JP3276892B2 - 光ディスク原盤製造装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク原盤製
造装置に関し、さらに詳しくは、同心円状の複数のゾー
ンを有する光ディスク用の原盤を製造するための光ディ
スク原盤製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクの回転制御方式には、図８に
示されるように光ディスクの中心からの距離（半径）に
関係なく回転速度を一定にするＣＡＶ（Constant Angu
lar Velocity）方式、光ディスクの中心からの距離（半
径）に関係なく線速度が一定になるように図９に示され
るように内周から外周に近づくにつれて回転速度を連続
的に遅くするＣＬＶ（Constant Linear Velocity ）方
式などがある。

【０００３】ＣＬＶ方式では上記のように回転速度を連
続的に変化させる必要があるが、このような制御を実現
することは容易ではない。そこで、各ゾーンごとの平均
線速度が同じになるように図１０（ａ）に示されるよう
に内周から外周に近づくにつれて回転速度を段階的に遅
くするＺＣＬＶ（Zone Constant Linear Velocity ）方
式がある。ＺＣＬＶ方式の光ディスクでは、同心円状の
複数のゾーン（図１１ではゾーンＮ，Ｎ＋１だけが代表
的に示されている。）が形成されている。各ゾーンは複
数のセクタに分割されている。たとえば、ゾーンＮはセ
クタ０〜５に分割され、ゾーンＮ＋１はセクタ０〜７に
分割されている。ゾーンは同心円状に形成されている
が、トラック（図示せず）はスパイラル状に形成されて
いる。したがって、各ゾーンにおける最外周のトラック
は次のゾーンにおける最内周のトラックとセクタ開始位
置で接続されている。たとえばゾーンＮのセクタ５内の
最外周のトラックはゾーンＮ＋１のセクタ０内の最内周
のトラックと接続されている。

【０００４】このようなＺＣＬＶ方式の光ディスクで
は、図１０（ａ）に示されるように、各ゾーン内では回
転速度は一定であるため、各ゾーン内で線速度は外周に
近づくにつれて速くなる。しかしながら、各ゾーン内の
平均線速度が互いに同じになるように回転速度は外周ゾ
ーンに移動するにつれて遅くなる。

【０００５】ＺＣＬＶ方式の光ディスク用の原盤を製造
する場合、原盤となるガラス基板を図１０（ａ）に示さ
れるような速度で回転させる。したがって、記録密度は
厳密には各ゾーン内で外周に近づくにつれて低くなる
が、光ディスク全体ではほぼ一定になる。

【０００６】また、図１２に示されるように、ゾーンＮ
内の最外周トラックであるグルーブ１はたとえば１０Ｍ
Ｈｚのマスタクロック信号に応じてウォブルされ、ゾー
ンＮ＋１内の最内周トラックであるグルーブ２もまた１
０ＭＨｚのマスタクロック信号に応じてウォブルされて
いるが、ゾーンＮ＋１における回転速度の方がゾーンＮ
における回転速度よりも遅いため、グルーブ２のウォブ
リング周期の方がグルーブ１のウォブリング周期よりも
短くなる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１０
（ｂ）に示されるように、ゾーンＮにおける回転速度が
３６００ｒｐｍであり、ゾーンＮ＋１における回転速度
が３０００ｒｐｍである場合、ゾーンＮからゾーンＮ＋
１への遷移期間において回転速度は３６００ｒｐｍから
３０００ｒｐｍに瞬時に低下するのではなく実際には徐
々に低下する。したがって、遷移期間においては回転速
度が３６００ｒｐｍから３０００ｒｐｍに低下している
最中であるため、ゾーンＮ＋１内の最内周トラックであ
るグルーブ２の最初の部分３に通常よりも長い周期のウ
ォブルが形成されるという問題があった。

