JP3289527B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

液晶表示装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばカメラ一体型V
TRや液晶プロジエクター装置等に用いられる液晶表示
装置の製造方法に関し、更に詳しくは、マイクロ集光レ
ンズの形成方法を改良した液晶表示装置の製造方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、カメラ一体型VTRや液晶プロジ
ェクターに代表される液晶表示装置付機器の普及ととも
に、液晶表示装置への高性能化の要求が高まり、液晶表
示装置の高精細化や高輝度化への取組みが進行してい
る。本発明は高精細化や高輝度化に直接関連する画素用
マイクロ集光レンズ(以下、単に「マイクロレンズ」と
略記する)の形成方法に係わるものであり、その構成例
を示して説明する。
【0003】従来技術の液晶表示装置およびその製造方
法を図6を参照して説明する。
【0004】同図において、符号1は従来技術の液晶表
示装置を指す。前記従来技術の液晶表示装置1はカラー
フィルタ(カラー液晶の場合)やブラックマトリクス或
いはマイクロレンズ等が形成された対向基板2、各画素
制御用の薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transis
tor 以下、単に「TFT」と略記する)や蓄積容量Cs
等が形成されたTFT基板3で大略構成される。
【0005】前記TFT基板3の細部構成は、各画素制
御の用途に供するTFT部4や、映像を映出する開口部
5で構成される。前記TFT部4は、詳細は後述するが
板厚0.5〜1.5mmのガラス等でなる基板6の上部
にフォトリソグラフィ技術によってTFTの構成要素で
あるゲート配線7や、信号電圧を供給する信号線8や、
印加された信号電圧の蓄積の用に供するCs配線9を形
成した後に、燐シリケートガラス等の1PSG膜や2P
SG膜である層間絶縁膜10を形成する。その上にプラ
ズマCVD等により絶縁層であるP−SiN等を成膜し
(図示省略)、引き続いてマスクを用いてエッチング処
理される。なお、前記対向基板2とTFT基板3の貼り
合わせ精度を向上するために、従来の対向基板上ではな
くTFT基板上にブラックマトリクスを形成する場合が
あり、その場合にはこの段階でブラックマトリクスが形
成される。その後、液晶のイレギュラーな配向を抑制す
るための平坦化材11をスピンコータ等で塗布し、液晶
に電荷を印加するための画素電極(ITO:Indium-Tin
Oxide)12を形成する。更に、前記画素電極12との
電気的接続を得るためのコンタクト部13を写真処理技
術で形成して構成される。
【0006】なお、従来技術の液晶表示装置1では、T
FT部4に面積を専有されて開口部5の面積が制限され
るため、充分な透過率を確保することができない場合が
ある。そのため各画素の開口部分にマイクロレンズを形
成し、元来TFT部4に照射されていた光を開口部5に
集光する手法が採られている。このマイクロレンズの実
現方法としては、マイクロレンズアレイを別途作成後に
対向基板2と貼り合わせる方法や、前記対向基板2上に
直接、所謂オンチップ型マイクロレンズ(OCL)とし
て形成する方法等が知られている。
【0007】図6は、マイクロレンズがオンチップ型マ
イクロレンズとして対向基板上に形成された一例を示し
ており、その構成を説明する。対向基板2において、対
向基板上の画素仕切り部分には遮光を目的としたブラッ
クマトリクスがCr膜をパターンエッチングする方法等
で形成されている(図示省略)。そして、その表面にレ
ンズ材料14をステッパー等を用いて形成後、保護膜1
5をフォトリソグラフィ技術によりパターニングして形
成する。更に、その表面には図示を省略したが対向電極
や、配向膜としてポリイミド膜を形成して構成されてい
る。更に図6は、例えばバックライトから照射された光
Aが対向基板2の上部から入射されたとき、対向基板2
に形成されたレンズ材料14の“ずれ”Bの影響によ
り、光路CがTFT部4に遮られて無効となされている
状態を示している。
【0008】前記対向基板2とTFT基板3は所定の間
隔(数μm)を保持して対向配置され、その周囲をシー
ル材(図示省略)で封止固定するとともに、これらの間
隙に液晶組成物16を挟持させる。更に、これら基板の
両面に偏光板を一体的に積層することにより従来技術の
