JP3318641B2 - 半導体回路製造用現像装置及びその使用方法 - Google Patents
半導体回路製造用現像装置及びその使用方法Info
- Publication number
- JP3318641B2 JP3318641B2 JP20660695A JP20660695A JP3318641B2 JP 3318641 B2 JP3318641 B2 JP 3318641B2 JP 20660695 A JP20660695 A JP 20660695A JP 20660695 A JP20660695 A JP 20660695A JP 3318641 B2 JP3318641 B2 JP 3318641B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- developing
- developer
- semiconductor circuit
- developing device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体回路製造用現
像装置及びその使用方法に関する。より詳しくは、リソ
グラフィー工程におけるレジストパターニングのための
現像装置およびその使用方法に関するものである。
像装置及びその使用方法に関する。より詳しくは、リソ
グラフィー工程におけるレジストパターニングのための
現像装置およびその使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体回路製造におけるリソグラフィー
処理工程において、ウエハ上のレジストを露光現像して
回路パターンが形成され、このレジストパターンを介し
てウエハあるいは下地層のエッチングや成膜処理が行わ
れる。このレジストパターンを形成する場合、露光した
レジスト上に現像液を塗布してレジストを現像液で覆う
ことにより現像を行う。
処理工程において、ウエハ上のレジストを露光現像して
回路パターンが形成され、このレジストパターンを介し
てウエハあるいは下地層のエッチングや成膜処理が行わ
れる。このレジストパターンを形成する場合、露光した
レジスト上に現像液を塗布してレジストを現像液で覆う
ことにより現像を行う。
【０００３】図２は従来のレジスト現像方法を示す。ウ
エハ１の表面に露光したレジスト層２が形成されてい
る。このウエハ１の裏面側から真空吸引口３を有する真
空チャック４により吸着しウエハ１を固定保持する。こ
の状態でウエハ表面に現像液５を塗布してウエハ上に液
盛りする。この場合、現像液５は表面張力によりウエハ
表面に約２ｍｍの厚さに盛られる。
エハ１の表面に露光したレジスト層２が形成されてい
る。このウエハ１の裏面側から真空吸引口３を有する真
空チャック４により吸着しウエハ１を固定保持する。こ
の状態でウエハ表面に現像液５を塗布してウエハ上に液
盛りする。この場合、現像液５は表面張力によりウエハ
表面に約２ｍｍの厚さに盛られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
現像方法においては、現像液が空気にさらされるため、
周囲温度の影響を受けて現像液の温度が変化する。この
温度変化によりレジストの溶解速度が変化して回路パタ
ーンの線幅均一性が悪化する。
現像方法においては、現像液が空気にさらされるため、
周囲温度の影響を受けて現像液の温度が変化する。この
温度変化によりレジストの溶解速度が変化して回路パタ
ーンの線幅均一性が悪化する。
【０００５】また、ウエハ上に均一に現像液を分布させ
るために液厚を必要以上に厚くして液盛りしなければな
らず、通常の市販の現像液を用いた場合に化学量論的に
必要とされる厚さは約５０μｍであるのに対し、従来は
約２ｍｍの厚さに液盛りしているため現像液が無駄に消
費されていた。
るために液厚を必要以上に厚くして液盛りしなければな
らず、通常の市販の現像液を用いた場合に化学量論的に
必要とされる厚さは約５０μｍであるのに対し、従来は
約２ｍｍの厚さに液盛りしているため現像液が無駄に消
費されていた。
【０００６】本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなさ
れたものであって、レジスト上に盛る現像液の厚さを必
要以上に厚くすることなく温度を一定に保つことによ
り、現像液の無駄な消費を省くとともにレジストの溶解
速度を一定に保ってパターニングの均一性を向上させた
半導体回路製造用現像装置およびその使用方法の提供を
目的とする。
れたものであって、レジスト上に盛る現像液の厚さを必
要以上に厚くすることなく温度を一定に保つことによ
り、現像液の無駄な消費を省くとともにレジストの溶解
速度を一定に保ってパターニングの均一性を向上させた
半導体回路製造用現像装置およびその使用方法の提供を
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、表面に現像すべきレジスト層が形成さ
れたウエハの裏面側を真空吸着する真空チャックと、前
記ウエハの周縁部に配設するスペーサ部材と、このスペ
ーサ部材を介して前記ウエハ上に載置され、このウエハ
表面上に所定厚さの現像液充填空間を形成する現像プレ
ートと、この現像プレートの温度を一定に保持するため
の温調手段とからなり、前記現像プレートは、前記現像
液充填空間に連通する現像液入口をウエハ外縁部近傍に
有し、その反対側の外縁部近傍に現像液出口を有するこ
とを特徴とする半導体回路製造用現像装置を提供する。