【０００８】

【０００９】本発明は上記のような問題を解決するため
になされたもので、その目的はマスタクロック信号に応
じて形成されるウォブルの周期が各ゾーン内において均
一なＺＣＬＶ方式の光ディスク用の原盤を製造すること
ができる光ディスク原盤製造装置を提供することであ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の光ディ
スク原盤製造装置は、同心円状の複数のゾーンを有する
光ディスク用の原盤を製造するための光ディスク原盤製
造装置であって、前記原盤用の基板を回転させるモータ
と、前記基板上に照射するためのレーザビームを発生す
るレーザと、前記複数のゾーンのうち前記レーザビーム
の照射位置が属するゾーンに応じて前記モータの回転速
度を変化させるように前記モータを駆動する駆動手段
と、前記レーザビームの照射位置を前記基板の半径方向
に移動させる移動手段と、前記モータの回転速度に応じ
た周波数を有するモータエンコード信号を発生するモー
タエンコード信号発生手段と、前記モータエンコード信
号に同期して所定のマスタクロック信号を発生するマス
タクロック信号発生手段と、前記マスタクロック信号に
応答して前記レーザビームを前記基板の半径方向に偏向
する偏向器とを備え、さらに前記マスタクロック信号発
生手段は、前記レーザビームの照射位置が属するゾーン
に応じて前記モータエンコード信号に同期した第１の周
波数を有する第１のクロック信号を発生する第１のＰＬ
Ｌ回路と、前記レーザビームの照射位置が属するゾーン
に応じて前記モータエンコード信号に同期しかつ前記第
１の周波数と異なる第２の周波数を有する第２のクロッ
ク信号を発生する第２のＰＬＬ回路と、前記レーザビー
ムの照射位置が属するゾーンに応じて第１または第２の
クロック信号を選択し、前記マスタクロック信号として
出力する選択手段とを備えたことを特徴とする。

【００１１】請求項２に記載の光ディスク原盤製造装置
は、請求項１に記載の光ディスク原盤製造装置におい
て、前記第１のＰＬＬ回路は、前記レーザビームの照射
位置が属するゾーンに応じて予め定められた第１の分周
比で前記第１のクロック信号を分周する第１の分周器
と、前記モータエンコード信号および前記第１の分周器
によって分周された信号を受ける第１の位相比較器と、
前記第１の位相比較器からの出力信号を受ける第１のロ
ーパスフィルタと、前記第１のローパスフィルタからの
出力信号に応答して前記第１のクロック信号を発生する
第１の電圧制御発振器とを含み、前記第２のＰＬＬ回路
は、前記レーザビームの照射位置が属するゾーンに応じ
て予め定められた第２の分周比で前記第２のクロック信
号を分周する第２の分周器と、前記モータエンコード信
号および前記第２の分周器によって分周された信号を受
ける第２の位相比較器と、前記第２の位相比較器からの
出力信号を受ける第２のローパスフィルタと、前記第２
のローパスフィルタからの出力信号に応答して前記第２
のクロック信号を発生する第２の電圧制御発振器とを備
えたことを特徴とする。

【００１２】

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当
部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。

【００１６】［実施の形態１］図１は、本発明の実施の
形態１による光ディスク原盤製造装置の構成を示すブロ
ック図である。図１を参照して、この光ディスク原盤製
造装置は、図１１に示されるように同心円状の複数のゾ
ーンを有するＺＣＬＶ方式の光ディスク用の原盤を製造
するためのものである。

【００１７】この光ディスク原盤製造装置は、原盤とな
る円形のガラス基板１０を回転させるモータ１１と、ガ
ラス基板１０上に照射するためのレーザビームＬＢを発
生するレーザ１２と、モータ１１を駆動するモータ駆動
器１３と、レーザビームＬＢの照射位置がガラス基板１
０の半径方向に移動するようにモータ１１を移動させる
スレッド制御器１４と、モータ１１の回転速度に応じた
周波数を有するモータエンコード信号ＭＥを発生するエ
ンコーダ１５と、レーザビームＬＢの照射位置が属する
ゾーンに応じてモータエンコード信号ＭＥに同期した周
波数を有するプレマスタクロック信号ＰＭＣ１を発生す
るＰＬＬ回路１６と、レーザビームＬＢの照射位置が属
するゾーンに応じてモータエンコード信号ＭＥに同期し
かつプレマスタクロック信号ＰＭＣ１の周波数と異なる
周波数を有するプレマスタクロック信号ＰＭＣ２を発生
するＰＬＬ回路１７と、レーザビームＬＢの照射位置が
属するゾーンに応じてプレマスタクロック信号ＰＭＣ１
またはＰＭＣ２を選択し、マスタクロック信号ＭＳとし
て出力する制御／選択器１８と、マスタクロック信号Ｍ
Ｓをたとえばバイフェーズ変調方式、ＮＲＺＩ（Non Re
turn Zero Inversed）プラス方式などに従ってエンコー
ドしてカッティングデータ信号ＣＤを発生するエンコー
ダ１９と、カッティングデータ信号ＣＤに応答してレー
ザビームＬＢをガラス基板１０の半径方向に偏向する偏
向器２０とを備える。

