JP3307293B2 - 非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子Info
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- JP3307293B2 JP3307293B2 JP25220797A JP25220797A JP3307293B2 JP 3307293 B2 JP3307293 B2 JP 3307293B2 JP 25220797 A JP25220797 A JP 25220797A JP 25220797 A JP25220797 A JP 25220797A JP 3307293 B2 JP3307293 B2 JP 3307293B2
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- capacitor
- electrodes
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯で採
用される非可逆回路素子，例えばアイソレータ，サーキ
ュレータに関する。
用される非可逆回路素子，例えばアイソレータ，サーキ
ュレータに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、携帯電話等の移動通信機器に採
用される集中定数型アイソレータは、信号を伝送方向に
のみ通過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有して
いる。また、最近の移動通信機器では、その用途からし
て小型，軽量化とともに、低コスト化に対する要求が強
くなっており、これに伴ってアイソレータにおいても同
様に小型，軽量化及び低コスト化が要請されている。
用される集中定数型アイソレータは、信号を伝送方向に
のみ通過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有して
いる。また、最近の移動通信機器では、その用途からし
て小型，軽量化とともに、低コスト化に対する要求が強
くなっており、これに伴ってアイソレータにおいても同
様に小型，軽量化及び低コスト化が要請されている。
【０００３】このような集中定数型アイソレータとし
て、従来、図６に示すように、上，下ヨーク５０，５１
内にそれぞれ上から順に永久磁石５２，中心電極体５
３，及び整合回路基板５４，アース板５５を配置した構
造のものがある。この中心電極体５３は円板のフェライ
ト５６に３本の中心電極５７・・を電気的絶縁状態で互
いに交差させて配置して構成されている。
て、従来、図６に示すように、上，下ヨーク５０，５１
内にそれぞれ上から順に永久磁石５２，中心電極体５
３，及び整合回路基板５４，アース板５５を配置した構
造のものがある。この中心電極体５３は円板のフェライ
ト５６に３本の中心電極５７・・を電気的絶縁状態で互
いに交差させて配置して構成されている。
【０００４】また上記整合回路基板５４は、矩形薄板状
の誘電体基板５４ａの中央部に上記中心電極体５３が挿
通配置される丸孔５４ｂを形成し、該誘電体基板５４ａ
の丸孔５４ｂの周縁に上記各中心電極５６の入出力ポー
トＰ１〜Ｐ３が接続されるコンデンサ電極５８・・を形
成した構造のものである。なお、このポートＰ３には終
端抵抗膜５９が接続されている。
の誘電体基板５４ａの中央部に上記中心電極体５３が挿
通配置される丸孔５４ｂを形成し、該誘電体基板５４ａ
の丸孔５４ｂの周縁に上記各中心電極５６の入出力ポー
トＰ１〜Ｐ３が接続されるコンデンサ電極５８・・を形
成した構造のものである。なお、このポートＰ３には終
端抵抗膜５９が接続されている。
【０００５】しかしながら、上記従来の整合回路基板５
４では、薄板の誘電体基板５４ａに丸孔５４ｂを形成し
たり，各コンデンサ電極５７をパターン形成したりする
必要があることから、製造時の加工や組付け時の扱いに
手間がかかり、コストが上昇するという問題がある。
４では、薄板の誘電体基板５４ａに丸孔５４ｂを形成し
たり，各コンデンサ電極５７をパターン形成したりする
必要があることから、製造時の加工や組付け時の扱いに
手間がかかり、コストが上昇するという問題がある。
【０００６】また従来の誘電体基板５４ａでは、コンデ
ンサ電極５７以外の部分が無駄な面積増大，及び重量増
大をもたらし、上述の小型化，軽量化に応えられないと
いう問題がある。ちなみに、近年のアイソレータでは、
ミリグラム単位での重量軽減が要請されている。
ンサ電極５７以外の部分が無駄な面積増大，及び重量増
大をもたらし、上述の小型化，軽量化に応えられないと
いう問題がある。ちなみに、近年のアイソレータでは、
ミリグラム単位での重量軽減が要請されている。
【０００７】さらに従来の整合回路基板５４では、高誘
電率を有する誘電体基板５４ａに各コンデンサ電極５７
を形成する構造であることから、隣合うコンデンサ電極