液晶表示装置1は構成されている。そして、従来技術の
液晶表示装置1のTFT部4は外部IC(図示省略)か
ら各画素の映像レベルに応じた映像信号を信号線8から
TFTを介して液晶組成物16である液晶分子に供給す
る。供給された映像信号電圧で液晶分子を電圧方向に捩
じれて倒立させ、この液晶分子による旋光性を利用して
従来技術の液晶表示装置1の映像表示がなされる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のような
従来技術の液晶表示装置における対向基板とマイクロレ
ンズアレイを別々に形成して重ね合わせる方法では、対
向基板とマイクロレンズアレイを重ね合わせるための重
ね合わせマージンが必要となり、画素開口率が低下する
とともにマイクロレンズに“ずれ”が発生して集光率が
低下し易い。また、対向基板上にオンチップ型マイクロ
レンズを形成する場合においては、マスクを用いた写真
処理工程が必要となり、製造プロセスや対向基板の構造
が複雑になり製造コストが上昇し易いという課題があ
る。更に、オンチップ型マイクロレンズが形成された対
向基板とTFT基板との貼り合わせ精度においても限界
があり、対向基板とTFT基板との貼り合わせ“ずれ”
が発生した場合、集光率が低下するという課題がある。
【0010】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、対向基板上にマイクロレンズアレイが重ね合わされ
た場合の重ね合わせ精度不良による開口率や集光率の低
下、オンチップ型マイクロレンズが形成された対向基板
とTFT基板の貼り合わせ精度の限界による集光率の低
下を回避した液晶表示装置の製造方法を提供するもので
ある。
【0011】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに本発明のTFT部を備えたTFT基板と、対向基板
とからなる液晶表示装置の製造方法において、前記TF
T基板のTFT部の表面にレンズ材料であるネガ型感光
性樹脂を塗布する工程と、前記TFT基板の裏面部から
TFT部を用いたセルフアライン方式にて露光してパタ
ーニングする工程とを備えた。その後、リフローによっ
てマイクロレンズを形成する工程と、UV硬化等により
硬化する工程等でマイクロレンズを形成することとし
た。
【0012】同様に、本発明の液晶表示装置の製造方法
において、TFT基板の裏面部にレンズ材料であるネガ
型感光性樹脂を塗布する工程と、前記TFT基板の表面
部からTFTを用いたセルフアライン方式にて露光して
パターニングする工程とを備えた。その後、リフロー又
は異方性エッチングによってマイクロレンズを形成する
工程等でマイクロレンズを形成することとした。
【0013】
【作用】本発明の液晶表示装置の製造方法において、マ
イクロレンズをTFT基板の表面部にネガ型感光性樹脂
を塗布後、TFT基板の裏面部からTFT部を用いたセ
ルフアライン方式にて露光、リフローして形成すること
としたため、液晶表示装置に適合したレンズ形成が可能
となり画素開口率及びレンズ集光率を向上することがで
きる。
【0014】特に、マイクロレンズをTFT基板の裏面
部にネガ型感光性樹脂を塗布後、TFT基板の表面部か
らTFT部を用いたセルフアライン方式にて露光、リフ
ロー又は異方性エッチングして形成することとしたた
め、画素開口率及びレンズ集光率を向上することができ
るとともに製造プロセスの簡易化や製造コストの低減を
図ることができる。
【0015】
【実施例】以下、図1ないし図5を参照して、本発明の
液晶表示装置の製造方法の実施例を説明する。なお、従
来技術の液晶表示装置を示す図と同一の部分には同一の
参照符号を付し、それらの構成や動作の説明を省略す
る。
【0016】実施例1 本実施例はTFT基板の表面部にマイクロレンズを形成
した例であり、これを図1及び図2を参照して説明す
る。
【0017】先ず、洗浄した石英ガラス等よりなる基板
6上にLP−CVD(減圧化学的気相成長法)等により
多結晶Siである1Poly20を成膜し、熱処理等に
より結晶粒を成長させる。その上部を酸化して絶縁膜を
形成し、後述するゲート電極やCs電極となる多結晶S
i膜をデポジションし、フォトリソグラフィ技術を用い
てパターニングして形成する。更に、例えば配線材料と
して一般的に使用されるAl−1%Siをスパッタリン
グ等により成膜してパターニングすることにより、ゲー
ト配線7や信号線8やCs配線9を形成する。次いで、
AP−CVD(常圧化学的気相成長法)により、燐シリ
ケートガラス等の層間絶縁層10を形成する。また、画
素回路の配線用としてコンタクト部13を開口する。そ
して、その上部にレンズ材料21としてネガ型感光性樹
脂をスピンコータ等で塗布する(図1(a))。
【0018】次に、本発明の第1のポンイト部分である
基板6の下部から例えば紫外線等の光Aを照射して全面
露光を行う。この段階でTFT基板3上にブラックマト
リクスが形成されていればより効果的であるが、ブラッ
クマトリクスが形成されてない場合でも1Poly20
や信号線等をマスクとして用いることにより、セルフア
ライン方式で開口部5のみの露光が可能である(図1
(b))。
【0019】ここで、TFT基板上に形成されたレンズ
材料21はネガ型感光性樹脂のため紫外線等の光Aを照
射することにより開口部5の樹脂材料は残余され、TF
T部4の樹脂材料は溶解して消滅する(図1(c))。
【0020】続いて図2の後半プロセスに移行し、熱処
理工程において例えば100乃至400°Cの温度で熱
処理(リフロー)を施すことにより、残余した樹脂材料
の形状がだれる特性を利用してレンズ形状の形成及び焼
成を行う。また、この熱処理工程の温度条件とレンズ材
料21の最適化によって所望のレンズ形状を形成できる
点が本発明の第2のポイント部分である(図2
(a))。
【0021】次に、レンズ形成工程通過の際にレンズ表
面を傷つけないようにスピンナー等で保護膜15を塗布
する。この場合、液晶の配向不良等を防止する目的で平
坦化を行うことで同時に保護膜を形成することができ
る。なお、前記平坦化技術の詳細は本出願人が先に出願
した特願平4−359187号明細書に記載されてい
る。その後、電荷を印加するための画素電極22を形成
して、その画素電極22と電気的接続を得るためのコン
タクト部23を開口する(図2(b))。
【0022】そして、対向基板2を所定の間隔を保持し
て対向配置させ、その周囲をシール材(図示省略)で封
止固定するとともに、これらの間隙に液晶組成物16を
挟持させる。更に、次工程に移行されて液晶表示装置の
作製工程を終了する(図2(c))。
【0023】実施例2 本実施例はTFT基板の裏面部にマイクロレンズを形成
した例であり、これを図3及び図4を参照して説明す
る。
【0024】図3において、前述の第1の実施例と同様
に基板6上には、ゲート配線7、信号線8、Cs配線
9、層間絶縁膜10、コンタクト部13、そして1Po
ly20等が形成されたTFT基板3の裏面部にレンズ
材料21であるネガ型感光性樹脂をスピンナー等で塗布
する(図3(a))。
【0025】次に、本実施例のポンイト部分であるがT
FT基板3の上部から例えば紫外線等の光Aを照射して
全面露光を行う。この段階でTFT基板3上にブラック
マトリクスが形成されていれば効果的であるが、ブラッ
クマトリクスが形成されてない場合でも1Poly20
や信号線等をマスクとして用いることにより、セルフア
ライン方式で開口部5のみの露光が可能である(図3
(b))。
【0026】ここで、TFT基板3裏面上に形成された
レンズ材料21はネガ型感光性樹脂のため紫外線等の光
Aを照射することにより開口部5の樹脂材料は残余さ
れ、TFT部4の樹脂材料は溶解して消滅する(図3
(c))。
【0027】続いて、熱処理工程において例えば100
乃至400°Cの温度で熱処理を施すことにより、残余
した樹脂材料を熱変形させ、図示の如き凸形のレンズ形
状を作成及び焼成を行う。また、この熱処理工程の温度
条件とレンズ材料21自体の融点の最適化により所望の
レンズ形状を実現することができる(図3(d))。
【0028】図4の後半プロセスに移行して、レンズ形
成工程通過の際にレンズ表面を傷つけないようにスピン
ナー等で保護膜15を塗布する。この保護膜15は液晶
パネル完成後に薬品で剥離するか或いはそのまま残余さ
せる(図4(a))。
【0029】次に、液晶の配向不良等を防止する目的で
平坦化材11をスピンナー等で塗布する。その後、電荷
を印加するための画素電極22を形成して、その画素電
極22と電気的接続を得るためのコンタクト部23を開
口する。そして、前述と同様に対向基板2を所定の間隔
を保持して対向配置させ、その周囲をシール材で封止固
定するとともにこれらの間隙に液晶組成物16を挟持さ
せる(図4(b))。
【0030】ここで、次工程に移行されて液晶パネルの
組立工程を終了する。液晶パネルの組立工程終了後、前
記保護膜15を薬品等で剥離する。また、前述のように
