JP3285558B2 - 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度磁気記録に
適する磁性膜を有する磁気記録媒体及びこれを用いた磁
気記憶装置に関する。
適する磁性膜を有する磁気記録媒体及びこれを用いた磁
気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在実用化されている磁気ディスク装置
は、面内磁気記録方式を採用している。面内磁気記録方
式では、ディスク基板面と平行な方向に磁化し易い面内
磁気記録媒体に基板と平行な面内磁区を高密度に形成す
ることが技術課題となっている。面内記録では、磁化が
互いに逆向きで隣接するため、線記録密度を伸ばすため
には、記録膜の保磁力を増大させるとともに膜厚を減少
していくことが必要である。記録膜の膜厚が小さくなる
と熱揺らぎのために記録磁化強度が減少し、極端な場合
には記録情報が失われるという問題が発生する。面内記
録方式では、従来から用いられているＣｏ合金系の記録
膜を用いた場合、２０Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録密度の
実現が困難になる。
は、面内磁気記録方式を採用している。面内磁気記録方
式では、ディスク基板面と平行な方向に磁化し易い面内
磁気記録媒体に基板と平行な面内磁区を高密度に形成す
ることが技術課題となっている。面内記録では、磁化が
互いに逆向きで隣接するため、線記録密度を伸ばすため
には、記録膜の保磁力を増大させるとともに膜厚を減少
していくことが必要である。記録膜の膜厚が小さくなる
と熱揺らぎのために記録磁化強度が減少し、極端な場合
には記録情報が失われるという問題が発生する。面内記
録方式では、従来から用いられているＣｏ合金系の記録
膜を用いた場合、２０Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録密度の
実現が困難になる。
【０００３】垂直磁気記録方式は、薄膜媒体の膜面に垂
直に磁化を形成する方式で、記録原理や媒体ノイズの発
現機構が従来の面内磁気記録媒体の場合とは異なるが、
隣接する磁化が向き合わないために、本質的に高密度磁
気記録に適した方式として注目され、垂直磁気記録に適
した媒体の構造などが提案されている。Ｃｏ合金材料か
らなる垂直磁化膜の垂直配向性を改善するために垂直磁
化膜と基板との間に非磁性材料下地を設ける方法が検討
されている。例えば、特開昭５８−７７０２５号公報、
特開昭５８−１４１４３５号公報にはＣｏ−Ｃｒ磁性膜
の下地層としてＴｉ膜を形成する方法が、特開昭６０−
２１４４１７号公報には下地層としてＧｅ，Ｓｉ材料を
用いる方法が、特開昭６０−０６４４１３号公報にはＣ
ｏＯ，ＮｉＯ等の酸化物下地層材料が開示されている。
直に磁化を形成する方式で、記録原理や媒体ノイズの発
現機構が従来の面内磁気記録媒体の場合とは異なるが、
隣接する磁化が向き合わないために、本質的に高密度磁
気記録に適した方式として注目され、垂直磁気記録に適
した媒体の構造などが提案されている。Ｃｏ合金材料か
らなる垂直磁化膜の垂直配向性を改善するために垂直磁
化膜と基板との間に非磁性材料下地を設ける方法が検討
されている。例えば、特開昭５８−７７０２５号公報、
特開昭５８−１４１４３５号公報にはＣｏ−Ｃｒ磁性膜
の下地層としてＴｉ膜を形成する方法が、特開昭６０−
２１４４１７号公報には下地層としてＧｅ，Ｓｉ材料を
用いる方法が、特開昭６０−０６４４１３号公報にはＣ
ｏＯ，ＮｉＯ等の酸化物下地層材料が開示されている。
【０００４】また、単磁極型の記録ヘッドと組み合わせ
て用いられる垂直磁気記録媒体として、基板と垂直磁化
膜の間にパーマロイなどの軟磁性膜層を設けた媒体が検
討されている。また、垂直磁気記録媒体のノイズを低減
したり記録分解能を向上させる手段として、Ｃｏ合金材
料からなる垂直磁化膜の途中に非磁性のＣｏＣｒ膜やＴ
ｉ膜を導入することが有効である。このような技術は、
例えば第５回垂直磁気記録シンポジウム会議資料集（１
９９６年１０月２３−２５日）９５〜１００頁の「単層
垂直磁気ディスク媒体の高Ｓ／Ｎ化」と題する論文に記
載されている。
て用いられる垂直磁気記録媒体として、基板と垂直磁化
膜の間にパーマロイなどの軟磁性膜層を設けた媒体が検
討されている。また、垂直磁気記録媒体のノイズを低減
したり記録分解能を向上させる手段として、Ｃｏ合金材
料からなる垂直磁化膜の途中に非磁性のＣｏＣｒ膜やＴ
ｉ膜を導入することが有効である。このような技術は、
例えば第５回垂直磁気記録シンポジウム会議資料集（１
９９６年１０月２３−２５日）９５〜１００頁の「単層
垂直磁気ディスク媒体の高Ｓ／Ｎ化」と題する論文に記
載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】２０Ｇｂ／ｉｎ2以上
の高密度磁気記録が可能な垂直磁気記録媒体としては、
線記録密度分解能が大きいことに加えて媒体ノイズが小
さいことが必要である。このためには、前述したように
垂直磁化膜と基板の間に非磁性のＣｏ−Ｃｒ下地を導入
する、あるいはＣｏ合金磁性膜の添加元素としてＴａ等
の非磁性元素を添加する、磁性結晶粒径を小さくするこ
とが有効であることが知られている。このような対策を
行なうことで媒体ノイズをかなり低減できるが、さらに
ノイズを低減できれば磁気記録装置の記録密度をより容
易に伸ばすことが可能となる。
の高密度磁気記録が可能な垂直磁気記録媒体としては、
線記録密度分解能が大きいことに加えて媒体ノイズが小
さいことが必要である。このためには、前述したように
垂直磁化膜と基板の間に非磁性のＣｏ−Ｃｒ下地を導入
する、あるいはＣｏ合金磁性膜の添加元素としてＴａ等
の非磁性元素を添加する、磁性結晶粒径を小さくするこ
とが有効であることが知られている。このような対策を
行なうことで媒体ノイズをかなり低減できるが、さらに
ノイズを低減できれば磁気記録装置の記録密度をより容
易に伸ばすことが可能となる。
【０００６】本発明は、３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高記録
密度を実現するための低ノイズ特性をもつ垂直磁気記録
媒体を提供し、高密度記録再生装置の実現を容易ならし
めることを目的とする。
密度を実現するための低ノイズ特性をもつ垂直磁気記録
媒体を提供し、高密度記録再生装置の実現を容易ならし
めることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】垂直磁気記録媒体の記録
磁化状態を磁気力顕微鏡や走査型スピン電子検出型顕微
鏡によって調べた結果、大部分のノイズは媒体面に存在
するミクロ的な磁化の揺らぎが原因であることが判明し
た。ミクロな磁化の揺らぎとは、媒体表面の磁化の強さ
がミクロン（μｍ）レベルで場所によって変動している
ことを示す。媒体ノイズを減らすためには、媒体の表面
に存在するミクロな磁化の揺らぎを減らさなければなら
ない。このためには、垂直磁化膜を構成する磁性結晶粒
子を微細化するとともに磁気的分離を促進することが有
効である。
磁化状態を磁気力顕微鏡や走査型スピン電子検出型顕微
鏡によって調べた結果、大部分のノイズは媒体面に存在
するミクロ的な磁化の揺らぎが原因であることが判明し
た。ミクロな磁化の揺らぎとは、媒体表面の磁化の強さ
がミクロン（μｍ）レベルで場所によって変動している
ことを示す。媒体ノイズを減らすためには、媒体の表面
に存在するミクロな磁化の揺らぎを減らさなければなら
ない。このためには、垂直磁化膜を構成する磁性結晶粒
子を微細化するとともに磁気的分離を促進することが有
効である。
【０００８】上記目的を達成するために、本発明では垂
直磁化膜の途中に少なくとも１層のＡｌ膜もしくはＡｌ
合金膜を導入することにより、磁性結晶粒子の微細化及
び磁気的分離を促進することを特徴とする。この構造
は、非磁性基板上に非磁性下地層を介して垂直磁化膜と
保護膜を形成した単層垂直磁気記録媒体に対しても、非
磁性基板上に裏打磁性膜層を介して垂直磁化膜と保護膜
を形成した２層垂直磁気記録媒体に対しても有効であ
る。
直磁化膜の途中に少なくとも１層のＡｌ膜もしくはＡｌ
合金膜を導入することにより、磁性結晶粒子の微細化及
び磁気的分離を促進することを特徴とする。この構造
は、非磁性基板上に非磁性下地層を介して垂直磁化膜と
保護膜を形成した単層垂直磁気記録媒体に対しても、非
磁性基板上に裏打磁性膜層を介して垂直磁化膜と保護膜
を形成した２層垂直磁気記録媒体に対しても有効であ
る。
【０００９】Ａｌの原子間距離は０．２８６ｎｍであ
り、垂直磁化膜に用いられるＣｏ−Ｃｒ合金の平均の原
子間距離の０．２５〜０．２７ｎｍに近く、しかも最稠
密面の原子配列がＣｏ−Ｃｒ合金の原子配列に類似して
いるため、０．５ｎｍから数ｎｍ程度の極薄膜をＣｏ−
