JP3335511B2 - 静電容量型圧力センサ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被測定圧力の変化
を静電容量の変化として測定するダイヤフラム構造の静
電容量型圧力センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】被測定圧力の変化を静電容量の変化とし
て測定するこの種の静電容量型圧力センサとしては、特
開平４−９７２７号公報（以下、先行発明という）に開
示されたものが知られている。

【０００３】図１６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、上記し
た先行発明による静電容量型圧力センサを示す平面図、
Ａ−Ａ線断面図およびＢ−Ｂ線断面図である。同図にお
いて、静電容量型圧力センサ１は、外周部が周知の陽極
接合技術によって接合された第１，第２の基板２，３を
備え、これら両基板間にコンデンサを形成する第１，第
２の電極４，５が形成されている。

【０００４】第１の基板２は、単結晶のシリコンからな
り、第２の基板３との接合面２ａの中央部にはエッチン
グ等による凹部６の形成によって被測定圧力Ｐを受ける
ダイヤフラム部７が設けられている。また、接合面２ａ
にはダイヤフラム部７を含む全面にわたって金属薄膜８
が蒸着またはスパッタリングによって形成されている。
この金属薄膜８のうちダイヤフラム部７を覆う部分は前
記第１の電極４を形成し、第２の基板３の第２の電極５
と微少間隙Ｇを保って平行に対向している。

【０００５】第２の基板３はパイレックスガラス等から
なり、前記第２の電極５と、貫通孔からなる第１，第２
のリード用孔９，１０が設けられている。これらの第
１，第２のリード用孔９，１０の内面には蒸着またはス
パッタリングによって金属薄膜からなる第１、第２のリ
ード部１１，１２がそれぞれ形成されている。第１のリ
ード部１１は、第１の基板２の金属薄膜８を介して第１
の電極４と電気的に接続され、第２のリード部１２は蓋
体１３を介して第２の電極５と電気的に接続されてい
る。蓋体１３はシリコン板からなり、第２のリード用孔
１０の内側開口部を閉塞している。蓋体１３の表面は、
前記第２の電極５の延長部５ａによって覆われている。
このような蓋体１３は、延長部５ａとともに突出部を形
成するため、第１の基板２の蓋体１３に対応する部位に
は、前記凹部６に連通する凹陥部１４が形成されてお
り、これにより延長部５ａが金属薄膜８に接触し電気的
に導通しないようにしている。

【０００６】図１７（ａ）〜（ｅ）は上記した第２の基
板３の製造工程を示す図である。先ず、第２の基板３に
第１，第２のリード用孔９，１０を形成する（( ａ)
）。次に、ｎ型のシリコン板２０を用意し、その表面
の一部に高濃度拡散源を用いてボロンを拡散し、この拡
散された部分２１の周囲部分２２をエッチングによって
除去する（( ｂ) ）。次に、第２のリード用孔１０と拡
散部２１を一致させて第２の基板３とｎ型シリコン板２
０を陽極接合し、第２のリード用孔１０を拡散部２１に
よって閉塞する（( ｃ) ）。次に、選択的エッチング等
により拡散部２１を残してｎ型シリコン板２０を除去す
ると、この残った拡散部２１が上記した蓋体１３を形成
する（( ｄ) ）。しかる後、蒸着またはスパッタリング
により第２の電極５とその延長部５ａを第２の基板３の
蓋体１３が形成された面および蓋体１３の表面に形成
し、さらに第１、第２のリード用孔９，１０の内面に第
１、第２のリード部１１，１２を蒸着、スパッタリング
等によりそれぞれ形成する（( ｅ) ）。そして、このよ
うにして製作された第２の基板３を第１の電極４とダイ
ヤフラム部７が形成されている第１の基板２に重ね合わ
せて陽極接合することにより、図１６に示した静電容量
型圧力センサ１が製作される。

【０００７】このような構造からなる静電容量型圧力セ
ンサ１において、ダイヤフラム部７の第１の電極４側と
は反対側の面に被測定圧力Ｐを印加すると、ダイヤフラ
ム部７が変位し、第１、第２の電極４，５間の微少間隙
Ｇを変化させる。したがって、コンデンサの容量値も変
化し、この容量値を測定することにより被測定圧力Ｐを
測定することができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の静電容量型圧力センサ１においては、製造工程
が多く、時間がかかるという問題があった。すなわち、
蒸着、スパッタリング等により第２のリード用孔１０内
へ第２のリード部１２を形成するために、ｎ型シリコン
板からなる蓋体１３を用いて第２のリード用孔１０の内
側開口部を塞ぐ必要があるので、この蓋体１３を形成す
るために、図１７に示したようにボロンの拡散工程、拡
散部２１の周辺部のエッチング工程、第２の基板３とｎ
型シリコン板２０の接合工程、選択的エッチングによる
ｎ型シリコン板２０の除去工程等の多くの製造工程を必
要とする。また、延長部５ａと蓋体１３が第２の基板３
の接合面３ａから突出して突出部を形成するため、第１
の基板２に凹陥部１４を形成するための工程も必要で、
一層製造工程が増加する。したがって、生産性が低く、
製造コストが高くなる。さらに、第１の基板２に凹陥部
１４を設けると、それだけ大きくなるため、圧力センサ
を小型化することができないという問題もあった。

【０００９】本発明は上記した従来の問題点を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、製造
工程数を削減し、製造コストの低減と小型化が容易な静
電容量型圧力センサを提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
第１の発明は、ダイヤフラム部に第１の電極を設けた第
１の基板と、第２の電極を有する第２の基板とを備え、
第１、第２の基板のうちいずれか一方の基板の電極が形
成される面に凹部を形成し、これらの第１、第２の基板
を互いに接合して第１、第２の電極間に微少間隙を形成
し、第１、第２の基板のうちのいずれか一方に２つのリ
ード用孔を形成するとともにその内面に第１、第２のリ
ード部を形成し、これらのリード部に前記第１、第２の
電極をそれぞれ接続した静電容量型圧力センサにおい
て、前記第１の電極の第１のリード部に対応する延長部
を第２の基板に密接させて前記第１のリード部に電気的
に接続し、前記第２の電極の第２のリード部に対応する
延長部を第１の基板に密接させて前記第２のリード部に
電気的に接続し、前記第２の基板の接合面の外周部に第
２の電極を同一平面内において取り囲み第１、第２の基
板を平行に保持するスペーサを第２の電極と同一工程で
同時に形成したことを特徴とする。第２の発明は、ダイ
ヤフラム部に第１の電極を設けた第１の基板と、第２の
電極を有する第２の基板とを備え、第１、第２の基板の
うちいずれか一方の基板の電極が形成される面に凹部を
形成し、これらの第１、第２の基板を互いに接合して第
１、第２の電極間に微少間隙を形成し、第１、第２の基
板のうちのいずれか一方に２つのリード用孔を形成する
とともにその内面に第１、第２のリード部を形成し、こ
れらのリード部に前記第１、第２の電極をそれぞれ接続
した静電容量型圧力センサにおいて、前記第１の電極の
第１のリード部に対応する延長部を第２の基板に密接さ
せて前記第１のリード部に電気的に接続し、第２の電極
の第２のリード部に対応する延長部を第１の基板に密接
させて前記第２のリード部に電気的に接続し、前記第１
の基板の接合面の外周部に第１の電極を同一平面内にお
いて取り囲み第１、第２の基板を平行に保持するスペー
サを第１の電極と同一工程で同時に形成したことを特徴
とする。第３の発明は、ダイヤフラム部に第１の電極を
設けた第１の基板と、第２の電極を有する第２の基板と
を備え、第１、第２の基板のうちいずれか一方の基板の
電極が形成される面に凹部を形成し、これらの第１、第
２の基板を互いに接合し て第１、第２の電極間に微少間
隙を形成し、第２の基板に２つのリード用孔を形成する
とともにその内面に第１、第２のリード部を形成し、こ
れらのリード部に前記第１、第２の電極をそれぞれ接続
した静電容量型圧力センサにおいて、前記第１の電極に
延長部を延設し、前記第２の基板に第２の電極と同時に
形成されて第２の電極を同一平面内において取り囲み第
１、第２の基板を平行に保持するスペーサと、前記第１
の基板に密接され前記第１の基板の延長部に電気的に接
続される電極接続用金属薄膜を前記第１のリード部に対
応して形成し、前記第１のリード部を前記電極接続用金
属薄膜に電気的に接続し、第２の電極の前記第２のリー
ド部に対応する部位に前記第１の基板に密接される延長
部を延設し、この延長部を前記第２のリード部に直接も
しくは前記スペーサを介して電気的に接続したことを特
徴とする。第４の発明は、上記第１、第２または第３の
発明において、第２の基板にダイヤフラム部を設け、こ
のダイヤフラム部に第２の電極を設けたことを特徴とす
る。

【００１１】第１の電極の第１のリード部に対応する部
位は、第２の基板に密接され第１のリード部に電気的に
接続される。また、第２の電極の第２のリード部に対応
する部位は、第１の基板に密接され第２のリード部に電
気的に接続される。第１、第２のリード部は、第１、第
２の基板の接合により第１、第２のリード用孔の内側開
口部が電極のリード部に対応する部位によって塞がれた
後形成される。スペーサは、蒸着、スパッタリング等に
よって第１または第２の電極と同一材料により同一工程
で同時に形成され、第１、第２の基板を平行に保持す
る。第１、第２の基板に形成されたダイヤフラム部は、
差圧の測定を可能にする。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳述する。図１は本発明に係る静電容量
型圧力センサをパッケージングした実施の形態を示す断
面図、図２は同圧力センサの断面図、図３は第１の基板
の平面図、図４は同基板の断面図、図５は第２の基板の
底面図、図６は同基板の断面図である。なお、従来技術
の欄で説明した構成部材等と同一のものについては同一
の符号をもって示し、その説明を省略する。図１におい
て、３０は台座３１上に接合された静電容量型圧力セン
サ、３２は台座３１が接合されたステム、３３はステム
３２上にろう付け等によって接合され静電容量型圧力セ
ンサ３０を封止するキャップ、３４はリードピン、３５
は静電容量型圧力センサ３０の第１、第２のリード部１
１，１２とリードピン３４を接続するリード線、３６は
ステム３２にろう付け等によって接合されたパイプで、
これらによって圧力センサ３７を構成している。被測定
圧力Ｐは、パイプ３６、ステム３２および台座３１に設
けられた孔３８，３９を通って静電容量型圧力センサ３
０のダイヤフラム部７に導かれ、このダイヤフラム部７
を変位させることにより測定される。なお、キャップ３
３の内部には不活性ガスが封入されている。４０はハー
メチックシールである。

【００１３】図２〜図６において、静電容量型圧力セン
サ３０は、互いに接合された第１、第２の基板２，３を
備えている。たとえば、絶縁材，単結晶シリコン等から
なる第１の基板２の中央部には、凹部の形成によってダ
イヤフラム部７が形成されるとともに、第１の電極４と
その延長部４ａが形成されている。延長部４ａは、第１
の電極４と第１のリード部１１を電気的に接続するもの
で、蒸着、スパッタリング等によって第１の電極４と一
工程により同一の金属（たとえばアルミニウム）で同時
に形成される。このため、延長部４ａの厚さＴ1 は、第
１の電極４の厚さと等しい。このような延長部４ａは、
第１のリード部１１と対応するように第１の電極４より
ダイヤフラム部７の外側、すなわち第１の基板２の接合
面２ａにまで延在して形成されることにより、第１、第
２の基板２，３を接合した際、第１のリード用孔９を閉
塞する。

【００１４】たとえば、パイレックスガラスよりなる第
２の基板３の前記第１の基板２との接合面３ａには、第
２の電極５と、第１、第２の基板２，３を平行に保持す
るスペーサ４３が同一の陽極接合可能な金属によって一
工程により同時に形成されている。このため、スペーサ
４３は導電性を有し、厚みＴ2 が第２の電極５の厚みと
等しく、かつ前記第１の電極４および延長部４ａの膜厚
Ｔ1 と等しいか若しくはこれより若干大きく設定されて
いる。このような膜厚に設定しておくと、第１、第２の
基板２，３を陽極接合した際、スペーサ４３を第１の基
板２の接合面２ａにその全面にわたって確実に接合する
ことができる。また、スペーサ４３は、第２の電極５の
周囲を取り囲むように前記接合面３ａの全周にわたって
形成され、その内周面で前記第１の基板２の延長部４ａ
に対応する部分には第１のリード部１１および延長部４
ａが接触して電気的に導通しないようにするために離間
部４４が形成されている。そして、このスペーサ４３
は、第２の基板３に設けられた第２のリード部１２に電
気的に接続されている。前記第２の電極５は、第１の電
極４と対向するように接合面３ａの中央に形成され、延
長部５ａによって前記スペーサ４３に接続されている。

【００１５】第１、第２のリード用孔９，１０は、第２
の電極５およびスペーサ４３を形成する前もしくは後か
ら第２の基板３に形成される。第１、第２のリード用孔
９，１０を初めに形成し、その後第２の電極５およびス
ペーサ４３を形成する時は、スペーサ４３をリード用孔
１０の縁で止めたり、リード用孔１０の内部にまで形成
することが可能である。この時、スペーサ４３が第１の
リード用孔９に付着しないようにマスクによって第１の
リード用孔９を塞いでおく。一方、第２の電極５とスペ
ーサ４３を形成した後リード用孔９，１０を形成する場
合は、スペーサ４３に食い込まないように形成すること
は難しいので孔を貫通させるかあるいはスペーサ４３の
肉厚内で止めるようにすればよい。その後、第１、第２
のリード部１１，１２を蒸着等によって形成すると、第
２のリード部１２が第２のリード用孔１０の奥でスペー
サ４３と電気的に接続するため、何等問題ない。そし
て、第１、第２の基板２，３を陽極接合すると、第１の
電極４の延長部４ａが第１のリード用孔９を塞ぎ第１の
リード部１１に電気的に接合される。

【００１６】さらに、第１、第２のリード用孔９，１０
は、第１、第２の基板２，３を陽極接合した後でも加工
形成することができる。その場合は、第１の電極４の延
長部４ａが第２の基板３の接合面に密接し、スペーサ４
３が第１の基板２の接合面に密接するので、第１の基板
２の接合面にまで達するように貫通させて形成しておけ
ば、蒸着等によって第１、第２のリード用孔９，１０の
内周面に第１、第２のリード部１１，１２を形成した
際、第１のリード部１１と延長部４ａおよび第２のリー
ド部１２とスペーサ４３を確実に接続することができ
る。

【００１７】このような構造からなる静電容量型圧力セ
ンサ３０においては、第１の電極４に延設した延長部４
ａを第２の基板３の接合面に密接させ第１のリード部１
１に直接電気的に接続し、スペーサ４３を第１の基板２
の接合面に密接させ第２のリード部１２に電気的に接続
しているので、図１６に示した蓋体１３を用いる必要が
なく、したがって蓋体１３を製作するための製造工程を
省略することができる。また、第１の電極４と延長部４
ａおよび第２の電極５とスペーサ４３をそれぞれ一工程
によって同一金属により同時に形成することができるの
で、この点からも工程数が増加することがない。また、
突起部を形成する蓋体１３が必要でなければ、第１の基
板２側に蓋体１３を逃がすための凹陥部を設ける必要が
なく、第１の基板２の製造工程数も削減でき、しかも凹
陥部がなければ第１の基板２を小型化することができ
る。

【００１８】図７〜図１０は本発明の他の実施の形態を
示すもので、図７は第１の基板の平面図、図８は同基板
の断面図、図９は第２の基板の底面図、図１０は同基板
の断面図である。この実施の形態においては、第１の基
板２の接合面２ａに第１の電極４とスペーサ４３を形成
し、第２の基板３の接合面３ａに第２の電極５とその延
長部５ａのみを形成している。

