JP3260295B2 - 線形増幅装置及びその混変調成分除去方法 - Google Patents

線形増幅装置及びその混変調成分除去方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は線形増幅装置に係
り、特に、通信システムにおけるＲＦ信号の線形増幅装
置及びその制御方法に関する。
【０００２】通常、高出力増幅装置(High Power Amplif
ier：ＨＰＡ)は、大きな利得を得るために非線形(nonli
near)特性をもつ飽和領域(saturation region)付近で動
作する。しかし、このような高出力増幅装置にマルチキ
ャリヤ(multi-carrier)の信号が入力される場合、これ
らマルチキャリヤは相互変調歪み(Inter-ModulationDis
tortion：ＩＭＤ)といわれる混変調成分を発生させ、増
幅装置の性能が著しく低下する。このため、入力信号の
レベルを数ｄＢ下げてバックオフ(back-off：搬送波相
互間の混変調による通信妨害を避けるため増幅器入力の
レベルを下げ直線域で動作させること)するか、或い
は、使用する電力トランジスタ(Power TR)をより大容量
化しなければならない。
【０００３】通信システムのようにマルチキャリヤのＲ
Ｆ信号を増幅する場合、動作特性の線形化機能を有する
線形増幅装置(Linear Power Amplifier：ＬＰＡ)は、大
容量トランジスタを使用することなく適切な容量のトラ
ンジスタで、その動作特性の線形性から相互変調歪みを
排除できる。従って、通信システムから送出されるＲＦ
信号のクオリティーを向上させるために線形増幅装置は
不可欠である。
【０００４】図１は、Tattersallの線形増幅装置（米国
特許第5,130,663号：１９９２年７月１４日出願）の構
成を示している。
【０００５】図１の構成をもつ線形増幅装置は、パイロ
ット信号を発生させ、このパイロット信号を入力信号と
結合し、最終出力端に現れたパイロット信号を検出して
エラー増幅器(error amplifier)の位相と利得を制御す
ることにより歪みを抑えるようになっている。つまり、
相互変調歪みを取り除くために該線形増幅装置は、エラ
ー増幅器の位相と利得を連続的に制御するようにパイロ
ット信号を利用し、パイロット信号の減衰量を判断して
歪み成分を抑制する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなパイロッ
ト信号を用いた従来の線形増幅装置は、各種環境的要因
を考慮に入れてないため線形増幅の自動調整条件設定が
困難である。また、パイロット信号発生器やパイロット
信号検出器等多くの追加回路が必要となり線形増幅装置
の構成及びその制御が複雑になる。
【０００７】そこで本発明は、必要な追加回路を低減
し、構成及び制御が簡単な線形増幅装置とその制御方法
を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】パイロット信号を用いる
ことなく相互変調歪みを排除する線形増幅の手法とし
て、入力信号に前置歪み(predistortion)成分を発生さ
せて主増幅器の混変調抑制特性を改善する前置歪み方
式、混変調成分をフィードバックして増幅器の出力に含
まれている混変調成分を抑制するネガティブフィードバ
ック(negative feedback)方式、そして、混変調成分の
みを抽出して逆位相を形成して混変調成分を抑制するフ
ィードフォワード(feedforword) 方式が考えられる。本
発明ではこのうち前置歪み方式とフィードフォワード方
式を用いて混変調成分を分散させ除去する線形増幅の手
法とする。
【０００９】すなわち本発明は、前置歪み方式により主
増幅器から発生する混変調成分を抑制し且つフィードフ
ォワード方式により最終的に出力される増幅信号に含ま
れている混変調成分を抑制する手法とするものである。
より具体的には、線形増幅装置の主増幅器の前段に、主
増幅器で発生し得る混変調成分を予測して前置歪み信号
を発生させる前置歪み器を設置することにより、主増幅
器で発生する混変調成分を１次抑制する。そしてさら
に、その混変調成分を１次抑制した主増幅器の出力に含
まれている残りの混変調成分を抽出して最終出力信号へ
結合するフィードフォワード器を設置することにより、
最終出力の増幅信号における混変調成分を２次抑制す
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】図２は、本発明の線形増幅装置の
第１の実施形態の構成を示すブロック図である。第１可
変減衰器(variable attenuator)２１１は、減衰制御信
号ＡＴＴ１により装置入力端より入力されるＲＦ信号の
ゲインの減衰を制御する。第１可変移相器(variable ph
ase shifer)２１２は、第１可変減衰器２１１の出力を
入力とし、位相制御信号ＰＩＣ１によりＲＦ信号の位相
を制御する。前置歪み器(predistortor)２１３は、後段
の電力増幅器２１４で発生する混変調成分（相互変調歪
み）を想定して予めＲＦ信号中に高調波(harmonics)の
歪み信号を発生させる。電力増幅器(main power amplif
ier)２１４は主増幅器で、前置歪み器２１３から出力さ
れるＲＦ信号を電力増幅して出力する。第２遅延器２１
５は、電力増幅器２１４から出力されるＲＦ信号を入力
とし、混変調信号が印加される時間の分だけ遅延を行
う。以上の構成は、線形増幅装置の主経路(main path)
となる。
【００１１】分配器(power divider)２１６は、主経路
のＲＦ信号を分配して出力する。分配器２１６としては
方向性結合器(directional coupler)を使用することが
できる。第１遅延器(delay line)２１７は、主経路の前
置歪み及び増幅の過程におけるＲＦ信号の遅延時間を補
償する。分配器２１８は、電力増幅器２１４の出力側に
位置し、電力増幅器２１４の出力を分配する。分配器２
１８としては方向性結合器を使用することができる。相
殺器(signal canceler)２１９は、第１遅延器２１７か
らのＲＦ信号と、電力増幅器２１４からの増幅されたＲ
Ｆ信号とを入力とし、電力増幅器２１４の出力から第１
遅延器２１７の出力するＲＦ信号成分を相殺して混変調
信号のみを抽出する。本例では、該相殺器２１９を減算
器(subtractor)で実現している。第２可変減衰器２２０
は、相殺器２１９から出力される混変調信号を入力と
し、制御部２３７から出力される減衰制御信号ＡＴＴ２
により、抽出された混変調信号のゲインを制御する。第
２可変移相器２２１は、第２可変減衰器２２０から出力
される混変調信号を入力とし、制御部２３７から出力さ
れる位相制御信号ＰＩＣ２により混変調信号の位相を制
御する。エラー増幅器(error amplifier)２２２は、第
２可変移相器２２１から出力される混変調信号を増幅し
て出力する。結合器(signal coupler)２２３は、エラー
増幅器２２２の出力を第２遅延器２１５の出力に結合す
る。結合器２２３としては方向性結合器を使用すること
ができる。以上の構成は、前記主経路の混変調信号を２
次抑制するための補助経路(sub-path)に相当し、フィー
ドフォワードの機能をもつ。
【００１２】分配器２３１は、入力端に位置してＲＦ信
号を分配し、第１信号ＳＦ１を出力する。分配器２３２
は、電力増幅器２１４の出力側に位置し、増幅されたＲ
Ｆ信号を分配して第２信号ＳＦ２を出力する。分配器２
３３は、相殺器２１９の出力側に位置し、抽出された混
変調信号を分配して第３信号ＳＦ３を出力する。分配器
２３４は、装置の出力端に位置し、最終的に出力される
ＲＦ信号を分配して第４信号ＳＦ４を出力する。これら
分配器２３１〜２３４としては方向性結合器を使用する
ことができる。
【００１３】選択器(signal selector)２３５は、分配
器２３１〜２３４から出力される信号ＳＦ１〜ＳＦ４を
入力とし、制御部２３７から出力されるスイッチ制御信
号ＳＷＣ(Switching Control Data)によって制御され、
信号ＳＦを選択して信号検出器(signal detector)２３
６に出力する。信号検出器２３６は、制御部２３７から