め、本発明では、表面に現像すべきレジスト層が形成さ
れたウエハの裏面側を真空吸着する真空チャックと、前
記ウエハの周縁部に配設するスペーサ部材と、このスペ
ーサ部材を介して前記ウエハ上に載置され、このウエハ
表面上に所定厚さの現像液充填空間を形成する現像プレ
ートと、この現像プレートの温度を一定に保持するため
の温調手段とからなり、前記現像プレートは、前記現像
液充填空間に連通する現像液入口をウエハ外縁部近傍に
有し、その反対側の外縁部近傍に現像液出口を有するこ
とを特徴とする半導体回路製造用現像装置を提供する。
【０００８】さらに本発明では、表面に現像すべきレジ
スト層が形成されたウエハの裏面側を真空吸着する真空
チャックと、前記ウエハの周縁部に配設するスペーサ部
材と、このスペーサ部材を介して前記ウエハ上に載置さ
れ、このウエハ表面上に所定厚さの現像液充填空間を形
成する現像プレートと、この現像プレートの温度を一定
に保持するための温調手段とからなり、前記現像プレー
トは、前記現像液充填空間に連通する現像液入口をウエ
ハ外縁部近傍に有し、その反対側の外縁部近傍に現像液
出口を有する半導体回路製造用現像装置の使用方法であ
って前記現像液入口が現像液出口より低い位置となるよ
うにウエハを傾斜させた状態で現像プレートをウエハ上
に載置することを特徴とする半導体回路製造用現像装置
の使用方法を提供する。
スト層が形成されたウエハの裏面側を真空吸着する真空
チャックと、前記ウエハの周縁部に配設するスペーサ部
材と、このスペーサ部材を介して前記ウエハ上に載置さ
れ、このウエハ表面上に所定厚さの現像液充填空間を形
成する現像プレートと、この現像プレートの温度を一定
に保持するための温調手段とからなり、前記現像プレー
トは、前記現像液充填空間に連通する現像液入口をウエ
ハ外縁部近傍に有し、その反対側の外縁部近傍に現像液
出口を有する半導体回路製造用現像装置の使用方法であ
って前記現像液入口が現像液出口より低い位置となるよ
うにウエハを傾斜させた状態で現像プレートをウエハ上
に載置することを特徴とする半導体回路製造用現像装置
の使用方法を提供する。
【０００９】スペーサ部材を介して必要な厚さの現像液
充填空間がウエハ表面と現像プレート間に形成される。
この空間内に現像液を流しこんでウエハ表面のレジスト
を現像する。このとき現像液入口を出口より低い位置に
設け、現像液を下側から上側に流すことにより、ウエハ
全面に均一に現像液がいきわたるとともに気泡の残留を
防止し、現像不良を防止することができる。現像液は温
度調整された現像プレートで覆われ蒸発しないで必要な
厚さに保持されるため、現像液の無駄が省かれるととも
に一定温度に保持されてパターンの線幅の均一性が向上
する。
充填空間がウエハ表面と現像プレート間に形成される。
この空間内に現像液を流しこんでウエハ表面のレジスト
を現像する。このとき現像液入口を出口より低い位置に
設け、現像液を下側から上側に流すことにより、ウエハ
全面に均一に現像液がいきわたるとともに気泡の残留を
防止し、現像不良を防止することができる。現像液は温
度調整された現像プレートで覆われ蒸発しないで必要な
厚さに保持されるため、現像液の無駄が省かれるととも
に一定温度に保持されてパターンの線幅の均一性が向上
する。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の実施例に係る現像装置の構
成図である。ウエハ１の表面に露光したレジスト層２が
形成されている。このウエハ１の裏面側から真空吸引口
３を有する真空チャック４により吸着しウエハ１を固定
保持する。このウエハ１の上面の外周縁部に沿って、ス
ペーサとなる所定厚さｈのパッド１１が設けられる。こ
のパッド１１を介してウエハ１上に現像プレート６が設
置される。従って、この現像プレート６とウエハ１のレ
ジスト層２との間には厚さｈの空間１２が形成され、こ
こに現像液が充填される。ｈは５０μｍ〜２ｍｍであ
り、現像処理条件等に応じて適当に選定する。
成図である。ウエハ１の表面に露光したレジスト層２が
形成されている。このウエハ１の裏面側から真空吸引口
３を有する真空チャック４により吸着しウエハ１を固定
保持する。このウエハ１の上面の外周縁部に沿って、ス
ペーサとなる所定厚さｈのパッド１１が設けられる。こ
のパッド１１を介してウエハ１上に現像プレート６が設
置される。従って、この現像プレート６とウエハ１のレ
ジスト層２との間には厚さｈの空間１２が形成され、こ
こに現像液が充填される。ｈは５０μｍ〜２ｍｍであ
り、現像処理条件等に応じて適当に選定する。
【００１１】現像プレート６は、ウエハ１の外縁端部近
傍に位置する現像液入口７を有し、その反対側端部近傍
に現像液出口８を有する。現像液は入口７から現像液充
填空間１２内に導入され、出口８から排出される。この
とき、ウエハ１の表面が水平面Ｈに対し角度θだけ傾斜
するように真空チャック４を傾斜させた状態でウエハ１
を保持する。この状態で、現像プレート６の現像液入口
７が現像液出口８より低い位置になるように現像プレー
ト６をウエハ１上に設置する。これにより、現像液はウ
エハ全面上を下側から上側に向かって均一に流通すると
ともにウエハ面上に気泡を残留させずに流し出す。
傍に位置する現像液入口７を有し、その反対側端部近傍
に現像液出口８を有する。現像液は入口７から現像液充
填空間１２内に導入され、出口８から排出される。この
とき、ウエハ１の表面が水平面Ｈに対し角度θだけ傾斜
するように真空チャック４を傾斜させた状態でウエハ１
を保持する。この状態で、現像プレート６の現像液入口
