JPH0521267A - 積層型セラミツクチツプコンデンサ - Google Patents
積層型セラミツクチツプコンデンサInfo
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- JPH0521267A JPH0521267A JP3200031A JP20003191A JPH0521267A JP H0521267 A JPH0521267 A JP H0521267A JP 3200031 A JP3200031 A JP 3200031A JP 20003191 A JP20003191 A JP 20003191A JP H0521267 A JPH0521267 A JP H0521267A
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- Japan
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- dielectric layer
- ceramic chip
- multilayer ceramic
- chip capacitor
- internal electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 容量の温度特性であるＸ７Ｒ特性やＢ特性を
満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時
変化が小さく、また、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が長い積
層型セラミックチップコンデンサを提供すること。 【構成】 ＢａＴｉＯ3 に換算したチタン酸バリウム１
００モルに対し、ＭｇＯに換算して０．５〜３モルの酸
化マグネシウム、ＭｎＯに換算して０．１〜０．５モル
の酸化マンガンおよびＣｏＯに換算して０．０５〜０．
３モルの酸化コバルトを副成分として含み、さらに、副
成分として、ガラス状の（Ｂａx Ｃａ1-x Ｏ）y ・Ｓｉ
Ｏ2 （ただし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦
１．０５である。）を、前記ＢａＴｉＯ3 、ＭｇＯ、Ｍ
ｎＯおよびＣｏＯの合計に対し３〜７重量％含む組成の
誘電体層を用いる。
満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時
変化が小さく、また、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が長い積
層型セラミックチップコンデンサを提供すること。 【構成】 ＢａＴｉＯ3 に換算したチタン酸バリウム１
００モルに対し、ＭｇＯに換算して０．５〜３モルの酸
化マグネシウム、ＭｎＯに換算して０．１〜０．５モル
の酸化マンガンおよびＣｏＯに換算して０．０５〜０．
３モルの酸化コバルトを副成分として含み、さらに、副
成分として、ガラス状の（Ｂａx Ｃａ1-x Ｏ）y ・Ｓｉ
Ｏ2 （ただし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦
１．０５である。）を、前記ＢａＴｉＯ3 、ＭｇＯ、Ｍ
ｎＯおよびＣｏＯの合計に対し３〜７重量％含む組成の
誘電体層を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層型セラミックチッ
プコンデンサに関する。
プコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】積層型セラミックチップコンデンサは、
小型、大容量、高信頼性の電子部品として広く利用され
ており、１台の電子機器の中で使用される個数も多数に
のぼる。近年、機器の小型・高性能化にともない、積層
型セラミックチップコンデンサに対する更なる小型、大
容量、低価格、高信頼性化への要求はますます厳しくな
っている。
小型、大容量、高信頼性の電子部品として広く利用され
ており、１台の電子機器の中で使用される個数も多数に
のぼる。近年、機器の小型・高性能化にともない、積層
型セラミックチップコンデンサに対する更なる小型、大
容量、低価格、高信頼性化への要求はますます厳しくな
っている。
【０００３】積層型セラミックチップコンデンサは通
常、内部電極層用のペーストと誘電体層用のペーストと
をシート法や印刷法等により積層し、一体同時焼成して
製造される。
常、内部電極層用のペーストと誘電体層用のペーストと
をシート法や印刷法等により積層し、一体同時焼成して
製造される。
【０００４】内部電極層の導電材には、一般にＰｄやＰ
ｄ合金が用いられているが、Ｐｄは高価であるため、比
較的安価なＮｉやＮｉ合金等の卑金属が使用されつつあ
る。内部電極層の導電材として卑金属を用いる場合、大
気中で焼成を行なうと内部電極層が酸化してしまうた
め、誘電体層と内部電極層との同時焼成を、還元性雰囲
気中で行なう必要がある。しかし、還元性雰囲気中で焼
成すると、誘電体層が還元され、比抵抗が低くなってし
まうため、非還元性の誘電体材料が提案されている。
ｄ合金が用いられているが、Ｐｄは高価であるため、比
較的安価なＮｉやＮｉ合金等の卑金属が使用されつつあ
る。内部電極層の導電材として卑金属を用いる場合、大
気中で焼成を行なうと内部電極層が酸化してしまうた
め、誘電体層と内部電極層との同時焼成を、還元性雰囲
気中で行なう必要がある。しかし、還元性雰囲気中で焼
成すると、誘電体層が還元され、比抵抗が低くなってし
まうため、非還元性の誘電体材料が提案されている。
【０００５】しかし、非還元性の誘電体材料を用いた積
層型セラミックチップコンデンサは、絶縁抵抗ＩＲの寿
命が短くなり、信頼性が低いという問題がある。
層型セラミックチップコンデンサは、絶縁抵抗ＩＲの寿
命が短くなり、信頼性が低いという問題がある。
【０００６】また、誘電体を直流電界にさらすと、比誘
電率εs が経時的に低下するという問題が生じる。チッ
プコンデンサを小型、大容量化するために誘電体層の厚
みを薄くすると、直流電圧を印加したときの誘電体層に
かかる電界が強くなるため、比誘電率εs の経時変化、
すなわち容量の経時変化が著しく大きくなってしまう。
電率εs が経時的に低下するという問題が生じる。チッ
プコンデンサを小型、大容量化するために誘電体層の厚
みを薄くすると、直流電圧を印加したときの誘電体層に
かかる電界が強くなるため、比誘電率εs の経時変化、
すなわち容量の経時変化が著しく大きくなってしまう。
【０００７】ところで、ＥＩＡ規格に定められたＸ７Ｒ
特性と呼ばれる規格では、容量の変化率が、−５５℃か
ら１２５℃の間で±１５％以内（基準温度２５℃）と定
められている。また、ＪＩＳ規格に定められたＢ特性と
呼ばれる規格では、容量の変化率が、−２５℃から８５
℃の間で±１０％以内（基準温度２０℃）と定められて
いる。
特性と呼ばれる規格では、容量の変化率が、−５５℃か
ら１２５℃の間で±１５％以内（基準温度２５℃）と定
められている。また、ＪＩＳ規格に定められたＢ特性と
呼ばれる規格では、容量の変化率が、−２５℃から８５
℃の間で±１０％以内（基準温度２０℃）と定められて
いる。
【０００８】Ｘ７Ｒ特性やＢ特性を満足する誘電体材料
としては、例えば特開昭６１−３６１７０号公報に示さ
れるＢａＴｉＯ3 ＋ＳｒＴｉＯ3 ＋ＭｎＯ系の組成が知
られている。しかし、このものは、直流電界下における
容量の経時変化が大きく、例えば４０℃で５０V の直流
電界を１０００時間印加すると、容量の変化率が−１０
〜−３０％程度となってしまい、Ｘ７Ｒ特性やＢ特性を
満足することができなくなる。
としては、例えば特開昭６１−３６１７０号公報に示さ
れるＢａＴｉＯ3 ＋ＳｒＴｉＯ3 ＋ＭｎＯ系の組成が知
られている。しかし、このものは、直流電界下における
容量の経時変化が大きく、例えば４０℃で５０V の直流
電界を１０００時間印加すると、容量の変化率が−１０
〜−３０％程度となってしまい、Ｘ７Ｒ特性やＢ特性を
満足することができなくなる。
【０００９】また、この他、非還元性の誘電体磁器組成
物としては、特開昭５７−７１８６６号公報に開示され
ているＢａＴｉＯ3 ＋ＭｎＯ＋ＭｇＯ、特開昭６１−２
５０９０５号公報に開示されている（Ｂａ1-x Ｓｒx
Ｏ）a Ｔｉ1-y Ｚｒy Ｏ2 ＋α（（１−ｚ）ＭｎＯ＋ｚ
ＣｏＯ）＋β（（１−ｔ）Ａ2 Ｏ5 ＋ｔＬ2 Ｏ3 ）＋ｗ
ＳｉＯ2 （ただし、Ａ＝Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ、Ｌ＝Ｙまたは
希土類元素）、特開平２−８３２５６号公報に開示され
ているチタン酸バリウムにガラス状態のＢａαＣａ1-α
ＳｉＯ3 を添加したものなどが挙げられる。しかし、こ
れらのいずれの誘電体磁器組成物も、容量の温度特性が
良好で、直流電界下での容量の経時変化が少なく、絶縁
抵抗の加速寿命が長いという特性の全てを満足すること
はできなかった。例えば、特開昭６１−２５０９０５号
公報および特開平２−８３２５６号公報にそれぞれ開示
されているものでは、絶縁抵抗の加速寿命が短い。
物としては、特開昭５７−７１８６６号公報に開示され
ているＢａＴｉＯ3 ＋ＭｎＯ＋ＭｇＯ、特開昭６１−２
５０９０５号公報に開示されている（Ｂａ1-x Ｓｒx
Ｏ）a Ｔｉ1-y Ｚｒy Ｏ2 ＋α（（１−ｚ）ＭｎＯ＋ｚ
ＣｏＯ）＋β（（１−ｔ）Ａ2 Ｏ5 ＋ｔＬ2 Ｏ3 ）＋ｗ
ＳｉＯ2 （ただし、Ａ＝Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ、Ｌ＝Ｙまたは
希土類元素）、特開平２−８３２５６号公報に開示され
ているチタン酸バリウムにガラス状態のＢａαＣａ1-α
ＳｉＯ3 を添加したものなどが挙げられる。しかし、こ
れらのいずれの誘電体磁器組成物も、容量の温度特性が
良好で、直流電界下での容量の経時変化が少なく、絶縁
抵抗の加速寿命が長いという特性の全てを満足すること
はできなかった。例えば、特開昭６１−２５０９０５号
公報および特開平２−８３２５６号公報にそれぞれ開示
されているものでは、絶縁抵抗の加速寿命が短い。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情からなされたものであり、容量の温度特性であるＸ７
Ｒ特性やＢ特性を満足することができ、かつ、直流電界
下での容量の経時変化が小さく、また、絶縁抵抗ＩＲの
加速寿命が長い積層型セラミックチップコンデンサを提
供することを目的とする。
情からなされたものであり、容量の温度特性であるＸ７
Ｒ特性やＢ特性を満足することができ、かつ、直流電界
下での容量の経時変化が小さく、また、絶縁抵抗ＩＲの
加速寿命が長い積層型セラミックチップコンデンサを提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（４）の本発明により達成される。
（１）〜（４）の本発明により達成される。
【００１２】（１） 誘電体層と内部電極層とが交互に
積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セ
ラミックチップコンデンサであって、前記誘電体層が、
チタン酸バリウムを主成分とし、ＢａＴｉＯ3 に換算し
た前記チタン酸バリウム１００モルに対し、ＭｇＯに換
算して０．５〜３モルの酸化マグネシウム、ＭｎＯに換
算して０．１〜０．５モルの酸化マンガンおよびＣｏＯ
に換算して０．０５〜０．３モルの酸化コバルトを副成
分として含み、さらに、副成分として、ガラス状の（Ｂ
ａx Ｃａ1-x Ｏ）y ・ＳｉＯ2 （ただし、０．３≦ｘ≦
０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）を、前記Ｂ
ａＴｉＯ3 、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＣｏＯの合計に対し
３〜７重量％含むことを特徴とする積層型セラミックチ
ップコンデンサ。
積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セ
ラミックチップコンデンサであって、前記誘電体層が、
チタン酸バリウムを主成分とし、ＢａＴｉＯ3 に換算し
た前記チタン酸バリウム１００モルに対し、ＭｇＯに換
算して０．５〜３モルの酸化マグネシウム、ＭｎＯに換
算して０．１〜０．５モルの酸化マンガンおよびＣｏＯ
に換算して０．０５〜０．３モルの酸化コバルトを副成
分として含み、さらに、副成分として、ガラス状の（Ｂ
ａx Ｃａ1-x Ｏ）y ・ＳｉＯ2 （ただし、０．３≦ｘ≦
０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）を、前記Ｂ
ａＴｉＯ3 、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＣｏＯの合計に対し
３〜７重量％含むことを特徴とする積層型セラミックチ
ップコンデンサ。
【００１３】（２） 前記内部電極層に含まれる導電材
が、ＮｉまたはＮｉ合金である上記（１）に記載の積層
型セラミックチップコンデンサ。
が、ＮｉまたはＮｉ合金である上記（１）に記載の積層
型セラミックチップコンデンサ。
【００１４】（３） 酸素分圧が１０-8〜１０-12 気圧
である雰囲気中で、１２００〜１３８０℃の温度範囲内
にて焼成された上記（２）に記載の積層型セラミックチ
ップコンデンサ。
である雰囲気中で、１２００〜１３８０℃の温度範囲内
にて焼成された上記（２）に記載の積層型セラミックチ
ップコンデンサ。
【００１５】（４） 焼成後に、酸素分圧が１０-6気圧
以上の雰囲気中で１１００℃以下の温度範囲内にてアニ
ールされた上記（２）または（３）に記載の積層型セラ
ミックチップコンデンサ。
以上の雰囲気中で１１００℃以下の温度範囲内にてアニ
ールされた上記（２）または（３）に記載の積層型セラ
ミックチップコンデンサ。
【００１６】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１７】［積層型セラミックチップコンデンサ］本
発明の積層型セラミックチップコンデンサの好適実施例
の断面図を、図１に示す。
発明の積層型セラミックチップコンデンサの好適実施例
の断面図を、図１に示す。
【００１８】図１に示されるように、本発明の積層型セ
ラミックチップコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極
層３とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体１
０を有し、このコンデンサチップ体１０表面に、内部電
極層３と導通する外部電極４を有する。コンデンサチッ
プ体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状と
される。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応
じて適当な寸法とすればよいが、通常、（１．０〜５．
６mm）×（０．５〜５．０mm）×（０．５〜１．９mm）
程度である。内部電極層３は、その端面がコンデンサチ
ップ体１０の対向する２表面に交互に露出するように積
層され、外部電極４は、コンデンサチップ体１０の前記
対向する２表面に形成され、所定のコンデンサ回路を構
成する。
ラミックチップコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極
層３とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体１
０を有し、このコンデンサチップ体１０表面に、内部電
極層３と導通する外部電極４を有する。コンデンサチッ
プ体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状と
される。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応
じて適当な寸法とすればよいが、通常、（１．０〜５．
６mm）×（０．５〜５．０mm）×（０．５〜１．９mm）
程度である。内部電極層３は、その端面がコンデンサチ
ップ体１０の対向する２表面に交互に露出するように積
層され、外部電極４は、コンデンサチップ体１０の前記
対向する２表面に形成され、所定のコンデンサ回路を構
成する。
【００１９】＜誘電体層２＞誘電体層２は、チタン酸バ
リウムを主成分とし、ＢａＴｉＯ3 に換算した前記チタ