Ｃｒ合金膜上に形成しても膜厚が均一な連続膜として成
長しやすい性質を持つ。また、Ａｌは非磁性元素であ
り、この層が介在することによりＣｏ−Ｃｒ合金膜が上
下に分断され、さらにＡｌはＣｏ−Ｃｒ合金膜の結晶粒
界に拡散しやすいため、磁性結晶粒子の微細化と磁気分
離を促進することができる。
り、垂直磁化膜に用いられるＣｏ−Ｃｒ合金の平均の原
子間距離の０．２５〜０．２７ｎｍに近く、しかも最稠
密面の原子配列がＣｏ−Ｃｒ合金の原子配列に類似して
いるため、０．５ｎｍから数ｎｍ程度の極薄膜をＣｏ−
Ｃｒ合金膜上に形成しても膜厚が均一な連続膜として成
長しやすい性質を持つ。また、Ａｌは非磁性元素であ
り、この層が介在することによりＣｏ−Ｃｒ合金膜が上
下に分断され、さらにＡｌはＣｏ−Ｃｒ合金膜の結晶粒
界に拡散しやすいため、磁性結晶粒子の微細化と磁気分
離を促進することができる。
【００１０】さらに、ＡｌにＢ，Ｃ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｇ
ｅ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｓｉなどの元素を添加し
たＡｌ合金を用いると上記の効果はさらに増大される。
これは、添加元素が入ることによって、純Ａｌに比べて
Ａｌもしくは添加元素が結晶粒界に拡散する能力が増幅
されること、及びＡｌ合金化することによってＣｏ−Ｃ
ｒ合金磁性膜との格子定数の不整合が調整される効果な
どによるものである。Ａｌに添加する前記元素の量は少
なくとも０．５ａｔ％以上２５ａｔ％未満であることが
必要である。添加量が０．５ａｔ％未満では添加元素の
効果が顕著ではなく、また２５ａｔ％を超えるとＡｌ基
合金の結晶構造と異なる構造をもつ第２相の介在比率が
増大するため、前記の効果が大幅に減少するためであ
る。
ｅ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｓｉなどの元素を添加し
たＡｌ合金を用いると上記の効果はさらに増大される。
これは、添加元素が入ることによって、純Ａｌに比べて
Ａｌもしくは添加元素が結晶粒界に拡散する能力が増幅
されること、及びＡｌ合金化することによってＣｏ−Ｃ
ｒ合金磁性膜との格子定数の不整合が調整される効果な
どによるものである。Ａｌに添加する前記元素の量は少
なくとも０．５ａｔ％以上２５ａｔ％未満であることが
必要である。添加量が０．５ａｔ％未満では添加元素の
効果が顕著ではなく、また２５ａｔ％を超えるとＡｌ基
合金の結晶構造と異なる構造をもつ第２相の介在比率が
増大するため、前記の効果が大幅に減少するためであ
る。
【００１１】３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の記録密度を実現す
るためには、最大線記録密度を３００ｋＦＣＩ以上とす
る必要がある。このときビット長は８０ｎｍ以下とな
り、このためには垂直磁気記録媒体を構成する垂直磁化
膜の磁性結晶粒子の直径を２０ｎｍ以下望ましくは１５
ｎｍ以下とすることが必要となる。本発明者らの実験に
よると、このためには垂直磁化膜の全膜厚を４０ｎｍ未
満とする必要があることが分かった。しかし、膜厚が１
０ｎｍ未満になると熱揺らぎにより低記録密度領域の記
録磁化強度が減少する問題も発生することが明らかにな
った。従って、望ましい垂直磁化膜の全厚さは１０ｎｍ
以上４０ｎｍ未満である。ここで垂直磁化膜の全厚さと
は、Ｃｏ−Ｃｒ合金系垂直磁化膜の総厚であり、中間に
少なくとも１層導入したＡｌ膜もしくはＡｌ合金膜の厚
さは含まない。
るためには、最大線記録密度を３００ｋＦＣＩ以上とす
る必要がある。このときビット長は８０ｎｍ以下とな
り、このためには垂直磁気記録媒体を構成する垂直磁化
膜の磁性結晶粒子の直径を２０ｎｍ以下望ましくは１５
ｎｍ以下とすることが必要となる。本発明者らの実験に
よると、このためには垂直磁化膜の全膜厚を４０ｎｍ未
満とする必要があることが分かった。しかし、膜厚が１
０ｎｍ未満になると熱揺らぎにより低記録密度領域の記
録磁化強度が減少する問題も発生することが明らかにな
った。従って、望ましい垂直磁化膜の全厚さは１０ｎｍ
以上４０ｎｍ未満である。ここで垂直磁化膜の全厚さと
は、Ｃｏ−Ｃｒ合金系垂直磁化膜の総厚であり、中間に
少なくとも１層導入したＡｌ膜もしくはＡｌ合金膜の厚
さは含まない。
【００１２】なお、保護膜とＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜の間
に別の組成を持つＣｏ−Ｃｒ合金系垂直磁化膜やＰｔ／
Ｃｏ多層膜、Ｆｅ−Ｐｔ強磁性膜などを設けて、さらに
ノイズ低減を図ることも可能である。
に別の組成を持つＣｏ−Ｃｒ合金系垂直磁化膜やＰｔ／
Ｃｏ多層膜、Ｆｅ−Ｐｔ強磁性膜などを設けて、さらに
ノイズ低減を図ることも可能である。
【００１３】また、上記目的を達成するために、本発明
では垂直磁化膜の途中に少なくとも１層のＣｒ，Ａｕ，
Ｃｕ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｔ
ｉ，Ｖ又はＺｒ、もしくはこれらのいずれかの元素を主
成分とする合金からなる膜厚が０．３ｎｍ以上５ｎｍ未
満の層を導入することにより、磁性結晶粒子の微細化及
び磁気的分離を促進することを特徴とする。この構造
は、非磁性基板上に非磁性下地層を介して垂直磁化膜と
保護膜を形成した単層垂直磁気記録媒体に対しても、非
磁性基板上に裏打磁性膜層を介して垂直磁化膜と保護膜
を形成した２層垂直磁気記録媒体に対しても有効であ
る。
では垂直磁化膜の途中に少なくとも１層のＣｒ，Ａｕ，
Ｃｕ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｔ
ｉ，Ｖ又はＺｒ、もしくはこれらのいずれかの元素を主
成分とする合金からなる膜厚が０．３ｎｍ以上５ｎｍ未
満の層を導入することにより、磁性結晶粒子の微細化及
び磁気的分離を促進することを特徴とする。この構造
は、非磁性基板上に非磁性下地層を介して垂直磁化膜と
保護膜を形成した単層垂直磁気記録媒体に対しても、非
磁性基板上に裏打磁性膜層を介して垂直磁化膜と保護膜
を形成した２層垂直磁気記録媒体に対しても有効であ
る。
【００１４】この場合の垂直磁化膜としては、Ｃｏ基の
合金が適当である。垂直磁気異方性を持つＣｏ基合金膜
においては六方稠密構造（Hexagonal Closed-Packed St
ructure：ＨＣＰ）の最稠密面である（０００１）面が
基板と平行になり、膜の成長方位は［０００１］となっ
ている。ＨＣＰ構造を持つＣｏ基合金の成長の過程でＡ
ｕ，Ｃｕ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔなどの面心立方構造（Face
Centered Cubic Structure：ＦＣＣ）の金属膜を形成
すると、ＦＣＣ構造の最稠密面である（１１１）面の原
子配列はＨＣＰ構造の（０００１）面の原子配列と同一
であるため、結晶成長が連続して進行するヘテロエピタ
キシャル成長が実現される。このような成長は両材料間
で格子定数が大きく異なると起こり難いが、膜厚が数ｎ
ｍ以下と小さい場合は格子が歪むことによってエピタキ
シャル成長が確保される。Ｒｕ，Ｒｅ，ＲｈなどＣｏ基
合金と同様なＨＣＰ構造を持つ材料の場合、ＦＣＣ構造
を持つ材料に比べて格子定数により大きな違いがあって
もエピタキシャル成長は確保される。また、Ｃｒ，Ｖ，
Ｚｒ，Ｈｆなどの体心立方構造（Body Centered Cubic
Structure：ＢＣＣ）の場合、形成する膜厚が５ｎｍ以
下と小さい場合はＣｏ基合金のＨＣＰ構造とヘテロエピ
タキシャル関係を保って膜を成長させることが可能であ
る。
合金が適当である。垂直磁気異方性を持つＣｏ基合金膜
においては六方稠密構造（Hexagonal Closed-Packed St
ructure：ＨＣＰ）の最稠密面である（０００１）面が
基板と平行になり、膜の成長方位は［０００１］となっ
ている。ＨＣＰ構造を持つＣｏ基合金の成長の過程でＡ
ｕ，Ｃｕ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔなどの面心立方構造（Face
Centered Cubic Structure：ＦＣＣ）の金属膜を形成
すると、ＦＣＣ構造の最稠密面である（１１１）面の原
子配列はＨＣＰ構造の（０００１）面の原子配列と同一
であるため、結晶成長が連続して進行するヘテロエピタ
キシャル成長が実現される。このような成長は両材料間
で格子定数が大きく異なると起こり難いが、膜厚が数ｎ
ｍ以下と小さい場合は格子が歪むことによってエピタキ
シャル成長が確保される。Ｒｕ，Ｒｅ，ＲｈなどＣｏ基
合金と同様なＨＣＰ構造を持つ材料の場合、ＦＣＣ構造
を持つ材料に比べて格子定数により大きな違いがあって