【００１９】スペーサ４３は、蒸着、スパッタリング等
によって第１の電極４と同一の陽極接合可能な金属によ
り一工程で同時に形成され、第１の電極４の周囲全体を
取り囲んでいる。このため、スペーサ４３は導電性を有
し、厚さＴ3 が第１の電極４の厚さと等しい。また、第
１の電極４は、延長部４ａによってスペーサ４３に電気
的に接続されている。第２の電極５は、厚さＴ4 がスペ
ーサ４３の厚さＴ3 と等しいかこれより若干小さい厚さ
に設定され、延長部５ａを介して第２のリード部１２に
電気的に接続される。

【００２０】このような構造においても、上記した実施
の形態と同様、第１、第２のリード用孔９，１０の加工
は、第１、第２の基板２，３を陽極接合する前もしくは
後のいずれであってもよく、陽極接合した後、蒸着等に
より第１、第２のリード用孔９，１０の内面に第１、第
２のリード部１１，１２を形成すればよい。また、この
ような構造においても、従来の蓋体を必要としないの
で、製造の工程数を削減することができる。

【００２１】図１１および図１２は本発明のさらに他の
実施の形態を示すもので、図１１は第１の基板の平面
図、図１２は第２の基板の底面図である。この実施の形
態においては、第１の基板２に第１の電極４とその延長
部４ａを一工程で同一の金属により同時に形成し、第２
の基板３に第２の電極５とその延長部５ａ、スペーサ４
３および電極接続用金属薄膜５０を同一の金属によって
一工程により同時に形成している。スペーサ４３は第２
の電極５および電極接続用金属薄膜５０を取り囲むよう
に第２の基板３の接合面３ａに全周にわたってロ字状に
形成され、内周側で前記電極接続用金属薄膜５０に対応
する部位には離間部４４が設けられている。電極接続用
金属薄膜５０は、第１のリード用孔９に対応して形成さ
れ、第１、第２の基板２，３の陽極接合時に前記延長部
４ａに電気的に接続される。この場合、延長部４ａと電
極接続用金属薄膜５０とは、その一端縁４ａ−１と５０
ａ−１が互いに当接するように第１，第２の基板２，３
を重ね合わせることによって電気的に接続される。これ
は延長部４ａと電極接続用金属薄膜５０が互いに重なら
ないようにするためである。

【００２２】このような構造においても、上記した実施
の形態と同様、第１、第２のリード用孔９，１０の加工
は、第１、第２の基板２，３を陽極接合する前もしくは
後のいずれであってもよく、陽極接合した後、これらの
リード用孔９，１０の内面にリード部を蒸着等によりそ
れぞれ形成すればよい。

【００２３】図１３および図１４はそれぞれ間隔設定用
のスペーサの他の実施の形態を示す図である。図１３
は、第２の基板３の接合面３ａにスペーサ４３を第２の
電極５の全周を取り囲むようにロ字状に形成した例を示
す。スペーサ４３は、第２の電極５と一工程で同時に形
成されるため、同一の厚さを有するが、第１、第２のリ
ード部のいずれにも電気的に接続されず、単に第１、第
２の基板の間隔を平行に保持するための機能のみを有し
ている。第２の電極５は、延長部５ａを介して第２のリ
ード部に電気的に接続される。また、図示していない
が、第１の基板の第１の電極は、図３および図４に示す
実施の形態と同様に延長部４ａを介して第１のリード部
に電気的に接続される。

【００２４】図１４は、スペーサ４３を第２の電極５の
周囲に点在するように第２の基板３の接合面の四隅部に
それぞれ形成した例を示す。この場合もスペーサ４３
は、第２の電極５と一工程で同時に形成されるが、第
１、第２のリード部のいずれにも電気的に接続されず、
単に第１、第２の基板の間隔を平行に保持するための機
能のみを有している。スペーサ４３の形状としては矩形
の例を示したが、鉤形等の適宜な形状とすることができ
る。

【００２５】この実施の形態においては、スペーサ４３
を不連続に形成しているため、第１、第２の基板を陽極
接合してもこれら両基板間に微少な隙間が形成され、第
１の基板２の凹部６（図２参照）が外部と連通してしま
うが、図１に示すように静電容量型圧力センサ３０自体
は不活性ガス入りのカバー３３によって封止されている
ので、第１、第２の電極４，５等が酸化したりすること
はない。

【００２６】図１５は本発明のさらに他の実施の形態を
示す断面図である。この実施の形態においては、第２の
基板３の第１の基板２側とは反対側の面に凹部６１を形
成することにより第２の基板３の中央部にダイヤフラム
部６０を形成している。その他の構成は図２に示した実
施の形態と同一である。このような構成においては、低
圧側と高圧側の被測定圧力Ｐ1 ，Ｐ2 を両ダイヤフラム
部７，６０に導くことにより差圧を測定することができ
る。

【００２７】なお、上記した実施の形態においては、い
ずれも第１、第２の基板２，３を四角形に形成した例を
示したが、丸形でも他の適宜な形状であってもよい。ま
た、ダイヤフラム部７，６０の形状も四角形に限定され
るものではなく、丸形、その他の形状であってもよい。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る静電容
量型圧力センサは、ダイヤフラム部に第１の電極を設け
た第１の基板と、第２の電極を有する第２の基板とを備
え、第１、第２の基板のうちいずれか一方の基板の電極
が形成される面に凹部を形成し、これらの第１、第２の
基板を互いに接合して第１、第２の電極間に微少間隙を
形成し、第１、第２の基板のうちのいずれか一方に２つ
のリード用孔を形成するとともにその内面に第１、第２
のリード部を形成し、これらのリード部に前記第１、第
２の電極をそれぞれ接続した静電容量型圧力センサにお
いて、前記第１の電極の第１のリード部に対応する延長
部を第２の基板に密接させて前記第１のリード部に電気
的に接続し、前記第２の電極の第２のリード部に対応す
る延長部を第１の基板に密接させて前記第２のリード部
に電気的に接続し、前記第２の基板の接合面の外周部に
第２の電極を同一平面内において取り囲み第１、第２の
基板を平行に保持するスペーサを第２の電極と同一工程
で同時に形成したので、第２のリード部を形成するため
に第２の基板に設けられるリード用孔を蓋体を用いて塞
ぐ必要がなく、したがって構造が簡単で、蓋体を製作す
るための工程を省略することができる。また、蓋体が必
要でなければ、第１の基板側に蓋体を逃がすための凹陥
部を設ける必要もなく、製造コストの削減と小型化が可
能となる。

【００２９】また、本発明においては、第１、第２の基
板を平行に保持するスペーサを第２の基板の第２の電極
もしくは第１の基板の第１の電極と同一工程で同時に形
成するようにしたので、この点からも工程数が増加する
ことがなく、安価に製作することができる。また、本発
明は第１、第２の基板にダイヤフラム部をそれぞれ設け
たので、差圧を測定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る静電容量型圧力センサをハーメ
チックシールにパッケージングした実施の形態を示す断
面図である。

【図２】 同圧力センサの断面図である。

【図３】 第１の基板の平面図である。

【図４】 同基板の断面図である。

【図５】 第２の基板の底面図である。

【図６】 同基板の断面図である。

【図７】 本発明の他の実施の形態を示す第１の基板の
平面図である。

【図８】 同基板の断面図である。

【図９】 第２の基板の底面図である。

【図１０】 同基板の断面図である。

【図１１】 本発明のさらに他の実施の形態を示す第１
の基板の平面図である。

【図１２】 第２の基板の底面図である。

【図１３】 スペーサの他の実施の形態を示す第２の基
板の底面図である。

【図１４】 スペーサのさらに他の実施の形態を示す第
２の基板の底面図である。

【図１５】 本発明のさらに他の実施の形態を示す断面
図である。

【図１６】 （ａ）〜（ｃ）は静電容量型圧力センサの
従来例を示す平面図、Ａ−Ａ線断面図、Ｂ−Ｂ線断面図
である。

【図１７】 （ａ）〜（ｅ）は第２の基板の製造工程を
説明するための図である

【符号の説明】

１…静電容量型圧力センサ、２…第１の基板、３…第２
の基板、４…第１の電極、４ａ…第１の電極の延長部、
５…第２の電極、５ａ…第２の電極の延長部、６…凹
部、７…ダイヤフラム部、８…金属薄膜、９…第１のリ
ード用孔、１０…第２のリード用孔、１１…第１のリー
ド部、１２…第２のリード部、１３…蓋体、１４…凹陥
部、４３…スペーサ、５０…電極接続用金属薄膜、６０
…ダイヤフラム部。