ン酸バリウム１００モルに対し、ＭｇＯに換算して０．
５〜３モル、好ましくは１．０〜１．５モルの酸化マグ
ネシウム、ＭｎＯに換算して０．１〜０．５モル、好ま
しくは０．２〜０．４モルの酸化マンガンおよびＣｏＯ
に換算して０．０５〜０．３モル、好ましくは０．１〜
０．２モルの酸化コバルトを副成分として含み、さら
に、副成分として、ガラス状の（Ｂａx Ｃａ1-x Ｏ）y
・ＳｉＯ2 （ただし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦
ｙ≦１．０５である。）を、前記ＢａＴｉＯ3 、Ｍｇ
Ｏ、ＭｎＯおよびＣｏＯの合計に対し３〜７重量％、好
ましくは４〜６重量％含む。なお、各酸化物の酸化状態
は特に限定されず、各酸化物を構成する金属元素の含有
量が上記範囲であればよい。
リウムを主成分とし、ＢａＴｉＯ3 に換算した前記チタ
ン酸バリウム１００モルに対し、ＭｇＯに換算して０．
５〜３モル、好ましくは１．０〜１．５モルの酸化マグ
ネシウム、ＭｎＯに換算して０．１〜０．５モル、好ま
しくは０．２〜０．４モルの酸化マンガンおよびＣｏＯ
に換算して０．０５〜０．３モル、好ましくは０．１〜
０．２モルの酸化コバルトを副成分として含み、さら
に、副成分として、ガラス状の（Ｂａx Ｃａ1-x Ｏ）y
・ＳｉＯ2 （ただし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦
ｙ≦１．０５である。）を、前記ＢａＴｉＯ3 、Ｍｇ
Ｏ、ＭｎＯおよびＣｏＯの合計に対し３〜７重量％、好
ましくは４〜６重量％含む。なお、各酸化物の酸化状態
は特に限定されず、各酸化物を構成する金属元素の含有
量が上記範囲であればよい。
【００２０】上記各副成分の含有量の限定理由は下記の
とおりである。
とおりである。
【００２１】酸化マグネシウムの含有量が前記範囲未満
であると、容量の温度特性を所望の範囲とすることがで
きない。酸化マグネシウムの含有量が前記範囲を超える
と、焼結性が急激に悪化し、緻密化が不十分となってＩ
Ｒ加速寿命が低下し、また、高い比誘電率が得られな
い。
であると、容量の温度特性を所望の範囲とすることがで
きない。酸化マグネシウムの含有量が前記範囲を超える
と、焼結性が急激に悪化し、緻密化が不十分となってＩ
Ｒ加速寿命が低下し、また、高い比誘電率が得られな
い。
【００２２】酸化マンガンの含有量が前記範囲未満であ
ると、良好な耐還元性が得られずＩＲ加速寿命が不十分
となり、また、損失 tanδを低くすることが困難とな
る。酸化マンガンの含有量が前記範囲を超えている場
合、直流電界印加時の容量の経時変化を小さくすること
が困難となる。
ると、良好な耐還元性が得られずＩＲ加速寿命が不十分
となり、また、損失 tanδを低くすることが困難とな
る。酸化マンガンの含有量が前記範囲を超えている場
合、直流電界印加時の容量の経時変化を小さくすること
が困難となる。
【００２３】酸化コバルトの含有量が前記範囲未満であ
ると、絶縁抵抗ＩＲの寿命が不十分であり、また、耐還
元性も不十分であり、損失 tanδも大きくなる。酸化コ
バルトの含有量が前記範囲を超えていると、直流電界印
加時の容量の経時変化が大きくなる。
ると、絶縁抵抗ＩＲの寿命が不十分であり、また、耐還
元性も不十分であり、損失 tanδも大きくなる。酸化コ
バルトの含有量が前記範囲を超えていると、直流電界印
加時の容量の経時変化が大きくなる。
【００２４】ガラス状の（Ｂａx Ｃａ1-x Ｏ）y・Ｓｉ
Ｏ2 の含有量が前記範囲未満であると、直流電界印加時
の容量の経時変化が大きくなり、また、ＩＲ加速寿命が
不十分となる。前記範囲を超えると比誘電率の急激な低
下が起こる。（Ｂａx Ｃａ1- x Ｏ）y ・ＳｉＯ2 におけ
るｘの値が前記範囲を外れるか、あるいはｙの値が前記
範囲を外れると、焼結性が低下して緻密化が不十分とな
る。
Ｏ2 の含有量が前記範囲未満であると、直流電界印加時
の容量の経時変化が大きくなり、また、ＩＲ加速寿命が
不十分となる。前記範囲を超えると比誘電率の急激な低
下が起こる。（Ｂａx Ｃａ1- x Ｏ）y ・ＳｉＯ2 におけ
るｘの値が前記範囲を外れるか、あるいはｙの値が前記
範囲を外れると、焼結性が低下して緻密化が不十分とな
る。
【００２５】本発明において誘電体層は、いわゆるコア
−シェル構造となっている。すなわち、ＢａＴｉＯ3 ＋
ＭｎＯ＋ＣｏＯ＋ＭｇＯなどから構成される高誘電率相
の結晶粒（コア）の周囲を、ＣａＴｉＯ3 ＋（Ｂａx Ｃ
ａ1-x Ｏ）y ・ＳｉＯ2 ＋ＭｎＯ＋ＣｏＯ＋ＭｇＯなど
から構成される低誘電率相の結晶粒界（シェル）が取り
囲む構造となっている。
−シェル構造となっている。すなわち、ＢａＴｉＯ3 ＋
ＭｎＯ＋ＣｏＯ＋ＭｇＯなどから構成される高誘電率相
の結晶粒（コア）の周囲を、ＣａＴｉＯ3 ＋（Ｂａx Ｃ
ａ1-x Ｏ）y ・ＳｉＯ2 ＋ＭｎＯ＋ＣｏＯ＋ＭｇＯなど
から構成される低誘電率相の結晶粒界（シェル）が取り
囲む構造となっている。
【００２６】誘電体層の平均結晶粒径は特に限定されな
いが、上記組成とすることにより微細な結晶粒が得ら
れ、通常、平均結晶粒径は０．２〜０．７μm 程度とな
る。また、結晶粒界の平均幅は、０．０２〜０．２μm
程度である。
いが、上記組成とすることにより微細な結晶粒が得ら
れ、通常、平均結晶粒径は０．２〜０．７μm 程度とな
る。また、結晶粒界の平均幅は、０．０２〜０．２μm
程度である。
【００２７】誘電体層のキュリー温度は、適用される規
格に応じて組成を選択することにより適宜設定すること
ができるが、一般に８５℃以上、通常、１２０〜１３０
℃程度とする。
格に応じて組成を選択することにより適宜設定すること
ができるが、一般に８５℃以上、通常、１２０〜１３０
℃程度とする。
【００２８】誘電体層の一層あたりの厚さは、１００μ
m 以下、特に５０μm 以下、さらには５〜３０μm 程度
とする。本発明は、このような薄層化した誘電体層を有
する積層型セラミックチップコンデンサの容量の経時変
化防止に有効である。なお、誘電体層の積層数は、通常
２〜２００程度とする。
m 以下、特に５０μm 以下、さらには５〜３０μm 程度
とする。本発明は、このような薄層化した誘電体層を有
する積層型セラミックチップコンデンサの容量の経時変
化防止に有効である。なお、誘電体層の積層数は、通常
２〜２００程度とする。
【００２９】＜内部電極層３＞内部電極層３に含有され
る導電材は特に限定されないが、誘電体層２構成材料が
耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。
導電材として用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合
金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏお
よびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金
が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であ
ることが好ましい。
る導電材は特に限定されないが、誘電体層２構成材料が
耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。
導電材として用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合
金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏお
よびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金
が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であ
ることが好ましい。
【００３０】なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の
各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよ
い。
各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよ
い。
【００３１】内部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決
定されればよいが、通常、１〜５μm 、特に２〜３μm
程度であることが好ましい。
定されればよいが、通常、１〜５μm 、特に２〜３μm
程度であることが好ましい。
【００３２】＜外部電極４＞外部電極４に含有される導
電材は特に限定されないが、本発明では安価なＮｉ、Ｃ
ｕや、これらの合金を用いることができる。
電材は特に限定されないが、本発明では安価なＮｉ、Ｃ
ｕや、これらの合金を用いることができる。
【００３３】外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決定
されればよいが、通常、１０〜５０μm 程度であること
が好ましい。
されればよいが、通常、１０〜５０μm 程度であること
が好ましい。
【００３４】［積層型セラミックチップコンデンサの製
造方法］本発明の積層型セラミックチップコンデンサ
は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグ
リーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を
印刷ないし転写して焼成することにより製造される。
造方法］本発明の積層型セラミックチップコンデンサ
は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグ
リーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を
印刷ないし転写して焼成することにより製造される。
【００３５】＜誘電体層用ペースト＞誘電体層用ペース
トは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練して製造され
る。
トは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練して製造され
る。
【００３６】誘電体原料には、上記した複合酸化物、酸
化物およびガラスの混合物を用いることができるが、そ
の他、焼成により上記した複合酸化物や酸化物となる各
種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸
化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用い
ることができる。誘電体原料中の各化合物の含有量は、
焼成後に上記した誘電体層の組成となるように決定すれ
ばよい。
化物およびガラスの混合物を用いることができるが、そ
の他、焼成により上記した複合酸化物や酸化物となる各
種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸
化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用い
ることができる。誘電体原料中の各化合物の含有量は、
焼成後に上記した誘電体層の組成となるように決定すれ
ばよい。
【００３７】誘電体原料は、通常、平均粒子径０．１〜
１μm 程度の粉末として用いられる。
１μm 程度の粉末として用いられる。
【００３８】有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中
に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダ
は特に限定されず、エチルセルロース等の通常の各種バ
インダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤
も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方
法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、ア
セトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すれば
よい。
に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダ
は特に限定されず、エチルセルロース等の通常の各種バ
インダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤
も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方
法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、ア
セトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すれば
よい。
【００３９】＜内部電極層用ペースト＞内部電極層用ペ
ーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電
材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化
物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビ
ヒクルとを混練して調製する。
ーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電
材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化
物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビ
ヒクルとを混練して調製する。
【００４０】＜外部電極用ペースト＞外部電極用ペース
トは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製
すればよい。
トは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製
すればよい。
【００４１】＜有機ビヒクル含有量＞上記した各ペース
ト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の
含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は
１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト
中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶
縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。
これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ま
しい。
ト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の
含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は
１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト
中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶
縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。
これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ま
しい。
【００４２】＜グリーンチップ作製＞印刷法を用いる場
合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペースト
を、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断し
た後、基板から剥離してグリーンチップとする。
合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペースト
を、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断し