出力される制御データＰＣＤ(PLL Control Data)によ
り、選択器２３５からの信号ＳＦの強度を検出して直流
電圧に変換された信号強度を示すＲＳＳＩ(Received Si
gnal Strength Indicator)を出力する。制御部２３７
は、選択器２３５がいずれかの信号ＳＦを選択するため
のスイッチ制御信号ＳＷＣを、また信号検出器２３６が
選択された信号ＳＦの強度を検出するための周波数を決
定する制御データＰＣＤを発生する。
【００１４】そして制御器２３７は、信号検出器２３６
から出力されるＲＳＳＩの値を分析し、この分析結果に
よって該当信号ＳＦのゲイン及び位相を調整するため、
対応する可変減衰器及び可変位相器を制御する減衰制御
信号ＡＴＴ１〜ＡＴＴ３及び位相制御信号ＰＩＣ１〜Ｐ
ＩＣ３を発生する。分配器２３１からのＳＦ１を選択し
た場合、制御部２３７は、検出器２３６を制御して入力
ＲＦ信号のＲＳＳＩを検出し、このＲＳＳＩの大きさを
判断してＲＦ信号の周波数成分を認識する。分配器２３
２から出力される電力増幅器２１４の出力ＳＦ２を選択
した場合、制御部２３７は、信号検出器２３６を制御し
て増幅ＲＦ信号の高調波信号成分のＲＳＳＩを検出して
その大きさを判断し、前置歪み器２１３により発生され
る混変調信号の減衰及び位相を調整するための減衰制御
信号ＡＴＴ３及び位相制御信号ＰＩＣ３を発生する。ま
た相殺器２１９の出力の混変調信号ＳＦ３を選択した場
合、制御部２３７は、信号検出器２３６を制御して混変
調信号に含まれているＲＦ信号のＲＳＳＩを検出してそ
の大きさを判断し、装置入力端の入力ＲＦ信号の減衰及
び位相を調整するための減衰制御信号ＡＴＴ１及び位相
制御信号ＰＩＣ１を発生する。そして、最終段から出力
される増幅信号ＳＦ４を選択した場合、制御部２３７
は、信号検出器２３６を制御して最終的に出力される信
号に含まれている混変調信号のＲＳＳＩを検出して大き
さを判断し、相殺器２１９から出力される混変調信号の
減衰及び位相を調整するための減衰制御信号ＡＴＴ２及
び位相制御信号ＰＩＣ２を発生する。
【００１５】このような構成を有する本発明の線形増幅
装置は、前置歪み方式とフィードフォワード方式とを用
いて、増幅過程で発生する混変調信号を排除する。前置
歪み方式では、前置歪み器２１３が電力増幅器２１４で
発生する混変調信号を１次的に抑制する。このために前
置歪み器２１３は、電力増幅器２１４の増幅時に発生す
る混変調成分（相互変調歪み）を予測してこれに相当す
る高調波(harmonics)の前置歪みを入力信号中に発生さ
せ、電力増幅器２１４の電力トランジスタに印加される
時点で電力増幅器２１４で発生する混変調成分と逆位相
になるように位相を調整して出力する。そしてさらに、
このような前置歪み方式で排除しきれない混変調成分の
ために、フィードフォワード方式を適用して混変調成分
を２次的に抑制するようにしている。フィードフォワー
ド方式は、電力増幅器２１４の出力から純粋なＲＦ信号
の成分を相殺して混変調成分を抽出し、抽出された混変
調信号を結合器２２３で増幅信号に結合させて混変調成
分を相殺する。このようにフィードフォワード方式を用
いることで最終出力端の信号に含まれる混変調成分が２
次的に抑制され、純粋な増幅ＲＦ信号を出力することが
可能となる。
【００１６】まず前置歪み方式の動作に関して説明す
る。
【００１７】図３は、図２の前置歪み器２１３の内部構
成を示すブロック図である。分配器３１２は、入力端に
位置してＲＦ信号を分配して出力する。自動レベル制御
器(Automatic Level Control: ＡＬＣ)３１３は、入力
レベルの変化に関係なく一定の高調波を発生できるよう
にＲＦ信号のレベルを一定に保持する。高調波発生器(H
amonics Generator)３１４は、自動レベル制御器３１３
でレベル調整されたＲＦ信号を入力として、ＲＦ信号の
３次、５次、７次、高次の高調波を発生する。可変減衰
器３１５は、高調波発生器３１４から出力される高調波
信号を入力とし、制御部２３７からの減衰制御信号ＡＴ
Ｔ３により高調波成分のゲインを制御する。可変移相器
３１６は、可変減衰器３１５の出力を入力とし、制御部
２３７からの位相制御信号ＰＩＣ３によって高調波成分
の位相を調整して出力する。遅延器３１１は、前置歪み
信号となる高調波発生に要する時間だけ主経路のＲＦ信
号を遅延させる。結合器３１７は、遅延器３１１の出力
端と電力増幅器２１４の入力端との間に位置し、遅延Ｒ
Ｆ信号に前置歪み信号を結合する。
【００１８】ここで高調波発生器３１４は、カップラー
とショットキーダイオードで構成することができ、ＲＦ
信号がショットキーダイオードに入力されるとショット
キーダイオードが、入力されたＲＦ信号のレベルに応じ
て高次高調波を発生する。このために高調波発生器３１
４の前段に、常時一定レベルのＲＦ信号を出力する自動
レベル制御器３１３を配置し、ショットキーダイオード
に入るＲＦ信号のレベルが、電力増幅器２１４の出力に
おいて混変調成分を一番良好に抑制できるレベルに設定
されるようにする。また、可変減衰器３１５及び可変移
相器３１６は、発生した高調波を、電力増幅器２１４の
増幅動作で発生する混変調成分と同様の大きさで逆位相
に調整する。
【００１９】図４は、図３の自動レベル制御器３１３の
構成を示すブロック図である。可変減衰器４１２が分配
器３１２と高調波発生器３１４との間に接続される。分
配器４１４が高調波発生器３１４の入力端に位置し、高
調波発生器３１４に印加するレベル調整されたＲＦ信号
を分配する。電力検出器(power dectector)４１５は、
分配されたＲＦ信号をＤＣ電圧に変換してレベル制御器
(level controller)４１６に出力する。レベル制御器４
１６は、電力検出器４１５の出力するＤＣ電圧に応じて
可変減衰器４１２を制御し、常時一定レベルのＲＦ信号
が高調波発生器３１４に入力されるようにする。電力検
出器４１５は、マルチキャリヤ(multi-carrier)を感知
する。即ちマルチキャリヤのＲＦ信号を入力としてＤＣ
電圧に変換しなければならない。
【００２０】図５は、図４の電力検出器４１５の構成を
示す回路図である。ＲＦトランス(transformer)４５１
は、ＲＦ信号を入力とし、１８０°位相差をもつ２つの
信号を発生する。トランス４５１から出力される２つの
信号は、伝送ライン４５２及び４５３を通じて、それぞ
れショットキーダイオード４５４及び４５５でＤＣレベ
ルに変換された後、キャパシタ４５６及び抵抗４５７で
合成整流されてＤＣ電圧として出力される。
【００２１】ここで図４、図５を参照して、ＲＦ信号の
レベルを一定に制御する動作を説明する。電力検出器４
１５の１８０°トランス４５１は、入力されたＲＦ信号
を半周期の単位で分離して２つの信号を発生し出力す
る。ショットキーダイオード４５４及び４５５は、それ
ぞれ伝送ライン４５２及び４５３を通じて入力される２
つの信号をＤＣレベルに変換する。これにより、マルチ
キャリヤの平均電力を誤差なく感知することができ、高
調波発生器３１４に入力されるＲＦ信号のレベルを正確
にＤＣ電圧に変換できる。自動レベル制御器３１３は、
演算増幅器等により実現され、レベル制御器４１６は、
電力検出器４１５からのＲＦ信号のＤＣ電圧レベルに対
応して制御信号を発生し、可変減衰器４１２に印加す
る。すなわち、検出されるＲＦ信号のＤＣ電圧に応じ
て、電圧値が大きければ減衰を大きくし、電圧値が小さ
ければ減衰を小さくするように制御信号を発生する。可
変減衰器４１２は、入力されるＲＦ信号のレベルによら
ず常時一定レベルを有するように可変減衰を行ってから
ＲＦ信号を高調波発生器３１４に入力する。この時、Ｒ
Ｆ信号の変動レベルが１０ｄＢであれば、自動レベル制
御器３１３の動作領域は最小１０ｄＢ以上にレベルが制
御できる設計とすべきである。
【００２２】図６は、図２の各部動作により発生する信
号特性を示す図であり、２つのトーン(two tone)の入力
信号の場合を示している。図６Ａは、ＲＦ信号を示す。
図６Ｂは、前置歪み器２１３の高調波発生器３１４から
発生するＲＦ信号の高調波信号（前置歪み信号）を示
す。図６Ｃは、前置歪み器２１３の可変減衰器３１５に
よって高調波の大きさが調整され、可変移相器３１６に
よって前記電力増幅器２１４に逆位相で入力され得るよ
うに位相が調整された信号を示す。図６Ｄは、前置歪み