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ダイヤフラム部に第１の電極を設けた第
   １の基板と、第２の電極を有する第２の基板とを備え、
   第１、第２の基板のうちいずれか一方の基板の電極が形
   成される面に凹部を形成し、これらの第１、第２の基板
   を互いに接合して第１、第２の電極間に微少間隙を形成
   し、第１、第２の基板のうちのいずれか一方に２つのリ
   ード用孔を形成するとともにその内面に第１、第２のリ
   ード部を形成し、これらのリード部に前記第１、第２の
   電極をそれぞれ接続した静電容量型圧力センサにおい
   て、 前記第１の電極の第１のリード部に対応する延長部を第
   ２の基板に密接させて前記第１のリード部に電気的に接
   続し、 前記第２の電極の第２のリード部に対応する延長部を第
   １の基板に密接させて前記第２のリード部に電気的に接
   続し、前記第２の基板の接合面の外周部に第２の電極を同一平
   面内において取り囲み第１、第２の基板を平行に保持す
   るスペーサを第２の電極と同一工程で同時に形成した こ
   とを特徴とする静電容量型圧力センサ。
2. 【請求項２】 ダイヤフラム部に第１の電極を設けた第
   １の基板と、第２の電極を有する第２の基板とを備え、
   第１、第２の基板のうちいずれか一方の基板の電極が形
   成される面に凹部を形成し、これらの第１、第２の基板
   を互いに接合して第１、第２の電極間に微少間隙を形成
   し、第１、第２の基板のうちのいずれか一方に２つのリ
   ード用孔を形成するとともにその内面に第１、第２のリ
   ード部を形成し、これらのリード部に前記第１、第２の
   電極をそれぞれ接続した静電容量型圧力センサにおい
   て、 前記第１の電極の第１のリード部に対応する延長部を第
   ２の基板に密接させて前記第１のリード部に電気的に接
   続し、第２の電極の第２のリード部に対応する延長部を
   第１の基板に密接させて前記第２のリード部に電気的に
   接続し、 前記第１の基板の接合面の外周部に第１の電極を同一平
   面内において取り囲み第１、第２の基板を平行に保持す
   るスペーサを第１の電極と同一工程で同時に形成した こ
   とを特徴とする静電容量型圧力センサ。
3. 【請求項３】 ダイヤフラム部に第１の電極を設けた第
   １の基板と、第２の 電極を有する第２の基板とを備え、
   第１、第２の基板のうちいずれか一方の基板の電極が形
   成される面に凹部を形成し、これらの第１、第２の基板
   を互いに接合して第１、第２の電極間に微少間隙を形成
   し、第２の基板に２つのリード用孔を形成するとともに
   その内面に第１、第２のリード部を形成し、これらのリ
   ード部に前記第１、第２の電極をそれぞれ接続した静電
   容量型圧力センサにおいて、 前記第１の電極に延長部を延設し、前記第２の基板に第
   ２の電極と同時に形成されて第２の電極を同一平面内に
   おいて取り囲み第１、第２の基板を平行に保持するスペ
   ーサと、前記第１の基板に密接され前記第１の基板の延
   長部に電気的に接続される電極接続用金属薄膜を前記第
   １のリード部に対応して形成し、前記第１のリード部を
   前記電極接続用金属薄膜に電気的に接続し、第２の電極
   の前記第２のリード部に対応する部位に前記第１の基板
   に密接される延長部を延設し、この延長部を前記第２の
   リード部に直接もしくは前記スペーサを介して電気的に
   接続した ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
4. 【請求項４】 請求項１，２または３記載の静電容量型
   圧力センサにおいて、第２の基板にダイヤフラム部を設け、このダイヤフラム
   部に第２の電極を設けた ことを特徴とする静電容量型圧
   力センサ。