JP3271602B2 - 半導体集積回路装置およびその設計方法 - Google Patents

半導体集積回路装置およびその設計方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路装置
およびその設計方法に関し、特にシリアルインターフェ
イスを有するASIC方式半導体集積回路装置およびそ
のの設計方法に関する。
【0002】
【従来の技術】シリアルインターフェイスは、LSI間
のデータ転送を少ない本数のケーブルで高速に転送する
方式であり、例えば、図6のように、PLL(Phas
e Locked Loop)回路1、送信部2、受信部
3という機能ブロックを相互に接続し、LSIに搭載す
ることで実現される。
【0003】PLL回路1は、LSI外部から供給され
た差動の125MHzクロック信号1aを入力して、1
0逓倍された1.25GHzクロック信号4を出力す
る。同時に125MHzクロック信号5を出力する。こ
れらのクロック信号4、5は、クロックバッファ6を介
して、送信部2、受信部3に送られる。
【0004】受信部3は、1.25Gbpsの差動シリ
アルデータ信号3aを入力して、10ビットの125M
bpsパラレルデータ信号3bを出力する。送信部2
は、10ビットの125Mbpsパラレルデータ信号3
cを入力して、1.25Gbpsの差動シリアルデータ
信号3dを出力する。
【0005】次に、送信部、受信部の動作の詳細を説明
する。
【0006】まず、送信部2の構成、動作について説明
する。
【0007】送信部2は、例えば図7に示すように1
0:1MUX回路から構成されている。送信部2は、フ
リップフロップ(F/F)9から構成されたレジスタ7
と、F/F10およびセレクタ11で構成されたシフト
レジスタ8とを備えている。
【0008】送信部2では、10ビットのパラレルデー
タ3cを構成するデータ0〜データ9を、125MHz
クロック信号5でレジスタ7に取り込む。その後、レジ
スタ7から出力されたデータ0〜データ9を、1.25
GHzクロック信号4およびセレクト信号8aに基づい
て、シフトレジスタ8内を転送させることで、10ビッ
トのシリアルデータ列3dを得る。ここで1.25GH
zクロック信号4は、PLL回路1がLSI外部から供
給された125MHzクロック信号1aを10倍に逓倍
させたものである。
【0009】次に受信部3の構成、動作について説明す
る。
【0010】受信部3は、例えば図8に示すようにクロ
ックリカバリ回路ブロック12が付加された1:10D
EMUX回路で構成される。クロックリカバリ回路ブロ
ック12は、受信した1.25Gbpsデータ信号3a
の切り替わりエッジを参照することによって最適な位相
の1.25GHzクロック信号を生成し、受信したデー
タのリタイミングを行なう回路である。この時、クロッ
クリカバリ回路ブロック12には、上述したPLL回路
1から発生された1.25GHzクロック信号4を基準
として供給するのが一般的である。
【0011】DEMUX回路では、クロックリカバリ回
路ブロック12から生成された1.25GHzクロック
信号13によってシフトレジスタ14に取り込んだ1.
25Gbpsシリアルデータ3aを、1.25GHzク
ロック信号13を分周器14aによって10分周してな
る125MHzクロック信号15によって、レジスタ1
6に取り込むことによって125Mbpsのパラレルデ
ータ3bを出力している。
【0012】符号17、18は、それぞれ、シフトレジ
スタ14、レジスタ16を構成するF/Fである。
【0013】上述したPLL回路1、送信部2、受信部
3から、送受信データを1本ずつ扱うシリアルインター
フェイスが1チャンネル実現されるが、実際には一つの
LSIに複数のチャンネルのシリアルインターフェイス
を備えることが多い。
【0014】これを実現する場合、図9に示すようにP
LL回路1等は、すべてのチャンネルの受信部/送信部
(送信部2および受信部3)101に対して共通に使用
されるのが一般的である。すべてのチャンネルの受信部
/送信部101を確実に動作させる必要があることか
ら、各チャンネルの受信部/送信部101に対するクロ
ック信号4,5の入力条件を均一に保つ必要がある。
【0015】従ってこのような構成では、PLL回路1
から受信部/送信部101へのクロック信号4,5の分
配が重要であり、注意深く設計されたクロックツリー1
02を用いる必要がある。
【0016】クロックツリー102は、バッファ6を複
数段接続して構成するが、各段間の配線長を揃えたり、
複数のクロックツリー間の構成を同一にするなどしてク
ロックスキューを低減するのが普通である。
【0017】そこで、従来の、シリアルインターフェイ
ス回路を搭載するASIC(Application
Specific Integrated Circu
it)では、図9に示すように、受信部/送信部10
1、PLL回路1をそれぞれ別個のマクロとしてASI
C設計用データベースに記述して、それらの間を接続す
るクロックツリー102を品種毎に専用設計していた。
【0018】また、電源回路を必要とする回路を受信部
/送信部に用いる場合や、受信部/送信部から信号を共
通部に伝達する場合もあり、このような配線構造も品種
毎に専用設計していた。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のASIC方式半導体集積回路装置にシリアルデータイ
ンターフェイス回路を搭載する場合には、品種毎に注意
深い設計が必要であり、設計TATの長期化を招いた
り、設計品質の均一化を計るのが難しいという課題があ
った。
【0020】特開昭60−1845号公報(従来技術
1)には、一つのチップ内で、まとまった機能を有する
回路パターンの占有領域が対称変換により重なる形状を
有する集積回路装置が記載されている。
【0021】特開平3−24763号公報(従来技術
2)には、同一の回路構成を有する1又は複数の基本セ
ルからなる機能ブロックの対に対する配線パターンを互
いに点対称又は鏡面対称に形成するマスタスライス方式
集積回路装置の形成方法が記載されている。同公報に
は、各論理機能ブロックの入出力端子位置を対称位置に
配置することが可能になり、入出力端子の位置関係に起
因する配線長の不揃いが解消される点や、複数の信号の
並列処理等で各論理機能ブロック間の配線長を揃えたい
場合に、各論理機能ブロックの入出力端子位置に依る影
響が無くなり、入出力端子の位置関係に起因する配線長
の不揃いが解消される点が記載されている。
【0022】特開平4−372169号公報(従来技術
3)には、マクロセルが互いに同一位置にある端子と、
互いに同一数のベーシックセルと、入力端子と出力端子
の間の信号伝搬経路上に設けられた複数の異なる遅延値
の内の一つを有する遅延素子とを有するので、所望の遅
延値を有するマクロセルを選んで容易に置きかえること
ができ、配置配線を再度行って遅延素子を新たに挿入す
る必要も無く容易にタイミングエラーを解消するマスタ
スライスLSIを得ることができる旨が記載されてい
る。
【0023】特開平5−29459号公報(従来技術
4)には、半導体基板内を複数のリージョンに分割して
配線処理を行う場合、配線領域を分割する配線領域辺を
ハードマクロの入出力ピンの列が平行となるように設定
し、ハードマクロの入出力ピンから該配線領域辺に降ろ
した垂線との交点に接続端子を設ける旨が記載されてい
る。
【0024】しかしながら、上記従来技術1〜4では、
上記課題を解決することはできない。
【0025】特開平1−283950号公報(従来技術
5)には、以下の半導体集積回路装置が記載されてい
る。スキャンパス付きLSI用出力バッファセルのレイ
アウトにおいて、出力バッファセルの第1の辺上にシフ
トイン端子を有し、該第1の辺と向かい合う第2の辺上
にシフトアウト端子を有し、該第1、第2の辺以外の第
3の辺上にLSIチップ内部と接続される上記端子以外
の端子を配置し、入力バッファセルにも該第1の辺と向
かい合う第2の辺上に、互いに入力バッファセル内部で
結線されたフィールドスルー用の第1の端子と第2の端
子を有し、上記出力バッファセルのシフトイン端子及び
シフトアウト端子と、入力バッファセル内の第1と第2
の端子の位置を揃えることにより、出力バッファセルの
みを複数個同一方向にして隣接配置した時、または出力
バッファセルや入力バッファセルを複数個同一方向にし
て隣接配置した時、各々の出力バッファセルのシフトイ
ン端子とシフトアウト端子が直接、もしくは入力バッフ
ァセル内のフィールドスルー用端子を通じて自動的に接
続される半導体集積回路装置である。
【0026】しかしながら、上記従来技術5は、後述す
る本発明に対して以下の点で相違している。本発明の課
題は、上記のように設計品質、性能向上および設計容易
化である。これに対して、上記従来技術5は、配線領域
の削除をその課題とし、スキャンパスを含む出力バッフ
ァにおいて、シフトイン端子、シフトアウト端子を、バ
ッファブロック側面の、同じ高さの座標に配置するとい
う構成を採用している。よって、上記従来技術5では、
各出力バッファを数珠つなぎに結ぶ、スキャン配線が、
内部領域を通過せず、出力バッファの側面で接続される
ので、内部自動配線領域を節約することができるという
ものである。上記従来技術5は、端子位置を上記のよう
にしているが、各ブロック内の構成については全く記載
がない。適用分野もスキャンパス構成であり、クリティ
カルなタイミングは存在しないから、各ブロック内の構
成に工夫を必要としないものである。本発明では、後述
するように各ブロック内の構成を規定している。上記従
来技術5をそのまま本発明の適用分野に適用しようとし
ても、クリティカルなタイミングは保証されない。
【0027】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、簡単かつ確実に、特性の安定した、例えば多
チャンネルシリアルインターフェイス回路を搭載した半
導体集積回路装置およびその設計方法を提供することを
目的としている。
【0028】
【課題を解決するための手段】上述したような、例えば
従来のASIC方式半導体集積回路装置の課題を解決す
るために、本発明では、共通部をマクロ化したもの(1
9)と、信号伝達手段(22,23,24,25,26
等)の構成を予め埋め込み、受信部/送信部(21)を
内蔵する1または複数種類のマクロ(28,29,3
0)を用意しておき、各マクロ(19,28,29,3
0)の端子を、各マクロ(19,28,29,30)が
互いに接して配置した際に、全く配線を必要としない
か、最小限の配線で、隣接したマクロ(19,28,2
9,30)間が互いに接続されるような位置に配置して
おく。
【0029】共通部(19)と、複数の受信部/送信部
(21)との間の信号伝達手段(22,23,24,2
5,26等)を分割して複数の受信部/送信部(21)
のそれぞれに埋め込み、さらに、各信号伝達手段(2
2,24,26等)の端子位置を揃えておくことで、共
通部(19)、受信部/送信部(21)を配置するだけ
で、相互間の接続が完成するため、個々の品種毎に信号
伝達手段を設計する必要がなくなる。
【0030】PLL等を有する共通部と、送受信部を有
するシリアルインターフェースASICにおいて、クロ
ックツリー構成等を、各ブロックに予め分散しておき、
各ブロックが互いに隣接されて配置されたときに、クリ
ティカルなタイミングを決定する回路構成を、自動配線
なしで完成するように、クロック分配回路、端子位置を
構成する。
【0031】微妙なタイミング設計を必要とする、複数
チャンネルを構成するシリアルインターフェースASI
Cの高速部を、上記構成をもつブロックを並べて配置す
るだけで完成する。品種毎に端子配置順番、チャンネル
数が異なっても、それぞれ別個に高速部を設計し直す必
要が無い。
【0032】本発明の半導体集積回路装置は、データ通
信ブロック(28,29,30)と、少なくとも1つの
前記データ通信ブロック(28,29,30)に信号を
供給可能な共通ブロック(19)と、前記共通ブロック
(19)および前記データ通信ブロック(28,29,
30)の少なくとも一方の接続部(20a)と接続し
て、前記共通ブロック(19)と前記データ通信ブロッ
ク(28,29,30)との間または複数の前記データ
通信ブロック(28,29,30)の間で前記信号を伝
達する信号伝達部(6,22,23,24,25,2
6,27,28a,29a,45)とを備え、前記信号
伝達部(6,22,23,24,25,26,27,2
8a,29a,45)は、前記データ通信ブロック(2
8,29,30)および前記共通ブロック(19)が互
いに隣接して配置されたときまたは前記複数のデータ通
信ブロック(28,29,30)同士が互いに隣接して
配置されたときに、前記接続部(20a)と対向する位
置に設けられている。
【0033】本発明の半導体集積回路装置において、前
記信号伝達部(6,22,23,24,25,26,2
7,28a,29a、45)の端子および前記接続部
(20a)の端子は、前記データ通信ブロック(28,
29,30)および前記共通ブロック(19)が互いに
隣接して配置されたとき、または前記複数のデータ通信
ブロック(28,29,30)同士が互いに隣接して配
置されたときに、位置合わせされて電気接続可能な位置
に設けられている。
【0034】本発明の半導体集積回路装置において、前
記信号は、クロック信号(28b,29b)であり、前
記信号伝達部(6,22,23,24,25,26,2
7,28a,29a、45)は、配線(28a,29
a)と、前記配線(28a,29a)に接続されたバッ
ファ(6)とを備えている。
【0035】本発明の半導体集積回路装置において、前
記共通ブロック(19)は、クロックドライバ(20)
を備えている。
【0036】本発明の半導体集積回路装置において、前
記共通ブロック(19)は、PLL(Phase Lo
cked Loop)回路を備えている。
【0037】本発明の半導体集積回路装置において、前
記信号は、基準電圧を示す基準電圧信号であり、前記信
号伝達部(6,22,23,24,25,26,27,
28a,29a、45)は、配線(45)を備えてい
る。
【0038】本発明の半導体集積回路装置において、前
記共通ブロック(19)は、前記基準電圧を発生する基
準電圧発生回路(41)を備えている。
【0039】本発明の半導体集積回路装置において、前
記信号は、クロック信号(28b,29b)および基準
電圧を示す基準電圧信号であり、前記信号伝達部(6,
22,23,24,25,26,27,28a,29
a、45)は、前記クロック信号(28b,29b)を
伝達するためのクロック信号用配線(28a,29a)
および前記クロック信号用配線(28a,29a)に接
続されたバッファ(6)と、前記基準電圧信号を伝達す
るための基準電圧信号用配線(45)とを備えている。
【0040】本発明の半導体集積回路装置において、前
記共通ブロック(19)は、PLL(Phase Lo
cked Loop)回路と、前記基準電圧を発生する
基準電圧発生回路(41)とを備えている。
【0041】本発明の半導体集積回路装置は、クロック
信号発生源(19)と、前記クロック信号発生源(1
9)に隣接して配置される複数のデータ通信ブロック
(28,29,30)と、バッファ回路(6)を含み、
前記クロック信号発生源(19)と前記複数のデータ通
信ブロック(28,29,30)のそれぞれとを接続す
るためのクロック信号伝達部(28a,29a)とを備
え、前記クロック信号伝達部(28a,29a)は、前
記クロック信号伝達部(28a,29a)の基部(28
k、29k)から、前記複数のデータ通信ブロック(2
8,29,30)のうちの第1のデータ通信ブロック
(28)に接続するための第1の分岐部(28d、2
9d)が分岐されるとともに、前記基部(28k、2
9k)から、前記複数のデータ通信ブロック(28,2
9,30)のうちの第2のデータ通信ブロック(29)
に接続するための第2の分岐部(28d、29d
が分岐され、前記バッファ回路(6)は、前記複数のデ
ータ通信ブロック(28,29,30)が前記クロック
信号発生源(19)に隣接して配置されたときに、前記
クロック信号発生源(19)から前記複数のデータ通信
ブロック(28,29,30)のそれぞれまでの段数が
等しくなるように設けられている。
【0042】本発明の半導体集積回路装置において、前
記クロック信号発生源(19)に設けられた端子(20
a)および前記クロック信号伝達部(28a,29a)
に設けられた端子は、前記複数のデータ通信ブロック
(28,29,30)が前記クロック信号発生源(1
9)に隣接して配置されたときに、互いに対向する位置
に設けられている。
【0043】本発明の半導体集積回路装置において、前
記クロック信号発生源(19)に設けられた端子(20
a)および前記クロック信号伝達部に設けられた端子
は、前記複数のデータ通信ブロック(28,29,3
0)が前記クロック信号発生源(19)に隣接して配置
されたときに、位置合わせされて電気接続可能な位置に
設けられている。
【0044】本発明の半導体集積回路装置において、前
記クロック信号発生源(19)は、クロックドライバ
(20)を備えている。
【0045】本発明の半導体集積回路装置において、前
記クロック信号発生源(19)は、PLL回路と、基準
電圧を発生する基準電圧発生回路(41)を備えてい
る。
【0046】本発明の半導体集積回路装置において、前
記半導体集積回路装置の設計方式は、素子を配列したシ
リコン基板上で、前記素子間を接続して論理機能を得る
マスタースライス方式である。
【0047】本発明の半導体集積回路装置において、前
記半導体集積回路装置の設計方式は、論理機能をもった
ブロックを配置配線して論理機能を得るスタンダードセ
ル方式である。
【0048】本発明の半導体集積回路装置の設計方法
は、データ通信ブロック(28,29,30)を提供す
るステップと、少なくとも1つの前記データ通信ブロッ
ク(28,29,30)に信号を供給可能な共通ブロッ
ク(19)を提供するステップと、前記共通ブロック
(19)および前記データ通信ブロック(28,29,
30)の少なくとも一方の接続部(20a)と接続し
て、前記共通ブロック(19)と前記データ通信ブロッ
ク(28,29,30)との間または複数の前記データ
通信ブロック(28,29,30)の間で前記信号を伝
達する信号伝達部(6,22,23,24,25,2
6,27,28a,29a,45)を提供するステップ
と、前記データ通信ブロック(28,29,30)およ
び前記共通ブロック(19)を互いに隣接して配置する
ステップと、前記隣接して配置した結果として、前記信
号伝達部(6,22,23,24,25,26,27,
28a,29a,45)の端子と前記接続部(20a)
の端子とを自動的に電気接続するステップとを備えてい
る。
【0049】
【発明の実施の形態】
【0050】以下、添付図面を参照して、本発明の実施
形態について説明する。
【0051】図1は、本発明の第一の実施形態を示すブ
ロック図である。
【0052】この実施形態は、3チャンネルのシリアル
インターフェイスを備えたASICである。本実施形態
では、PLLブロック(共通ブロック)19と、複数の
シリアルポートブロック(データ通信ブロック)28,
29,30とが互いに接して配置されている。シリアル
ポートブロック28,29,30には、受信部/送信部
21と、クロックバッファリング回路22〜27とが内
蔵されている。
【0053】なお、本発明の実施形態を以下に数例示す
が、PLLブロック、各シリアルポートブロック内の構
成は主要部のみを示し、例えば各シリアルポートブロッ
ク内のパラレルデータ伝送線等は図示しない。
【0054】PLLブロック19は、PLL回路と、ク
ロックバッファ20を搭載している。クロックバッファ
20の出力端子20aは、PLLブロック19の端部に
配置されている。
【0055】受信部/送信部21は、シリアルポートブ
ロック28〜30内に構成されているが、シリアルポー
トブロック28〜30において、クロックバッファリン
グ回路22〜27の構成は、以下の通りである。
【0056】まず、シリアルポートブロック28につい
て説明する。シリアルポートブロック28は、PLLブ
ロック19に隣接して配置されるブロックである。クロ
ックバッファリング回路22は、PLLブロック19内
のクロックドライバ20から出力されたクロック信号2
8b、29bを受信部/送信部21に伝達する。クロッ
クバッファリング回路22を、3段からなるバッファ6
により構成する。
【0057】シリアルポートブロック28は、さらに、
PLLブロック19から出力されたクロック信号28
b,29bをさらに隣接するシリアルポートブロック2
9に伝達するクロックバッファ23(バッファ6)を備
える。クロックバッファリング回路22において、各段
の負荷としてファンアウトを2つに揃えるため、1段
目、2段目のバッファ6の負荷として、ダミー容量31
を付加している。クロック信号線28a,29aの分岐
の数を揃えて、クロック信号28b,29bの信号伝達
条件を揃えるためである。さらに、図示していないが、
各バッファ6間の配線長も揃えておく。
【0058】クロックバッファ20の出力端子20aに
接続されたクロック信号線28a,29aは、シリアル
ポートブロック28,29,30の箇所でのみ、各シリ
アルポートブロック28,29,30の数だけ二方向に
分岐される。例えば、クロック信号線28aの基部28
kが分岐されて、第1の分岐部28dがシリアルポー
トブロック28の受信部/送信部21に接続される。基
部28kは、さらに隣接するシリアルポートブロック2
9に導かれる。導かれた基部28kからは第2の分岐部
28dが分岐される。その分岐線28dは、シリア
ルポートブロック29の受信部/送信部21に接続され
る。クロック信号線29aについても、同様である(符
号29k、29d、29d参照)。
【0059】次に、シリアルポートブロック29につい
て説明する。シリアルポートブロック29は、シリアル
ポートブロック28に隣接して配置されるブロックであ
る。シリアルポートブロック28内のクロックドライバ
23から出力されたクロック信号28b,29bを受信
部/送信部21に伝達するクロックバッファリング回路
24は2段のバッファ6で構成する。
【0060】シリアルポートブロック29は、さらにシ
リアルポートブロック28から出力されたクロック信号
28b,29bを、シリアルポートブロック29にさら
に隣接するシリアルポートブロック30に伝達するクロ
ックバッファ25(バッファ6)を備える。
【0061】クロックバッファリング回路24におい
て、各段の負荷としてファンアウトを2つに揃えるた
め、1段目のバッファ6の負荷として、ダミー容量31
を付加している。さらに、図示していないが、各バッフ
ァ6間の配線長も揃えておく。
【0062】次に、シリアルポートブロック30につい
て説明する。シリアルポートブロック30は、シリアル
ポートブロック29に隣接して配置され、PLLブロッ
ク19から最も遠い位置に配置されるブロックである。
【0063】シリアルポートブロック29内のクロック
ドライバ25から出力されたクロック信号28b,29
bを受信部/送信部21に伝達するクロックバッファリ
ング回路26は1段のバッファ6で構成する。シリアル
ポートブロック30は、シリアルポートブロック29の
クロックバッファ25のファンアウトを2つに揃えるた
めに、負荷用クロックバッファ27を備える。
【0064】以上の構成のシリアルポートブロック28
〜30とPLLブロック19をマクロとして準備してお
けば、すべてのシリアルポートブロック28〜30に共
通で使用されるPLLブロック19から各シリアルポー
トブロック28〜30の受信部/送信部21へクロック
信号28b,29bを伝達するクロックバッファリング
段数(バッファ6の段数)をすべて3段に統一すること
ができる。よって、PLLブロック19から各シリアル
ポートブロック28〜30までのクロック信号伝達時
間、各送信/受信部21の入力端子でのクロック信号の
波形を完全に等しくすることができる。
【0065】チャンネル数を2チャンネルにする場合
は、PLLブロック19と、シリアルポートブロック2
9、30を使用して上記と同様に隣接して配置するだけ
で、均一のクロック波形を各シリアルポートブロック2
9,30に供給することができる。
【0066】すなわち、Nチャンネルのシリアルインタ
ーフェイスをASIC上で実現する場合、1からN段ま
でのクロックバッファリング段数を持つシリアルポート
マクロを用意しておき、PLLブロック19に隣接させ
て、それらをクロックバッファリング段数の降順に配置
していけばよい。
【0067】シリアルポートブロック28〜30の端子
および、PLLブロック19の出力端子20aを含む端
子、のすべての位置は、各ブロック28〜30、19を
互いに隣接して配置するだけで端子同士が接続されるよ
うに決定される。
【0068】上述したように、クロック信号バッファリ
ング回路等を予め組み込んだシリアルポートマクロ2
8,29,30と、PLL回路等の各シリアルポートマ
クロ28,29,30に共通のPLLブロック(コモン
マクロ)19を準備しておき、それらのマクロ19,2
8,29,30を互いに接して配置するだけで、各マク
ロ19,28,29,30の端子同士が接続されるた
め、多チャンネルのシリアルインターフェイス回路を完
成させることができる。
【0069】コモンマクロ19からの距離に応じて、適
当なバッファリング段数のシリアルポートマクロ28,
29,30を選択する。品種毎にクロック信号のバッフ
ァリング等を行う必要がないため、極めて短い工期で安
定した性能を有する多チャンネルのシリアルインターフ
ェイスASICを完成することができる。
【0070】次に、本発明の第二の実施形態について説
明する。
【0071】図2は、本発明の第二の実施形態を説明す
るブロック図である。
【0072】本実施形態では、第一の実施形態における
シリアルポートブロック28〜30の、受信部/送信部
21と、クロックツリー部とを分離した構成としてい
る。すなわち、シリアルポートブロック28は受信部/
送信部ブロック32とクロックバッファリングブロック
33に分離され、シリアルポートブロック29は受信部
/送信部ブロック32とクロックバッファリングブロッ
ク34に分離され、シリアルポートブロック30は受信
部/送信部ブロック32とクロックバッファリングブロ
ック35に分離されている。
【0073】クロックバッファリングブロック33〜3
5と、PLLブロック19と、受信部/送信部ブロック
32の端子位置は、各ブロック33〜35、19、32
を互いに隣接して配置するだけで端子同士が接続される
ように決定される。
【0074】最終的な構成は第一の実施形態と同一であ
るが、本実施形態のよれば、ASIC用各種ライブラリ
のうち、データ量が多い受信部/送信部ブロック32の
データを一つだけ準備すればよく、データ量の少ないク
ロックツリー部33〜35のみについて各種ライブラリ
を準備すればよい。このことから、ASIC用ライブラ
リのファイル容量を節約でき、データ管理も容易になる
という長所を有する。
【0075】さらに、第三の実施形態を、図3を用いて
説明する。
【0076】PLLブロック36では、クロックドライ
バ37がマクロの両端に配置されている。PLLブロッ
ク36の右側には、シリアルポートブロック29が配置
されている。PLLブロック36の左側には、右側に配
置されたシリアルポートブロック29の向きとY軸対称
で回転させたシリアルポートブロック38が配置されて
いる。シリアルポートブロック38を左側に配置しても
クロックバッファのY座標は変化しないので、PLLブ
ロック36と左右のシリアルポートブロック29、38
の接続状態は良好に保たれる。
【0077】さらに、シリアルポートブロック30がシ
リアルポートブロック29に接して配置されている。本
実施形態においては、PLLブロック36から各シリア
ルポートブロック29、30、38内の受信部/送信部
21に伝達されるクロック信号28b,29bの通過バ
ッファ段数は二段で統一される。
【0078】本実施形態では、PLLブロック36と各
シリアルポートブロック29,30,38間の距離を短
くすることができるので、デバイスのチップ内ばらつ
き、電源ラインの電位ドロップ等の影響を最小限に留め
て、より精度の高いシリアルインターフェイス回路搭載
ASICが実現できるという特徴を持つ。
【0079】さらに、図4を用いて、本発明の第四の実
施形態を説明する。
【0080】図4は、PLLブロック200とシリアル
ポートブロック201が接している部分で、端子周辺を
拡大した図であり、第四の実施形態の要部のみを示して
いる。
【0081】本実施形態では、PLLブロック200の
端子202、シリアルポートブロック201の端子20
3の位置を、各々マクロ境界204から僅かに内側の位
置にする。この位置(マクロ境界204と、端子20
2,203の間の距離)は、これらのブロック200,
201が搭載されるASIC製品の、自動配線ツール用
格子の1または2つの格子分が望ましい。
【0082】しかも、隣接する端子202、203間の
配線チャンネル205を最短1経路のみ許すように、自
動配線ツールのライブラリには、周囲の領域206、2
07をすべて配線禁止として定義する。
【0083】端子202、203にはそれぞれ、PLL
ブロック200内のクロックドライバ(図示せず)から
の配線208、シリアルポートブロック201内のクロ
ックバッファ(図示せず)への配線209が接続され
る。
【0084】図4は、PLLブロック200とシリアル
ポートブロック201とが隣接したケースであるが、シ
リアルポートブロック同士が接する箇所でも同様の構造
を採る。
【0085】上記のPLLブロック200およびシリア
ルポートブロック201を用いると、回路接続情報を示
すネットリストで、PLLブロック200と各シリアル
ポートブロック201を別個に用いてそれら200,2
01の間のネットを記述すると、自動配線ツールによ
り、この記述されたネットが端子202,203間の配
線パターン205として実現される。したがって、PL
Lブロック200と各種シリアルポートブロック201
を別個にライブラリ化してある場合に、ネットリストと
レイアウト間の整合を容易にとることができるという利
点を有する。
【0086】しかも、各ブロック200,201間の配
線205は、最短かつ完全に予期できる寸法なので、こ
の部分の配線遅延時間を完全に各ブロックのライブラリ
中に記載しておくことができる。すなわち、品種によら
ず均一の特性が得られ、しかも、自動配線工程後の遅延
検証の必要がない。
【0087】以上は、PLLブロックから各シリアルポ
ートブロックにクロック信号線のみが供給される場合に
ついて説明した。図5に示すように、各シリアルポート
ブロック42〜44に、電源回路から発生された基準電
圧を供給するような場合でも、コモンブロック39内に
PLL回路40と共に電源回路41を設置して、各シリ
アルポートブロック42〜44内にクロック信号線28
a,29aとともに基準電源線45を配置しておくこと
ができる。
【0088】また、その他の信号がコモンブロック、シ
リアルポートブロック間に存在する場合にも同様の構成
が可能である。さらに、これらの実施形態では、コモン
ブロックから各シリアルポートブロックに種々の信号を
供給する場合について説明したが、逆に、各シリアルポ
ートブロックからコモンブロックに信号を供給する場合
についても、本発明が適用できることは明らかである。
【0089】なお、本発明の半導体集積回路装置の設計
方式としては、素子を配列したシリコン基板上で、素子
間を接続して所望の論理機能を得るマスタースライス方
式であってもよいし、論理機能を持ったブロックを配置
配線して所望の論理機能を得るスタンダードセル方式で
あってもよい。
【0090】以上説明した通り、本発明では、PLLマ
クロと、クロックツリー構成を予め埋め込んだ受信部/
送信部を内蔵するマクロを1または複数種類用意してお
き、各マクロの端子を、各マクロが互いに接して配置し
た際に、全く配線を必要としないか、最小限の配線で、
隣接したマクロ間が互いに接続されるような位置に配置
しておくことによって、極めて簡単に、しかも確実に特
性の良いシリアルインターフェイスASICを実現する
ことができる。
【0091】
【発明の効果】本発明の半導体集積回路装置によれば、
データ通信ブロックと、少なくとも1つの前記データ通
信ブロックに信号を供給可能な共通ブロックと、前記共
通ブロックおよび前記データ通信ブロックの少なくとも
一方の接続部と接続して、前記共通ブロックと前記デー
タ通信ブロックとの間または複数の前記データ通信ブロ
ックの間で前記信号を伝達する信号伝達部とを備え、前
記信号伝達部は、前記データ通信ブロックおよび前記共
通ブロックが互いに隣接して配置されたときまたは前記
複数のデータ通信ブロック同士が互いに隣接して配置さ
れたときに、前記接続部と対向する位置に設けられてい
るため、簡単かつ確実に、特性の安定した、例えば多チ
ャンネルシリアルインターフェイス回路を搭載した半導
体集積回路装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施形態の構成を示す回路ブロ
ック図である。
【図2】本発明の第二の実施形態の構成を示す回路ブロ
ック図である。
【図3】本発明の第三の実施形態の構成を示す回路ブロ
ック図である。
【図4】本発明の第四の実施形態の構成を示す回路ブロ
ック図である。
【図5】本発明の第五の実施形態の構成を示す回路ブロ
ック図である。
【図6】従来の、1チャンネルのシリアルインターフェ
イスを実現した構成を示す回路ブロック図である。
【図7】図6の送信部の構成を示す回路ブロック図であ
る。
【図8】図6の受信部の構成を示す回路ブロック図であ
る。
【図9】従来の、多チャンネルのシリアルインターフェ
イスを実現した構成を示す回路ブロック図である。
【符号の説明】
1 PLL回路 1a 125MHzクロック信号 2 送信部 3 受信部 3a 1.25Gbpsの差動シリアルデータ(信号) 3b 10ビットの125Mbpsのパラレルデータ
(信号) 3c 10ビットの125Mbpsのパラレルデータ
(信号) 3d 1.25Gbpsの差動シリアルデータ(信号) 4 1.25GHzクロック信号 5 125MHzクロック信号 6 クロックバッファ(バッファ) 7 レジスタ 8 シフトレジスタ 8a セレクト信号 9 フリップフロップ(F/F) 10 F/F 11 セレクタ 12 クロックリカバリ回路 13 1.25GHzクロック信号 14 シフトレジスタ 14a 分周器 15 125MHzクロック信号 16 レジスタ 19 PLLブロック 20クロックバッファ(クロックドライバ) 20a 出力端子 21 受信部/送信部 22 クロックバッファリング回路 23 クロックバッファリング回路(クロックドライ
バ) 24 クロックバッファリング回路 25 クロックバッファリング回路(クロックドライ
バ) 26 クロックバッファリング回路 27 クロックバッファリング回路 28 シリアルポートブロック 28a クロック信号線 28b クロック信号 28d 第1の分岐部 28d 第2の分岐部 28k 基部 29 シリアルポートブロック 29a クロック信号線 29b クロック信号 29d 第1の分岐部 29d 第2の分岐部 29k 基部 30 シリアルポートブロック 31 ダミー容量 32 受信部/送信部ブロック 33 クロックバッファリングブロック(クロックツリ
ー部) 34 クロックバッファリングブロック(クロックツリ
ー部) 35 クロックバッファリングブロック(クロックツリ
ー部) 36 PLLブロック 37 クロックドライバ 38 シリアルポートブロック 39 コモンブロック 40 PLL回路 41 電源回路 42 シリアルポート 43 シリアルポート 44 シリアルポート 45 基準電源線 101 受信部/送信部 102 クロックツリー 200 PLLブロック 201 シリアルポートブロック 202 PLLブロックの端子 203 シリアルポートブロックの端子 204 マクロ境界 205 配線チャンネル 206 領域(配線禁止領域) 207 領域(配線禁止領域) 208 クロックドライバからの配線 209 クロックバッファへの配線

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のマクロと、 前記複数のマクロの少なくとも一つに信号を供給するコ
    モンマクロとを備え、 前記複数のマクロのそれぞれは、通信部と、前記通信部
    に信号を伝達するための信号伝達部とを有し、 前記複数のマクロのそれぞれの前記信号伝達部は、 前記コモンマクロまたは他の前記マクロの前記信号伝達
    部からの信号を入力するための信号入力接続部と、 他の前記マクロの前記信号伝達部に信号を送る信号出力
    接続部と、 当該前記マクロの前記通信部および前記他のマクロの前
    記信号伝達部に信号を伝達するバッファとを有し、 前記複数のマクロのそれぞれの前記信号伝達部の前記バ
    ッファの段数は、前記コモンマクロから当該前記マクロ
    の前記通信部までの前記バッファの段数が互いに等しく
    なるように設けられ 前記複数のマクロの前記バッファの段数は、互いに異な
    るように予め設定され、かつ前記バッファの位置は予め
    決定されている 半導体集積回路装置。
  2. 【請求項2】 複数のマクロと、 前記複数のマクロの少なくとも一つに信号を供給するコ
    モンマクロとを備え、 前記複数のマクロのそれぞれは、通信部と、前記通信部
    に信号を伝達するための信号伝達部とを有し、 前記複数のマクロのそれぞれの前記信号伝達部は、 前記コモンマクロまたは他の前記マクロの前記信号伝達
    部からの信号を入力するための信号入力接続部と、 他の前記マクロの前記信号伝達部に信号を送る信号出力
    接続部と、 当該前記マクロの前記通信部および前記他のマクロの前
    記信号伝達部に信号を伝達するバッファとを有し、 前記複数のマクロのそれぞれの前記信号伝達部の前記バ
    ッファの段数は、前記コモンマクロから当該前記マクロ
    の前記通信部までの前記バッファの段数が互いに等しく
    なるように設けられ 前記複数のマクロの少なくとも一つの前記マクロの前記
    信号入力接続部には、前記コモンマクロからの前記信号
    が他の前記マクロの前記信号出力接続部から供給される
    半導体集積回路装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載の半導体集積回
    路装置において、 前記コモンマクロは、クロック信号発生源である半導体
    集積回路装置。
  4. 【請求項4】 請求項1から3のいずれか1項に記載の
    半導体集積回路装置において、 前記コモンマクロは、前記複数のマクロの少なくとも一
    つに前記信号を供給するための信号出力接続部を有し、 前記複数のマクロのそれぞれの前記信号伝達部の前記信
    号入力接続部は、前記複数のマクロのそれぞれと前記コ
    モンマクロとを互いに接して配置するだけでまたは前記
    複数のマクロのそれぞれ同士を互いに接して配置するだ
    けで、前記コモンマクロまたは他の前記マクロの前記信
    号出力接続部と全く配線を必要とすることなく自ずと接
    続されるように構成されている半導体集積回路装置。
  5. 【請求項5】 請求項1から3のいずれか1項に記載の
    半導体集積回路装置において、 前記コモンマクロは、前記複数のマクロの少なくとも一
    つに前記信号を供給するための信号出力接続部を有し、 前記複数のマクロのそれぞれの前記信号伝達部の前記信
    号入力接続部は、前記複数のマクロのそれぞれと前記コ
    モンマクロとを互いに接して配置したときまたは前記複
    数のマクロのそれぞれ同士を互いに接して配置したとき
    に、前記コモンマクロまたは他の前記マクロの前記信号
    出力接続部と互いに対向する位置に設けられている半導
    体集積回路装置。
  6. 【請求項6】 請求項記載の半導体集積回路装置にお
    いて、 前記複数のマクロのそれぞれの前記信号伝達部の前記信
    号入力接続部は、前記複数のマクロのそれぞれと前記コ
    モンマクロとを互いに接して配置するだけでまたは前記
    複数のマクロのそれぞれ同士を互いに接して配置するだ
    けで、前記コモンマクロまたは他の前記マクロの前記信
    号出力接続部と最小限の配線だけで接続される対向位置
    に設けられている半導体集積回路装置。
  7. 【請求項7】 請求項1からのいずれか1項に記載の
    半導体集積回路装置において、 前記コモンマクロに隣接して前記複数のマクロのうちの
    単一の前記マクロが接続され、ここで、前記単一のマク
    ロは第1マクロであり、 前記複数のマクロのうちの第2マクロは、前記第1マク
    ロに直接または前記複数のマクロのうちの第3マクロを
    介して接続されている半導体集積回路装置。
  8. 【請求項8】 請求項1からのいずれか1項に記載の
    半導体集積回路装置において、 前記コモンマクロに隣接して前記複数のマクロのうちの
    2個の前記マクロが接続され、ここで、前記2個のマク
    ロは第1、第2マクロであり、 前記複数のマクロのうちの第3マクロは、前記第1、第
    2マクロの一つに直接または前記複数のマクロのうちの
    第4マクロを介して接続されている半導体集積回路装
    置。
  9. 【請求項9】 請求項1からのいずれか1項に記載の
    半導体集積回路装置において、 前記半導体集積回路装置の設計方式は、マスタースライ
    ス方式である半導体集積回路装置。
  10. 【請求項10】 請求項1からのいずれか1項に記載
    の半導体集積回路装置において、 前記半導体集積回路装置の設計方式は、スタンダードセ
    ル方式である半導体集積回路装置。
  11. 【請求項11】 通信部とバッファとを有するマクロを
    複数提供するステップと、ここで、前記複数のマクロの
    前記バッファの段数は、互いに異なるように予め設定さ
    れ、かつ前記バッファの位置は予め決定され、 前記複数のマクロの少なくとも一つに信号を供給するコ
    モンマクロを提供するステップと、 前記コモンマクロを配置するステップと、 前記複数のマクロを、前記コモンマクロから前記複数の
    マクロのそれぞれの前記通信部までの前記バッファの段
    数が互いに等しくなるように、配置するステップとを備
    えた半導体集積回路装置の設計方法。
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