信号を含む図６Ｃの信号を電力増幅器２１４で増幅し
た、１次抑制後の混変調成分の残っている増幅ＲＦ信号
を示す。図６Ｅは、相殺器２１９で図６Ｄの増幅ＲＦ信
号から図６Ａの信号成分を相殺して抽出した混変調信号
を示す。図６Ｆは、図６Ｅの混変調信号の大きさと位相
が調整された電力増幅器２１４の出力と逆位相の信号を
示す。図６Ｇは、図６Ｄの増幅ＲＦ信号と図６Ｆの調整
された混変調信号を結合させて混変調成分を２次抑制し
た最終出力信号を示す。
【００２３】制御部２３７は、選択器２３５を制御して
分配器２３２から出力される電力増幅器２１４の出力を
選択し、検出器２３６を制御して図６Ｄのような電力増
幅器２１４の出力中の混変調成分の信号強度ＲＳＳＩを
検出する。そして、検出器２３６から出力される混変調
成分のＲＳＳＩ値と前の状態におけるＲＳＳＩ値とを比
較分析し、減衰制御信号ＡＴＴ３及び位相制御信号ＰＩ
Ｃ３を発生する。可変減衰器３１５は、減衰制御信号Ａ
ＴＴ３によって高調波発生器３１４からの前置歪み信号
の大きさを調整し、可変移相器３１６は、位相制御信号
ＰＩＣ３によって前置歪み信号が電力増幅器２１４に逆
位相で入力されるように位相を調整する。こうして高調
波発生器３１４が発生する図６Ｂのような高調波信号
は、大きさ及び位相が調整され、結合器３１７は、混変
調成分を電力増幅器２１４の入力端に結合させる。この
時、図６Ａのような入力ＲＦ信号を遅延させる遅延器３
１１は、前置歪み信号が電力増幅器２１４の入力端に結
合される時点までＲＦ信号を遅延する。こうして、電力
増幅器２１４の入力端で前置歪み信号がＲＦ信号と結合
する。図６ＣのようにＲＦ信号に結合した混変調成分が
逆位相に調整される位置は、電力増幅器２１４の電力ト
ランジスタの入力端になることが好ましい。
【００２４】前置歪み器２１３は、電力増幅器２１４か
らの高調波中の一番高いレベルの３次高調波を主に除去
するように作用する。フィードフォワード方式は調整が
非常に精密で難しいが、前置歪み方式にて数ｄＢ改善を
行うことにより、フィードフォワード方式の調整が容易
になるという利点がある。つまり、前置歪み方式の混変
調成分除去は、フィードフォワード方式を適用して混変
調成分を抑制する際の負担を大幅に減らす効果がある。
【００２５】次に、フィードフォワード方式の動作を説
明する。
【００２６】フィードフォワード方式の過程は大きく２
つの段階に分けることができる。一つは電力増幅器２１
４の出力を入力ＲＦ信号成分で相殺して純粋な混変調成
分成分を抽出する段階であり、もう一つは、その抽出し
た混変調信号に対し、電力増幅器２１４から出力された
信号に最終的に含まれている混変調成分を完全に抑制で
きるように、大きさ及び位相の補正を行い、当該混変調
信号で電力増幅器２１４の出力を相殺する段階である。
【００２７】補助経路上の分配器２１６で図６Ａのよう
に入力されるＲＦ信号を分配し、第１遅延器２１７は、
主経路において前置歪み及びＲＦ増幅に要する時間分、
分配器２１６から分配出力されるＲＦ信号を遅延させた
後、相殺器２１９に印加する。そうすると、第１遅延器
２１７から出力される図６ＡのようなＲＦ信号成分と分
配器２１８で分配した図６Ｄのような増幅信号のＲＦ信
号成分とが相殺され、図６Ｅのような純粋な混変調成分
が抽出される。
【００２８】フィードフォワード方式の中心的な構成要
素である相殺器２１９は、減算器(substractor)または
加算器(adder)から構成できる。本例のように相殺器２
１９を減算器で構成する場合は、入力される２つのＲＦ
信号が同位相となるように調整する必要があり、一方、
加算器で構成する場合は、入力される２つのＲＦ信号が
逆位相を有するように調整する必要がある。つまり減算
器の場合は、内部に結合器を備え、入力される２つの信
号のうちの一方を逆位相に変換して結合器に入力する構
成をもつ。
【００２９】減算器による相殺器２１９に、図６Ａのよ
うな入力ＲＦ信号と図６Ｄのような増幅ＲＦ信号が入力
されると、これら同位相の２つのＲＦ信号成分は相殺器
２１９の内部で互いに逆位相に変換されてから結合器
（Wilkinson combinerを使用可能）を通過することで、
ＲＦ信号が相殺され混変調成分のみが残る。この時、相
殺器２１９に入力される両者のＲＦ信号レベルと位相を
正確に一致させなければならない。このためには、主経
路の増幅ＲＦ信号と補助経路のＲＦ信号との帯域内にお
ける群遅延(group delay)が正確に一致しなければなら
ず、且つ遅延の平坦(flatness)特性が良好でなければな
らない。即ち、相殺しようとするＲＦ信号の位相歪み(p
hase distortion)を抑制しなければならない。そこで、
図２の第１可変減衰器２１１が制御部２３７からの減衰
制御信号ＡＴＴ１によって入力ＲＦ信号のレベルを調整
し、第２可変移相器２１２が制御部２３７からの位相制
御信号ＰＩＣ１によって入力ＲＦ信号の位相を調整す
る。つまり第１可変減衰器２１１及び第１可変移相器２
１２は、主経路のＲＦ信号と補助経路のＲＦ信号が同一
レベル及び同位相となるように調整する機能を行う。
【００３０】制御部２３７は、選択器２３５に第３信号
ＳＦ３を選択するためのスイッチ制御信号ＳＷＣを出力
し、検出器２３６で第３信号ＳＦ３からＲＦ信号成分の
ＲＳＳＩを検出するための制御データＰＣＤを出力す
る。選択器２３５は、分配器２３３で分配される相殺器
２１９の出力としての第３信号ＳＦ３を選択し、検出器
２３６は、第３信号ＳＦ３のＲＦ信号の信号強度を示す
ＲＳＳＩを発生する。そして制御部２３７は、ＲＦ信号
成分のＲＳＳＩを直前のＲＳＳＩと比較分析し、その結
果に従って相殺器２３３でＲＦ信号成分を相殺するため
の減衰制御信号ＡＴＴ１及び位相制御信号ＰＩＣ１を発
生する。これに応じる第１可変減衰器２１１及び第１可
変移相器２１２は、図６Ｄと図６Ａのような２つのＲＦ
信号が同一レベル及び同一位相を有するように動作す
る。
【００３１】このように、相殺器２１９でＲＦ信号成分
を相殺して混変調成分成分のみを抽出する理由は、ＲＦ
信号成分が後段のエラー増幅器２２２に影響を及ぼさな
いようにするためである。即ち、相殺器２１９の出力が
変動してＲＦ信号が効果的に除去されなければエラー増
幅器２２２に比較的大きいレベルのＲＦ信号が入力され
てしまい、エラー増幅器２２２が損傷してしまうので、
これを防ぐためである。
【００３２】相殺器２１９による相殺後は、第２可変減
衰器２２０、第２可変移相器２２１及びエラー増幅器２
２２を通じて混変調信号のレベル及び位相が調整されて
から主経路へ入力され、これにより電力増幅器２１４の
出力に含まれている混変調成分成分が除去される。この
時、結合器２２３によって結合される混変調信号は、主
経路上の信号に含まれている混変調成分のレベルと一致
し、増幅された主経路のＲＦ信号と逆位相にならなけれ
ばならない。このために制御部２３７は、分配器２３４
で分配される最終出力信号の第４信号ＳＦ４を選択する
ためのスイッチ制御信号ＳＷＣを発生し、第４信号ＳＦ
４中の混変調成分の高調波のＲＳＳＩを検出するための
制御データＰＣＤを出力する。選択器２３５は、スイッ
チ制御信号ＳＷＣによって分配器２３４からの第４信号
ＳＦ４を選択し、検出器２３６は、制御データＰＣＤに
よって第４信号ＳＦ４の高調波のＲＳＳＩを検出して制
御部２３７に印加する。そして、制御部２３７は、最終
出力信号に含まれている混変調成分のＲＳＳＩと直前の
ＲＳＳＩとを比較分析し、分析結果に基づいて減衰制御
信号ＡＴＴ２及び位相制御信号ＰＩＣ２を発生する。こ
れにより、第２可変減衰器２２０が混変調成分のレベル
を調整し、第２可変移相器２２１が混変調成分の位相を
主経路の最終出力信号と逆位相になるように調整する。
エラー増幅器２２２は、このようにレベル及び位相が調
整された混変調成分を増幅して結合器２２３に出力す
る。
【００３３】フィードフォワード方式のみで増幅にとも
なう混変調成分を排除しようとすると、電力増幅器２１
４及びエラー増幅器２２２の設計及び制作、そして正確
な同調(tunning)が難しいが、本発明のように、混変調
成分を抑制するために前置歪み方式とフィードフォワー
ド方式を併用し、前置歪み器２１３を用いて一定の大き
さの混変調成分を予め抑制しておいてからフィードフォ
ワード方式にて残りの混変調成分を排除することによ
り、線形増幅装置の設計及び制作が容易になるというメ
リットが得られる。
【００３４】次に、上記のように前置歪み方式及びフィ
ードフォワード方式を用いて混変調成分を抑制する際の
制御過程を、制御部２３７を中心として具体的に説明す
る。
【００３５】図７は、図２の検出器２３６の内部構成を
示すブロック図である。減衰器７１１は、選択器２３５
から出力される信号ＳＦを減衰して出力する。フィルタ
７１２は、広帯域フィルタ(wideband pass filter)であ
って、送信帯域の信号を濾波する。ＰＬＬ(Phase Lock
Loop)７１３及び発振器７１４は、制御部２３７から出
力される制御データＰＣＤによって該当ローカル周波数
(Local Frequency)ＬＦ１を発生する。ローカル周波数
ＬＦ１は、選択した信号ＳＦのＲＳＳＩを検出するため
の周波数を決定する。混合器(mixer)７１５は、フィル
タ７１２から出力される信号とローカル周波数ＬＦ１を
混合して中間周波数（Intermediate Frequency：ＩＦ）
を発生する。フィルタ７１６は、中間周波数フィルタで
あって、混合器７１５の出力から２つの周波数の差信号
｜ＳＦ−ＬＦ１｜を濾波してＩＦ１として出力する。中
間周波数増幅器７１７は、中間周波数ＩＦ１を増幅して
出力する。発振器７１９は、固定されたローカル周波数
ＬＦ２を発生する。混合器７１８は、中間周波数増幅器
７１７から出力されるＩＦ１信号とローカル周波数ＬＦ
２を混合して中間周波数ＩＦ２を発生する。フィルタ７
２０は、混合器７１８の出力から２つの周波数の差信号
｜ＩＦ１−ＬＦ２｜を濾波してＩＦ２として出力する。
ＬＯＧ増幅器(LOG amplifier) ７２１は、フィルタ７２
０から出力される中間周波数ＩＦ２をＤＣ電圧に変換し
てＲＳＳＩ信号として出力する。
【００３６】選択器２３５は、制御部２３７のスイッチ
制御信号ＳＷＣに基づいて、第１信号ＳＦ１〜第４信号
ＳＦ４のうち対応する信号ＳＦを選択して出力する。検
出器２３６のフィルタ７１２は、信号ＳＦを濾波して混
合器７１５に印加する。ＰＬＬ７１３及び発振器７１４
は、制御部２３７の制御データＰＣＤによって選択され
た信号の高調波の混変調成分またはＲＦ信号を選択する
ためのローカル周波数ＬＦ１を発生する。混合器７１５
は、２つの信号ＳＦ及びＬＦ１を混合して出力し、フィ
ルタ７１６は、２つの信号の差に該当する周波数を濾波
してＩＦ１として出力する。以上は、選択された信号Ｓ
Ｆの信号強度を示すＲＳＳＩを検出するための周波数を
決定すると同時に、第１段階の周波数下降変換(frequen
cy downconversion) を行う。混合器７１８は、発振器
７１９から出力されるローカル周波数ＬＦ２とＩＦ１を
混合し、フィルタ７２０は、混合された信号から２つの
信号ＩＦ１及びＬＦ２の差に該当する周波数を濾波して
ＩＦ２として出力する。以上は、第２段階の周波数下降
変換（ダウンコンバート）である。そして、ＬＯＧ増幅
器７２１は、入力されるＩＦ２をＤＣ電圧に変換して出
力し、この信号が該当信号強度を示すＲＳＳＩとなる。
【００３７】図８は、図２の制御部２３７の内部構成を
示す図である。ＡＤＣ(Analog to Digital Converter)
８１４は、検出器２３６から出力されるＲＳＳＩをディ
ジタルデータに変換して出力する。ＲＯＭ８１２は、減
衰及び位相を制御するためのプログラムを貯蔵してい
る。ＣＰＵ８１１は、ＲＯＭ８１２のプログラムによっ
て信号ＳＦを選択するためのスイッチ制御信号ＳＷＣ、
及び選択された信号ＳＦから所望のＲＳＳＩを検出する
ための周波数を選択する制御データＰＣＤを発生し、Ａ
ＤＣ８１４から出力されるＲＳＳＩ値を比較分析して減
衰制御信号ＡＴＴ及び位相制御信号ＰＩＣを発生する。
ＲＡＭ８１３は、プログラム遂行中発生する各種のデー
タを一時貯蔵する。ＤＡＣ８１５は、ＣＰＵ８１１から
の減衰制御及び位相制御データをアナログに変換して減
衰制御信号ＡＴＴ及び位相制御信号ＰＩＣとして出力す
る。通信部８１６は、ＣＰＵ８１１の制御下に線形増幅
装置の状態情報を外部に通報する。
【００３８】図９は、信号レベル及び位相を調整するた
め、本例で制御部２３７が可変減衰器及び可変移相器を
制御する動作を示した図である。Ｘ軸は減衰値を、Ｙ軸
は位相変化値を示す。ＲＳＳＩが入力されている時に可
変減衰値をＰＡからＰＢに変化させた場合に、検出され
るＲＳＳＩ信号の大きさが減少すれば可変減衰値をＰＢ
からＰＣに移動する。そして、次のＲＳＳＩが入ってき
たときに可変減衰値をＰＣからＰＤに変化させ、これに
応じて検出されるＲＳＳＩ信号が再び増加すれば反対の
ＰＣ方向に移動する。このＰＣは減衰値の大きさを示す
一時的なポイントである。これと同様にして位相も、Ｐ
ＣからＰＥへ変化させて検出されたＲＳＳＩが減少すれ
ば、ＰＦに移動する。このようにして減衰及び位相を繰
り返し調整すると、選択された信号ＳＦの大きさを最小
化する可変減衰及び可変移相の値が得られる。
【００３９】図１０〜１６は、図９の可変減衰器及び可
変移相器の制御過程を示すフローチャートである。同図
では、まず検出された信号の位相を制御してから減衰を
制御する例を示しているが、先に減衰を制御した後位相
を制御してもよい。
【００４０】該フローチャートは、大きく分けて４段階
の過程から成る。第１段階では、第１信号ＳＦ１のＲＳ
ＳＩを検出して送信帯域からＲＦ信号の検出されるチャ
ネルを設定し、サービスチャネルを決定する。第２段階
では、第２制御信号ＳＦ２のＲＳＳＩを検出して前置歪
み信号を発生する。第３段階では、第３信号ＳＦ３のＲ
ＳＳＩを検出してＲＦ信号成分を相殺した混変調信号を
検出する。第４段階では、第４信号ＳＦ４のＲＳＳＩを
検出して最終出力信号に含まれている混変調成分の最終
抑制ができるように制御する。
【００４１】図１７は、信号ＳＦを示す図である。図１
７（１１Ａ）は、電力増幅器２１４の出力の第２信号Ｓ
Ｆ２を、図１７（１１Ｂ）は、相殺器２１９の出力の第
３信号ＳＦ３を、図１７（１１Ｃ）は、最終出力の第４
信号ＳＦ４を、それぞれ示す。
【００４２】以下、図１０〜１６及び図１７を参照して
制御手順を述べる。まずステップ１０００で、制御部２
３７は、線形増幅装置の初期化動作を行う。初期化動作
の遂行時、ＣＰＵ８１１は、特定の周波数及び特定の電
力における減衰制御信号ＡＴＴ１〜ＡＴＴ３及び位相制
御信号ＰＩＣ１〜ＰＩＣ３の電圧値を読み出してＲＡＭ
８１３の該当領域に貯蔵し、送信チャネル数に対応する
ＲＳＳＩ値及びサービスチャネル情報を貯蔵するための
ＲＡＭ８１３の該当領域を初期化する。このような初期
化動作は、最初に線形増幅装置を起動する時にのみ行わ
れる。
【００４３】初期化過程が終了すると、ステップ１０１
１で、ＣＰＵはサービスチャネルを決定するために、分
配器２３１からの第１信号ＳＦ１を選択するためのスイ
ッチ制御信号ＳＷＣを出力し、ステップ１０１３で、送
信帯域の最初のチャネルを選択するための制御データＰ
ＣＤを出力する。すると選択器２３５は、スイッチ制御
信号ＳＷＣによって第１信号ＳＦ１を選択して出力し、
検出器２３６は、制御データＰＣＤによって最初のチャ
ネル周波数に対するＲＳＳＩを検出する。ステップ１０
１５で、制御部２３７は、設定されたチャネルから受信
されるＲＳＳＩをＲＡＭ８１３の該当チャネル領域に貯
蔵し、ステップ１０１７で、次のチャネルのＲＳＳＩを
検出するためにチャネル番号を増加させる。このような
チャネルのスキャン動作は、ステップ１０１１〜１０１
９を繰り返して送信帯域の最後のチャネルまで行われ、
制御部２３７は、送信帯域の全チャネルに対して最初の
チャネルから最後のチャネルまで順次チャネル番号を増
加させつつ、各チャネルから検出される信号強度ＲＳＳ
Ｉを検出して内部のＲＡＭ８１３に貯蔵する。
【００４４】ＣＤＭＡ(Code Division Multiplexing Ac
cess)移動通信システムの場合、送信帯域は８６９. ６
４０ＭＨｚ〜８９３. １９ＭＨｚであり、チャネル間隔
は１. ２３ＭＨｚである。第１信号ＳＦ１の帯域は８６
９. ６４０ＭＨｚ〜８９３.１９ＭＨｚになり、制御デ
ータＰＣＤは、第１信号ＳＦの最初のチャネル周波数で
ある８６９. ６４０ＭＨｚから１. ２３ＭＨｚの間隔を
もって最後の２０番目のチャネル周波数である８９３.
１９ＭＨｚまで順次指定する。
【００４５】チャネルのスキャン動作を完了するとステ
ップ１０２１で、制御部２３７は、ＲＡＭ８１３に貯蔵
された全チャネルのＲＳＳＩを合計し、ステップ１０２
３で、ＲＳＳＩ合計値をチャネル数で割り平均値を計算
する。
【００４６】次に、ステップ１０２５〜ステップ１０３
５でサービスチャネルを設定する。制御部２３７は、Ｒ
ＡＭ８２３に貯蔵された各チャネルのＲＳＳＩ値を順次
アクセスして平均値と比較する。チャネルのＲＳＳＩ値
が平均値より大きい場合は、当該チャネルのＲＳＳＩ値
が基準値＋αより大きいかどうかを検査する。ここでは
αを３０ｄＢとする。すなわち、ステップ１０２７及び
ステップ１０２９で、現在のチャネルＲＳＳＩ値が平均
値より大きい場合に基準値より３０ｄＢ以上大きいかど
うかを検査する。その理由は、チャネルのＲＳＳＩ値が
平均値より大きくても雑音等により大きくなっている可
能性があるためで、確実に信号成分を有するチャネルを
サービスチャネルとして設定するため、現在のチャネル
ＲＳＳＩ値が平均値より大きく基準値＋α以上となって
いる場合に制御部２３７は、ステップ１０３１で該当チ
ャネルをサービスチャネルとして設定する。このように
ステップ１０２５〜ステップ１０３５を繰り返し、全て
のチャネルのＲＳＳＩ値の大きさを検査してサービスチ
ャネルを設定する。
【００４７】以上のように、第１信号ＳＦ１を選択した
制御部２３７は、第１信号ＳＦ１の帯域の全てのチャネ
ルのＲＳＳＩ値を検出した後分析し、送信サービスする
チャネルを設定して貯蔵する。その後、制御部２３７
は、設定されたサービスチャネルのＲＦ信号を増幅して
出力するように制御するが、本例では便宜上、連続する
２つのチャネルをサービスするものとし、この時、各チ
ャネルのＲＦ信号の周波数はｆ１及びｆ２と仮定し、混
変調成分をＩＭ１〜ＩＭ４とする。
【００４８】図１１〜１２のステップ１１１１〜ステッ
プ１１６３で、電力増幅器２１４の出力に含まれている
混変調成分を検査して、前置歪み器２１３の可変減衰器
３１５及び可変移相器３１６を制御する。
【００４９】本例では、前置歪み信号のレベル及び位相
を可変制御するために制御部２３７は、電力増幅器２１
４から出力される混変調成分の強度を検出し、検出した
値と前状態の混変調成分の強度とを比較し、その比較差
によって３段階の制御動作を行う。本例でＡ／Ｄ変換器
８１４及びＤ／Ａ変換器８１５は１６ビット変換器で、
１段階は２ステップ、２段階は１０ステップ、３段階は
２０ステップのＡ／Ｄ変換時の量子化ステップを設定す
る。初期レベル及び位相制御時点では前状態における位
相及び減衰制御信号を１段階増加させて制御し、２番目
以後の制御過程からＸ番目の制御過程まではＩＭ信号の
ＲＳＳＩを検出し、以前ＲＳＳＩ値との比較差が１０ス
テップ以下であれば１段階で制御し、２０ステップ以下
であれば２段階で制御し、２０ステップ以上であれば３
段階で制御するように設定する。このような前置歪み信
号のレベル及び位相制御動作は、Ｘ回にわたって連続的
に行われる。
【００５０】制御過程は、ステップ１１１１で、制御部
２３７が第２信号ＳＦ２を選択するためのスイッチ制御
信号ＳＷＣを出力し、選択器２３５は、図１７（１１
Ａ）のような電力増幅器２１４から出力される信号を選
択して検出器２３６に出力する。ステップ１１１３で、
制御部２３７は、ＨＧカウンタの値が０であるかどうか
を検査する。ここで、ＨＧカウンタは、電力増幅器２１
４における混変調成分を抑制した回数をカウントするカ
ウンタである。ＨＧカウンタの値が０であれば、ステッ
プ１１１５で、制御部２３７は、貯蔵している前状態の
位相制御信号ＰＰＩＣ３＋１段階値にしてこれを位相制
御信号ＰＩＣ３として出力し、該位相制御信号ＰＩＣ３
は、Ｄ／Ａ変換器８１５のＤＡＣ６によってアナログ信
号に変換されて可変移相器３１６に印加される。前置歪
み器２１３の可変移相器３１６は、位相制御信号ＰＩＣ
３によって高調波発生器３１４からの前置歪み信号の位
相を調整し、電力増幅器２１４の入力端で結合させる。
続くステップ１１１７で、制御部２３７は、位相制御信
号ＰＩＣ３を次の状態に備えて前位相制御信号ＰＰＩＣ
３として貯蔵する。
【００５１】次のステップ１１１９では、前状態の減衰
制御信号ＰＡＴＴ３＋１段階にして減衰制御信号ＡＴＴ
３が出力され、該ＡＴＴ３はＤＡＣ５によってアナログ
信号に変換されて可変減衰器３１５に印加される。そし
て前置歪み器２１３の可変減衰器３１５は、減衰制御信
号ＡＴＴ３によって高調波発生器３１４からの前置歪み
信号のレベルを調整して電力増幅器２１４の入力端で結
合させる。ステップ１１２１で、制御部２３７は、減衰
制御信号ＡＴＴ３を前減衰制御信号ＰＡＴＴ３として貯
蔵する。
【００５２】このように前置歪み信号の第１の位相及び
レベル制御は、前状態の制御信号に１段階を加算するよ
うにしたが、前状態の制御信号と現在検出した制御信号
との差を比較して該当する段階で制御信号を発生させて
もよい。こうして前置歪み信号の位相及びレベルを制御
し、ステップ１１６１で、制御部２３７は、ＨＧカウン
トを更新する。
【００５３】このように前置歪み信号の位相及びレベル
を調整し、制御部２３７は、再びステップ１１２３〜ス
テップ１１３７を行って電力増幅器２１４の出力に含ま
れている混変調成分ＩＭ１〜ＩＭ４のＲＳＳＩを検出
し、ステップ１１３９で一番大きいＲＳＳＩ値のＩＭを
選択する。このために、制御部２３７は、検出器２３８
が図１７（１１Ａ）のように出力される電力増幅器２１
４の出力の混変調成分ＩＭ１〜ＩＭ４を指定するための
制御データＰＣＤを順次出力し、該当する混変調成分Ｉ
Ｍ１〜ＩＭ４のＲＳＳＩ値を受信して貯蔵する。そし
て、検出された混変調成分ＩＭ１〜ＩＭ４の中から一番
大きいＲＳＳＩ値を有するＩＭ信号を選択する。
【００５４】その後、ステップ１１４１で、制御部２３
７は、選択されたＩＭ信号の強度と前状態の位相制御信
号ＰＰＩＣ３の値とを比較する。この時、ＩＭ信号が位
相制御信号ＰＰＩＣ３より大きければ、ステップ１１４
３で、位相制御値を小さくする方向に設定し、ＩＭ信号
が位相制御信号ＰＰＩＣ３より小さければ、ステップ１
１４５で、位相制御値を増加させる方向に設定する。こ
のように位相制御の方向を設定し、ステップ１１４７
で、ＩＭ信号の値と前状態の位相制御信号ＰＰＩＣ３と
の差を求めた後、その差による位相制御信号ＰＩＣ３を
発生する。位相制御信号ＰＩＣ３は、Ｄ／Ａ変換器８１
５を通じて可変移相器３１６に印加され、制御部２３７
は、位相制御信号ＰＩＣ３を次の状態で使用するために
前位相制御信号ＰＰＩＣ３として貯蔵する。
【００５５】同様にステップ１１５１で、位相制御信号
ＰＩＣ３を発生した後の制御部２３７は、選択されたＩ
Ｍ信号の強度と前状態の減衰制御信号ＰＡＴＴ３の値と
を比較する。この時、制御部２３７は、ＩＭ信号が減衰
制御信号ＰＡＴＴ３より大きければ、ステップ１１５３
で、減衰制御値を小さくする方向に設定し、ＩＭ信号が
減衰制御信号ＰＡＴＴ３より小さければ、ステップ１１
５５で、減衰制御値を増加する方向に設定する。このよ
うに減衰制御の方向を設定し、ステップ１１５７で、Ｉ
Ｍ信号の値と前状態の減衰制御信号ＰＡＴＴ３値との差
を求めた後、その差による減衰制御信号ＡＴＴ３を発生
する。減衰制御信号ＡＴＴ３は、Ｄ／Ａ変換器８１５を
通じて可変減衰器３１５に印加される。この後、ステッ
プ１１５９で、制御部２３７は、減衰制御信号ＡＴＴ３
を前の減衰制御信号ＰＡＴＴ３として貯蔵する。
【００５６】ステップ１１６１で、制御部２３７は、Ｈ
Ｇカウントを一つ増加させた後、ステップ１１６３でＨ
ＧカウントがＸになったかを検査し、ＨＧカウントがＸ
になるまでステップ１１２３に戻って過程を繰り返し行
う。即ち、電力増幅器２１４の出力に含まれている混変
調成分の強度を検出して前の位相及び減衰制御信号と比
較し、制御方向及び制御大きさを決定して電力増幅器２
１４で発生する混変調成分の逆位相で印加されるように
前置歪み信号の位相及びレベルを調整する。そして、Ｈ
ＧカウントがＸ値になると、前置歪み信号の調整動作を
終了する。
【００５７】前置歪み信号の位相及びレベルを調整した
制御部２３７は、相殺器２１９の出力に含まれているＲ
Ｆ信号成分を抑制するための動作を行う。
【００５８】図１３及び図１４に示すステップ１２２１
〜ステップ１２５５は、相殺器２１９の出力に含まれて
いるＲＦ信号成分を検査して第１可変減衰器２１１及び
第２可変移相器２１２を制御する動作を示している。
【００５９】相殺器２１９は、図１７（１１Ａ）のよう
な電力増幅器２１４の出力とＲＦ信号を相殺して増幅時
に発生した混変調成分のみを出力し、この時、制御部２
３７は、図１７（１１Ｂ）のように、相殺器２１９の出
力に含まれているＲＦ信号の強度を検出して相殺器２１
９でＲＦ信号を良好に抑制できるように信号のレベル及
び位相を可変制御する。制御手順は、上述の前置歪み信
号のレベル及び位相を可変制御するのと同様の手順であ
り、相殺器２１９から出力されるＲＦ信号の強度を検出
し、検出した値と前状態のＲＦ信号の強度を比較してそ
の比較差によって３段階の制御を実行する。すなわち、
Ａ／Ｄ変換器８１４が１６ビットなので、１段階は３ス
