JP3307218B2 - 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
窒化物半導体レーザ素子の製造方法Info
- Publication number
- JP3307218B2 JP3307218B2 JP5342996A JP5342996A JP3307218B2 JP 3307218 B2 JP3307218 B2 JP 3307218B2 JP 5342996 A JP5342996 A JP 5342996A JP 5342996 A JP5342996 A JP 5342996A JP 3307218 B2 JP3307218 B2 JP 3307218B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nitride semiconductor
- type
- active layer
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化物半導体（Ｉｎ
ＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）
よりなるレーザ素子の製造方法に関する。
ＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）
よりなるレーザ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外〜青色の領域に発光するレーザ素子
の材料として窒化物半導体が知られており、本出願人
は、最近この材料を用いてパルス電流において、室温で
の４１０ｎｍのレーザ発振を発表した（例えば、Jpn.J.
Appl.Phys. Vol.35 (1996) pp.L74-76）。発表したレー
ザ素子はいわゆる電極ストライプ型のレーザ素子であ
り、活性層を含む窒化物半導体層のストライプ幅を数十
μｍにして、レーザ発振させたものである。
の材料として窒化物半導体が知られており、本出願人
は、最近この材料を用いてパルス電流において、室温で
の４１０ｎｍのレーザ発振を発表した（例えば、Jpn.J.
Appl.Phys. Vol.35 (1996) pp.L74-76）。発表したレー
ザ素子はいわゆる電極ストライプ型のレーザ素子であ
り、活性層を含む窒化物半導体層のストライプ幅を数十
μｍにして、レーザ発振させたものである。
【０００３】前記レーザ素子のストライプ導波路である
活性層はエッチングにより形成されており、さらにスト
ライプ側面が大気中に露出している。そのためレーザ素
子の閾値電流は１〜２Ａもある。さらに、エッチングに
よりストライプ導波路を形成すると、フォトマスクの位
置合わせも難しく、またストライプ幅を狭くすることが
困難な傾向にある。導波路の幅は閾値電流を下げるため
には狭いほど好ましい。
活性層はエッチングにより形成されており、さらにスト
ライプ側面が大気中に露出している。そのためレーザ素
子の閾値電流は１〜２Ａもある。さらに、エッチングに
よりストライプ導波路を形成すると、フォトマスクの位
置合わせも難しく、またストライプ幅を狭くすることが
困難な傾向にある。導波路の幅は閾値電流を下げるため
には狭いほど好ましい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】４１０ｎｍの短波長レ
ーザのパルス発振が確認された現在では、早急に室温で
の連続発振が望まれている。従って、本発明はこのよう
な事情を鑑みて成されたものであって、その目的とする
ところは、容易にストライプ幅の狭い活性領域が作製で
きる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供すること
により、レーザ素子の閾値電流を下げて室温での連続発
振を目指すことにある。
ーザのパルス発振が確認された現在では、早急に室温で
の連続発振が望まれている。従って、本発明はこのよう
な事情を鑑みて成されたものであって、その目的とする
ところは、容易にストライプ幅の狭い活性領域が作製で
きる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供すること
により、レーザ素子の閾値電流を下げて室温での連続発
振を目指すことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザ素子の製
造方法は大きく分けて２種類の態様からなり、その第１
の態様は第１導電型を有する第１の窒化物半導体層の上
に、窒化物半導体薄膜が成長しにくい性質を有し、かつ
活性層よりも屈折率が小さい材料よりなるマスクをスト
ライプ状の開口部を有する形状で形成し、その開口部内
に、第２の窒化物半導体よりなる活性層を、活性層の側
面に前記マスクが形成されるように成長させ、前記マス
クの最上層に正電極を形成することを特徴とする。第１
の導電型を有する窒化物半導体にはＡｌを含むｎ型の窒
化物半導体を選択し、また活性層はＩｎを含む窒化物半
導体、さらに好ましくはＩｎを含む窒化物半導体層を少
なくとも含む多重量子井戸構造の活性層を成長させる
と、窒化物半導体層間の屈折率差が大きくなり、また出
力も大になる。
造方法は大きく分けて２種類の態様からなり、その第１
の態様は第１導電型を有する第１の窒化物半導体層の上
に、窒化物半導体薄膜が成長しにくい性質を有し、かつ
活性層よりも屈折率が小さい材料よりなるマスクをスト
ライプ状の開口部を有する形状で形成し、その開口部内
に、第２の窒化物半導体よりなる活性層を、活性層の側
面に前記マスクが形成されるように成長させ、前記マス
クの最上層に正電極を形成することを特徴とする。第１
の導電型を有する窒化物半導体にはＡｌを含むｎ型の窒
化物半導体を選択し、また活性層はＩｎを含む窒化物半
導体、さらに好ましくはＩｎを含む窒化物半導体層を少
なくとも含む多重量子井戸構造の活性層を成長させる
と、窒化物半導体層間の屈折率差が大きくなり、また出
力も大になる。
【０００６】第１の態様において、活性層成長後、その
開口部内に第２導電型を有する第３の窒化物半導体を成
長させ、第３の窒化物半導体層と前記マスクの最上層と
に渡って正電極が形成されるることを特徴とする。第３
の導電型を有する窒化物半導体はＡｌを含むｐ型の窒化
物半導体とすると、活性層との屈折率差が大きくなり最
も好ましい。
開口部内に第２導電型を有する第３の窒化物半導体を成
長させ、第３の窒化物半導体層と前記マスクの最上層と
に渡って正電極が形成されるることを特徴とする。第３
の導電型を有する窒化物半導体はＡｌを含むｐ型の窒化
物半導体とすると、活性層との屈折率差が大きくなり最
も好ましい。
【０００７】また第２の態様は、第１導電型を有する第
１の窒化物半導体層の上に、第２の窒化物半導体よりな
る活性層を成長させ、さらにその活性層の上に、窒化物
半導体薄膜が成長しにくい性質を有し、かつ活性層より
も屈折率が小さい材料よりなるマスクをストライプ状の
開口部を有する形状で形成し、その開口部内に第２導電
型を有する第３の窒化物半導体として、Ａｌを含むｐ型
窒化物半導体からなるｐ型キャップ層と、Ｉｎを含むｐ
型窒化物半導体層若しくはｐ型ＧａＮ、又は二元混晶又
は三元混晶のＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０≦Ｘ≦１）からな
るｐ型光ガイド層と、Ａｌを含むｐ型窒化物半導体から
なるｐ型光閉じ込め層とを成長させることを特徴とす
る。この態様においても第１の導電型の窒化物半導体は
Ａｌを含むｎ型の窒化物半導体を成長させ、活性層はＩ
ｎを含む窒化物半導体、さらに好ましくはＩｎを含む窒
化物半導体層を少なくとも含む多重量子井戸構造の活性
層を成長させ、第３の導電型を有する窒化物半導体はＡ
ｌを含むｐ型の窒化物半導体とすると、活性層との屈折
率差が大きくなり、高出力になる。
１の窒化物半導体層の上に、第２の窒化物半導体よりな
る活性層を成長させ、さらにその活性層の上に、窒化物
半導体薄膜が成長しにくい性質を有し、かつ活性層より
も屈折率が小さい材料よりなるマスクをストライプ状の
開口部を有する形状で形成し、その開口部内に第２導電
型を有する第３の窒化物半導体として、Ａｌを含むｐ型
窒化物半導体からなるｐ型キャップ層と、Ｉｎを含むｐ
型窒化物半導体層若しくはｐ型ＧａＮ、又は二元混晶又
は三元混晶のＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０≦Ｘ≦１）からな
るｐ型光ガイド層と、Ａｌを含むｐ型窒化物半導体から
なるｐ型光閉じ込め層とを成長させることを特徴とす
る。この態様においても第１の導電型の窒化物半導体は
Ａｌを含むｎ型の窒化物半導体を成長させ、活性層はＩ
ｎを含む窒化物半導体、さらに好ましくはＩｎを含む窒
化物半導体層を少なくとも含む多重量子井戸構造の活性
層を成長させ、第３の導電型を有する窒化物半導体はＡ
ｌを含むｐ型の窒化物半導体とすると、活性層との屈折
率差が大きくなり、高出力になる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を元にして、本発明の
製造方法とその作用を詳説する。図１〜図４は、本発明
の第１の態様の製造方法において、各工程において得ら
れる窒化物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式的
な断面図である。なお、以下に示す方法は、有機金属気
相成長（ＭＯＶＰＥ）法による成長方法を示している
が、本発明の方法はＭＯＶＰＥ法に限らず、例えば分子
線気相成長法（ＭＢＥ）、ハライド気相成長法（ＨＤＶ
ＰＥ）等、窒化物半導体を成長させるために知られてい
る方法、全てについて適用できることはいうまでもな
い。
製造方法とその作用を詳説する。図１〜図４は、本発明
の第１の態様の製造方法において、各工程において得ら
れる窒化物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式的
な断面図である。なお、以下に示す方法は、有機金属気
相成長（ＭＯＶＰＥ）法による成長方法を示している
が、本発明の方法はＭＯＶＰＥ法に限らず、例えば分子
線気相成長法（ＭＢＥ）、ハライド気相成長法（ＨＤＶ
ＰＥ）等、窒化物半導体を成長させるために知られてい
る方法、全てについて適用できることはいうまでもな
い。
【０００９】［実施例１］（第１の態様） スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）１１１面を主面とする基板
１をＭＯＶＰＥ装置の反応容器内に設置した後、原料ガ
スにＴＭＧ（トリメチルガリウム）と、アンモニアを用
い、温度５００℃で、基板１の表面にＧａＮよりなるバ
ッファ層を２００オングストロームの膜厚で成長させ
る。基板１にはスピネルの他、Ａ面、Ｒ面、Ｃ面を主面
とするサファイアも使用でき、またこの他、ＳｉＣ、Ｍ
ｇＯ、ＧａＮ、Ｓｉ、ＺｎＯ等の単結晶よりなる従来よ
り知られている基板が用いられる。バッファ層は基板の
種類、成長方法等によっては削除できるので、図では特
に示していない。
１をＭＯＶＰＥ装置の反応容器内に設置した後、原料ガ
スにＴＭＧ（トリメチルガリウム）と、アンモニアを用
い、温度５００℃で、基板１の表面にＧａＮよりなるバ
ッファ層を２００オングストロームの膜厚で成長させ
る。基板１にはスピネルの他、Ａ面、Ｒ面、Ｃ面を主面
とするサファイアも使用でき、またこの他、ＳｉＣ、Ｍ
ｇＯ、ＧａＮ、Ｓｉ、ＺｎＯ等の単結晶よりなる従来よ
り知られている基板が用いられる。バッファ層は基板の
種類、成長方法等によっては削除できるので、図では特
に示していない。
【００１０】続いて温度を１０５０℃に上げ、原料ガス
にＴＭＧ、アンモニア、ドナー不純物としてＳｉＨ
４（シラン）ガスを用いて、ＳｉドープＧａＮよりなる
ｎ型コンタクト層２を４μｍの膜厚で成長させる。ｎ型
コンタクト層２はＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦
X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ、その中でもＳｉドープＧａＮで構成す
ることにより、キャリア濃度の高いｎ型層が得られ、ま
た負電極と好ましいオーミック接触が得られるので、レ
ーザ素子のしきい値電流を低下させることができる。負
電極の材料としてはＡｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓ
ｎ、Ｉｎ等の金属若しくは合金が好ましいオーミックが
得られる。
にＴＭＧ、アンモニア、ドナー不純物としてＳｉＨ
４（シラン）ガスを用いて、ＳｉドープＧａＮよりなる
ｎ型コンタクト層２を４μｍの膜厚で成長させる。ｎ型
コンタクト層２はＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦
X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ、その中でもＳｉドープＧａＮで構成す
ることにより、キャリア濃度の高いｎ型層が得られ、ま
た負電極と好ましいオーミック接触が得られるので、レ
ーザ素子のしきい値電流を低下させることができる。負
電極の材料としてはＡｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓ
ｎ、Ｉｎ等の金属若しくは合金が好ましいオーミックが
得られる。
【００１１】次に、温度を７５０℃にして、原料ガスに
ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、ＳｉドープＩｎ0.
1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防止層（図示せず）を５０
０オングストロームの膜厚で成長させる。クラック防止
層はＩｎを含むｎ型の窒化物半導体、好ましくはＩｎＧ
ａＮで成長させることにより、次に成長させるＡｌを含
む窒化物半導体よりなるｎ型光閉じ込め層３１２を厚膜
で成長させることが可能となり、非常に好ましい。ＬＤ
の場合は、光閉じ込め層、光ガイド層となる層を、例え
ば０．１μｍ以上の膜厚で成長させる必要がある。従来
ではＧａＮ、ＡｌＧａＮ層の上に直接厚膜のＡｌＧａＮ
を成長させると、後から成長させたＡｌＧａＮにクラッ
クが入りやすくなるので素子作製が困難であったが、こ
のクラック防止層が、次に成長させる光閉じ込め層にク
ラックが入るのを防止することができる。クラック防止
層は１００オングストローム以上、０．５μｍ以下の膜
厚で成長させることが好ましい。１００オングストロー
ムよりも薄いと前記のようにクラック防止として作用し
にくく、０．５μｍよりも厚いと、結晶自体が黒変する
傾向にある。なお、このクラック防止層も成長方法、成
長装置等によっては省略可能であるので特に図示してい
ないが、レーザ素子を作製する上では成長させる方が好
ましい。
ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、ＳｉドープＩｎ0.
1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防止層（図示せず）を５０
０オングストロームの膜厚で成長させる。クラック防止
層はＩｎを含むｎ型の窒化物半導体、好ましくはＩｎＧ
ａＮで成長させることにより、次に成長させるＡｌを含
む窒化物半導体よりなるｎ型光閉じ込め層３１２を厚膜
で成長させることが可能となり、非常に好ましい。ＬＤ
の場合は、光閉じ込め層、光ガイド層となる層を、例え
ば０．１μｍ以上の膜厚で成長させる必要がある。従来
ではＧａＮ、ＡｌＧａＮ層の上に直接厚膜のＡｌＧａＮ
を成長させると、後から成長させたＡｌＧａＮにクラッ
クが入りやすくなるので素子作製が困難であったが、こ
のクラック防止層が、次に成長させる光閉じ込め層にク
ラックが入るのを防止することができる。クラック防止
層は１００オングストローム以上、０．５μｍ以下の膜
厚で成長させることが好ましい。１００オングストロー
ムよりも薄いと前記のようにクラック防止として作用し
にくく、０．５μｍよりも厚いと、結晶自体が黒変する
傾向にある。なお、このクラック防止層も成長方法、成
長装置等によっては省略可能であるので特に図示してい
ないが、レーザ素子を作製する上では成長させる方が好
ましい。
【００１２】次に、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＡ（トリメ
チルアルミニウム）、アンモニア、不純物ガスにシラン
ガスを用いて、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりな
るｎ型光閉じ込め層３を０．５μｍの膜厚で成長させ
る。ｎ型光閉じ込め層３はＡｌを含むｎ型の窒化物半導
体で構成し、好ましくは二元混晶あるいは三元混晶のＡ
ｌＹＧａ１−ＹＮ（０＜Y≦１）とすることにより、結
晶性の良いものが得られ、また活性層との屈折率差を大
きくしてレーザ光の縦方向の閉じ込めに有効である。こ
の層は通常０．１μｍ〜１μｍの膜厚で成長させること
が望ましい。０．１μｍよりも薄いと光閉じ込め層とし
て作用しにくく、１μｍよりも厚いと、たとえ、クラッ
ク防止層の上に成長させたＡｌＧａＮでも、結晶中にク
ラックが入りやすくなり、素子作成が困難となる傾向に
ある。図１に、基板１の上に、ｎ型光閉じ込め層３まで
成長させたウェーハの断面図を示す。本実施例では、第
１導電型を有する第１の窒化物半導体層が、このｎ型光
閉じ込め層３に相当する。
チルアルミニウム）、アンモニア、不純物ガスにシラン
ガスを用いて、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりな
るｎ型光閉じ込め層３を０．５μｍの膜厚で成長させ
る。ｎ型光閉じ込め層３はＡｌを含むｎ型の窒化物半導
体で構成し、好ましくは二元混晶あるいは三元混晶のＡ
ｌＹＧａ１−ＹＮ（０＜Y≦１）とすることにより、結
晶性の良いものが得られ、また活性層との屈折率差を大
きくしてレーザ光の縦方向の閉じ込めに有効である。こ
の層は通常０．１μｍ〜１μｍの膜厚で成長させること
が望ましい。０．１μｍよりも薄いと光閉じ込め層とし
て作用しにくく、１μｍよりも厚いと、たとえ、クラッ
ク防止層の上に成長させたＡｌＧａＮでも、結晶中にク
ラックが入りやすくなり、素子作成が困難となる傾向に
ある。図１に、基板１の上に、ｎ型光閉じ込め層３まで
成長させたウェーハの断面図を示す。本実施例では、第
１導電型を有する第１の窒化物半導体層が、このｎ型光
閉じ込め層３に相当する。
【００１３】ｎ型光閉じ込め層３成長後、ウェーハを反
応容器から取り出し、ＣＶＤ装置に移送して、図２に示
すように、ｎ型光閉じ込め層３の表面にＳｉＯ２よりな
るマスク１００を１μｍの膜厚でストライプ状に形成す
る。なお、マスクの間隔は３μｍとする。つまり、スト
ライプ状のマスクの間隔を３μｍに設定して、ｎ型光閉
じ込め層３が３μｍのストライプ幅で露出するようにす
る。マスクに使用したＳｉＯ２は窒化物半導体薄膜が成
長しにくい性質を有しており、また後に形成する活性層
よりも屈折率が小さいため、活性層の横方向の光閉じ込
めに非常に有効である。このような性質を有するマスク
として他には、例えばＳｉＯ２以外の酸化ケイ素（Ｓｉ
ＸＯＹ）、窒化ケイ素（ＳｉＸＮＹ）等を挙げることが
できる。本実施例では、マスク１００をｎ型光閉じ込め
層３の表面に形成したが、ｎ型コンタクト層２の表面に
形成しても良く、また後に述べるｎ型光ガイド層４の表
面に形成しても良い。
応容器から取り出し、ＣＶＤ装置に移送して、図２に示
すように、ｎ型光閉じ込め層３の表面にＳｉＯ２よりな
るマスク１００を１μｍの膜厚でストライプ状に形成す
る。なお、マスクの間隔は３μｍとする。つまり、スト
ライプ状のマスクの間隔を３μｍに設定して、ｎ型光閉
じ込め層３が３μｍのストライプ幅で露出するようにす
る。マスクに使用したＳｉＯ２は窒化物半導体薄膜が成
長しにくい性質を有しており、また後に形成する活性層
よりも屈折率が小さいため、活性層の横方向の光閉じ込
めに非常に有効である。このような性質を有するマスク
として他には、例えばＳｉＯ２以外の酸化ケイ素（Ｓｉ
ＸＯＹ）、窒化ケイ素（ＳｉＸＮＹ）等を挙げることが
できる。本実施例では、マスク１００をｎ型光閉じ込め
層３の表面に形成したが、ｎ型コンタクト層２の表面に
形成しても良く、また後に述べるｎ型光ガイド層４の表
面に形成しても良い。
【００１４】マスク１００形成後、ウェーハを再び反応
容器に移送し、温度を１０５０℃にして、ＴＭＧ、アン
モニア、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉドープｎ
型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層４を５００オングスト
ロームの膜厚で成長させる。ｎ光ガイド層４はストライ
プ状のマスクの開口部に露出されているｎ型光閉じ込め
層３の上には成長するが、マスク１００の上には６角柱
状の結晶ができるのみであり、薄膜はほとんど成長しな
い。このｎ型光ガイド層４は、Ｉｎを含むｎ型の窒化物
半導体若しくはｎ型ＧａＮ、好ましくは三元混晶若しく
は二元混晶のＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０≦X≦１）とす
る。この層は通常１００オングストローム〜１μｍの膜
厚で成長させることが望ましく、特にＩｎＧａＮ、Ｇａ
Ｎとすることにより次の活性層１０４を量子構造とする
ことが容易に可能になる。
容器に移送し、温度を１０５０℃にして、ＴＭＧ、アン
モニア、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉドープｎ
型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層４を５００オングスト
ロームの膜厚で成長させる。ｎ光ガイド層４はストライ
プ状のマスクの開口部に露出されているｎ型光閉じ込め
層３の上には成長するが、マスク１００の上には６角柱
状の結晶ができるのみであり、薄膜はほとんど成長しな
い。このｎ型光ガイド層４は、Ｉｎを含むｎ型の窒化物
半導体若しくはｎ型ＧａＮ、好ましくは三元混晶若しく
は二元混晶のＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０≦X≦１）とす
る。この層は通常１００オングストローム〜１μｍの膜
厚で成長させることが望ましく、特にＩｎＧａＮ、Ｇａ
Ｎとすることにより次の活性層１０４を量子構造とする
ことが容易に可能になる。
【００１５】次に原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニ
アを用いて活性層５を成長させる。活性層５は温度を７
５０℃に保持して、まずノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよ
りなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させ
る。次にＴＭＩのモル比を変化させるのみで、同一温度
で、ノンドープＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５
０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を１
３回繰り返し、最後に井戸層を成長させ総膜厚０．１μ
ｍの膜厚の多重量子井戸構造よりなる活性層５を成長さ
せる。
アを用いて活性層５を成長させる。活性層５は温度を７
５０℃に保持して、まずノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよ
りなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させ
る。次にＴＭＩのモル比を変化させるのみで、同一温度
で、ノンドープＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５
０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を１
３回繰り返し、最後に井戸層を成長させ総膜厚０．１μ
ｍの膜厚の多重量子井戸構造よりなる活性層５を成長さ
せる。
【００１６】活性層５はＩｎを含む窒化物半導体で構成
し、好ましくは三元混晶のＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０＜X
＜１）を含む層とすることが望ましい。三元混晶のＩｎ
ＧａＮは四元混晶のものに比べて結晶性が良い物が得ら
れるので、発光出力が向上する。その中でも特に好まし
くは活性層をＩｎＸＧａ１−ＸＮよりなる井戸層と、井
戸層よりもバンドギャップの大きい窒化物半導体よりな
る障壁層とを積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Mult
i-quantum-well）とする。障壁層も同様に三元混晶のＩ
ｎＸ’Ｇａ１−Ｘ’Ｎ（０≦X'＜１、X'＜X）が好まし
く、例えば井戸＋障壁＋井戸＋・・・＋障壁＋井戸層
（逆でも可）となるように積層して多重量子井戸構造を
構成する。このように活性層をＩｎＧａＮを積層したＭ
ＱＷとすると、量子準位間発光で約３６５ｎｍ〜６６０
ｎｍ間での高出力なＬＤを実現することができる。さら
に、井戸層の上にＩｎＧａＮよりなる障壁層を積層する
と、ＩｎＧａＮよりなる障壁層はＧａＮ、ＡｌＧａＮ結
晶に比べて結晶が柔らかい。そのためクラッド層のＡｌ
ＧａＮの厚さを厚くできるのでレーザ発振が実現でき
る。さらに、ＩｎＧａＮとＧａＮとでは結晶の成長温度
が異なる。例えばＭＯＶＰＥ法ではＩｎＧａＮは６００
℃〜８００℃で成長させるのに対して、ＧａＮは８００
℃より高い温度で成長させる。従って、ＩｎＧａＮより
なる井戸層を成長させた後、ＧａＮよりなる障壁層を成
長させようとすれば、成長温度を上げてやる必要があ
る。成長温度を上げると、先に成長させたＩｎＧａＮ井
戸層が分解してしまうので結晶性の良い井戸層を得るこ
とは難しい。さらに井戸層の膜厚は数十オングストロー
ムしかなく、薄膜の井戸層が分解するとＭＱＷを作製す
るのが困難となる。それに対し本発明では、障壁層もＩ
ｎＧａＮであるため、井戸層と障壁層が同一温度で成長
できる。従って、先に形成した井戸層が分解することが
ないので、結晶性の良いＭＱＷを形成することができ
る。これはＭＱＷの最も好ましい態様を示したものであ
るが、他に井戸層をＩｎＧａＮ、障壁層をＧａＮ、Ａｌ
ＧａＮのように井戸層よりも障壁層のバンドギャップエ
ネルギーを大きくすればどのような組成でも良い。また
活性層５を単一の井戸層のみで構成した単一量子井戸構
造としても良い。この活性層５も同様に、ストライプ幅
３μｍのｎ型光ガイド層４の上には結晶性の良い薄膜が
成長できるが、マスク１００の上にはほとんど成長しな
い。
し、好ましくは三元混晶のＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０＜X
＜１）を含む層とすることが望ましい。三元混晶のＩｎ
ＧａＮは四元混晶のものに比べて結晶性が良い物が得ら
れるので、発光出力が向上する。その中でも特に好まし
くは活性層をＩｎＸＧａ１−ＸＮよりなる井戸層と、井
戸層よりもバンドギャップの大きい窒化物半導体よりな
る障壁層とを積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Mult
i-quantum-well）とする。障壁層も同様に三元混晶のＩ
ｎＸ’Ｇａ１−Ｘ’Ｎ（０≦X'＜１、X'＜X）が好まし
く、例えば井戸＋障壁＋井戸＋・・・＋障壁＋井戸層
（逆でも可）となるように積層して多重量子井戸構造を
構成する。このように活性層をＩｎＧａＮを積層したＭ
ＱＷとすると、量子準位間発光で約３６５ｎｍ〜６６０
ｎｍ間での高出力なＬＤを実現することができる。さら
に、井戸層の上にＩｎＧａＮよりなる障壁層を積層する
と、ＩｎＧａＮよりなる障壁層はＧａＮ、ＡｌＧａＮ結
晶に比べて結晶が柔らかい。そのためクラッド層のＡｌ
ＧａＮの厚さを厚くできるのでレーザ発振が実現でき
る。さらに、ＩｎＧａＮとＧａＮとでは結晶の成長温度
が異なる。例えばＭＯＶＰＥ法ではＩｎＧａＮは６００
℃〜８００℃で成長させるのに対して、ＧａＮは８００
℃より高い温度で成長させる。従って、ＩｎＧａＮより
なる井戸層を成長させた後、ＧａＮよりなる障壁層を成
長させようとすれば、成長温度を上げてやる必要があ
る。成長温度を上げると、先に成長させたＩｎＧａＮ井
戸層が分解してしまうので結晶性の良い井戸層を得るこ
とは難しい。さらに井戸層の膜厚は数十オングストロー
ムしかなく、薄膜の井戸層が分解するとＭＱＷを作製す
るのが困難となる。それに対し本発明では、障壁層もＩ
ｎＧａＮであるため、井戸層と障壁層が同一温度で成長
できる。従って、先に形成した井戸層が分解することが
ないので、結晶性の良いＭＱＷを形成することができ
る。これはＭＱＷの最も好ましい態様を示したものであ
るが、他に井戸層をＩｎＧａＮ、障壁層をＧａＮ、Ａｌ
ＧａＮのように井戸層よりも障壁層のバンドギャップエ
ネルギーを大きくすればどのような組成でも良い。また
活性層５を単一の井戸層のみで構成した単一量子井戸構
造としても良い。この活性層５も同様に、ストライプ幅
３μｍのｎ型光ガイド層４の上には結晶性の良い薄膜が
成長できるが、マスク１００の上にはほとんど成長しな
い。
【００１７】活性層５成長後、温度を１０５０℃にして
ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、アクセプター不純物源と
してＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）
を用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型
キャップ層を１００オングストロームの膜厚で成長させ
る。このｐ型キャップ層は１μｍ以下、さらに好ましく
は１０オングストローム以上、０．１μｍ以下の膜厚で
成長させることにより、ＩｎＧａＮよりなる活性層が分
解するのを防止するキャップ層としての作用があり、ま
た活性層の上にＡｌを含むｐ型窒化物半導体、好ましく
はＡｌＹＧａ１−ＹＮ（０＜Y＜１）よりなるｐ型キャ
ップ層を成長させることにより、発光出力が格段に向上
する。このｐ型キャップ層の膜厚は１μｍよりも厚い
と、層自体にクラックが入りやすくなり素子作製が困難
となる傾向にある。なお、ｐ型キャップ層も成長方法、
成長装置等によっては省略可能であるため、特に図示し
ていない。
ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、アクセプター不純物源と
してＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）
を用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型
キャップ層を１００オングストロームの膜厚で成長させ
る。このｐ型キャップ層は１μｍ以下、さらに好ましく
は１０オングストローム以上、０．１μｍ以下の膜厚で
成長させることにより、ＩｎＧａＮよりなる活性層が分
解するのを防止するキャップ層としての作用があり、ま
た活性層の上にＡｌを含むｐ型窒化物半導体、好ましく
はＡｌＹＧａ１−ＹＮ（０＜Y＜１）よりなるｐ型キャ
ップ層を成長させることにより、発光出力が格段に向上
する。このｐ型キャップ層の膜厚は１μｍよりも厚い
と、層自体にクラックが入りやすくなり素子作製が困難
となる傾向にある。なお、ｐ型キャップ層も成長方法、
成長装置等によっては省略可能であるため、特に図示し
ていない。
【００１８】次に温度を１０５０℃に保持しながら、Ｔ
ＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用いＭｇドープｐ型Ｇ
ａＮよりなるｐ型光ガイド層６を５００オングストロー
ムの膜厚で成長させる。ｐ型光ガイド層６も、Ｉｎを含
むｐ型の窒化物半導体若しくはｐ型ＧａＮ、好ましくは
二元混晶または三元混晶のＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０≦X
≦１）を成長させる。ｐ型光ガイド層６は、通常１００
オングストローム〜１μｍの膜厚で成長させることが望
ましく、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮとすることにより、次
のｐ型光閉じ込め層７を結晶性良く成長できる。
ＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用いＭｇドープｐ型Ｇ
ａＮよりなるｐ型光ガイド層６を５００オングストロー
ムの膜厚で成長させる。ｐ型光ガイド層６も、Ｉｎを含
むｐ型の窒化物半導体若しくはｐ型ＧａＮ、好ましくは
二元混晶または三元混晶のＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０≦X
≦１）を成長させる。ｐ型光ガイド層６は、通常１００
オングストローム〜１μｍの膜厚で成長させることが望
ましく、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮとすることにより、次
のｐ型光閉じ込め層７を結晶性良く成長できる。
【００１９】続いて、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃ
ｐ2Ｍｇを用いてＭｇドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる
ｐ型光閉じ込め層７を０．５μｍの膜厚で成長させる。
なお、ｐ型光閉じ込め層７は、Ａｌを含むｐ型の窒化物
半導体で構成し、好ましくは二元混晶または三元混晶の
ＡｌａＧａ１−ａＮ（０＜a≦１）とすることにより結
晶性の良いものが得られる。ｐ型光閉じ込め層７はｎ型
光閉じ込め層３と同じく、０．１μｍ〜１μｍの膜厚で
成長させることが望ましく、ＡｌＧａＮのようなＡｌを
含むｐ型窒化物半導体とすることにより、活性層との屈
折率差を大きくして、レーザ光の縦方向の光閉じ込め層
として有効に作用する。
ｐ2Ｍｇを用いてＭｇドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる
ｐ型光閉じ込め層７を０．５μｍの膜厚で成長させる。
なお、ｐ型光閉じ込め層７は、Ａｌを含むｐ型の窒化物
半導体で構成し、好ましくは二元混晶または三元混晶の
ＡｌａＧａ１−ａＮ（０＜a≦１）とすることにより結
晶性の良いものが得られる。ｐ型光閉じ込め層７はｎ型
光閉じ込め層３と同じく、０．１μｍ〜１μｍの膜厚で
成長させることが望ましく、ＡｌＧａＮのようなＡｌを
含むｐ型窒化物半導体とすることにより、活性層との屈
折率差を大きくして、レーザ光の縦方向の光閉じ込め層
として有効に作用する。
【００２０】続いて、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇ
を用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト
層８を、０．５μｍの膜厚で成長させる。ｐ型コンタク
ト層８はｐ型ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦X、
０≦Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＩｎＧ
ａＮ、ＧａＮ、その中でもＭｇをドープしたｐ型ＧａＮ
とすると、最もキャリア濃度の高いｐ型層が得られて、
正電極と良好なオーミック接触が得られ、しきい値電流
を低下させることができる。正電極の材料としてはＮ
ｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ等の比較的仕
事関数の高い金属又は合金がオーミックが得られやす
い。マスク１００のストライプ状の開口部にｐ型コンタ
クト層８まで成長させたウェーハの断面図を図３に示
す。この図に示すように、窒化物半導体はマスク１００
の開口部に露出している窒化物半導体層の上には成長す
るが、マスク１００の上にはほとんど成長せず、六角柱
状の結晶が付着するのみである。
を用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト
層８を、０．５μｍの膜厚で成長させる。ｐ型コンタク
ト層８はｐ型ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦X、
０≦Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＩｎＧ
ａＮ、ＧａＮ、その中でもＭｇをドープしたｐ型ＧａＮ
とすると、最もキャリア濃度の高いｐ型層が得られて、
正電極と良好なオーミック接触が得られ、しきい値電流
を低下させることができる。正電極の材料としてはＮ
ｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ等の比較的仕
事関数の高い金属又は合金がオーミックが得られやす
い。マスク１００のストライプ状の開口部にｐ型コンタ
クト層８まで成長させたウェーハの断面図を図３に示
す。この図に示すように、窒化物半導体はマスク１００
の開口部に露出している窒化物半導体層の上には成長す
るが、マスク１００の上にはほとんど成長せず、六角柱
状の結晶が付着するのみである。
【００２１】このように、マスク１００の開口部をスト
ライプとすることにより、例えば５μｍ以下のストライ
プ幅の活性層５を含む窒化物半導体を成長させることが
できる。しかもストライプの両側には活性層よりも屈折
率が小さい材料よりなるマスク１００が形成されている
ため、屈折率導波型のレーザ素子が実現できることによ
り閾値電流を下げることができる。しかも、活性層５を
含むストライプをエッチングしないで形成するので、活
性層側面にエッチングによるダメージを与えることがな
い。
ライプとすることにより、例えば５μｍ以下のストライ
プ幅の活性層５を含む窒化物半導体を成長させることが
できる。しかもストライプの両側には活性層よりも屈折
率が小さい材料よりなるマスク１００が形成されている
ため、屈折率導波型のレーザ素子が実現できることによ
り閾値電流を下げることができる。しかも、活性層５を
含むストライプをエッチングしないで形成するので、活
性層側面にエッチングによるダメージを与えることがな
い。
【００２２】以上のようにして窒化物半導体を積層した
ウェーハを反応容器から取り出した後、ウェットエッチ
ングによりマスク１００の表面に付着した窒化物半導体
の結晶（六角柱状の結晶）を除去する。結晶除去後、清
浄にしたマスク１００の表面と、ｐ型コンタクト層８と
の表面に、新たな第２のマスクを形成して、ＳｉＯ2よ
りなるマスク１００をウェットエッチングにより一部除
去した後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置に
て、負電極を形成すべきｎ型コンタクト層２の平面を露
出させる。次に最上層のｐ型コンタクト層８とマスク１
００とに渡る最上層のほぼ全面に正電極２０を形成し、
露出させたｎ型コンタクト層２には、活性層の発振領域
に平行、つまりストライプに平行な、ストライプ状の負
電極２１を形成する。
ウェーハを反応容器から取り出した後、ウェットエッチ
ングによりマスク１００の表面に付着した窒化物半導体
の結晶（六角柱状の結晶）を除去する。結晶除去後、清
浄にしたマスク１００の表面と、ｐ型コンタクト層８と
の表面に、新たな第２のマスクを形成して、ＳｉＯ2よ
りなるマスク１００をウェットエッチングにより一部除
去した後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置に
て、負電極を形成すべきｎ型コンタクト層２の平面を露
出させる。次に最上層のｐ型コンタクト層８とマスク１
００とに渡る最上層のほぼ全面に正電極２０を形成し、
露出させたｎ型コンタクト層２には、活性層の発振領域
に平行、つまりストライプに平行な、ストライプ状の負
電極２１を形成する。
【００２３】電極形成後、ウェーハを研磨装置に移送
し、基板を８０μｍの厚さになるまで研磨して薄くした
後、負電極２１に垂直な方向でウェーハを劈開して共振
面を作製する。共振面となる劈開面に誘電体多層膜より
なる反射鏡をスパッタリング装置を用いて形成して共振
器を作製する。さらにストライプ状の負電極２１に平行
な方向でウェーハをダイシングして、共振器長５００μ
ｍのレーザチップとする。図４はこのレーザチップの構
造を示す断面図である。以上のようにして得られたチッ
プをヒートシンクに設置してレーザ素子としたところ、
しきい値電流が直流０．１Ａで、４１０ｎｍの連続発振
を示した。
し、基板を８０μｍの厚さになるまで研磨して薄くした
後、負電極２１に垂直な方向でウェーハを劈開して共振
面を作製する。共振面となる劈開面に誘電体多層膜より
なる反射鏡をスパッタリング装置を用いて形成して共振
器を作製する。さらにストライプ状の負電極２１に平行
な方向でウェーハをダイシングして、共振器長５００μ
ｍのレーザチップとする。図４はこのレーザチップの構
造を示す断面図である。以上のようにして得られたチッ
プをヒートシンクに設置してレーザ素子としたところ、
しきい値電流が直流０．１Ａで、４１０ｎｍの連続発振
を示した。
【００２４】［実施例２］（第２の態様） 図５〜図８も本発明の方法において得られる窒化物半導
体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図であり、第
２の態様はこれらの図を用いて説明する。
体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図であり、第
２の態様はこれらの図を用いて説明する。
【００２５】図５に示すように、実施例１と同様にして
基板１の上に、バッファ層、ｎ型コンタクト層２、クラ
ック防止層、ｎ型光閉じ込め層３を積層した後、マスク
を形成せず、光閉じ込め層３の上に、続いてｎ型光ガイ
ド層４、活性層５までを成長させる。
基板１の上に、バッファ層、ｎ型コンタクト層２、クラ
ック防止層、ｎ型光閉じ込め層３を積層した後、マスク
を形成せず、光閉じ込め層３の上に、続いてｎ型光ガイ
ド層４、活性層５までを成長させる。
【００２６】活性層５成長後、ウェーハを反応容器から
取り出し、活性層５の上に実施例１と同様にして、Ｓｉ
Ｏ2よりなるマスク１００を０．５μｍの膜厚で、３μ
ｍのストライプ幅が露出するように形成する。図６にそ
の断面図を示す。なお第２の態様では、マスク１００は
活性層６に接して形成することが好ましいが、活性層の
上であれば、後に述べるｐ型キャップ層、若しくはｐ型
光ガイド層６の表面に形成してもよい。
取り出し、活性層５の上に実施例１と同様にして、Ｓｉ
Ｏ2よりなるマスク１００を０．５μｍの膜厚で、３μ
ｍのストライプ幅が露出するように形成する。図６にそ
の断面図を示す。なお第２の態様では、マスク１００は
活性層６に接して形成することが好ましいが、活性層の
上であれば、後に述べるｐ型キャップ層、若しくはｐ型
光ガイド層６の表面に形成してもよい。
【００２７】マスク１００形成後、再度ウェーハを反応
容器に移送し、前述の３μｍのストライブの内部に、実
施例１と同様にしてｐ型キャップ層、ｐ型光ガイド層
６、ｐ型光閉じ込め層７、およびｐ型コンタクト層８を
成長させる。図７はこの工程終了後の構造を示してい
る。このように活性層５の上にマスク１００を形成した
後選択成長することにより、ｐ型光閉じ込め層７、ｐ型
コンタクト層８とがリッジ型の形状となるため、実質的
に屈折率導波型のレーザ素子ができるので、閾値電流を
低下させることができる。またマスク１００が絶縁体で
もあるので、電流狭窄層ともなる。
容器に移送し、前述の３μｍのストライブの内部に、実
施例１と同様にしてｐ型キャップ層、ｐ型光ガイド層
６、ｐ型光閉じ込め層７、およびｐ型コンタクト層８を
成長させる。図７はこの工程終了後の構造を示してい
る。このように活性層５の上にマスク１００を形成した
後選択成長することにより、ｐ型光閉じ込め層７、ｐ型
コンタクト層８とがリッジ型の形状となるため、実質的
に屈折率導波型のレーザ素子ができるので、閾値電流を
低下させることができる。またマスク１００が絶縁体で
もあるので、電流狭窄層ともなる。
【００２８】以上のようにして窒化物半導体を成長した
ウェーハを実施例１と同様にして、負電極を形成すべき
ｎ型コンタクト層を露出させ、正電極２０、負電極２１
を設けたレーザ素子としたところ、実施例１とほぼ同等
の特性を示した。
ウェーハを実施例１と同様にして、負電極を形成すべき
ｎ型コンタクト層を露出させ、正電極２０、負電極２１
を設けたレーザ素子としたところ、実施例１とほぼ同等
の特性を示した。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
ると、ストライプ幅の狭い活性層を容易に形成できる。
またストライプ状の活性層の共振方向の側面には活性層
よりも屈折率が小さいマスクが形成されているため、横
方向の光閉じ込めができるため単一モードのレーザ光が
得られやすい。従ってレーザの閾値電流が低下するので
常温での連続発振が可能となる。
ると、ストライプ幅の狭い活性層を容易に形成できる。
またストライプ状の活性層の共振方向の側面には活性層
よりも屈折率が小さいマスクが形成されているため、横
方向の光閉じ込めができるため単一モードのレーザ光が
得られやすい。従ってレーザの閾値電流が低下するので
常温での連続発振が可能となる。
【図１】 本発明の方法の一工程において得られる窒化
物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
【図２】 本発明の方法の一工程において得られる窒化
物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
【図３】 本発明の方法の一工程において得られる窒化
物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
【図４】 本発明の方法により得られたレーザ素子の構
造を示す模式断面図。
造を示す模式断面図。
【図５】 本発明の方法の一工程において得られる窒化
物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
【図６】 本発明の方法の一工程において得られる窒化
物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
【図７】 本発明の方法の一工程において得られる窒化
物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
物半導体ウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
【図８】 本発明の方法により得られたレーザ素子の構
造を示す模式断面図。
造を示す模式断面図。
１・・・基板 ２・・・ｎ型コンタクト層 ３・・・ｎ型光閉じ込め層 ４・・・ｎ型光ガイド層 ５・・・活性層 ６・・・ｐ型光ガイド層 ７・・・ｐ型光閉じ込め層 ８・・・ｐ型コンタクト層 ２０・・・正電極 ２１・・・負電極 １００・・・マスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−18159（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−21904（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−283482（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−275906（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−316582（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−219090（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−55536（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−30195（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−263792（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−111487（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−292878（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 33/00
Claims (3)
- 【請求項１】 第１導電型を有する第１の窒化物半導体
層の上に、窒化物半導体薄膜が成長しにくい性質を有
し、かつ活性層よりも屈折率が小さい材料よりなるマス
クをストライプ状の開口部を有する形状で形成し、その
開口部内に、第２の窒化物半導体よりなる活性層を、活
性層の側面に前記マスクが形成されるように成長させ、
前記マスクの最上層に正電極を形成することを特徴とす
る窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記活性層成長後、その開口部内に第２
導電型を有する第３の窒化物半導体を成長させ、該第３
の窒化物半導体層と前記マスクの最上層とに渡って正電
極が形成されることを特徴とする請求項１に記載の窒化
物半導体の製造方法。 - 【請求項３】 第１導電型を有する第１の窒化物半導体
層の上に、第２の窒化物半導体よりなる活性層を成長さ
せ、さらにその活性層の上に、窒化物半導体薄膜が成長
しにくい性質を有し、かつ活性層よりも屈折率が小さい
材料よりなるマスクをストライプ状の開口部を有する形
状で形成し、その開口部内に第２導電型を有する第３の
窒化物半導体として、Ａｌを含むｐ型窒化物半導体から
なるｐ型キャップ層と、Ｉｎを含むｐ型窒化物半導体層
若しくはｐ型ＧａＮ、又は二元混晶又は三元混晶のＩｎ
ＸＧａ１−ＸＮ（０≦Ｘ≦１）からなるｐ型光ガイド層
と、Ａｌを含むｐ型窒化物半導体からなるｐ型光閉じ込
め層とを成長させることを特徴とする窒化物半導体レー
ザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5342996A JP3307218B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5342996A JP3307218B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002006460A Division JP2002289972A (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246666A JPH09246666A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3307218B2 true JP3307218B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=12942605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5342996A Expired - Fee Related JP3307218B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3307218B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6936859B1 (en) | 1998-05-13 | 2005-08-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound |
| JP5179694B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2013-04-10 | マイクロガン ゲーエムベーハー | 後面にドナーをドープしたヘテロ構造 |
| JP3898537B2 (ja) | 2002-03-19 | 2007-03-28 | 日本電信電話株式会社 | 窒化物半導体の薄膜形成方法および窒化物半導体発光素子 |
-
1996
- 1996-03-11 JP JP5342996A patent/JP3307218B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09246666A (ja) | 1997-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2900990B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP3446660B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP3431389B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP2891348B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP4043087B2 (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 | |
| JP4991025B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3336599B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3794530B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3604278B2 (ja) | 窒化物半導体レーザー素子 | |
| JP3441883B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3329753B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3264163B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP4628651B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP3307218B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH1027939A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3379619B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3656454B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3772651B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JPH09307193A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP3101997B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3218595B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP3334624B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP2005101536A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JPH09199798A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JPH09260771A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090517 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090517 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090517 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100517 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100517 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110517 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120517 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120517 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130517 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130517 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140517 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |