JP3312996B2 - エッチング方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属配線等の金属膜の
上の絶縁膜にコンタクトホールを形成する等のために絶
縁膜をエッチングする方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高密度化・高集
積化に伴い、半導体装置間の配線は多層化しつつある。
図５は、２層Ａｌ配線を有する半導体装置の一部を示す
断面図である。同図に示すように、シリコン基板３０に
は、ＬＯＣＯＳ法で形成された素子分離３１が設けられ
ている。そして、素子分離３１により区画された活性領
域に、ゲート，ソース・ドレイン等からなるＭＯＳトラ
ンジスタ３６ａ，３６ｂが形成されている。ＭＯＳトラ
ンジスタ３６ａ，３６ｂの上方にはＢＰＳＧ膜３２を介
してＡｌ合金からなる下層金属配線３３が設けられてい
る。下層金属配線３３の上には、シリコン酸化膜からな
る層間絶縁膜３４を介してＡｌ合金からなる上層金属配
線３５が設けられている。すなわち、半導体装置は上下
２層のＡｌ配線を有する多層配線構造を有している。こ
のような多層配線構造では、上層金属配線３５と下層金
属配線３３とを電気的に接続するために、層間絶縁膜３
４にコンタクトホール３７を形成し、このコンタクトホ
ール３７を介してコンタクトを設ける必要が生じる。こ
のコンタクトホール３７の形成においては、後工程の上
層金属配線３５の堆積状態を良好に維持し、上層金属配
線３５の断線を防ぐために、その形状が良好なこと、つ
まりほぼ真直であることが要求される。

【０００３】図６は、層間絶縁膜３４にコンタクトホー
ル３７を形成する際の状態を示す斜視図である。すなわ
ち、層間絶縁膜３４の上には、コンタクトホール３７を
形成しようとする領域が開口されたレジストマスク３９
が形成されている。その上から、エッチングガスのイオ
ンが照射される。エッチングガスとしては、一般にＣＦ
4 ＋Ｈ2 ガス，ＣＨＦ3 ＋ＣＦ4 ガス，ＣＨＦ3 ＋Ｏ2
ガス等が用いられる。これらのガスは、分解して層間絶
縁膜３４のシリコン元素と結合して揮発性化合物を生成
するとともに、層間絶縁膜３４の表面にデポ物を形成す
る。このコンタクトホール３７の側壁のデポ物は容易に
除去されないので、コンタクトホール３７が側壁方向に
拡大することなく深さ方向に開口されて行き、ほぼ真直
な形状のコンタクトホール３７が形成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする問題点】ところで、上述のよ
うにしてコンタクトホール３７を形成する際、ある部位
で層間絶縁膜３４の除去が完了した後、さらにエッチン
グを継続すると、露出した下地の下層金属配線３３を構
成する金属がエッチング種（イオン）によりスパッタリ
ングされる。そして、下層金属配線３３からスパッタさ
れたＡｌ等の金属あるいは金属のフッ化合物が、コンタ
クトホール３７のレジスト側壁から層間絶縁膜側壁に亘
って形成されているデポ物３８に打ち込まれると、この
デポ物３８を硬化させる。この硬化したデポ物３８は、
層間絶縁膜３４や下層金属配線３３を構成する材料によ
っては、非常に化学的に安定な物質である。そのため、
Ｏ2 プラズマを使用してレジストマスク３９を除去する
工程（アッシング）や、洗浄工程では硬化したデポ物３
８が除去されないことがある。例えば、ＴＥＯＳ（テト
ラ エト オキシ シラン）をデポ物形成用ガスとして
使用して形成される層間絶縁膜は、そのステップカバレ
ッジがよいことから注目されている。しかし、ＴＥＯＳ
がＣ原子を多く含有するためエッチング中に厚いデポ物
がコンタクトホール３７の側壁に形成され、これがＡｌ
等によって硬化されると、その除去が困難である。

【０００５】このとき、下地の金属膜が露出した時点で
エッチングを終了することができれば問題は生じない。
しかし、下地の下層金属配線３３や層間絶縁膜３４には
段差があり、かつ必ずしも各領域で均一なエッチング速
度でエッチングが進行するわけではない。したがって、
ある部位のコンタクトホール３７の開口が完了しても、
さらにエッチングを継続しなければならず（オーバーエ
ッチング）、上述のような問題が生じるのである。