もエピタキシャル成長は確保される。また、Ｃｒ，Ｖ，
Ｚｒ，Ｈｆなどの体心立方構造（Body Centered Cubic
Structure：ＢＣＣ）の場合、形成する膜厚が５ｎｍ以
下と小さい場合はＣｏ基合金のＨＣＰ構造とヘテロエピ
タキシャル関係を保って膜を成長させることが可能であ
る。
【００１５】このような非磁性金属からなるＦＣＣ，Ｈ
ＣＰ，ＢＣＣ材料の極薄膜を形成した後、再びＣｏ基合
金からなる材料を形成すると、エピタキシャル成長が継
続進行し、その成長方位を［０００１］とすることがで
きる。ＨＣＰ構造を持つＣｏ基合金の［０００１］方位
は磁化容易軸であり、良好な垂直磁気特性を得るために
は、この軸が基板と垂直になるように膜形成を行う必要
がある。Ｃｏ基合金膜がこのような非磁性金属の極薄膜
で分離されると、磁気的にも分離されることになり、磁
性結晶粒の単位が微細化し、媒体の低ノイズ化が可能と
なる。非磁性金属膜の厚さは、０．３ｎｍ〜５ｎｍの範
囲、より望ましくは０．５ｎｍ〜３ｎｍの範囲が良い。
ＣＰ，ＢＣＣ材料の極薄膜を形成した後、再びＣｏ基合
金からなる材料を形成すると、エピタキシャル成長が継
続進行し、その成長方位を［０００１］とすることがで
きる。ＨＣＰ構造を持つＣｏ基合金の［０００１］方位
は磁化容易軸であり、良好な垂直磁気特性を得るために
は、この軸が基板と垂直になるように膜形成を行う必要
がある。Ｃｏ基合金膜がこのような非磁性金属の極薄膜
で分離されると、磁気的にも分離されることになり、磁
性結晶粒の単位が微細化し、媒体の低ノイズ化が可能と
なる。非磁性金属膜の厚さは、０．３ｎｍ〜５ｎｍの範
囲、より望ましくは０．５ｎｍ〜３ｎｍの範囲が良い。
【００１６】媒体の低ノイズ化のためには、膜の成長方
向の磁気的分離ばかりではなく膜の面内方向の分離を促
進することが必要である。Ｃｏ合金垂直磁化膜は多結晶
膜であり、結晶粒界が存在する。膜の面内方向の磁気的
分離を促進するためには、結晶粒界に非磁性元素を偏析
させることによって、非磁性元素からなる薄い膜を形成
する必要がある。Ｃｏ基合金の成長過程で前記のような
非磁性金属元素の極薄膜を形成すると、膜形成時の基板
温度が高い場合には、非磁性元素が結晶粒界に拡散して
粒界に偏析する効果が生ずる。さらに上記金属元素に拡
散しやすい元素を添加した材料を膜形成の過程で用いる
ことにより、このような効果を促進することができる。
向の磁気的分離ばかりではなく膜の面内方向の分離を促
進することが必要である。Ｃｏ合金垂直磁化膜は多結晶
膜であり、結晶粒界が存在する。膜の面内方向の磁気的
分離を促進するためには、結晶粒界に非磁性元素を偏析
させることによって、非磁性元素からなる薄い膜を形成
する必要がある。Ｃｏ基合金の成長過程で前記のような
非磁性金属元素の極薄膜を形成すると、膜形成時の基板
温度が高い場合には、非磁性元素が結晶粒界に拡散して
粒界に偏析する効果が生ずる。さらに上記金属元素に拡
散しやすい元素を添加した材料を膜形成の過程で用いる
ことにより、このような効果を促進することができる。
【００１７】上記金属元素に添加する元素及びその量と
しては、基本的には金属元素の持つＦＣＣ，ＨＣＰ，Ｂ
ＣＣ構造を破壊しないことが望ましい。添加元素として
は、Ｂ，Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ａｌが有効であるが、Ｂ，
Ｃ，Ｓｉの場合では添加量が数ａｔ％以上になると合金
が非晶質化したり、結晶構造が変わったりするため、よ
り多くの量が添加可能なＭｎあるいはＡｌが望ましい。
Ｍｎの場合、添加可能な最大量を各非磁性元素ごとに示
すと、Ａｕ（１０ａｔ％），Ｃｒ（４５ａｔ％），Ｃｕ
（４８ａｔ％），Ｈｆ（３ａｔ％），Ｉｒ（３５ａｔ
％），Ｐｄ（２８ａｔ％），Ｐｔ（３８ａｔ％），Ｒｕ
（１０ａｔ％），Ｒｈ（１０ａｔ％），Ｒｅ（２ａｔ
％），Ｔｉ（２ａｔ％），Ｖ（４５ａｔ％），Ｚｒ（１
３ａｔ％）である。Ａｌの場合には、Ａｕ（１５ａｔ
％），Ｃｒ（４８ａｔ％），Ｃｕ（２０ａｔ％），Ｈｆ
（３０ａｔ％），Ｉｒ（１０ａｔ％），Ｐｄ（２０ａｔ
％），Ｐｔ（１２ａｔ％），Ｒｕ（４ａｔ％），Ｒｈ
（３ａｔ％），Ｒｅ（３ａｔ％），Ｔｉ（２０ａｔ
％），Ｖ（４９ａｔ％），Ｚｒ（２１ａｔ％）である。
添加元素を加えることによって磁性膜の結晶粒界への非
磁性元素の偏析促進の効果を有効に発揮するための最小
の添加量として、少なくとも０．５ａｔ％必要である。
しては、基本的には金属元素の持つＦＣＣ，ＨＣＰ，Ｂ
ＣＣ構造を破壊しないことが望ましい。添加元素として
は、Ｂ，Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ａｌが有効であるが、Ｂ，
Ｃ，Ｓｉの場合では添加量が数ａｔ％以上になると合金
が非晶質化したり、結晶構造が変わったりするため、よ
り多くの量が添加可能なＭｎあるいはＡｌが望ましい。
Ｍｎの場合、添加可能な最大量を各非磁性元素ごとに示
すと、Ａｕ（１０ａｔ％），Ｃｒ（４５ａｔ％），Ｃｕ
（４８ａｔ％），Ｈｆ（３ａｔ％），Ｉｒ（３５ａｔ
％），Ｐｄ（２８ａｔ％），Ｐｔ（３８ａｔ％），Ｒｕ
（１０ａｔ％），Ｒｈ（１０ａｔ％），Ｒｅ（２ａｔ
％），Ｔｉ（２ａｔ％），Ｖ（４５ａｔ％），Ｚｒ（１
３ａｔ％）である。Ａｌの場合には、Ａｕ（１５ａｔ
％），Ｃｒ（４８ａｔ％），Ｃｕ（２０ａｔ％），Ｈｆ
（３０ａｔ％），Ｉｒ（１０ａｔ％），Ｐｄ（２０ａｔ
％），Ｐｔ（１２ａｔ％），Ｒｕ（４ａｔ％），Ｒｈ
（３ａｔ％），Ｒｅ（３ａｔ％），Ｔｉ（２０ａｔ
％），Ｖ（４９ａｔ％），Ｚｒ（２１ａｔ％）である。
添加元素を加えることによって磁性膜の結晶粒界への非
磁性元素の偏析促進の効果を有効に発揮するための最小
の添加量として、少なくとも０．５ａｔ％必要である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態により
詳細に説明する。 ［実施の形態１］直径２．５インチのガラス基板を用い
て、直流マグネトロンスパッタ法によって、図１に示す
断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。基板１１
上に、非磁性下地層１２を形成した後、垂直磁化膜１
３、非磁性膜１４、垂直磁化膜１５、保護膜１６を形成
した。非磁性下地１２用にはＴｉ−１０．２ａｔ％Ｃｒ
ターゲット、垂直磁化膜１３用にはＣｏ−１６ａｔ％Ｃ
ｒ−４ａｔ％Ｔａターゲット、非磁性膜１４用にはＡｌ
ターゲット、垂直磁化膜１５用にＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ
−１０ａｔ％Ｐｔ−１．５ａｔ％Ｔａターゲット、保護
膜１６用にカーボンターゲットを用いた。スパッタのＡ
ｒガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、スパッタパワー１０Ｗ／ｃ
ｍ2、基板温度２８０℃の条件で、Ｃｒ−Ｔｉ膜を３０
ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜を３０ｎｍ，非磁性膜を１．
５ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ垂直磁化膜を５ｎｍ、
カーボン膜を５ｎｍの厚さ形成した。
詳細に説明する。 ［実施の形態１］直径２．５インチのガラス基板を用い
て、直流マグネトロンスパッタ法によって、図１に示す
断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。基板１１
上に、非磁性下地層１２を形成した後、垂直磁化膜１
３、非磁性膜１４、垂直磁化膜１５、保護膜１６を形成
した。非磁性下地１２用にはＴｉ−１０．２ａｔ％Ｃｒ
ターゲット、垂直磁化膜１３用にはＣｏ−１６ａｔ％Ｃ
ｒ−４ａｔ％Ｔａターゲット、非磁性膜１４用にはＡｌ
ターゲット、垂直磁化膜１５用にＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ
−１０ａｔ％Ｐｔ−１．５ａｔ％Ｔａターゲット、保護
膜１６用にカーボンターゲットを用いた。スパッタのＡ
ｒガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、スパッタパワー１０Ｗ／ｃ
ｍ2、基板温度２８０℃の条件で、Ｃｒ−Ｔｉ膜を３０
ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜を３０ｎｍ，非磁性膜を１．
５ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ垂直磁化膜を５ｎｍ、
カーボン膜を５ｎｍの厚さ形成した。
【００１９】同様な条件で、非磁性膜１４のターゲット
として、Ａｌ−２ａｔ％Ｂ，Ａｌ−１．５ａｔ％Ｃ，Ａ
ｌ−２．５ａｔ％Ｃｒ，Ａｌ−３．６ａｔ％Ｃｕ，Ａｌ
