JP3340474B2 - ガリウム−砒素粒子含有液の処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造工程
で発生するガリウム−砒素ウエハー研磨排水の処理方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ウエハー研磨排水の処理方法とし
て、限外濾過膜を用いる方法が提案され、シリコンウエ
ハーの研磨排水の処理方法として実施されている。ま
た、ガリウム−砒素ウエハーの研磨排水については、シ
リコンウエハーの場合と同様な方法で行われている。例
えば、ポリアクリトニトリル製やポリスルホン製の膜を
用いて連続またはバッチ式での濃縮である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ガリウム−砒
素粒子が分散してなるガリウム−砒素ウェハー研磨排水
中のガリウム−砒素粒子の場合、粒子が膜に吸着しやす
いため、膜に緻密層を形成し、その結果、濾液量が急激
に低下し安定に濾過できないため膜の高頻度な交換が必
要になるという問題がある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、鋭意検討を行った結果、ポリオレフィン製の膜を用
い低圧クロスフロー濾過することで吸着が少なくなり、
濾液量の低下が防止出来、安定した濾過が可能になる事
を見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は
１）ガリウム−砒素粒子が分散してなるガリウム−砒素
ウェハーの研磨排水をポリオレフィン製の膜で濾過する
ことを特徴とするガリウム−砒素粒子含有液の処理方
法、２）濾過が中空糸膜でのクロスフロー濾過である
１）記載のガリウム−砒素粒子含有液の処理方法、３）
濾過が低圧濾過である１）記載のガリウム−砒素粒子含
有液の処理方法、４）中空糸膜でのクロスフロー濾過が
内圧循環濾過である２）記載の処理方法、に関するもの
である。なお、低圧とは濾過圧が０．５ｋｇ／ｃｍ²以
下である事を意味する。

【０００５】本発明において、膜形状は中空糸状、スパ
イラル状、管状および平膜状のいづれも使用できるが、
粒子の吸着をより抑制するためにはクロスフロー濾過が
出来、単位膜面積が大きくとれる中空糸状膜を用いるこ
とが好ましい。また、膜の孔径としてはガリウム−砒素
粒子の大きさよりも小さければ特に限定されるものでは
ない。

【０００６】ポリオレフィン製膜の素材としては、ポリ
エチレン、ポリプロピレンおよびこれらを主原料とする
共重合物等があげられる。以下、本発明を実施例によっ
て説明する。

【０００７】

【実施例１】純水中に平均粒子径が０．５μｍのガリウ
ム−砒素粒子１０００ｐｐｍを分散させた液を試験液と
して濃縮テストを実施した。モジュールは、ポリエチレ
ン製中空糸状膜（平均孔径０．１μｍ、外径３．１ｍ
ｍ、内径１．９ｍｍ）の両端を接着剤で封止し、試験液
を内圧循環濾過方式（クロスフロー濾過方式）で初期の
１０倍の濃度まで濃縮を行った。

【０００８】濾過条件、及び濾過結果を表１に示した。
濃液量は低下なく安定に推移し、テスト終了後に膜面を
観察した結果、膜面にガリウム−砒素粒子はほとんど付
着していなかった。また、濾液中にはガリウム−砒素粒
子は全くなく水質も良好であった。

【０００９】

【比較例１】実施例１で用いた試験液を使用して、膜材
質をポリアクリロニトリル（平均孔径、外径、内径も実
施例１と同様）に変えた以外は、実施例１と同じ条件で
濾過した。濾過条件、及び濾過結果を表１に示した。

【００１０】

【表１】

【００１１】

【発明の効果】本発明のガリウム−砒素粒子を含有する
ガリウム−砒素ウェハー研磨排水の処理方法では、ポリ
オレフィン製の膜を使用し低圧でクロスフロー濾過する
ことにより、長期間安定に濾過濃縮することが可能とな
る。

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C02F 1/44 B01D 61/14 500 B01D 71/26

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガリウム−砒素粒子が分散してなるガリ
   ウム−砒素ウェハーの研磨排水をポリオレフィン製の膜
   で濾過することを特徴とするガリウム−砒素粒子含有液
   の処理方法。
2. 【請求項２】 濾過が中空糸膜でのクロスフロー濾過で
   ある請求項１記載のガリウム−砒素粒子含有液の処理方
   法。
3. 【請求項３】 濾過が低圧濾過である請求項１記載のガ
   リウム−砒素粒子含有液の処理方法。
4. 【請求項４】 中空糸膜でのクロスフロー濾過が内圧循
   環濾過である請求項２記載の処理方法。