前記保護膜15はそのまま残余させても良い(図4
(c))。
【0031】実施例3本実施例は、前述の2例における
マイクロレンズ形成工程に変えて、異方性エッチングを
用いた転写による方法でマイクロレンズを形成した例で
あり、これを図5を参照して説明する。なお、本実施例
の途中工程は前記第2の実施例と同一であるため、図5
にはその特徴部分の工程断面図のみを示した。
【0032】前述の第2の実施例を示す図3(d)にお
いて、ゲート配線7、信号線8、Cs配線9、層間絶縁
膜10、コンタクト部13、そして1Poly20等が
形成された基板6の裏面部にレンズ材料21で所望のレ
ンズ形状を形成後、本実施例の工程に移行する。即ち、
レンズ材料21と基板6が同一のエッチングレートが得
られる異方性エッチングを行うことによりエッチバック
を進行させる。そして、レンズ材料21の形状をそのま
ま基板6側へ転写してマイクロレンズの形成を行う。そ
の後の工程は第2の実施例と同様である(図5)。
【0033】本発明は前記実施例に限定されず、種々の
実施形態を採ることができる。前記実施例では一例とし
て多結晶Siの製造プロセスについて説明したが、非結
晶(アモルファス)Siに適用しても無論有効である
し、ダイオード等の2端子制御素子にも適用可能であ
る。また、アクティブ制御素子を有しないパッシブ型液
晶表示装置にも適用可能であり、液晶表示装置の駆動形
態には何ら限定されない。更に、液晶表示装置以外の例
えばプラズマディスプレイ装置や大型液晶表示装置等に
も適用可能であり、その他様々な形態に発展できること
は言うまでもない。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明の液晶表示装
置の製造方法によれば、セルフアライン方式でマイクロ
レンズを形成するため、従来技術の液晶表示装置におけ
る対向基板とマイクロレンズアレイを別々に形成して重
ね合わせる方法に比して、対向基板とマイクロレンズア
レイの重ね合わせ不良によるマイクロレンズの“ずれ”
が原理的に発生しないため画素開口率及びレンズ集光率
が向上する。同じく、対向基板上にオンチップ型マイク
ロレンズを形成する場合に比して、マスク合わせ等の工
程が不要となり、製造プロセスが簡略化されるとともに
位置制御が正確になされ画素開口率及びレンズ集光率が
向上する。更に、マイクロレンズ形成工程における熱処
理工程の温度条件とレンズ材料の最適化によって所望の
レンズ形状を容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の液晶表示装置の製造方法の第1の実
施例の前半工程を説明するための工程断面図である。
【図2】 本発明の液晶表示装置の製造方法の第1の実
施例の後半工程を説明するための工程断面図である。
【図3】 本発明の液晶表示装置の製造方法の第2の実
施例の前半工程を説明するための工程断面図である。
【図4】 本発明の液晶表示装置の製造方法の第2の実
施例の後半工程を説明するための工程断面図である。
【図5】 本発明のTFTアクティブマトリクス液晶基
板の製造方法の第3の実施例を説明するための工程断面
図である。
【図6】 従来技術の液晶表示装置の断面構造を示す模
式的断面図である。
【符号の説明】
1 従来技術の液晶表示装置 2 対向基板 3 TFT基板 4 TFT部 5 開口部 6 基板 7 ゲート配線 8 信号線 9 Cs配線 10 層間絶縁膜 11 平坦化材 12、22 画素電極 13、23 コンタクト部 14 レンズ材料 15 保護膜 16 液晶組成物(液晶分子) 20 1Poly 21 レンズ材料(ネガ型感光性樹脂) A 光 B “ずれ” C 光路

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のTFT部が形成されたTFT基板
    と、対向基板とを含んで成る液晶表示装置の製造方法で
    あって、 前記TFT基板のTFT部の表面部にレンズ材料である
    ネガ型感光性樹脂を塗布する工程と、 前記TFT基板の裏面部から露光してパターニングする
    パターニング工程と、 その後リフローによってレンズ形成を行うレンズ形成工
    程と、 硬化を行う硬化工程とを有することを特徴とする液晶表
    示装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 複数のTFT部が形成されたTFT基板
    と、対向基板とを含んで成る液晶表示装置の製造方法で
    あって、 前記TFT基板の裏面部にレンズ材料であるネガ型感光
    性樹脂を塗布する工程と、 前記TFT基板の表面部から露光してパターニングする
    パターニング工程と、 その後リフローによってレンズ形成を行うレンズ形成工
    程と、 硬化を行う硬化工程とを有することを特徴とする液晶表
    示装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 複数のTFT部が形成されたTFT基板
    と、対向基板とを含んで成る液晶表示装置の製造方法で
    あって、 前記TFT基板の裏面部にレンズ材料であるネガ型感光
    性樹脂を塗布する工程と、 前記TFT基板の表面部から露光してパターニングする
    パターニング工程と、 リフローによりレンズ形成を行うレンズ形成工程と、 その後異方性エッチングによってTFT基板の裏面部に
    転写を行う転写工程と、 硬化を行う硬化工程とを有することを特徴とする液晶表
    示装置の製造方法。
  4. 【請求項4】 請求項1、2または請求項3に記載の硬
    化工程は熱硬化、UV硬化、EB硬化の内の少なくとも
    一つであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  5. 【請求項5】 請求項1、2または請求項3に記載の露
    光を、前記TFT基板のTFT部を用いたセルフアライ
    ン方式にて行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方
    法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102866550A (zh) * 2012-09-24 2013-01-09 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板、显示面板及其制备方法
CN103454808A (zh) * 2013-09-06 2013-12-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、彩膜基板和显示装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4800473B2 (ja) * 1999-11-30 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶パネル及び液晶プロジェクター
JP3991569B2 (ja) * 2000-09-13 2007-10-17 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、それを用いた投射型液晶表示装置並びに電子機器
JP2003029418A (ja) * 2001-07-10 2003-01-29 Pohang Eng College 高エネルギー光源を用いた構造物の製造方法
US7715102B2 (en) 2004-02-27 2010-05-11 Sharp Kabushiki Kaisha Display apparatus and electronic device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102866550A (zh) * 2012-09-24 2013-01-09 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板、显示面板及其制备方法
CN102866550B (zh) * 2012-09-24 2015-03-25 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板、显示面板及其制备方法
US9425369B2 (en) 2012-09-24 2016-08-23 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, display panel and preparing method thereof
CN103454808A (zh) * 2013-09-06 2013-12-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、彩膜基板和显示装置

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