JP3303871B2 - 非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子Info
- Publication number
- JP3303871B2 JP3303871B2 JP2000027497A JP2000027497A JP3303871B2 JP 3303871 B2 JP3303871 B2 JP 3303871B2 JP 2000027497 A JP2000027497 A JP 2000027497A JP 2000027497 A JP2000027497 A JP 2000027497A JP 3303871 B2 JP3303871 B2 JP 3303871B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- center conductor
- angle
- reciprocal circuit
- degrees
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯の高
周波回路部品として採用される非可逆回路素子，例えば
アイソレータの改善に関する。
周波回路部品として採用される非可逆回路素子，例えば
アイソレータの改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、マイクロ波集中定数型のアイソ
レータは、減衰量が信号の伝送方向には極めて小さく、
逆方向には極めて大きい特性を有しており、携帯電話，
自動車電話等の送受信回路部等に採用されている。この
ようなアイソレータは、図１０に示すように、３本の中
心導体３０，３０，３０を電気的絶縁状態にかつ所定角
度をなすように交差させて配置し、該各中心導体３０の
一端部の各ポートに整合用容量Ｃを接続するとともに他
端部をアースに接続し、上記各中心導体３０の交差部分
にフェライト３１を当接させるとともに直流磁界を印加
し、上記何れか１つのポートに終端抵抗器（不図示）を
接続して構成されている。上記アイソレータを構成する
場合、従来、各中心導体３０の交差角度は全て設計では
１２０度（実際の加工公差は±１度）にしている。
レータは、減衰量が信号の伝送方向には極めて小さく、
逆方向には極めて大きい特性を有しており、携帯電話，
自動車電話等の送受信回路部等に採用されている。この
ようなアイソレータは、図１０に示すように、３本の中
心導体３０，３０，３０を電気的絶縁状態にかつ所定角
度をなすように交差させて配置し、該各中心導体３０の
一端部の各ポートに整合用容量Ｃを接続するとともに他
端部をアースに接続し、上記各中心導体３０の交差部分
にフェライト３１を当接させるとともに直流磁界を印加
し、上記何れか１つのポートに終端抵抗器（不図示）を
接続して構成されている。上記アイソレータを構成する
場合、従来、各中心導体３０の交差角度は全て設計では
１２０度（実際の加工公差は±１度）にしている。
【０００３】また上記中心導体の構造としては、フェラ
イトの両面に金属導体を巻回したもの、また誘電体基板
の両面にエッチング等により中心電極をパターン形成
し、各電極をスルーホールで接続したものがあり、さら
に誘電体，磁性体セラミックスシートに中心電極をパタ
ーン形成し、これを積層して同時に一体焼結したもの、
等がある。
イトの両面に金属導体を巻回したもの、また誘電体基板
の両面にエッチング等により中心電極をパターン形成
し、各電極をスルーホールで接続したものがあり、さら
に誘電体，磁性体セラミックスシートに中心電極をパタ
ーン形成し、これを積層して同時に一体焼結したもの、
等がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記３本の
中心導体の各交差角度を１２０度に設定した場合は、３
つのポートの動作が等しくなることから特性の観点から
みれば対称性は良い。しかしながら、この交差角度の設
定はインサーション・ロスの低減の観点からみると大き
な障害となっている。
中心導体の各交差角度を１２０度に設定した場合は、３
つのポートの動作が等しくなることから特性の観点から
みれば対称性は良い。しかしながら、この交差角度の設
定はインサーション・ロスの低減の観点からみると大き
な障害となっている。
【０００５】即ち、図１１に示すように、交差角度１２
０度に対応した高周波磁界の回転角を得るフェライトに
印加される直流バイアス磁界では、磁性体損失μ+ 〃が
大きくなり、インサーション・ロスが増大してしまう。
ここで、高周波磁界の回転角はμ+ ´とμ- ´との差で
決定される。また交差角１２０度での動作点におけるμ
+ 〃とμ- 〃との差が磁性体損失分となる。
０度に対応した高周波磁界の回転角を得るフェライトに
印加される直流バイアス磁界では、磁性体損失μ+ 〃が
大きくなり、インサーション・ロスが増大してしまう。
ここで、高周波磁界の回転角はμ+ ´とμ- ´との差で
決定される。また交差角１２０度での動作点におけるμ
+ 〃とμ- 〃との差が磁性体損失分となる。
【０００６】ここで、インサーション・ロスの低減を図
るには、各中心導体の交差角度を全て同一に設定するの
ではなく、該交差角度をその直流バイアス磁界による高
周波磁界の回転角と対応させて設定することが有効であ
る。
るには、各中心導体の交差角度を全て同一に設定するの
ではなく、該交差角度をその直流バイアス磁界による高
周波磁界の回転角と対応させて設定することが有効であ
る。
【０００７】一方、アイソレータの各中心導体の交差角
度を変化させることによりインサーション・ロス特性は
向上できるものの、アイソレーション特性は劣化する場
合がある。これは交差角度を変えることによりインピー
ダンスが変化するためであり、この点での改善が要請さ
れている。
度を変化させることによりインサーション・ロス特性は
向上できるものの、アイソレーション特性は劣化する場
合がある。これは交差角度を変えることによりインピー
ダンスが変化するためであり、この点での改善が要請さ
れている。
【０００８】本発明は上記従来の状況に鑑みてなされた
もので、中心導体の交差角度をその直流バイアス磁界に
よる高周波磁界の回転角と対応させることにより、イン
サーション・ロスを低減でき、さらには交差角度を変化
させることにより生じるアイソレーション特性の劣化を
回避でき、よって所望の電気的特性を確保できる非可逆
回路素子を提供することを目的としている。
もので、中心導体の交差角度をその直流バイアス磁界に
よる高周波磁界の回転角と対応させることにより、イン
サーション・ロスを低減でき、さらには交差角度を変化
させることにより生じるアイソレーション特性の劣化を
回避でき、よって所望の電気的特性を確保できる非可逆
回路素子を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、中心
導体を所定角度をなすように配置し、該中心導体に直流
磁界を印加するとともに、上記中心導体の何れか１つに
終端抵抗を接続した非可逆回路素子において、上記中心
導体は３本の中心導体を所定角度に交差させたものであ
り、上記終端抵抗の抵抗値を、上記各中心導体の交差に
より形成される３組の交差角度のうち少なくとも１組の
交差角度を残り２組の交差角度と異なる値に設定したこ
とによるインピーダンスの変化を補正するような値に設
定したことを特徴としている。
導体を所定角度をなすように配置し、該中心導体に直流
磁界を印加するとともに、上記中心導体の何れか１つに
終端抵抗を接続した非可逆回路素子において、上記中心
導体は３本の中心導体を所定角度に交差させたものであ
り、上記終端抵抗の抵抗値を、上記各中心導体の交差に
より形成される３組の交差角度のうち少なくとも１組の
交差角度を残り２組の交差角度と異なる値に設定したこ
とによるインピーダンスの変化を補正するような値に設
定したことを特徴としている。
【００１０】請求項２の発明は、請求項１において、上
記残り２組の交差角度を異なる値に設定したことを特徴
としている。
記残り２組の交差角度を異なる値に設定したことを特徴
としている。
【００１１】請求項３の発明は、請求項１において、上
記残り２組の交差角度を同じ値に設定したことを特徴と
している。
記残り２組の交差角度を同じ値に設定したことを特徴と
している。
【００１２】請求項４の発明は、請求項１ないし３の何
れかにおいて、上記少なくとも１組の交差角度が１２０
度より大きく設定されていることを特徴としている。
れかにおいて、上記少なくとも１組の交差角度が１２０
度より大きく設定されていることを特徴としている。
【００１３】請求項５の発明は、請求項１ないし４の何
れかにおいて、上記終端抵抗値が５０Ωより大きく設定
されていることを特徴としている。
れかにおいて、上記終端抵抗値が５０Ωより大きく設定
されていることを特徴としている。
【００１４】
【００１５】
【作用】ここで、図６は、各中心導体の交差角度とイン
サーション・ロス及び直流バイアス磁界との関係を示す
特性図（実測値）である。また、図７は、交差角度をそ
れぞれ１２０度，１５０度に設定したときのインサーシ
ョン・ロスとアイソレーションとの関係を示す特性図
（実測値）である。
サーション・ロス及び直流バイアス磁界との関係を示す
特性図（実測値）である。また、図７は、交差角度をそ
れぞれ１２０度，１５０度に設定したときのインサーシ
ョン・ロスとアイソレーションとの関係を示す特性図
（実測値）である。
【００１６】図６から明らかなように、直流バイアス磁
界に制約条件がなければ、中心導体の交差角度を大きく
するほどインサーション・ロスは低減できる。例えば、
サイズが５．０×４．５×２．５ｍｍの直方体状のアイ
ソレータを考えた場合、該サイズにより磁気回路が制約
を受けるため最大印加磁力は１１３０Ｇ程度となる。こ
のときのインサーション・ロスを最小に抑えるには中心
導体の交差角度は１５０度に設定するのが望ましい。
界に制約条件がなければ、中心導体の交差角度を大きく
するほどインサーション・ロスは低減できる。例えば、
サイズが５．０×４．５×２．５ｍｍの直方体状のアイ
ソレータを考えた場合、該サイズにより磁気回路が制約
を受けるため最大印加磁力は１１３０Ｇ程度となる。こ
のときのインサーション・ロスを最小に抑えるには中心
導体の交差角度は１５０度に設定するのが望ましい。
【００１７】特に携帯電話等に採用される送受信系回路
では、消費電力が小さいほど電池寿命を延長できること
から、該回路で用いられるデバイスは電力消費を抑える
ために低損失であることが望ましい。従って、上記送受
信系回路に採用されるアイソレータにおいてもできるだ
け低損失であることが重要となる。
では、消費電力が小さいほど電池寿命を延長できること
から、該回路で用いられるデバイスは電力消費を抑える
ために低損失であることが望ましい。従って、上記送受
信系回路に採用されるアイソレータにおいてもできるだ
け低損失であることが重要となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１９】図１及び図２は、請求項１，２，３，４，
６の発明の第１実施形態によるアイソレータを説明する
ための図であり、図１はアイソレータの回路構造図、図
２は各中心導体の交差角度を示す構成図である。
６の発明の第１実施形態によるアイソレータを説明する
ための図であり、図１はアイソレータの回路構造図、図
２は各中心導体の交差角度を示す構成図である。
【００２０】図において、１０はマイクロ波帯域で採用
される集中定数型のアイソレータであり、これは第１〜
第３中心導体２，３，４を互いに電気的絶縁状態で、か
つ交差させて配置し、該各中心導体２〜４の交差部分に
フェライト５の一主面を当接するとともに、図示しない
永久磁石により直流バイアス磁界Ｈｅｘを印加して構成
されている。上記各中心導体２〜４，フェライト５，及
び永久磁石は図示しない磁気閉回路を構成する磁性体ヨ
ーク内に収容されている。
される集中定数型のアイソレータであり、これは第１〜
第３中心導体２，３，４を互いに電気的絶縁状態で、か
つ交差させて配置し、該各中心導体２〜４の交差部分に
フェライト５の一主面を当接するとともに、図示しない
永久磁石により直流バイアス磁界Ｈｅｘを印加して構成
されている。上記各中心導体２〜４，フェライト５，及
び永久磁石は図示しない磁気閉回路を構成する磁性体ヨ
ーク内に収容されている。
【００２１】上記各中心導体２〜４の一端２ａ，３ａ，
４ａはアースに接続されており、他端には入出力用ポー
トＰ１，Ｐ２，Ｐ３が接続されており、該各ポートＰ１
〜Ｐ３には整合用容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が並列接続され
ている。
４ａはアースに接続されており、他端には入出力用ポー
トＰ１，Ｐ２，Ｐ３が接続されており、該各ポートＰ１
〜Ｐ３には整合用容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が並列接続され
ている。
【００２２】上記アイソレータ１０の何れか１つのポー
トＰ３には無反射終端抵抗器Ｒが接続されており、これ
によりポートＰ１からの信号をポートＰ２に伝送し、該
ポートＰ２から進入する反射波を終端抵抗器Ｒで吸収す
るようになっている。
トＰ３には無反射終端抵抗器Ｒが接続されており、これ
によりポートＰ１からの信号をポートＰ２に伝送し、該
ポートＰ２から進入する反射波を終端抵抗器Ｒで吸収す
るようになっている。
【００２３】そして上記各中心導体２〜４の交差角度θ
１〜θ３は、以下のように設定されている。第１中心導
体２と第２中心導体３とのなす交差角度θ１は１１０
度、第２中心導体３と第３中心導体４とのなす交差角度
θ２は１２０度、第３中心導体４と第１中心導体２との
なす交差角度θ３は１３０度にそれぞれ設定されてい
る。これにより上記３つの交差角度θ１〜θ３のうち第
２中心導体２と第３中心導体４との角度θ２のみ１２０
度に、残りは１１０度，１３０度に設定されている。
１〜θ３は、以下のように設定されている。第１中心導
体２と第２中心導体３とのなす交差角度θ１は１１０
度、第２中心導体３と第３中心導体４とのなす交差角度
θ２は１２０度、第３中心導体４と第１中心導体２との
なす交差角度θ３は１３０度にそれぞれ設定されてい
る。これにより上記３つの交差角度θ１〜θ３のうち第
２中心導体２と第３中心導体４との角度θ２のみ１２０
度に、残りは１１０度，１３０度に設定されている。
【００２４】また上記終端抵抗器Ｒの抵抗値は目標とす
るアイソレーション特性が得られる値に設定されてお
り、具体的には５０Ω以上に設定されている。
るアイソレーション特性が得られる値に設定されてお
り、具体的には５０Ω以上に設定されている。
【００２５】本実施例のアイソレータ１０によれば、各
中心導体２〜４の交差角度θ１〜θ３のうちθ２のみ１
２０度とし、残りのθ１，θ３をそれぞれ１１０度，１
３０度と変化させたので、θ３をなす第３中心導体４と
第１中心導体２の間のインサーション・ロス特性を改善
でき、これにより電力消費を抑制して電池寿命を延長で
きるとともに、電気的特性の劣化を抑制しながら部品の
小型化に対応できる。ここで、上記フェライト５には従
来よりも高い直流バイアス磁界を印加するのが望まし
い、これにより動作磁界を高くしてμ+ 〃の値が小さく
なるところで動作させてフェライトの磁性体損失を抑え
ることができ、よって交差角度を変化させた場合のイン
サーション・ロス低減をより効果的に行うことができる
からである。
中心導体２〜４の交差角度θ１〜θ３のうちθ２のみ１
２０度とし、残りのθ１，θ３をそれぞれ１１０度，１
３０度と変化させたので、θ３をなす第３中心導体４と
第１中心導体２の間のインサーション・ロス特性を改善
でき、これにより電力消費を抑制して電池寿命を延長で
きるとともに、電気的特性の劣化を抑制しながら部品の
小型化に対応できる。ここで、上記フェライト５には従
来よりも高い直流バイアス磁界を印加するのが望まし
い、これにより動作磁界を高くしてμ+ 〃の値が小さく
なるところで動作させてフェライトの磁性体損失を抑え
ることができ、よって交差角度を変化させた場合のイン
サーション・ロス低減をより効果的に行うことができる
からである。
【００２６】一方、上記アイソレータ１０の各中心導体
２〜４の交差角度を変化させることによりインサーショ
ン・ロス特性は向上できるもののアイソレーション特性
は劣化する場合がある。これは交差角度を変えることに
よりインピーダンスが変化するためであり、これを解消
するために、本実施形態では、終端抵抗器Ｒの抵抗値を
５０Ω以上としたので、インサーション・ロス特性の向
上を図りながら、アイソレーション特性の改善を図るこ
とができる。
２〜４の交差角度を変化させることによりインサーショ
ン・ロス特性は向上できるもののアイソレーション特性
は劣化する場合がある。これは交差角度を変えることに
よりインピーダンスが変化するためであり、これを解消
するために、本実施形態では、終端抵抗器Ｒの抵抗値を
５０Ω以上としたので、インサーション・ロス特性の向
上を図りながら、アイソレーション特性の改善を図るこ
とができる。
【００２７】図８及び図９は、それぞれ上記アイソレー
タ１０の終端抵抗値とアイソレーション特性との関係を
示す特性図である。各図に示すように、終端抵抗値を従
来の５０Ωより大きくすることによりアイソレーション
特性を改善できることがわかる。例えば、終端抵抗値を
１００Ωとした場合にはアイソレーションは１７ｄＢと
なり、１５０Ωでは３３ｄＢとなっており、減衰特性が
向上している。
タ１０の終端抵抗値とアイソレーション特性との関係を
示す特性図である。各図に示すように、終端抵抗値を従
来の５０Ωより大きくすることによりアイソレーション
特性を改善できることがわかる。例えば、終端抵抗値を
１００Ωとした場合にはアイソレーションは１７ｄＢと
なり、１５０Ωでは３３ｄＢとなっており、減衰特性が
向上している。
【００２８】図３〜図５は、それぞれ他の実施形態によ
る中心導体の交差角度を説明するための図であり、図
中、図２と同一符号は同一又は相当部分を示す。
る中心導体の交差角度を説明するための図であり、図
中、図２と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００２９】図３は、請求項３，４，６の発明の第２実
施形態を示し、第１中心導体２と第２中心導体３とのな
す交差角度θ１を１１０度、第２中心導体３と第３中心
導体４とのなす交差角度θ２を１５０度、第３中心導体
４と第１中心導体２とのなす交差角度θ３を１００度に
それぞれ設定し、これにより各交差角度θ１〜θ３は全
て１２０度以外でかつそれぞれ異なる角度に設定されて
いる。
施形態を示し、第１中心導体２と第２中心導体３とのな
す交差角度θ１を１１０度、第２中心導体３と第３中心
導体４とのなす交差角度θ２を１５０度、第３中心導体
４と第１中心導体２とのなす交差角度θ３を１００度に
それぞれ設定し、これにより各交差角度θ１〜θ３は全
て１２０度以外でかつそれぞれ異なる角度に設定されて
いる。
【００３０】図４は、請求項３，５，６の発明の第３実
施形態を示し、第１中心導体２と第２中心導体３とのな
す交差角度θ１，及び第２中心導体３と第３中心導体４
とのなす交差角度θ２をそれぞれ１０５度に設定し、第
３中心導体４と第１中心導体２とのなす交差角度θ３を
１５０度に設定した例である。
施形態を示し、第１中心導体２と第２中心導体３とのな
す交差角度θ１，及び第２中心導体３と第３中心導体４
とのなす交差角度θ２をそれぞれ１０５度に設定し、第
３中心導体４と第１中心導体２とのなす交差角度θ３を
１５０度に設定した例である。
【００３１】また図５は、請求項３，５，６の発明の第
４実施形態を示し、第１中心導体２と第２中心導体３と
のなす交差角度θ１，及び第２中心導体３と第３中心導
体４とのなす交差角度θ２をそれぞれ１５０度に設定
し、第３中心導体４と第１中心導体２とのなす交差角度
θ３を６０度に設定した例である。これにより各交差角
度θ１〜θ３は全て１２０度以外でかつθ１，θ２のみ
同じ角度に設定されている。
４実施形態を示し、第１中心導体２と第２中心導体３と
のなす交差角度θ１，及び第２中心導体３と第３中心導
体４とのなす交差角度θ２をそれぞれ１５０度に設定
し、第３中心導体４と第１中心導体２とのなす交差角度
θ３を６０度に設定した例である。これにより各交差角
度θ１〜θ３は全て１２０度以外でかつθ１，θ２のみ
同じ角度に設定されている。
【００３２】上記第２，第３，第４実施形態において
も、終端抵抗器の抵抗値を５０Ω以上に設定することに
よって、インサーション・ロス特性の向上を図りなが
ら、アイソレーション特性の改善を図ることができ、第
１実施形態と同様の効果が得られる。
も、終端抵抗器の抵抗値を５０Ω以上に設定することに
よって、インサーション・ロス特性の向上を図りなが
ら、アイソレーション特性の改善を図ることができ、第
１実施形態と同様の効果が得られる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明に係る非可逆回路素
子によれば、終端抵抗値を中心導体の交差角度が異なる
ことで生じたインピーダンスの変化を補正するような値
に設定したので、このインピーダンスの変化に起因する
アイソレーション特性の劣化を改善できる効果がある。
子によれば、終端抵抗値を中心導体の交差角度が異なる
ことで生じたインピーダンスの変化を補正するような値
に設定したので、このインピーダンスの変化に起因する
アイソレーション特性の劣化を改善できる効果がある。
【００３４】特に、インサーション・ロスを低減するた
めに、中心導体の交差角度を変化させた場合に生じるイ
ンピーダンスの変化によるアイソレーション特性の劣化
を改善するのに好適である。
めに、中心導体の交差角度を変化させた場合に生じるイ
ンピーダンスの変化によるアイソレーション特性の劣化
を改善するのに好適である。
【図１】本発明の第１実施形態によるアイソレータを説
明するための等価回路図である。
明するための等価回路図である。
【図２】上記アイソレータの交差角度を示す構成図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２実施形態による交差角度を示す構
成図である。
成図である。
【図４】本発明の第３実施形態の他の例による交差角度
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図５】本発明の第４実施形態による交差角度を示す構
成図である。
成図である。
【図６】上記交差角度とインサーション・ロス及び直流
バイアス磁界との関係を示す特性図である。
バイアス磁界との関係を示す特性図である。
【図７】上記交差角度とインサーション・ロス特性及び
アイソレーション特性との関係を示す特性図である。
アイソレーション特性との関係を示す特性図である。
【図８】上記アイソレータの終端抵抗値とアイソレーシ
ョン特性との関係を示す特性図である。
ョン特性との関係を示す特性図である。
【図９】上記アイソレータの終端抵抗値とアイソレーシ
ョン特性との関係を示す特性図である。
ョン特性との関係を示す特性図である。
【図１０】従来の一般的なアイソレータの等価回路図で
ある。
ある。
【図１１】従来の問題点を説明するための特性図であ
る。
る。
１０ アイソレータ（非可逆回路素子） ２〜４ 中心導体 θ１〜θ３ 交差角度 Ｒ 終端抵抗器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−122909（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−336112（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−204711（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−283616（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/36 H01P 1/383
Claims (5)
- 【請求項１】 中心導体を所定角度をなすように配置
し、該中心導体に直流磁界を印加するとともに、上記中
心導体の何れか１つに終端抵抗を接続した非可逆回路素
子において、上記中心導体は３本の中心導体を所定角度
に交差させたものであり、上記終端抵抗の抵抗値を、上
記各中心導体の交差により形成される３組の交差角度の
うち少なくとも１組の交差角度を残り２組の交差角度と
異なる値に設定したことによるインピーダンスの変化を
補正するような値に設定したことを特徴とする非可逆回
路素子。 - 【請求項２】 請求項１において、上記残り２組の交差
角度を異なる値に設定したことを特徴とする非可逆回路
素子。 - 【請求項３】 請求項１において、上記残り２組の交差
角度を同じ値に設定したことを特徴とする非可逆回路素
子。 - 【請求項４】 請求項１ないし３の何れかにおいて、上
記少なくとも１組の交差角度が１２０度より大きく設定
されていることを特徴とする非可逆回路素子。 - 【請求項５】 請求項１ないし４の何れかにおいて、上
記終端抵抗値が５０Ωより大きく設定されていることを
特徴とする非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000027497A JP3303871B2 (ja) | 1995-07-31 | 2000-02-04 | 非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19503095 | 1995-07-31 | ||
| JP7-195030 | 1995-07-31 | ||
| JP2000027497A JP3303871B2 (ja) | 1995-07-31 | 2000-02-04 | 非可逆回路素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07341374A Division JP3106392B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-12-27 | 非可逆回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174509A JP2000174509A (ja) | 2000-06-23 |
| JP3303871B2 true JP3303871B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=26508877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000027497A Expired - Lifetime JP3303871B2 (ja) | 1995-07-31 | 2000-02-04 | 非可逆回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3303871B2 (ja) |
-
2000
- 2000-02-04 JP JP2000027497A patent/JP3303871B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000174509A (ja) | 2000-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3106392B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| US5994974A (en) | Isolator comprising three central conductors intersecting each other at predetermined angles | |
| JP2002299915A (ja) | 非可逆回路素子及び通信装置 | |
| US7453326B2 (en) | Nonreciprocal circuit device | |
| EP1087459B1 (en) | Nonreciprocal circuit device and communication apparatus incorporating same | |
| JP3303871B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP3458806B2 (ja) | 非可逆回路素子及び通信機装置 | |
| JP3164029B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP3395748B2 (ja) | 非可逆回路素子及び通信機装置 | |
| JP4066349B2 (ja) | ３巻線型非可逆素子 | |
| JP4507190B2 (ja) | ３巻線型非可逆素子 | |
| JP3230588B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP3331702B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP3331701B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP2607675Y2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP3807589B2 (ja) | アイソレータ | |
| JPH1079607A (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP3267010B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JPH0537206A (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP2001111309A (ja) | 非可逆回路素子及び通信機装置 | |
| JPH1013109A (ja) | 集中定数型サーキュレータ | |
| JPH11225006A (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JPH1079606A (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP2004320482A (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JPH1041707A (ja) | 集中定数型アイソレータ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020402 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120510 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120510 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130510 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130510 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140510 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |