JP3338093B2 - 透明導電膜及びその作製方法 - Google Patents
透明導電膜及びその作製方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透明導電膜及びその作製
方法に関し、さらに詳しくは（１００）結晶配向のスズ
添加酸化インジウム膜及びその作製方法に関する。
方法に関し、さらに詳しくは（１００）結晶配向のスズ
添加酸化インジウム膜及びその作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スズ添加酸化インジウム膜（以下「ＩＴ
Ｏ膜」という）は導電性が良好で、その上可視光波長域
で透光性が良好のため、従来から各種のディスプレイや
太陽電池の透明電極、熱反射ガラス板、防曇、防水、帯
電防止ガラス板、電磁シールガラスなどに用いられてい
る。酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）のイオン構造は、図８
に示すように格子定数が１０．１１８オングストローム
のｂｉｘｂｙｉｔｅ型体心立方晶であり、単位格子には
１６分子が含まれている。図８中、黒丸はインジウム原
子を表わし、白丸は酸素原子を表わしている。また、破
線は酸素欠陥位置を表わし、ここを酸素原子が埋めれば
蛍石（ＣａＦ2）型構造の酸化物になる。
Ｏ膜」という）は導電性が良好で、その上可視光波長域
で透光性が良好のため、従来から各種のディスプレイや
太陽電池の透明電極、熱反射ガラス板、防曇、防水、帯
電防止ガラス板、電磁シールガラスなどに用いられてい
る。酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）のイオン構造は、図８
に示すように格子定数が１０．１１８オングストローム
のｂｉｘｂｙｉｔｅ型体心立方晶であり、単位格子には
１６分子が含まれている。図８中、黒丸はインジウム原
子を表わし、白丸は酸素原子を表わしている。また、破
線は酸素欠陥位置を表わし、ここを酸素原子が埋めれば
蛍石（ＣａＦ2）型構造の酸化物になる。
【０００３】また、電子帯構造について説明すると、Ｉ
ｎ2Ｏ3はエネルギ禁制帯幅が３．７ｅＶの絶縁体であ
り、価電子帯は酸素の２ｐ状態から成り、伝導帯はイン
ジウムの５ｓ及び５ｐ状態から成るものと考えられる。
ここで酸化インジウムにスズを添加すると伝導帯に電子
が供給される結果、ｎ型の導電性となり、低抵抗にな
る。
ｎ2Ｏ3はエネルギ禁制帯幅が３．７ｅＶの絶縁体であ
り、価電子帯は酸素の２ｐ状態から成り、伝導帯はイン
ジウムの５ｓ及び５ｐ状態から成るものと考えられる。
ここで酸化インジウムにスズを添加すると伝導帯に電子
が供給される結果、ｎ型の導電性となり、低抵抗にな
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、現在使用さ
れているＩＴＯ膜は、１，０００オングストローム程度
の膜厚では１×１０-4Ω・ｃｍ程度の抵抗を有し、かな
り低抵抗であるが、膜厚が増すにつれて、図９に示すよ
うに比抵抗は単調に増大する。したがって、大電流用電
極に使用することは難かしかった。
れているＩＴＯ膜は、１，０００オングストローム程度
の膜厚では１×１０-4Ω・ｃｍ程度の抵抗を有し、かな
り低抵抗であるが、膜厚が増すにつれて、図９に示すよ
うに比抵抗は単調に増大する。したがって、大電流用電
極に使用することは難かしかった。
【０００５】このような事情のため、透明導電膜の性
能、殊に大電流に利用できる低抵抗の透電膜の出現が望
まれていた。そこで本発明は、上述した従来のＩＴＯ膜
における難点を解消し、透光性が良好で、しかも膜厚が
増大しても低抵抗特性を有する透明導電膜及びその作製
方法を提供しようとするものである。
能、殊に大電流に利用できる低抵抗の透電膜の出現が望
まれていた。そこで本発明は、上述した従来のＩＴＯ膜
における難点を解消し、透光性が良好で、しかも膜厚が
増大しても低抵抗特性を有する透明導電膜及びその作製
