンパニイが販売しているIRF96
10、pチャネル、エンハンスメント形MOSFET、
ゲート制御スイッチの対P 1,N1 及びP2,N2 はそれ
ぞれ、アリゾナ州、フェニクッス(Phoenix)の
モトロラ(Motorola)が販売しているドレイン
接続CMOSトランジスタ対の4000シリーズか、イ
ンタナショナル・レクチファイヤ・カンパニイが販売し
ているIRF9Z10−IRFZ10 CMOS対とし
て入手できるものとすることができる。最後になるが、
発振器32によって採用される例示的な期間T1 ,T
2 ,T3 ,T4 はそれぞれ6.5マイクロ秒、1マイク
ロ秒、6.5マイクロ秒、1マイクロ秒である。
の直流−交流変換器スイッチを含んでいる。この安定回
路は良好な制御特性と同時に高速で動作する性能を達成
し得る。本発明を説明のための特定の実施例により説明
してきたが、当業者は多数の変形および変更を行い得
る。したがって、特許請求の範囲は本発明の趣旨と範囲
に合致するこのようなすべての変形および変更を包含す
るものであることが理解されるはずである。
ッチを用いるガス放電ランプ用安定回路を部分的にブロ
ック図の形式で表した概略図である。
る第一及び第二の入力信号を示す図である。
Claims (14)
- 【請求項1】 ガス放電ランプ用安定回路(10)であ
って、 (a)ガス放電ランプ(18)と結合され、共振インダ
クタンス(L R )および共振キャパシタンス(C R )を含む
共振負荷回路、 (b)前記共振負荷回路内に交流電流を誘導するために
前記共振負荷回路に結合された直流−交流変換回路(4
0)であって、前記直流−交流変換回路(40)が、 (i)第一および第二の変換スイッチ(S N ,S P )がその
順序で直流電圧のバス導体(12)と基準導体(14)
との間に直列接続され、前記交流負荷電流が流れる共通
節点(16)で一緒に接続された該第一および第二の変
換スイッチ(S N ,S P )、を含み、 (ii)前記第一および第二の変換スイッチ(S N ,S P )
が各々、制御節点(29)と基準節点(14)を含み、
前記制御節点(29)と前記基準節点(14)との間の
電圧が対応するスイッチの導電状態を決め、 (iii)前記第一の変換スイッチ(S N )の制御節点
(29)と前記第二の変換スイッチ(S P )の制御節点
(29)が相互接続され、そして(iv)前記第一の変
換スイッチ(S N )の基準節点(14)と前記第二の変換
スイッチ(S P )の基準節点が前記共通節点(16)で相
互接続される、ようにされた直流−交流変換回路(4
0)、 (c)第一および第二の節点(41,42)の間に接続
された限電圧エネルギ源(34)、を含み、 (d)前記第一の節点(41)は1つのブートストラッ
プ・コンデンサ(C 1 )を通して前記バス導体(12)
に接続され、且つ、前記第二の節点(42)は他のブー
トストラップ・コンデンサ(C 2 )を通して前記基準導
体(14)に接続されていて、更に、 (e)前記第一の節点(41)および第二の節点(4
2)の間に接続されたブリッジ回路(22)を含んでい
て、該ブリッジ回路(22)が、 (i)第一の入力信号(Φ 1 )及び第二の入力信号
(Φ 2 )がそれぞれ印加される第一(26)及び第二の
入力節点(30)及び、 (ii)前記変換スイッチのスイッチ状態を制御するた
めに前記共通(16)及び制御節点(29)にそれぞれ
接続された第一(24)及び第二の出力節点(28)を
有していて、更に、 (f)前記第一及び第二の入力信号(Φ 1 ,Φ 2 )を生じ
る発振器(32)を含み、 (g)前記ブリッジ回路(22)は、前記第一(S N )及
び第二の変換スイッチ(S P )がそれぞれ少なくとも次の