−３ａｔ％Ｇｅ，Ａｌ−２ａｔ％Ｈｆ，Ａｌ−１．８ａ
ｔ％Ｉｒ，Ａｌ−２４ａｔ％Ｍｇ，Ａｌ−３ａｔ％Ｍ
ｎ，Ａｌ−４ａｔ％Ｓｉを用いた以外は前記と同様な垂
直媒体を作製した。
として、Ａｌ−２ａｔ％Ｂ，Ａｌ−１．５ａｔ％Ｃ，Ａ
ｌ−２．５ａｔ％Ｃｒ，Ａｌ−３．６ａｔ％Ｃｕ，Ａｌ
−３ａｔ％Ｇｅ，Ａｌ−２ａｔ％Ｈｆ，Ａｌ−１．８ａ
ｔ％Ｉｒ，Ａｌ−２４ａｔ％Ｍｇ，Ａｌ−３ａｔ％Ｍ
ｎ，Ａｌ−４ａｔ％Ｓｉを用いた以外は前記と同様な垂
直媒体を作製した。
【００２０】非磁性膜としてＡｌ−３．６ａｔ％Ｃｕを
用いた垂直媒体試料の断面構造を透過型電子顕微鏡で観
察した結果、図２に示す構造が実現されていることを確
認した。基板２１上に形成したＴｉ−Ｃｒ非磁性下地層
２２上に［０００１］方向を成長方位に持つＣｏ−Ｃｒ
−Ｔａ結晶粒２３が成長し、この上に同様の結晶直径を
持つＡｌ−Ｃｕ層２４が形成され、その上に同様に［０
００１］方向を成長方位に持つＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ
結晶粒が、さらにカーボン保護膜２６が形成されてい
た。また、互いに隣接する磁性膜結晶粒間にはＣｒ，Ａ
ｌ，Ｃｕなどの非磁性元素が結晶粒内に比べ多量に析出
していた。
用いた垂直媒体試料の断面構造を透過型電子顕微鏡で観
察した結果、図２に示す構造が実現されていることを確
認した。基板２１上に形成したＴｉ−Ｃｒ非磁性下地層
２２上に［０００１］方向を成長方位に持つＣｏ−Ｃｒ
−Ｔａ結晶粒２３が成長し、この上に同様の結晶直径を
持つＡｌ−Ｃｕ層２４が形成され、その上に同様に［０
００１］方向を成長方位に持つＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ
結晶粒が、さらにカーボン保護膜２６が形成されてい
た。また、互いに隣接する磁性膜結晶粒間にはＣｒ，Ａ
ｌ，Ｃｕなどの非磁性元素が結晶粒内に比べ多量に析出
していた。
【００２１】比較試料として、非磁性膜を設けない垂直
磁気記録媒体を作製した。これらの磁気記録媒体の記録
再生特性を、記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて評価
した。記録ヘッドのギャップ長は０．２μｍ、再生用の
巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッドのシールド間隔は
０．１５μｍ、測定時のスペーシングは０．０２μｍと
した。記録密度は低周波の再生出力の半分になる出力半
減記録密度（Ｄ50）を測定し、２０ｋＦＣＩの磁気記録
を行なった場合のＳ／Ｎを、比較試料のＳ／Ｎに対する
相対値で示した。これらの結果を表１に示す。
磁気記録媒体を作製した。これらの磁気記録媒体の記録
再生特性を、記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて評価
した。記録ヘッドのギャップ長は０．２μｍ、再生用の
巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッドのシールド間隔は
０．１５μｍ、測定時のスペーシングは０．０２μｍと
した。記録密度は低周波の再生出力の半分になる出力半
減記録密度（Ｄ50）を測定し、２０ｋＦＣＩの磁気記録
を行なった場合のＳ／Ｎを、比較試料のＳ／Ｎに対する
相対値で示した。これらの結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１から、本実施の形態の磁気記録媒体
は、比較例に比べてＤ50が向上し、しかも媒体Ｓ／Ｎが
向上しており、高密度磁気記録媒体として望ましいこと
がわかった。本実施の形態で作製した直径２．５インチ
の磁気記録媒体を用い、再生素子としてＧＭＲヘッドを
用いた磁気記録再生装置を作製した。面記録密度３０Ｇ
ｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-9が確保でき、超
高密度記録再生装置として動作することを確認した。
は、比較例に比べてＤ50が向上し、しかも媒体Ｓ／Ｎが
向上しており、高密度磁気記録媒体として望ましいこと
がわかった。本実施の形態で作製した直径２．５インチ
の磁気記録媒体を用い、再生素子としてＧＭＲヘッドを
用いた磁気記録再生装置を作製した。面記録密度３０Ｇ
ｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-9が確保でき、超
高密度記録再生装置として動作することを確認した。
【００２４】［実施の形態２］実施の形態１と同様な断
面構造を持つ垂直磁気記録媒体を同様の手順で作成し
た。ここで非磁性膜としてＡｌ−Ｍｇ合金を用いて、そ
の膜厚と合金組成を変えた試料を作成した。Ａｌ−Ｍｇ
合金としてＡｌ−８ａｔ％Ｍｇを用いて膜厚を０〜１０
ｎｍの範囲で変化させた試料を作成し、その記録分解能
（Ｄ50）と媒体Ｓ／Ｎを実施の形態１で作成した比較例
と比較した。結果を図３と図４に示す。
面構造を持つ垂直磁気記録媒体を同様の手順で作成し
た。ここで非磁性膜としてＡｌ−Ｍｇ合金を用いて、そ
の膜厚と合金組成を変えた試料を作成した。Ａｌ−Ｍｇ
合金としてＡｌ−８ａｔ％Ｍｇを用いて膜厚を０〜１０
ｎｍの範囲で変化させた試料を作成し、その記録分解能
（Ｄ50）と媒体Ｓ／Ｎを実施の形態１で作成した比較例
と比較した。結果を図３と図４に示す。
【００２５】図３に示すように、分解能はＡｌ−Ｍｇ合
金非磁性膜の厚さが増大するにしたがって向上したのち
減少した。膜厚が５ｎｍを超えると比較試料に比べて分
解能が低下する傾向が確認された。一方、図４に示すよ
うに、Ｓ／Ｎは膜厚の増大にしたがって増大した。これ
らの結果から、高い分解能と高いＳ／Ｎが得られる膜厚
の範囲は５ｎｍ以下であることを確認した。また膜厚が
０．５ｎｍ未満になると、試料の分解能及びＳ／Ｎは比
較試料との差が殆どなくなり、顕著な改善効果を得るた
めには少なくとも０．５ｎｍの膜厚が必要であることが
分かった。
金非磁性膜の厚さが増大するにしたがって向上したのち
減少した。膜厚が５ｎｍを超えると比較試料に比べて分
解能が低下する傾向が確認された。一方、図４に示すよ
うに、Ｓ／Ｎは膜厚の増大にしたがって増大した。これ
らの結果から、高い分解能と高いＳ／Ｎが得られる膜厚
の範囲は５ｎｍ以下であることを確認した。また膜厚が
０．５ｎｍ未満になると、試料の分解能及びＳ／Ｎは比
較試料との差が殆どなくなり、顕著な改善効果を得るた
めには少なくとも０．５ｎｍの膜厚が必要であることが
分かった。
【００２６】ついで、非磁性膜厚を１．５ｎｍの一定値
に保って、Ａｌ−Ｍｇ合金の組成をＭｇの添加量０〜５
０ａｔ％の範囲で変化させた試料を作成し、同様な条件
で分解能とＳ／Ｎを測定した。結果を図５と図６に示
す。図５に示すように、Ｍｇの添加量を増すにつれて分
解能は向上するが、Ｍｇの添加量が２５ａｔ％を超える
と分解能が比較試料に比べて低くなる傾向が認められ
た。一方、図６に示すように、Ｍｇを添加することでＳ
／Ｎは比較試料より改善されることが分かった。また添
加量が０．５ａｔ％未満になると、試料の分解能及びＳ
／Ｎは比較試料との差が殆どなくなり、顕著な改善効果
を得るためには少なくとも０．５ａｔ％の添加量が必要
であることが分かった。
に保って、Ａｌ−Ｍｇ合金の組成をＭｇの添加量０〜５
０ａｔ％の範囲で変化させた試料を作成し、同様な条件
で分解能とＳ／Ｎを測定した。結果を図５と図６に示
す。図５に示すように、Ｍｇの添加量を増すにつれて分
解能は向上するが、Ｍｇの添加量が２５ａｔ％を超える
と分解能が比較試料に比べて低くなる傾向が認められ
た。一方、図６に示すように、Ｍｇを添加することでＳ
／Ｎは比較試料より改善されることが分かった。また添
加量が０．５ａｔ％未満になると、試料の分解能及びＳ
／Ｎは比較試料との差が殆どなくなり、顕著な改善効果
を得るためには少なくとも０．５ａｔ％の添加量が必要
であることが分かった。
【００２７】磁気記録媒体として厚さが１．５ｎｍのＡ
ｌ−２０ａｔ％Ｍｇ非磁性膜を形成した直径２．５イン
チの垂直磁気記録媒体を用い、再生素子としてＧＭＲヘ
ッドを用いて磁気記録再生装置を作製した。面記録密度
４５Ｇｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-9が確保で
き、超高密度記録再生装置として動作することを確認し
た。
ｌ−２０ａｔ％Ｍｇ非磁性膜を形成した直径２．５イン
チの垂直磁気記録媒体を用い、再生素子としてＧＭＲヘ
ッドを用いて磁気記録再生装置を作製した。面記録密度
４５Ｇｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-9が確保で
き、超高密度記録再生装置として動作することを確認し
た。
【００２８】［実施の形態３］直径２．５インチのガラ