テップ、２段階は１０ステップ、３段階は２０ステップ
を設定する（ステップはＡ／Ｄ変換時の量子化ステッ
プ）。そして、初期レベル及び位相制御時点では検出Ｒ
ＳＳＩに関係なく１段階で制御し、２番目の制御以後の
過程では、比較差が１０ステップ以下であれば１段階で
制御し、２０ステップ以下であれば２段階で制御し、２
０ステップ以上であれば３段階で制御する。これをＹ回
にわたって連続的に実行する。
【００６０】制御過程は、ステップ１２１１で、制御部
２３７が第３信号ＳＦ３を選択するためのスイッチ制御
信号ＳＷＣを出力すると、選択器２３５は、図１７（１
１Ｂ）のような相殺器２１９から出力される信号を選択
して検出器２３６に出力する。制御部２３７は、相殺器
２１９の出力に含まれているＲＦ信号成分の強度を検出
して分析し、第１可変減衰器２１１及び第１可変移相器
２１２を制御してＲＦ信号のレベル及び位相を調整す
る。
【００６１】ステップ１２１３で、相殺器２１９に含ま
れているＲＦ信号の相殺回数をカウントするＳＵＢカウ
ンタが０であるかどうかを検査し、ＳＵＢカウンタの値
が０であれば、制御部２３７は、ステップ１２１５で、
貯蔵している前状態の位相制御信号ＰＰＩＣ１＋１段階
の値にしてこれを位相制御信号ＰＩＣ１として出力し、
該位相制御信号ＰＩＣ１がＤ／Ａ変換器８１５のＤＡＣ
２によりアナログ信号に変換されて第１可変移相器２１
２に印加される。第１可変移相器２１２は、位相制御信
号ＰＩＣ１によって入力ＲＦ信号の位相を調整し、電力
増幅器２１４側に出力する。そして、制御部２３７は、
ステップ１２１７で、位相制御信号ＰＩＣ１を次の状態
に備えて前の位相制御信号ＰＰＩＣ１として貯蔵する。
次いでステップ１２１９で、前状態の減衰制御信号ＰＡ
ＴＴ１＋１段階にして減衰制御信号ＡＴＴ１を出力し、
該減衰制御信号ＡＴＴ１がＤＡＣ１によってアナログ信
号に変換されて可変減衰器３１５に印加される。第１可
変減衰器２１１は、減衰制御信号ＡＴＴ１によってＲＦ
信号のレベルを調整して電力増幅器２１４側へ出力す
る。そして、制御部２３９は、ステップ１２２１で、Ａ
ＴＴ１をＰＡＴＴ１として貯蔵する。
【００６２】ＲＦ信号の一番目の位相及びレベル制御
は、このように前状態の制御信号に１段階を加算しても
よいが、前状態の制御信号と現在検出した制御信号との
差を求めて該当段階の制御信号を発生してもよい。この
ようにＲＦ信号の位相及びレベルを制御し、ステップ１
２５３で、制御部２３７は、ＳＵＢカウントを増加させ
る。
【００６３】ステップ１２１１で、ＳＵＢカウンタ値が
０でなければ制御部２３７は、ステップ１２２３〜１２
２９で、検出器２３６から図１７（１１Ｂ）のように出
力される相殺器２１９の出力におけるＲＦ信号のｆ１〜
ｆ２を指定するための制御データＰＣＤを順次出力し、
該当ｆ１〜ｆ２信号のＲＳＳＩ値を受信して貯蔵する。
そして、制御部２３７は、ステップ１２３１で、ｆ１〜
ｆ２信号中から一番大きいＲＳＳＩ値を有するｆ信号を
選択する。
【００６４】この後、ステップ１２３３で、制御部２３
７は、選択されたｆ信号の強度と前状態の位相制御信号
ＰＰＩＣ１の値とを比較する。ｆ信号が位相制御信号Ｐ
ＰＩＣ１より大きければ、ステップ１２３５で、位相制
御値を小さくする方向に設定し、ｆ信号が位相制御信号
ＰＰＩＣ１より小さければ、ステップ１２３７で、位相
制御値を増加させる方向に設定する。このように位相制
御の方向を設定し、ステップ１２３９で、ｆ信号の値と
前状態の位相制御信号ＰＰＩＣ１との差を求めた後、そ
の差による位相制御信号ＰＩＣ１を発生する。位相制御
信号ＰＩＣ１は、Ｄ／Ａ変換器８１５を通じて第１可変
移相器２１２に印加される。ステップ１２４１で、制御
部２３７は、位相制御信号ＰＩＣ１を次の状態で使用す
るために前状態の位相制御信号ＰＰＩＣ１として貯蔵す
る。
【００６５】ステップ１２４３で、制御部２３７は、選
択されたｆ信号の強度と前状態の減衰制御信号ＰＡＴＴ
１の値とを比較する。ｆ信号が減衰制御信号ＰＡＴＴ１
より大きければ、ステップ１２４５で、減衰制御値を小
さくする方向に設定し、ｆ信号が減衰制御信号ＰＡＴＴ
１より小さければ、ステップ１２４７で、減衰制御値を
増加させる方向に設定する。このように減衰制御の方向
を設定し、ステップ１２４９で、ｆ信号の値と前状態の
減衰制御信号ＰＡＴＴ１との差を求めた後、その差によ
る減衰制御信号ＡＴＴ１を発生する。減衰制御信号ＡＴ
Ｔ１は、Ｄ／Ａ変換器８１５を通じて第１可変減衰器２
１１に印加される。ステップ１２５１で、制御部２３７
は、減衰制御信号ＡＴＴ１を前の減衰制御信号ＰＡＴＴ
１として貯蔵する。
【００６６】ステップ１２５３で、制御部２３７は、Ｓ
ＵＢカウントを一つ増加させ、そしてステップ１２５５
で、ＳＵＢカウントがＹ値になるまでステップ１２２３
に戻って過程を繰り返し行う。即ち、相殺器２１９に含
まれているＲＦ信号の強度を検出し、前状態で相殺器２
１９から出力されたＲＦ信号の強度と比較して制御方向
及び制御大きさを決定することによりＲＦ信号の位相及
びレベルを調整し、ＳＵＢカウントがＹになると、相殺
器２１９に含まれているＲＦ信号の抑制動作を終了す
る。
【００６７】図１５及び図１６におけるステップ１３１
１〜ステップ１３６３は、電力増幅器２１４から出力さ
れる最終ＲＦ信号に含まれている混変調成分ＩＭを検査
して第２可変減衰器２２０及び第２可変移相器２２１を
制御する動作を示している。
【００６８】電力増幅器２１４から出力されるＲＦ信号
は、第２遅延器２１５を通じて、補助経路における混変
調成分処理の時間を遅延補償され、結合器２２３によっ
て、補助経路で処理された混変調成分が逆位相で結合さ
れることで、最終的に出力されるＲＦ信号に含まれてい
る混変調成分が２次抑制される。
【００６９】最終的に出力されるＲＦ信号に混変調成分
が含まれていると、これに対し制御部２３７は、図１７
（１１Ｃ）の最終出力端の出力に含まれている混変調成
分ＩＭ１〜ＩＭ４の強度を検出して、結合器２２３によ
ってその混変調成分を良好に抑制し得るようにフィード
フォワードを制御する。上述の前置歪みやＲＦ信号の減
衰及び位相制御の場合と同様に、最終的に出力される増
幅ＲＦ信号に含まれている混変調成分ＩＭ１〜ＩＭ４の
強度を検出し、検出した値と前状態の混変調成分ＩＭ１
〜ＩＭ４の強度とを比較し、その比較差によって大きく
３段階の制御動作を行う。すなわち、Ａ／Ｄ変換器８１
４が１６ビットなので、１段階は３ステップ、２段階は
１０ステップ、３段階は２０ステップを設定する（ステ
ップはＡ／Ｄ変換時の量子化ステップ）。そして、初期
レベル及び位相制御時点では検出ＲＳＳＩに関係なく１
段階で制御し、２番目の制御以後の過程では、比較差が
１０ステップの以下であれば１段階で制御し、２０ステ
ップ以下であれば２段階で制御し、２０ステップ以上で
あれば３段階で制御する。これをＺ回にわたって連続的
に制御する。
【００７０】図１５及び図１６に示すステップ１３１１
〜ステップ１３６３は、前置歪み信号のレベル及び位相
を調整するステップ１１１１〜ステップ１１６３の過程
と同一の手順により行われる。即ち、制御部２３７は、
選択器２３５を制御して第４信号ＳＦ４を選択し、検出
器２３６を制御して混変調成分ＩＭ１〜ＩＭ４を順次選
択し、この後、制御部２３７は、検出器２３６から検出
される混変調成分ＩＭ１〜ＩＭ４のＲＳＳＩを順次受信
する。受信された混変調成分ＩＭ１〜ＩＭ４で一番大き
いＲＳＳＩの混変調成分ＩＭを選択し、前状態の該当混
変調成分ＩＭと現在検出された混変調成分ＩＭとの強度
を比較する。そして、制御部２３７は、２つの混変調成
分の比較差に対応する段階の位相制御信号ＰＩＣ２及び
減衰制御部信号ＡＴＴ２を求めて、第２可変移相器２２
１及び第２可変減衰器２２０をＺ回にわたって制御す
る。
【００７１】本例は、上述のように第１行程でサービス
チャネルを選択し、第２行程で前置歪み信号の位相及び
レベルを制御し、第３行程でＲＦ信号の位相及びレベル
を制御し、第４行程で相殺器２１９から出力される混変
調成分の位相及びレベルを制御する例を説明したが、他
の制御方法として、サービスチャネルを選択する動作を
タイマインタラプトによって一定時間の間隔で行わせる
ことができる。この場合、制御部２３７は、タイマイン
タラプトの発生時ごとにサービスチャネルの探索動作を
行い、残りの周期では、可変減衰器及び可変移相器を制
御する動作を行う。この時、任意の可変減衰器及び可変
移相器を制御する状態でタイマインタラプトが発生する
と、制御部２３７は、遂行中の動作を中断し、タイマイ
ンタラプトのサービスルーチンを行った後さらにメイン
ルーチンに復帰して遂行中の動作を再遂行する。
【００７２】また、可変減衰器及び可変移相器を制御す
る回数Ｘ，Ｙ，Ｚは、該当する可変減衰器及び可変移相
器の入力信号のレベル及び位相を効果的に制御し得る任
意の回数に設定することができ、例えば本例では一律に
５回と想定する。
【００７３】図１８は、本発明の線形増幅装置の第２の
実施形態の構成を示すブロック図である。同図の線形増
幅装置は、第１可変減衰器２１１及び第１可変移相器２
１２が補助経路に位置することを除いては、図２の線形
増幅装置と同様の構成を有する。主経路上の前置歪み器