５７同士が静電結合Ｃｐし易く、その結果アイソレータ
の帯域外減衰特性が劣化するという問題がある。
電率を有する誘電体基板５４ａに各コンデンサ電極５７
を形成する構造であることから、隣合うコンデンサ電極
５７同士が静電結合Ｃｐし易く、その結果アイソレータ
の帯域外減衰特性が劣化するという問題がある。
【０００８】上記整合回路基板に替わる整合用コンデン
サとして、誘電体基板の両面全面に該基板を挟んで対向
する電極を形成した単板型コンデンサを採用する場合が
ある。
サとして、誘電体基板の両面全面に該基板を挟んで対向
する電極を形成した単板型コンデンサを採用する場合が
ある。
【０００９】この単板型コンデンサは、大きな平板から
なる母基板の両主面に電極を形成し、該母基板を所定寸
法にカット加工するだけで製造でき、大量生産が可能で
ある。このため従来の誘電体基板に丸孔や複数のコンデ
ンサ電極を形成する場合に比べて加工及び扱いが容易と
なり、コストを低減できる。また基板全面に電極を形成
するので、無駄な面積増大，重量増大をなくすことがで
き、それだけ小型化，軽量化を図ることができる。さら
に各コンデンサが別対であるので、コンデンサ同士の静
電結合を防止でき、帯域外減衰特性の劣化を回避でき
る。
なる母基板の両主面に電極を形成し、該母基板を所定寸
法にカット加工するだけで製造でき、大量生産が可能で
ある。このため従来の誘電体基板に丸孔や複数のコンデ
ンサ電極を形成する場合に比べて加工及び扱いが容易と
なり、コストを低減できる。また基板全面に電極を形成
するので、無駄な面積増大，重量増大をなくすことがで
き、それだけ小型化，軽量化を図ることができる。さら
に各コンデンサが別対であるので、コンデンサ同士の静
電結合を防止でき、帯域外減衰特性の劣化を回避でき
る。
【００１０】図４，図５は、単板型コンデンサを採用し
たアイソレータの一例を示し、図中、図６と同一符号は
同一又は相当部分を示す。これは樹脂製端子基板６０の
底壁６０ａに中心電極体５３が挿通配置される丸孔６１
を形成し、該丸孔６１の周縁に中心電極体５３を囲むよ
うに延板状の各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３を配置する
とともに、単板型抵抗体Ｒを配置して構成されている。
たアイソレータの一例を示し、図中、図６と同一符号は
同一又は相当部分を示す。これは樹脂製端子基板６０の
底壁６０ａに中心電極体５３が挿通配置される丸孔６１
を形成し、該丸孔６１の周縁に中心電極体５３を囲むよ
うに延板状の各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３を配置する
とともに、単板型抵抗体Ｒを配置して構成されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記単板型
コンデンサＣ１〜Ｃ３を採用した場合、従来構造より小
型化，軽量化できるものの、必要とする整合容量からそ
の電極面積が決定されることから、アイソレータ全体か
ら見るとかなりのスペースを占めており、これがさらな
る小型化，軽量化の妨げとなっている。
コンデンサＣ１〜Ｃ３を採用した場合、従来構造より小
型化，軽量化できるものの、必要とする整合容量からそ
の電極面積が決定されることから、アイソレータ全体か
ら見るとかなりのスペースを占めており、これがさらな
る小型化，軽量化の妨げとなっている。
【００１２】ここで、コンデンサ自体の小型化を図るに
は、誘電体基板に高誘電率の材料を用いる、誘電体
基板の厚さをさらに薄くする、積層型チップコンデン
サを採用するといった対策が考えられ、また実施も行わ
れている。
は、誘電体基板に高誘電率の材料を用いる、誘電体
基板の厚さをさらに薄くする、積層型チップコンデン
サを採用するといった対策が考えられ、また実施も行わ
れている。
【００１３】ところが、では１００〜１２０の最高誘
電率を有する材料はすでに使用されており、これ以上の
材料では、温度特性が不適切で使えず、また高周波特性
が悪化し、マイクロ波帯では損失が大きく使えない。
電率を有する材料はすでに使用されており、これ以上の
材料では、温度特性が不適切で使えず、また高周波特性
が悪化し、マイクロ波帯では損失が大きく使えない。
【００１４】またの基板厚さを薄くする場合では、一
般に厚さ０．２ｍｍ程度のものが実用化されており、こ
れ以上に薄くすると強度が極端に低下し、歩留まりが悪
化して生産性が低下するとともに、品質に対する信頼性
が低下する。
般に厚さ０．２ｍｍ程度のものが実用化されており、こ
れ以上に薄くすると強度が極端に低下し、歩留まりが悪
化して生産性が低下するとともに、品質に対する信頼性
が低下する。
【００１５】さらにの場合では、一般に積層型コンデ
ンサのＱはマイクロ波帯で２０〜１００である。これは
高周波用誘電体材料を用いた単板型コンデンサの２００
以上と比べて低く、かえってアイソレータの損失が増大
する。また一般的な積層型コンデンサの平面積Ｓは０．
５ｍｍ2 程度と小さいものの高さが０．５ｍｍ程度ある
ので、体積Ｖは０．２５ｍｍ3 程度となる。これに対し
て単板型コンデンサの場合は、Ｓが１．２ｍｍ2 ，Ｖが
０．２４ｍｍ3 程度あり、積層型を採用してもそれほど
小型化になるとは言えない。
ンサのＱはマイクロ波帯で２０〜１００である。これは
高周波用誘電体材料を用いた単板型コンデンサの２００
以上と比べて低く、かえってアイソレータの損失が増大
する。また一般的な積層型コンデンサの平面積Ｓは０．
５ｍｍ2 程度と小さいものの高さが０．５ｍｍ程度ある
ので、体積Ｖは０．２５ｍｍ3 程度となる。これに対し
て単板型コンデンサの場合は、Ｓが１．２ｍｍ2 ，Ｖが
０．２４ｍｍ3 程度あり、積層型を採用してもそれほど
小型化になるとは言えない。
【００１６】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
で、単板型コンデンサを採用する場合の配置スペースを
縮小して、さらなる小型化，軽量化の要請に応えられる
非可逆回路素子を提供することを目的としている。
で、単板型コンデンサを採用する場合の配置スペースを
縮小して、さらなる小型化，軽量化の要請に応えられる
非可逆回路素子を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、永久
磁石により直流磁界が印加されるフェライトに複数の中
心電極を配置し、該各中心電極のポートにそれぞれ整合
用コンデンサを接続した非可逆回路素子において、上記
整合用コンデンサを誘電体基板の両主面全面に該基板を
挟んで対向するように電極を形成してなる単板型コンデ
ンサとし、該各単板型コンデンサをこれの電極面が実装
面に対して６０〜９０度の角度をなすように傾斜させて
配置し、さらに上記単板型コンデンサのコールド・エン
ド側の電極の少なくとも一部が該素子の外側に向けられ
ていることを特徴としている。
磁石により直流磁界が印加されるフェライトに複数の中
心電極を配置し、該各中心電極のポートにそれぞれ整合
用コンデンサを接続した非可逆回路素子において、上記
整合用コンデンサを誘電体基板の両主面全面に該基板を
挟んで対向するように電極を形成してなる単板型コンデ
ンサとし、該各単板型コンデンサをこれの電極面が実装
面に対して６０〜９０度の角度をなすように傾斜させて
配置し、さらに上記単板型コンデンサのコールド・エン
ド側の電極の少なくとも一部が該素子の外側に向けられ
ていることを特徴としている。
【００１８】
【００１９】請求項２の発明は、請求項１において、上
記フェライトが平面視で四角形のものであり、該フェラ
イトの側辺を囲むように上記単板型コンデンサが配置さ
れていることを特徴としている。
記フェライトが平面視で四角形のものであり、該フェラ
イトの側辺を囲むように上記単板型コンデンサが配置さ
れていることを特徴としている。
【００２０】請求項３の発明は、請求項１又は２におい
て、上記永久磁石が平面視で四角形のものであることを
特徴としている。
て、上記永久磁石が平面視で四角形のものであることを
特徴としている。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。図１及び図２は、本発明の一
実施形態による集中定数型アイソレータを説明するため
の図であり、図１，図２はそれぞれアイソレータの分解
斜視図，上ヨークを外した状態の平面図である。
図面に基づいて説明する。図１及び図２は、本発明の一
実施形態による集中定数型アイソレータを説明するため
の図であり、図１，図２はそれぞれアイソレータの分解
斜視図，上ヨークを外した状態の平面図である。
【００２２】本実施形態の集中定数型アイソレータ１
は、左, 右側壁２ａ，２ａと底壁２ｂとを有する磁性体
金属製下ヨーク２に樹脂製端子基板３を配置するととも
に、該端子基板３に中心電極組立体４を配置し、上記下
ヨーク２に同じく磁性体金属からなる箱状の上ヨーク５
を装着して磁気閉回路を形成して構成されている。また
上記上ヨーク５の内面には円板状の永久磁石６が貼着さ
れており、該永久磁石６により上記中心電極組立体４に
直流磁界を印加するようになっている。
は、左, 右側壁２ａ，２ａと底壁２ｂとを有する磁性体
金属製下ヨーク２に樹脂製端子基板３を配置するととも
に、該端子基板３に中心電極組立体４を配置し、上記下
ヨーク２に同じく磁性体金属からなる箱状の上ヨーク５
を装着して磁気閉回路を形成して構成されている。また
上記上ヨーク５の内面には円板状の永久磁石６が貼着さ
れており、該永久磁石６により上記中心電極組立体４に
直流磁界を印加するようになっている。
【００２３】上記アイソレータ１の外形は平面寸法が
７．５×７．５ｍｍ以下で、高さが２．５ｍｍ以下の直
方体のものであり、不図示の回路基板のライン上に表面
実装される。
７．５×７．５ｍｍ以下で、高さが２．５ｍｍ以下の直
方体のものであり、不図示の回路基板のライン上に表面
実装される。
【００２４】上記中心電極組立体４は、平面視で四角形
に形成されたマイクロ波フェライト１２の上面に３本の
中心電極１３〜１５を電気的絶縁状態で１２０度角度ご
とに交互に交差させて配置し、該各中心電極１３〜１５
の一端側の入出力ポートＰ１〜Ｐ３を外方に突出すると
ともに、他端側の各中心電極１３〜１５共通のシールド
部１６を上記フェライト１２の下面に当接した構造のも
のである。このシールド部１６は下ヨーク２の底壁２ｂ
上に接続されている。
に形成されたマイクロ波フェライト１２の上面に３本の
中心電極１３〜１５を電気的絶縁状態で１２０度角度ご
とに交互に交差させて配置し、該各中心電極１３〜１５
の一端側の入出力ポートＰ１〜Ｐ３を外方に突出すると
ともに、他端側の各中心電極１３〜１５共通のシールド
部１６を上記フェライト１２の下面に当接した構造のも
のである。このシールド部１６は下ヨーク２の底壁２ｂ
上に接続されている。
【００２５】上記各中心電極１３〜１５は実装面に対し
て平行に形成されており、該各中心電極１３〜１５の入
出力ポートＰ１〜Ｐ３は実装面に対して直角をなすよう
に下向きに屈曲形成されている。またこのうち２つの入
出力ポートＰ１，Ｐ２の先端部Ｐ１ａ，Ｐ２ａは実装面
に対して平行に形成されている。
て平行に形成されており、該各中心電極１３〜１５の入
出力ポートＰ１〜Ｐ３は実装面に対して直角をなすよう
に下向きに屈曲形成されている。またこのうち２つの入
出力ポートＰ１，Ｐ２の先端部Ｐ１ａ，Ｐ２ａは実装面
に対して平行に形成されている。
【００２６】上記端子基板３は矩形枠状の側壁３ａに底
壁３ｂを一体形成した構造のもので、該底壁３ｂには四
角孔７が形成されており、該四角孔７内に上記フェライ
ト１２が挿通配置されており、かつ位置決め固定されて
いる。
壁３ｂを一体形成した構造のもので、該底壁３ｂには四
角孔７が形成されており、該四角孔７内に上記フェライ
ト１２が挿通配置されており、かつ位置決め固定されて
いる。
【００２７】上記左, 右側壁３ａ及び下側壁３ａの内面
にはそれぞれアース電極８が形成されており、各アース
電極８は左, 右側壁３ａの外面に形成されたアース端子
９，９に接続されている。また底壁３ｂの上縁両端部に
はそれぞれ入出力ポート電極１０，１０が形成されてお
り、該各ポート電極１０は左, 右側壁３ａの外面に形成
された入出力端子１１，１１に接続されている。この入
出力端子１１，アース端子９が不図示の回路基板のライ
ン上に接続される。
にはそれぞれアース電極８が形成されており、各アース
電極８は左, 右側壁３ａの外面に形成されたアース端子
９，９に接続されている。また底壁３ｂの上縁両端部に
はそれぞれ入出力ポート電極１０，１０が形成されてお
り、該各ポート電極１０は左, 右側壁３ａの外面に形成
された入出力端子１１，１１に接続されている。この入
出力端子１１，アース端子９が不図示の回路基板のライ
ン上に接続される。
【００２８】上記端子基板３の左, 右側壁３ａ及び下側
壁３ａの内面には単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３が配置さ
れており、各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３はフェライト
１２の各側辺１２ａを囲むように、かつ該側辺１２ａに
沿って配置されている。また下側壁３ａには上記単板型
コンデンサＣ３に並列に終端抵抗Ｒが配置されており、
該終端抵抗Ｒはアース端子９に接続されている。
壁３ａの内面には単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３が配置さ
れており、各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３はフェライト
１２の各側辺１２ａを囲むように、かつ該側辺１２ａに
沿って配置されている。また下側壁３ａには上記単板型
コンデンサＣ３に並列に終端抵抗Ｒが配置されており、
該終端抵抗Ｒはアース端子９に接続されている。
【００２９】上記各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３は、延
板状の誘電体基板の両主面全面に該基板を挟んで対向す
るようにコンデンサ電極を形成した構造のものであり、
また大きな平板からなる母基板に電極をパターン形成
し、該母基板を格子状に切り出して製造されたものであ
る。
板状の誘電体基板の両主面全面に該基板を挟んで対向す
るようにコンデンサ電極を形成した構造のものであり、
また大きな平板からなる母基板に電極をパターン形成
し、該母基板を格子状に切り出して製造されたものであ
る。
【００３０】そして上記各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３
は実装面に対して９０度の角度をなすように鉛直に配置
されている。また各コンデンサＣ１〜Ｃ３のコールド・
エンド側の電極は上記アース電極８に接続されており、
ホット・エンド側の電極は上記各入出力ポートＰ１〜Ｐ
３に接続されている。これにより上記各単板型コンデン
サＣ１〜Ｃ３のコールド・エンド電極側はアイソレータ
の外側に向けられている。
は実装面に対して９０度の角度をなすように鉛直に配置
されている。また各コンデンサＣ１〜Ｃ３のコールド・
エンド側の電極は上記アース電極８に接続されており、
ホット・エンド側の電極は上記各入出力ポートＰ１〜Ｐ
３に接続されている。これにより上記各単板型コンデン
サＣ１〜Ｃ３のコールド・エンド電極側はアイソレータ
の外側に向けられている。
【００３１】また上記各入出力ポートＰ１，Ｐ２の先端
部Ｐ１ａ，Ｐ２ａはそれぞれ上記ポート電極１０に接続
されており、残りの入出力ポートＰ３の先端部Ｐ３ａは
上記終端抵抗Ｒに接続されている。この終端抵抗Ｒは上
記同様に実装面に対して９０度の角度をなすように配置
されている。
部Ｐ１ａ，Ｐ２ａはそれぞれ上記ポート電極１０に接続
されており、残りの入出力ポートＰ３の先端部Ｐ３ａは
上記終端抵抗Ｒに接続されている。この終端抵抗Ｒは上
記同様に実装面に対して９０度の角度をなすように配置
されている。
【００３２】次に本実施形態の作用効果について説明す
る。本実施形態の集中定数型アイソレータ１によれば、
各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３を実装面に対して９０度
の角度をなすように鉛直配置したので、平面視での各コ
ンデンサＣ１〜Ｃ３が占める面積を大幅に小さくでき、
それだけアイソレータ全体を小型化でき、上述の要請に
応えられる。上記各コンデンサＣ１３ Ｃ３を鉛直配置
したことにより、端子基板３の平面積を小さくでき、そ
れだけ軽量化に貢献できる。
る。本実施形態の集中定数型アイソレータ１によれば、
各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３を実装面に対して９０度
の角度をなすように鉛直配置したので、平面視での各コ
ンデンサＣ１〜Ｃ３が占める面積を大幅に小さくでき、
それだけアイソレータ全体を小型化でき、上述の要請に
応えられる。上記各コンデンサＣ１３ Ｃ３を鉛直配置
したことにより、端子基板３の平面積を小さくでき、そ
れだけ軽量化に貢献できる。
【００３３】また上記各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３を
鉛直に配置したことにより、高さ方向の寸法が大きくな
ることが懸念されるが、この各コンデンサＣ１〜Ｃ３の
高さはフェライト１２の厚さ，及び該フェライト１２と
永久磁石６との隙間により吸収でき、それほど高さ寸法
が大きくなることはない。なお、上記隙間は永久磁石が
高周波回路に過度に接近して電気特性を悪化させないよ
うにするために一般に設けられている。
鉛直に配置したことにより、高さ方向の寸法が大きくな
ることが懸念されるが、この各コンデンサＣ１〜Ｃ３の
高さはフェライト１２の厚さ，及び該フェライト１２と
永久磁石６との隙間により吸収でき、それほど高さ寸法
が大きくなることはない。なお、上記隙間は永久磁石が
高周波回路に過度に接近して電気特性を悪化させないよ
うにするために一般に設けられている。
【００３４】本実施形態では、各単板型コンデンサＣ１
〜Ｃ３のコールド・エンド側の電極をアイソレータ１の
外側に向けたので、ホット・エンド側の電極は内側に向
くことから、該ホット・エンド側からの電磁波の輻射が
外部に漏れるのを防止できる。これにより移動通信機器
に採用した場合の該移動通信機器内部での不要輻射を低
減でき、動作の安定に寄与できる。
〜Ｃ３のコールド・エンド側の電極をアイソレータ１の
外側に向けたので、ホット・エンド側の電極は内側に向
くことから、該ホット・エンド側からの電磁波の輻射が
外部に漏れるのを防止できる。これにより移動通信機器
に採用した場合の該移動通信機器内部での不要輻射を低
減でき、動作の安定に寄与できる。
【００３５】本実施形態では、フェライト１２を四角形
とし、該フェライト１２の各側辺１２ａを囲むように単
板型コンデンサＣ１〜Ｃ３を配置したので、フェライト
１２の実質面積を変えることなく、フェライト１２周り
の面積利用効率を高めることができる。これによりフェ
ライト１２と各コンデンサＣ１〜Ｃ３との間の空きスペ
ースをなくすことができ、この点からも小型化，軽量化
に貢献できる。
とし、該フェライト１２の各側辺１２ａを囲むように単
板型コンデンサＣ１〜Ｃ３を配置したので、フェライト
１２の実質面積を変えることなく、フェライト１２周り
の面積利用効率を高めることができる。これによりフェ
ライト１２と各コンデンサＣ１〜Ｃ３との間の空きスペ
ースをなくすことができ、この点からも小型化，軽量化
に貢献できる。
【００３６】またフェライト１２を四角形としたことに
より、塊状で焼成したフェライトブロックを所定厚さご
とに切り出すことにより容易に製造でき、それだけコス