方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、以上の目
的を達成すべく種々研究を重ね、図８に示すＩｎ2Ｏ3の
結晶構造において、インジウムは酸素の約２／３のイオ
ン半径しかないので無視し、さらに酸素欠陥も無視した
模型を考えた場合、その稠密面は（１００）であり、ま
た、実用の際、ＩＴＯ膜は非晶質であるガラス基板上に
成膜した状態で使用するため、基板からの静電ポテンシ
ャルは無視でき、稠密面を基板と平行にして成長させる
のが理想的であると考えた。換言すれば、非晶質基板上
でのＩＴＯ膜の理想的結晶配向は（１００）であると考
えられ、（１００）配向のＩＴＯ膜は、電気的光学的特
性の面で優れているものと予想され、実験事実もこのこ
とを裏付けている。
的を達成すべく種々研究を重ね、図８に示すＩｎ2Ｏ3の
結晶構造において、インジウムは酸素の約２／３のイオ
ン半径しかないので無視し、さらに酸素欠陥も無視した
模型を考えた場合、その稠密面は（１００）であり、ま
た、実用の際、ＩＴＯ膜は非晶質であるガラス基板上に
成膜した状態で使用するため、基板からの静電ポテンシ
ャルは無視でき、稠密面を基板と平行にして成長させる
のが理想的であると考えた。換言すれば、非晶質基板上
でのＩＴＯ膜の理想的結晶配向は（１００）であると考
えられ、（１００）配向のＩＴＯ膜は、電気的光学的特
性の面で優れているものと予想され、実験事実もこのこ
とを裏付けている。
【０００７】一方、ＩＴＯ膜は膜厚が厚くなるにつれて
成長初期の２次元成長から３次元成長へ移行し、結晶配
向も（１００）配向は（２１１）配向に変化し、電気的
光学的特性が劣化する傾向がある。そこで、本発明者等
は２次元成長が支配的で（１００）配向している薄膜部
のみを有効に利用するため、ＩＴＯ膜の膜厚成長方向
に、一定周期毎に結晶配向を乱すような層を設ければ、
比抵抗を小さく抑え、断面積は大きくできることが可能
のため、透明導電膜全体として電気抵抗が低下し、大電
流用に利用できる透明導電膜を提供できるとの知見に達
し、本発明を完成することができた。
成長初期の２次元成長から３次元成長へ移行し、結晶配
向も（１００）配向は（２１１）配向に変化し、電気的
光学的特性が劣化する傾向がある。そこで、本発明者等
は２次元成長が支配的で（１００）配向している薄膜部
のみを有効に利用するため、ＩＴＯ膜の膜厚成長方向
に、一定周期毎に結晶配向を乱すような層を設ければ、
比抵抗を小さく抑え、断面積は大きくできることが可能
のため、透明導電膜全体として電気抵抗が低下し、大電
流用に利用できる透明導電膜を提供できるとの知見に達
し、本発明を完成することができた。
【０００８】すなわち、本発明の透明導電膜は、基板面
に対し（１００）方向に結晶配向したＩＴＯ膜と、該ス
ズ添加酸化インジウム膜に、膜厚方向に周期的に形成し
た非晶質スズ添加酸化インジウム膜と、膜厚方向に周期
的に形成した非晶質スズ添加酸化インジウム膜と、から
構成したものである。
に対し（１００）方向に結晶配向したＩＴＯ膜と、該ス
ズ添加酸化インジウム膜に、膜厚方向に周期的に形成し
た非晶質スズ添加酸化インジウム膜と、膜厚方向に周期
的に形成した非晶質スズ添加酸化インジウム膜と、から
構成したものである。
【０００９】また、本発明の透明導電膜の作製方法は、
酸化スズ含有酸化インジウム焼結体ターゲットを酸素を
含有する希ガスでスパッタリングして基板面に（１０
０）方向に結晶配向したＩＴＯ膜を結晶成長させる工程
と、この（１００）結晶配向ＩＴＯ膜成長過程で、ＩＴ
Ｏ膜の結晶成長を撹乱させ、当該撹乱領域を非晶質化す
る少くとも一の工程と、から成るものである。
酸化スズ含有酸化インジウム焼結体ターゲットを酸素を
含有する希ガスでスパッタリングして基板面に（１０
０）方向に結晶配向したＩＴＯ膜を結晶成長させる工程
と、この（１００）結晶配向ＩＴＯ膜成長過程で、ＩＴ
Ｏ膜の結晶成長を撹乱させ、当該撹乱領域を非晶質化す
る少くとも一の工程と、から成るものである。
【００１０】
【作用】以上のように請求項１の透明導電膜は、基板面