２１３は、図３〜図５のような構成を有し、制御部２３
７の減衰制御信号ＡＴＴ３及び位相制御信号ＰＩＣ３に
基づいてレベル及び位相制御してＲＦ信号に前置歪みを
発生させることより、前置歪みＲＦ信号を電力増幅器２
１４へ出力する。電力増幅器２１４は、前置歪み器２１
３の出力を入力とし、前置歪みＲＦ信号を増幅すること
により混変調成分の抑制された増幅ＲＦ信号を出力す
る。
【００７４】補助経路上の第１遅延器２１７は、分配器
２１６によって主経路から分配されるＲＦ信号を入力と
し、前置歪み器２１３及び電力増幅器２１４における処
理時間の間、ＲＦ信号を遅延させる。第１可変減衰器２
１１及び第１可変移相器２１２は、第１遅延器２１７及
び相殺器２１９の間に連結され、制御部２３７から出力
される減衰制御信号ＡＴＴ１及び位相制御信号ＰＩＣ１
によってＲＦ信号のレベル及び位相をそれぞれ制御して
相殺器２１９に出力する。
【００７５】制御部２３７は、図１０〜１６と同過程で
第１信号ＳＦ１〜ＳＦ４を選択し、選択信号ＳＦから混
変調成分またはＲＦ信号のＲＳＳＩを検出して、減衰制
御信号ＡＴＴ１〜ＡＴＴ３及び位相制御信号ＰＩＣ１〜
ＰＩＣ３を発生する。制御部２３７はまずサービスチャ
ネルを設定し、順次に、電力増幅器２１４に含まれる混
変調成分を抑制するための前置歪み信号のレベル及び位
相を調整し、相殺器２１９の出力に含まれるＲＦ信号成
分を抑制するために補助経路のＲＦ信号のレベル及び位
相を調整し、最終的に出力される増幅ＲＦ信号に含まれ
る混変調成分が抑制されるように相殺器２１９から出力
される混変調成分のレベル及び位相を調整する。
【００７６】図１９は、本発明の線形増幅装置の第３の
実施形態の構成を示すブロック図である。同図の線形増
幅装置は、第１可変減衰器２１１及び第１可変移相器２
１２が主経路と補助経路との間に位置することを除いて
は、図２の線形増幅装置と同様の構成を有する。
【００７７】主経路上の前置歪み器２１３は、図３〜図
５のような構成を有し、制御部２３７の減衰制御信号Ａ
ＴＴ３及び位相制御信号ＰＩＣ３によってレベル及び位
相を制御した前置歪み信号を発生し、その前置歪みＲＦ
信号を電力増幅器２１４に出力する。電力増幅器２１４
は前置歪み器２１３の出力を入力とし、前置歪みＲＦ信
号を増幅することにより混変調成分の抑制されたＲＦ信
号を出力する。
【００７８】補助経路上の第１遅延器２１７は、分配器
２１６によって主経路から分配されるＲＦ信号を入力と
し、前置歪み器２１３及び電力増幅器２１４における処
理時間の間、ＲＦ信号を遅延させて相殺器２１９に出力
する。
【００７９】第１可変減衰器２１１及び第１可変移相器
２１２は、分配器２１８と相殺器２１９との間に連結さ
れ、制御部２３７から出力される減衰制御信号ＡＴＴ１
及び位相制御信号ＰＩＣ１によってＲＦ信号のレベル及
び位相をそれぞれ制御して相殺器２１９に出力する。即
ち、第１可変減衰器２１１及び第１可変移相器２１２は
主経路と補助経路との間に位置し、主経路上の電力増幅
器２１４から出力される増幅ＲＦ信号の位相及びレベル
を制御し、補助経路上の相殺器２１９に出力する。
【００８０】制御部２３７は、図１０〜１６と同過程に
より、第１信号ＳＦ１〜第４信号ＳＦ４を選択し、選択
した信号ＳＦから混変調成分またはＲＦ信号のＲＳＳＩ
を検出して減衰制御信号ＡＴＴ１〜ＡＴＴ３及び位相制
御信号ＰＩＣ１〜ＰＩＣ３を発生する。制御部２３７
は、まずサービスチャネルを設定し、順次に、電力増幅
器２１４に含まれる混変調成分を抑制するための前置歪
み信号のレベル及び位相を調整し、相殺器２１９の出力
に含まれるＲＦ信号成分を抑制するために電力増幅器２
１４から出力されるＲＦ信号のレベル及び位相を調整
し、最終的に出力される増幅ＲＦ信号に含まれている混
変調成分が抑制されるように、相殺器２１９から出力さ
れる混変調成分のレベル及び位相を調整する。
【００８１】図１８及び図１９に示した装置は、サービ
スチャネルを選択する動作をタイマインタラプトによっ
て一定時間の間隔で行わせる制御方法としてもよい。
【００８２】
【発明の効果】以上のように、本発明の線形増幅装置
は、前置歪み方式とフィードフォワード方式とを用い
て、混変調成分を分散させて効果的に制御できる。即
ち、前置歪み方式を用いて電力増幅器における混変調成
分を一次抑制し、フィードフォワード方式を用いて抑制
しきれなかった混変調成分成分を二次抑制する。この方
式を使用することにより、電力増幅器やエラー増幅器の
設計及び制作が容易になる。また、線形化機能を行う可
変減衰器及び可変移相器は、周波数特性で広い帯域幅を
有し、更に、平坦度及び可変特性も良好であるので、他
の用途で使用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の線形増幅装置構成を示すブロック図。
【図２】本発明の線形増幅装置の第１の実施形態の構成
を示すブロック図。
【図３】図２の前置歪み器２１３の内部構成を示すブロ
ック図。
【図４】図３の自動レベル制御器３１３の構成を示すブ
ロック図。
【図５】図４の電力検出器４１５の構成を示すブロック
図。
【図６】図２の各部動作により発生する信号特性を示す
図。
【図７】図２の検出器２３６の内部構成を示すブロック
図。
【図８】図２の制御部２３７の内部構成を示す図。
【図９】可変減衰器及び可変位相器を制御する動作を示
した図。
【図１０】可変減衰器及び可変位相器の制御過程を示す
フローチャート。
【図１１】可変減衰器及び可変位相器の制御過程を示す
フローチャート。
【図１２】可変減衰器及び可変位相器の制御過程を示す
フローチャート。
【図１３】可変減衰器及び可変位相器の制御過程を示す
フローチャート。
【図１４】可変減衰器及び可変位相器の制御過程を示す
フローチャート。
【図１５】可変減衰器及び可変位相器の制御過程を示す
フローチャート。
【図１６】可変減衰器及び可変位相器の制御過程を示す
フローチャート。
【図１７】信号ＳＦを示す図。
【図１８】本発明の線形増幅装置の第２の実施形態の構
成を示すブロック図。
【図１９】本発明の線形増幅装置の第３の実施形態の構
成を示すブロック図。
【符号の説明】
２１１ 第１可変減衰器 ２１２ 第１可変移相器 ２１３ 前置歪み器 ２１５ 第２遅延器 ２１７ 第１遅延器 ２１９ 相殺器 ２２０ 第２可変減衰器 ２２１ 第２可変移相器 ２２２ エラー増幅器 ２３５ 選択器 ２３７ 制御部 ３１１ 遅延器 ３１３ 自動レベル制御器 ３１４ 高調波発生器 ３１５ 可変減衰器 ３１６ 可変移相器 ４１２ 可変減衰器 ４１５ 電力検出器 ４１６ レベル制御器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 永坤 大韓民国ソウル特別市永登浦区文來洞２ 街南星アパート１棟405号 (72)発明者 鄭 勝源 大韓民国ソウル特別市龍山区普光洞75番 地16号 (72)発明者 李 城勳 大韓民国京畿道城南市水晶区新興３洞 2684番地 (72)発明者 鄭 淳哲 大韓民国京畿道安養市東安区虎溪３洞 813番地42号 (72)発明者 金 哲東 大韓民国ソウル特別市江南区開浦洞優性 ３次アパート５棟703号 (72)発明者 張 益洙 大韓民国ソウル特別市江南区驛三洞699 番地８号 (56)参考文献 特開 平１−200807（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−106209（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−58554（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−37552（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−97642（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−92222（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03F 1/32 H04B 1/04

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 主経路に位置し、第１減衰制御信号及び
    位相制御信号に従いＲＦ信号のレベル及び位相を調整す
    る第１可変減衰及び移相器と、前記主経路に位置し、前
    記第１可変減衰及び移相器から出力されるＲＦ信号に対
    応した高調波を発生して第３減衰制御信号及び位相制御
    信号に従いレベル及び位相を調整してから前記ＲＦ信号
    に結合することで前置歪みＲＦ信号を発生する前置歪み
    器と、前記主経路に位置し、前記前置歪み器から出力さ
    れる前置歪みＲＦ信号を増幅する電力増幅器と、補助経
    路に位置し、前記主経路から分配された前記電力増幅器
    の出力信号と前記ＲＦ信号とを相殺させて混変調信号を
    抽出する相殺器と、前記補助経路に位置し、第２減衰制
    御信号及び位相制御信号に従い前記相殺器から出力され
    る混変調信号のレベル及び位相を調整する第２可変減衰
    及び移相器と、前記補助経路に位置し、前記第２可変減
    衰及び移相器から出力される混変調信号を増幅するエラ
    ー増幅器と、前記エラー増幅器から出力される混変調信
    号を前記電力増幅器の出力信号に結合する結合器と、そ
    れぞれ分配されてくる前記電力増幅器の出力信号、前記
    相殺器の出力信号、前記結合器の出力信号をスイッチ制
    御信号に従い選択する選択器と、該選択器の出力信号を
    制御データによる周波数で同期させて信号強度を検出す
    る検出器と、前記選択器のスイッチ制御信号を発生し、
    そして、前記電力増幅器の出力信号選択時には、該出力
    信号に含まれる混変調成分用の前記制御データを出力
    し、これにより前記検出器から出力される信号強度を以
    前の信号強度と比較してその差に対応する前記第３減衰
    制御信号及び位相制御信号を発生し、また、前記相殺器
    の出力信号選択時には、該出力信号に含まれるＲＦ信号
    成分用の前記制御データを出力し、これにより前記検出
    器から出力される信号強度を以前の信号強度と比較して
    その差に対応する前記第１減衰制御信号及び位相制御信
    号を発生し、また、前記結合器の出力信号選択時には、
    該出力信号に含まれる混変調成分用の前記制御データを
    出力し、これにより前記検出器から出力される信号強度
    を以前の信号強度と比較してその差に対応する前記第２
    減衰制御信号及び位相制御信号を発生する制御部と、を
    備えたことを特徴とする線形増幅装置。
  2. 【請求項２】 主経路に位置し、入力されるＲＦ信号に
    対応した高調波を発生して第３減衰制御信号及び位相制
    御信号に従いレベル及び位相を調整してから前記ＲＦ信
    号に結合することで前置歪みＲＦ信号を発生する前置歪
    み器と、前記主経路に位置し、前記前置歪み器から出力
    される前置歪みＲＦ信号を増幅する電力増幅器と、補助
    経路に位置し、第１減衰制御信号及び位相制御信号に従
    い前記主経路から分配されたＲＦ信号のレベル及び位相
    を調整する第１可変減衰及び移相器と、前記補助経路に
    位置し、前記主経路から分配された前記電力増幅器の出
    力信号と前記第１可変減衰及び移相器の出力信号とを相
    殺させて混変調信号を抽出する相殺器と、前記補助経路
    に位置し、第２減衰制御信号及び位相制御信号に従い前
    記相殺器から出力される混変調信号のレベル及び位相を
    調整する第２可変減衰及び移相器と、前記補助経路に位
    置し、前記第２可変減衰及び移相器から出力される混変
    調信号を増幅するエラー増幅器と、前記エラー増幅器か
    ら出力される混変調信号を前記第２遅延器の出力信号に
    結合する結合器と、それぞれ分配されてくる前記電力増
    幅器の出力信号、前記相殺器の出力信号、前記結合器の
    出力信号をスイッチ制御信号に従い選択する選択器と、
    該選択器の出力信号を制御データによる周波数で同期さ
    せて信号強度を検出する検出器と、前記選択器のスイッ
    チ制御信号を発生し、そして、前記電力増幅器の出力信
    号選択時には、該出力信号に含まれる混変調成分用の前
    記制御データを出力し、これにより前記検出器から出力
    される信号強度を以前の信号強度と比較してその差に対
    応する前記第３減衰制御信号及び位相制御信号を発生
    し、また、前記相殺器の出力信号選択時には、該出力信
    号に含まれるＲＦ信号成分用の前記制御データを出力
    し、これにより前記検出器から出力される信号強度を以
    前の信号強度と比較してその差に対応する前記第１減衰
    制御信号及び位相制御信号を発生し、また、前記結合器
    の出力信号選択時には、該出力信号に含まれる混変調成
    分用の前記制御データを出力し、これにより前記検出器
    から出力される信号強度を以前の信号強度と比較してそ
    の差に対応する前記第２減衰制御信号及び位相制御信号
    を発生する制御部と、を備えたことを特徴とする線形増
    幅装置。
  3. 【請求項３】 主経路に位置し、入力されるＲＦ信号に
    対応した高調波を発生して第３減衰制御信号及び位相制
    御信号に従いレベル及び位相を調整してから前記ＲＦ信
    号に結合することで前置歪みＲＦ信号を発生する前置歪
    み器と、前記主経路に位置し、前記前置歪み器から出力
    される前置歪みＲＦ信号を増幅する電力増幅器と、主経
    路と補助経路との間に位置し、第１減衰制御信号及び位
    相制御信号に従い前記主経路から分配された前記電力増
    幅器の出力信号のレベル及び位相を調整する第１可変減
    衰及び移相器と、前記補助経路に位置し、前記第１可変
    減衰及び移相器の出力信号と前記ＲＦ信号とを相殺させ
    て混変調信号を抽出する相殺器と、前記補助経路に位置
    し、第２減衰制御信号及び位相制御信号に従い前記相殺
    器から出力される混変調信号のレベル及び位相を調整す
    る第２可変減衰及び移相器と、前記補助経路に位置し、
    前記第２可変減衰及び移相器から出力される混変調信号
    を増幅するエラー増幅器と、前記エラー増幅器から出力
    される混変調信号を前記電力増幅器の出力信号に結合す
    る結合器と、それぞれ分配されてくる前記電力増幅器の
    出力信号、前記相殺器の出力信号、前記結合器の出力信
    号をスイッチ制御信号に従い選択する選択器と、該選択
    器の出力信号を制御データによる周波数で同期させて信
    号強度を検出する検出器と、前記選択器のスイッチ制御
    信号を発生し、そして、前記電力増幅器の出力信号選択
    時には、該出力信号に含まれる混変調成分用の前記制御
    データを出力し、これにより前記検出器から出力される
    信号強度を以前の信号強度と比較してその差に対応する
    前記第３減衰制御信号及び位相制御信号を発生し、ま
    た、前記相殺器の出力信号選択時には、該出力信号に含
    まれるＲＦ信号成分用の前記制御データを出力し、これ
    により前記検出器から出力される信号強度を以前の信号
    強度と比較してその差に対応する前記第１減衰制御信号
    及び位相制御信号を発生し、また、前記結合器の出力信
    号選択時には、該出力信号に含まれる混変調成分用の前
    記制御データを出力し、これにより前記検出器から出力
    される信号強度を以前の信号強度と比較してその差に対
    応する前記第２減衰制御信号及び位相制御信号を発生す
    る制御部と、を備えたことを特徴とする線形増幅装置。
  4. 【請求項４】 前置歪み器は、ＲＦ信号を分配する分配
    器と、該分配器の出力信号を一定レベルに制御する自動
    レベル制御器と、該自動レベル制御器の出力信号に対応
    した高調波を発生する高調波発生器と、該高調波発生器
    の出力信号のレベル及び位相を第３減衰制御信号及び位
    相制御信号に従い調整する第３可変減衰及び移相器と、
    前記ＲＦ信号を遅延させる遅延器と、前記第３可変減衰
    及び移相器の出力信号を前記遅延器の出力信号に結合す
    る結合器と、から構成される請求項１〜請求項３のいず
    れか１項に記載の線形増幅装置。
  5. 【請求項５】 自動レベル制御器は、１８０°の位相差
    を持つ２つの信号を発生するＲＦトランスと、第１伝送
    ラインを介して前記ＲＦトランスと接続される第１ダイ
    オードと、第２伝送ラインを介して前記ＲＦトランスと
    接続される第２ダイオードと、から構成される電力検出
    器を備え、該電力検出器は、前記ＲＦトランスから発生
    した２つの信号を、前記第１及び第２伝送ラインを通じ
    て前記第１及び第２ダイオードに入力しＤＣレベルに変
    換する請求項４記載の線形増幅装置。
  6. 【請求項６】 検出器は、制御データに従ってローカル
    周波数を発生するＰＬＬと、選択器の出力信号と前記Ｐ
    ＬＬの出力信号とを混合する混合器と、該混合器の出力
    周波数をダウンコンバートする濾波器と、該濾波器の出
    力信号を直流電圧に変換し信号強度として出力するＬＯ
    Ｇ増幅器と、を用いてなる請求項１〜請求項３のいずれ
    か１項に記載の線形増幅装置。
  7. 【請求項７】 補助経路に位置し、主経路から分配され
    たＲＦ信号を遅延させて相殺器に出力する第１遅延器
    と、主経路に位置し、電力増幅器の出力信号を遅延させ
    る第２遅延器と、をさらに備える請求項１又は請求項３
    に記載の線形増幅装置。
  8. 【請求項８】 補助経路に位置し、主経路から分配され
    たＲＦ信号を遅延させて第１可変減衰及び移相器に出力
    する第１遅延器と、主経路に位置し、電力増幅器の出力
    信号を遅延させる第２遅延器と、をさらに備える請求項
    ２記載の線形増幅装置。
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