た後、基板から剥離してグリーンチップとする。
【００４３】また、シート法を用いる場合、誘電体層用
ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内
部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグ
リーンチップとする。
ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内
部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグ
リーンチップとする。
【００４４】＜脱バインダ処理＞焼成前に行なわれる脱
バインダ処理は、通常の条件で行えばよいが、内部電極
層の導電材にＮｉやＮｉ等の卑金属を用いる場合、特に
下記の条件で行うことが好ましい。 昇温速度：１０〜３００℃／時間、特に５０〜１００℃
／時間 保持温度：６００〜１２００℃、特に７００〜９００℃ 温度保持時間：０．５〜５時間、特に１〜３時間 酸素分圧：１０-4〜１０-8気圧、特に１０-5〜１０-6気
圧 脱バインダ処理の際の雰囲気ガスには、加湿したＮ2 ガ
ス等を用いることが好ましい。
バインダ処理は、通常の条件で行えばよいが、内部電極
層の導電材にＮｉやＮｉ等の卑金属を用いる場合、特に
下記の条件で行うことが好ましい。 昇温速度：１０〜３００℃／時間、特に５０〜１００℃
／時間 保持温度：６００〜１２００℃、特に７００〜９００℃ 温度保持時間：０．５〜５時間、特に１〜３時間 酸素分圧：１０-4〜１０-8気圧、特に１０-5〜１０-6気
圧 脱バインダ処理の際の雰囲気ガスには、加湿したＮ2 ガ
ス等を用いることが好ましい。
【００４５】＜焼成＞グリーンチップ焼成時の雰囲気
は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適
宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等
の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１
０-8〜１０-12 気圧とすることが好ましい。酸素分圧が
前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結
を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧
が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にあ
る。
は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適
宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等
の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１
０-8〜１０-12 気圧とすることが好ましい。酸素分圧が
前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結
を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧
が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にあ
る。
【００４６】また、焼成時の保持温度は、１２００〜１
３８０℃、特に１２６０〜１３４０℃とすることが好ま
しい。保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分
であり、前記範囲を超えると直流電界印加時の容量の経
時変化が大きくなる。
３８０℃、特に１２６０〜１３４０℃とすることが好ま
しい。保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分
であり、前記範囲を超えると直流電界印加時の容量の経
時変化が大きくなる。
【００４７】上記条件以外の各種条件は、下記のように
することが好ましい。 昇温速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００
℃／時間 温度保持時間：０．５〜８時間、特に１〜３時間 冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００
℃／時間 焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲
気ガスとしては、例えば、Ｎ2 とＨ2 との混合ガスを加
湿して用いることが好ましい。
することが好ましい。 昇温速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００
℃／時間 温度保持時間：０．５〜８時間、特に１〜３時間 冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００
℃／時間 焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲
気ガスとしては、例えば、Ｎ2 とＨ2 との混合ガスを加
湿して用いることが好ましい。
【００４８】＜アニール＞還元性雰囲気中で焼成した場
合、コンデンサチップ体にはアニールが施されることが
好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処
理であり、これによりＩＲ加速寿命を著しく長くするこ
とができる。
合、コンデンサチップ体にはアニールが施されることが
好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処
理であり、これによりＩＲ加速寿命を著しく長くするこ
とができる。
【００４９】アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０-6気
圧以上、特に１０-5〜１０-4気圧とすることが好まし
い。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化
が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化す
る傾向にある。
圧以上、特に１０-5〜１０-4気圧とすることが好まし
い。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化
が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化す
る傾向にある。
【００５０】アニールの際の保持温度は、１１００℃以
下、特に５００〜１０００℃とすることが好ましい。保
持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分
となって寿命が短くなる傾向にあり、前記範囲を超える
と内部電極層が酸化し、容量が低下するだけでなく、誘
電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にあ
る。なお、アニールは昇温および降温だけから構成して
もよい。この場合、温度保持時間は零であり、保持温度
は最高温度と同義である。
下、特に５００〜１０００℃とすることが好ましい。保
持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分
となって寿命が短くなる傾向にあり、前記範囲を超える
と内部電極層が酸化し、容量が低下するだけでなく、誘
電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にあ
る。なお、アニールは昇温および降温だけから構成して
もよい。この場合、温度保持時間は零であり、保持温度
は最高温度と同義である。
【００５１】上記条件以外の各種条件は下記のようにす
ることが好ましい。 温度保持時間：０〜２０時間、特に６〜１０時間 冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に１００〜３００
℃／時間 雰囲気用ガスには、加湿したＮ2 ガス等を用いることが
好ましい。
ることが好ましい。 温度保持時間：０〜２０時間、特に６〜１０時間 冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に１００〜３００
℃／時間 雰囲気用ガスには、加湿したＮ2 ガス等を用いることが
好ましい。
【００５２】なお、上記した脱バインダ処理、焼成およ
びアニールにおいて、Ｎ2 ガスや混合ガス等を加湿する
には、例えばウェッター等を使用すればよい。この場
合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。
びアニールにおいて、Ｎ2 ガスや混合ガス等を加湿する
には、例えばウェッター等を使用すればよい。この場
合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。
【００５３】脱バインダ処理、焼成およびアニールは、
連続して行なっても、独立に行なってもよい。
連続して行なっても、独立に行なってもよい。
【００５４】これらを連続して行なう場合、脱バインダ
処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の
保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、ア
ニールの保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニ
ール行なうことが好ましい。
処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の
保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、ア
ニールの保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニ
ール行なうことが好ましい。
【００５５】また、これらを独立して行なう場合、焼成
に際しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ2 ガス
あるいは加湿したＮ2 ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲
気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニ
ール時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ2 ガスある
いは加湿したＮ2 ガス雰囲気に変更して冷却を続けるこ
とが好ましい。また、アニールに際しては、Ｎ2 ガス雰
囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更しても
よく、アニールの全工程を加湿したＮ2 ガス雰囲気とし
てもよい。
に際しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ2 ガス
あるいは加湿したＮ2 ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲
気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニ
ール時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ2 ガスある
いは加湿したＮ2 ガス雰囲気に変更して冷却を続けるこ
とが好ましい。また、アニールに際しては、Ｎ2 ガス雰
囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更しても
よく、アニールの全工程を加湿したＮ2 ガス雰囲気とし
てもよい。
【００５６】＜外部電極形成＞上記のようにして得られ
たコンデンサチップ体に、例えばバレル研磨やサンドブ
ラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペースト
を印刷ないし転写して焼成し、外部電極４を形成する。
外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、６００〜８
００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好まし
い。
たコンデンサチップ体に、例えばバレル研磨やサンドブ
ラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペースト
を印刷ないし転写して焼成し、外部電極４を形成する。
外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、６００〜８
００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好まし
い。
【００５７】そして、必要に応じ、外部電極４表面に、
めっき等により被覆層を形成する。
めっき等により被覆層を形成する。
【００５８】このようにして製造された本発明の積層型
セラミックチップコンデンサは、ハンダ付等によりプリ
ント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用され
る。
セラミックチップコンデンサは、ハンダ付等によりプリ
ント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用され
る。
【００５９】そして、本発明の積層型セラミックチップ
コンデンサの誘電体層には、使用時に、０．０２V/μm
以上、 特に０．２V/μm 以上、さらには０．５V/μm 以
上、一般に５V/μm 程度以下の直流電界と、通常、これ
に重畳する交流成分とが印加されるが、このような直流
電界を負荷しても、容量の経時変化は極めて少ないもの
である。
コンデンサの誘電体層には、使用時に、０．０２V/μm
以上、 特に０．２V/μm 以上、さらには０．５V/μm 以
上、一般に５V/μm 程度以下の直流電界と、通常、これ
に重畳する交流成分とが印加されるが、このような直流
電界を負荷しても、容量の経時変化は極めて少ないもの
である。
【００６０】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００６１】下記の各ペーストを調製した。誘電体層用ペースト
粒径０．１〜１μm のＢａＴｉＯ3 、ＭｇＣＯ3 、Ｍｎ
ＣＯ3 、ＣｏＯ、（Ｂａ0.5 Ｃａ0.5 ）ＳｉＯ3 粉末を
ボールミルにより１６時間湿式混合し、次いでスプレー
ドライヤーで乾燥させて、誘電体原料とした。各粉末の
混合比率を変えて、複数の誘電体原料を作製した。
ＣＯ3 、ＣｏＯ、（Ｂａ0.5 Ｃａ0.5 ）ＳｉＯ3 粉末を
ボールミルにより１６時間湿式混合し、次いでスプレー
ドライヤーで乾燥させて、誘電体原料とした。各粉末の
混合比率を変えて、複数の誘電体原料を作製した。
【００６２】各誘電体原料１００重量部を、有機ビヒク
ル（エチルセルロース樹脂１２重量部をブチルカルビト
ール８８重量部に溶解したもの）３４重量部およびテル
ピネオール５０重量部と３本ロールによりそれぞれ混練
し、ペースト化した。
ル（エチルセルロース樹脂１２重量部をブチルカルビト
ール８８重量部に溶解したもの）３４重量部およびテル
ピネオール５０重量部と３本ロールによりそれぞれ混練
し、ペースト化した。
【００６３】内部電極層用ペースト
平均粒径０．８μm のＮｉ粒子１００重量部と、有機ビ
ヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビ
トール９２重量部に溶解したもの）４０重量部およびブ
チルカルビトール１０重量部とを３本ロールにより混練
し、ペースト化した。
ヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビ
トール９２重量部に溶解したもの）４０重量部およびブ
チルカルビトール１０重量部とを３本ロールにより混練
し、ペースト化した。
【００６４】外部電極用ペースト
平均粒径０．５μm のＣｕ粒子１００重量部と、有機ビ
ヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビ
トール９２重量部に溶解したもの）３５重量部およびブ
チルカルビトール７重量部とを混練し、ペースト化し
た。
ヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビ
トール９２重量部に溶解したもの）３５重量部およびブ
チルカルビトール７重量部とを混練し、ペースト化し
た。
【００６５】上記各誘電体層用ペーストおよび上記内部
電極層用ペーストを用い、図１に示される構成の積層型
セラミックコンデンサを作製した。
電極層用ペーストを用い、図１に示される構成の積層型
セラミックコンデンサを作製した。
【００６６】まず、誘電体層用ペーストと内部電極層用
ペーストとを、印刷法により交互に積層し、グリーンチ
ップを得た。誘電体層用ペーストの積層数は、２０層と
した。
ペーストとを、印刷法により交互に積層し、グリーンチ
ップを得た。誘電体層用ペーストの積層数は、２０層と
した。
【００６７】次いでグリーンチップを所定サイズに切断
し、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記の条件
にて連続的に行ない、コンデンサチップ体を作製した。
し、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記の条件
にて連続的に行ない、コンデンサチップ体を作製した。
【００６８】脱バインダ処理
昇温速度：１００℃／時間
保持温度：８００℃
温度保持時間：２時間
雰囲気ガス：加湿したＮ2 ガス
酸素分圧：１０-4気圧
【００６９】焼成
昇温速度：２００℃／時間
保持温度：１３００℃
温度保持時間：２時間
冷却速度：３００℃／時間
雰囲気ガス：加湿したＮ2 とＨ2 との混合ガス
酸素分圧：１０-9気圧
【００７０】アニール
保持温度：９００℃
温度保持時間：９時間
冷却速度：３００℃／時間
雰囲気ガス：加湿したＮ2 ガス
酸素分圧：１０-5気圧
【００７１】なお、それぞれの雰囲気ガスの加湿にはウ
ェッターを用い、水温は３５℃とした。
ェッターを用い、水温は３５℃とした。
【００７２】得られたコンデンサチップ体の端面をサン
ドブラストにて研磨した後、上記外部電極用ペーストを
前記端面に転写し、Ｎ2 ＋Ｈ2雰囲気中で８００℃にて
１０分間焼成して外部電極を形成し、積層型セラミック
チップコンデンササンプルを得た。
ドブラストにて研磨した後、上記外部電極用ペーストを
前記端面に転写し、Ｎ2 ＋Ｈ2雰囲気中で８００℃にて
１０分間焼成して外部電極を形成し、積層型セラミック
チップコンデンササンプルを得た。
【００７３】このようにして製造した各サンプルのサイ
ズは、３．２mm×１．６mm×１．２mmであり、誘電体層
の厚さは２０μm 、内部電極層の厚さは２．５μm であ
った。
ズは、３．２mm×１．６mm×１．２mmであり、誘電体層
の厚さは２０μm 、内部電極層の厚さは２．５μm であ
った。
【００７４】各サンプルの誘電体層の組成を、下記表１
に示す。なお、これらの組成は、前述した基準に従って
算出した。また、表１中のガラスとは、（Ｂａ0.5 Ｃａ
0.5）ＳｉＯ3 である。
に示す。なお、これらの組成は、前述した基準に従って
算出した。また、表１中のガラスとは、（Ｂａ0.5 Ｃａ
0.5）ＳｉＯ3 である。
【００７５】各サンプルについて、下記の測定を行なっ
た。結果を表１に示す。
た。結果を表１に示す。
【００７６】容量の温度特性
ＬＣＲメータにより、−５５〜１２５℃について測定電
圧１V で容量を測定し、下記特性を満足するかどうかを
調べた。満足する場合を○、満足しない場合を×とし
た。
圧１V で容量を測定し、下記特性を満足するかどうかを
調べた。満足する場合を○、満足しない場合を×とし
た。
【００７７】Ｘ７Ｒ特性：−５５℃から１２５℃の間で
容量変化率が±１５％以内（基準温度２５℃）
容量変化率が±１５％以内（基準温度２５℃）
【００７８】Ｂ特性：−２５℃から８５℃の間で容量変
化率が±１０％以内（基準温度２０℃）
化率が±１０％以内（基準温度２０℃）
【００７９】直流電界下での容量の経時変化
誘電体層の厚さ１μm あたり１．８V の直流電界（サン
プルへの印加電圧３６V ）を４０℃にて１０００時間印
加し、次いで、無負荷状態で室温にて２４時間放置した
後、容量を測定し、直流電界印加前の容量Ｃ0（初期容
量）からの変化量ΔＣを求めて、変化率ΔＣ／Ｃ0 を算
出した。なお、容量は上記条件にて測定した。
プルへの印加電圧３６V ）を４０℃にて１０００時間印
加し、次いで、無負荷状態で室温にて２４時間放置した
後、容量を測定し、直流電界印加前の容量Ｃ0（初期容
量）からの変化量ΔＣを求めて、変化率ΔＣ／Ｃ0 を算
出した。なお、容量は上記条件にて測定した。
【００８０】絶縁抵抗ＩＲの加速寿命
２００℃にて１０V/μm の電界下で加速試験を行ない、
抵抗（ＩＲ）が２×１０5 Ω以下になるまでの時間を寿
命時間とした。
抵抗（ＩＲ）が２×１０5 Ω以下になるまでの時間を寿
命時間とした。
【００８１】比誘電率εs
２５℃における比誘電率を測定した。
【００８２】
【表１】
【００８３】表１に示される結果から、本発明の効果が
明らかである。すなわち、誘電体層の組成が本発明の範
囲内であるサンプルでは、Ｘ７Ｒ特性またはＢ特性を満
足し、かつ、直流電界下での容量の経時変化率が１０％
以下と極めて低く、また、加速試験における絶縁抵抗Ｉ
Ｒの寿命が長い。
明らかである。すなわち、誘電体層の組成が本発明の範
囲内であるサンプルでは、Ｘ７Ｒ特性またはＢ特性を満
足し、かつ、直流電界下での容量の経時変化率が１０％
以下と極めて低く、また、加速試験における絶縁抵抗Ｉ
Ｒの寿命が長い。
【００８４】なお、本発明のサンプルNo. ９および比較
例のサンプルNo. １の誘電体層断面の走査型電子顕微鏡
写真を、それぞれ図２および図３に示す。なお、断面を
鏡面研磨し、フッ酸−硝酸の混合水溶液によりエッチン
グした後に、写真を撮影した。これらの図から、比較例
であるサンプルNo.１（図３）では平均結晶粒径が約１
μm 、結晶粒界の平均幅が約０．２μm であるが、本発
明のサンプルNo. ９（図２）では平均結晶粒径が約０．
５μm 、結晶粒界の平均幅が約０．２μm と細かい。な
お、表１に示される他の比較サンプルおよび本発明サン
プルについても、同様な関係がみられた。
例のサンプルNo. １の誘電体層断面の走査型電子顕微鏡
写真を、それぞれ図２および図３に示す。なお、断面を
鏡面研磨し、フッ酸−硝酸の混合水溶液によりエッチン
グした後に、写真を撮影した。これらの図から、比較例
であるサンプルNo.１（図３）では平均結晶粒径が約１
μm 、結晶粒界の平均幅が約０．２μm であるが、本発
明のサンプルNo. ９（図２）では平均結晶粒径が約０．
５μm 、結晶粒界の平均幅が約０．２μm と細かい。な
お、表１に示される他の比較サンプルおよび本発明サン
プルについても、同様な関係がみられた。
【００８５】また、比較例のサンプルNo. ２の誘電体層
の透過型電子顕微鏡写真を、上記直流電界印加前および
印加後に撮影した。印加前の写真を図４に、印加後の写
真を図５にそれぞれ示す。図４および図５から、直流電
界の印加によりドメインが減少していることがわかる。
の透過型電子顕微鏡写真を、上記直流電界印加前および
印加後に撮影した。印加前の写真を図４に、印加後の写
真を図５にそれぞれ示す。図４および図５から、直流電
界の印加によりドメインが減少していることがわかる。
【００８６】
【発明の効果】本発明では、誘電体層を所定の組成とす
ることにより、容量の温度特性に関するＸ７Ｒ特性やＢ
特性を満足することができ、かつ、直流電界下での容量
の経時変化が小さく、また、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が
長い積層型セラミックチップコンデンサを実現すること
ができる。
ることにより、容量の温度特性に関するＸ７Ｒ特性やＢ
特性を満足することができ、かつ、直流電界下での容量
の経時変化が小さく、また、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が
長い積層型セラミックチップコンデンサを実現すること
ができる。
【図１】本発明の積層型セラミックチップコンデンサの
好適実施例を示す断面図である。
好適実施例を示す断面図である。
【図２】粒子構造を示す図面代用写真であって、本発明
の積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層断面の
走査型電子顕微鏡写真である。
の積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層断面の
走査型電子顕微鏡写真である。
【図３】粒子構造を示す図面代用写真であって、従来の
積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層断面の走
査型電子顕微鏡写真である。
積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層断面の走
査型電子顕微鏡写真である。
【図４】粒子構造を示す図面代用写真であって、積層型
セラミックチップコンデンサの誘電体層の透過型電子顕
微鏡写真である。
セラミックチップコンデンサの誘電体層の透過型電子顕
微鏡写真である。
【図５】粒子構造を示す図面代用写真であって、直流電
界印加後の積層型セラミックチップコンデンサの誘電体
層の透過型電子顕微鏡写真である。
界印加後の積層型セラミックチップコンデンサの誘電体
層の透過型電子顕微鏡写真である。
１ 積層型セラミックチップコンデンサ
１０ コンデンサチップ体
２ 誘電体層
３ 内部電極層
４ 外部電極
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体層と内部電極層とが交互に積層さ
れた構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミッ
クチップコンデンサであって、 前記誘電体層が、チタン酸バリウムを主成分とし、Ｂａ
ＴｉＯ3 に換算した前記チタン酸バリウム１００モルに
対し、ＭｇＯに換算して０．５〜３モルの酸化マグネシ
ウム、ＭｎＯに換算して０．１〜０．５モルの酸化マン
ガンおよびＣｏＯに換算して０．０５〜０．３モルの酸
化コバルトを副成分として含み、さらに、副成分とし
て、ガラス状の（Ｂａx Ｃａ1-x Ｏ）y ・ＳｉＯ2 （た
だし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５で
ある。）を、前記ＢａＴｉＯ3 、ＭｇＯ、ＭｎＯおよび
ＣｏＯの合計に対し３〜７重量％含むことを特徴とする
積層型セラミックチップコンデンサ。 - 【請求項２】 前記内部電極層に含まれる導電材が、Ｎ
ｉまたはＮｉ合金である請求項１に記載の積層型セラミ
ックチップコンデンサ。 - 【請求項３】 酸素分圧が１０-8〜１０-12 気圧である
雰囲気中で、１２００〜１３８０℃の温度範囲内にて焼
成された請求項２に記載の積層型セラミックチップコン
デンサ。 - 【請求項４】 焼成後に、酸素分圧が１０-6気圧以上の
雰囲気中で１１００℃以下の温度範囲内にてアニールさ
れた請求項２または３に記載の積層型セラミックチップ
コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200031A JP2975459B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 積層型セラミックチップコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200031A JP2975459B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 積層型セラミックチップコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521267A true JPH0521267A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2975459B2 JP2975459B2 (ja) | 1999-11-10 |
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ID=16417672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3200031A Expired - Lifetime JP2975459B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 積層型セラミックチップコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2975459B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646080A (en) * | 1995-11-20 | 1997-07-08 | Tam Ceramics, Inc. | Dielectric stable at high temperature |
| EP0797225A3 (en) * | 1996-03-19 | 2000-01-19 | Tam Ceramics, Inc. | Manufacturing process of multilayer capacitors |
| KR100501184B1 (ko) * | 2002-11-22 | 2005-07-18 | 삼성전기주식회사 | 내전압 특성을 갖는 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 적층세라믹 커패시터 |
| JP2008226941A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミックコンデンサの製造方法 |
| US8203734B2 (en) | 2007-03-29 | 2012-06-19 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image formation using a portable storage medium |
| KR101420535B1 (ko) * | 2012-12-13 | 2014-07-16 | 삼성전기주식회사 | 유전체 조성물 및 이를 유전체층으로 포함하는 적층형 세라믹 콘덴서 |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3200031A patent/JP2975459B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646080A (en) * | 1995-11-20 | 1997-07-08 | Tam Ceramics, Inc. | Dielectric stable at high temperature |
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| KR100501184B1 (ko) * | 2002-11-22 | 2005-07-18 | 삼성전기주식회사 | 내전압 특성을 갖는 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 적층세라믹 커패시터 |
| JP2008226941A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミックコンデンサの製造方法 |
| US8203734B2 (en) | 2007-03-29 | 2012-06-19 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image formation using a portable storage medium |
| KR101420535B1 (ko) * | 2012-12-13 | 2014-07-16 | 삼성전기주식회사 | 유전체 조성물 및 이를 유전체층으로 포함하는 적층형 세라믹 콘덴서 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2975459B2 (ja) | 1999-11-10 |
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