に対し（１００）方向に結晶配向されているから、電気
的光学的特性面で優れた特性を有している。また、請求
項３の透明導電膜は、基板面に対し（１００）方向の結
晶配向したＩＴＯ膜と、このＩＴＯ膜の膜厚方向に周期
的に形成した非晶質層と、の複合構成になっており、Ｉ
ＴＯ膜が（１００）方向にのみ２次元配向された積層構
造に成っている。したがって、比抵抗は小さく抑えられ
るとともに、断面積は大となるから、透明導電膜全体と
しての電気抵抗は大幅に低下する。
に対し（１００）方向に結晶配向されているから、電気
的光学的特性面で優れた特性を有している。また、請求
項３の透明導電膜は、基板面に対し（１００）方向の結
晶配向したＩＴＯ膜と、このＩＴＯ膜の膜厚方向に周期
的に形成した非晶質層と、の複合構成になっており、Ｉ
ＴＯ膜が（１００）方向にのみ２次元配向された積層構
造に成っている。したがって、比抵抗は小さく抑えられ
るとともに、断面積は大となるから、透明導電膜全体と
しての電気抵抗は大幅に低下する。
【００１１】さらに、本発明の透明導電膜の作製方法に
よれば、酸化スズ（ＳｎＯ2）を含有する酸化インジウ
ム（ＩｎＯ2）焼結体ターゲットを酸素（Ｏ2）を含有す
る希ガスでスパッタリングするため、ターゲットからス
パッタリングされたＯ2は一部排気（真空中でスパッタ
するから）されても、不足するＯ2は補充されるので基
板面にはターゲットと同じ組成のスズ添加酸化インジウ
ム膜を成長させることができる。そして、（１００）結
晶配向ＩＴＯ膜の結晶成長過程において、その（１０
０）結晶配向ＩＴＯ膜の結晶成長を撹乱させ、当該撹乱
領域を非晶質化する工程を少くとも一含むため、基板面
に対し（１００）方向に結晶配向したＩＴＯ膜の膜厚方
向に少くとも一の非晶質層を有する透明導電膜が形成さ
れる。
よれば、酸化スズ（ＳｎＯ2）を含有する酸化インジウ
ム（ＩｎＯ2）焼結体ターゲットを酸素（Ｏ2）を含有す
る希ガスでスパッタリングするため、ターゲットからス
パッタリングされたＯ2は一部排気（真空中でスパッタ
するから）されても、不足するＯ2は補充されるので基
板面にはターゲットと同じ組成のスズ添加酸化インジウ
ム膜を成長させることができる。そして、（１００）結
晶配向ＩＴＯ膜の結晶成長過程において、その（１０
０）結晶配向ＩＴＯ膜の結晶成長を撹乱させ、当該撹乱
領域を非晶質化する工程を少くとも一含むため、基板面
に対し（１００）方向に結晶配向したＩＴＯ膜の膜厚方
向に少くとも一の非晶質層を有する透明導電膜が形成さ
れる。
【００１２】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の透明導電膜及
びその作製方法に関する代表的な実施例について説明す
る。図１は、透明導電膜Ａの概略構成を示す縦断面図で
ある。同図中、１は透明導電膜Ａを結晶成長させるガラ
ス基板であり、２はガラス基板１上に（１００）方向に
結晶配向した、厚さ５，０００オングストロームのＩＴ
Ｏ膜である。この透明導電膜Ａは、以下のようにして作
製される。
びその作製方法に関する代表的な実施例について説明す
る。図１は、透明導電膜Ａの概略構成を示す縦断面図で
ある。同図中、１は透明導電膜Ａを結晶成長させるガラ
ス基板であり、２はガラス基板１上に（１００）方向に
結晶配向した、厚さ５，０００オングストロームのＩＴ
Ｏ膜である。この透明導電膜Ａは、以下のようにして作
製される。
【００１３】すなわち、図示していない真空槽（以下、
単に「槽」という）内に設けた基板ホルダー（図示せ
ず）に、ガラス基板を保持しておき、酸化スズ（ＳｎＯ
2）を５重量％含有する酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）焼
結体をターゲット位置に取付ける。その後、槽内を一
旦、１０-5Ｔｏｒｒ程度に真空排気した後、槽内にスパ
ッタガスとしてＯ2ガスを１％含むＡｒガスを導入（ガ
ス圧：０．４パスカル）し、スパッタ電圧３５０Ｖで反
応性スパッタリングし、上述したガラス基板上に、５，
０００オングストローム厚のＩＴＯ膜を形成させた。以