７が現像液出口８より低い位置になるように現像プレー
ト６をウエハ１上に設置する。これにより、現像液はウ
エハ全面上を下側から上側に向かって均一に流通すると
ともにウエハ面上に気泡を残留させずに流し出す。
【００１２】現像プレート６には、冷媒入口９および冷
媒出口１０が形成され内部を一定温度（例えば２３℃）
に温度調整された純水等の冷却媒体が循環する。これに
より、現像プレート６の温度が一定に保たれ、従って、
ウエハ面上の現像液温度が同様に一定に保たれる。
媒出口１０が形成され内部を一定温度（例えば２３℃）
に温度調整された純水等の冷却媒体が循環する。これに
より、現像プレート６の温度が一定に保たれ、従って、
ウエハ面上の現像液温度が同様に一定に保たれる。
【００１３】なお、現像液入口７は傾斜した低い側の位
置の複数ヵ所に形成してもよいし、あるいは円弧状に形
成してもよい。また現像液出口８についても同様に高い
側の位置の複数ヵ所に形成してもよいし、あるいは円弧
状に形成してもよい。
置の複数ヵ所に形成してもよいし、あるいは円弧状に形
成してもよい。また現像液出口８についても同様に高い
側の位置の複数ヵ所に形成してもよいし、あるいは円弧
状に形成してもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、パッドを介して所定間隔を保持した状態で温度を一
定に保たれた現像プレートを設け、この現像プレートと
ウエハとの間の空間に傾斜したウエハ表面に沿って下か
ら上に向かって現像液を流すため、現像液が外気にふれ
ることなく蒸発作用が抑えられ、従来に比べ少ない量で
均一にレジストを覆うことができ現像液の無駄を省くこ
とができる。また、現像液の温度を常に最適な一定温度
に保つことができるため、最良の状態で現像を行うこと
ができパターニングの線幅の均一性の向上が図られ半導
体製品の品質の向上が達成される。
は、パッドを介して所定間隔を保持した状態で温度を一
定に保たれた現像プレートを設け、この現像プレートと
ウエハとの間の空間に傾斜したウエハ表面に沿って下か
ら上に向かって現像液を流すため、現像液が外気にふれ
ることなく蒸発作用が抑えられ、従来に比べ少ない量で
均一にレジストを覆うことができ現像液の無駄を省くこ
とができる。また、現像液の温度を常に最適な一定温度
に保つことができるため、最良の状態で現像を行うこと
ができパターニングの線幅の均一性の向上が図られ半導
体製品の品質の向上が達成される。
【図１】 本発明の実施例に係る半導体製造用現像装置
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図２】 従来の半導体回路製造における現像方法の説
明図である。
明図である。
１：ウエハ、２：レジスト層、３：真空吸引口、４：真
空チャック、５：レジスト、６：現像プレート、７：現
像液入口、８：現像液出口、９：冷媒入口、１０：冷媒
出口、１１：パッド、１２：現像液充填空間。
空チャック、５：レジスト、６：現像プレート、７：現
像液入口、８：現像液出口、９：冷媒入口、１０：冷媒
出口、１１：パッド、１２：現像液充填空間。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−199018（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−176838（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−112526（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−55133（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−323619（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−276321（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−43426（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/30 501
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に現像すべきレジスト層が形成され
たウエハの裏面側を真空吸着する真空チャックと、 前記ウエハの周縁部に配設するスペーサ部材と、 このスペーサ部材を介して前記ウエハ上に載置され、こ
のウエハ表面上に所定厚さの現像液充填空間を形成する
現像プレートと、 この現像プレートの温度を一定に保持するための温調手
段とからなり、 前記現像プレートは、前記現像液充填空間に連通する現
像液入口をウエハ外縁部近傍に有し、その反対側の外縁
部近傍に現像液出口を有することを特徴とする半導体回
路製造用現像装置。 - 【請求項２】 表面に現像すべきレジスト層が形成され
たウエハの裏面側を真空吸着する真空チャックと、 前記ウエハの周縁部に配設するスペーサ部材と、 このスペーサ部材を介して前記ウエハ上に載置され、こ
のウエハ表面上に所定厚さの現像液充填空間を形成する
現像プレートと、 この現像プレートの温度を一定に保持するための温調手
段とからなり、 前記現像プレートは、前記現像液充填空間に連通する現
像液入口をウエハ外縁部近傍に有し、その反対側の外縁
部近傍に現像液出口を有する半導体回路製造用現像装置
の使用方法であって 前記現像液入口が現像液出口より低い位置となるように