【０００６】図７は、従来の技術によってコンタクトホ
ール３７を形成しレジストマスク３９を除去した時点に
おける基板表面付近の状態を示す斜視図であって、ＳＥ
Ｍ写真から作成したものである。同図に示すように、コ
ンタクトホール３７の縁部に硬化したデポ物が残存して
いる。この硬化デポ物３８は、その後の上層金属配線用
金属膜の堆積工程において、コンタクトホール３７の縁
部に金属膜の盛上がりを生じさせたり、コンタクト内部
の金属膜のカバレッジを低下させ、コンタクト部におけ
る金属配線の信頼性を著しく劣化させる。

【０００７】そこで、上述の問題を解決する技術とし
て、本発明の発明者の１人が提案するように（特開平３
−２０４９２８号公報参照）、エッチングガス中にＮ2
ガスを添加する方法がある。この方法では、Ｎ2 ガスに
よって金属膜を構成する金属が窒化され、原子間の結合
が強化されるので、金属膜からの金属等のスパッタが抑
制される。

【０００８】しかしながら、同公報中にも開示されるよ
うに、所定条件下で、ウェハに入射するイオンのエネル
ギーを約２５０ｅＶ以上に増加させると、上述のような
硬化デポ物がやはり残存する憾みがあった。発明者は、
この原因を究明すべく、さらに研究を行った結果、以下
のことが判明した。

【０００９】（１） Ａｌ−Ａｌ間の結合エネルギーは
約１．９５ｅＶであるのに対し、Ａｌ−Ｎ間の結合エネ
ルギーは約３．０８ｅＶである。したがって、Ｎ2 ガス
を添加することで、窒化物Ａｌ−Ｎが生じ、この結合エ
ネルギーの増大によって、硬化デポ物発生の防止効果が
得られるが、入射イオンのエネルギーが高くなると、Ａ
ｌ−Ｎ間の結合が破壊され、やはりＡｌ等のスパッタ率
が増大する。

【００１０】（２） 上記硬化デポ物を構成する物質の
うち最も問題となるのは、化学的に安定なＡｌx Ｏy
（代表的な組成はＡｌ2 Ｏ3 ）である。これは、下地の
金属配線からスパッタされたＡｌが酸化され不動態化す
るものと考えられる。すなわち、酸素原子の存在が重要
な役割を果たしている。この酸素原子は、エッチングガ
スとシリコン酸化膜との双方にある。

【００１１】（３） 一方、ドライエッチング法によっ
てコンタクトホールを形成する際に、入射イオンのエネ
ルギーを大きくすることで、ドライエッチングの異方性
が向上し、微細なコンタクトホールの形状が極めて良好
なものになる。

【００１２】本発明は斯かる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、コンタクトホール等の周辺に硬化し
たデポ物が残存するのを防止しながら、微細なコンタク
トホール等を高い寸法精度でかつ良好な形状で形成しう
るエッチング方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明が講じた手段は、エッチングガスにＮ2 ガスを
添加するとともに、酸素元素を含まないエッチングガス
を使用することにある。

【００１４】本発明の請求項１のエッチング方法は、半
導体基板上のＡｌを含む金属膜上に直接設けられた絶縁
膜の一部をドライエッチングにより選択的に除去するエ
ッチング方法として、上記絶縁膜の上にエッチングしよ
うとする領域のみ開口したマスクを形成する工程と、添
加ガスとしてＮ2 ガスを含みかつ酸素元素を含まないエ
ッチングガスを用いて、上記マスクの開口部下方の絶縁
膜を除去し、絶縁膜に開口を形成する工程と、上記絶縁
膜に開口を形成する工程が終了した後に、上記マスクを
除去する工程とを設ける方法である。

【００１５】請求項２のエッチング方法は、プラズマ状
態になったエッチングガスのイオンエネルギーを、２５
０ｅＶ以上とする方法である。

【００１６】請求項３のエッチング方法は、エッチング
ガスのエッチング圧力を低下させることで、イオンエネ
ルギーを高くする方法である。

【００１７】請求項４のエッチング方法は、上記エッチ
ングガスを、０族元素で希釈してエッチング圧力を低下
させる方法である。

【００１８】請求項５のエッチング方法は、上記エッチ
ングガスに、分子式がＣx Ｈy Ｆzで表されるガスを含
ませる方法である。

【００１９】請求項６のエッチング方法は、上記エッチ
ングガスに、分子式がＣx Ｈy Ｆzで表されるガスとし
てＣＨＦ3 ガス，ＣＨ2 Ｆ2 ガス及びＣＨ3 Ｆガスのう
ち少なくともいずれか１つのガスを含ませる方法であ
る。