上の作製方法により作製されたＩＴＯ膜を試料Ａとす
る。
単に「槽」という）内に設けた基板ホルダー（図示せ
ず）に、ガラス基板を保持しておき、酸化スズ（ＳｎＯ
2）を５重量％含有する酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）焼
結体をターゲット位置に取付ける。その後、槽内を一
旦、１０-5Ｔｏｒｒ程度に真空排気した後、槽内にスパ
ッタガスとしてＯ2ガスを１％含むＡｒガスを導入（ガ
ス圧：０．４パスカル）し、スパッタ電圧３５０Ｖで反
応性スパッタリングし、上述したガラス基板上に、５，
０００オングストローム厚のＩＴＯ膜を形成させた。以
上の作製方法により作製されたＩＴＯ膜を試料Ａとす
る。
【００１４】図２は、透明導電膜Ｂの概略構成を示す縦
断面図である。同図中、１はガラス基板、２はガラス基
板１上に（１００）方向に結晶成長した厚さ５，０００
オングストロームのＩＴＯ膜、３は（１００）結晶配向
して形成されたＩＴＯ膜３内に形成された非晶質層（厚
さ１００オングストローム）である。
断面図である。同図中、１はガラス基板、２はガラス基
板１上に（１００）方向に結晶成長した厚さ５，０００
オングストロームのＩＴＯ膜、３は（１００）結晶配向
して形成されたＩＴＯ膜３内に形成された非晶質層（厚
さ１００オングストローム）である。
【００１５】この透明導電膜Ｂは、以下のようにして作
製される。まず、上述の透明導電膜Ａの場合と同様に、
図示していない槽内に設けた基板ホルダー（図示せず）
にガラス基板を保持しておき、ＳｎＯ2を５重量％含む
Ｉｎ2Ｏ3焼結体をターゲットホルダー（図示せず）に取
付ける。次いで、槽内を一旦１０-5Ｔｏｒｒ程度に真空
排気した後、槽内をＯ2ガスを１％含むＡｒガスで充満
（ガス圧：０．４パスカル）し、スパッタ電圧３５０Ｖ
で、反応性スパッタリングし、基板温度２５０℃のガラ
ス基板面に（１００）結晶配向のＩＴＯ膜１を連続成長
させる。
製される。まず、上述の透明導電膜Ａの場合と同様に、
図示していない槽内に設けた基板ホルダー（図示せず）
にガラス基板を保持しておき、ＳｎＯ2を５重量％含む
Ｉｎ2Ｏ3焼結体をターゲットホルダー（図示せず）に取
付ける。次いで、槽内を一旦１０-5Ｔｏｒｒ程度に真空
排気した後、槽内をＯ2ガスを１％含むＡｒガスで充満
（ガス圧：０．４パスカル）し、スパッタ電圧３５０Ｖ
で、反応性スパッタリングし、基板温度２５０℃のガラ
ス基板面に（１００）結晶配向のＩＴＯ膜１を連続成長
させる。
【００１６】そして、（１００）結晶配向ＩＴＯ膜１の
成長過程で、一定時間ガラス基板温度を１００℃に下げ
結晶成長の途中過程で結晶成長を撹乱させ、その結晶成
長撹乱部分を非晶質化し、非晶質層３を形成した。非晶
質層３形成後は、再び上述した反応性スパッタリングに
より（１００）結晶配向ＩＴＯ膜を成長させ、厚さ５，
０００オングストロームにした。得られたＩＴＯ膜を試
料Ｂとする。
成長過程で、一定時間ガラス基板温度を１００℃に下げ
結晶成長の途中過程で結晶成長を撹乱させ、その結晶成
長撹乱部分を非晶質化し、非晶質層３を形成した。非晶
質層３形成後は、再び上述した反応性スパッタリングに
より（１００）結晶配向ＩＴＯ膜を成長させ、厚さ５，
０００オングストロームにした。得られたＩＴＯ膜を試
料Ｂとする。
【００１７】図３は、透明導電膜Ｃの概略構成を示す縦
断面図である。本実施例の透明導電膜Ｃは、（１００）
結晶配向ＩＴＯ膜内に一定周期で、２層の非晶質層３，
３を形成した以外は、その構成のみならず作製方法も透
明導電膜Ｂと同様である。本作製方法により得られた透
明導電膜を以下、試料Ｃとする。
断面図である。本実施例の透明導電膜Ｃは、（１００）
結晶配向ＩＴＯ膜内に一定周期で、２層の非晶質層３，
３を形成した以外は、その構成のみならず作製方法も透
明導電膜Ｂと同様である。本作製方法により得られた透
明導電膜を以下、試料Ｃとする。
【００１８】図４は、透明導電膜Ｄの概略構成を示す縦
断面図である。本実施例の透明導電膜Ｄは、（１００）
