JP3321900B2 - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JP3321900B2 JP3321900B2 JP13191693A JP13191693A JP3321900B2 JP 3321900 B2 JP3321900 B2 JP 3321900B2 JP 13191693 A JP13191693 A JP 13191693A JP 13191693 A JP13191693 A JP 13191693A JP 3321900 B2 JP3321900 B2 JP 3321900B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高誘電率磁器組成物に係
り、特に比抵抗が高く、低温焼結が可能な高誘電率磁器
組成物に関する。
り、特に比抵抗が高く、低温焼結が可能な高誘電率磁器
組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、高誘電率磁器組成物としては、チ
タン酸バリウム(BaTiO3)を主体とする組成物が
一般的に使用されている。即ち、BaTiO3を基体と
し、これにキュリー点を室温付近に移動させるシフター
剤と容量温度特性を改善するデプレッサ剤、更に焼結促
進剤、還元防止剤などを加えた組成とするのが一般的で
ある。
タン酸バリウム(BaTiO3)を主体とする組成物が
一般的に使用されている。即ち、BaTiO3を基体と
し、これにキュリー点を室温付近に移動させるシフター
剤と容量温度特性を改善するデプレッサ剤、更に焼結促
進剤、還元防止剤などを加えた組成とするのが一般的で
ある。
【0003】シフター剤としては、BaSnO3、Ba
ZrO3、CaZrO3、CaSnO3、SrTi
O3、PbTiO3、La2O3、CeO2などが用い
られ、デプレッサ剤としては、CaTiO3、MgTi
O3、Bi2(SnO3)3、Bi2(TiO3)3、
NiSnO3、MgZrO3、MgSnO3などが用い
られている。また、焼結促進剤としては、Al3O3、
SiO3、ZnO、CeO2、B2O3、Nb2O5、
WO3などが用いられ、還元防止剤としては、Mn
O2、Fe2O3、CuOなどが用いられている。
ZrO3、CaZrO3、CaSnO3、SrTi
O3、PbTiO3、La2O3、CeO2などが用い
られ、デプレッサ剤としては、CaTiO3、MgTi
O3、Bi2(SnO3)3、Bi2(TiO3)3、
NiSnO3、MgZrO3、MgSnO3などが用い
られている。また、焼結促進剤としては、Al3O3、
SiO3、ZnO、CeO2、B2O3、Nb2O5、
WO3などが用いられ、還元防止剤としては、Mn
O2、Fe2O3、CuOなどが用いられている。
【0004】しかしながら、チタン酸バリウムを主成分
とする組成物は、焼結温度が1300〜1400℃の高
温であるため、焼成コストが高く、特にこれを積層コン
デンサに利用する場合には、内部電極としてPd、Pt
などの高価な高融点貴金属を用いなければならず、コン
デンサのコスト低減の大きな障害になっていた。
とする組成物は、焼結温度が1300〜1400℃の高
温であるため、焼成コストが高く、特にこれを積層コン
デンサに利用する場合には、内部電極としてPd、Pt
などの高価な高融点貴金属を用いなければならず、コン
デンサのコスト低減の大きな障害になっていた。
【0005】このため、従来より、積層コンデンサの内
部電極として、安価な銀を主成分とする電極を使用し
得、積層コンデンサの製造コストを低減し得る、低温焼
結可能な誘電体材料の出現が要望されていた。
部電極として、安価な銀を主成分とする電極を使用し
得、積層コンデンサの製造コストを低減し得る、低温焼
結可能な誘電体材料の出現が要望されていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題点を解決し、比抵抗が高く、低温焼結が可能な高誘電
率磁器組成物を提供することを目的とする。
題点を解決し、比抵抗が高く、低温焼結が可能な高誘電
率磁器組成物を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段及び作用】請求項1の高誘
電率磁器組成物は、PbO、La2O3、ZrO2、T
iO2、MgO及びNb2O5、を含む組成物であっ
て、下記一般式(I)で示される組成の主成分に対し
て、MgO 0.05〜1.5重量%と、MnO 0.
2重量%以下とを含み、更に焼結促進剤として(Zn
O)1−Y(B2O3)Y[式中、0.2≦Y≦0.7]
を0.1〜3.0重量%含むことを特徴とする。
電率磁器組成物は、PbO、La2O3、ZrO2、T
iO2、MgO及びNb2O5、を含む組成物であっ
て、下記一般式(I)で示される組成の主成分に対し
て、MgO 0.05〜1.5重量%と、MnO 0.
2重量%以下とを含み、更に焼結促進剤として(Zn
O)1−Y(B2O3)Y[式中、0.2≦Y≦0.7]
を0.1〜3.0重量%含むことを特徴とする。
【0008】 X(Pb1−ULaU)(Zr1−VTiV)O3+U/2(1−X)Pb (Mg1/3Nb2/3)O3 …(I) [式中、0.10≦U≦0.28 0.30≦V≦1.00 0.03≦X≦0.40] 以 下に本発明を詳細に説明する。
【0009】本発明の高誘電率磁器組成物は、PbO、
La2O3、ZrO2、TiO2、MgO及びNb2O
5を含み、上記一般式(I)で表わした時、 0.10≦U≦0.28 0.30≦V≦1.00 0.03≦X≦0.40 なる主成分と、0.05〜1.5重量%のMgOと、
0.2重量%以下のMnOと、焼結促進剤としての0.
1〜3.0重量%の(ZnO)1−Y(B2O3)
Y[式中、0.2≦Y≦0.7] を含むものである。
La2O3、ZrO2、TiO2、MgO及びNb2O
5を含み、上記一般式(I)で表わした時、 0.10≦U≦0.28 0.30≦V≦1.00 0.03≦X≦0.40 なる主成分と、0.05〜1.5重量%のMgOと、
0.2重量%以下のMnOと、焼結促進剤としての0.
1〜3.0重量%の(ZnO)1−Y(B2O3)
Y[式中、0.2≦Y≦0.7] を含むものである。
【0010】以下に、本発明の高誘電率磁器組成物の組
成比の限定理由について説明する。
成比の限定理由について説明する。
【0011】前記(I)式中、Uが0.1未満であると
得られる組成物の比抵抗が小さくなり、Uが0.28を
超えるとキュリー点が著しく低温側に変化して誘電率が
下がることとなる。このため、Uは0.10以上0.2
8以下の範囲とする。
得られる組成物の比抵抗が小さくなり、Uが0.28を
超えるとキュリー点が著しく低温側に変化して誘電率が
下がることとなる。このため、Uは0.10以上0.2
8以下の範囲とする。
【0012】また、(I)式中、Vが0.30未満で
は、得られる組成物の焼結温度が高くなる。このためV
は0.30以上1.00以下の範囲とする。
は、得られる組成物の焼結温度が高くなる。このためV
は0.30以上1.00以下の範囲とする。
【0013】更に(I)式中、Xが0.03未満では、
得られる組成物の比抵抗が小さくなり、Xが0.40を
超えると誘電率が小さくなる。このため、Xは0.03
以上0.40以下の範囲とする。
得られる組成物の比抵抗が小さくなり、Xが0.40を
超えると誘電率が小さくなる。このため、Xは0.03
以上0.40以下の範囲とする。
【0014】また、MgOは誘電率の向上に有効である
が、(I)式で示される主成分に対して、MgOの含有
量が0.05重量%未満ではその効果が十分に得られ
ず、1.5重量%を超えると比抵抗が小さくなる。この
ため、(I)式で示される主成分に対するMgOの含有
量は0.05〜1.5重量%とする。
が、(I)式で示される主成分に対して、MgOの含有
量が0.05重量%未満ではその効果が十分に得られ
ず、1.5重量%を超えると比抵抗が小さくなる。この
ため、(I)式で示される主成分に対するMgOの含有
量は0.05〜1.5重量%とする。
【0015】更に、MnOを含有させることで高温での
比抵抗を向上させ、信頼性を改善する効果が得られる
が、MnOの割合が前記主成分に対して0.2重量%を
超えると誘電率が低下するため、MnOは0.2重量%
以下とする。
比抵抗を向上させ、信頼性を改善する効果が得られる
が、MnOの割合が前記主成分に対して0.2重量%を
超えると誘電率が低下するため、MnOは0.2重量%
以下とする。
【0016】焼結促進剤として添加する(ZnO)
1−Y(B2O3)Yの含有量を0.1〜3.0重量%
と限定したのは、0.1重量%未満では耐熱衝撃性に対
する改善が見られず、3.0重量%を超えると誘電率が
低下するためである。なお、この焼結促進剤の組成式に
おいて、Yが0.2未満であっても、0.7を超えても
耐熱衝撃性の改善効果が得られない。
1−Y(B2O3)Yの含有量を0.1〜3.0重量%
と限定したのは、0.1重量%未満では耐熱衝撃性に対
する改善が見られず、3.0重量%を超えると誘電率が
低下するためである。なお、この焼結促進剤の組成式に
おいて、Yが0.2未満であっても、0.7を超えても
耐熱衝撃性の改善効果が得られない。
【0017】
【実施例】以下に本発明を実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施
例に限定されるものではない。 実施例1 出発原料としてPbO、La2O3、TiO2、Mg
O、Nb2O5を使用し、これらを(I)式中の主成分
組成比でX=0.15、U=0.20、V=1.00と
なるように秤量し、更に主成分に対してMgOを0.5
重量%秤量し、これらにMnCO3を表1に示す配合比
となるように秤量して、ボールミル中で20時間湿式混
合した。次いで、得られた混合物を脱水乾燥後、750
℃で2時間保持して仮焼し、再びボールミル中で20時
間湿式粉砕した後、脱水、乾燥した。
するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施
例に限定されるものではない。 実施例1 出発原料としてPbO、La2O3、TiO2、Mg
O、Nb2O5を使用し、これらを(I)式中の主成分
組成比でX=0.15、U=0.20、V=1.00と
なるように秤量し、更に主成分に対してMgOを0.5
重量%秤量し、これらにMnCO3を表1に示す配合比
となるように秤量して、ボールミル中で20時間湿式混
合した。次いで、得られた混合物を脱水乾燥後、750
℃で2時間保持して仮焼し、再びボールミル中で20時
間湿式粉砕した後、脱水、乾燥した。
【0018】得られた粉末に対してZnOが40モル
%、B2O3が60モル%からなる焼結促進剤を表1に
示す配合比となるように秤量し、更に有機バインダー、
分散剤、可塑剤及び溶剤を加えてボールミル中で5時間
混合し、誘電体スラリーを調製した。次に、湿式積層法
で積層し、切断後、600℃で1時間保持してバインダ
ー成分を除去した。その後、1080℃で焼成し、外部
電極を取り付けて5.7×5.0mmで層間15μmの
10μFの積層コンデンサを作製した。
%、B2O3が60モル%からなる焼結促進剤を表1に
示す配合比となるように秤量し、更に有機バインダー、
分散剤、可塑剤及び溶剤を加えてボールミル中で5時間
混合し、誘電体スラリーを調製した。次に、湿式積層法
で積層し、切断後、600℃で1時間保持してバインダ
ー成分を除去した。その後、1080℃で焼成し、外部
電極を取り付けて5.7×5.0mmで層間15μmの
10μFの積層コンデンサを作製した。
【0019】この積層コンデンサに対して25℃での誘
電率及び150℃での比抵抗を測定した。また、耐熱衝
撃性試験及び高温加速寿命試験を実施した。結果を表1
に示す。
電率及び150℃での比抵抗を測定した。また、耐熱衝
撃性試験及び高温加速寿命試験を実施した。結果を表1
に示す。
【0020】なお、誘電率の測定は、YHPデジタルL
CRメータモデル4274Aを用い、測定周波数1KH
z、測定電圧1.0Vrmsにて測定した。比抵抗は、
YHPモデル4329Aを使用し、印加電圧25Vにて
電圧印加後、1分後の絶縁抵抗値により求めた。耐熱衝
撃性試験は、積層コンデンサ100個について1個ずつ
ピンセットでつかみ、これを予熱せずに300℃のSn
/Pb=63/37の共晶はんだ槽に3秒間浸漬後、引
き上げてクラックが発生しているか否かを顕微鏡で調べ
ることにより行なった。高温加速寿命試験は、積層コン
デンサを150℃下の温度で125Vの直流電圧を印加
して100時間後の故障率を調べることにより行なっ
た。
CRメータモデル4274Aを用い、測定周波数1KH
z、測定電圧1.0Vrmsにて測定した。比抵抗は、
YHPモデル4329Aを使用し、印加電圧25Vにて
電圧印加後、1分後の絶縁抵抗値により求めた。耐熱衝