【００２０】請求項７のエッチング方法は、上記エッチ
ングガスに、分子式がＣv Ｆw で表されるガスを含ませ
る方法である。

【００２１】請求項８のエッチング方法は、上記エッチ
ングガスに、分子式がＣv Ｆw で表されるガスとしてＣ
Ｆ4 ガス，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ガス及びＣ4 Ｆ8 ガスの
うち少なくともいずれか１つのガスを含ませる方法であ
る。

【００２２】請求項９エッチング方法は、上記エッチン
グガスに、分子式がＣt Ｈu で表されるガスを添加する
方法である。

【００２３】請求項１０のエッチング方法は、上記エッ
チングガスに、分子式がＣt Ｈu で表されるガスとして
ＣＨ4 ガスを添加する方法である。

【００２４】請求項１１のエッチング方法は、上記エッ
チングガスに、ＳＦ6 ガスを含ませる方法である。

【００２５】請求項１２のエッチング方法は、上記エッ
チングガスに、Ｈ2 ガスを添加する方法である。

【００２６】

【作用】以上の方法により、請求項１の発明では、エッ
チングの間、マスク及び絶縁膜の開口部の壁面にエッチ
ングガスの分解，重合によるデポ物が付着している。し
かし、添加ガスとしてＮ2 ガスが含まれているので、絶
縁膜が除去されて下地の金属膜表面が露出したときに、
窒素原子が金属膜に打ち込まれ金属の窒化によって原子
間結合力が増大する。この原子間結合力の増大により金
属膜を構成する金属原子のスパッタ率が低減する。しか
も、エッチングガスに酸素元素が含まれていないので、
金属原子がスパッタされても、アルミナ（Ａｌx Ｏy ）
等の除去困難な金属酸化物が生じることがない。したが
って、マスクの開口部側壁のデポ物は後のマスクの除去
工程で容易に除去され、マスク除去後に絶縁膜の開口部
縁部に硬化したデポ物が残存するのが防止される。特
に、Ａｌを含む金属で構成されている金属膜では、Ｎ2
ガスからの窒素イオンの打ち込みによって、結合エネル
ギーの高いＡｌ−Ｎ結合が生じる。したがって、金属膜
からのＡｌ原子のスパッタを抑制する作用が大きくな
る。

【００２７】請求項２の発明では、エッチングガスのイ
オンエネルギーが２５０ｅＶ以上の場合、Ａｌ−Ｎ結合
が破壊されてＡｌ原子等のスパッタ率が飛躍的に増大す
るが、エッチングガスに中に酸素原子が含まれていない
ことで、開口部側壁のデポ物の硬化が生ぜず、硬化デポ
物の発生が防止される。しかも、イオンエネルギーが高
いことで、エッチングに寄与するイオンの直進性が向上
し、絶縁膜に形成される開口が微細であっても形状が良
好なものとなる。

【００２８】請求項３の発明では、イオンエネルギーに
対応する陰極降下電圧特性は、エッチング圧力が低下す
ると高くなる特性を有する。したがって、エッチング圧
力を低下させることで、ＲＦパワーを増大させることな
く高いイオンエネルギーが得られ、消費電力が低く抑制
される。

【００２９】請求項４の発明では、エッチングガスが０
属元素で希釈されると、エッチング圧力が低下する。し
たがって、エッチング雰囲気を低圧にする真空引き装置
の能力を増大させる必要がなく、既存設備の利用が可能
となる。

【００３０】請求項５〜１２の発明では、これらのガス
がエッチングガス中に含まれることで、エッチング中に
エッチングガスから分解した物質の重合によるデポ物が
開口部側壁に付着して、異方性エッチングが行われる一
方、上記各発明の作用により、デポ物の硬化が防止され
ることになる。

【００３１】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。

【００３２】図１（ａ）〜（ｃ）は、実施例に係るコン
タクトホールの形成工程における半導体基板の構造の変
化を示す断面図である。同図（ａ）に示すように、シリ
コン基板１の上には、ゲート，ソース・ドレイン等から
なるトランジスタ６ａ，６ｂが形成されており、その上
にＢＰＳＧ膜２を介して、Ａｌ合金からなる下層金属配
線３が設けられている。そして、この下層金属配線３の
上にはシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ等）からなる層間絶縁
膜４が堆積され、その表面はリフローによって平坦化さ
れている。そして、層間絶縁膜４の上に上層金属配線を
設けるにあたり、層間絶縁膜４を貫通して下層金属配線
３に達するコンタクトホールが設けられる。その際、ま
ず、同図（ａ）に示すように、層間絶縁膜４の上にレジ
ストを塗布した後、コンタクトホールを形成しようとす
る部位（この図では、３か所）が開口されたレジストマ
スク９を形成する。そして、エッチング装置（Ｒ．Ｉ．
Ｅ．装置）内に基板を設置し、このレジストマスク９の
上方から、エッチングガスを導入する。本実施例では、
ＣＨＦ3 ガス及びＮ2 ガスの混合ガス（ＣＨＦ3 の流量
が４５ｓｃｃｍで、Ｎ2 ガスの流量が５ｓｃｃｍ）を用
いた。また、エッチング圧力は２５０ｍＴｏｒｒであ
り、ＲＦパワーは４００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）であ
り、オーバーエッチング率は、最も浅いコンタクトホー
ルに対して１００％、最も深いコンタクトホールに対し
て３０％としている。

【００３３】次に、図１（ｂ）に示すように、３か所の
コンタクトホール７ａ〜７ｃを開口していく。なお、現
実の半導体装置では、これらの３か所にコンタクトホー
ル７ａ〜７ｃは必ずしも同一断面内にあるものではない
が、本実施例では、便宜上同じ断面で示している。その
場合、層間絶縁膜４は平坦化されるものの、下層金属配
線３には段差があるので、層間絶縁膜４の厚さは各部で
均一でなく、バラツキがある。この例では、同図のコン
タクトホール７ａ，７ｃが開口されて、下地の下層金属
配線３の表面が露出しても、他のコンタクトホール７ｂ
がまだ開口されていない。そのため、コンタクトホール
７ａ，７ｃの形成が完了した後も、エッチングが続行さ
れ、最終的にすべてのコンタクトホール７ａ〜７ｃの開
口が終了した後、レジストマスク９を除去する。このレ
ジスト除去はＯ2 プラズマにより行い、硝酸による洗浄
（５分）及び水洗（１０分）を行う。

【００３４】次に、図１（ｃ）に示すように、層間絶縁
膜４の上方からＡｌ合金を堆積して、上層金属配線５を
形成する。

【００３５】なお、その後の工程は省略するが、上層金
属配線５をパターニングした後、半導体装置の種類に応
じて、第２層間絶縁膜，第３層金属配線，…等を形成
し、最終的に最上層にパッシベーション膜を設ける。そ
の際、第２層間絶縁膜等へのコンタクトホールの形成に
際しても、上述のコンタクトホール７の形成時と同様の
エッチングガスを用いてエッチングを行う。

【００３６】図２は、図１（ｂ）の工程が終了した後、
図１（ｃ）の工程を行う前の基板表面のＳＥＭ写真から
作成した斜視図である。図２に示されるように、従来の
コンタクトホールの形成工程で生じていたような硬化デ
ポ物（図７参照）はみられないことが分かる。

【００３７】以下、このように硬化デポ物が生じない理
由について考察する。上記公報で開示されているよう
に、エッチングガスにＮ2 ガス添加することで、コンタ
クトホール７の底部に露出した下層金属配線３の金属
（Ａｌ）を窒化し、イオンに対するスパッタ率を低減す
ることができる。これは、Ａｌ−Ａｌ間の結合エネルギ
ーが１．９５ｅＶであるのに対し、窒化によって生じる
Ａｌ−Ｎ間の結合エネルギーが３．０８ｅＶに増大する
ことによる。一方、図３は、Ａｌをターゲット材料とし
た場合におけるイオンエネルギーに対するスパッタ率の
増大特性を示す（Ｌae-geid ，Ｗehner ，1961）。同図
に示すように、イオンエネルギーが増大するほどスパッ
タ率が増大することが分かる。したがって、イオンエネ
ルギーが低い条件下（例えば２５０ｅＶ程度以下）は、
Ｎ2 ガスを添加することで、下地の下層金属配線３から
の金属原子のスパッタリングを抑制することができる。
しかし、イオンエネルギーが増大すると、Ａｌ−Ｎ間の
結合を破壊してＡｌ原子等がスパッタされる割合が増大
する。例えば、電極間隔の広い平行平板Ｒ．Ｉ．Ｅ．装
置を用いてＲＦパワーを４００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）
にすると、イオンエネルギーが４００ｅＶ以上に増大す
る。そして、この条件下では、Ｎ2 ガスが添加されてい
ても、下地の下層金属配線３を構成するＡｌがスパッタ
されるので、レジスト側壁のデポ物が硬化しコンタクト
ホール７の周辺に硬化デポ物として残存する。しかし、
本実施例では、エッチングガス中にＯ2 ガスは含まれ
ず、酸素元素も含まれていないので、Ａｌ等のスパッタ
が生じてもデポ物がアルミナ（ＡｌxＯy ）等の除去困
難な物質に硬化されることがない。したがって、このデ
ポ物は、後の洗浄工程（硝酸による洗浄及び水洗）で容
易に除去され、硬化デポ物は生じない。よって、２５０
ｅＶ以上のイオンエネルギーを生ぜしめる条件下（図３
に示すスパッタ率が０．３５（ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ) と
なる条件下）でも、半導体装置の歩留まりに影響するよ
うな硬化デポ物は生じないのである。

【００３８】また、イオンエネルギーを２５０ｅＶ以上
にすることによって、以下の効果が得られる。すなわ
ち、イオンエネルギーを高くすることによって、エッチ
ングに寄与するイオンの直進性が向上するので、ドライ
エッチングの異方性機能が向上する。その結果、微細な
コンタクトホールの真直度を高く維持しながら、高い寸
法精度を得ることができるのである。また、イオンエネ
ルギーを上昇させることにより、エッチング速度も上昇
し、その結果、半導体装置の製造工程におけるスループ
ットの向上、コストの低減を図ることができる。

【００３９】次に、イオンエネルギーを高める方法につ
いて、説明する。イオンエネルギーは、陰極降下電圧Ｖ
dcで表され、これを高めるには、ＲＦパワーを増大する
か、エッチング圧力を低くするかが効果的である。図４
は、エッチング圧力に対する陰極降下電圧の特性を示
し、エッチング圧力の低減によって陰極降下電圧を高め
得ることが示されている。このように、エッチング圧力
を低下さてイオンエネルギーを高めることで、ＲＦパワ
ーを増大させる必要はなくなり、消費電力の低減を図る
ことができる。

【００４０】なお、上記実施例では、エッチングガスと
して、ＣＨＦ3 ，Ｎ2 の混合ガスを用いたが、本発明は
斯かる実施例に限定されるものではない。すなわち、添
加ガスとしてＮ2 ガスを含み、かつ酸素元素を含まない
エッチングガスを使用すればよい。

【００４１】また、上記実施例では、エッチング装置と
して、平行平板Ｒ．Ｉ．Ｅ．装置を用いたが、本発明が
適用されるエッチング装置は斯かる実施例に限定される
ものではなく、他のタイプのプラズマ発生装置を用いて
もよい。

【００４２】さらに、上記エッチングガスを、Ｈｅ，Ｎ
ｅ，Ａｒ等の０族元素で希釈したエッチングガスを用い
てもよい。その場合、上述のようにエッチング圧力が低
下することで、真空引き装置の能力を上げることなくイ
オンエネルギーを増大させうる利点がある。

【００４３】上記実施例では、コンタクトホールを形成
する際に図１（ａ）に示す段階から、Ｎ2 ガスを含みか
つ酸素元素を含まないエッチングガスを使用したが、本
発明は斯かる実施例に限定されるものではない。当初は
酸素元素を含むエッチングガスを使用し、図１（ｂ）に
示すような下層金属配線３のいずれかの部位でコンタク
トホールの開口が完了するかあるいは完了する直前か
ら、Ｎ2 ガスを含みかつ酸素元素を含まないガスに切替
えるようにしてもよい。

【００４４】また、層間絶縁膜の下地がすべて金属膜で
なくてもよい。例えば、コンタクトホールを開口する部
位に下層金属配線がなく、上層金属配線が直接シリコン
基板のソース・ドレインにコンタクトするような場合に
も、本発明を適用することで、コンタクトホールにおけ
る硬化デポ物の発生を防止することができる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ａｌを含む金属膜上に直接堆積された絶縁膜に開口を形
成するためのエッチングの際に、エッチングガスにＮ2
ガスを含めかつ酸素元素を含めないことで、開口形成後
のオーバーエッチング時に金属原子がスパッタされて
も、結合エネルギーの高いＡｌ−Ｎ結合を生ぜしめ金属
原子のスパッタを抑制することができ、よって、マスク
除去後における硬化デポ物の残存を防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係るコンタクトホールの形成工程にお
ける基板の構造の変化を示す断面図である。

【図２】実施例においてコンタクトホール形成後マスク
を除去した時点における基板の表面状態を示す斜視図で
ある。

【図３】エッチングガスのイオンエネルギーの変化に対
するＡｌのスパッタ率の変化を示す特性図である。

【図４】エッチング圧力及びＲＦ周波数の変化に対する
陰極降下電圧の変化を示す特性図である。

【図５】２層Ａｌ配線を有する半導体装置の構造を示す
断面図である。

【図６】従来の方法によるコンタクトホール形成工程に
おけるコンタクトホール内の状態を示す破断斜視図であ
る。

【図７】従来の方法によるコンタクトホール形成後マス
クを除去した時点における基板表面の状態を示す斜視図
である。

【符号の説明】

１ シリコン基板 ２ ＢＰＳＧ膜 ３ 下層金属配線（金属膜） ４ 層間絶縁膜 ５ 上層金属配線 ６ ＭＯＳトランジスタ ７ コンタクトホール ９ レジストマスク ３８ 硬化デポ物

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−151385（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−125979（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−204928（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−143633（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−204558（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−34633（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−13627（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/3213

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上のＡｌを含む金属膜上に直
   接設けられた絶縁膜の一部をドライエッチングにより選
   択的に除去する方法であって、 上記絶縁膜の上にエッチングしようとする領域のみ開口
   したマスクを形成する工程と、 添加ガスとしてＮ2 ガスを含みかつ酸素元素を含まない
   エッチングガスを用いて、上記マスクの開口部下方の絶
   縁膜を除去し、絶縁膜に開口を形成する工程と、 上記絶縁膜に開口を形成する工程が終了した後に、上記
   マスクを除去する工程とを備えたことを特徴とするエッ
   チング方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載のエッチング方法におい
   て、 プラズマ状態になったエッチングガスのイオンエネルギ
   ーを、２５０ｅＶ以上とすることを特徴とするエッチン
   グ方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載のエッチング方法におい
   て、 エッチングガスのエッチング圧力を低下させることで、
   イオンエネルギーを高くすることを特徴とするエッチン
   グ方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載のエッチング方法におい
   て、 上記エッチングガスを、０族元素で希釈してエッチング
   圧力を低下させることを特徴とするエッチング方法。
5. 【請求項５】 請求項１，２，３又は４記載のエッチン
   グ方法において、 上記エッチングガスは、分子式がＣx Ｈy Ｆz で表され
   るガスを含むことを特徴とするエッチング方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載のエッチング方法におい
   て、 上記エッチングガスは、分子式がＣx Ｈy Ｆz で表され
   るガスとしてＣＨＦ3ガス，ＣＨ2 Ｆ2 ガス及びＣＨ3
   Ｆガスのうち少なくともいずれか１つのガスを含むこと
   を特徴とするエッチング方法。
7. 【請求項７】 請求項１，２，３，４，５又は６記載の
   エッチング方法において、 上記エッチングガスは、分子式がＣv Ｆw で表されるガ
   スを含むことを特徴とするエッチング方法。
8. 【請求項８】 請求項７記載のエッチング方法におい
   て、 上記エッチングガスは、分子式がＣv Ｆw で表されるガ
   スとしてＣＦ4 ガス，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ガス及びＣ4
   Ｆ8 ガスのうち少なくともいずれか１つのガスを含むこ
   とを特徴とするエッチング方法。
9. 【請求項９】 請求項１，２，３，４，５，６，７又は
   ８記載のエッチング方法において、 上記エッチングガスに、分子式がＣt Ｈu で表されるガ
   スを添加することを特徴とするエッチング方法。
10. 【請求項１０】 請求項９記載のエッチング方法におい
    て、 上記エッチングガスに、分子式がＣt Ｈu で表されるガ
    スとしてＣＨ4 ガスを添加することを特徴とするエッチ
    ング方法。
11. 【請求項１１】 請求項１，２，３，４，５，６，７，
    ８，９又は１０記載のエッチング方法において、 上記エッチングガスは、ＳＦ6 ガスを含むことを特徴と
    するエッチング方法。
12. 【請求項１２】 請求項１，２，３，４，５，６，７，
    ８，９，１０又は１１記載のエッチング方法において、 上記エッチングガスに、Ｈ2 ガスを添加することを特徴
    とするエッチング方法。