ス基板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によっ
て、図７に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製
した。この媒体は、基板３１上に裏打磁性膜、中間層、
多層垂直磁化膜及び保護膜を順次形成した、いわゆる２
層垂直磁気記録媒体である。ここで、裏打磁性膜は膜厚
が５ｎｍのＨｆからなるシード層３２、膜厚１０ｎｍの
Ｆｅ−４５ａｔ％Ｐｔからなる強磁性層３３、膜厚が３
ｎｍのＳｉからなる非磁性層３４、及び膜厚が１５０ｎ
ｍのＣｏ−５ａｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｚｒからなる軟磁性
膜３５から構成した。垂直磁化膜を形成する前に中間層
３６として厚さが５ｎｍのＳｉ膜を形成した。
ス基板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によっ
て、図７に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製
した。この媒体は、基板３１上に裏打磁性膜、中間層、
多層垂直磁化膜及び保護膜を順次形成した、いわゆる２
層垂直磁気記録媒体である。ここで、裏打磁性膜は膜厚
が５ｎｍのＨｆからなるシード層３２、膜厚１０ｎｍの
Ｆｅ−４５ａｔ％Ｐｔからなる強磁性層３３、膜厚が３
ｎｍのＳｉからなる非磁性層３４、及び膜厚が１５０ｎ
ｍのＣｏ−５ａｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｚｒからなる軟磁性
膜３５から構成した。垂直磁化膜を形成する前に中間層
３６として厚さが５ｎｍのＳｉ膜を形成した。
【００２９】垂直磁化膜は下部垂直磁化膜３７、非磁性
膜３８、中部垂直磁化膜３９、非磁性膜４０、及び上部
垂直磁化膜４１から構成した。それぞれの膜を形成する
ためのターゲットとして、Ｃｏ−１７ａｔ％Ｃｒ−４ａ
ｔ％Ｎｂ，Ａｌ−２ａｔ％Ｍｎ，Ｃｏ−１９ａｔ％Ｃｒ
−７ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａ−１．５ａｔ％Ｂ，Ａｌ
−２ａｔ％Ｍｎ，Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔを用いた。膜厚
はそれぞれ、１５ｎｍ，１ｎｍ，５ｎｍ，０．８ｎｍ，
３ｎｍとした。垂直磁化膜の上にカーボンターゲットを
用いて保護膜４２を厚さ５ｎｍ形成し、垂直磁気記録媒
体を作成した。各膜は、スパッタのＡｒガス圧力３ｍＴ
ｏｒｒ、スパッタパワー２０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２５
０℃の条件で形成した。
膜３８、中部垂直磁化膜３９、非磁性膜４０、及び上部
垂直磁化膜４１から構成した。それぞれの膜を形成する
ためのターゲットとして、Ｃｏ−１７ａｔ％Ｃｒ−４ａ
ｔ％Ｎｂ，Ａｌ−２ａｔ％Ｍｎ，Ｃｏ−１９ａｔ％Ｃｒ
−７ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａ−１．５ａｔ％Ｂ，Ａｌ
−２ａｔ％Ｍｎ，Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔを用いた。膜厚
はそれぞれ、１５ｎｍ，１ｎｍ，５ｎｍ，０．８ｎｍ，
３ｎｍとした。垂直磁化膜の上にカーボンターゲットを
用いて保護膜４２を厚さ５ｎｍ形成し、垂直磁気記録媒
体を作成した。各膜は、スパッタのＡｒガス圧力３ｍＴ
ｏｒｒ、スパッタパワー２０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２５
０℃の条件で形成した。
【００３０】この垂直磁気記録媒体に対して、記録用に
トラック幅が０．４μｍの単磁極型の記録ヘッド、再生
用にトラック幅が０．３５μｍ、シールド間隔が０．１
２μｍのＧＭＲヘッドを用いて、ヘッドと媒体のスペー
シングを１５ｎｍとして記録再生実験を行った結果、記
録分解能（Ｄ50）として３８０ｋＦＣＩ，３００ｋＦＣ
Ｉの信号を記録したときの媒体Ｓ／Ｎとして３２ｄＢの
値が得られた。信号の再生波形をＥＥＰＲ４系の信号処
理回路を通してエラーレートを評価したところ、面記録
密度６０Ｇｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-8が確
保でき、超高密度記録再生装置として動作することを確
認した。
トラック幅が０．４μｍの単磁極型の記録ヘッド、再生
用にトラック幅が０．３５μｍ、シールド間隔が０．１
２μｍのＧＭＲヘッドを用いて、ヘッドと媒体のスペー
シングを１５ｎｍとして記録再生実験を行った結果、記
録分解能（Ｄ50）として３８０ｋＦＣＩ，３００ｋＦＣ
Ｉの信号を記録したときの媒体Ｓ／Ｎとして３２ｄＢの
値が得られた。信号の再生波形をＥＥＰＲ４系の信号処
理回路を通してエラーレートを評価したところ、面記録
密度６０Ｇｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-8が確
保でき、超高密度記録再生装置として動作することを確
認した。
【００３１】［実施の形態４］実施の形態３で試作した
垂直磁気記録媒体とトンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）
を用いた高感度再生素子を持つ録再分離ヘッドを用いて
図８に示す磁気記憶装置を作製した。この磁気記憶装置
は、図８（ａ）に概略平面図を、図８（ｂ）にそのＡ
Ａ′断面図を示すように、磁気記録媒体駆動部５２によ
り回転駆動される磁気記録媒体５１、磁気ヘッド駆動部
５４により駆動されて磁気記録媒体５１に対して記録及
び再生を行う磁気ヘッド５３、磁気ヘッド５３の記録信
号及び再生信号を処理する信号処理部５５を備える周知
の構成の装置である。
垂直磁気記録媒体とトンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）
を用いた高感度再生素子を持つ録再分離ヘッドを用いて
図８に示す磁気記憶装置を作製した。この磁気記憶装置
は、図８（ａ）に概略平面図を、図８（ｂ）にそのＡ
Ａ′断面図を示すように、磁気記録媒体駆動部５２によ
り回転駆動される磁気記録媒体５１、磁気ヘッド駆動部
５４により駆動されて磁気記録媒体５１に対して記録及
び再生を行う磁気ヘッド５３、磁気ヘッド５３の記録信
号及び再生信号を処理する信号処理部５５を備える周知
の構成の装置である。
【００３２】記録ヘッドのトラック幅を０．３μｍ、再
生用のＴＭＲヘッド素子のトラック幅を０．２６μｍ、
磁気ヘッド５３と磁気記録媒体５１のスペーシングを１
０５ｎｍとした。信号処理方式としてＥＥＰＲ４方式を
採用し、７５Ｇｂ／ｉｎ2の面記録密度の条件で装置を
動作させたところ、１０-8以下の誤り率が得られた。
生用のＴＭＲヘッド素子のトラック幅を０．２６μｍ、
磁気ヘッド５３と磁気記録媒体５１のスペーシングを１
０５ｎｍとした。信号処理方式としてＥＥＰＲ４方式を
採用し、７５Ｇｂ／ｉｎ2の面記録密度の条件で装置を
動作させたところ、１０-8以下の誤り率が得られた。
【００３３】［実施の形態５］直径２．５インチのガラ
ス基板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によっ
て、図９に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製
した。基板６１上に、非磁性下地層６２を形成した後、
垂直磁化膜６３、非磁性膜６４、垂直磁化膜６５、保護
膜６６を形成した。非磁性下地６２用にはＴｉ−１０ａ
ｔ％Ｃｒターゲット、垂直磁化膜６３用にはＣｏ−１７
ａｔ％Ｃｒ−３．２ａｔ％Ｔａターゲット、非磁性膜６
４用にはＡｕターゲット、垂直磁化膜６５用にＣｏ−１
９ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａターゲッ
ト、保護膜６６用にカーボンターゲットを用いた。スパ
ッタのＡｒガス圧力を２．８ｍＴｏｒｒ、スパッタパワ
ー１２Ｗ／ｃｍ2、基板温度２７５℃の条件でＣｒ−Ｔ
ｉ膜を３０ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜を２５ｎｍ，非磁
性膜を０．５ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ垂直磁化膜
を５ｎｍ、カーボン膜を５ｎｍの厚さ形成した。
ス基板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によっ
て、図９に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製