トを低減できる。ちなみに従来の円板型フェライトを製
造する場合は、１個ずつ金型で成形し、これをばらばら
に焼成しており、コストが高騰するという問題があっ
た。
より、塊状で焼成したフェライトブロックを所定厚さご
とに切り出すことにより容易に製造でき、それだけコス
トを低減できる。ちなみに従来の円板型フェライトを製
造する場合は、１個ずつ金型で成形し、これをばらばら
に焼成しており、コストが高騰するという問題があっ
た。
【００３７】なお、上記実施形態では、各単板型コンデ
ンサＣ１〜Ｃ３のコールド・エンド側電極をアイソレー
タ１の外側に向けた場合を説明したが、ホット・エンド
側電極を外側に向けてもよい。このホット・エンド側電
極を外側に向けた場合には、外部との信号の受け渡しが
容易となる。
ンサＣ１〜Ｃ３のコールド・エンド側電極をアイソレー
タ１の外側に向けた場合を説明したが、ホット・エンド
側電極を外側に向けてもよい。このホット・エンド側電
極を外側に向けた場合には、外部との信号の受け渡しが
容易となる。
【００３８】また上記実施形態では、各単板型コンデン
サＣ１〜Ｃ３を鉛直に配置した場合を説明したが、本発
明は実装面に対して傾斜させて配置してもよい。このよ
うにした場合にも、平面視での投影面積を小さくでき、
小型化に貢献できる。
サＣ１〜Ｃ３を鉛直に配置した場合を説明したが、本発
明は実装面に対して傾斜させて配置してもよい。このよ
うにした場合にも、平面視での投影面積を小さくでき、
小型化に貢献できる。
【００３９】図３は、本発明の他の一実施形態による集
中定数型アイソレータを説明するための図であり、図
中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
中定数型アイソレータを説明するための図であり、図
中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００４０】本実施形態の集中定数型アイソレータ２０
は、各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３を実装面に対して９
０度の角度をなすうよに配置して構成されており、基本
的構造は上記実施形態と同様である。そして本実施形態
では、上記フェライト１２に直流磁界を印加する永久磁
石２１を四角形に形成して構成されている。
は、各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３を実装面に対して９
０度の角度をなすうよに配置して構成されており、基本
的構造は上記実施形態と同様である。そして本実施形態
では、上記フェライト１２に直流磁界を印加する永久磁
石２１を四角形に形成して構成されている。
【００４１】本実施形態では、フェライト１２を四角形
とするとともに、永久磁石２１を四角形としたので、フ
ェライト１２に最適な磁場を印加することができ、電気
的特性を向上できる。また永久磁石２１を四角形とした
ので、塊で焼成したマグネットブロックを所定厚さごと
に切り出すことにより容易に製造でき、上記同様にコス
トを低減できる。
とするとともに、永久磁石２１を四角形としたので、フ
ェライト１２に最適な磁場を印加することができ、電気
的特性を向上できる。また永久磁石２１を四角形とした
ので、塊で焼成したマグネットブロックを所定厚さごと
に切り出すことにより容易に製造でき、上記同様にコス
トを低減できる。
【００４２】なお、上記各実施形態では、集中定数型ア
イソレータを例に説明したが、本発明サーキュレータに
も適用できるとともに、他の高周波部品に採用される非
可逆回路素子にも適用できる。
イソレータを例に説明したが、本発明サーキュレータに
も適用できるとともに、他の高周波部品に採用される非
可逆回路素子にも適用できる。
【００４３】
【発明の効果】請求項１の発明に係る非可逆回路素子に
よれば、各単板型コンデンサをこれの電極面が実装面に
対して６０〜９０度の角度をなすように配置したので、
平面視での投影面積を小さくでき、ひいてはアイソレー
タ全体を小型化，軽量化できる効果がある。また単板型
コンデンサを鉛直配置したことによる高さ方向はフェラ
イト，永久磁石の厚さが吸収することとなり、それほど
高さ寸法が大きくなることはない。
よれば、各単板型コンデンサをこれの電極面が実装面に
対して６０〜９０度の角度をなすように配置したので、
平面視での投影面積を小さくでき、ひいてはアイソレー
タ全体を小型化，軽量化できる効果がある。また単板型
コンデンサを鉛直配置したことによる高さ方向はフェラ
イト，永久磁石の厚さが吸収することとなり、それほど
高さ寸法が大きくなることはない。
【００４４】また各単板型コンデンサのコールド・エン
ド側電極を外側に向けたので、ホット・エンド側からの
電磁波の輻射が外部に漏れるのを防止でき、移動通信機
器に採用した場合の不要輻射を低減でき、安定した動作
が得られる効果がある。
ド側電極を外側に向けたので、ホット・エンド側からの
電磁波の輻射が外部に漏れるのを防止でき、移動通信機
器に採用した場合の不要輻射を低減でき、安定した動作
が得られる効果がある。
【００４５】
【００４６】請求項２の発明では、フェライトを四角形
とするとともに、該フェライトの側辺を囲むように単板
型コンデンサを配置したので、フェライトの実質面積，
容積及び中心電極の長さ及び幅を変えることなくフェラ
イト周りの面積利用効率を高めることができ、それだけ
部品全体をさらに小型化，軽量化できる効果がある。
とするとともに、該フェライトの側辺を囲むように単板
型コンデンサを配置したので、フェライトの実質面積，
容積及び中心電極の長さ及び幅を変えることなくフェラ
イト周りの面積利用効率を高めることができ、それだけ
部品全体をさらに小型化，軽量化できる効果がある。
【００４７】請求項３の発明では、永久磁石の平面形状
を四角形としたので、フェライトに印加される直流磁界
の分布を最適化でき、電気的特性を向上できる効果があ
る。
を四角形としたので、フェライトに印加される直流磁界
の分布を最適化でき、電気的特性を向上できる効果があ
る。
【図１】本発明の一実施形態による集中定数型アイソレ
ータを説明するための分解斜視図である。
ータを説明するための分解斜視図である。
【図２】上記アイソレータの上ヨークを取り外した状態
の平面図である。
の平面図である。
【図３】他の発明の一実施形態によるアイソレータを示
す分解斜視図である。
す分解斜視図である。
【図４】本発明の成立過程を説明するためのアイソレー
タの分解斜視図である。
タの分解斜視図である。
【図５】上記アイソレータの平面図である。
【図６】従来の一般的なアイソレータを示す分解斜視図
である。
である。
１，２０ 集中定数型アイソレータ（非可逆回
路素子） ６，２１ 永久磁石 １２ フェライト １３〜１５ 中心電極 Ｐ１〜Ｐ３ 入出力ポート Ｃ１〜Ｃ３ 単板型コンデンサ
路素子） ６，２１ 永久磁石 １２ フェライト １３〜１５ 中心電極 Ｐ１〜Ｐ３ 入出力ポート Ｃ１〜Ｃ３ 単板型コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−213523（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−343005（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−343004（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−270912（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−252610（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−214210（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−315814（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−98308（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−84203（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−355502（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−338707（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−83301（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−86608（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/383 H01P 1/36
Claims (3)
- 【請求項１】 永久磁石により直流磁界が印加されるフ
ェライトに複数の中心電極を配置し、該各中心電極のポ
ートにそれぞれ整合用コンデンサを接続した非可逆回路
素子において、上記整合用コンデンサを誘電体基板の両
主面全面に該基板を挟んで対向するように電極を形成し
てなる単板型コンデンサとし、該各単板型コンデンサを
これの電極面が実装面に対して６０〜９０度の角度をな
すように傾斜させて配置し、さらに上記単板型コンデン
サのコールド・エンド側の電極の少なくとも一部が該素
子の外側に向けられていることを特徴とする非可逆回路
素子。 - 【請求項２】 請求項１において、上記フェライトが平
面視で四角形のものであり、該フェライトの側辺を囲む
ように上記単板型コンデンサが配置されていることを特
徴とする非可逆回路素子。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、上記永久磁石
が平面視で四角形のものであることを特徴とする非可逆
回路素子。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP25220797A JP3307293B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 非可逆回路素子 |
| EP98117381A EP0903801B1 (en) | 1997-09-17 | 1998-09-14 | Nonreciprocal circuit device |
| DE69821423T DE69821423D1 (de) | 1997-09-17 | 1998-09-14 | Nichtreziproke Schaltungsanordnung |
| US09/153,687 US6420941B2 (en) | 1997-09-17 | 1998-09-15 | Nonreciprocal circuit device |
| CNB981195261A CN1222075C (zh) | 1997-09-17 | 1998-09-17 | 非互易电路器件 |
| KR10-1998-0038421A KR100361432B1 (ko) | 1997-09-17 | 1998-09-17 | 비가역회로장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25220797A JP3307293B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 非可逆回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197910A JPH1197910A (ja) | 1999-04-09 |
| JP3307293B2 true JP3307293B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=17233998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25220797A Expired - Fee Related JP3307293B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 非可逆回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3307293B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007053678A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Tdk Corp | 非可逆回路素子及び通信装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3419369B2 (ja) * | 1999-02-15 | 2003-06-23 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子 |
| JP2001007607A (ja) | 1999-04-23 | 2001-01-12 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
| KR100328246B1 (ko) * | 1999-06-11 | 2002-03-16 | 이형도 | 비가역회로소자 |
| JP3384367B2 (ja) | 1999-09-21 | 2003-03-10 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
| JP4341777B2 (ja) | 2004-10-08 | 2009-10-07 | Ｔｄｋ株式会社 | 非可逆回路素子の製造方法 |
-
1997
- 1997-09-17 JP JP25220797A patent/JP3307293B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007053678A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Tdk Corp | 非可逆回路素子及び通信装置 |
| JP4530165B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2010-08-25 | Ｔｄｋ株式会社 | 非可逆回路素子及び通信装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1197910A (ja) | 1999-04-09 |
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