状態 (i)オンの状態とオフの状態、 (ii)オフに転ずる状態と既にオフにある状態であっ
て、前記共振インダクタンスの残留エネルギは前記ブー
トストラップ・コンデンサ(C 1 ,C 2 )の一方(C 1 ま
たはC 2 )から他方(C 2 またはC 1 )へ前記限電圧エネ
ルギ源を介してエネルギの移動を生じさせ、これにより
前記限電圧エネルギ源がエネルギを補充される状態、 (iii)オフの状態とオンの状態、 (iv)既にオフにある状態とオフに転ずる状態であっ
て、前記共振インダクタンス(L R )の残留エネルギは
前記他方のブートストラップ・コンデンサ(C 2 または
C 1 )から前記一方のブートストラップコンデンサ(C 1
またはC 2 )へ前記エネルギ源(34)を介してエネル
ギの移動を生じさせ、これにより前記エネルギ源(3
4)がエネルギを補充される状態、 を経る繰り返しサイクルを生じるように構成される、 ことからなるガス放電ランプ用安定回路。 - 【請求項2】 前記発振器が第一入力信号−第二入力信
号対の間で、少なくとも高−低、高−高、低−高、及
び、低−低状態の繰り返しサイクルを生じるように構成
される請求項1記載の安定回路。 - 【請求項3】 前記ブリッジ回路(22)が、 (a)前記第一及び第二の節点(41,42)の間に接
続された第一の対のゲート制御スイッチ(P 1 ,N 1 )で
あって、該スイッチの共通接続された制御節点(26)
に印加される第一入力信号(Φ 1 )に応じて変化する相
補的な導通モードを有し、前記第一出力節点(24)で
直列に一緒に接続された第一の対のゲート制御スイッチ
(P 1 ,N 1 )、及び、 (b)前記第一及び第二の節点(41,42)の間に接
続された第二の対のゲート制御スイッチ(P 2 ,N 2 )で
あって、該スイッチの共通接続された制御節点(30)
に印加される第二入力信号(Φ 2 )に応じて変化する相
補的な導通モードを有し、前記第二出力節点(28)で
直列に一緒に接続された第二の対のゲート制御スイッチ
(P 2 ,N 2 )、 を含む請求項1記載の安定回路。 - 【請求項4】 前記第一のゲート制御スイッチ(P 1 ,
N 1 )及び第二の対のゲート制御スイッチ(P 2 ,N 2 )
がドレイン接続CMOSトランジスタを含み、同じ導通
モードのトランジスタが前記第一節点に接続される請求
項3記載の安定回路。 - 【請求項5】 前記発振器(32)に電力を加え、且
つ、前記エネルギ源(34)から前記ブリッジ回路(2
2)を制御する電力を供給する手段を含む請求項1記載
の安定回路。 - 【請求項6】 前記ブリッジ回路及び前記発振器が集積
回路(39)に含まれている請求項5記載の安定回路。 - 【請求項7】 前記エネルギ源(34)が限電圧用にツ
ェナーダイオード(38)を含み、該ツェナーダイオー
ドも前記集積回路(39)に含まれる請求項6記載の安
定回路。 - 【請求項8】 前記第一および第二の変換スイッチ
(S N ,S P )も前記集積回路(39)に含まれる請求項6
記載の安定回路。 - 【請求項9】 ガス放電ランプ用安定回路であって、 (a)ガス放電ランプ(18)と結合され、共振インダ
クタンス(L R )および共振キャパシタンス(C R )を含む
共振負荷回路、 (b)前記共振負荷回路内に交流電流を誘導するために
前記共振負荷回路に結合された直流−交流変換回路(4
0)であって、前記直流−交流変換回路が、 (i)第一および第二の変換スイッチ(S N ,S P )がその
順序で直流電圧のバス導体(12)と基準導体(14)
との間に直列接続され、前記交流負荷電流が流れる共通
節点(16)で一緒に接続された該第一および第二の変
換スイッチ( S N ,S P )、を含み、 (ii)前記第一および第二の変換スイッチ(S N ,S P )