撃性試験は、積層コンデンサ100個について1個ずつ
ピンセットでつかみ、これを予熱せずに300℃のSn
/Pb=63/37の共晶はんだ槽に3秒間浸漬後、引
き上げてクラックが発生しているか否かを顕微鏡で調べ
ることにより行なった。高温加速寿命試験は、積層コン
デンサを150℃下の温度で125Vの直流電圧を印加
して100時間後の故障率を調べることにより行なっ
た。
【0021】表1より明らかなように、本発明の範囲内
の組成物は、いずれも誘電率及び比抵抗が大きく、かつ
耐熱衝撃性が良く、信頼性に優れることが確認された。
の組成物は、いずれも誘電率及び比抵抗が大きく、かつ
耐熱衝撃性が良く、信頼性に優れることが確認された。
【0022】
【表1】
【0023】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高誘電率磁
器組成物は、誘電率及び比抵抗が大きく、低温焼結が可
能であることから、本発明の高誘電率磁器組成物によれ
ば、安価で性能に優れた積層コンデンサを得ることがで
きる。
器組成物は、誘電率及び比抵抗が大きく、低温焼結が可
能であることから、本発明の高誘電率磁器組成物によれ
ば、安価で性能に優れた積層コンデンサを得ることがで
きる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−167850(JP,A) 特開 平2−28913(JP,A) 特開 平3−60454(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01B 3/12 313 H01B 3/12 301 C04B 35/49 H01G 4/12 358
Claims (1)
- 【請求項1】 PbO、La2O3、ZrO2、TiO
2、MgO及びNb2O5を含む組成物であって、下記
一般式(I)で示される組成の主成分に対して、MgO
0.05〜1.5重量%と、MnO 0.2重量%以
下とを含み、更に焼結促進剤として(ZnO)
1−Y(B2O3)Y[式中、0.2≦Y≦0.7] を
0.1〜3.0重量%含むことを特徴とする高誘電率磁
器組成物。 X(Pb1−ULaU)(Zr1−VTiV)O3+U/2・(1−X)Pb (Mg1/3Nb2/3)O3 …(I) [式中、0.10≦U≦0.28 0.30≦V≦1.00 0.03≦X≦0.40]
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13191693A JP3321900B2 (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13191693A JP3321900B2 (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06349332A JPH06349332A (ja) | 1994-12-22 |
JP3321900B2 true JP3321900B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=15069193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13191693A Expired - Fee Related JP3321900B2 (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3321900B2 (ja) |
-
1993
- 1993-06-02 JP JP13191693A patent/JP3321900B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06349332A (ja) | 1994-12-22 |
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---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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