した。基板６１上に、非磁性下地層６２を形成した後、
垂直磁化膜６３、非磁性膜６４、垂直磁化膜６５、保護
膜６６を形成した。非磁性下地６２用にはＴｉ−１０ａ
ｔ％Ｃｒターゲット、垂直磁化膜６３用にはＣｏ−１７
ａｔ％Ｃｒ−３．２ａｔ％Ｔａターゲット、非磁性膜６
４用にはＡｕターゲット、垂直磁化膜６５用にＣｏ−１
９ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａターゲッ
ト、保護膜６６用にカーボンターゲットを用いた。スパ
ッタのＡｒガス圧力を２．８ｍＴｏｒｒ、スパッタパワ
ー１２Ｗ／ｃｍ2、基板温度２７５℃の条件でＣｒ−Ｔ
ｉ膜を３０ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜を２５ｎｍ，非磁
性膜を０．５ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ垂直磁化膜
を５ｎｍ、カーボン膜を５ｎｍの厚さ形成した。
【００３４】同様な条件で、非磁性膜６４のターゲット
として、Ｃｒ，Ｃｕ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，
Ｒｈ，Ｒｅ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒを用いた以外は前記と同様
な構造の垂直媒体を作製した。また、比較試料として、
非磁性膜を設けない垂直磁気記録媒体を作製した。
として、Ｃｒ，Ｃｕ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，
Ｒｈ，Ｒｅ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒを用いた以外は前記と同様
な構造の垂直媒体を作製した。また、比較試料として、
非磁性膜を設けない垂直磁気記録媒体を作製した。
【００３５】これらの磁気記録媒体の記録再生特性を、
記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて評価した。記録用
の薄膜ヘッドのギャップ長は０．２２μｍ、再生用の巨
大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッドのシールド間隔は
０．１６μｍ、測定時のスペーシングは０．０２μｍと
した。記録密度は低周波の再生出力の半分になる出力半
減記録密度（Ｄ50）を測定し、２００ｋＦＣＩの磁気記
録を行なった場合のＳ／Ｎを、比較試料のＳ／Ｎに対す
る相対値で示した。これらの結果を表２に示す。
記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて評価した。記録用
の薄膜ヘッドのギャップ長は０．２２μｍ、再生用の巨
大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッドのシールド間隔は
０．１６μｍ、測定時のスペーシングは０．０２μｍと
した。記録密度は低周波の再生出力の半分になる出力半
減記録密度（Ｄ50）を測定し、２００ｋＦＣＩの磁気記
録を行なった場合のＳ／Ｎを、比較試料のＳ／Ｎに対す
る相対値で示した。これらの結果を表２に示す。
【００３６】
【表２】
【００３７】表２に示すように、本実施の形態の磁気記
録媒体は、比較例に比べてＤ50が向上し、しかも媒体Ｓ
／Ｎが向上しており、高密度磁気記録媒体として望まし
いことがわかった。本実施の形態で作製した直径２．５
インチの磁気記録媒体を用い、再生素子としてＧＭＲヘ
ッドを用いて磁気記録再生装置を作製したところ、面記
録密度３０Ｇｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-9が
確保でき、超高密度記録再生装置として動作することを
確認した。
録媒体は、比較例に比べてＤ50が向上し、しかも媒体Ｓ
／Ｎが向上しており、高密度磁気記録媒体として望まし
いことがわかった。本実施の形態で作製した直径２．５
インチの磁気記録媒体を用い、再生素子としてＧＭＲヘ
ッドを用いて磁気記録再生装置を作製したところ、面記
録密度３０Ｇｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-9が
確保でき、超高密度記録再生装置として動作することを
確認した。
【００３８】［実施の形態６］実施の形態５と同様な断
面構造を持つ垂直磁気記録媒体を、同様の手順で作成し
た。ここで非磁性膜としてＣｕ−Ｍｎ合金を用いて、そ
の膜厚と合金組成を変えた試料を作成した。Ｃｕ−Ｍｎ
合金としてＣｕ−１０ａｔ％Ｍｎを用いて膜厚を０〜１
０ｎｍの範囲で変化させた試料を作成し、その記録分解
能（Ｄ50）と媒体Ｓ／Ｎを実施の形態５で作成した比較
例と比較した。結果を図１０と図１１に示す。
面構造を持つ垂直磁気記録媒体を、同様の手順で作成し
た。ここで非磁性膜としてＣｕ−Ｍｎ合金を用いて、そ
の膜厚と合金組成を変えた試料を作成した。Ｃｕ−Ｍｎ
合金としてＣｕ−１０ａｔ％Ｍｎを用いて膜厚を０〜１
０ｎｍの範囲で変化させた試料を作成し、その記録分解
能（Ｄ50）と媒体Ｓ／Ｎを実施の形態５で作成した比較
例と比較した。結果を図１０と図１１に示す。
【００３９】図１０に示すように、分解能はＣｕ−Ｍｎ
合金非磁性膜の厚さが増大するにしたがって向上したの
ち減少した。膜厚が５ｎｍを超えると比較試料に比べて
分解能が低下する傾向が確認された。一方、図１１に示
すように、Ｓ／Ｎは膜厚の増大にしたがって増大した。
これらの結果から、高い分解能と高いＳ／Ｎが得られる
膜厚の範囲は５ｎｍ未満であり、さらに望ましい範囲は
０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下であることを確認した。Ｃｕ
−Ｍｎ合金非磁性膜の膜厚が０．３ｎｍ未満になると分
解能及びＳ／Ｎは比較試料との差が殆どなくなり、顕著
な改善効果を得るためには少なくとも０．３ｎｍの膜厚
が必要であることが分かった。
合金非磁性膜の厚さが増大するにしたがって向上したの
ち減少した。膜厚が５ｎｍを超えると比較試料に比べて
分解能が低下する傾向が確認された。一方、図１１に示
すように、Ｓ／Ｎは膜厚の増大にしたがって増大した。
これらの結果から、高い分解能と高いＳ／Ｎが得られる
膜厚の範囲は５ｎｍ未満であり、さらに望ましい範囲は
０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下であることを確認した。Ｃｕ
−Ｍｎ合金非磁性膜の膜厚が０．３ｎｍ未満になると分
解能及びＳ／Ｎは比較試料との差が殆どなくなり、顕著
な改善効果を得るためには少なくとも０．３ｎｍの膜厚
が必要であることが分かった。
【００４０】ついで 非磁性膜厚を１．２ｎｍの一定値
に保って、Ｃｕ−Ｍｎ合金の組成をＭｎの添加量０〜６
０ａｔ％の範囲で変化させた試料を作成し、同様な条件
で分解能とＳ／Ｎを測定した。結果を図１２と図１３に
示す。図１２に示すように、Ｍｎを添加すると分解能は
向上するが、Ｍｎの添加量が５０ａｔ％を超えると分解
能が比較試料に比べて低くなる傾向が認められた。ま
た、Ｍｎ添加の効果は、添加量を０．５ａｔ％以上とす
るとき顕著になることが分かった。また図１３に示すよ
うに、Ｍｎを添加することでＳ／Ｎは比較試料より向上
することが分かった。
に保って、Ｃｕ−Ｍｎ合金の組成をＭｎの添加量０〜６
０ａｔ％の範囲で変化させた試料を作成し、同様な条件
で分解能とＳ／Ｎを測定した。結果を図１２と図１３に
示す。図１２に示すように、Ｍｎを添加すると分解能は
向上するが、Ｍｎの添加量が５０ａｔ％を超えると分解
能が比較試料に比べて低くなる傾向が認められた。ま
た、Ｍｎ添加の効果は、添加量を０．５ａｔ％以上とす
るとき顕著になることが分かった。また図１３に示すよ
うに、Ｍｎを添加することでＳ／Ｎは比較試料より向上
することが分かった。
【００４１】磁気記録媒体として厚さが１．２ｎｍのＣ
ｕ−１２ａｔ％Ｍｎ非磁性膜を形成した直径２．５イン
チの垂直磁気記録媒体を用い、再生素子としてＧＭＲヘ
ッドを用いて磁気記録再生装置を作製した。面記録密度
３０Ｇｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-8が確保で
き、超高密度記録再生装置として動作することを確認し
た。
ｕ−１２ａｔ％Ｍｎ非磁性膜を形成した直径２．５イン
チの垂直磁気記録媒体を用い、再生素子としてＧＭＲヘ
ッドを用いて磁気記録再生装置を作製した。面記録密度
３０Ｇｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-8が確保で
き、超高密度記録再生装置として動作することを確認し
た。
【００４２】［実施の形態７］直径２．５インチのガラ
ス基板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によっ
て、図１４に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作
製した。この媒体は、基板７１上に裏打磁性膜、中間
層、多層垂直磁化膜、及び保護膜を順次形成した、いわ
ゆる２層垂直磁気記録媒体である。ここで裏打磁性膜は
膜厚が５ｎｍのＣｒからなるシード層７２、膜厚８ｎｍ
のＦｅ−４５ａｔ％Ｐｔからなる強磁性層７３、膜厚が
３ｎｍのＳｉからなる非磁性層７４、及び膜厚が２００
ｎｍのＣｏ−５ａｔ％Ｎｂ−４ａｔ％Ｚｒからなる軟磁
性膜７５から構成した。垂直磁化膜を形成する前に中間
層７６として厚さが３ｎｍのＳｉ−１５ａｔ％Ｇｅ膜を
形成した。
ス基板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によっ
て、図１４に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作
製した。この媒体は、基板７１上に裏打磁性膜、中間
層、多層垂直磁化膜、及び保護膜を順次形成した、いわ
ゆる２層垂直磁気記録媒体である。ここで裏打磁性膜は
膜厚が５ｎｍのＣｒからなるシード層７２、膜厚８ｎｍ
のＦｅ−４５ａｔ％Ｐｔからなる強磁性層７３、膜厚が
３ｎｍのＳｉからなる非磁性層７４、及び膜厚が２００
ｎｍのＣｏ−５ａｔ％Ｎｂ−４ａｔ％Ｚｒからなる軟磁
性膜７５から構成した。垂直磁化膜を形成する前に中間
層７６として厚さが３ｎｍのＳｉ−１５ａｔ％Ｇｅ膜を
形成した。
【００４３】垂直磁化膜は下部垂直磁化膜７７、非磁性
膜７８、中部垂直磁化膜７９、非磁性膜８０、及び上部
垂直磁化膜８１から構成した。下部垂直磁化膜、中部垂
直磁化膜及び上部垂直磁化膜を形成するためのターゲッ
トとしてそれぞれ、Ｃｏ−１７ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔ
ａ，Ｃｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔ
ａ−２ａｔ％Ｂ，Ｃｏ−１７ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐ
ｔを用いた。それぞれの垂直磁化膜の膜厚は１５ｎｍ，
５ｎｍ，３ｎｍとした。
膜７８、中部垂直磁化膜７９、非磁性膜８０、及び上部
垂直磁化膜８１から構成した。下部垂直磁化膜、中部垂
直磁化膜及び上部垂直磁化膜を形成するためのターゲッ
トとしてそれぞれ、Ｃｏ−１７ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔ
ａ，Ｃｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔ
ａ−２ａｔ％Ｂ，Ｃｏ−１７ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐ
ｔを用いた。それぞれの垂直磁化膜の膜厚は１５ｎｍ，
５ｎｍ，３ｎｍとした。
【００４４】非磁性膜７８，８０として、Ａｕ−７ａｔ
％Ｍｎ，Ｃｒ−３５ａｔ％Ｍｎ，Ｃｕ−４３ａｔ％Ｍ
ｎ，Ｈｆ−２ａｔ％Ｍｎ，Ｉｒ−１８ａｔ％Ｍｎ，Ｐｄ
−２７ａｔ％Ｍｎ，Ｐｔ−２８ａｔ％Ｍｎ，Ｒｕ−９ａ
ｔ％Ｍｎ，Ｒｈ−７ａｔ％Ｍｎ，Ｒｅ−１．５ａｔ％Ｍ
ｎ，Ｔｉ−２ａｔ％Ｍｎ，Ｖ−４５ａｔ％Ｍｎ，Ｚｒ−
１２ａｔ％Ｍｎ，Ａｕ−１２ａｔ％Ａｌ，Ｃｒ−２５ａ
ｔ％Ａｌ，Ｃｕ−１７ａｔ％Ａｌ，Ｈｆ−２２ａｔ％Ａ
ｌ，Ｉｒ−１０ａｔ％Ａｌ，Ｐｄ−１７ａｔ％Ａｌ，Ｐ
ｔ−１１ａｔ％Ａｌ，Ｒｕ−３ａｔ％Ａｌ，Ｒｈ−２ａ
ｔ％Ａｌ，Ｒｅ−１．５ａｔ％Ａｌ，Ｔｉ−１８ａｔ％
Ａｌ，Ｖ−４６ａｔ％Ａｌ，Ｚｒ−１６ａｔ％Ａｌ，Ｃ
ｒ−１０ａｔ％Ｍｎ−５ａｔ％Ａｌ，Ｃｕ−２５ａｔ％
Ｍｎ−８ａｔ％Ａｌ，Ｐｔ−２０ａｔ％Ｍｎ−５ａｔ％
Ａｌ，Ｔｉ−１ａｔ％Ｍｎ−５ａｔ％Ａｌ，Ｃｒ−１ａ
ｔ％Ｂ，Ｃｕ−０．８ａｔ％Ｃ，Ｃｕ−１．４ａｔ％Ｓ
ｉ−１ａｔ％Ｂを各々用いて膜を形成した。これら非磁
性膜の厚さは０．８ｎｍとした。
％Ｍｎ，Ｃｒ−３５ａｔ％Ｍｎ，Ｃｕ−４３ａｔ％Ｍ
ｎ，Ｈｆ−２ａｔ％Ｍｎ，Ｉｒ−１８ａｔ％Ｍｎ，Ｐｄ
−２７ａｔ％Ｍｎ，Ｐｔ−２８ａｔ％Ｍｎ，Ｒｕ−９ａ
ｔ％Ｍｎ，Ｒｈ−７ａｔ％Ｍｎ，Ｒｅ−１．５ａｔ％Ｍ
ｎ，Ｔｉ−２ａｔ％Ｍｎ，Ｖ−４５ａｔ％Ｍｎ，Ｚｒ−
１２ａｔ％Ｍｎ，Ａｕ−１２ａｔ％Ａｌ，Ｃｒ−２５ａ
ｔ％Ａｌ，Ｃｕ−１７ａｔ％Ａｌ，Ｈｆ−２２ａｔ％Ａ
ｌ，Ｉｒ−１０ａｔ％Ａｌ，Ｐｄ−１７ａｔ％Ａｌ，Ｐ
ｔ−１１ａｔ％Ａｌ，Ｒｕ−３ａｔ％Ａｌ，Ｒｈ−２ａ
ｔ％Ａｌ，Ｒｅ−１．５ａｔ％Ａｌ，Ｔｉ−１８ａｔ％
Ａｌ，Ｖ−４６ａｔ％Ａｌ，Ｚｒ−１６ａｔ％Ａｌ，Ｃ
ｒ−１０ａｔ％Ｍｎ−５ａｔ％Ａｌ，Ｃｕ−２５ａｔ％
Ｍｎ−８ａｔ％Ａｌ，Ｐｔ−２０ａｔ％Ｍｎ−５ａｔ％
Ａｌ，Ｔｉ−１ａｔ％Ｍｎ−５ａｔ％Ａｌ，Ｃｒ−１ａ
ｔ％Ｂ，Ｃｕ−０．８ａｔ％Ｃ，Ｃｕ−１．４ａｔ％Ｓ
ｉ−１ａｔ％Ｂを各々用いて膜を形成した。これら非磁
性膜の厚さは０．８ｎｍとした。
【００４５】保護膜８２用にカーボンターゲットを用い
て厚さ５ｎｍ形成し、垂直磁気記録媒体を作成した。各
膜は、スパッタのＡｒガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、スパッ
タパワー２０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２５０℃の条件で形
成した。また、比較試料として非磁性膜７８，８０を設
けない以外は同様の構造を持つ垂直磁気記録媒体を作成
した。これらの垂直磁気記録媒体の分解能と媒体Ｓ／Ｎ
を、実施の形態５と同様の条件で測定した。結果を表３
に示す。
て厚さ５ｎｍ形成し、垂直磁気記録媒体を作成した。各
膜は、スパッタのＡｒガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、スパッ
タパワー２０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２５０℃の条件で形
成した。また、比較試料として非磁性膜７８，８０を設
けない以外は同様の構造を持つ垂直磁気記録媒体を作成
した。これらの垂直磁気記録媒体の分解能と媒体Ｓ／Ｎ
を、実施の形態５と同様の条件で測定した。結果を表３
に示す。
【００４６】
【表３】
【００４７】さらに、これらの垂直磁気記録媒体を記録
用にトラック幅が０．４μｍの単磁極型の薄膜記録ヘッ
ド、再生用にトラック幅が０．３５μｍ、シールド間隔
が０．１２μｍのＧＭＲヘッドを用いて、ヘッドと媒体
のスペーシングを１５ｎｍとして記録再生実験を行っ
た。信号の再生波形をＥＥＰＲ４系の信号処理回路を通
してエラーレート評価を行ったところ、本発明による垂
直磁気記録媒体はいずれも面記録密度５０Ｇｂ／ｉｎ2
の条件で１０-8以下のエラーレート値が得られた。
用にトラック幅が０．４μｍの単磁極型の薄膜記録ヘッ
ド、再生用にトラック幅が０．３５μｍ、シールド間隔
が０．１２μｍのＧＭＲヘッドを用いて、ヘッドと媒体
のスペーシングを１５ｎｍとして記録再生実験を行っ
た。信号の再生波形をＥＥＰＲ４系の信号処理回路を通
してエラーレート評価を行ったところ、本発明による垂
直磁気記録媒体はいずれも面記録密度５０Ｇｂ／ｉｎ2
の条件で１０-8以下のエラーレート値が得られた。
【００４８】［実施の形態８］実施の形態７で試作した
垂直磁気記録媒体とトンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）
を用いた高感度再生素子を持つ録再分離ヘッドを用いて
図８に示す磁気記録再生装置を作製した。記録ヘッドの
トラック幅０．３μｍ，再生用のＴＭＲヘッド素子のト
ラック幅０．２６μｍ、ヘッドと媒体のスペーシング１
０ｎｍとした。信号処理としてＥＥＰＲ４方式を採用
し、７５Ｇｂ／ｉｎ2の面記録密度の条件で装置を動作
させたところ、１０-8以下の誤り率が得られた。
垂直磁気記録媒体とトンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）
を用いた高感度再生素子を持つ録再分離ヘッドを用いて
図８に示す磁気記録再生装置を作製した。記録ヘッドの
トラック幅０．３μｍ，再生用のＴＭＲヘッド素子のト
ラック幅０．２６μｍ、ヘッドと媒体のスペーシング１
０ｎｍとした。信号処理としてＥＥＰＲ４方式を採用
し、７５Ｇｂ／ｉｎ2の面記録密度の条件で装置を動作
させたところ、１０-8以下の誤り率が得られた。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、垂直磁気記録媒体のノ
イズを低減することができ、この結果高いＳ／Ｎ比が得
られるので、磁気ディスク装置の高密度化が可能とな
る、特に３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度磁気記録が可能
となり、装置の小型化や大容量化が容易になる。
イズを低減することができ、この結果高いＳ／Ｎ比が得
られるので、磁気ディスク装置の高密度化が可能とな
る、特に３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度磁気記録が可能
となり、装置の小型化や大容量化が容易になる。
【図１】本発明による磁気記録媒体の一例を示す断面
図。
図。
【図２】本発明による磁気記録媒体の一例を示す断面
図。
図。
【図３】本発明による垂直磁気記録媒体の一例の特性評
価結果を示す図。
価結果を示す図。
【図４】本発明による垂直磁気記録媒体の一例の特性評
価結果を示す図。
価結果を示す図。
【図５】本発明による垂直磁気記録媒体の一例の特性評
価結果を示す図。
価結果を示す図。
【図６】本発明による垂直磁気記録媒体の一例の特性評
価結果を示す図。
価結果を示す図。
【図７】本発明による磁気記録媒体の他の例を示す断面
図。
図。
【図８】磁気記憶装置の構成図。
【図９】本発明による磁気記録媒体の他の例を示す断面
図。
図。
【図１０】本発明による垂直磁気記録媒体の一例の特性
評価結果を示す図。
評価結果を示す図。
【図１１】本発明による垂直磁気記録媒体の一例の特性
評価結果を示す図。
評価結果を示す図。
【図１２】本発明による垂直磁気記録媒体の一例の特性
評価結果を示す図。
評価結果を示す図。
【図１３】本発明による垂直磁気記録媒体の一例の特性
評価結果を示す図。
評価結果を示す図。
【図１４】本発明による磁気記録媒体の他の例を示す断
面図。
面図。
１１…基板、１２…非磁性下地層、１３…垂直磁化膜、
１４…非磁性膜、１５…垂直磁化膜、１６…保護膜、２
１…基板、２２…非磁性下地層、２３…垂直磁化膜、２
４…非磁性膜、２５…垂直磁化膜、２６…保護膜、３１
…基板、３２…シード層、３３…強磁性膜、３４…非磁
性層、３５…軟磁性膜、３６…中間層、３７…下部垂直
磁化膜、３８…非磁性膜、３９…中部垂直磁化膜、４０
…非磁性膜、４１…上部垂直磁化膜、４２…保護膜、５
１…磁気記録媒体、５２…磁気記録媒体駆動部、５３…
磁気ヘッド、５４…磁気ヘッド駆動部、５５…信号処理
部 ６１…基板、６２…非磁性下地層、６３…垂直磁化膜、
６４…非磁性膜、６５…垂直磁化膜、６６…保護膜、７
１…基板、７２…シード層、７３…強磁性膜、７４…非
磁性層、７５…軟磁性膜、７６…中間層、７７…下部垂
直磁化膜、７８…非磁性膜、７９…中部垂直磁化膜、８
０…非磁性膜、８１…上部垂直磁化膜、８２…保護膜
１４…非磁性膜、１５…垂直磁化膜、１６…保護膜、２
１…基板、２２…非磁性下地層、２３…垂直磁化膜、２
４…非磁性膜、２５…垂直磁化膜、２６…保護膜、３１
…基板、３２…シード層、３３…強磁性膜、３４…非磁
性層、３５…軟磁性膜、３６…中間層、３７…下部垂直
磁化膜、３８…非磁性膜、３９…中部垂直磁化膜、４０
…非磁性膜、４１…上部垂直磁化膜、４２…保護膜、５
１…磁気記録媒体、５２…磁気記録媒体駆動部、５３…
磁気ヘッド、５４…磁気ヘッド駆動部、５５…信号処理
部 ６１…基板、６２…非磁性下地層、６３…垂直磁化膜、
６４…非磁性膜、６５…垂直磁化膜、６６…保護膜、７
１…基板、７２…シード層、７３…強磁性膜、７４…非
磁性層、７５…軟磁性膜、７６…中間層、７７…下部垂
直磁化膜、７８…非磁性膜、７９…中部垂直磁化膜、８
０…非磁性膜、８１…上部垂直磁化膜、８２…保護膜
フロントページの続き (72)発明者 菊川 敦 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社 日立製作所 中央研究所内 (56)参考文献 特開 平４−369204（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−176027（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−334440（ＪＰ，Ａ) 特開2001−56923（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−67322（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/62 - 5/82
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性基板上に非磁性下地層もしくは裏
打磁性膜層を介して垂直磁化膜が設けられた垂直磁気記
録媒体において、前記垂直磁化膜が少なくとも１層のＡ
ｌ合金膜で複数の層に分離されており、前記Ａｌ合金が
Ａｌ−Ｂ，Ａｌ−Ｃ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−
Ｇｅ，Ａｌ−Ｈｆ，Ａｌ−Ｉｒ，Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｍ
ｎ，Ａｌ−Ｍｇのいずれかからなり、Ａｌに対する合金
元素の添加量が０．５ａｔ％以上２５ａｔ％未満である
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気記録媒体において、
前記垂直磁化膜がＣｏ基合金であることを特徴とする垂
直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の磁気記録媒体にお
いて、Ａｌ合金膜の１層の厚さが０．５ｎｍ以上５ｎｍ
未満であり、前記Ａｌ合金膜を除く前記垂直磁化膜の全
厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満であることを特徴とす
る垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を駆
動する磁気記録媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に対し
て記録及び再生を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを
駆動する磁気ヘッド駆動部と、前記磁気ヘッドの記録信
号及び再生信号を処理する記録再生信号処理系とを備え
る磁気記憶装置において、前記磁気記録媒体として請求
項１〜３のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体を用
い、前記磁気ヘッドは薄膜型の記録用ヘッドと巨大磁気
抵抗効果もしくは磁気トンネル効果を用いた再生用素子
を備え、面記録密度３０Ｇｂ／ｉｎ2以上で磁気記録再
生を行なうことを特徴とする磁気記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19172099A JP3285558B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19172099A JP3285558B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002011915A Division JP3488710B2 (ja) | 2002-01-21 | 2002-01-21 | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001023141A JP2001023141A (ja) | 2001-01-26 |
| JP3285558B2 true JP3285558B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=16279367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19172099A Expired - Fee Related JP3285558B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3285558B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1560203B1 (en) * | 2003-02-20 | 2007-04-11 | Fujitsu Limited | Vertical magnetic recording medium |
-
1999
- 1999-07-06 JP JP19172099A patent/JP3285558B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001023141A (ja) | 2001-01-26 |
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