結晶配向ＩＴＯ膜内に一定周期で３層の非晶質３，３及
び３を形成した以外は、その構成のみならず作製方法も
透明導電膜Ｂと同様の方法で行われる。以下、本作製方
法により得られた透明導電膜を、試料Ｄと呼ぶこととす
る。
断面図である。本実施例の透明導電膜Ｄは、（１００）
結晶配向ＩＴＯ膜内に一定周期で３層の非晶質３，３及
び３を形成した以外は、その構成のみならず作製方法も
透明導電膜Ｂと同様の方法で行われる。以下、本作製方
法により得られた透明導電膜を、試料Ｄと呼ぶこととす
る。
【００１９】次に、上記作製方法により得られた試料
Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤの抵抗を調べるため、四端子法で、最
上層のＩＴＯ膜の比抵抗（Ω・ｃｍ）を測定した。測定
結果は図５の試料No対比抵抗図に示されるように、ＩＴ
Ｏ膜内に形成した非晶質層の層数が多い（１００）結晶
配向ＩＴＯ膜ほど比抵抗が小さいことが判る。
Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤの抵抗を調べるため、四端子法で、最
上層のＩＴＯ膜の比抵抗（Ω・ｃｍ）を測定した。測定
結果は図５の試料No対比抵抗図に示されるように、ＩＴ
Ｏ膜内に形成した非晶質層の層数が多い（１００）結晶
配向ＩＴＯ膜ほど比抵抗が小さいことが判る。
【００２０】また、上記作製方法によって得られたＩＴ
Ｏ膜の結晶配向状態を調べるため、代表例として試料Ａ
と試料ＤのＸ線回折像を調べた。使用したＸ線回折装置
のＸ線源はＣｕＫα線である。試料Ａ及び試料ＤのＸ線
回折像を図６及び図７に示す。ただし、図６及び図７の
横軸はブラック反射角（２θ）を、縦軸は回折強度をカ
ウント数／秒（ｃｐｓ）をキロ単位で示したものであ
る。
Ｏ膜の結晶配向状態を調べるため、代表例として試料Ａ
と試料ＤのＸ線回折像を調べた。使用したＸ線回折装置
のＸ線源はＣｕＫα線である。試料Ａ及び試料ＤのＸ線
回折像を図６及び図７に示す。ただし、図６及び図７の
横軸はブラック反射角（２θ）を、縦軸は回折強度をカ
ウント数／秒（ｃｐｓ）をキロ単位で示したものであ
る。
【００２１】図６及び図７のＸ線回折像によれば、試料
Ａ及びＤは、何れも（４００）面からのＸ線反射信号が
顕著であり、基板面に対して（１００）配向しているこ
とを示している。しかも、図７における（４００）反射
ピークが、図６の（４００）反射よりも遥かに大であ
り、ＩＴＯ膜のみで形成された試料Ａよりも、基板面に
対して（１００）配向の度合いが強いことを表わしてい
る。これは、ＩＴＯ膜が２次元成長層が多段積層されて
いることを示しているものと考えられる。
Ａ及びＤは、何れも（４００）面からのＸ線反射信号が
顕著であり、基板面に対して（１００）配向しているこ
とを示している。しかも、図７における（４００）反射
ピークが、図６の（４００）反射よりも遥かに大であ
り、ＩＴＯ膜のみで形成された試料Ａよりも、基板面に
対して（１００）配向の度合いが強いことを表わしてい
る。これは、ＩＴＯ膜が２次元成長層が多段積層されて
いることを示しているものと考えられる。
【００２２】透明導電膜Ｂ〜Ｄにおいては、透明導電膜
内の非晶質層の形成は、基板上に（１００）結晶配向し
たＩＴＯ膜の成長途中で、基板温度を１００℃に降下さ
せることで、結晶成長を撹乱させて非晶質化する例につ
いて説明したけれども、（１００）配向ＩＴＯ膜内に非
晶質層を形成させる方法は、このような基板温度降下法
に限られるものではない。例えば、試料を、ＩＴＯ膜の
成長過程でスパッタチャンバー（槽）間を２回移動させ
て、結晶成長を撹乱させ、その結晶成長撹乱部分を非晶
質化させてもよい。
内の非晶質層の形成は、基板上に（１００）結晶配向し
たＩＴＯ膜の成長途中で、基板温度を１００℃に降下さ
せることで、結晶成長を撹乱させて非晶質化する例につ
いて説明したけれども、（１００）配向ＩＴＯ膜内に非
晶質層を形成させる方法は、このような基板温度降下法
に限られるものではない。例えば、試料を、ＩＴＯ膜の