が各々、制御節点(29)と基準節点(14)を含み、
前記制御節点(29)と前記基準節点(14)との間の
電圧が対応するスイッチの導電状態を決め、 (iii)前記第一の変換スイッチ(S N )の制御節点
(29)と前記第二の変換スイッチ(S P )の制御節点
(29)が相互接続され、そして (iv)前記第一の変換スイッチ(S N )の基準節点(1
4)と前記第二の変換スイッチ(S P )の基準節点が前記
共通節点(16)で相互接続される、ようにされた直流
−交流変換回路(40)、 (c)第一および第二の節点(41,42)の間に接続
された限電圧エネルギ源(34)、を含み、 (d)前記第一の節点(41)は第1のブートストラッ
プ・コンデンサ(C 1 )を通して前記バス導体(12)
に接続され、且つ、前記第二の節点(42)は第2のブ
ートストラップ・コンデンサ(C 2 )を通して前記基準
導体(14)に接続されていて、更に、 (e)前記第一の節点(41)および第二の節点(4
2)の間に接続された第一の対のゲート制御スイッチ
(P 1 ,N 1 )であって、該スイッチの共通接続された制
御節点(26)に印加される第一入力信号(Φ 1 )に応
じて変化する相補的な導通モードを有し、前記第一出力
節点(24)で直列に一緒に接続された該第一の対のゲ
ート制御スイッチ(P 1 ,N 1 )、及び、 (f)前記第一及び第二の節点(41,42)の間に接
続された第二の対のゲート制御スイッチ(P 2 ,N 2 )で
あって、該スイッチの共通接続された制御節点(30)
に印加される第二入力信号(Φ 2 )に応じて変化する相
補的な導通モードを有し、前記第二出力節点(28)で
直列に一緒に接続された第二の対のゲート制御スイッチ
(P 2 ,N 2 )、を含み、 (g)前記第一節点(41)に接続される前記ゲート制
御スイッチの第一のスイッチ(P 1 ,N 1 )及び第二のス
イッチ(P 2 ,N 2 )は同じ導通モードを有し、 (h)前記変換スイッチ(S N ,S P )のスイッチ状態を制
御するために前記第一及び第二の出力節点(24,2
8)はそれぞれ前記共通節点(16)及び制御節点(2
9)に接続され、更に、 (i)前記第一の入力信号(Φ 1 )及び第二の入力信号
(Φ 2 )を生じる発振器(32)を含み、 (j)前記発振器(32)が、第一入力信号−第二入力
信号対(Φ 1 ,Φ 2 )の間で、少なくとも高−低、高−
高、低−高、及び、低−低状態の繰り返しサイクルを生
じるように構成される、ことからなるガス放電ランプ用
安定回路。 - 【請求項10】 前記第一の対のゲート制御スイッチ
(P 1 ,N 1 )及び第二の対のゲート制御スイッチ
(P 2 ,N 2 )がドレイン接続CMOSトランジスタを含
む請求項9記載の安定回路。 - 【請求項11】 前記発振器(32)に電力を加え、且
つ、前記エネルギ源(34)から前記第一の対のゲート
制御スイッチ(P 1 ,N 1 )及び第二の対のゲート制御ス
イッチ(P 2 ,N 2 )を制御する電力を供給する手段を含
む請求項9記載の安定回路。 - 【請求項12】 前記前記第一の対のゲート制御スイッ
チ(P 1 ,N 1 )及び第二の対のゲート制御スイッチ(P
2 ,N 2 )及び前記発振器(32)が集積回路(39)に
含まれている請求項11記載の安定回路。 - 【請求項13】 前記エネルギ源(34)が限電圧用に
ツェナーダイオード(38)を含み、該ツェナーダイオ
ードも前記集積回路に含まれる請求項12記載の安定回
路。 - 【請求項14】 前記第一および第二の変換スイッチ
(S N ,S P )も前記集積回路(39)に含まれる請求項1
2記載の安定回路。
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