【００１８】この光ディスク原盤製造装置はさらに、偏
向器２０によって偏向されたレーザビームＬＢをガラス
基板１０の法線方向に反射する反射ミラー２１と、その
反射されたレーザビームＬＢをガラス基板１０の表面上
に集光する対物レンズ２２と、レーザビームＬＢの照射
位置が属するゾーンに応じてモータ１１の回転速度を切
換えたり、プレマスタクロック信号ＰＭＣ１，ＰＭＣ２
を切換えるように制御／選択器１８を制御するゾーン切
換器２３と、ゾーン切換器２３およびその他装置全体を
制御するマイクロコンピュータ２４と、各ゾーンの境界
を示すために各ゾーンの最初に記録されるべき初期アド
レスデータをエンコーダ１９に入力するためのインタフ
ェース２５とを備える。

【００１９】ここでは、スレッド制御器１４がモータ１
１を移動させるため、このスレッド制御器１４によって
レーザビームＬＢの照射位置が検出される。エンコーダ
１５は、モータ１１が１回転するたびに２０００個のパ
ルスを発生し、それをモータエンコード信号ＭＥとして
ＰＬＬ回路１６および１７に供給する。

【００２０】ＰＬＬ回路１６によって発生されるプレマ
スタクロック信号ＰＭＣ１は予め定められた分周比Ｒ
１，…，Ｒｎ−１で分周され、その分周された信号がモ
ータエンコード信号ＭＥと位相同期される。同様に、Ｐ
ＬＬ回路１７によって発生されるプレマスタクロック信
号ＰＭＣ２は予め定められた分周比Ｒ２，…Ｒｎで分周
され、その分周された信号がモータエンコード信号ＭＥ
に同期される。制御／選択器１８は、レーザビームＬＢ
の照射位置が属するゾーンに応じていずれかの分周比Ｒ
１，…，Ｒｎ−１でプレマスタクロック信号ＰＭＣ１を
分周するようにＰＬＬ回路１６を制御するとともに、レ
ーザビームＬＢの照射位置が属するゾーンに応じていず
れかの分周比Ｒ２，…，Ｒｎでプレマスタクロック信号
ＰＭＣ２を分周するようにＰＬＬ回路１７を制御する。
ゾーン切換器２３は、スレッド制御器１４によってレー
ザビームＬＢの照射位置が１つ外周のゾーンに移動した
とき、モータ１１の回転速度が遅くなるようにモータ駆
動器１３を制御するとともに、プレマスタクロックＰＭ
Ｃ１またはＰＭＣ２、および分周比Ｒ１，…，Ｒｎ−１
またはＲ２，…Ｒｎを切換えるように制御／選択器１８
を制御する。

【００２１】図２は、図１に示されたＰＬＬ回路１６お
よび１７の具体的な構成を示すブロック図である。図２
を参照して、ＰＬＬ回路１６は、レーザビームＬＢの照
射位置が属するゾーンに応じて予め定められた分周比Ｒ
１，…，Ｒｎ−１（Ｏｄｄ）でプレマスタクロック信号
ＰＭＣ１を分周する分周器２６と、モータエンコード信
号ＭＥおよび分周器２６によって分周された信号を受け
る位相比較器２７と、位相比較器２７からの出力信号を
受けるローパスフィルタ（ＬＰＦ）２８と、ローパスフ
ィルタ２８からの出力信号に応答してプレマスタクロッ
ク信号ＰＭＣ１を発生する電圧制御発振器（ＶＣＯ）２
９とを含む。このＰＬＬ回路１６は、予め定められた分
周比Ｒ１，…，Ｒｎ−１（Ｏｄｄ）で分周されたプレマ
スタクロック信号ＰＭＣ１の位相および周波数がモータ
エンコード信号ＭＥのそれらと等しくなるように動作す
る。同様に、ＰＬＬ回路１７は、レーザビームＬＢの照
射位置が属するゾーンに応じて予め定められた分周比Ｒ
２，…Ｒｎ（Ｅｖｅｎ）でプレマスタクロック信号ＰＭ
Ｃ２を分周する分周器３０と、モータエンコード信号Ｍ
Ｅおよび分周器３０によって分周された信号を受ける位
相比較器３１と、位相比較器３１からの出力信号を受け
るローパスフィルタ（ＬＰＦ）３２と、ローパスフィル
タ３２からの出力信号に応答してプレマスタクロック信
号ＰＭＣ２を発生する電圧制御発振器（ＶＣＯ）３３と
を含む。このＰＬＬ回路１７は、予め定められた分周比
Ｒ２，…Ｒｎ（Ｅｖｅｎ）で分周されたプレマスタクロ
ック信号ＰＭＣ２の位相および周波数がモータエンコー
ド信号ＭＥのそれらと等しくなるように動作する。

【００２２】次に、上記のように構成された光ディスク
原盤製造装置の動作を説明する。ここでは、いわゆるフ
ォトレジスト法によって原盤を作製するため、まず、ガ
ラス基板１０上にレジスト膜が塗布される。また、マス
タクロック信号ＭＳの標準周波数を１０ＭＨｚと仮定
し、ゾーン１〜５における回転速度をそれぞれ３６０
０、３０００、２４００、１８００、１２００ｒｐｍと
仮定し、エンコーダ１５は２０００パルス／回転でモー
タエンコード信号ＭＥを発生すると仮定する。

【００２３】このような場合においてレーザビームＬＢ
の照射位置がゾーン１〜５内にあるときは、それぞれ１
２０ＫＨｚ（３６００÷６０×２０００）、１００ＫＨ
ｚ（３０００÷６０×２０００）、８０ＫＨｚ（２４０
０÷６０×２０００）、６０ＫＨｚ（１８００÷６０×
２０００）、４０ＫＨｚ（１２００÷６０×２０００）
のモータエンコード信号ＭＥが発生される。

【００２４】レーザビームＬＢは、ガラス基板１０の内
周側から外周側に向かってスパイラル状に照射されるた
め、最初はレーザビームＬＢが最内周のゾーン１に照射
されるようにモータ１１がスレッド制御器１４によって
移動される。レーザビームＬＢの照射位置がゾーン１内
であるから、ゾーン切換器２３はモータ１１が３６００
ｒｐｍで回転するようにモータ駆動器１３を制御する。
そのため、１２０ＫＨｚのモータエンコード信号ＭＥが
エンコーダ１５からＰＬＬ回路１６および１７に供給さ
れる。

【００２５】レーザビームＬＢの照射位置がゾーン１内
のとき、ＰＬＬ回路１６では分周比Ｒ１として１２／１
０００が制御／選択器１８によって設定される。これと
同時に、ＰＬＬ回路１７では分周比Ｒ２として１０／１
０００が制御／選択器１８によって設定される。したが
って、ＰＬＬ回路１６では１２／１０００に分周された
プレマスタクロック信号ＰＭＣ１がモータエンコード信
号ＭＥと位相同期され、これにより１０ＭＨｚのプレマ
スタクロック信号ＰＭＣ１が発生される。ＰＬＬ回路１
７では１０／１０００に分周されたプレマスタクロック
信号ＰＭＣ２がモータエンコード信号ＭＥと位相同期さ
れ、これにより１２ＭＨｚのプレマスタクロック信号Ｐ
ＭＣ２が発生される。

【００２６】レーザビームＬＢ１の照射位置がゾーン１
内のときゾーン切換器２３はＰＬＬ回路１６からのプレ
マスタクロック信号ＰＭＣ１を選択するように制御／選
択器１８を制御するため、１０ＭＨｚのプレマスタクロ
ック信号ＰＭＣ１がマスタクロック信号ＭＳとしてエン
コーダ１９に供給される。エンコーダ１９はこのマスタ
クロック信号ＭＳをエンコードしてカッティングデータ
信号ＣＤを偏向器２０に供給するため、レーザ１２によ
って発生されたレーザビームＬＢは偏向器２０によって
カッティングデータ信号ＣＤに応答してガラス基板１０
の半径方向に偏向される。この偏向されたレーザビーム
ＬＢがガラス基板１０上に照射されるため、マスタクロ
ック信号ＭＳに応じたウォブルが形成される。

【００２７】続いて、レーザビームＬＢの照射位置がゾ
ーン１からゾーン２に移動すると、ゾーン切換器２３は
モータ１１が３０００ｒｐｍで回転するようにモータ駆
動器１３を制御する。しかしながら、３６００ｒｐｍの
回転速度が瞬時に３０００ｒｐｍの回転速度まで減速す
ることはないから、モータ１１の回転速度は３６００ｒ
ｐｍから徐々に遅くなり、やがて３０００ｒｐｍに到達
する。したがって、エンコーダ１５によって発生される
モータエンコード信号ＭＥの周波数は１２０ＫＨｚから
徐々に低下して１００ＫＨｚに到達する。そのため、仮
に常に一定な１０ＭＨｚのマスタクロック信号ＭＳが供
給されるなら、ゾーン２の最初の部分の記録密度がゾー
ン２の他の部分に比べて低くなる。

【００２８】しかしながら、レーザビームＬＢの照射位
置がゾーン１からゾーン２に移動すると、直ちに１０Ｍ
Ｈｚのプレマスタクロック信号ＰＭＣ１に代えて１２Ｍ
Ｈｚのプレマスタクロック信号ＰＭＣ２がマスタクロッ
ク信号ＭＳとしてエンコーダ１９に供給されるので、レ
ーザビームＬＢの照射位置がゾーン１からゾーン２に移
動した直後の遷移期間においてはモータ１１の回転速度
がゾーン２における規定の回転速度（３０００ｒｐｍ）
よりも速いにもかかわらず、標準周波数（１０ＭＨｚ）
よりも高い周波数のマスタクロック信号ＭＳが供給され
るため、遷移期間において記録密度が低下することはな
い。１０／１０００に分周されたプレマスタクロック信
号ＰＭＣ２はモータエンコード信号ＭＥと同期している
ため、プレマスタクロック信号ＰＭＣ２の周波数はモー
タエンコード信号ＭＥの低下とともに１２ＭＨｚから１
０ＭＨｚに徐々に低下する。このようにマスタクロック
信号ＭＳはモータ１１の回転速度に同期しているため、
遷移期間で記録密度が低下することはない。

【００２９】遷移期間が経過すると、モータエンコード
信号ＭＥの周波数が１００ＫＨｚに到達するため、マス
タクロック信号ＭＳとして供給されるプレマスタクロッ
ク信号ＰＭＣ２の周波数は１０ＭＨｚに到達する。この
とき、ＰＬＬ回路１６の分周比は８／１０００に設定さ
れ、１００ＫＨｚのモータエンコード信号ＭＥと位相同
期して１２．５ＭＨｚのプレマスタクロック信号ＰＭＣ
１が発生される。

【００３０】続いて、レーザビームＬＢの照射位置がゾ
ーン２からゾーン３に移動すると、１０ＭＨｚのプレマ
スタクロック信号ＰＭＣ２に代えて直ちに１２．５ＭＨ
ｚのプレマスタクロック信号ＰＭＣ１がマスタクロック
信号ＭＳとして選択される。これと同時に、モータ１１
の回転速度は３０００ｒｐｍから２４００ｒｐｍに向か
って徐々に低下する。プレマスタクロック信号ＰＭＣ１
はモータエンコード信号ＭＥと位相同期しているため、
プレマスタクロック信号ＰＭＣ１の周波数はモータ１１
の回転速度の低下に伴って１２．５ＭＨｚから１０ＭＨ
ｚに向かって徐々に低下する。

【００３１】以降、レーザビームＬＢの照射位置がゾー
ン３からゾーン４へ移動するときも上記と同様に動作す
る。レーザビームＬＢの照射位置がゾーン３内にあると
きＰＬＬ回路１６の分周比は８／１０００に設定され、
ＰＬＬ回路１７の分周比は６／１０００に設定される。
レーザビームＬＢの照射位置がゾーン４内にあるとき、
ＰＬＬ回路１７の分周比は６／１０００に設定され、Ｐ
ＬＬ回路１６の分周比は４／１０００に設定される。

【００３２】図３は、レーザビームＬＢの照射位置が一
般にゾーンＮからゾーンＮ＋１に移動するときのモータ
エンコード信号ＭＥおよびプレマスタクロック信号ＰＭ
Ｃ１，ＰＭＣ２を示すタイミング図である。

【００３３】レーザビームＬＢの照射位置がゾーンＮ内
にあるとき、ＰＬＬ回路１６は、モータ１１の回転速度
に応じた周波数を有するモータエンコード信号ＭＥに同
期してプレマスタクロック信号ＰＭＣ１を発生する。こ
のとき、プレマスタクロック信号ＰＭＣ１の周波数が１
０ＭＨｚになるようにＰＬＬ回路１６における分周比が
設定される。このプレマスタクロック信号ＰＭＣ１がマ
スタクロック信号ＭＳとして供給されるため、このプレ
マスタクロック信号ＰＭＣ１に応じてウォブルが形成さ
れる。

【００３４】続いて、レーザビームＬＢの照射位置がゾ
ーンＮ＋１内に移動すると、モータ１１の回転速度は遅
くなるが、直ちに所定速度まで低下するのではなく徐々
に低下し、遷移期間経過後に所定速度に到達する。

【００３５】ここで、従来のようにマスタクロック信号
ＭＳの周波数が１０ＭＨｚに固定されていると、ゾーン
Ｎ＋１の遷移期間においては、モータが所定速度よりも
速く回転しているため、モータが所定速度で回転してい
るスタンバイ期間における記録密度よりも遷移期間にお
ける記録密度の方が低くなる。

【００３６】そこで、この実施の形態１では、遷移期間
における記録密度をスタンバイ期間における記録密度と
同じにするため、遷移期間におけるマスタクロック信号
ＭＳの周波数を１０ＭＨｚよりも高くし、しかもモータ
１１の回転速度の低下に伴ってマスタクロック信号ＭＳ
の周波数を低下させるようにしている。

【００３７】具体的には、ＰＬＬ回路１６が１０ＭＨｚ
のプレマスタクロック信号ＰＭＣ１を発生している間
に、ＰＬＬ回路１７は１０ＭＨｚよりも高い周波数を有
するプレマスタクロック信号ＰＭＣ２を発生している。
続いて、レーザビームＬＢの照射位置がゾーンＮ＋１内
に移動すると、プレマスタクロック信号ＰＭＣ１に代え
てプレマスタクロック信号ＰＭＣ２がマスタクロック信
号ＭＳとして供給される。したがって、レーザビームＬ
Ｂの照射位置がゾーンＮ＋１に移動したときマスタクロ
ック信号ＭＳの周波数は瞬時に１０ＭＨｚからそれより
も高い周波数に変化する。このプレマスタクロック信号
ＰＭＣ２はＰＬＬ回路１７によってモータエンコード信
号ＭＥと同期しているため、遷移期間においてプレマス
タクロック信号ＰＭＣ２の周波数もモータ１１の回転速
度の低下に伴って低下し、遷移期間経過後に１０ＭＨｚ
に到達する。

【００３８】このようにゾーンＮ＋１の遷移期間におい
てマスタクロック信号ＭＳの周波数が１０ＭＨｚよりも
高くなり、しかもそのマスタクロック信号ＭＳはモータ
１１の回転速度に同期しているため、図４に示されるよ
うに、遷移期間であるゾーンＮ＋１内の最初の部分３の
記録密度がそれ以降のスタンバイ期間における記録密度
と同じになる。その結果、各ゾーン内においてウォブル
は規則的に形成される。

【００３９】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、モータエンコード信号ＭＥに同期して所定のマスタ
クロック信号ＭＳを発生し、そのマスタクロック信号に
応答してレーザビームＬＢをガラス基板１０の半径方向
に偏向しているため、各ゾーンごとに実際のモータの回
転速度に応じてウォブルを形成することができる。ま
た、２つのＰＬＬ回路１６，１７を設け、一方のＰＬＬ
回路がマスタクロック信号ＭＳとなるべきプレマスタク
ロック信号を発生している間に、もう一方のＰＬＬ回路
がそのプレマスタクロック信号よりも高い周波数のプレ
マスタクロック信号を発生しているため、レーザビーム
ＬＢの照射位置が１つ外周側のゾーンに移動したとき直
ちにその高い周波数のプレマスタクロック信号をマスタ
クロック信号ＭＳとして選択するため、各ゾーンの遷移
期間の最初から規則的なウォブルを形成することができ
る。

【００４０】

【００４１】また、上記実施の形態１では内周側から外
周側に向かってカッティングを行なう場合を説明した
が、逆に外周側から内周側に向かってカッティングを行
なうようにしてもよい。この場合、ＰＬＬ回路の分周比
は上記とは逆のＲｎ，Ｒｎ−１，…，Ｒ２，Ｒ１の順に
設定される。

【００４２】また、上記実施の形態１ではモータ１１を
移動させることによりレーザビームＬＢの照射位置を移
動させているが、モータ１１を固定して反射ミラー２１
を移動させることによりレーザビームＬＢの照射位置を
移動させてもよい。

【００４３】また、上記実施の形態１ではウォブルの山
部と谷部とが対向するようにウォブルを形成している
が、ウォブルの山部同士および谷部同士が対向するよう
にウォブルを形成してもよい。

【００４４】［実施の形態２］上記実施の形態１ではト
ラックの両側をウォブルしているが、トラックの片側だ
けをウォブルすることも可能である。トラックの片側だ
けをウォブルするためには、図１に示されたエンコーダ
１９と偏向器２０との間に図５に示されるような回路を
設ければよい。

【００４５】すなわち、この実施の形態２による光ディ
スク原盤製造装置は、図１に示された構成に加えて、キ
ャリア信号ＣＲを発生するキャリア発生器３４と、エン
コーダ１９によって符号化されたウォブル信号ＷＢに応
答してキャリア信号ＣＲの振幅を変調する振幅変調器３
５と、振幅変調器３５によって変調された変調信号ＭＤ
１を増幅するアンプ３６と、アンプ３６によって増幅さ
れた変調信号ＭＤ２を整流する整流器３７と、整流器３
７によって整流された整流信号ＲＣに一定のオフセット
を付加してカッティングデータＣＤを発生するオフセッ
ト器３８と、カッティングデータ信号ＣＤに応答して偏
向器２０に供給するための入力電圧ＶＩを発生する偏向
駆動器３９とを備える。

【００４６】エンコーダ１９はマスタクロック信号ＭＳ
を符号化し、たとえば図６に示されるようなウォブル信
号ＷＢを発生する。キャリア発生器３４は、たとえば図
６に示されるような方形波のキャリア信号ＣＲを発生す
る。なお、キャリア発生器３４は、方形波のキャリア信
号ＣＲに代えて、三角波のキャリア信号または正弦波の
キャリア信号を発生するようにしてもよい。整流器３７
はたとえばダイオードから構成される。偏向駆動器３９
は、オフセット器３８からのカッティングデータ信号Ｃ
Ｄが微弱であるために、カッティングデータ信号ＣＤを
増幅して偏向器２０を駆動可能にするためのものであ
る。

【００４７】次に、上記のように構成された光ディスク
原盤製造装置の動作を説明する。振幅変調器３５におい
ては、図６に示されるように方形波のキャリア信号ＣＲ
の振幅がウォブル信号ＷＢに応答して変調され、変調信
号ＭＤ１が発生される。

【００４８】続いてアンプ２１においては、変調信号Ｍ
Ｄ１が増幅され、変調信号ＭＤ１よりも大きい振幅を有
する変調信号ＭＤ２が発生される。

【００４９】続いて整流器２２においては、変調信号Ｍ
Ｄ２が整流され、整流信号ＲＣが発生される。すなわ
ち、整流器２２によって変調信号ＭＤ２のうち負の電圧
を有する部分が遮断される。

【００５０】続いてオフセット器３８においては、整流
信号ＲＣに一定のオフセット（±Ｘボルト）が付加さ
れ、カッティングデータ信号ＣＤが発生される。そし
て、このカッティングデータ信号ＣＤに比例する入力電
圧ＶＩが偏向駆動器３９から偏向器２０に供給される。

【００５１】図６に示されるようなカッティングデータ
信号ＣＤに比例する入力電圧ＶＩが偏向器２０に供給さ
れると、偏向器２０はレーザ１２からのレーザビームＬ
Ｂをその入力電圧ＶＩに応答して偏向する。ここでは、
ガラス基板１０上に照射されるレーザビームＬＢがガラ
ス基板１０の半径方向に繰返し往復するようにレーザ１
２からのレーザビームＬＢを偏向する必要がある。

【００５２】レーザビームがガラス基板１０上に照射さ
れると、ガラス基板１０上にスポットが形成されるが、
図７には、このスポット４０の中心４１の軌跡４２が示
されている。上記のようにレーザビームＬＢは入力電圧
ＶＩに応答して偏向されるため、レーザビームのスポッ
ト４０はガラス基板１０の半径方向に短時間で繰返し往
復する。また、変調信号ＭＤ２が整流器３７によって整
流されるため、レーザビームはガラス基板１０上におけ
る一定の位置とウォブル信号ＷＢに応じて変動する位置
との間で繰返し往復する。したがって、軌跡４２の上側
の包絡線は変化するが、下側の包絡線は一定になる。そ
のため、グルーブ１の一方の側壁５だけがウォブルさ
れ、他方の側壁６はウォブルされず、円周方向に沿って
真直ぐになる。

【００５３】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、グルーブの一方の側壁５だけをウォブルすることが
できるが、エンコーダ１９に供給されるマスタクロック
信号ＭＳはモータエンコード信号ＭＥに同期しているた
め、レーザビームＬＢの照射位置が属するゾーンから隣
接するゾーンに移動した直後も規則的なウォブルを形成
することができる。

【００５４】

【発明の効果】請求項１に記載の光ディスク原盤製造装
置によれば、モータの回転速度に応じた周波数を有する
モータエンコード信号に同期して所定のマスタクロック
信号を発生し、そのマスタクロック信号に応答してレー
ザビームを基板の半径方向に偏向するため、モータの回
転速度に同期したウォブルを形成することができ、その
結果、レーザビームの照射位置が属するゾーンから隣接
するゾーンに移動した直後においても記録密度が低下す
ることなく、全体的に均一な記録密度を有する光ディス
ク用の原盤を製造することができる。

【００５５】請求項２に記載の光ディスク原盤製造装置
によれば、請求項１の効果に加えて、一方のＰＬＬ回路
がクロック信号を発生している間に、もう一方のＰＬＬ
回路がそのクロック信号と周波数の異なるクロック信号
を発生し、レーザビームの照射位置が属するゾーンから
隣接するゾーンに移動したとき直ちにその周波数の異な
るクロック信号がマスタクロック信号として出力される
ため、より均一な記録密度を有する光ディスク用の原盤
を製造することができる。

【００５６】請求項３に記載の光ディスク原盤製造装置
によれば、請求項２の効果に加えて、分周器の分周比は
レーザビームの照射位置が属するゾーンに応じて設定さ
れるため、種々の周波数を有するモータエンコード信号
に同期して所定のマスタクロック信号を発生することが
できる。

【００５７】

【００５８】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１による光ディスク原盤製
造装置の構成を示すブロック図である。

【図２】図１に示された２つのＰＬＬ回路の具体的な構
成を示すブロック図である。

【図３】図１に示された光ディスク原盤製造装置の動作
を説明するためのタイミング図である。

【図４】図１に示された光ディスク原盤製造装置によっ
て製造された原盤のウォブル形状を示す平面図である。

【図５】本発明の実施の形態２による光ディスク原盤製
造装置の一部構成を示すブロック図である。

【図６】図５に示された光ディスク原盤製造装置の動作
を説明するための図である。

【図７】図５に示された光ディスク原盤製造装置によっ
て製造された原盤のウォブル形状を示す平面図である。

【図８】ＣＡＶ方式における回転速度と半径との関係を
示すグラフである。

【図９】ＣＬＶ方式における回転速度と半径との関係を
示すグラフである。

【図１０】（ａ）はＺＣＬＶ方式における回転速度と半
径との関係を示すグラフであり、（ｂ）は（ａ）に示さ
れた遷移期間の拡大図である。

【図１１】ＺＣＬＶ方式の光ディスクのゾーンおよびセ
クタの構造を示す平面図である。

【図１２】従来の光ディスク原盤製造装置によって製造
された原盤のウォブル形状を示す平面図である。

【符号の説明】

１０ ガラス基板 １１ モータ １２ レーザ １３ モータ駆動器 １４ スレッド制御器 １５，１９エンコーダ １６，１７ ＰＬＬ回路 １８ 制御／選択器 ２０ 偏向器 ２３ ゾーン切換器 ２６，３０ 分周器 ２７，３１ 位相比較器 ２８，３２ ローパスフィルタ ２９，３３ 電圧制御発振器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀 吉宏 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平10−21554（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/00 - 7/013 G11B 7/26 G11B 19/00 - 19/18 G11B 20/10 - 20/16

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 同心円状の複数のゾーンを有する光ディ
   スク用の原盤を製造するための光ディスク原盤製造装置
   であって、 前記原盤用の基板を回転させるモータと、 前記基板上に照射するためのレーザビームを発生するレ
   ーザと、 前記複数のゾーンのうち前記レーザビームの照射位置が
   属するゾーンに応じて前記モータの回転速度を変化させ
   るように前記モータを駆動する駆動手段と、 前記レーザビームの照射位置を前記基板の半径方向に移
   動させる移動手段と、 前記モータの回転速度に応じた周波数を有するモータエ
   ンコード信号を発生するモータエンコード信号発生手段
   と、 前記モータエンコード信号に同期して所定のマスタクロ
   ック信号を発生するマスタクロック信号発生手段と、 前記マスタクロック信号に応答して前記レーザビームを
   前記基板の半径方向に偏向する偏向器とを備え、 さらに前記マスタクロック信号発生手段は、 前記レーザビームの照射位置が属するゾーンに応じて前
   記モータエンコード信号に同期した第１の周波数を有す
   る第１のクロック信号を発生する第１のＰＬＬ回路と、 前記レーザビームの照射位置が属するゾーンに応じて前
   記モータエンコード信号に同期しかつ前記第１の周波数
   と異なる第２の周波数を有する第２のクロック信号を発
   生する第２のＰＬＬ回路と、 前記レーザビームの照射位置が属するゾーンに応じて第
   １または第２のクロック信号を選択し、前記マスタクロ
   ック信号として出力する選択手段とを備えたことを特徴
   とする光ディスク原盤製造装置。
2. 【請求項２】 前記第１のＰＬＬ回路は、 前記レーザビームの照射位置が属するゾーンに応じて予
   め定められた第１の分周比で前記第１のクロック信号を
   分周する第１の分周器と、 前記モータエンコード信号および前記第１の分周器によ
   って分周された信号を受ける第１の位相比較器と、 前記第１の位相比較器からの出力信号を受ける第１のロ
   ーパスフィルタと、 前記第１のローパスフィルタからの出力信号に応答して
   前記第１のクロック信号を発生する第１の電圧制御発振
   器とを含み、 前記第２のＰＬＬ回路は、 前記レーザビームの照射位置が属するゾーンに応じて予
   め定められた第２の分周比で前記第２のクロック信号を
   分周する第２の分周器と、 前記モータエンコード信号および前記第２の分周器によ
   って分周された信号を受ける第２の位相比較器と、 前記第２の位相比較器からの出力信号を受ける第２のロ
   ーパスフィルタと、 前記第２のローパスフィルタからの出力信号に応答して
   前記第２のクロック信号を発生する第２の電圧制御発振
   器とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の光ディ
   スク原盤製造装置。