ウエハを傾斜させた状態で現像プレートをウエハ上に載
置することを特徴とする半導体回路製造用現像装置の使
用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20660695A JP3318641B2 (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 半導体回路製造用現像装置及びその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20660695A JP3318641B2 (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 半導体回路製造用現像装置及びその使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936031A JPH0936031A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3318641B2 true JP3318641B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=16526179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20660695A Expired - Fee Related JP3318641B2 (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 半導体回路製造用現像装置及びその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3318641B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184685A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Risotetsuku Japan Kk | 現像方法 |
| JP4189141B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2008-12-03 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 |
-
1995
- 1995-07-20 JP JP20660695A patent/JP3318641B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0936031A (ja) | 1997-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05182965A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH11329960A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| KR101067143B1 (ko) | 도포막형성 장치 및 도포막형성 방법 | |
| JP3318641B2 (ja) | 半導体回路製造用現像装置及びその使用方法 | |
| JP2675766B2 (ja) | フォトレジスト塗布方法及びその装置 | |
| JP3393082B2 (ja) | 現像方法および現像装置 | |
| JPH11233406A (ja) | 基板処理方法及びその装置 | |
| KR100558019B1 (ko) | 웨이퍼 포토리소그래피의 향상된 현상 공정 방법 | |
| JP2712392B2 (ja) | レジスト現像方法 | |
| JP3720142B2 (ja) | ウェット処理装置 | |
| JP3817107B2 (ja) | 半導体装置の製造装置、液晶表示装置の製造装置、半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0562960A (ja) | 液処理槽および液処理装置 | |
| JPS623804Y2 (ja) | ||
| JP2870827B2 (ja) | レジストの現像装置 | |
| JPH10135127A (ja) | 基板現像装置 | |
| JPH11288868A (ja) | レジスト現像装置およびレジスト現像方法 | |
| JP2906001B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2712415B2 (ja) | レジスト現像方法 | |
| JP3459115B2 (ja) | 基板の回転塗布装置 | |
| JPH09186129A (ja) | 湿式蝕刻装置及びこれを利用した湿式蝕刻方法 | |
| JPH05181287A (ja) | 大型基板対応枚葉式通過型現像装置 | |
| JP2005138497A (ja) | ウエットエッチング方法、該方法を用いたインクジェット記録ヘッドの製造方法、およびウエットエッチング装置 | |
| JPH07142307A (ja) | 薬液処理ステージ | |
| JP2004342973A (ja) | 回転現像装置 | |
| JPH05243145A (ja) | 半導体製造工程の現像方法及び現像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |