JP3263611B2

JP3263611B2 - 銅薄膜製造方法、銅配線製造方法

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Publication number: JP3263611B2
Application number: JP24926796A
Authority: JP
Inventors: 誠一高橋; 真朗村田; 淑郎楠本
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1996-08-30
Filing date: 1996-08-30
Publication date: 2002-03-04
Anticipated expiration: 2016-08-30
Also published as: JPH1074762A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁膜表面の微細
な凹部に銅材料を充填して銅配線を形成する技術にかか
り、特に、銅スパッタ薄膜のリフロー技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、半導体集積回路では、加工の容易
性等から、主にアルミニウム(Ａｌ)を主成分とする電極
配線材料が使用されている。

【０００３】しかし、アルミニウムで形成した電極配線
は、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレー
ションに対する耐性が弱いため、半導体集積回路の微細
化が進むに連れ、不良が多発して問題となっている。

【０００４】そこで従来より、アルミニウムを主成分と
する電極配線材料に替え、エレクトロマイグレーション
やストレスマイグレーションに対する耐性が高いタング
ステン(Ｗ)やモリブデン(Ｍｏ)を用いることが提案され
ている。しかし、それらの材料はアルミニウムに比較し
て抵抗値が大きいため、微細な配線パターンに適用した
場合には、大きな電圧降下による信号遅延が新たな問題
として生じている。

【０００５】その解決のため、抵抗値が小さく、しかも
エレクトロマイグレーション耐性やストレスマイグレー
ション耐性に優れた銅(Ｃｕ)を電極配線材料として用い
ることが検討されているが、銅薄膜はドライエッチング
によるパターン加工が行えないことから、現在、ＣＭＰ
(化学的機械研磨法)を用いた銅配線製造方法が有望視さ
れるに到っている。

【０００６】そのようなＣＭＰ法を用いた従来技術の銅
配線製造工程を説明する。図３(ａ)の符号１１１は配線
対象物であり、基板１１０と、基板１１０上に形成され
た絶縁膜１１２と、絶縁膜１１２にドライエッチング法
によって形成された凹部１１３₁、１１３₂と、その表面
に全面成膜された拡散防止膜(バリアメタル)１１４とを
有している。

【０００７】拡散防止膜１１４は、凹部１１３₁、１１
３₂の側面にも形成されており、その拡散防止膜１１４
上にＣＶＤ法によって銅ＣＶＤ薄膜１１６を形成した後
(同図(ｂ))、ＣＭＰ法によって表面を研磨すると、凹部
１１３₁、１１３₂内が銅ＣＶＤ薄膜１１６を構成してい
た銅材料で充填され、銅配線１２５₁、１２５₂が形成さ
れる(同図(ｃ))。

【０００８】そのようなＣＭＰ法による銅配線製造方法
の際にＣＶＤ法を用いるのは、ＣＶＤ法によれば銅が等
方的に成長し、凹部１１３₁、１１３₂内を完全に銅材料
で充填できるからである。

【０００９】図４に示すように、基板１３０上の絶縁物
１３２に凹部１３３₁、１３３₂を形成し、その表面の拡
散防止膜１３４上にスパッタリング法を用いて銅スパッ
タ薄膜１３６を形成する場合には、凹部１３３₁、１３
３₂の開口端で、銅スパッタ薄膜にオーバーハング１４
０₁、１４０₂が生じてしまう。

【００１０】そのようなオーバーハング１４０₁、１４
０₂が成長した場合には、特に、高アスペクト比の凹部
１３３₁内が銅材料で充填される前に、その部分で閉塞
し、空洞１４１が発生してしまうという不都合がある。

【００１１】このようなオーバーハング１４０₁、１４
０₂や空洞１４１の発生は、銅スパッタ薄膜ばかりでな
く、スパッタリング法によって形成されるアルミニウム
薄膜にも生じるが、アルミニウムスパッタ薄膜の場合
は、４００℃〜４５０℃という低温で加熱処理を行うこ
とにより容易に流動化し、空洞内部をアルミニウム材料
で充填できることが知られており(リフロー技術)、問題
視されることは少ない。

【００１２】ところが、銅スパッタ薄膜の場合には、ア
ルミニウムスパッタ薄膜と異なって、熱処理を行っても
容易には流動化しない。例えば、ＴｉＮ膜上に形成され
た銅スパッタ薄膜を１．０Torrの水素雰囲気下、４５０
℃の熱処理を３０分間行っても流動化は観察されない。
従って、従来は、１．５を超える高アスペクト比の凹部
内は銅スパッタ薄膜の銅材料で充填することができなか
った。

【００１３】このように、従来技術では高アスペクト比
の凹部内を銅スパッタ薄膜で充填させることができない
ため、ＣＶＤ法によって形成した銅ＣＶＤ薄膜によって
凹部内を銅材料で充填せざるを得なかった。

【００１４】しかしながら銅ＣＶＤ薄膜の原料は、一般
的に熱や水分に対して不安定であり、分解し易いという
問題がある。また、形成条件によっては、膜中に不純物
が多く、信頼性が低い場合もある。

【００１５】更に、銅ＣＶＤ薄膜を製造するための原料
ガスは高価であり、しかも、ＣＶＤ法による銅薄膜の成
長速度はスパッタリング法の約１／１０程度と遅いた
め、効率が悪く、銅配線のコスト高を招いていた。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の不都合を解決するために創作されたもので、その目
的は、スパッタリング法を用いて銅配線を形成できる技
術を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、基板上に銅薄膜を形成する
銅薄膜製造方法であって、前記基板上にＣＶＤ法によっ
て反応律速条件で銅ＣＶＤ薄膜を等方的に形成するＣＶ
Ｄ工程と、前記銅ＣＶＤ薄膜上に、スパッタリング法に
よって銅スパッタ薄膜を形成するスパッタ工程と、前記
銅ＣＶＤ薄膜と前記銅スパッタ薄膜とを３００℃以上４
５０℃以下の温度範囲で熱処理を行い、リフローさせる
リフロー工程とを有する銅薄膜製造方法である。請求項
２記載の発明は、前記ＣＶＤ工程は、１８０℃以下の温
度で前記銅ＣＶＤ薄膜を形成する請求項１記載の銅薄膜
製造方法である。

【００１８】請求項３記載の発明は、前記リフロー工程
は、水素雰囲気中で前記銅ＣＶＤ薄膜と前記銅スパッタ
薄膜とを熱処理する請求項１又は請求項２のいずれか１
項記載の銅薄膜製造方法である。

【００１９】請求項４記載の発明は、前記基板に凹部を
形成する凹部形成工程を有し、前記凹部内に前記銅ＣＶ
Ｄ薄膜と前記銅スパッタ薄膜とを形成し、前記凹部内を
リフローされた銅薄膜で充填する請求項１乃至請求項３
のいずか１項記載の銅薄膜製造方法である。

【００２０】請求項５記載の発明は、前記凹部内に前記
銅ＣＶＤ薄膜を形成する際に、前記凹部の側面に成長し
た前記銅ＣＶＤ薄膜が互いに接触する前にＣＶＤ反応を
終了させる請求項４記載の銅薄膜製造方法である。

【００２１】請求項６記載の発明は、前記基板と前記銅
ＣＶＤ薄膜との間に拡散防止膜を形成する拡散防止膜形
成工程を有する請求項４又は請求項５のいずれか１項記
載の銅薄膜製造方法である。

【００２２】請求項７記載の発明は、前記銅ＣＶＤ薄膜
の厚みよりも前記銅スパッタ薄膜の厚みの方を厚くする
請求項４乃至請求項６のいずれか１項記載の銅配線製造
方法である。請求項８記載の発明は、前記リフロー工程
後の前記銅スパッタ薄膜表面に、他の銅スパッタ薄膜を
形成する請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の銅
薄膜製造方法である。

【００２３】請求項９記載の発明は、アスペクト比が異
なる凹部を有する基板上に、請求項１乃至請求項８のい
ずれか１項記載の銅薄膜製造方法によって銅薄膜を形成
し、アスペクト比が大きな凹部を前記銅ＣＶＤ薄膜で充
填し、アスペクト比が小さな凹部を前記銅ＣＶＤ薄膜と
前記銅スパッタ薄膜で充填し、前記各凹部の外部の前記
銅薄膜を化学的機械研磨法で除去し、前記凹部内に残さ
れた銅薄膜で前記銅配線を形成する銅配線製造方法であ
る。請求項１０記載の発明は、前記凹部のうち、アスペ
クト比が大きな凹部を前記銅ＣＶＤ薄膜で充填し、アス
ペクト比が小さな凹部を前記銅ＣＶＤ薄膜と前記銅スパ
ッタ薄膜で充填した後、前記化学的機械研磨法を行う請
求項８記載の銅配線製造方法である。

【００２４】一般に、金属薄膜の形成に広く用いられて
いるスパッタリング法では、ターゲットから飛来してき
たスパッタリング粒子の堆積によって薄膜が形成される
ため、凹部内部に比べてスパッタリング粒子が付着しや
すい凹部開口端にオーバーハングが生じ、内部に空洞が
形成され易い。

【００２５】このような問題は、アルミニウム薄膜で
は、成膜後、４００℃〜４５０℃に加熱してアルミニウ
ム薄膜を凹部内に流し込み、オーバーハングや空洞を消
滅させるリフロー技術によって解決されている。そこ
で、絶縁膜に設けられた凹部内に、拡散防止膜であるＴ
ｉＮ膜を予め形成しておき、その表面にスパッタリング
法を用いて銅スパッタ薄膜を形成し、１．０Torrの水素
雰囲気中で４５０℃、１時間の熱処理を行い、銅スパッ
タ薄膜のリフローを行おうとしたが、銅スパッタ薄膜の
流動化は観察されず、アスペクト比１．５以上の凹部を
銅材料で充填することはできなかった。

【００２６】そこで、銅スパッタ薄膜を用いて高アスペ
クト比の凹部内に銅配線を形成させるために種々の実験
を行ったところ、本発明の発明者等は、ＣＶＤ法によっ
て形成した銅ＣＶＤ薄膜上に銅スパッタ薄膜を形成した
場合には、６００℃以下の低温に加熱するだけでリフロ
ーを行えることを見出した。

【００２７】その理由を調査したところ、上述した場合
に銅スパッタ薄膜のリフローを行えたのは、ＣＶＤ法に
よって等方的(コンフォーマル)に成長された銅ＣＶＤ薄
膜が熱処理により軟化し、流動したためであることが分
かった。

【００２８】本発明は上記知見に基づいて創作されたも
のである。即ち、上記事実に基けば、先ず、低温熱処理
で容易に軟化し、流動化する流動化層を形成し、その流
動化層上に銅スパッタ薄膜を形成した後、熱処理を行う
と、流動化層が流動する際に銅スパッタ薄膜をリフロー
させることができることになる。

【００２９】このような流動化層には銅ＣＶＤ薄膜を用
いることが可能であり、更に、基板上に形成され、凹部
が設けられた絶縁膜上に銅スパッタ薄膜を形成し、凹部
を銅材料で充填して銅配線を形成する場合には、そのよ
うな銅スパッタ薄膜のリフローを行えばよい。

【００３０】そのような凹部内に銅配線を形成する場合
にも、ＣＶＤ法によって形成した銅ＣＶＤ薄膜が低温の
熱処理により容易に流動化して凹部内に流れ込むことか
ら、銅ＣＶＤ薄膜を流動化層に用いることが可能であ
る。

【００３１】但し、その流動化層を形成する際に、一旦
凹部内に空洞が形成された場合には、リフローを行って
も空洞は容易には消滅しない。従って、凹部側面に形成
される流動化層は、互いに接触しないようにしておき、
空洞が形成されないようにするとよい。

【００３２】以上のように銅スパッタ薄膜をリフローさ
せ、凹部内を銅材料で充填した後、凹部外の部分の銅材
料を化学的機械研磨法で除去すると、凹部内に充填され
た銅材料によって銅配線を形成することが可能となる。

【００３３】なお、銅スパッタ薄膜により凹部内を充填
する場合には、基板と流動化層との間に拡散防止膜を形
成し、銅の拡散を防止することが望ましい。

【００３４】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を用い
て説明する。図１(ａ)〜(ｅ)は、本発明の銅配線製造方
法の一例を示す工程図であり、符号１１は配線対象物を
示している。

【００３５】その配線対象物１１は、シリコン基板１０
と、該シリコン基板１０上に形成されたシリコン酸化膜
から成る絶縁膜１２と、絶縁膜１２に設けられた凹部１
３₁、３₂と、絶縁膜１２表面に全面成膜された拡散防止
膜１４を有している。

【００３６】絶縁膜１２は膜厚１．０μｍに形成され、
凹部１３₁は、幅０．５μｍの細溝形状にされており、
また、凹部１３₂は凹部１３₁よりも幅の広い細溝形状に
形成されている。拡散防止膜１４は、基板・ターゲット
間距離を２００ｍｍとした遠距離スパッタ法により形成
された膜厚７００ÅのＴｉＮ薄膜によって構成されてお
り、該拡散防止膜１４は、各凹部１３₁、１３₂内の側面
にも形成されている。

【００３７】そのような配線対象物１１を、図２の符号
５２で示す銅薄膜製造装置の搬出入室６１内に装着し
た。

【００３８】この銅薄膜製造装置５２は、搬送室６０を
中心として、その周囲に、搬出入室６１と、ＣＶＤ室６
２と、スパッタ室６３と、アニーリング室６４とが配置
されて構成されており、搬出入室６１内に上述の配線対
象物１１を納め、真空排気した後、搬送室６０内に配置
された搬送ロボット７１のアーム７２を用いて、搬出入
室６１からＣＶＤ室６２内へ搬送した。

【００３９】このＣＶＤ室６２内に配線対象物１１が搬
入された後、銅・ヘキサフルオロアセチルアセトン・ビ
ニルトリメチルシラン(Hexafluoroacetylacetonate Cu
(I) vinyltrimetylsilane)([Cu(hfac)(vtms)]と略す)を
主成分とする原料ガスを導入し、基板温度１７０℃、成
膜圧力１．０Torr、水素キャリア流量６００sccm、原料
ガス[Cu(hfac)(vtms)]供給量０．５ｇ／分の成膜条件で
５分間銅の成長を行ったところ、膜厚１０００Åの銅Ｃ
ＶＤ薄膜１６が得られた(同図(ｂ))。膜厚１０００Åに
形成したのは、高アスペクト比の凹部１３₁内の側面に
形成された銅ＣＶＤ薄膜１６は接触しないようにするた
めである。

【００４０】一般に、凹部の幅をＷ、膜厚をＤとした場
合、膜厚Ｄが次式、Ｄ＜Ｗ／２を満たせば、凹部の側面に形成された銅ＣＶＤ薄膜は互
いに接触しない。但し、銅ＣＶＤ薄膜の表面は滑らかで
ないため、銅ＣＶＤ薄膜の突起部分が接触し、空洞を形
成してしまわないように、余裕を持って銅の成長を停止
させる必要がある。

【００４１】次いで、その銅ＣＶＤ薄膜１６が形成され
た配線対象物１１をＣＶＤ室６２からスパッタ室６３に
搬送し、銅ターゲットとの距離を３００ｍｍにしてスパ
ッタリングを行って銅ＣＶＤ薄膜１６上に銅を堆積さ
せ、膜厚６０００Åの銅スパッタ薄膜１８を形成した
(同図(ｃ))。このときの成膜速度約１５００Å／分であ
った。

【００４２】銅スパッタ薄膜１８が形成された基板１１
をアニーリング室６４に搬送し、水素雰囲気下で４５０
℃、１０分間のアニーリング処理(熱処理)を行ったとこ
ろ銅ＣＶＤ薄膜１６の流動化により、その上に形成され
ている銅スパッタ薄膜１８がリフローされ、表面の平坦
な銅リフロー薄膜２０が形成された。このとき、凹部１
３₁、１３₂内に銅ＣＶＤ薄膜１６と銅スパッタ薄膜１８
を構成する銅材料が流れ込み、凹部１３₁、１３₂内は、
その銅リフロー薄膜２０で充填された(同図(ｄ))。

【００４３】銅リフロー薄膜２０が形成された配線対象
物１１の表面をＣＭＰ法によって研磨したところ、凹部
１３₁、１３₂内には銅配線２５₁、２５₂が形成された
(同図(ｅ))。

【００４４】このように、銅ＣＶＤ薄膜上に銅スパッタ
薄膜を形成した後熱処理を行うと、拡散防止膜上に形成
した銅スパッタ薄膜ではリフローを起こさない低温でも
十分にリフローし、深さ１．０μｍ、溝幅０．５μｍの
溝状の凹部１３₁を銅材料で効率よく埋め込むことがで
きた。

【００４５】以上は、溝幅０．５μｍの凹部内に空洞が
形成されないようにするために、銅ＣＶＤ薄膜１６の膜
厚を１０００Åにした場合を説明したが、５００Åと薄
い銅ＣＶＤ薄膜でも、同様に、その上に形成した銅スパ
ッタ薄膜によって凹部１３₁内に銅配線を形成できてい
る。

【００４６】他方、銅ＣＶＤ薄膜を３０００Å程度の膜
厚にした場合でも、その上に形成された銅スパッタ薄膜
はリフローすることは確認している。但し、銅ＣＶＤ薄
膜を厚く形成した場合には、高アスペクト比の凹部１３
₁内は銅ＣＶＤ薄膜だけで充填されてしまう。従って、
そのように厚い銅ＣＶＤ薄膜上に銅スパッタ薄膜を形成
した後熱処理を行い、銅リフロー薄膜を形成した場合に
は、高アスペクト比の凹部１３₁内は銅ＣＶＤ薄膜の銅
材料で充填され、低アスペクト比の凹部１３₁内は銅Ｃ
ＶＤ薄膜の銅材料と銅スパッタ薄膜の銅材料とで充填さ
れる。但し、銅ＣＶＤ薄膜は薄いほどコスト的には有利
であり、銅ＣＶＤ薄膜の膜厚よりも銅スパッタ薄膜の膜
厚を厚くすることが望ましい。

【００４７】なお、銅スパッタ薄膜をリフローしても内
部を銅材料で充填できない場合には、その表面に再度銅
スパッタ薄膜を形成することも可能である。

【００４８】以上は絶縁膜中に形成した凹部１３₁、１
３₂が細溝形状の場合について説明したが、凹部の形状
はそのような細溝形状に限定されるものではない。ま
た、拡散防止膜１４の下には絶縁膜１２があり、凹部１
３₁、１３₂底面の拡散防止膜１４と基板１０表面とは接
触しておらず、銅配線２５₁、２５₂と基板とは電気的に
絶縁されていたが、凹部１３₁、１３₂の底面部分の拡散
防止膜１４が基板１０上に直接形成されているものも本
発明に含まれる。即ち、基板表面が露出するコンタクト
ホールや、下層の金属配線表面が露出するヴィアホール
上にも必要に応じて拡散防止膜を形成し、本発明方法を
用いることができる。

【００４９】上記実施例は、その拡散防止膜にＴｉＮを
用いたが、本発明に用いることができる拡散防止膜はそ
れに限定されるものではない。絶縁膜や酸化膜中への銅
の拡散を防止できる薄膜で、例えば、ＴｉＷ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、Ｗ等の高融点金属や、それら高融点金属の化合物を
用いることができる。それらの単層膜で拡散防止膜を構
成してもよく、多層膜を形成して拡散防止膜を構成して
もよい。

【００５０】また、本発明に言う絶縁膜はシリコン酸化
膜に限定されるものではなく、窒化シリコン膜等の各種
絶縁性薄膜が含まれる。銅ＣＶＤ薄膜や銅スパッタ薄膜
については、銅を主成分とする金属薄膜や金属材料を広
く含む。例えば、ＣＶＤ法によって銅を成長させる際
に、他の金属を含有するガスを添加し、特性を改善させ
た銅ＣＶＤ薄膜が含まれる。また、他の元素が添加され
た銅合金等をスパッタリングすることにより形成される
銅スパッタ薄膜や、添加ガスを導入するスパッタリング
法によって形成された銅スパッタ薄膜も本発明に含まれ
る。基板についてもシリコン基板に限定されるものでは
ない。

【００５１】更にまた、銅を成長させるＣＶＤ法につい
ては、基板温度を１７０℃にする場合に限定されるもの
ではない。但し、本実施例で用いた銅薄膜の原料ガスで
は、高温になると成膜反応が供給律速状態となり、等方
的な銅薄膜の成長を行えなくなるので、１８０℃以下の
基板温度でＣＶＤ法を行うことが望ましい。

【００５２】銅スパッタ薄膜をリフローさせる際の温度
は、上述した４５０℃、１０分に限定されるものではな
い。高温で行った場合、短時間でリフローが終了し、コ
スト面からは望ましいが、絶縁膜や基板中に銅が拡散し
ない温度で行う必要がある。拡散防止膜としてＴｉＮを
用いた場合、６００℃を超える温度になるとバリア性が
低下してしまうので、その温度以下にする必要がある。
また、ＴｉＮ膜等の拡散防止膜は、膜質によっては６０
０℃以下の温度でバリア性が低下してしまう場合がある
ため、温度範囲としては３００℃以上４５０℃以下が実
用的である。

【００５３】そのようなアニール処理を行う際の雰囲気
については、必ずしも水素ガス雰囲気に限定されるもの
ではない。例えば真空中で加熱するだけでも銅ＣＶＤ薄
膜を流動化させることができる。

【００５４】

【発明の効果】アスペクト比の高い凹部でもスパッタ法
によって銅配線を形成することができる。低コストで信
頼性の高い銅配線を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(ａ)〜(ｅ)：本発明の一例の製造工程を説明す
るための図

【図２】その製造工程に用いることができる銅薄膜製造
装置の一例

【図３】(ａ)〜(ｃ)：従来技術の銅配線製造方法の工程
を説明するための図

【図４】スパッタ薄膜のオーバーハングを説明するため
の図

【符号の説明】

１０……基板１２……絶縁膜１３₁、１３₂……
凹部１４……拡散防止膜１６……銅ＣＶＤ薄膜１８……銅スパッタ薄膜２０……銅リフロー薄膜２５₁、２５₂……銅配線

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｋ (56)参考文献特開平７−115073（ＪＰ，Ａ) 特開平７−211776（ＪＰ，Ａ) 特開平８−213462（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/3205 H01L 21/321 H01L 21/3213 H01L 21/768 H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/43 H01L 29/872

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に銅薄膜を形成する銅薄膜製造方法
であって、前記基板上にＣＶＤ法によって反応律速条件で銅ＣＶＤ
薄膜を等方的に形成するＣＶＤ工程と、前記銅ＣＶＤ薄膜上に、スパッタリング法によって銅ス
パッタ薄膜を形成するスパッタ工程と、前記銅ＣＶＤ薄膜と前記銅スパッタ薄膜とを３００℃以
上４５０℃以下の温度範囲で熱処理を行い、リフローさ
せるリフロー工程とを有する銅薄膜製造方法。
【請求項２】前記ＣＶＤ工程は、１８０℃以下の温度で
前記銅ＣＶＤ薄膜を形成する請求項１記載の銅薄膜製造
方法。
【請求項３】前記リフロー工程は、水素雰囲気中で前記
銅ＣＶＤ薄膜と前記銅スパッタ薄膜とを熱処理する請求
項１又は請求項２のいずれか１項記載の銅薄膜製造方
法。
【請求項４】前記基板に凹部を形成する凹部形成工程を
有し、前記凹部内に前記銅ＣＶＤ薄膜と前記銅スパッタ薄膜と
を形成し、前記凹部内をリフローされた銅薄膜で充填す
る請求項１乃至請求項３のいずか１項記載の銅薄膜製造
方法。
【請求項５】前記凹部内に前記銅ＣＶＤ薄膜を形成する
際に、前記凹部の側面に成長した前記銅ＣＶＤ薄膜が互
いに接触する前にＣＶＤ反応を終了させる請求項４記載
の銅薄膜製造方法。
【請求項６】前記基板と前記銅ＣＶＤ薄膜との間に拡散
防止膜を形成する拡散防止膜形成工程を有する請求項４
又は請求項５のいずれか１項記載の銅薄膜製造方法。
【請求項７】前記銅ＣＶＤ薄膜の厚みよりも前記銅スパ
ッタ薄膜の厚みの方を厚くする請求項４乃至請求項６の
いずれか１項記載の銅配線製造方法。
【請求項８】前記リフロー工程後の前記銅スパッタ薄膜
表面に、他の銅スパッタ薄膜を形成する請求項１乃至請
求項７のいずれか１項記載の銅薄膜製造方法。
【請求項９】凹部を有する基板上に、請求項１乃至請求
項８のいずれか１項記載の銅薄膜製造方法によって銅薄
膜を形成し、前記各凹部の外部の前記銅薄膜を化学的機械研磨法で除
去し、前記凹部内に残された銅薄膜で前記銅配線を形成
する銅配線製造方法。
【請求項１０】前記凹部のうち、アスペクト比が大きな
凹部を前記銅ＣＶＤ薄膜で充填し、アスペクト比が小さ
な凹部を前記銅ＣＶＤ薄膜と前記銅スパッタ薄膜で充填
した後、前記化学的機械研磨法を行う請求項９記載の銅
配線製造方法。