成長過程でスパッタチャンバー（槽）間を２回移動させ
て、結晶成長を撹乱させ、その結晶成長撹乱部分を非晶
質化させてもよい。
【００２３】また、上記実施例においては、ＩＴＯ膜を
（１００）結晶配向させるときの基板に、ガラス基板を
用いた例について説明したが、ガラス基板に限られるも
のではなく、プラスチック等の基板を用いてもよい。な
お、ＩＴＯ膜の結晶成長させるときの基板温度は２５０
℃の場合について説明したが、ほぼ２００℃〜２５０℃
程度であればよい。また、ＩＴＯ膜内に形成する非晶質
層は１００オングストローム程度であればよく、１００
オングストロームよりも厚くなると比抵抗が大になり、
透明導電膜の電気抵抗が大になる。また１００オングス
トロームより薄くすると、ＩＴＯ膜を２次元成長させる
働きが弱くなる。
（１００）結晶配向させるときの基板に、ガラス基板を
用いた例について説明したが、ガラス基板に限られるも
のではなく、プラスチック等の基板を用いてもよい。な
お、ＩＴＯ膜の結晶成長させるときの基板温度は２５０
℃の場合について説明したが、ほぼ２００℃〜２５０℃
程度であればよい。また、ＩＴＯ膜内に形成する非晶質
層は１００オングストローム程度であればよく、１００
オングストロームよりも厚くなると比抵抗が大になり、
透明導電膜の電気抵抗が大になる。また１００オングス
トロームより薄くすると、ＩＴＯ膜を２次元成長させる
働きが弱くなる。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
にかかる透明導電膜は、基板面にＩＴＯ膜が（１００）
結晶配向されているため、電気的光学的特性に優れてい
る。殊に、ＩＴＯ膜の膜厚方向に周期的に非晶質層を設
けているため、透明導電膜内のＩＴＯ膜は（１００）方
向に２次元成長し結晶配向した積層構造になっており、
比抵抗が小さく、かつ断面積が大きいため、大電流用の
透明電極としての使用が可能である。しかも、その作製
方法が極めて容易であるから、各分野の透明導電用の電
子材料として利用可能である。
にかかる透明導電膜は、基板面にＩＴＯ膜が（１００）
結晶配向されているため、電気的光学的特性に優れてい
る。殊に、ＩＴＯ膜の膜厚方向に周期的に非晶質層を設
けているため、透明導電膜内のＩＴＯ膜は（１００）方
向に２次元成長し結晶配向した積層構造になっており、
比抵抗が小さく、かつ断面積が大きいため、大電流用の
透明電極としての使用が可能である。しかも、その作製
方法が極めて容易であるから、各分野の透明導電用の電
子材料として利用可能である。
【図１】透明導電膜Ａの概略構成を示す縦断面図であ
る。
る。
【図２】透明導電膜Ｂの概略構成を示す縦断面図であ
る。
る。
【図３】透明導電膜Ｃの概略構成を示す縦断面図であ
る。
る。
【図４】透明導電膜Ｄの概略構成を示す縦断面図であ
る。
る。
【図５】本実施例の各種試料の透明導電膜の比抵抗を示
す特性図である。
す特性図である。
【図６】透明導電膜Ａの結晶構造のＸ線回折パターンダ
イアグラムである。
イアグラムである。
【図７】透明導電膜Ｄの結晶構造のＸ線回折パターンダ
イアグラムである。
イアグラムである。
【図８】Ｉｎ2Ｏ3の結晶構造モデル図である。
【図９】ＩＴＯ膜の膜厚対比抵抗の関係を示す特性図で
ある。
ある。
１ 基板 ２ ＩＴＯ膜 ３ 非晶質層 Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ 透明導電膜（本発明）
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｍ (56)参考文献 特開 昭63−89436（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−173958（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−311511（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−343716（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−60723（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 5/14 C30B 29/16 G02F 1/1343 H01L 31/04 C23C 14/08 H01B 13/00 503
Claims (2)
- 【請求項１】 基板面に（１００）方向に結晶配向した
スズ添加酸化インジウム膜と、 該スズ添加酸化インジウム膜に、膜厚方向に周期的に形
成した非晶質スズ添加酸化インジウム膜と、 を設けたこ
とを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項２】 酸化スズ含有酸化インジウム焼結体ター
ゲットを酸素を含有する希ガスでスパッタリングし、基
板面に（１００）方向に結晶配向したスズ添加酸化イン
ジウム膜を結晶成長させる工程と、 この（１００）結晶配向スズ添加酸化インジウム膜の結
晶成長過程において、該（１００）結晶配向スズ添加酸
化インジウム膜の結晶成長を撹乱させ、該撹乱領域を非
晶質化する少くとも一の工程と、から成る ことを特徴と
する透明導電膜の作製方法。
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|---|---|---|---|
| JP29985992A JP3338093B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 透明導電膜及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29985992A JP3338093B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 透明導電膜及びその作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150724A JPH06150724A (ja) | 1994-05-31 |
| JP3338093B2 true JP3338093B2 (ja) | 2002-10-28 |
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ID=17877816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29985992A Expired - Fee Related JP3338093B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 透明導電膜及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3338093B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101619484B (zh) * | 2009-07-29 | 2011-11-23 | 济南大学 | 一种在导电基体上生长单晶氧化铟薄膜的方法 |
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|---|---|---|---|---|
| CN100495588C (zh) * | 2003-11-18 | 2009-06-03 | 日本板硝子株式会社 | 带有透明导电膜的透明基体的制造方法 |
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-
1992
- 1992-11-10 JP JP29985992A patent/JP3338093B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH06150724A (ja) | 1994-05-31 |
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